JP2002329694A

JP2002329694A - 基板処理装置および基板処理方法、ならびに基板保持用回転部材

Info

Publication number: JP2002329694A
Application number: JP2001129682A
Authority: JP
Inventors: Isato Iwamoto; 勇人岩元; Hiromi Kiyose; 浩巳清瀬; Akira Izumi; 昭泉
Original assignee: Sony Corp; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Sony Corp; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-04-26
Filing date: 2001-04-26
Publication date: 2002-11-15

Abstract

(57)【要約】【課題】基板を回転させるための回転部材の耐薬液性を
阻害することなく、そのコストを低減する。回転部材が
パーティクルの発生源となることを防止する。【解決手段】ウエハＷは、スピンチャック１１によって
保持されて回転される。ウエハＷの上下面に対して、オ
ゾン水供給源２４Ａ，４１Ａからのオゾン水と、ふっ酸
供給源２４Ｂ，４１Ｂからのふっ酸とが交互に供給され
る。スピンチャック１１のスピンベース２は、ＳｉＣの
焼結体で基体を構成し、その表面にふっ素樹脂被覆を施
したものである。このふっ素樹脂被覆は、安価に形成で
き、しかも、オゾン水またはふっ酸により侵されること
がない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基
板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用
基板、光磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基板など
に代表される各種の被処理基板に薬液（ふっ酸やオゾン
水等）を供給してその表面の処理（洗浄処理等）を行う
ための基板処理装置および基板処理方法に関する。ま
た、この発明は、上記のような基板処理において基板を
保持して回転するために用いられる回転部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、必要
に応じて半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。）
の洗浄が行われる。ウエハを洗浄するための基板洗浄装
置は、ウエハをほぼ水平に保持して回転することができ
るスピンチャックと、このスピンチャックを回転させる
回転駆動機構と、スピンチャックに保持されたウエハの
表面および裏面に薬液を供給するための薬液供給機構
と、スピンチャックに保持されたウエハの表面および裏
面に純水を供給するための純水供給機構とを備えてい
る。

【０００３】基板洗浄のために用いられる典型的な薬液
はふっ酸の水溶液であるが、オゾン水とふっ酸とが併用
される場合もある。すなわち、オゾン水の供給とふっ酸
の供給とを交互に行い、オゾン水の供給によって形成さ
れた表面酸化膜をふっ酸によってエッチング除去するこ
とにより、ウエハ表面の洗浄が達成される。薬液をウエ
ハの表面に供給するとともに、スピンチャックを回転駆
動することによって、ウエハの表面の全域に薬液が行き
渡り、これによってウエハ表面の異物を除去できる。

【０００４】この薬液供給の後、薬液の供給を停止し、
ウエハ表面に純水供給機構から純水を供給することで、
ウエハ表面の薬液を洗い流すためのリンス工程が行われ
る。このようなリンス工程に引き続き、スピンチャック
を高速回転させることによって、ウエハ表面の液滴が遠
心力によって振り切られ、ウエハの乾燥のための乾燥工
程が行われる。スピンチャックは、回転駆動機構によっ
て回転されるスピンベースと、このスピンベースの周縁
部に立設されてウエハを保持する保持ピンとを備えてい
る。スピンベースおよび保持ピンは、とくにふっ酸に対
する耐薬液性を有するＳｉＣ（炭化珪素）等の樹脂材料
で構成されている。スピンベースは、大きな部品である
ので、平面度等の加工精度の観点から、ＳｉＣ（炭化珪
素）の焼結体で、その基体が作製されている。この焼結
体の隙間には、Ｓｉ（珪素）が埋め込まれている。

【０００５】このＳｉＣの焼結体は、その隙間に埋め込
まれているＳｉがふっ酸によって侵されるから、そのま
までは、パーティクルを生じることになる。そこで、そ
の表面には、ＣＶＤ（化学的気相成長）法によって形成
されたＳｉＣ被膜がコーティングされている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＶＤ法によ
りＳｉＣ被膜を形成したスピンベースは、非常に高価な
部品となり、基板処理装置のコストの低減を阻害する。
また、ＣＶＤ法によるＳｉＣ被膜は、オゾン水に対する
耐久性が不充分であり、オゾン水およびふっ酸を用いた
基板洗浄プロセスにおいて、パーティクルの発生源とな
る。

【０００７】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、基板を回転させるための回転部材の耐薬
液性を阻害することなく、そのコストを低減することが
できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること
である。また、この発明の他の目的は、基板を回転させ
るための回転部材がパーティクルの発生源となることの
ない基板処理装置および基板処理方法を提供することで
ある。

【０００８】この発明のさらに他の目的は、耐薬液性を
阻害することなく安価に作製でき、かつ、パーティクル
の発生源となることもない回転部材を提供することであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）を保持して回転する回転部材（２）と、この回転
部材によって保持されて回転している基板に薬液を供給
する薬液供給機構（２４Ａ，２４Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ，
４１Ａ，４１Ｂ，４２Ａ，４２Ｂ）とを含み、上記回転
部材は、炭化珪素を含む材料で形成されており、少なく
とも上記薬液に曝される表面にふっ素樹脂被覆が施され
ていることを特徴とする基板処理装置である。なお、括
弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等
を表す。以下、この項において同じ。

【００１０】この構成によれば、基板を保持して回転す
る回転部材の少なくとも薬液に曝される表面には、ふっ
素樹脂被覆が施されているので、この回転部材はふっ酸
にもオゾン水にも侵されることがない。しかも、ふっ素
樹脂被覆は安価に形成できる。これにより、基板処理装
置のコストを低減でき、パーティクルの発生も防ぐこと
ができる。上記ふっ素樹脂は、請求項２に記載のよう
に、上記ふっ素樹脂は、ＰＦＡ（四ふっ化エチレン・パ
ーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂）、ＰＴＦＥ
（四ふっ化エチレン樹脂）およびＰＣＴＦＥ（三ふっ化
塩化エチレン樹脂）のうちの少なくとも１種を含むこと
が好ましい。

【００１１】なお、これらのうち、ＰＦＡを用いる場合
には、炭化珪素からなる回転部材の基体（たとえば、炭
化珪素の焼結体）の表面にプライマを施し、その上にＰ
ＦＡ被膜を形成する。請求項３に記載のように、上記薬
液供給機構によって供給される薬液は、オゾン水を含む
ものであってもよい。ふっ素樹脂被覆はオゾン水に対す
る耐久性を有するので、オゾン水を用いた処理中にパー
ティクルが発生するおそれはない。

【００１２】請求項４に記載のように、上記薬液供給機
構によって供給される薬液は、ふっ酸を含んでいてもよ
い。ふっ素樹脂被覆は、オゾン水およびふっ酸の両方に
対する耐久性を有するので、これらの両薬液を用いた処
理において、パーティクルが生じるおそれはない。請求
項５記載の発明は、少なくとも薬液に曝される表面にふ
っ素樹脂被覆が施され、炭化珪素を含む材料で形成され
た回転部材（２）を設ける工程と、この回転部材により
基板（Ｗ）を保持して、基板を回転させる工程と、回転
している基板の表面にオゾン水を含む薬液を供給する工
程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。

【００１３】この方法によれば、安価に作製でき、かつ
オゾン水に対する耐久性を有する回転部材を用いている
ので、パーティクルを生じることなく、基板を良好に処
理できる。この方法に関して、請求項２および４に記載
された各特徴が組み合わされることがさらに好ましい。
請求項６記載の発明は、薬液を基板（Ｗ）に供給する基
板処理において、基板を保持して回転するために用いら
れる回転部材（２）であって、炭化珪素を含む材料で形
成されており、少なくとも上記薬液に曝される表面にふ
っ素樹脂被覆が施されていることを特徴とする回転部材
である。

【００１４】この回転部材は、ふっ素樹脂被覆を有して
いるので、薬液（とくに、ふっ酸およびオゾン水）に対
する耐久性が充分であり、安価でありながら、パーティ
クルを発生させることがない。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の基板処理装置の一実施形態に係る基板洗浄装置の
構成を図解的に示す断面図である。この基板洗浄装置
は、被処理基板としての半導体ウエハＷ（以下単に「ウ
エハＷ」という。）の表面および裏面を薬液を用いて洗
浄するための装置である。この基板洗浄装置は、ウエハ
Ｗをほぼ水平に保持して回転することができるスピンチ
ャック１１と、このスピンチャック１１の上方に上下動
可能に配置された円板状の遮断板２０と、ウエハＷの下
面に処理液としての薬液または純水を供給する処理液供
給管５と、ウエハＷの上面に処理液としての薬液または
純水を供給する処理液供給管２１とを備えている。

【００１６】スピンチャック１１は、鉛直方向に沿って
配置された中空の回転軸１と、この中空の回転軸１の上
端にほぼ水平に固定された円板状のスピンベース２と、
このスピンベース２の周端部付近に設けられてウエハＷ
の外周端部を３箇所以上で保持する保持部材３とを備え
ている。回転軸１は、回転駆動機構１０からの回転力を
得て、鉛直軸回りに回転可能になっている。回転駆動機
構１０は、たとえば、モータと、このモータの回転トル
クを回転軸１に伝達する無端ベルトとを備えている。

【００１７】処理液供給管５は、回転軸１に挿通されて
いて、その上端がスピンチャック１１に保持されたウエ
ハＷの下面の回転中心に対向する処理液吐出口６を形成
している。この処理液供給管５には、オゾン水供給源４
１Ａまたはふっ酸供給源４１Ｂからの薬液（オゾン水ま
たはふっ酸）が、下面薬液供給バルブ４２Ａ，４２Ｂお
よび薬液供給管５Ａを介して供給されるようになってい
る。また、処理液供給管５には、純水供給源４３からの
純水が、下面純水供給バルブ４４および純水供給管５Ｂ
を介して供給できるようになっている。

【００１８】一方、回転軸１と処理液供給管５との間の
空間は、スピンチャック１１に保持されたウエハＷの下
方の空間に不活性ガスとしての窒素ガスを供給するため
の気体供給路７を形成している。この気体供給路７に
は、気体供給源４５からの窒素ガスが、下面窒素ガス供
給バルブ４６を介して供給されるようになっている。処
理液供給管５の上端には、回転半径方向外方側に張り出
した外向きのフランジ５１が形成されている。したがっ
て、気体供給路７からの窒素ガスは、フランジ５１とス
ピンベース２との間から、ウエハＷの下面に沿って回転
半径方向外方に向かって吹き出されることになる。

【００１９】フランジ５１は、平面視において気体供給
路７の気体吐出口８を覆っており、処理液供給管５の上
端の処理液吐出口６から吐出された処理液が、気体吐出
口８から気体供給路７へと入りにくい構造となってい
る。遮断板２０は、スピンチャック１１に保持されたウ
エハＷの上方にウエハＷの表面との対向面を有し、かつ
ウエハＷよりも若干大きなサイズの円板形状に形成され
ている。この遮断板２０の回転中心付近には、鉛直方向
に沿って中空の回転軸２７が結合されている。この回転
軸２７には、上述の処理液供給管２１が挿通されてい
る。処理液供給管２１には、オゾン水供給源２４Ａまた
はふっ酸供給源２４Ｂからの薬液（オゾン水またはふっ
酸）が、上面薬液供給バルブ２５Ａ，２５Ｂを介して供
給できるようになっている。また、純水供給源２２から
の純水が、上面純水供給バルブ２３を介して処理液供給
管２１に供給できるようになっている。処理液供給管２
１と回転軸２７との間の空間は、スピンチャック１１に
保持されたウエハＷの上方の空間に、不活性ガスとして
の窒素ガスを供給するための気体供給路３１を形成して
いる。この気体供給路３１には気体供給源３３からの窒
素ガスが、上面窒素ガス供給バルブ３４を介して供給で
きるようになっている。

【００２０】円形の遮断板２０の回転中心には、回転軸
２７と連通する開口が形成されていて、この開口を介し
て処理液供給管２１の処理液吐出口３０がスピンチャッ
ク１１に保持されたウエハＷの上面の回転中心に臨んで
いる。また、処理液供給管２１と回転軸２７との間に形
成された気体供給路３１の気体吐出口３２が、処理液吐
出口３０の外方においてウエハＷの上面に臨んでいる。
回転軸２７に関連して、遮断板２０を上下動させるため
の昇降駆動機構１３と、遮断板２０を鉛直軸線回りに回
転駆動するための遮断板回転駆動機構１２とが設けられ
ている。昇降駆動機構１３の働きによって、ウエハＷに
薬液を供給したり、スピンチャック１１に対してウエハ
Ｗの搬入または搬出を行うときには、遮断板２０は、ス
ピンチャック１１の上方の待機位置に配置されている。
この待機位置は、たとえば、スピンチャック１１に保持
されたウエハＷの上面から約１５０ｍｍ程度鉛直上方に
離隔した位置である。ウエハＷの表面の液滴を振り切り
乾燥する乾燥工程を行うときには、昇降駆動機構１３
は、遮断板２０をウエハＷに近接した処理位置まで下降
させる。たとえば、乾燥工程では、遮断板２０は、ウエ
ハＷの上面に対して約２．５ｍｍの距離の位置まで接近
させられる。

【００２１】遮断板回転駆動機構１２は、遮断板２０が
ウエハＷに近接した処理位置にあるときに、遮断板２０
をスピンチャック１１と同じ方向に同じ速度で同期回転
させる。これにより、ウエハＷの近傍の空間に外部の酸
素を含む雰囲気が巻き込まれることを防止している。回
転駆動機構１０、遮断板回転駆動機構１２、昇降駆動機
構１３、上面薬液供給バルブ２５Ａ，２５Ｂ、上面純水
供給バルブ２３、上面窒素ガス供給バルブ３４、下面薬
液供給バルブ４２Ａ，４２Ｂ、下面純水供給バルブ４４
および下面窒素ガス供給バルブ４６の動作は、マイクロ
コンピュータ等で構成された制御部４０によってそれぞ
れ制御されるようになっている。

【００２２】スピンベース２は、薬液処理中において、
とくにその上面がふっ酸およびオゾン水に曝されること
になる。このスピンベース２は、比較的大きな部品であ
るので、平面度等の加工精度の観点から、ＳｉＣの焼結
体によってその基体が構成されている。このＳｉＣの焼
結体の全面に、ふっ素樹脂被覆をコーティングすること
により、スピンベース２が構成されている。ふっ素樹脂
としては、ＰＦＡが好適であるが、他にも、ＰＴＦＥお
よびＰＣＴＦＥのうちの少なくともいずれせか１種を適
用することができる。

【００２３】このようなふっ素樹脂被覆を有するスピン
ベース２は、ふっ酸およびオゾン水に対する良好な耐久
性を有するので、薬液処理中にパーティクルを生じるこ
とがない。また、ふっ素樹脂被覆の形成は、安価なプロ
セスで行えるので、スピンベース２の製造コストが高く
つくこともない。したがって、結果として、基板洗浄装
置の製造コストを削減できる。また、パーティクルの発
生を抑制できるから、高品質な基板洗浄処理を実現でき
る。

【００２４】保持部材３もオゾン水およびふっ酸に曝さ
れることになるが、保持部材３は、小さな部品なので、
ＳｉＣの焼結体を用いることなく作製できる。たとえ
ば、保持部材３は、ＰＣＴＦＥのようなオゾン水および
ふっ酸に対する耐久性を有する樹脂で構成することが好
ましい。図２は、ウエハＷの洗浄処理を行うときに制御
部４０が実行する制御の内容を説明するためのフローチ
ャートである。

【００２５】図示しない基板搬送機構によって、未処理
のウエハＷがスピンチャック１１に受け渡されると、制
御部４０は、回転駆動機構１０を制御することによっ
て、スピンチャック１１の回転を加速する。たとえば、
制御部４０は、スピンチャック１１の回転速度を約３０
０ｒｐｍまで加速する（ステップＳ１）。このとき、遮
断板２０はスピンチャック１１のはるか上方の待機位置
に待機しており、その回転は停止されている。

【００２６】スピンチャック１１の回転速度が３００ｒ
ｐｍに達すると、制御部４０は上面薬液供給バルブ２５
Ａおよび下面薬液供給バルブ４２Ａを開成する（ステッ
プＳ２）。これにより、処理液供給管２１の処理液吐出
口３０からウエハＷの上面中央にオゾン水が供給され、
処理液供給管５の処理液吐出口６からウエハＷの下面中
央にオゾン水が供給される。このとき、上面薬液供給バ
ルブ２５Ｂおよび下面薬液供給バルブ４２Ｂ、ならびに
上面純水供給バルブ２３および下面純水供給バルブ４４
は、いずれも閉成状態に保持されている。上面窒素ガス
供給バルブ３４および下面窒素ガス供給バルブ４６は、
当初から終始開成状態とされる。

【００２７】このようにして、ウエハＷの上面および下
面にオゾン水を、たとえば、約１０秒間にわたって供給
することにより、ウエハＷの上面および裏面に酸化膜が
形成される。この酸化膜形成工程の後には、制御部４０
は、上面薬液供給バルブ２５Ａおよび下面薬液供給バル
ブ４２Ａを閉成してオゾン水の供給を停止し、代わっ
て、上面薬液供給バルブ２５Ｂおよび下面薬液供給バル
ブ４２Ｂを開成する（ステップＳ３）。これにより、ウ
エハＷの表面にふっ酸が供給され、ウエハＷの上面およ
び下面の酸化膜を除去するためのエッチング工程が行わ
れる。このエッチング工程において、スピンチャック１
１の回転速度、すなわちウエハＷの回転速度は、制御部
４０による回転駆動機構１０の制御によって、約３００
ｒｐｍに保持される。

【００２８】このエッチング工程を約１０秒間行った後
に、制御部４０は、上面薬液供給バルブ２５Ｂおよび下
面薬液供給バルブ４２Ｂを閉成してふっ酸の供給を停止
し、一定時間（たとえば、約３秒）にわたって、ウエハ
Ｗへの薬液供給を行わない薬液供給休止工程を行う（ス
テップＳ４）。この薬液供給休止工程において、ウエハ
Ｗの表面のふっ酸水溶液は、遠心力によってウエハＷ外
へと排除される。この薬液供給休止工程の後には、再
び、酸化膜形成工程（ステップＳ２）が行われる。こう
して、薬液供給休止工程（ステップＳ４）を挟んで、酸
化膜形成工程（ステップＳ２）およびエッチング工程
（ステップＳ３）が所定のサイクル数だけ繰り返し実行
される（ステップＳ５）。

【００２９】その後、制御部４０は、上面薬液供給バル
ブ２５Ａ，２５Ｂおよび下面薬液供給バルブ４２Ａ，４
２Ｂを閉じて、ウエハＷの上下面への薬液の供給を停止
する。この後、制御部４０は、回転駆動機構１０を制御
して、スピンチャック１１の回転速度を約３００ｒｐｍ
として、上面純水供給バルブ２３および下面純水供給バ
ルブ４４を開成する。これによって、ウエハＷの上面中
央および下面中央にそれぞれ純水が処理液供給管２１，
５から供給されることになる（ステップＳ６）。こうし
て、ウエハＷの上下面のエッチング液を洗い流すための
リンス工程が行われる。

【００３０】一定時間にわたってウエハＷの上下面に純
水が供給されてリンス工程が行われると、制御部４０は
下面純水供給バルブ４４を閉成し、ウエハＷの下面への
純水供給を停止する。次に、制御部４０は、回転駆動機
構１０を制御して、スピンチャック１１を乾燥回転速度
である３０００ｒｐｍまで加速する（ステップＳ７）。
これによって、ウエハＷの上下面の液滴を除去すること
ができる。このとき、制御部４０は、昇降駆動機構１３
を制御することによって、遮断板２０をウエハＷの上方
約２．５ｍｍの位置に導く（ステップＳ８）。また、制
御部４０は、遮断板回転駆動機構１２を制御することに
よって、遮断板２０を約３０００ｒｐｍで回転させ、遮
断板２０とスピンチャック１１の回転を同期させる（ス
テップＳ９）。

【００３１】遮断板２０をウエハＷの上面のごく近接し
た位置に配置することにより、ウエハＷの上方の空間を
制限することができるため、ウエハＷの上面付近の雰囲
気を効果的に窒素ガス雰囲気とすることができる。これ
によって、ウエハＷの表面の酸化に起因するパーティク
ルの発生を抑制できる。スピンチャック１１および遮断
板２０を乾燥回転速度（約３０００ｒｐｍ）で一定時間
（たとえば約３０秒）だけ回転させた後、制御部４０は
回転駆動機構１０を制御してスピンチャック１１の回転
を停止させるとともに（ステップＳ１０）、遮断板回転
駆動機構１２を制御して遮断板２０の回転も停止させる
（ステップＳ１１）。さらに、制御部４０は、昇降駆動
機構１３を制御して、遮断板２０をウエハＷのはるか上
方の待機位置まで上昇させる（ステップＳ１２）。ま
た、制御部４０は上面窒素ガス供給バルブ３４，４６を
閉じて、ウエハＷの上面および下面への窒素ガスの供給
を停止する（ステップＳ１３）。この後は、図示しない
基板搬送機構によって、スピンチャック１１から処理済
のウエハＷが搬出されることになる。

【００３２】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、上述の実施形態では、スピンベース２の全表
面にふっ素樹脂被膜が形成される例について説明した
が、スピンベース２の上面のみにふっ素樹脂被膜が施さ
れていてもよい。たとえば、スピンベース２が、ウエハ
Ｗに対向することになる上側部材と、この上側部材の下
方に位置することになる下側部材とを有している場合に
は、上記上側部材の表面にのみふっ素樹脂被膜を施せば
充分である。

【００３３】また、上記の実施形態では、ウエハＷの洗
浄を行う装置を例にとったが、この発明の基板洗浄装置
は、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用基板、光
磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基板等の他の種類
の基板の洗浄にも同様に適用することができる。さらに
は、この発明は、基板の洗浄以外の処理にも適用するこ
とができ、とくにオゾン水およびふっ酸が併用される基
板処理に対して適用すると効果的である。

【００３４】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の構
成を説明するための図解的な断面図である。

【図２】洗浄処理時における各部の制御内容を説明する
ためのフローチャートである。

【符号の説明】

１回転軸２スピンベース３保持部材５処理液供給管６処理液吐出口１０回転駆動機構１１スピンチャック２１処理液供給管２４Ａオゾン水供給源２４Ｂふっ酸供給源２５Ａ上面薬液供給バルブ２５Ｂ上面薬液供給バルブ３０処理液吐出口４０制御部４１Ａオゾン水供給源４１Ｂふっ酸供給源４２Ａ下面薬液供給バルブ４２Ｂ下面薬液供給バルブＷウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者清瀬浩巳京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者泉昭京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 4J038 CD091 CD121 NA04 PB06 PB08 PB09 PC01 5F043 AA01 AA40 EE08 GG10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を保持して回転する回転部材と、この回転部材によって保持されて回転している基板に薬
液を供給する薬液供給機構とを含み、上記回転部材は、炭化珪素を含む材料で形成されてお
り、少なくとも上記薬液に曝される表面にふっ素樹脂被
覆が施されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】上記ふっ素樹脂は、四ふっ化エチレン・パ
ーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂、四ふっ化エ
チレン樹脂および三ふっ化塩化エチレン樹脂のうちの少
なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１記載の基
板処理装置。
【請求項３】上記薬液供給機構によって供給される薬液
は、オゾン水を含むことを特徴とする請求項１または２
記載の基板処理装置。
【請求項４】上記薬液供給機構によって供給される薬液
は、ふっ酸を含むことを特徴とする請求項３記載の基板
処理装置。
【請求項５】少なくとも薬液に曝される表面にふっ素樹
脂被覆が施され、炭化珪素を含む材料で形成された回転
部材を設ける工程と、この回転部材により基板を保持して、基板を回転させる
工程と、回転している基板の表面にオゾン水を含む薬液を供給す
る工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】薬液を基板に供給する基板処理において、
基板を保持して回転するために用いられる回転部材であ
って、炭化珪素を含む材料で形成されており、少なくとも上記
薬液に曝される表面にふっ素樹脂被覆が施されているこ
とを特徴とする回転部材。