JP3266131B2 - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置Info
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- JP3266131B2 JP3266131B2 JP03888399A JP3888399A JP3266131B2 JP 3266131 B2 JP3266131 B2 JP 3266131B2 JP 03888399 A JP03888399 A JP 03888399A JP 3888399 A JP3888399 A JP 3888399A JP 3266131 B2 JP3266131 B2 JP 3266131B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
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- H01P1/2136—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using comb or interdigital filters; using cascaded coaxial cavities
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- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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- Electromagnetism (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体ブロック
に導体を形成して成る誘電体フィルタ、誘電体デュプレ
クサおよびそれらを用いた通信装置に関するものであ
る。
に導体を形成して成る誘電体フィルタ、誘電体デュプレ
クサおよびそれらを用いた通信装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】略直方体形状の誘電体ブロックに内導体
形成孔を設け、その内導体形成孔の内部に内導体非形成
部を部分的に設けることにより構成した誘電体共振器装
置が特開平５−１８３３０９号に開示されている。ま
た、誘電体ブロックの一方の端面の外導体を除去して、
その面を共振器の開放面とした誘電体共振器装置が実
開昭６３−１８１００２号公報に開示されている。
形成孔を設け、その内導体形成孔の内部に内導体非形成
部を部分的に設けることにより構成した誘電体共振器装
置が特開平５−１８３３０９号に開示されている。ま
た、誘電体ブロックの一方の端面の外導体を除去して、
その面を共振器の開放面とした誘電体共振器装置が実
開昭６３−１８１００２号公報に開示されている。
【０００３】の構造を有する誘電体フィルタは、共振
器の開放端が誘電体ブロック外面の外導体より内側（内
導体形成孔内）に存在するため、電磁界リークが抑えら
れ、高次のスプリアスが抑圧される。また、内導体形成
孔内の内導体を切削することによって、上記共振器の開
放端を形成することができるので、個々の共振器の調整
（微調整）が可能になる、といった利点を備える。
器の開放端が誘電体ブロック外面の外導体より内側（内
導体形成孔内）に存在するため、電磁界リークが抑えら
れ、高次のスプリアスが抑圧される。また、内導体形成
孔内の内導体を切削することによって、上記共振器の開
放端を形成することができるので、個々の共振器の調整
（微調整）が可能になる、といった利点を備える。
【０００４】また、の構造を有する誘電体フィルタに
おいては、入出力電極を誘電体ブロックの外面の開放面
付近に設けて、その入出力電極と内導体との間を容量結
合させる場合に、入出力電極と外導体（アース）との静
電容量がの構造に比較して小さくなるため、入出力電
極を小さくすることができ、共振器の無負荷Ｑ（Ｑｏ）
の劣化を防ぐことができる。また、開放面を形成する際
に、誘電体ブロックの端面を切削または研削することに
より、複数の共振器の開放端として一括して確保できる
ため、製造コストが抑えられる、といった効果を備えて
いる。
おいては、入出力電極を誘電体ブロックの外面の開放面
付近に設けて、その入出力電極と内導体との間を容量結
合させる場合に、入出力電極と外導体（アース）との静
電容量がの構造に比較して小さくなるため、入出力電
極を小さくすることができ、共振器の無負荷Ｑ（Ｑｏ）
の劣化を防ぐことができる。また、開放面を形成する際
に、誘電体ブロックの端面を切削または研削することに
より、複数の共振器の開放端として一括して確保できる
ため、製造コストが抑えられる、といった効果を備えて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、の構造の
誘電体フィルタでは、入出力電極と外導体（アース）と
の静電容量が大きくなるため、共振器との所定の結合量
を得るためには入出力電極面積を大きくせざるを得な
い。その結果、本来外導体（アース）電極であるべきと
ころに大きな入出力電極を設けることになり、共振器の
導体損が増し、共振器のＱｏが劣化する。また、各内導
体形成孔内の導体をそれぞれ個別に削除する方法により
各共振器を構成することになるため、全体の製造工数が
増え、加工コストが嵩むという問題があった。
誘電体フィルタでは、入出力電極と外導体（アース）と
の静電容量が大きくなるため、共振器との所定の結合量
を得るためには入出力電極面積を大きくせざるを得な
い。その結果、本来外導体（アース）電極であるべきと
ころに大きな入出力電極を設けることになり、共振器の
導体損が増し、共振器のＱｏが劣化する。また、各内導
体形成孔内の導体をそれぞれ個別に削除する方法により
各共振器を構成することになるため、全体の製造工数が
増え、加工コストが嵩むという問題があった。
【０００６】また、の構造の誘電体フィルタでは、開
放面側が外部に対して露出しているため、その部分で電
磁界のリークが起こり、高次のスプリアスが発生しやす
いという問題があった。また、開放面の加工を一括して
行うため、個々の共振器の特性調整が困難になる、とい
う問題があった。
放面側が外部に対して露出しているため、その部分で電
磁界のリークが起こり、高次のスプリアスが発生しやす
いという問題があった。また、開放面の加工を一括して
行うため、個々の共振器の特性調整が困難になる、とい
う問題があった。
【０００７】この発明の目的は、上記問題点を解消し
て、上記，のそれぞれの構造を有する誘電体フィル
タの利点を合わせ持つ誘電体フィルタ、誘電体デュプレ
クサおよびそれらを用いた通信装置を提供することにあ
る。
て、上記，のそれぞれの構造を有する誘電体フィル
タの利点を合わせ持つ誘電体フィルタ、誘電体デュプレ
クサおよびそれらを用いた通信装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の誘電体フィル
タは、略直方体形状の誘電体ブロックの内部に内導体形
成孔を設け、外面に入出力電極と外導体とを形成した構
造を基本とし、少なくとも１つの内導体形成孔の端部を
前記誘電体ブロックの前記外導体の無い開放面とし、該
内導体形成孔の端部付近に前記入出力電極を容量結合さ
せ、前記入出力電極と容量結合しない少なくとも１つの
内導体形成孔の両端部を外導体で覆い、開放面より窪ま
せた位置に配置するとともに、当該孔の内部に内導体非
形成部を設ける。
タは、略直方体形状の誘電体ブロックの内部に内導体形
成孔を設け、外面に入出力電極と外導体とを形成した構
造を基本とし、少なくとも１つの内導体形成孔の端部を
前記誘電体ブロックの前記外導体の無い開放面とし、該
内導体形成孔の端部付近に前記入出力電極を容量結合さ
せ、前記入出力電極と容量結合しない少なくとも１つの
内導体形成孔の両端部を外導体で覆い、開放面より窪ま
せた位置に配置するとともに、当該孔の内部に内導体非
形成部を設ける。
【０００９】この構造により、入出力電極と容量結合す
る内導体の端部が開放面であるため、入出力電極と外導
体との間の必要な静電容量が小さくなって、入出力電極
面積が相対的に小さくなり、入出力電極と内導体の開放
端付近との間に所定の静電容量を確保することができ
る。そのため共振器のＱｏの低下を招かない。また、入
出力電極と容量結合しない内導体を形成する孔について
は、その両端部が外導体で覆われているため、電磁界リ
ークおよび高次のスプリアスの発生が抑圧される。ま
た、開放面とすべき面にも短絡面と同様に一旦外導体を
形成し、外導体の研削により開放面を一括形成すること
ができる。その際、短絡面は開放面より窪んでいるため
除去されることがない。
る内導体の端部が開放面であるため、入出力電極と外導
体との間の必要な静電容量が小さくなって、入出力電極
面積が相対的に小さくなり、入出力電極と内導体の開放
端付近との間に所定の静電容量を確保することができ
る。そのため共振器のＱｏの低下を招かない。また、入
出力電極と容量結合しない内導体を形成する孔について
は、その両端部が外導体で覆われているため、電磁界リ
ークおよび高次のスプリアスの発生が抑圧される。ま
た、開放面とすべき面にも短絡面と同様に一旦外導体を
形成し、外導体の研削により開放面を一括形成すること
ができる。その際、短絡面は開放面より窪んでいるため
除去されることがない。
【００１０】
【００１１】
【００１２】また、この発明の誘電体デュプレクサは、
略直方体形状の誘電体ブロックの内部に内導体形成孔を
設け、外面に複数の入出力電極と外導体とを形成した構
造を基本とし、少なくとも１つの内導体形成孔の端部を
前記誘電体ブロックの前記外導体の無い開放面とし、該
内導体形成孔の端部付近に少なくとも１つの入出力電極
を容量結合させ、当該入出力電極と容量結合しない少な
くとも１つの内導体形成孔の両端部を外導体で覆い、開
放面より窪ませた位置に配置するとともに、当該孔の内
部に内導体非形成部を設ける。
略直方体形状の誘電体ブロックの内部に内導体形成孔を
設け、外面に複数の入出力電極と外導体とを形成した構
造を基本とし、少なくとも１つの内導体形成孔の端部を
前記誘電体ブロックの前記外導体の無い開放面とし、該
内導体形成孔の端部付近に少なくとも１つの入出力電極
を容量結合させ、当該入出力電極と容量結合しない少な
くとも１つの内導体形成孔の両端部を外導体で覆い、開
放面より窪ませた位置に配置するとともに、当該孔の内
部に内導体非形成部を設ける。
【００１３】さらに、この発明の通信装置は、その高周
波回路部分に上記誘電体フィルタまたは誘電体デュプレ
クサを用いて構成する。
波回路部分に上記誘電体フィルタまたは誘電体デュプレ
クサを用いて構成する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本願発明に含まれる実施形態は、
以下に説明する第１、第３の実施形態である。第１の実
施形態に係る誘電体フィルタの構成を図１を参照して説
明する。図１は誘電体フィルタの投影図および断面図で
ある。（Ａ）は上面図、（Ｂ）は左側面図、（Ｃ）は正
面図、（Ｄ）は右側面図である。ただし、（Ｃ）に示す
正面が回路基板に対して表面実装する際の実装面であ
る。（Ｅ）はＡ−Ａで示す面での断面図である。
以下に説明する第１、第３の実施形態である。第１の実
施形態に係る誘電体フィルタの構成を図１を参照して説
明する。図１は誘電体フィルタの投影図および断面図で
ある。（Ａ）は上面図、（Ｂ）は左側面図、（Ｃ）は正
面図、（Ｄ）は右側面図である。ただし、（Ｃ）に示す
正面が回路基板に対して表面実装する際の実装面であ
る。（Ｅ）はＡ−Ａで示す面での断面図である。
【００１５】図１において、１は略直方体形状の誘電体
ブロックであり、その内部に、内面に内導体３ａ，３
ｂ，３ｃを形成した内導体形成孔２ａ，２ｂ，２ｃを設
けている。また、誘電体ブロック１の外面には外導体４
を形成している。ただし、内導体形成孔２ａ，２ｃの一
方の開口面周囲は開放面とし、内導体形成孔２ｂの一方
の端面は上記開放面より窪ませていて、その窪んだ内面
に外導体４を形成している。また、誘電体ブロックの外
面には、正面から上面にかけて、また正面から下面にか
けて入出力電極５ａ，５ｂを、外導体４からそれぞれ絶
縁状態に設けている。これらの入出力電極５ａ，５ｂと
内導体３ａ，３ｃの開放端付近との間には静電容量が生
じて、それぞれ容量結合する。
ブロックであり、その内部に、内面に内導体３ａ，３
ｂ，３ｃを形成した内導体形成孔２ａ，２ｂ，２ｃを設
けている。また、誘電体ブロック１の外面には外導体４
を形成している。ただし、内導体形成孔２ａ，２ｃの一
方の開口面周囲は開放面とし、内導体形成孔２ｂの一方
の端面は上記開放面より窪ませていて、その窪んだ内面
に外導体４を形成している。また、誘電体ブロックの外
面には、正面から上面にかけて、また正面から下面にか
けて入出力電極５ａ，５ｂを、外導体４からそれぞれ絶
縁状態に設けている。これらの入出力電極５ａ，５ｂと
内導体３ａ，３ｃの開放端付近との間には静電容量が生
じて、それぞれ容量結合する。
【００１６】内導体形成孔２ａ，２ｂ，２ｃのそれぞれ
は、開放端側の内径が短絡端側の内径に比べて広いステ
ップ孔としている。また、内導体形成孔２ｂの一方の端
部付近には、内導体非形成部ｇを設けて、この部分を内
導体３ｂによる共振器の開放端としている。
は、開放端側の内径が短絡端側の内径に比べて広いステ
ップ孔としている。また、内導体形成孔２ｂの一方の端
部付近には、内導体非形成部ｇを設けて、この部分を内
導体３ｂによる共振器の開放端としている。
【００１７】図１に示した誘電体フィルタは、内導体３
ａ，３ｂ，３ｃがそれぞれ共振器として作用し、それら
の開放端側の線路インピーダンスと短絡端側の線路イン
ピーダンスとの違いにより、イーブンモードとオッドモ
ードの共振周波数に差が生じて、隣接共振器同士が結合
する。そして、入出力電極５ａ，５ｂはその初段の共振
器と終段の共振器とにそれぞれ容量結合する。これによ
り、３段の共振器から成る帯域通過特性を示す誘電体フ
ィルタを得る。
ａ，３ｂ，３ｃがそれぞれ共振器として作用し、それら
の開放端側の線路インピーダンスと短絡端側の線路イン
ピーダンスとの違いにより、イーブンモードとオッドモ
ードの共振周波数に差が生じて、隣接共振器同士が結合
する。そして、入出力電極５ａ，５ｂはその初段の共振
器と終段の共振器とにそれぞれ容量結合する。これによ
り、３段の共振器から成る帯域通過特性を示す誘電体フ
ィルタを得る。
【００１８】図１に示した誘電体フィルタは、次のよう
にして製造する。 (1) まず、図１に示したように、内部に２ａ，２ｂ，２
ｃで示す内導体形成孔となる貫通孔を備え、所定箇所に
窪みを有し、外形が略直方体形状である誘電体ブロック
１を成形し、焼成する。
にして製造する。 (1) まず、図１に示したように、内部に２ａ，２ｂ，２
ｃで示す内導体形成孔となる貫通孔を備え、所定箇所に
窪みを有し、外形が略直方体形状である誘電体ブロック
１を成形し、焼成する。
【００１９】(2) 次に、誘電体ブロックの外面（六面）
および内導体形成孔の内面のすべてにＡｇ導体膜を無電
解メッキ法などにより形成する。続いて、図１の（Ｂ）
に示した左側面を、回転する平板状の砥面に当てて、研
削により外導体を除去する。これにより、図１に示した
開放面を形成する。この時、窪み部分の外導体４は上記
砥面に当接しないでそのまま残る。
および内導体形成孔の内面のすべてにＡｇ導体膜を無電
解メッキ法などにより形成する。続いて、図１の（Ｂ）
に示した左側面を、回転する平板状の砥面に当てて、研
削により外導体を除去する。これにより、図１に示した
開放面を形成する。この時、窪み部分の外導体４は上記
砥面に当接しないでそのまま残る。
【００２０】(3) その後、入出力電極５ａ，５ｂの形成
領域の外導体を部分的に除去することによって、外導体
４から入出力電極５ａ，５ｂを分離形成する。この入出
力電極５ａ，５ｂの形成位置および形成面積を定めるこ
とによって、内導体３ａ，３ｃとの結合容量を定める。
また、内導体形成孔２ｂの内径の大きな方の断面から、
微小な回転砥石を挿入し、回転砥石を回転させたまま内
導体形成孔の内周面に沿って移動させることにより、内
導体３ｂの所定箇所に内導体非形成部ｇを設ける。この
内導体非形成部ｇの設ける位置および内導体形成孔の軸
方向の幅によって、内導体３ｂによる共振器長および内
導体非形成部ｇに生じる浮遊容量を定める。
領域の外導体を部分的に除去することによって、外導体
４から入出力電極５ａ，５ｂを分離形成する。この入出
力電極５ａ，５ｂの形成位置および形成面積を定めるこ
とによって、内導体３ａ，３ｃとの結合容量を定める。
また、内導体形成孔２ｂの内径の大きな方の断面から、
微小な回転砥石を挿入し、回転砥石を回転させたまま内
導体形成孔の内周面に沿って移動させることにより、内
導体３ｂの所定箇所に内導体非形成部ｇを設ける。この
内導体非形成部ｇの設ける位置および内導体形成孔の軸
方向の幅によって、内導体３ｂによる共振器長および内
導体非形成部ｇに生じる浮遊容量を定める。
【００２１】以上に示した構造により、入出力電極５
ａ，５ｂは内導体３ａ，３ｃの開放端である開放面付近
に設けているため、入出力電極５ａ，５ｂと外導体４と
の間の必要な静電容量が小さくなり、その分、入出力電
極は小さな面積であっても、内導体３ａ，３ｃによる共
振器と十分に結合させることができる。そのため、導体
損の劣化を抑えることができ、共振器のＱｏを高く保つ
ことができる。また、入出力電極５ａ，５ｂには結合し
ない内導体３ｂを形成する内導体形成孔２ｂの両端には
外導体４を形成しているため、この部分での電磁界リー
クが抑えられ、高次のスプリアスが抑圧される。
ａ，５ｂは内導体３ａ，３ｃの開放端である開放面付近
に設けているため、入出力電極５ａ，５ｂと外導体４と
の間の必要な静電容量が小さくなり、その分、入出力電
極は小さな面積であっても、内導体３ａ，３ｃによる共
振器と十分に結合させることができる。そのため、導体
損の劣化を抑えることができ、共振器のＱｏを高く保つ
ことができる。また、入出力電極５ａ，５ｂには結合し
ない内導体３ｂを形成する内導体形成孔２ｂの両端には
外導体４を形成しているため、この部分での電磁界リー
クが抑えられ、高次のスプリアスが抑圧される。
【００２２】次に第２の実施形態に係る誘電体フィルタ
の構成を図２を参照して説明する。この例では、図１に
示した第１の実施形態の場合とは逆に、内導体非形成部
ｇを設けた内導体形成孔２ｂの端部を内導体形成用孔２
ａ，２ｃの端部の開放面より突出させている。その他の
構成は第１の実施形態の場合と同様である。
の構成を図２を参照して説明する。この例では、図１に
示した第１の実施形態の場合とは逆に、内導体非形成部
ｇを設けた内導体形成孔２ｂの端部を内導体形成用孔２
ａ，２ｃの端部の開放面より突出させている。その他の
構成は第１の実施形態の場合と同様である。
【００２３】通常、内導体形成孔の内部に内導体非形成
部を設ければ、実効共振器長は内導体形成孔の軸長より
短くなるが、図２に示すように、内導体非形成部ｇを設
けた内導体形成孔の端部を、他の内導体形成用孔の端部
の開放面より突出させることにより、内導体非形成部ｇ
を設けた内導体形成孔２ｂによる共振器の実効共振器長
を、入出力電極５ａ，５ｂと容量結合する内導体形成孔
２ａ，２ｂによる共振器の共振器長と同等にすることが
できる。その結果、設計上フィルタとしての所定の特性
が得やすくなる。
部を設ければ、実効共振器長は内導体形成孔の軸長より
短くなるが、図２に示すように、内導体非形成部ｇを設
けた内導体形成孔の端部を、他の内導体形成用孔の端部
の開放面より突出させることにより、内導体非形成部ｇ
を設けた内導体形成孔２ｂによる共振器の実効共振器長
を、入出力電極５ａ，５ｂと容量結合する内導体形成孔
２ａ，２ｂによる共振器の共振器長と同等にすることが
できる。その結果、設計上フィルタとしての所定の特性
が得やすくなる。
【００２４】次に第３の実施形態に係る誘電体デュプレ
クサの構成を図３を参照して説明する。図３の（Ａ）は
誘電体デュプレクサの斜視図、（Ｂ）はその上面図であ
る。ただし、この図に示す上面が回路基板に対して表面
実装する際の実装面である。
クサの構成を図３を参照して説明する。図３の（Ａ）は
誘電体デュプレクサの斜視図、（Ｂ）はその上面図であ
る。ただし、この図に示す上面が回路基板に対して表面
実装する際の実装面である。
【００２５】図３において、１は略直方体形状の誘電体
ブロックであり、その内部に、内面に内導体３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇを形成した内導体形
成孔２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇを設け
ている。これらの内導体形成孔は開放端側の内径を短絡
端側の内径より広げたステップ孔としている。また、誘
電体ブロック１の外面には外導体４を形成している。た
だし、内導体形成孔２ａ，２ｂ，２ｆ，２ｇの一方の開
口面周囲は開放面とし、内導体形成孔２ｃ，２ｄ，２ｅ
の一方の端面は上記開放面より窪ませていて、その窪ん
だ内面に外導体４を形成している。また、誘電体ブロッ
クの外面には、上面から２つの側面および後面にかけて
入出力電極５ａ，５ｂ，５ｃを、外導体４からそれぞれ
絶縁状態に設けている。
ブロックであり、その内部に、内面に内導体３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇを形成した内導体形
成孔２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇを設け
ている。これらの内導体形成孔は開放端側の内径を短絡
端側の内径より広げたステップ孔としている。また、誘
電体ブロック１の外面には外導体４を形成している。た
だし、内導体形成孔２ａ，２ｂ，２ｆ，２ｇの一方の開
口面周囲は開放面とし、内導体形成孔２ｃ，２ｄ，２ｅ
の一方の端面は上記開放面より窪ませていて、その窪ん
だ内面に外導体４を形成している。また、誘電体ブロッ
クの外面には、上面から２つの側面および後面にかけて
入出力電極５ａ，５ｂ，５ｃを、外導体４からそれぞれ
絶縁状態に設けている。
【００２６】上記入出力電極５ａ，５ｂと内導体３ａ，
３ｇの開放端付近との間には静電容量が生じて、それぞ
れ容量結合する。また、内導体３ｄは入出力用の線路と
して作用し、その端部から連続して入出力電極５ｃを引
き出している。
３ｇの開放端付近との間には静電容量が生じて、それぞ
れ容量結合する。また、内導体３ｄは入出力用の線路と
して作用し、その端部から連続して入出力電極５ｃを引
き出している。
【００２７】また、内導体形成孔２ｃ，２ｅの一方の端
部付近には、内導体非形成部ｇをそれぞれ設けて、この
部分を内導体３ｃ，３ｅによる共振器の開放端としてい
る。
部付近には、内導体非形成部ｇをそれぞれ設けて、この
部分を内導体３ｃ，３ｅによる共振器の開放端としてい
る。
【００２８】図３に示した誘電体デュプレクサにおい
て、内導体３ａ，３ｂ，３ｃはそれぞれ共振器として作
用し、それらの開放端側の線路インピーダンスと短絡端
側の線路インピーダンスとの違いにより、イーブンモー
ドとオッドモードの共振周波数に差が生じて、隣接共振
器同士がコムライン結合する。このコムライン結合によ
り減衰極が発生する。入出力電極５ａは、内導体３ａに
よる共振器と容量結合する。また、入出力電極５ａと内
導体３ｂによる共振器との間にも静電容量が生じるが、
この静電容量により、上記コムライン結合による減衰極
の位置（周波数）を調整（設定）している。内導体３ｃ
と内導体３ｄ間はインターディジタル結合する。このこ
とにより、入出力電極５ａ−５ｃ間が例えば受信帯域に
減衰極を有する送信フィルタとして作用する。内導体３
ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ部分についても同様であり、入出
力電極５ｃ−５ｂ間が例えば送信帯域に減衰極を有する
受信フィルタとして作用する。
て、内導体３ａ，３ｂ，３ｃはそれぞれ共振器として作
用し、それらの開放端側の線路インピーダンスと短絡端
側の線路インピーダンスとの違いにより、イーブンモー
ドとオッドモードの共振周波数に差が生じて、隣接共振
器同士がコムライン結合する。このコムライン結合によ
り減衰極が発生する。入出力電極５ａは、内導体３ａに
よる共振器と容量結合する。また、入出力電極５ａと内
導体３ｂによる共振器との間にも静電容量が生じるが、
この静電容量により、上記コムライン結合による減衰極
の位置（周波数）を調整（設定）している。内導体３ｃ
と内導体３ｄ間はインターディジタル結合する。このこ
とにより、入出力電極５ａ−５ｃ間が例えば受信帯域に
減衰極を有する送信フィルタとして作用する。内導体３
ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ部分についても同様であり、入出
力電極５ｃ−５ｂ間が例えば送信帯域に減衰極を有する
受信フィルタとして作用する。
【００２９】なお、この誘電体デュプレクサの製造方法
は、前記誘電体フィルタの場合と同様である。
は、前記誘電体フィルタの場合と同様である。
【００３０】次に上記誘電体フィルタまたは誘電体デュ
プレクサを用いた通信装置の構成を図４を参照して説明
する。同図においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸは
デュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞ
れ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増
幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣ
はオシレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）であ
る。ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信号を変調
信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域のみを通過
させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮ
Ｔより送信する。ＢＰＦｂはＤＰＸから出力される信号
のうち受信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰｂはそれ
を増幅する。ＭＩＸｂはＢＰＦｃより出力される周波数
信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを
出力する。
プレクサを用いた通信装置の構成を図４を参照して説明
する。同図においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸは
デュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞ
れ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増
幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣ
はオシレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）であ
る。ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信号を変調
信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域のみを通過
させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮ
Ｔより送信する。ＢＰＦｂはＤＰＸから出力される信号
のうち受信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰｂはそれ
を増幅する。ＭＩＸｂはＢＰＦｃより出力される周波数
信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを
出力する。
【００３１】図４に示したデュプレクサＤＰＸ部分は図
３に示した構造の誘電体デュプレクサを用いることがで
きる。また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰ
Ｆｃは図１または図２に示した構造の誘電体フィルタを
用いることができる。このようにして、低損失、低スプ
リアスで電磁界リークの少ない高周波回路を備えた通信
装置を得る。
３に示した構造の誘電体デュプレクサを用いることがで
きる。また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰ
Ｆｃは図１または図２に示した構造の誘電体フィルタを
用いることができる。このようにして、低損失、低スプ
リアスで電磁界リークの少ない高周波回路を備えた通信
装置を得る。
【００３２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、低挿入
損失、低スプリアスで電磁界リークの少ない特性を有す
る誘電体フィルタが得られる。また、開放面とすべき面
にも短絡面と同様に一旦外導体を形成し、外導体の研削
により開放面を一括形成することができるため、誘電体
フィルタの製造が容易となる。
損失、低スプリアスで電磁界リークの少ない特性を有す
る誘電体フィルタが得られる。また、開放面とすべき面
にも短絡面と同様に一旦外導体を形成し、外導体の研削
により開放面を一括形成することができるため、誘電体
フィルタの製造が容易となる。
【００３３】
【００３４】
【００３５】請求項２に記載の発明によれば、低挿入損
失、低スプリアスで電磁界リークの少ない特性を有する
アンテナ共用器として用いることのできる誘電体デュプ
レクサが得られる。
失、低スプリアスで電磁界リークの少ない特性を有する
アンテナ共用器として用いることのできる誘電体デュプ
レクサが得られる。
【００３６】請求項３に記載の発明によれば、低損失、
低スプリアスで電磁界リークの少ない高周波回路を備え
た通信装置が得られる。
低スプリアスで電磁界リークの少ない高周波回路を備え
た通信装置が得られる。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの構成を
示す投影図および断面図
示す投影図および断面図
【図２】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの構成を
示す投影図および断面図
示す投影図および断面図
【図３】第３の実施形態に係る誘電体デュプレクサの構
成を示す図
成を示す図
【図４】第４の実施形態に係る通信装置の構成を示すブ
ロック図
ロック図
１−誘電体ブロック ２−内導体形成孔 ３−内導体 ４−外導体 ５−入出力電極 ｇ−内導体非形成部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 1/44 Ｈ０４Ｂ 1/44 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/20 - 1/219 H01P 7/00 - 7/10
Claims (3)
- 【請求項１】 略直方体形状の誘電体ブロックの内部に
内導体形成孔を設け、外面に入出力電極と外導体とを形
成した誘電体フィルタにおいて、 少なくとも１つの内導体形成孔の端部を前記誘電体ブロ
ックの前記外導体の無い開放面とし、該内導体形成孔の
端部付近に前記入出力電極を容量結合させ、前記入出力
電極と容量結合しない少なくとも１つの内導体形成孔の
両端部を外導体で覆い、前記開放面より窪ませた位置に
配置するとともに、当該孔の内部に内導体非形成部を設
けたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 略直方体形状の誘電体ブロックの内部に
内導体形成孔を設け、外面に複数の入出力電極と外導体
とを形成した誘電体デュプレクサにおいて、 少なくとも１つの内導体形成孔の端部を前記誘電体ブロ
ックの前記外導体の無い開放面とし、該内導体形成孔の
端部付近に少なくとも１つの入出力電極を容量結合さ
せ、当該入出力電極と容量結合しない少なくとも１つの
内導体形成孔の両端部を外導体で覆い、前記開放面より
窪ませた位置に配置するとともに、当該孔の内部に内導
体非形成部を設けたことを特徴とする誘電体デュプレク
サ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の誘電体フィルタまたは
請求項２に記載の誘電体デュプレクサを用いた通信装
置。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP03888399A JP3266131B2 (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
| DE60030497T DE60030497T2 (de) | 1999-02-17 | 2000-02-10 | Dielektrisches Filter, dielektrischer Duplexer und Kommunikationsgerät |
| EP00102793A EP1030400B1 (en) | 1999-02-17 | 2000-02-10 | A dielectric filter, a dielectric duplexer, and a communication apparatus |
| KR1020000006393A KR100338592B1 (ko) | 1999-02-17 | 2000-02-11 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신장치 |
| US09/505,585 US6433655B1 (en) | 1999-02-17 | 2000-02-16 | Dielectric filter, a dielectric duplexer, and a communication apparatus |
| CNB001023535A CN1162936C (zh) | 1999-02-17 | 2000-02-17 | 一种介质滤波器,一种介质双工器和一种通信设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03888399A JP3266131B2 (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000244205A JP2000244205A (ja) | 2000-09-08 |
| JP3266131B2 true JP3266131B2 (ja) | 2002-03-18 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03888399A Expired - Fee Related JP3266131B2 (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1030400B1 (ja) |
| JP (1) | JP3266131B2 (ja) |
| KR (1) | KR100338592B1 (ja) |
| CN (1) | CN1162936C (ja) |
| DE (1) | DE60030497T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7802138B2 (en) | 2005-03-17 | 2010-09-21 | Fujitsu Limited | Control method for information processing apparatus, information processing apparatus, control program for information processing system and redundant comprisal control apparatus |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002246805A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 |
| JP3788369B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2006-06-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 |
| JP3788368B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2006-06-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
| JP3636122B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2005-04-06 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
| JP2009206506A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 素子搭載用基板およびその製造方法、半導体モジュールおよびこれを搭載した携帯機器 |
| CA3053674C (en) | 2017-02-16 | 2022-11-08 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Dielectric filter, transceiver device, and base station |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS63181002A (ja) | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Toyoda Mach Works Ltd | コンピユ−タによるアクチユエ−タ制御装置 |
| JPH07106805A (ja) | 1993-10-06 | 1995-04-21 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器 |
| DE69524673T3 (de) * | 1994-06-16 | 2013-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielektrisches Filter |
| JPH10308604A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらの設計方法 |
| JPH10145110A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | 複合誘電体フィルタ |
| JP3577921B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2004-10-20 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ |
| JP3351333B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 誘電体デュプレクサ及びこの誘電体デュプレクサを備えた通信機装置 |
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-
1999
- 1999-02-17 JP JP03888399A patent/JP3266131B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-10 DE DE60030497T patent/DE60030497T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-10 EP EP00102793A patent/EP1030400B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-11 KR KR1020000006393A patent/KR100338592B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-02-16 US US09/505,585 patent/US6433655B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-17 CN CNB001023535A patent/CN1162936C/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP2000244205A (ja) | 2000-09-08 |
| DE60030497D1 (de) | 2006-10-19 |
| KR20000058013A (ko) | 2000-09-25 |
| EP1030400B1 (en) | 2006-09-06 |
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