JP2002344016A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JP2002344016A JP2002344016A JP2001149252A JP2001149252A JP2002344016A JP 2002344016 A JP2002344016 A JP 2002344016A JP 2001149252 A JP2001149252 A JP 2001149252A JP 2001149252 A JP2001149252 A JP 2001149252A JP 2002344016 A JP2002344016 A JP 2002344016A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線パターンの製作が容易で、かつ高輝度の
半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 発光面に半導体からなるオーミックコン
タクト層を介して電極層が形成され、この電極層がボン
ディングパッド部２と電流拡散用の細線部１２とからな
る半導体発光素子において、前記ボンディングパッド部
２に最も隣接し、かつそのボンディングパッド部２を取
り囲む第一外郭細線部パターン４と前記ボンディングパ
ッド部２とが、同一形状に形成配置されている。
半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 発光面に半導体からなるオーミックコン
タクト層を介して電極層が形成され、この電極層がボン
ディングパッド部２と電流拡散用の細線部１２とからな
る半導体発光素子において、前記ボンディングパッド部
２に最も隣接し、かつそのボンディングパッド部２を取
り囲む第一外郭細線部パターン４と前記ボンディングパ
ッド部２とが、同一形状に形成配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体発光
素子に関し、特に、素子表面の配線パターンに関する。
素子に関し、特に、素子表面の配線パターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体発光素子は、ボンディング
パッド部の直下にオーミックコンタクト層と反対の導電
型の半導体からなる電流阻止層を設けた素子や、この電
流阻止層を設けない素子等がある。
パッド部の直下にオーミックコンタクト層と反対の導電
型の半導体からなる電流阻止層を設けた素子や、この電
流阻止層を設けない素子等がある。
【０００３】そして、これらの素子に関して、配線を行
う配線技術については、例えば、特開昭６１−５５８５
（出願人：ローム株式会社）および特開平５−１４５１
１９（出願人：シャープ株式会社）等で提案されてい
る。
う配線技術については、例えば、特開昭６１−５５８５
（出願人：ローム株式会社）および特開平５−１４５１
１９（出願人：シャープ株式会社）等で提案されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの公知
技術は、配線パターンそのものについて特に規定がなか
ったり、或いは、実際の製作面で困難である等の問題点
があった。
技術は、配線パターンそのものについて特に規定がなか
ったり、或いは、実際の製作面で困難である等の問題点
があった。
【０００５】この問題点を、従来技術の代表的な素子面
を示している図６について説明すると、同図における構
造では、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１上にボンディング
パッド部２、およびその周りにΦ１１０μｍの電流阻止
層レジストパターン３がそれぞれ配置されており、ま
た、この電流阻止層レジストパターン３の周りには第一
外郭細線部パターン４と第二外郭細線部パターン５とが
配置された構成になっている。
を示している図６について説明すると、同図における構
造では、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１上にボンディング
パッド部２、およびその周りにΦ１１０μｍの電流阻止
層レジストパターン３がそれぞれ配置されており、ま
た、この電流阻止層レジストパターン３の周りには第一
外郭細線部パターン４と第二外郭細線部パターン５とが
配置された構成になっている。
【０００６】また、これらのうち、ボンディングパッド
部２と第一外郭細線部パターン４および第二外郭細線部
パターン５とは、電極層パターン６で結ばれている構成
になっており、さらに、ボンディングパッド部２とその
周りの電流阻止層レジストパターン３とは、その形状が
円形であるが、第一外郭細線部パターン４と第二外郭細
線部パターン５とは、その形状が四角形になっている。
部２と第一外郭細線部パターン４および第二外郭細線部
パターン５とは、電極層パターン６で結ばれている構成
になっており、さらに、ボンディングパッド部２とその
周りの電流阻止層レジストパターン３とは、その形状が
円形であるが、第一外郭細線部パターン４と第二外郭細
線部パターン５とは、その形状が四角形になっている。
【０００７】このように、電流阻止層レジストパターン
３の形状と第一外郭細線部パターン４の形状とが相違す
るため、キャリア濃度２×１０１８ｃｍ−３程度のｐ−
ＧａＡｌＡｓ電流拡散層（後記）があった場合でも、高
発光効率を得るために、素子面内にむらなく電流を広げ
ることは難しかった。
３の形状と第一外郭細線部パターン４の形状とが相違す
るため、キャリア濃度２×１０１８ｃｍ−３程度のｐ−
ＧａＡｌＡｓ電流拡散層（後記）があった場合でも、高
発光効率を得るために、素子面内にむらなく電流を広げ
ることは難しかった。
【０００８】これは、第一外郭細線部パターン４の対角
線方向の部分と、それ以外の別の部分とで電流の広がり
に差が生じてしまうことが原因であった。
線方向の部分と、それ以外の別の部分とで電流の広がり
に差が生じてしまうことが原因であった。
【０００９】そこで、これを避けるためには、前記した
ｐ−ＧａＡ１Ａｓ電流拡散層（後記）の膜厚を５μｍ以
上にする厚膜化を行わざるをえないが、この場合は素子
のコストアップにつながるという新たな問題が生じてい
た。
ｐ−ＧａＡ１Ａｓ電流拡散層（後記）の膜厚を５μｍ以
上にする厚膜化を行わざるをえないが、この場合は素子
のコストアップにつながるという新たな問題が生じてい
た。
【００１０】近年、これらの問題を解決するため、特
に、素子のＶＡ／ＣＤを目的に液晶分野では広く用いら
れているＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ）透
明電極を、半導体発光素子に応用する検討が行われてい
る、しかし、これも製作プロセス上、従来よりも却って
煩雑で困難な面があり、実現するまでに至っていないの
が実状である。
に、素子のＶＡ／ＣＤを目的に液晶分野では広く用いら
れているＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ）透
明電極を、半導体発光素子に応用する検討が行われてい
る、しかし、これも製作プロセス上、従来よりも却って
煩雑で困難な面があり、実現するまでに至っていないの
が実状である。
【００１１】そこで、本発明の目的は、配線パターンの
製作が容易で、かつ高輝度の半導体発光素子を提供する
ことにある。
製作が容易で、かつ高輝度の半導体発光素子を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、発光面に半導体からなるオーミックコンタクト層を
介して電極層が形成され、この電極層がボンディングパ
ッド部と電流拡散用の細線部とからなる半導体発光素子
において、前記ボンディングパッド部に最も隣接し、か
つそのボンディングパッド部を取り囲む第一外郭細線パ
ターンと前記ボンディングパッド部とが、同一形状に形
成配置されたことを特徴とするものである。
は、発光面に半導体からなるオーミックコンタクト層を
介して電極層が形成され、この電極層がボンディングパ
ッド部と電流拡散用の細線部とからなる半導体発光素子
において、前記ボンディングパッド部に最も隣接し、か
つそのボンディングパッド部を取り囲む第一外郭細線パ
ターンと前記ボンディングパッド部とが、同一形状に形
成配置されたことを特徴とするものである。
【００１３】また、本発明の半導体発光素子において
は、発光面に半導体からなるオーミックコンタクト層を
介して電極層が形成され、この電極層がボンディングパ
ッド部と電流拡散用の細線部とからなる半導体発光素子
において、このボンディングパッド部の直下に設けられ
た前記オーミックコンタクト層と反対の導電型の半導体
からなる電流阻止層と、前記ボンディングパッド部上と
前記オーミックコンタクト層上との電極層を結ぶ細線状
パターンとを有し、前記ボンディングパッド部から前記
オーミックコンタクト層上の電極層へ向かって延び出た
部分のパターン以外で、前記電流阻止層に最も隣接し、
且、前記電流阻止層を囲む第一外郭細線パターンが前記
電流阻止層を形成する電流阻止層パターンとほぼ同一形
状に形成配置されたことを特徴とするものである。
は、発光面に半導体からなるオーミックコンタクト層を
介して電極層が形成され、この電極層がボンディングパ
ッド部と電流拡散用の細線部とからなる半導体発光素子
において、このボンディングパッド部の直下に設けられ
た前記オーミックコンタクト層と反対の導電型の半導体
からなる電流阻止層と、前記ボンディングパッド部上と
前記オーミックコンタクト層上との電極層を結ぶ細線状
パターンとを有し、前記ボンディングパッド部から前記
オーミックコンタクト層上の電極層へ向かって延び出た
部分のパターン以外で、前記電流阻止層に最も隣接し、
且、前記電流阻止層を囲む第一外郭細線パターンが前記
電流阻止層を形成する電流阻止層パターンとほぼ同一形
状に形成配置されたことを特徴とするものである。
【００１４】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第一外郭細線パターンは、前記ボンディングパ
ッド部と部分的に細線状パターンで結ばれているのみ
で、前記ボンディングパッド部と独立したパターンであ
ることを特徴とするものである。
は、前記第一外郭細線パターンは、前記ボンディングパ
ッド部と部分的に細線状パターンで結ばれているのみ
で、前記ボンディングパッド部と独立したパターンであ
ることを特徴とするものである。
【００１５】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第一外郭細線パターンは、前記ボンディングパ
ッド部と部分的に細線状パターンで結ばれているのみ
で、前記ボンディングパッド部と独立したパターンであ
ることを特徴とするものである。
は、前記第一外郭細線パターンは、前記ボンディングパ
ッド部と部分的に細線状パターンで結ばれているのみ
で、前記ボンディングパッド部と独立したパターンであ
ることを特徴とするものである。
【００１６】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第一外郭細線パターンと部分的に細線状パター
ンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形状に形成さ
れた第二外郭細線パターンを有することを特徴とするも
のである。
は、前記第一外郭細線パターンと部分的に細線状パター
ンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形状に形成さ
れた第二外郭細線パターンを有することを特徴とするも
のである。
【００１７】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第一外郭細線パターンと部分的に細線状パター
ンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形状に形成さ
れた第二外郭細線パターンを有することを特徴とするも
のである。
は、前記第一外郭細線パターンと部分的に細線状パター
ンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形状に形成さ
れた第二外郭細線パターンを有することを特徴とするも
のである。
【００１８】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第一外郭細線パターンと部分的に細線状パター
ンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形状に形成さ
れた第二外郭細線パターンおよび第三外郭細線パターン
を有することを特徴とするものである。
は、前記第一外郭細線パターンと部分的に細線状パター
ンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形状に形成さ
れた第二外郭細線パターンおよび第三外郭細線パターン
を有することを特徴とするものである。
【００１９】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第一外郭細線パターンと部分的に細線状パター
ンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形状に形成さ
れた第二外郭細線パターンおよび第三外郭細線パターン
を有することを特徴とするものである。
は、前記第一外郭細線パターンと部分的に細線状パター
ンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形状に形成さ
れた第二外郭細線パターンおよび第三外郭細線パターン
を有することを特徴とするものである。
【００２０】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第二外郭細線パターンと第三外郭細線パターン
と間の距離は５μｍから２０μｍの範囲であることを特
徴とするものである。
は、前記第二外郭細線パターンと第三外郭細線パターン
と間の距離は５μｍから２０μｍの範囲であることを特
徴とするものである。
【００２１】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第二外郭細線パターンと第三外郭細線パターン
と間の距離は５μｍから２０μｍの範囲であることを特
徴とするものである。
は、前記第二外郭細線パターンと第三外郭細線パターン
と間の距離は５μｍから２０μｍの範囲であることを特
徴とするものである。
【００２２】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第一外郭細線パターンと前記第二外郭細線パタ
ーンとは、前記第二外郭細線パターンの四隅から対角線
上に延びた細線状パターンで結ばれていることを特徴と
するものである。
は、前記第一外郭細線パターンと前記第二外郭細線パタ
ーンとは、前記第二外郭細線パターンの四隅から対角線
上に延びた細線状パターンで結ばれていることを特徴と
するものである。
【００２３】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記第一外郭細線パターンと前記第二外郭細線パタ
ーンとは、前記第二外郭細線パターンの四隅から対角線
上に延びた細線状パターンで結ばれていることを特徴と
するものである。
は、前記第一外郭細線パターンと前記第二外郭細線パタ
ーンとは、前記第二外郭細線パターンの四隅から対角線
上に延びた細線状パターンで結ばれていることを特徴と
するものである。
【００２４】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記細線部パターン幅が１μｍから８μｍであるこ
とを特徴とするものである。
は、前記細線部パターン幅が１μｍから８μｍであるこ
とを特徴とするものである。
【００２５】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記細線部パターン幅が１μｍから８μｍであるこ
とを特徴とするものである。
は、前記細線部パターン幅が１μｍから８μｍであるこ
とを特徴とするものである。
【００２６】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記ボンディングパッド部から第一外郭細線パター
ンおよび第二外郭細線パターン、あるいは第三外郭細線
は、前記ボンディングパッド部から第一外郭細線パター
ンおよび第二外郭細線パターン、あるいは第三外郭細線
【外３】 わるように延びていることを特徴とするものである。
【００２７】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記ボンディングパッド部から第一外郭細線パター
ンおよび第二外郭細線パターン、あるいは第三外郭細線
は、前記ボンディングパッド部から第一外郭細線パター
ンおよび第二外郭細線パターン、あるいは第三外郭細線
【外４】 わるように延びていることを特徴とするものである。
【００２８】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記電流拡散用の積層の膜厚が５μｍ以下であるこ
とを特徴とするものである。
は、前記電流拡散用の積層の膜厚が５μｍ以下であるこ
とを特徴とするものである。
【００２９】さらに、本発明の半導体発光素子において
は、前記電流拡散用の積層の膜厚が５μｍ以下であるこ
とを特徴とするものである。
は、前記電流拡散用の積層の膜厚が５μｍ以下であるこ
とを特徴とするものである。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体発光素
子の製作プロセスの実施形態を図１乃至図２について説
明する。
子の製作プロセスの実施形態を図１乃至図２について説
明する。
【００３１】なお、本実施形態における半導体発光素子
は、電極層ボンディングパッド部の直下にオーミックコ
ンタクト層と反対の導電型の半導体からなる電流阻止層
を有するものである。
は、電極層ボンディングパッド部の直下にオーミックコ
ンタクト層と反対の導電型の半導体からなる電流阻止層
を有するものである。
【００３２】図１および図２は、本発明による製作プロ
セス毎の素子状態を示した断面図で、配線パターン等の
図示化は省略してある。
セス毎の素子状態を示した断面図で、配線パターン等の
図示化は省略してある。
【００３３】図１において、同図（１）のように、面
（１００）主面とするｎ−ＧａＡｓ基板７上にｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層８、ｎ−ＩｎＧａＡ１Ｐクラッド層９、
ＩｎＧａＡ１Ｐアクティブ層１０、ｐ−ＩｎＧａＡ１Ｐ
クラッド層１１、ｐ−ＧａＡ１Ａｓ電流拡散層１２、ｐ
−ＧａＡｓコンタクト層１３、およびｎ−ＩｎＧａＡ１
Ｐ電流阻止阻止層１４等をＭＯＣＶＤ法を用いて順次形
成していく。
（１００）主面とするｎ−ＧａＡｓ基板７上にｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層８、ｎ−ＩｎＧａＡ１Ｐクラッド層９、
ＩｎＧａＡ１Ｐアクティブ層１０、ｐ−ＩｎＧａＡ１Ｐ
クラッド層１１、ｐ−ＧａＡ１Ａｓ電流拡散層１２、ｐ
−ＧａＡｓコンタクト層１３、およびｎ−ＩｎＧａＡ１
Ｐ電流阻止阻止層１４等をＭＯＣＶＤ法を用いて順次形
成していく。
【００３４】次に、同図（２）に示すように、ｎ−Ｉｎ
ＧａＡ１Ｐ電流阻止阻止層１４上にΦ１１０μｍの電流
阻止層レジストパターン１５をＰＥＰ法にて形成配置す
る。
ＧａＡ１Ｐ電流阻止阻止層１４上にΦ１１０μｍの電流
阻止層レジストパターン１５をＰＥＰ法にて形成配置す
る。
【００３５】なお、この電流阻止層レジストパターン１
５は、ｎ−ＧａＡｓ基板７の面（０
５は、ｎ−ＧａＡｓ基板７の面（０
【外５】 オリエンテーションフラットに対して０．１°以下のズ
レの範囲で平行になるように形成配置されている。
レの範囲で平行になるように形成配置されている。
【００３６】その後、同図（３）のように、露出した電
流阻止層レジストパターン１５以外のｎ−ＩｎＧａＡ１
Ｐ電流阻止層１４を７０℃に加熱したリン酸液でエッチ
ングを行って除去し、その除去後、同図（４）のよう
に、電流阻止層レジストパターン１５を剥離する。
流阻止層レジストパターン１５以外のｎ−ＩｎＧａＡ１
Ｐ電流阻止層１４を７０℃に加熱したリン酸液でエッチ
ングを行って除去し、その除去後、同図（４）のよう
に、電流阻止層レジストパターン１５を剥離する。
【００３７】その後、同図（５）のように、ウェハ上に
ＯＣＤ膜を塗布してアニールを行いＳｉＯ２膜１６を形
成する、そして、その形成後に、同図（６）のように、
Ａｕ系電極材を蒸着してボンディングパッド部を形成
し、Φ１００μｍにオーミックコンタクト配線部となる
５μｍ幅の細線を組み合わせた電極レジストパターン１
７をＰＥＰ法にて形成配置する。
ＯＣＤ膜を塗布してアニールを行いＳｉＯ２膜１６を形
成する、そして、その形成後に、同図（６）のように、
Ａｕ系電極材を蒸着してボンディングパッド部を形成
し、Φ１００μｍにオーミックコンタクト配線部となる
５μｍ幅の細線を組み合わせた電極レジストパターン１
７をＰＥＰ法にて形成配置する。
【００３８】この電極レジストパターン１７は、ボンデ
ィングパッド部をΦ１１０μｍの電流阻止層レジストパ
ターン１５内へ、５μｍ幅の細線のうちボンディングパ
ッド部とオーミックコンタクト配線部とを結ぶ細線配線
部が、面（０１１）お
ィングパッド部をΦ１１０μｍの電流阻止層レジストパ
ターン１５内へ、５μｍ幅の細線のうちボンディングパ
ッド部とオーミックコンタクト配線部とを結ぶ細線配線
部が、面（０１１）お
【外６】 その後、露出したＳｉＯ２膜１６をフッ化アンモニウム
水溶液でエッチング除去し（同図（８））、その部分に
Ａｕ５００オングストローム（Å）１８、ＡｕＺｕ（Ｚ
ｕ ３ｗｔ％）２０００Å１９、Ａｕ１０００Å２０、
Ｍｏ１５００Å２１、Ａｕ１５００Å２２、Ｍｏ５００
Å２３、およびＡｕ５０００Å２４等を抵抗加熱法と電
子ビーム加熱法とを併用して蒸着する（同図（９））。
水溶液でエッチング除去し（同図（８））、その部分に
Ａｕ５００オングストローム（Å）１８、ＡｕＺｕ（Ｚ
ｕ ３ｗｔ％）２０００Å１９、Ａｕ１０００Å２０、
Ｍｏ１５００Å２１、Ａｕ１５００Å２２、Ｍｏ５００
Å２３、およびＡｕ５０００Å２４等を抵抗加熱法と電
子ビーム加熱法とを併用して蒸着する（同図（９））。
【００３９】その後、電極レジストパターン１７を剥離
し、さらに、蒸着部以外のＳｉＯ２膜１６をフッ化アン
モニウム水溶液でエッチング除去する（同図（１
０））。
し、さらに、蒸着部以外のＳｉＯ２膜１６をフッ化アン
モニウム水溶液でエッチング除去する（同図（１
０））。
【００４０】次ぎに、ｎ−ＧａＡｓ基板７の裏面にＡｕ
Ｇｅ（Ｇｅ ０．５ｗｔ％）２０００Å２５を抵抗加熱
法により蒸着し、オーミックコンタクト配線部を得るた
めに、Ａｒ１．３１／ｍｉｎの雰囲気中において、温度
３８０℃で３０分（ｍｉｎ）間熱処理を行い、その後、
所望のサイズに分離することによって、同図（１１）に
示した本発明による半導体発光素子を得ることが出来
る。
Ｇｅ（Ｇｅ ０．５ｗｔ％）２０００Å２５を抵抗加熱
法により蒸着し、オーミックコンタクト配線部を得るた
めに、Ａｒ１．３１／ｍｉｎの雰囲気中において、温度
３８０℃で３０分（ｍｉｎ）間熱処理を行い、その後、
所望のサイズに分離することによって、同図（１１）に
示した本発明による半導体発光素子を得ることが出来
る。
【００４１】図３は、上記したプロセスで製作した半導
体発光素子の表面を示した平面図であり、また、図４に
はその詳細寸法が示されている。
体発光素子の表面を示した平面図であり、また、図４に
はその詳細寸法が示されている。
【００４２】なお、図３乃至図４において、図６と同一
構成部分には同一符号を付して示し、その部分の詳細な
説明は省略し、以下では図６と相違する部分についての
み主として説明する。
構成部分には同一符号を付して示し、その部分の詳細な
説明は省略し、以下では図６と相違する部分についての
み主として説明する。
【００４３】図３において、半導体発光素子は、前記し
たように、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１上に、Φ１１０
μｍの電流阻止層レジストパターン３と電極層パターン
２，４，５，６，および６Ａとが形成されていて、これ
らのうち、電極層パターン２，４，５，６，および６Ａ
は抵抗加熱法と電子ビーム加熱法とを併用してＡｕ５０
０Å１８、ＡｕＺｕ（Ｚｕ ３ｗｔ％）２０００Å１
９、Ａｕ１０００Å２０、Ｍｏ１５００Å２１、Ａｕ１
５００Å２２、Ｍｏ５００Å２３、およびＡｕ５０００
Å２４等を順次蒸着して形成されている。
たように、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１上に、Φ１１０
μｍの電流阻止層レジストパターン３と電極層パターン
２，４，５，６，および６Ａとが形成されていて、これ
らのうち、電極層パターン２，４，５，６，および６Ａ
は抵抗加熱法と電子ビーム加熱法とを併用してＡｕ５０
０Å１８、ＡｕＺｕ（Ｚｕ ３ｗｔ％）２０００Å１
９、Ａｕ１０００Å２０、Ｍｏ１５００Å２１、Ａｕ１
５００Å２２、Ｍｏ５００Å２３、およびＡｕ５０００
Å２４等を順次蒸着して形成されている。
【００４４】なお、これら電極層パターン２，４，５，
６，および６Ａは、当然一つのパターンで形成されてい
るものであるが、以下では電極層パターン２，４，５，
６，および６Ａを、その部位によって５つの電極層パタ
ーンに分けて説明する。
６，および６Ａは、当然一つのパターンで形成されてい
るものであるが、以下では電極層パターン２，４，５，
６，および６Ａを、その部位によって５つの電極層パタ
ーンに分けて説明する。
【００４５】すなわち、ボンディングパッド部２と他の
電極層部、すなわち、第一外郭細線部パターン４および
第二外郭細線部パターン５とは細線部パターン６で結ば
電極層部、すなわち、第一外郭細線部パターン４および
第二外郭細線部パターン５とは細線部パターン６で結ば
【外７】 に対し垂直な方向に延びている。
【００４６】また、第一外郭細線部パターン４は電流阻
止層レジストパターン３と同一円形の類似形状に拡大さ
れており、一方の第二外郭細線部パターン５は、従来技
術と同様に、素子の外形である四角形と同一類似形状に
縮小されている。
止層レジストパターン３と同一円形の類似形状に拡大さ
れており、一方の第二外郭細線部パターン５は、従来技
術と同様に、素子の外形である四角形と同一類似形状に
縮小されている。
【００４７】そして、この第一外郭細線部パターン４と
第二外郭細線部パターン５とは細線部パターン６Ａで結
ばれていて、この細線部パターン６Ａは素子外形の対角
線方向に延びた状態で形成配置されている。
第二外郭細線部パターン５とは細線部パターン６Ａで結
ばれていて、この細線部パターン６Ａは素子外形の対角
線方向に延びた状態で形成配置されている。
【００４８】このように、本発明による半導体発光素子
は第一外郭細線部パターン４の形状を電流阻止層レジス
トパターン３の形状と同じにしたため、この電流阻止層
レジストパターン３と第一外郭細線部パターン４との間
は、同一間隔で、従来のように異なった広がりの部分が
ないので、電流拡散のバラツキもなく、また、第一外郭
細線部パターン４を電流阻止層レジストパターン３と同
一形状にするだけでの簡単なプロセスで製作できるの
で、製作上の煩雑さも困難さもない。
は第一外郭細線部パターン４の形状を電流阻止層レジス
トパターン３の形状と同じにしたため、この電流阻止層
レジストパターン３と第一外郭細線部パターン４との間
は、同一間隔で、従来のように異なった広がりの部分が
ないので、電流拡散のバラツキもなく、また、第一外郭
細線部パターン４を電流阻止層レジストパターン３と同
一形状にするだけでの簡単なプロセスで製作できるの
で、製作上の煩雑さも困難さもない。
【００４９】また、本発明により、発光効率も、図５に
示すように、大幅に向上している。
示すように、大幅に向上している。
【００５０】すなわち、図５には、本発明による半導体
発光素子と従来の半導体発光素子との発光効率の比較が
線グラフで示されていて、縦軸に規格化された発光効率
が、また、横軸に素子のタイプが、それぞれ示されてい
る。
発光素子と従来の半導体発光素子との発光効率の比較が
線グラフで示されていて、縦軸に規格化された発光効率
が、また、横軸に素子のタイプが、それぞれ示されてい
る。
【００５１】そして、横軸に示されている素子は３タイ
プで、この３タイプのうち、Ａは従来の細線パターン素
子を、ＢはＩＴＯ使用の素子を、さらに、Ｃは本発明の
細線パターン素子をそれぞれ示している。
プで、この３タイプのうち、Ａは従来の細線パターン素
子を、ＢはＩＴＯ使用の素子を、さらに、Ｃは本発明の
細線パターン素子をそれぞれ示している。
【００５２】この図５から、本発明による細線パターン
素子Ｃは、従来の細線パターン素子Ａに較べ、発光効率
は４０％も向上していることが分かる。
素子Ｃは、従来の細線パターン素子Ａに較べ、発光効率
は４０％も向上していることが分かる。
【００５３】
【発明の効果】上記した本発明によれば、第一外郭細線
部パターンの形状を電流阻止層レジストパターンの形状
と同一の類似形状にしたことにより、面による電流拡散
のバラツキを排除することが出来、また、第一外郭細線
部パターンの形状を変えるという製作プロセスの変更だ
けなので、製作上の煩雑さや困難さもなく、さらに、電
流拡散層の膜厚が５μｍ以下でも第一外郭細線部パター
ンの対角線部分とそれ以外の部分とにおける電流の広が
りに差が生じることはなく、その結果、発光効率の高い
半導体発光素子を得ることが出来る。
部パターンの形状を電流阻止層レジストパターンの形状
と同一の類似形状にしたことにより、面による電流拡散
のバラツキを排除することが出来、また、第一外郭細線
部パターンの形状を変えるという製作プロセスの変更だ
けなので、製作上の煩雑さや困難さもなく、さらに、電
流拡散層の膜厚が５μｍ以下でも第一外郭細線部パター
ンの対角線部分とそれ以外の部分とにおける電流の広が
りに差が生じることはなく、その結果、発光効率の高い
半導体発光素子を得ることが出来る。
【図１】本発明による製作プロセス毎の素子状態を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図２】本発明による製作プロセス毎の素子状態を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図３】本発明による半導体発光素子の表面を示した平
面図である。
面図である。
【図４】本発明による半導体発光素子に詳細寸法を記し
た表面の平面図である。
た表面の平面図である。
【図５】本発明による半導体発光素子と従来の半導体発
光素子との発光効率の比較を示した線グラフである。
光素子との発光効率の比較を示した線グラフである。
【図６】従来の半導体発光素子の表面を示した平面図で
ある。
ある。
１ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ２ ボンディングパッド部 ３ 電流阻止層レジストパターン ４ 第一外郭細線部パターン ５ 第二外郭細線部パターン ６，６Ａ 電極層パターン ７ ｎ−ＧａＡｓ基板 ８ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ９ ｎ−ＩｎＧａＡ１Ｐクラック層 １０ ＩｎＧａＡ１Ｐアクティブ層 １１ ｐ−ＩｎＧａＡ１Ｐクラッド層 １２ ｐ−ＧａＡ１Ａｓ電流拡散層 １３ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 １４ ｎ−ＩｎＧａＡ１Ｐ電流阻止層 １５ 電流阻止層レジストパターン １６ ＳｉＯ２膜 １７ 電極レジストパターン １８ Ａｕ５００Å １９ ＡｕＺｕ２０００Å ２０ Ａｕ１０００Å ２１ Ｍｏ１５００Å ２２ Ａｕ１５００Å ２３ Ｍｏ５００Å ２４ Ａｕ５０００Å ２５ ＡｕＧｅ２０００Å
Claims (18)
- 【請求項１】 発光面に半導体からなるオーミックコン
タクト層を介して電極層が形成され、この電極層がボン
ディングパッド部と電流拡散用の細線部とからなる半導
体発光素子において、前記ボンディングパッド部に最も
隣接し、かつそのボンディングパッド部を取り囲む第一
外郭細線パターンと前記ボンディングパッド部とが、同
一形状に形成配置されたことを特徴とする半導体発光素
子。 - 【請求項２】 発光面に半導体からなるオーミックコン
タクト層を介して電極層が形成され、この電極層がボン
ディングパッド部と電流拡散用の細線部とからなる半導
体発光素子において、このボンディングパッド部の直下
に設けられた前記オーミックコンタクト層と反対の導電
型の半導体からなる電流阻止層と、前記ボンディングパ
ッド部上と前記オーミックコンタクト層上との電極層を
結ぶ細線状パターンとを有し、前記ボンディングパッド
部から前記オーミックコンタクト層上の電極層へ向かっ
て延び出た部分のパターン以外で、前記電流阻止層に最
も隣接し、且、前記電流阻止層を囲む第一外郭細線パタ
ーンが前記電流阻止層を形成する電流阻止層パターンと
ほぼ同一形状に形成配置されたことを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項３】 前記第一外郭細線パターンは、前記ボン
ディングパッド部と部分的に細線状パターンで結ばれて
いるのみで、前記ボンディングパッド部と独立したパタ
ーンであることを特徴とする請求項１記載の半導体発光
素子。 - 【請求項４】 前記第一外郭細線パターンは、前記ボン
ディングパッド部と部分的に細線状パターンで結ばれて
いるのみで、前記ボンディングパッド部と独立したパタ
ーンであることを特徴とする請求項２記載の半導体発光
素子。 - 【請求項５】 前記第一外郭細線パターンと部分的に細
線状パターンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形
状に形成された第二外郭細線パターンを有することを特
徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記第一外郭細線パターンと部分的に細
線状パターンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形
状に形成された第二外郭細線パターンを有することを特
徴とする請求項２記載の半導体発光素子。 - 【請求項７】 前記第一外郭細線パターンと部分的に細
線状パターンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形
状に形成された第二外郭細線パターンおよび第三外郭細
線パターンを有することを特徴とする請求項１記載の半
導体発光素子。 - 【請求項８】 前記第一外郭細線パターンと部分的に細
線状パターンで結ばれていて、素子外形の形状と同一形
状に形成された第二外郭細線パターンおよび第三外郭細
線パターンを有することを特徴とする請求項２記載の半
導体発光素子。 - 【請求項９】 前記第二外郭細線パターンと第三外郭細
線パターンと間の距離は５μｍから２０μｍの範囲であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項１０】 前記第二外郭細線パターンと第三外郭
細線パターンと間の距離は５μｍから２０μｍの範囲で
あることを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子。 - 【請求項１１】 前記第一外郭細線パターンと前記第二
外郭細線パターンとは、前記第二外郭細線パターンの四
隅から対角線上に延びた細線状パターンで結ばれている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項１２】 前記第一外郭細線パターンと前記第二
外郭細線パターンとは、前記第二外郭細線パターンの四
隅から対角線上に延びた細線状パターンで結ばれている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子。 - 【請求項１３】 前記細線部パターン幅が１μｍから８
μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体発光
素子。 - 【請求項１４】 前記細線部パターン幅が１μｍから８
μｍであることを特徴とする請求項２記載の半導体発光
素子。 - 【請求項１５】 前記ボンディングパッド部から第一外
郭細線パターンおよび第二外郭細線パターン、あるいは
第三外郭細線パターンを結ぶ細線は、面（０ 【外１】 徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項１６】 前記ボンディングパッド部から第一外
郭細線パターンおよび第二外郭細線パターン、あるいは
第三外郭細線パターンを結ぶ細線は、面（０ 【外２】 徴とする請求項２記載の半導体発光素子。 - 【請求項１７】 前記電流拡散用の積層の膜厚が５μｍ
以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光
素子。 - 【請求項１８】 前記電流拡散用の積層の膜厚が５μｍ
以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001149252A JP2002344016A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001149252A JP2002344016A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002344016A true JP2002344016A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18994449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001149252A Pending JP2002344016A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002344016A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094408A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2013150002A (ja) * | 2013-03-28 | 2013-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2014220536A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2001
- 2001-05-18 JP JP2001149252A patent/JP2002344016A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094408A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US8803181B2 (en) | 2007-10-11 | 2014-08-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method of the semiconductor light emitting device |
| US9276174B2 (en) | 2007-10-11 | 2016-03-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method of the semiconductor light emitting device |
| JP2013150002A (ja) * | 2013-03-28 | 2013-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2014220536A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080617 |