CN1220300C - 电介质滤波器,电介质双工器和通信装置 - Google Patents

Abstract

在一种电介质滤波中，从基本上为矩形电介质块的顶端面到底端面，形成内导体孔。在这些内导体孔的内表面上形成内导体，但在其中形成内导体孔的孔径的顶端面和底端面之一附近形成非导体区域除外。在电介质块的外表面上，在整个外表面上基本上形成外导体，与外导体隔离的输入和输出电极在内导体孔阵列列方向与电介质块端面上各内导体孔的非导体部分相耦合。在其中形成有内导体孔的孔径的表面之一上，或者在内导体孔阵列列方向电介质块的端面的表面之一上，形成一个凹槽，该凹槽的内表面由外导体所覆盖。

Description

电介质滤波器，电介质双工器和通信装置

发明背景

本发明涉及主要用于微波波段的电介质滤波器，电介质双工器和通信装置。

相关技术

在已知类型的包括基本为矩形的电介质块的电介质滤波器中，TEM模的谐振器包括电介质块，内层导体，和一层外部导体。而谐振器是经在未形成导体的谐振器部分产生的杂散电容彼此互相梳状线耦合。由此构成电介质滤波器。

然而，在这样一个基本上为矩形电介质块的外表面形成外导体的双工器中，电介质块和外导体产生某一种模的谐振，例如TE₁₀₁模，而不是TEM模是基本谐振模。

图22A是一张框图，示出在按照相关技术的电介质滤波器中产生的TE₁₀₁模的磁场分布。而图22B是一张框图，示出该电介质滤波器的衰减特性。

如图22B所示，在某种不是基本模的模，例如按TE模中发生谐振时，除了所需的TEM模的谐振频率外，多个TE模谐振频率出现在获得所希望的滤波器特性的所需频段外。由此降低了电介质滤波器的寄生响应特性。

已经提出了几个避免TE模影响的建议。在第一个建议的电介质滤波器中，因为TE模的频率受电介质滤波器外部尺寸的影响，改变外部尺寸以致移动TE模的谐振频率。由此，避免寄生响应特性的降低。在第二个建议的电介质滤波器中，切掉部分外导体，以便在电介质块和外导体的TE模谐振中产生扰动，移动TE模的频率，由此避免寄生响应特性的降低。

然而，按照相关技术的电介质滤波器已遇到下列需解决的问题。

按照第一个建议的电介质滤波器，在考虑TE模的影响的同时必须针对TEM模设计滤波器。另外，因为不断地希望减小电介质滤波器的尺寸，禁止较大的外导体。这样，就减少了设计滤波器的灵活性。

在第二个建议的电介质滤波器中，因为要求切割外导体的单独处理，导致工作时间和工作负担的增加，招致额外的制造成本。

发明概述

为了解决这些问题，本发明提供一种电介质滤波器，一种电介质双工器和一种通信装置。其中使TE模的谐振频率漂移，以致不需增加额外的制造成本或改变整个外部尺寸，就能改善寄生响应特性

为此目的，在其一个方面，本发明提供一种电介质滤波器，该滤波器包括一个基本为矩形的电介质块；多个内导体孔，在电介质块的第一个端面和与所述第一个端面相对的第二个端面分别具有孔径；多个内导体，分别形成在多个内导体孔的内表面；至少一个凹槽，形成在含有多个内导体孔的孔径的两个端面中一个端面上，或者在电介质块的第三个和第四个端面中一个端面上，该第三和第四个端面在多个内导体孔孔阵方向上与内导体孔此间一起排列；一个外导体，形成在包含至少一个凹槽内表面的电介质块的外表面上；其中，TE模的谐振频率移向较高频率，在TE模中，电场以与多个内导体孔的轴向方向和孔阵方向两者都垂直的方向排列。这样，不需要改变外部尺寸，较易地减少TE模的影响。因此改善了寄生响应特性。

至少一个凹槽可以基本上形成在含有多个内导体孔的孔径的第一个和第二个端面中至少一个端面的中心部分。这样，在不需要改变外部尺寸，较易地减少TE₁₀₁模的主要影响，因此改善了寄生响应特性。

至少一个凹槽可以形成在第一个端面和第二个端面中至少一个端面上，在这两个端上形成有多个内导体孔的孔径。该凹槽的位置是在按多个内导体孔阵列的方向离一个相应的最近端面约为电介质块的所述内导体孔阵列方向尺寸的四分之一的地方。因此在不需要改变外部尺寸，较易地减少TE₂₀₁模的主要影响，因此改善了寄生响应特性。

至少一个凹槽可以形成在不包括多个内导体孔间的空间的局部化区域内。这样，不需要改变内导体孔间的耦合电容，能轻易地构成至少一个凹槽。另外，不需要改变外部尺寸，能够轻易地减少TE模的影响，因此改善了寄生响应特性。

至少一个凹槽可以基本上形成在第三个端面和第四个端面中的至少一个端面上，这两个端面为排列在多个内导体孔阵列方向的端面。这样，不需要改变外部尺寸，一般能够轻易地减少TE模的影响，因此改善了寄生响应特性。

在其另一方面，本发明提供含有上述的电介质滤波器的双工器，因此能够轻易地改善寄生响应特性以达到较好的衰减特性。

在再又一方面，本发明提供一种含有上述电介质滤波器或电介质双工器的通信装置，因此改善了通信特性。

从下列参考附图的本发明实施例的描述中，本发明的其他功能和优点将会变得更明白。

附图简述

图1A，1B和1C分别是按照第一个实施例的电介质滤波器的外部透视图，侧视图和底视图；

图2A和2B示出在按照第一个实施例的电介质滤波器内产生的TE₁₀₁模的磁场分布图；

图3是一张曲线图，示出按照第一个实施例的电介质滤波器的衰减特性；

图4是一张曲线图，示出凹槽的位置和TE₁₀₁模的谐振频率漂移量之间的关系；

图5A，5B和5C是曲线图，示出在与凹槽的深度和宽度有关的每种TE模中的谐振频率的变化；

图6A和6B分别是按照第二个实施例的一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图7A，7B和7C示出在按照第二个实施例的电介质滤波器中产生的每种模的磁场分布图；

图8是一张曲线图，示出按照第二个实施的电介质滤波器的衰减特性；

图9A和9B分别是按照第三个实施例的一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图10A，10B和10C示出在按照第三个实施例的电介质滤波器中产生的每种TE模的磁场分布图；

图11是一张曲线图，示出按照第三个实施的电介质滤波器的衰减特性；

图12A和12B分别是按照第四个实施例的一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图13A和13B分别是按照第五个实施例的一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图14A和14B分别是按照第五个实施例的另一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图15A和15B分别是按照第六个实施例的一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图16A，16B和16C示出在按照第六个实施例的电介质滤波器中产生的每种TE模的磁场分布图；

图17是一张曲线图，示出按照第六个实施的电介质滤波器的衰减特性；

图18A和18B分别是按照第七个实施例的一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图19示出在按照第七个实施例的电介质滤波器中产生的TE₁₀₁模的磁场分布图；

图20A和20B分别是按照第八个实施例的一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图21是一张按照第九实施例的一种通信装置的方框图；及

图22A示出在一种已知电介质滤波器中产生的TE模的磁场分布图，而图22B是一张曲线图，示出该已知电介质滤波器的衰减特性。

本发明实施例描述

将参考图1A到1C，图2A和2B，图3，图4和图5A到5C描述按照第一实施例的电介质滤波器的结构。

图1A，1B和1C分别是该电介质滤波器的外部透视图，侧视图和底视图。

图2A和2B分别是一张透视图和一张侧视图，示出在该电介质滤波器中产生的TE₁₀₁模的磁场分布。

图3是一张曲线图，示出该电介质滤波器的衰减特性。

图4是一张曲线图，示出凹槽的位置和TE₁₀₁模式的谐振频率漂移量之间的关系。

图5A，5B和5C是曲线图，示出与凹槽的深度和宽度有关的分别在TE₁₀₁模，TE₂₀₁模和TE₃₀₁模的谐振频率中的变化。

在图1A到1C中，1表示电介质块，2a到2c表示内导体孔，3a到3c表示内导体，4a到4c表示非导体部分，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示凹槽。

参考图1A到1C，从基本为矩形电介质块1的顶端面到底端面形成内导体孔2a到2c，在内导体孔2a到2c的内表面上分别形成内导体3a到3c，外导体5基本上是在电介质块1的整个外表面上形成的。

在内导体孔2a到2c中，在其中形成有内导体孔2a到2c的孔径的第一个和第二个端面中一个端面附近分别形成非导体部分4。这些部分限定内导体3a到3c的开路端，而其他表面限定短路端。在电介质块1的外表面，形成与外导体隔离的输入和输出电极6，以致与开路端电容性耦合。

此外，在短路表面的中心部分附近中，在内导体孔2a到2c的轴向上在电介质块1中切割成凹槽7，其内表面被外导体5覆盖，由此形成整个电介质滤波器。

在上述结构的电介质滤波器中，TE₁₀₁的磁场按图2A和2B所示分布。

参考图2A和2B，2a到2c为内导体孔，而7为凹槽，11和12分别示出在未提供凹槽7和提供凹槽7的情况下TE₁₀₁的磁场分布。

A表示其中形成有内导体孔2a到2c的孔径的表面的较长一边的长度，B表示其中较短一边的长度，C表示电介质块在内导体孔2a到2c轴向上的长度，C’表示从凹槽内表面到开路表面的距离，D为凹槽的深度(并行于内导体孔2a到2c轴向方向上的长度)，而w为凹槽的宽度(并行于内导体孔阵列2a和2c方向上的长度)。

在含有电介质块的电介质滤波器中产生的TE_mns模的谐振频率能表示如下：

$f=\frac{v_c}{\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_r}}\·\frac{\sqrt{{\left(\frac{m}{A}\right)}^2+{\left(\frac{n}{B}\right)}^2+{\left(\frac{s}{C}\right)}^2}}{2}---\left(1\right)$

这里，v_c是光速，ε_r是电介质材料的相对介电常数。A、B和C是图2A中所示的尺寸。

如图2A和2B中所示，由于在短路端面的中间部分提供的凹槽7，TE₁₀₁模的磁场按12所示分布，而不是按11所示分布，因此，磁场分量的波长等量地锁短。即电介质块1在内导体孔2a到2c轴向的长度也从长度C等量地缩短到长度C’，因此按公式1谐振频率变高。

根据图3所示的衰减特性，因为TE₁₀₁模的谐振频率移动，抑制了TE₁₀₁模的谐振频率附近的无用的信号，因此改善了在TE₁₀₁模的谐振频率附近的寄生响应特性。

可以不在短路端面的中间部分的位置上设置凹槽7。然而，如图4所示，TE₁₀₁模的谐振频率的移动量按凹槽7的位置离电介质块1在内导体孔阵2a到2c的方向上较近端面的距离增加，在中间部分(离端表面A/2距离)达到最大值。这时，获得寄生响应特性的最大改善。

图5A到5C是曲线图，示出当凹槽的深度D和宽度w改变时，当图2A中的尺寸A为10.4毫米，B为2.0毫米，和C为6.0毫米，且电介质块1的相对介电常数为47时，TE模的谐振频率的变化。

如图5A到5C中所示，在TE₁₀₁模，TE₂₀₁模，和TE₃₀₁模的每种模中，谐振频率的移动量随凹槽的深度和宽度增加而增加。

接着，将参考图6A和6B，图7A到7C，和图8描述按照第二实施例的电介质滤波器的结构。

图6A和6B分别是该电介质滤波器的外部透视图和侧视图。

图7A到7C示出在该电介质滤波器中产生的分别为TE₁₀₁模，TE₂₀₁模，和TE₃₀₁模的磁场分布。

图8是一张曲线图，示出该电介质滤波器的衰减特性。

在图6A和6B和图7A到7C中，1表示一块电介质块，2a到2c表示内导体孔，3a到3c表示内导体，4a到4c表示非导体部分，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示一个凹槽，11和12分别示出未提供凹槽7和提供凹槽7情况下每种TE模中的磁场分布。

在图6A和6B所示的电介质滤波器中，分别在含有内导体孔2a到2c的小孔的两个端面的中间部分形成凹槽7。该电介质滤波器结构的其他方面与按照第一实施例的电介质滤波器相同。

按照上述结构，凹槽7形成在TE₁₀₁模中磁场最密集区域，如图7A如示。这样，显著地改变了磁场的分布，因此，TE₁₀₁模的磁场成分的波长等量地缩短，由此谐振频率移向较高的频率。

此外，关于TE₂₀₁模，凹槽7形成在磁场的弱区域，如图7B所示，几乎不受影响。这样未改变磁场的分布，以及谐振频率实际上仍维持不变。

此外，关于TE₃₀₁模，只有在中间部分的磁场受影响，而磁场的其他部分并未受到影响，如图7C所示。这样，没有显著地改变磁场的整体分布，只引起谐振频率的小移动。

图8是一张曲线图，描述按上面衰减特性描述的内容。如图8所示，仅TE₃₀₁模的衰减受到显著影响。

如上所述，移动TE₃₀₁模的谐振频率，以阻止TE₃₀₁模的谐振频率附近的无用信号。由此，改善了TE₃₀₁模中谐振频率附近的寄生响应特性。

接着，将参考图9A和9B，图10A到10C，和图11，描述按照第三实施例的电介质滤波器的结构。

图9A和9B分别是该电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图10A，10B和10C示出分别在TE₁₀₁模，TE₂₀₁模，和TE₃₀₁模中，在该电介质滤波器中产生的磁场分布。

图11是一张曲线图，示出该电介质滤波器的衰减特性。

在图9A和9B和图10A到10C中，1表示一块电介质块，2a到2c表示内导体孔，3a到3c表示内导体，4a到4c表示非导体部分，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示一个凹槽，11和12分别示出未提供凹槽7和提供凹槽7情况，在每种TE模中的磁场分布。

参考图9A和9B，从实际为矩形电介质块1的顶端面到底端面形成内导体孔2a到2d，在内导体孔2a到2d的内表面上分别形成内导体3a到3d，外导体5实际上是在电介质1的整个外表面上形成的。

在内导体孔2a到2d，在含有内导体孔2a到2d的小孔的端面中一个端面附近分别形成非导体4a到4d。这些部分定义为内导体3a到3c的开路端，而另一面定义为短路端。在电介质块1的外表面，形成与外导体绝缘的输入和输出电极6，以致成为耦合至开路端的电容。

在含有内导体孔2a到2c的小孔的两个端面上，凹槽7按内导体孔2a到2d的轴向方向扩展，每个凹槽安排在离导体孔阵2a到2c的方向的相应的最近端表面为电介质块1所述方向宽度的四分之一距离的各自位置上。凹槽7的内表面由外导体5覆盖，由此构成完整的电介质滤波器。

按照上述结构，凹槽7形成在TE₂₀₁模中磁场最密集区域。这样，显著地改变了磁场的分布，因此，TE₂₀₁模中的磁场的波长等量地缩短，由此谐振频率移向较高频率。

此外，关于TE₁₀₁模TE₃₀₁模，凹槽7形成在磁场的弱区域，如图10A和10C所示。这样未改变磁场的分布，以及谐振频率实际上仍维持不变。

图11是一张曲线图，描述如上面的按衰减特性描述的内容。如图11所示，仅TE₂₀₁模的衰减受到显著影响。

如上所述，移动TE₂₀₁模的谐振频率，以阻止TE₂₀₁模在谐振频率附近的无用信号。由此，改善了在TE₂₀₁模中谐振频率附近的寄生响应特性。

接着，将参考图12A和12B，描述按照第四实施例的电介质滤波器的结构。

图12A和12B分别是该电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

在图12A和12B中，1表示一块电介质块，2a到2c表示内导体孔，3a到3c表示内导体，4a到4c表示非导体部分，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示凹槽。

在图12A和12B所示的电介质滤波器中，多个凹槽7形成在不包括一个形成有内导体孔2a到2c的小孔的端面中一个端面的内导体孔之间空隙的局部区域，并且不形成在并行于内导体孔阵2a到2d方向的表面的两个边沿区域。在其他方面，该结构与图9A和9B所示的电介质滤波器相同。

按照上述的结构，在相邻的内导体孔互相排列得非常近的场合，能够构成不影响内导体间的耦合电容的凹槽7。另外，由于凹槽7，在每种TE模中的磁场成分的波长等量地变短，因此该谐振频率移向较高频率，由此改善了寄生响应特性。

也在上述实施例中，应当领会凹槽能有种横截面形状，而仍具有本发明的优点。

接着，将参考图13A和13B和图14A和14B描述按照第五实施例的电介质滤波器的结构。

图13A和13B分别是一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图14A和14B分别是另一种电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

在图13A和13B，1表示一块电介质块，2a到2c表示内导体孔，3a到3c表示内导体，4a到4c表示非导体部分，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示一个凹槽。

相似地，在图14A和14B，1表示一块电介质块，2a到2c表示内导体孔，3a到3c表示内导体，4a到4c表示非导体部分，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示一个凹槽。

在图13A和13B和图14A和14B所示的电介质滤波器中，多个凹槽中的每一个垂直地切割进一个形成有内导体孔的小孔的表面，并且也垂直地切割进平行于内导体孔的轴向和内导体孔阵方向表面中的一个表面。因此，一部分邻近于这两个表面的边缘被切割掉。在图13A和13B所示的电介质滤波器的结构基本上与图1A到1C所示的电介质滤波器的结构相同，而图14A所示的电介质滤波器结构基本上与图9A和9B所示的电介质滤波器相同。除了所示的外，能随意地提供其他凹槽。

根据该结构，因为凹槽形成在一个形成有内导体孔2a到2c的小孔的表面边缘，用一个简单过程能较易地构成该凹槽，而不需要切割内导体孔2a和2c。另外，由于该凹槽，在每种TE模中的磁场成分的波长等量地变短，因此该谐振频率移向较高频率，由此，改善了寄生响应特性。

接着，将参考图15A和15B，图16A到16C和图17描述按照第六实施例的电介质滤波器的结构。

图15A和15B分别是该电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图16A，16B和16C是框图，示出分别在TE₁₀₁模，TE₂₀₁模，和TE₃₀₁模中，该电介质滤波器产生的磁场分布。图17是一张曲线图，示出该电介质波滤器的衰减特性。

参考图15A和15B和图16A到16C，1表示一块电介质块，2a到2c表示内导体孔，3a到3c表示内导体，4a到4c表示非导体部分，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示一个凹槽，11和12分别示出未提供凹槽7和提供凹槽7情况，在每种TE模中的磁场分布。

参考图15A和15B，从实际为矩形电介质块1的顶端面到底端面形成内导体孔2a到2d，在内导体孔2a到2d的内表面上分别形成内导体3a到3d，外导体5实际上是在电介质1的整个外表面上形成的。

在内导体孔2a到2d，在含有内导体孔2a到2d的小孔的端面中一个端面附近分别形成非导体4a和4d。这些部分提供内导体3a到3d的开路端，而另一面提供短路端。在电介质块1的外表面，形成与外导体5绝缘的输入和输出电极6，以致成为耦合至开路端的电容。

此外，在内导体孔阵2a到2d方向的端表面的中间部分附近，按内导体孔阵2a到2d的方向切割成凹槽7，由外导体5覆盖凹槽7中的内表面，由此形成整个电介质滤波器。

按照如图16A到16C所示结构，凹槽7形成在磁场最密集区域，。这样，显著地改变了在TE₁₀₁模TE₂₀₁模TE₃₀₁模中磁场的分布，因此，TE模中的磁场成分的波长等量地缩短，由此谐振频率移向较高频率。因为对于较高的TE模例如TE₄₀₁模，谐振频率也移向较高频率。

图17是一张曲线图，表示按上面衰减特性描述的内容。如图17所示，每种TE模的衰减受到显著影响。

如上所述，移动每种TE模中的谐振频率，以阻止每种TE模中的谐振频率附近的无用信号。由此，改善了寄生响应特性。

接着，将参考图18A和18B，和图19，描述按照第七实施例的电介质滤波器的结构。

图18A和18B分别是该电介质滤波器的外部透视图和侧视图；

图19是一张框图，示出在该电介质滤波器中产生的TE₁₀₁模的磁场分布。

在图18A和18B和图19中，1表示一块电介质块，2a到2c表示内导体孔，3a到3c表示内导体，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示一个凹槽，11和12分别示出未提供凹槽7和提供凹槽7情况中每种TE101模的磁场分布。

参考图18A和18B，从基本为矩形电介质块1的顶端面到底端面形成内导体孔2a到2c，在内导体孔2a到2c的内表面上分别形成内导体3a到3c。在电介质块1的五个外表面形成外导体5。剩余的表面是顶端表面，即，形成有内导体孔2a到2c的端面中的一个端面。

用未覆盖的表面作为开路端面，而相对面作为短路端面，形成与外导体绝缘的输入和输出电极6，以致成为耦合至开路端的电容。

此外，基本上在短路端面的中心部分附近，按内导体孔2a到2c的轴向切割成凹槽7，由外导体5覆盖凹槽7中的内表面，由此形成整个电介质滤波器。

在上述结构的电介质滤波器中，TE₁₀₁模的磁场按图19中所示分布。

如图19中所示，凹槽7位于该电介质滤波器中TE₁₀₁模磁场的最密集区域。这样，显著地改变了磁场，因此，TE₁₀₁模中的磁场成分的波长等量地缩短，由此，谐振频率移向较高频率。

如上所述，移动TE₁₀₁模中的谐振频率，以阻止在TE₁₀₁模的谐振频率附近的无用信号。由此，改善了TE₃₀₁模的谐振频率附近的寄生响应特性。

接着，将参考图20A和20B，描述按照第八实施例的电介质双工器的结构。

图20A和20B分别是该电介质双工器的外部透视图和侧视图；

在图20A和20B中，1表示一块电介质块，2a到2f表示内导体孔，3a到3f表示内导体，4a到4f表示非导体部分，5表示外导体，6表示输入和输出电极，而7表示一个凹槽。

参考图20A和20B，从基本为矩形电介质块1的顶端面到底端面形成内导体孔2a到2f，在内导体孔2a到2f的内表面上分别形成内导体3a到3f。在整个电介质块1的外表面形成外导体5。

在内导体孔2a到2f，在含有内导体孔2a到2f的孔径的端面中一个端面附近分别形成非导体4a到4f。这些部分提供内导体3a到3d的开路端面，而另一表面提供短路端面。形成与外导体绝缘的输入和输出电极6，以致成为耦合至开路端的电容。

此外，在内导体孔阵列2a到2f的方向的端面中间的附近，按内导体孔阵列2a到2f的方向形成凹槽7，该凹槽7的内表面由外导体5覆盖。

内导体孔2a到2c构成一个发送滤波器，而内导体孔2d到2f构成一个接收滤波器，由此构成整个双工器。

根据这个先前有关第六实施例描述的结构，改变了每种TE模中的磁场，因此，磁场成分的波长等量地缩短。这样移动了每种TE模的谐振频率，因此阻止了在每种TE模的谐振频率附近的无用信号，由此改善了寄生响应特性。

类似于先前有关分立电介质滤波器的实施例，在电介质双工器中，也可以在形成有内导体孔的孔径的表面构成凹槽，并且不限止于按内导体孔阵列方向的端面。

此外，类似于按照第七实施例的电介质滤波，可在电介质双工器中构成凹槽。在该双工器中，通过在形成有内导体孔的孔径的表面中的一个表面上不形成外导体，提供开路端。

在上述的电介质滤波器和电介质双工器中，内导体孔的截面形状不限止为圆形，而可以是椭圆形，卵形，多边形，等等。同样地，凹槽的横截面形状不限止于公布的形状。

此外，在凹槽位于形成有内导体孔的孔径的表面中的一个表面上的电介质滤波器或电介质双工器中，无论凹槽位于开路端面或短路端面，都能获得类似的优点。

接着，将参考图21描述按照第九实施例的一个通信装置的结构。

参考图21，ANT表示发送和接收天线，DPX表示双工器，BPFa和BPFb分别表示带通滤波器，AMPa和AMPb分别表示放大电路，MIXa和MIXb分别表示混频器，OSC表示振荡器，SYN表示综合器，而IF表示中频信号。

图21所示的带通滤波器BPFa和BPFb中的每一个能由图1A和1B，图6A和6B，图9A和9B，图12A和12B，图13A和13B，图14A和14B，图15A和15B，和图18A和18B中的一个实现。该双工器DPX由图20A和20B所示的电介质双工器实现。

如上所述，通过使用具有良好衰减特性的一种电介质滤波和一种电介质双工器，能够实现一种具有良好通信特性的通信装置。

虽然，已经描述了与其中特殊实施例有关的本发明，很显然，对技术熟练的人员来说可以作许多其他变化，修改或作其他应用。因此，本发明不应限止于这里专门披露的范围。

Claims (9)

1.一种电介质滤波器，其特征在于，该电介质滤波器包括：

一个矩形电介质块；

在所述电介质块的相对的第一端面和第二端面上具有各自孔径的多个内导体孔，；

分别形成在所述多个内导体孔的内表面上的多个内导体；

形成在其中形成有所述多个内导体孔的所述第一个和第二端面中一个端面上的至少一个凹槽；以及

形成在所述电介质块的外表面上以及所述至少一个凹槽内表面上的一个外导体；

其中，所述凹槽使TE模的谐振频率漂移到较高频率，在TE模中，电场在既垂直于轴向又垂直于所述多个内导体孔孔阵排列方向的方向上准直。

2，按照权利要求1的电介质滤波器，其特征在于，所述至少一个凹槽形成在其中形成有所述多个内导体孔的第一和第二个端面中至少一个端面的中心部分。

3，按照权利要求1的电介质滤波器，其特征在于，所述至少一个凹槽形成在其中形成有所述多个内导体孔的第一和第二个端面中至少一个端面上的一个位置上，该位置在所述内导体孔孔阵排列方向上离相应最近端面的距离为该电介质块宽度的四分之一。

4，按照权利要求1的电介质滤波器，其特征在于，所述至少一个凹槽形成在所述多个内导体孔之间空间以外的区域中。

5，一种电介质滤波器，其特征在于，该电介质滤波器包括：

一个矩形电介质块；

在所述电介质块的相对的第一端面和第二端面上具有各自孔径的多个内导体孔；

分别形成在所述多个内导体孔的内表面上的多个内导体；

形成在该电介质块的一对相对的第三和第四端面中一个端面上的至少一个凹槽，该凹槽在所述多个内导体孔阵列排列的方向上被排列在所述多个内导体孔之间；以及

形成在所述电介质块的外表面上并包含所述至少一个凹槽的内表面上的一个外导体；

其中，所述凹槽使TE模的谐振频率漂移到较高频率，在TE模中，电场在既垂直于轴向又垂直于所述多个内导体孔孔阵排列方向的方向上准直。

6，一种电介质滤波器，其特征在于，该电介质滤波器包括：

一个矩形电介质块；

在所述电介质块的相对的第一端面和第二端面上具有各自孔径的多个内导体孔；

分别形成在所述多个内导体孔的内表面上的多个内导体；

在所述多个内导体孔孔阵排列方向上，形成在该介质块的一对相对的第五和第六端面中至少一个端面的中心部分上的至少一个凹槽；以及

形成在所述电介质块的外表面上并包含所述至少一个凹槽的内表面上的一个外导体；

其中，所述凹槽使TE模的谐振频率漂移到较高频率，在TE模中，电场在既垂直于轴向又垂直于所述多个内导体孔孔阵排列方向的方向上准直。

7，一种双工器，其特征在于，该双工器包括一对电介质滤波器，所述电介质滤波器中至少一个是按照权利要求1或权利要求5的电介质滤波器。

8，一种通信装置，其特征在于，该通信装置包括一个发送电路，一个接收电路和一个按照权利要求7的电介质双工器，所述发送电路连接于所述电介质滤波器中一个滤波器的输入端，所述接收电路连接于另一个所述电介质滤波器的输出端。

9，一种通信装置，其特征在于，该通信装置包括发送电路和接收电路中的至少一个电路，所述电路包括按照权利要求1或5的电介质滤波器。

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