JP3620454B2 - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3620454B2 JP3620454B2 JP2001041847A JP2001041847A JP3620454B2 JP 3620454 B2 JP3620454 B2 JP 3620454B2 JP 2001041847 A JP2001041847 A JP 2001041847A JP 2001041847 A JP2001041847 A JP 2001041847A JP 3620454 B2 JP3620454 B2 JP 3620454B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- mode
- dielectric filter
- inner conductor
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2136—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using comb or interdigital filters; using cascaded coaxial cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Transceivers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、主にマイクロ波帯で用いられる誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の略直方体形状の誘電体ブロックを用いた誘電体フィルタは、誘電体ブロック、各内導体、および外導体により、TEMモードの共振器を構成するとともに、内導体非形成部に生じるストレー容量により各共振器同士をコムライン結合させて誘電体フィルタを構成している。
しかし、このような略直方体形状の誘電体ブロックの外面に外導体を形成した誘電体デュプレクサにおいては、誘電体ブロックと外導体とにより、例えば図22の(a)に示すようなTE101 モードなどの、基本共振モードであるTEMモード以外の共振モードが生じる。
【0003】
図22の(a)は従来の誘電体フィルタに発生するTE101 モードの磁界分布図であり、図22の(b)は、従来の誘電体フィルタの減衰特性図である。
図22の(b)に示すように、TEモード等の、基本モードとは異なる共振モードが発生すると、所望のTEM共振周波数以外に、TEモードによる複数の共振周波数が、所望の特性を得る必要帯域外に生じてしまい、誘電体フィルタのスプリアス特性が悪化する。
【0004】
ここで、TEモードの影響を防止した誘電体フィルタとして、▲1▼TEモードの周波数は誘電体フィルタの外形寸法の影響を受けるため、外形寸法を変更し、TEモードの共振周波数を変化させて、スプリアス特性の悪化を防止した誘電体フィルタが、また、▲2▼誘電体フィルタの外導体の一部を削ることにより、誘電体ブロックと外導体とによるTE共振モードに摂動を起こし、TEモードの周波数を変化させて、スプリアス特性の悪化を防止した誘電体フィルタが存在する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような従来の誘電体フィルタにおいては、次のような解決すべき課題があった。
【0006】
すなわち、▲1▼の誘電体フィルタにおいては、TEモードの影響を考慮しながらTEMモードによるフィルタ設計を行わなければならない。また、常に小型化が求められている誘電体フィルタにおいては、外形寸法を大きくすることは難しい。このため、フィルタの設計自由度が低くなってしまう。
また、▲2▼の誘電体フィルタにおいては、外導体を削る工程が別途必要となり、リードタイムも長くなり、作業的にも負荷が増えてしまうため、製造コストが増加してしまう。
【0007】
この発明の目的は、製造コストを増加させずに、一定の外形寸法において、TEモードの共振周波数を変化させてスプリアス特性の改善した誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置を構成することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明は、略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を略一列に配列して設け、外面に外導体を形成し、内導体形成孔の配列方向の少なくとも一方の端面の略中央部に少なくとも一つの凹部を形成し、凹部の内面に外導体を形成して、内導体形成孔の軸方向および内導体形成孔の配列方向にそれぞれ垂直な向きに電界が向くTEモードの共振周波数を高周波数側にシフトさせた誘電体フィルタを構成する。
【0013】
また、この発明は、前記誘電体フィルタを備えて誘電体デュプレクサを構成する。
【0014】
また、この発明は、前記誘電体フィルタ、または前記誘電体デュプレクサを備えて通信装置を構成する。
【0015】
【発明の実施の形態】
第1の実施形態に係る誘電体フィルタの構成について、図1〜図5を参照して説明する。
図1の(a)は誘電体フィルタの外観斜視図、図1の(b)はその側面図、図1の(c)はその下面図である。
図2の(a)は誘電体フィルタに発生するTE101 モードの磁界分布図、図2の(b)はその側面図である。
図3は誘電体フィルタの減衰特性図である。
図4は凹部形成位置とTE101 共振周波数の変化量との関係を示す図である。
図5は凹部の深さおよび幅による各TEモードの共振周波数の変化を表す図であり、(a)はTE101 モード、(b)はTE201 モード、および(c)はTE301 モードを表している。
図1において、1は誘電体ブロック、2a〜2cは内導体形成孔、3a〜3cは内導体、4a〜4cは内導体非形成部、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。
図1において、略直方体形状の誘電体ブロック1の図における上面からこれに対向する下面にかけて、内面に内導体3a〜3cをそれぞれ形成した内導体形成孔2a〜2cを形成している。また、誘電体ブロック1の外面には、全面に外導体5を形成している。
内導体形成孔2a〜2cには、それぞれ一方の開口面付近に内導体非形成部4a〜4cを設けている。これらの部分を内導体の開放端とし、他方の面を短絡端としている。誘電体ブロック1の外面には、開放端に容量結合するように外導体5から離間して入出力電極6を形成している。
また、短絡面の中央部付近に、内導体形成孔の軸方向に凹部7を穿設し、その内面には外導体5を形成して、全体として誘電体フィルタを構成している。
【0016】
この構造の誘電体フィルタでは、TE101 モードにより図2に示すような磁界分布が生じる。
図2において、2a〜2cは内導体形成孔、7は凹部である。また、11, 12はTE101 モードによる磁界分布であり、11は凹部が無い場合の磁界分布、12は凹部を設けた場合の磁界分布をそれぞれ表している。
Aは内導体形成孔の開口面の長辺方向の長さ、Bは内導体形成孔の短辺方向の長さ、Cは誘電体ブロックの内導体形成孔の軸方向の長さ、C’は凹部底面から開放面までの長さ、Dは凹部の深さ(内導体形成孔の軸方向に平行な長さ)、wは凹部の幅(内導体形成孔の配列方向に平行な長さ)である。
【0017】
ここで、誘電体ブロックを用いた誘電体フィルタに生じるTEmns モードの共振周波数fは、
【0018】
【数1】
【0019】
である。
【0020】
vc は光速、εr は誘電体の比誘電率、A,B,Cはそれぞれ図の2の(a)に示した寸法である。
【0021】
ここで、図2の(a)に示すように、短絡端中央部に凹部7を設けることにより、TE101 モードによる磁界11が磁界12に変化して等価的に磁界成分波長が短くなる。すなわち、等価的に誘電体ブロックの軸方向の長さCを長さC’に短くすることとなり、[ 数1] より、共振周波数が高くなる。
【0022】
これを減衰特性で表すと、図3に示すように、TE101 モードの共振周波数をシフトさせることで、TE101 モードの共振周波数付近に存在する不要信号を阻止することができ、TE101 モードの共振周波数付近のスプリアス特性が改善される。
【0023】
なお、凹部7は短絡面の中央部に限らず、どの位置に設けてもよい。しかし、図4に示すように、凹部形成位置が内導体形成孔の配列方向の端面から離れる距離に応じて、TEモードの共振周波数の変化量も増加し、中央部(端面からA/2の距離の位置)で最大となり、スプリアス特性改善の効果が最大となる。
【0024】
また、図5は、図2の(a)における、Aを10.4mm、Bを2.0mm、Cを6.0mmとし、誘電体ブロックの比誘電率を47にした場合に、凹部の深さD、凹部の幅wを変化させて、TEモードの共振周波数の変化を示したものである。
図5に示すように、TE101 モード、TE201 モードともに、凹部の深さおよび幅を大きくすることにより、共振周波数の変化量を大きくすることができる。
【0025】
次に、第2の実施形態に係る誘電体フィルタの構成について、図6〜図8を参照して説明する。
図6の(a)は、誘電体フィルタの外観斜視図であり、図6の(b)はその側面図である。
図7は誘電体フィルタに発生する各TEモードの磁界分布図であり、(a)はTE101 モード、(b)はTE201 モード、(c)はTE301 モードについて示している。
図8は、誘電体フィルタの減衰特性図である。
図6および図7において、1は誘電体ブロック、2a〜2cは内導体形成孔、3a〜3cは内導体、4a〜4cは内導体非形成部、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。また、11,12は各TEモードの磁界分布を表しており、11は凹部の無い場合の磁界分布、12は凹部を設けた場合の磁界分布である。
【0026】
図6に示す誘電体フィルタは、内導体形成孔2a〜2cの両開口面の中央部に凹部7をそれぞれ形成しており、他の構成は第1の実施形態に示した誘電体フィルタと同じである。
【0027】
この構成とすることにより、図7の(a)に示すように、TE101 モードの磁界の最も強い領域に凹部7が設けられているため、磁界分布が大きく変化し、等価的にTE101 モードの磁界成分波長が短くなり、共振周波数は高周波数側にシフトする。
また、図7の(b)に示すように、TE201 モードについては、磁界の弱い領域に凹部7が設けられており、殆ど影響を受けないので、磁界分布は変わらず、共振周波数は殆ど変化しない。
また、図7の(c)に示すように、TE301 モードについては、中央部に発生する磁界のみが影響を受け、他の磁界は影響を受けないため、全体として磁界分布は大きく変わらず、共振周波数の変化量は少ない。
図8は、前述の内容を減衰特性図にしたものである。このように、TE101 モードのみ大きく変化している。
【0028】
このように、TE101 モードの共振周波数をシフトさせることで、TE101 モードの共振周波数付近に存在する不要信号を阻止することができ、TE101 モードの共振周波数付近のスプリアス特性が改善される。
【0029】
次に、第3の実施形態に係る誘電体フィルタの構成について、図9〜図11を参照して説明する。
図9の(a)は、誘電体フィルタの外観斜視図であり、図9の(b)はその側面図である。
図10は誘電体フィルタに発生する各TEモードの磁界分布図であり、(a)はTE101 モード、(b)はTE201 モード、(c)はTE301 モードについて示している。
【0030】
図11は、誘電体フィルタの減衰特性図である。
図9および図10において、1は誘電体ブロック、2a〜2dは内導体形成孔、3a〜3dは内導体、4a〜4dは内導体非形成部、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。また、11,12は各TEモードの磁界分布を表しており、11は凹部の無い場合の磁界分布、12は凹部を設けた場合の磁界分布である。
【0031】
図9において、略直方体形状の誘電体ブロック1の、図における上面からこれに対向する下面にかけて、内側に内導体3a〜3dをそれぞれ形成した内導体形成孔2a〜2dを形成している。また、誘電体ブロック1の外面には、全面に外導体5を形成している。
内導体形成孔2a〜2dには、それぞれ一方の開口面の付近に内導体非形成部4a〜4dを設けている。これらの部分を内導体の開放端とし、他方の面を短絡端としている。誘電体ブロック1の外面には、開放端に容量結合するように外導体5から離間して入出力電極6を形成している。
また、内導体形成孔2a〜2dの両開口面には、内導体形成孔2a〜2dの配列方向の幅の1/4だけ両端面から離れた位置に、内導体形成孔の軸方向に、窪んだ凹部7をそれぞれ形成している。これら凹部7の内面には外導体5を形成して、全体として誘電体フィルタを構成している。
【0032】
この構成とすることにより、図10の(b)に示すように、TE201 モードの磁界は、磁界の最も強い領域に凹部7が設けらてれるため、磁界分布が大きく変化し、等価的にTE201 モードの磁界成分波長が短くなり、共振周波数は高周波数側にシフトする。
また、図10の(a)および(c)に示すように、TE101 モード、およびTE301 モードは、磁界の弱い領域に凹部7が設けられており、殆ど影響を受けないので、磁界分布は変わらず、共振周波数は殆ど変化しない。
図11は、前述の内容を減衰特性図にしたものであり、TE201 モードのみ大きく変化している。
【0033】
このように、TE201 モードの共振周波数をシフトさせることで、TE201 モードの共振周波数付近に存在する不要信号を阻止することができ、TE201 モードの共振周波数付近のスプリアス特性が改善される。
【0034】
次に、第4の実施形態に係る誘電体フィルタの構成について、図12を参照して説明する。
図12の(a)は誘電体フィルタの外観斜視図であり、図12の(b)はその側面図である。
図12において、1は誘電体ブロック、2a〜2dは内導体形成孔、3a〜3dは内導体、4a〜4dは内導体非形成部、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。
【0035】
図12に示す誘電体フィルタは、内導体形成孔2a〜2dの開口面に、この開口面の内導体形成孔の配列方向に平行な両辺間に亘って凹部7を形成するのでなく、内導体形成孔2a〜2dを含まない位置に複数の凹部7を局所的に設けたものであり、他の構成は図9に示す誘電体フィルタと同じである。
【0036】
このような構造とすることにより、隣り合う内導体形成孔が近接している場合においても、内導体間の結合容量を変えることなく凹部を形成することができる。また、凹部を形成していることにより、TEモードによる磁界成分波長を等価的に短くなり、共振周波数が高周波数側にシフトして、スプリアス特性が改善される。
【0037】
次に、第5の実施形態に係る誘電体フィルタの構成について、図13および図14を参照して説明する。
図13の(a)は誘電体フィルタの外観斜視図であり、図13の(b)はその側面図である。
また、図14の(a)は誘電体フィルタの外観斜視図であり、図14の(b)はその側面図である。
図13において、1は誘電体ブロック、2a〜2cは内導体形成孔、3a〜3cは内導体、4a〜4cは内導体非形成部、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。また、図14において、1は誘電体ブロック、2a〜2dは内導体形成孔、3a〜3dは内導体、4a〜4dは内導体非形成部、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。
【0038】
図13、および図14に示す誘電体フィルタは、内導体形成孔の開口面と内導体形成孔の軸方向および配列方向に平行な面とに接する稜線の一部を含むように、これらの面に対してそれぞれ垂直に複数の凹部7を形成したものである。図13に示す誘電体フィルタの他の構成は図1に示した誘電体フィルタと同じであり、図14に示す誘電体フィルタの他の構成は図9に示す誘電体フィルタと同じである。
【0039】
このような構造とすることにより、開口面の端部に凹部を形成するため、内導体形成孔を削ることなく、凹部が容易に形成できる。また、凹部を形成することにより、TEモードの磁界線分波長が等価的に短くなり、共振周波数が高周波数側にシフトし、スプリアス特性が改善される。
【0040】
次に、第6の実施形態に係る誘電体フィルタの構成について、図15〜図17を参照して説明する。
図15の(a)は誘電体フィルタの外観斜視図であり、図15の(b)はその側面図である。
図16は誘電体フィルタに発生する各TEモードの磁界分布図であり、(a)はTE101 モード、(b)はTE201 モード、(c)はTE301 モードについて示している。 図17は、誘電体フィルタの減衰特性図である。
図15および図16において、1は誘電体ブロック、2a〜2dは内導体形成孔、3a〜3dは内導体、4a〜4dは内導体非形成部、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。また、11,12は各TEモードの磁界分布を表しており、11は凹部の無い場合の磁界分布、12は凹部を設けた場合の磁界分布である。
【0041】
図15において、略直方体形状の誘電体ブロック1の図における上面からこれに対向する下面にかけて、内面に内導体3a〜3dをそれぞれ形成した内導体形成孔2a〜2dを形成している。また、誘電体ブロック1の外面には、全面に外導体5を形成している。
内導体形成孔2a〜2dには、それぞれ一方の開口面付近に内導体非形成部4a〜4dを設けている。これらの部分を内導体の開放端とし、他方の面を短絡端としている。誘電体ブロック1の外面には、開放端に容量結合するように外導体5から離間して入出力電極6を形成している。
また、内導体形成孔の配列方向の端面の中央部付近に、内導体形成孔の配列方向に窪む凹部7を形成し、その内面には外導体5を形成して、全体として誘電体フィルタを構成している。
【0042】
この構成とすることにより、図16に示すように、TE101 ,TE201 ,TE301 の各モードの磁界は、磁界の最も強い領域に凹部7が設けらてれるため、共に磁界分布が大きく変化し、等価的に各TEモードの磁界成分波長が短くなり、共振周波数は高周波数側にシフトする。なお、TE401 等の更に高次のTEモードについても、それらの共振周波数は高周波数側にシフトする。
図17は、前述の内容を減衰特性図にしたものであり、各TEモードが大きく変化している。
【0043】
このように、各TEモードの共振周波数がシフトすることにより、各TEモード共振周波数付近の不要信号を阻止することができ、スプリアス特性が改善される。
【0044】
次に、第7の実施形態に係る誘電体フィルタの構成について、図18および図19を参照して説明する。
図18の(a)は、誘電体フィルタの外観斜視図であり、図18の(b)はその側面図である。
図19は誘電体フィルタに発生するTE101 モードの磁界分布図である。 図18および図19において、1は誘電体ブロック、2a〜2cは内導体形成孔、3a〜3cは内導体、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。また、11,12は各TEモードの磁界分布を表しており、11は凹部の無い場合の磁界分布、12は凹部を設けた場合の磁界分布である。
【0045】
図18において、略直方体形状の誘電体ブロック1の図における上面からこれに対向する下面にかけて、内面に内導体3a〜3cをそれぞれ形成した内導体形成孔2a〜2cを形成している。また、誘電体ブロック1の外面には、内導体形成孔の一方の開口面である図における上面を除き、五面に外導体5を形成している。
この開口面を開放面とし、他方の面を短絡面として、開放面に結合する入出力電極6を外導体5から離間して形成している。
また、短絡面の略中央部に内導体形成孔の軸方向に凹部を穿設し、その内面には外導体5を形成し、全体として誘電体フィルタを構成している。
【0046】
この構造の誘電体フィルタでは、TE101 モードにより図19に示すような磁界分布が生じる。
図19に示すように、TE101 モードの磁界は、誘電体フィルタの内部において、磁界の最も強い領域に凹部が設けらているため、磁界分布が大きく変化し、等価的にTE101 モードの磁界成分波長が短くなり、共振周波数は高周波数側にシフトする。
【0047】
このように、TE101 モードの共振周波数をシフトさせることで、TE101 モードの共振周波数付近に存在する不要信号を阻止することができ、TE101 モードの共振周波数付近のスプリアス特性が改善される。
【0048】
次に、第8の実施形態に係る誘電体デュプレクサの構成について、図20を参照して説明する。
図20の(a)は誘電体デュプレクサの外観斜視図、図20の(b)はその側面図である。
図20において、1は誘電体ブロック、2a〜2fは内導体形成孔、3a〜3fは内導体、4a〜4fは内導体非形成部、5は外導体、6は入出力電極、7は凹部である。
【0049】
略直方体形状の誘電体ブロック1の図における上面からこれに対向する下面にかけて、内面に内導体3a〜3fをそれぞれ形成した内導体形成孔2a〜2fを形成している。また、誘電体ブロック1の外面には、全面に外導体5を形成している。
内導体形成孔2a〜2fには、それぞれ一方の開口面の付近に内導体非形成部4a〜4fを設けている。これらの部分を内導体の開放端とし、他方の面を短絡端としている。誘電体ブロック1の外面には、開放端に容量結合するように外導体5から離間して入出力電極6を形成している。
また、内導体形成孔の配列方向の端面の中央部付近に、内導体形成孔の配列方向に窪む凹部を形成し、その内面には外導体5を形成している。
ここで、内導体形成孔2a〜2cで送信側フィルタを構成し、内導体形成孔2d〜2fで受信側フィルタを構成することにより、全体として誘電体デュプレクサを構成している。
【0050】
この構造とすることにより、第6の実施形態に示したように、各TEモードの磁界が変化し、等価的に磁界成分波長が短くなり、各TEモードの共振周波数がシフトすることにより、各TEモード共振周波数付近の不要信号を阻止することができ、スプリアス特性が改善される。
なお、単体の誘電体フィルタの例で示したものと同様に、誘電体デュプレクサについても、凹部の形成位置は、内導体形成孔の配列方向の端面に限らず、内導体形成孔の開口面に形成してもよい。
また、第7の実施形態に示した誘電体フィルタと同様に、内導体形成孔の一方の開口面に外導体を形成しない構造の誘電体デュプレクサに凹部を形成してもよい。
【0051】
なお、前述の誘電体フィルタおよび誘電体デュプレクサにおいては、内導体形成孔の形状は断面円状に限らず、楕円状、長円状、および多角形状等であってもよい。
【0052】
また、開口面側に凹部を設けた誘電体フィルタおよび誘電体デュプレクサにおいては、開放端側、短絡端側のいずれの面に凹部を設けても同様の効果が得られる。
【0053】
次に、第9の実施形態に係る通信装置の構成について、図21を参照して説明する。
図21において、ANTは送受信アンテナ、DPXはデュプレクサ、BPFa、BPFbはそれぞれ帯域通過フィルタ、AMPa、AMPbはそれぞれ増幅回路、MIXa、MIXbはそれぞれミキサ、OSCはオシレータ、SYNはシンセサイザ、IFは中間周波信号である。
【0054】
図21に示した帯域通過フィルタBPFa、BPFbには、図1、図6、図9、図12、図13、図14、図15、および図18に示した構造の誘電体フィルタを用いることができる。また、デュプレクサDPXには、図20に示した誘電体デュプレクサを用いることができる。このようにして、減衰特性の優れた誘電体フィルタおよび誘電体デュプレクサを用いることにより、優れた通信特性を有する通信装置を構成することができる。
【0055】
【発明の効果】
この発明によれば、略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を設け、外面に外導体を形成し、内導体形成孔の開口面、もしくは内導体形成孔の配列方向の端面に少なくとも一つの凹部を形成し、凹部の内面に電極を形成することにより、外形寸法を変えることなく、各TEモードによる影響を低減し、スプリアス特性を改善した誘電体フィルタを容易に構成することができる。
【0056】
また、この発明によれば、内導体形成孔の少なくとも一方の開口面の略中央部凹部を形成することにより、外形寸法を変えることなく、主にTE101 モードの影響を低減し、スプリアス特性を改善した誘電体フィルタを容易に構成することができる。
【0057】
また、この発明によれば、内導体形成孔の少なくとも一方の開口面の内導体形成孔の配列方向の幅の約1/4分の距離だけ配列方向の両端面から離れた位置に凹部を形成することにより、外形寸法を変えることなく、主にTE201 モードの影響を低減し、スプリアス特性を改善した誘電体フィルタを容易に構成することができる。
【0058】
また、この発明によれば、内導体形成孔を含まない位置に部分的に凹部を少なくとも一つ形成することにより、内導体形成孔間の結合容量を変えることなく、容易に凹部を形成することができる。また、外形寸法を変えることなく、TEモードの影響を低減し、スプリアス特性を改善した誘電体フィルタを容易に構成することができる。
【0059】
また、この発明によれば、内導体形成孔の配列方向の少なくとも一方の端面の略中央部に凹部を形成することにより、外形寸法を変えることなく、TEモード全般の影響を低減し、スプリアス特性を改善した誘電体フィルタを容易に構成することができる。
【0060】
また、この発明によれば、前記誘電体フィルタを備えることにより、スプリアス特性を改善し、減衰特性に優れた誘電体デュプレクサを構成することができる。
【0061】
また、この発明は、前記誘電体フィルタ、または前記誘電体デュプレクサを備えることにより、通信特性に優れた通信装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図、側面図、および下面図
【図2】第1の実施形態に係る誘電体フィルタに発生するTE101 モードの磁界分布図
【図3】第1の実施形態に係る誘電体フィルタの減衰特性図
【図4】凹部形成位置とTE101 モードの共振周波数の変化量との関係を示した図
【図5】凹部の深さおよび幅による各TEモードの共振周波数の変化を表す図
【図6】第2の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図および側面図
【図7】第2の実施形態に係る誘電体フィルタに発生するTEモードの磁界分布図
【図8】第2の実施形態に係る誘電体フィルタの減衰特性図
【図9】第3の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図および側面図
【図10】第3の実施形態に係る誘電体フィルタに発生するTEモードの磁界分布図
【図11】第3の実施形態に係る誘電体フィルタの減衰特性図
【図12】第4の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図および側面図
【図13】第5の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図および側面図
【図14】第5の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図および側面図
【図15】第6の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図および側面図
【図16】第6の実施形態に係る誘電体フィルタに発生するTEモードの磁界分布図
【図17】第6の実施形態に係る誘電体フィルタの減衰特性図
【図18】第7の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図および側面図
【図19】第7の実施形態に係る誘電体フィルタに発生するTEモードの磁界分布図
【図20】第8の実施形態に係る誘電体デュプレクサの外観斜視図および側面図
【図21】第9の実施形態に係る通信装置のブロック図
【図22】従来の誘電体フィルタに発生するTEモードの磁界分布図および減衰特性図
【符号の説明】
1−誘電体ブロック
2a〜2f−内導体形成孔
3a〜3f−内導体
4a〜4f−内導体非形成部
5−外導体
6−入出力電極
7−凹部
11,12−TEモードによる磁界分布
A−短絡面の長辺方向の長さ
B−短絡面の短辺方向の長さ
C−内導体形成孔の軸方向の誘電体ブロックの長さ
D−凹部深さ
w−凹部幅
Claims (3)
- 略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を略一列に配列して設け、前記誘電体ブロックの外面に外導体を形成した誘電体フィルタにおいて、
前記内導体形成孔の配列方向の少なくとも一方の端面の略中央部に少なくとも一つの凹部を形成し、凹部の内面に前記外導体を形成して、前記内導体形成孔の軸方向および前記内導体形成孔の配列方向にそれぞれ垂直な向きに電界が向くTEモードの共振周波数を高周波数側へシフトさせた誘電体フィルタ。 - 請求項1に記載の誘電体フィルタを備えた誘電体デュプレクサ。
- 請求項1に記載の誘電体フィルタ、または請求項2に記載の誘電体デュプレクサを備えた通信装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001041847A JP3620454B2 (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
US10/076,705 US6566987B2 (en) | 2001-02-19 | 2002-02-13 | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
CNB021051410A CN1220300C (zh) | 2001-02-19 | 2002-02-19 | 电介质滤波器,电介质双工器和通信装置 |
KR10-2002-0008691A KR100470313B1 (ko) | 2001-02-19 | 2002-02-19 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
US10/400,621 US6989722B2 (en) | 2001-02-19 | 2003-03-28 | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001041847A JP3620454B2 (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002246807A JP2002246807A (ja) | 2002-08-30 |
JP3620454B2 true JP3620454B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=18904226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001041847A Expired - Fee Related JP3620454B2 (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6566987B2 (ja) |
JP (1) | JP3620454B2 (ja) |
KR (1) | KR100470313B1 (ja) |
CN (1) | CN1220300C (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8989870B2 (en) | 2001-04-13 | 2015-03-24 | Greatbatch Ltd. | Tuned energy balanced system for minimizing heating and/or to provide EMI protection of implanted leads in a high power electromagnetic field environment |
JP2007295015A (ja) * | 2004-06-04 | 2007-11-08 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタの特性調整方法 |
US8903505B2 (en) | 2006-06-08 | 2014-12-02 | Greatbatch Ltd. | Implantable lead bandstop filter employing an inductive coil with parasitic capacitance to enhance MRI compatibility of active medical devices |
JP4873017B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2012-02-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ |
WO2020087378A1 (zh) | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 华为技术有限公司 | 一种介质滤波器及通信设备 |
CN112840508B (zh) * | 2018-12-26 | 2022-01-14 | 华为技术有限公司 | 一种介质滤波器、双工器及通信设备 |
CN115483517A (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-16 | 上海华为技术有限公司 | 一种介质滤波器、印制电路板和通信设备 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02100304A (ja) | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロインダクタ |
US5537082A (en) * | 1993-02-25 | 1996-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator apparatus including means for adjusting the degree of coupling |
US5422610A (en) * | 1993-09-29 | 1995-06-06 | Motorola, Inc. | Multi-filter device and method of making same |
JP3450926B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2003-09-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電体フィルタ及びその周波数帯域幅の調整方法 |
JPH09252206A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ |
JPH10335906A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-12-18 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信機装置 |
JP3351351B2 (ja) * | 1998-09-08 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタ、アンテナ共用器および通信装置 |
JP3528044B2 (ja) * | 1999-04-06 | 2004-05-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機 |
JP3440874B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2003-08-25 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタおよび通信機 |
JP2002252503A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
KR20020056754A (ko) * | 2000-12-29 | 2002-07-10 | 송재인 | 유전체 필터 |
-
2001
- 2001-02-19 JP JP2001041847A patent/JP3620454B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-13 US US10/076,705 patent/US6566987B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-19 KR KR10-2002-0008691A patent/KR100470313B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-02-19 CN CNB021051410A patent/CN1220300C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-28 US US10/400,621 patent/US6989722B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1220300C (zh) | 2005-09-21 |
KR100470313B1 (ko) | 2005-02-07 |
CN1372347A (zh) | 2002-10-02 |
US6566987B2 (en) | 2003-05-20 |
US20020140530A1 (en) | 2002-10-03 |
US20030189470A1 (en) | 2003-10-09 |
JP2002246807A (ja) | 2002-08-30 |
US6989722B2 (en) | 2006-01-24 |
KR20020067988A (ko) | 2002-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10256807A (ja) | 誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ | |
US6236288B1 (en) | Dielectric filter having at least one stepped resonator hole with a recessed or protruding portion, the stepped resonator hole extending from a mounting surface | |
KR100401963B1 (ko) | 유전체 공진기, 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 이들을사용한 통신장치 | |
JP3620454B2 (ja) | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 | |
KR100397732B1 (ko) | 유전체 필터, 듀플렉서 및 이를 포함하는 통신기 장치 | |
JP2000209004A (ja) | 誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 | |
JP3348658B2 (ja) | 誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタ、アンテナ共用器および通信装置 | |
KR100411203B1 (ko) | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 이들을 포함하고 있는통신장치 | |
KR100343320B1 (ko) | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 이를 사용하는 통신 장치 | |
KR100456039B1 (ko) | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 | |
EP1294042B1 (en) | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device | |
KR100458514B1 (ko) | 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 | |
KR100517070B1 (ko) | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서, 및 통신 장치 | |
KR100401971B1 (ko) | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 | |
US20020130738A1 (en) | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus using the same | |
JP2003133808A (ja) | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040813 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |