JP2002343775A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバー内にガスを導入して、高周波によって誘導放電プラズマを形成すると共に基板電極に高周波電力を印加して基板電極に負の自己バイアスを発生するように構成したエッチング装置において、
基板電極と対向する位置に設けた接地電極を誘電体により電位的に浮遊状態とした対向電極として構成し、誘導放電を発生させる高周波アンテナコイルの任意の位置からコンデンサを介して対向電極に高周波電力を分岐して、誘導放電用高周波電力の一部を対向電極に分け、対向電極に自己バイアスを発生するように構成したことを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
誘導放電を発生させる高周波アンテナコイルとして、多重のコイルを平行に巻いたことを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項３】
対向電極が、誘電体で構成した真空チャンバー部分の上部の天板から成ることを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。

また、本発明によるエッチング装置においては、誘導放電を発生させる高周波アンテナコイルは一重を含む多重のコイルを平行に巻いて構成することができる。このように構成した場合には、良好な垂直エッチング性が得られ、選択性が向上できる。

壁面に付着する物質にはＣＦ、ＣＦ₂、ＣＦ₃、Ｃ₂Ｆ₂、Ｃ₂Ｆ₄、Ｃ₂Ｆ₅、Ｃ₃Ｆ₅、Ｃ₃Ｆ₆等の化合物やさらに分解の進んだＣ₂Ｆ_x、Ｃ₃Ｆ_x、Ｃ₄Ｆ_x（ｘ＝１〜２）等の化合物がある。これらの化合物は壁面に付着して重合膜を形成する。イオン衝撃がない場合、これらの化合物によって形成された重合膜は厚膜となり、やがて剥離しダストとなる。しかし、イオン衝撃がある場合、重合膜の形成は殆ど起こらないか、起こったとしてもスパッタされて再びＣＦ、ＣＦ₂、ＣＦ₃等のラジカルとなって気相中に飛び出し、エッチャントとなる。
このエッチャント生成と天板すなわち対向電極における電子加速の効果により、従来の装置構成でエッチストップが起こっていた条件下でも、エッチストップなしにサブミクロンのホールパターンがエッチングできたものと考えられる。また、マスクを消耗により15μｍ以上の深さまでエッチングすることができなかったが、本発明により可能となった。

ところで図示実施例ではＮＬＤエッチング装置に適用した例について説明してきたが、同様な効果はＮＬＤプラズマＣＶＤ装置に適用しても期待できることは言うまでもない。またＩＰＣエッチング装置やＩＰＣＣＶＤ装置に適用しても同様な効果が期待できることは言うまでもない。
また、誘電放電を発生させる高周波アンテナは、図１のような二重コイルの代わりに、一重のコイル、三重以上のコイルを用いてもよい。

【００２８】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によるエッチング装置においては、基板電極と対向する位置に設けた接地電極を誘電体により電位的に浮遊状態とした対向電極として構成し、誘導放電を発生させる高周波アンテナコイルの任意の位置からコンデンサを介して対向電極に高周波電力を分岐して、誘導放電用高周波電力の一部を対向電極に分け、対向電極に自己バイアスを発生するように構成したことにより、対向電極用として別個に高周波電源を設ける必要がなくなり、装置の構造を簡素化できるだけでなく、干渉の問題を解消できるようになる。

また、誘導放電を発生させる高周波アンテナコイルを一重を含む多重のコイルを平行に巻いて構成した場合には、良好な垂直エッチング性が得られ、選択性が向上できる。