JP2002327105A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2002327105A JP2002327105A JP2001135827A JP2001135827A JP2002327105A JP 2002327105 A JP2002327105 A JP 2002327105A JP 2001135827 A JP2001135827 A JP 2001135827A JP 2001135827 A JP2001135827 A JP 2001135827A JP 2002327105 A JP2002327105 A JP 2002327105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- phosphazene compound
- compound
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含ま
ず成形性、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性、耐半田
クラック性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促
進剤、無機充填材、ホスファゼン化合物、水酸化アルミ
ニウム、及び一般式（１）、一般式（２）で示される化
合物から選ばれる１種以上を必須成分とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c （１） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＝０〜０．４） ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c（ＨＳｉＯ3）d （２） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＋ｄ＝０．２〜０．４）
ず成形性、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性、耐半田
クラック性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促
進剤、無機充填材、ホスファゼン化合物、水酸化アルミ
ニウム、及び一般式（１）、一般式（２）で示される化
合物から選ばれる１種以上を必須成分とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c （１） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＝０〜０．４） ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c（ＨＳｉＯ3）d （２） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＋ｄ＝０．２〜０．４）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン系難燃
剤、アンチモン化合物を含まずに難燃性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置に関するも
のである。
剤、アンチモン化合物を含まずに難燃性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止さ
れている。これらのエポキシ樹脂組成物中には、難燃性
を付与するためにハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化
合物が配合されている。ところが、環境・衛生の点から
ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を使用せずに難燃
性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発が要求されてい
る。又、ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物を含む
エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を高温下で
保管した場合、これらの難燃剤成分から熱分解したハロ
ゲン化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐食し、半導
体装置の信頼性を損なうことが知られており、難燃剤と
してハロゲン系難燃剤とアンチモン化合物を使用しなく
ても難燃グレードがＵＬ−９４のＶ−０を達成できるエ
ポキシ樹脂組成物が要求されている。このように、半導
体装置を高温下（例えば、１８５℃等）に保管した後の
半導体素子の接合部（ボンディングパッド部）の耐腐食
性のことを高温保管特性といい、この高温保管特性を改
善する手法としては、五酸化二アンチモンを使用する方
法（特開昭５５−１４６９５０号公報）や、酸化アンチ
モンと有機ホスフィンとを組み合わせる方法（特開昭６
１−５３３２１号公報）等が提案され、効果が確認され
ているが、最近の半導体装置に対する高温保管特性の高
い要求レベルに対して、エポキシ樹脂組成物の種類によ
っては不満足なものもある。そこで特開平１０−２５９
２９２号公報で提案されている様な環状ホスファゼン化
合物を使用することにより、臭素化合物及びアンチモン
化合物を使用せずに十分な難燃性を達成できてはいた
が、硬化性の低下、ブリードの発生による型汚れ、強度
の低下、吸水率の増加等により耐湿信頼性が低下する不
具合が発生していた。このため、環状ホスファゼン化合
物の添加量を少なくしても難燃性を得ることができるエ
ポキシ樹脂組成物が望まれている。又、水酸化アルミニ
ウムを使用することにより、臭素化合物及びアンチモン
化合物を使用せずに難燃性を達成できるが、十分な難燃
性を発現させるためには多量の添加を必要とし、そのた
め成形性、耐半田クラック性が低下する傾向がある。即
ち、難燃性を維持し、成形性、高温保管特性、耐湿信頼
性、及び耐半田クラック性に優れ、ハロゲン系難燃剤、
アンチモン化合物を使用しないエポキシ樹脂組成物が求
められている。
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止さ
れている。これらのエポキシ樹脂組成物中には、難燃性
を付与するためにハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化
合物が配合されている。ところが、環境・衛生の点から
ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を使用せずに難燃
性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発が要求されてい
る。又、ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物を含む
エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を高温下で
保管した場合、これらの難燃剤成分から熱分解したハロ
ゲン化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐食し、半導
体装置の信頼性を損なうことが知られており、難燃剤と
してハロゲン系難燃剤とアンチモン化合物を使用しなく
ても難燃グレードがＵＬ−９４のＶ−０を達成できるエ
ポキシ樹脂組成物が要求されている。このように、半導
体装置を高温下（例えば、１８５℃等）に保管した後の
半導体素子の接合部（ボンディングパッド部）の耐腐食
性のことを高温保管特性といい、この高温保管特性を改
善する手法としては、五酸化二アンチモンを使用する方
法（特開昭５５−１４６９５０号公報）や、酸化アンチ
モンと有機ホスフィンとを組み合わせる方法（特開昭６
１−５３３２１号公報）等が提案され、効果が確認され
ているが、最近の半導体装置に対する高温保管特性の高
い要求レベルに対して、エポキシ樹脂組成物の種類によ
っては不満足なものもある。そこで特開平１０−２５９
２９２号公報で提案されている様な環状ホスファゼン化
合物を使用することにより、臭素化合物及びアンチモン
化合物を使用せずに十分な難燃性を達成できてはいた
が、硬化性の低下、ブリードの発生による型汚れ、強度
の低下、吸水率の増加等により耐湿信頼性が低下する不
具合が発生していた。このため、環状ホスファゼン化合
物の添加量を少なくしても難燃性を得ることができるエ
ポキシ樹脂組成物が望まれている。又、水酸化アルミニ
ウムを使用することにより、臭素化合物及びアンチモン
化合物を使用せずに難燃性を達成できるが、十分な難燃
性を発現させるためには多量の添加を必要とし、そのた
め成形性、耐半田クラック性が低下する傾向がある。即
ち、難燃性を維持し、成形性、高温保管特性、耐湿信頼
性、及び耐半田クラック性に優れ、ハロゲン系難燃剤、
アンチモン化合物を使用しないエポキシ樹脂組成物が求
められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ハロゲン系
難燃剤、アンチモン化合物を含まず、成形性、難燃性、
高温保管特性、耐湿信頼性、及び耐半田クラック性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用い
た半導体装置を提供するものである。
難燃剤、アンチモン化合物を含まず、成形性、難燃性、
高温保管特性、耐湿信頼性、及び耐半田クラック性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用い
た半導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、［１］
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬
化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）ホスファゼン化合
物、（Ｆ）水酸化アルミニウム、及び（Ｇ）一般式
（１）、一般式（２）で示される化合物から選ばれる１
種以上を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物、 ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c （１） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＝０〜０．４） ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c（ＨＳｉＯ3）d （２） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＋ｄ＝０．２〜０．４） ［２］ ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼン化合
物である［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、［３］ 環状ホスファゼン化合物が、一般式（３）
で示される環状ホスファゼン化合物である［２］項記載
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬
化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）ホスファゼン化合
物、（Ｆ）水酸化アルミニウム、及び（Ｇ）一般式
（１）、一般式（２）で示される化合物から選ばれる１
種以上を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物、 ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c （１） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＝０〜０．４） ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c（ＨＳｉＯ3）d （２） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＋ｄ＝０．２〜０．４） ［２］ ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼン化合
物である［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、［３］ 環状ホスファゼン化合物が、一般式（３）
で示される環状ホスファゼン化合物である［２］項記載
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【化２】 （式中、ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異
なる有機基を示す。） ［４］ 一般式（３）で示される環状ホスファゼン化合
物の２ｎ個のＲのうち、少なくともｎ個がフェノキシ基
である［３］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、［５］ 全エポキシ樹脂組成物中に含有される臭素
原子及びアンチモン原子が、それぞれ０．１重量％未満
である［１］、［２］、［３］、又は［４］項記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物、［６］ ［１］〜
［５］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴と
する半導体装置、である。
なる有機基を示す。） ［４］ 一般式（３）で示される環状ホスファゼン化合
物の２ｎ個のＲのうち、少なくともｎ個がフェノキシ基
である［３］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、［５］ 全エポキシ樹脂組成物中に含有される臭素
原子及びアンチモン原子が、それぞれ０．１重量％未満
である［１］、［２］、［３］、又は［４］項記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物、［６］ ［１］〜
［５］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴と
する半導体装置、である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂とし
ては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、
スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ト
リフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エ
ポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フ
ェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ナフト
ール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単
独で用いても２種類以上を併用してもよい。
ては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、
スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ト
リフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エ
ポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フ
ェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ナフト
ール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単
独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【０００６】本発明に用いるフェノール樹脂としては、
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格
等を有する）、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン
骨格、ビフェニレン骨格等を有する）等が挙げられ、こ
れらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用しても
よい。特に、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹
脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、
ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニ
レン骨格等を有する）、テルペン変性フェノール樹脂が
好ましい。これらの配合量としては、全エポキシ樹脂の
エポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基
数の比で０．８〜１．３が好ましい。
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格
等を有する）、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン
骨格、ビフェニレン骨格等を有する）等が挙げられ、こ
れらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用しても
よい。特に、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹
脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、
ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニ
レン骨格等を有する）、テルペン変性フェノール樹脂が
好ましい。これらの配合量としては、全エポキシ樹脂の
エポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基
数の比で０．８〜１．３が好ましい。
【０００７】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用するものを使
用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィ
ン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは
１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用するものを使
用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィ
ン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは
１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【０００８】本発明に用いる無機充填材としては、一般
に封止材料に使用されているものを使用することができ
る。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミ
ナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは１種類を単独で用
いても２種類以上を併用してもよい。これらの内では、
球形度の高い溶融シリカを全量、あるいは一部破砕シリ
カを併用することが好ましい。無機充填材の平均粒径と
しては５〜３０μｍ、最大粒径としては７４μｍ以下が
好ましい。又、粒子の大きさの異なるものを混合するこ
とにより充填量を多くすることができる。無機充填材
は、予めシランカップリング剤等で表面処理されている
ものを用いてもよい。配合量としては、成形性と耐半田
クラック性のバランスから、水酸化アルミニウム及び前
記の無機充填材の合計量で全エポキシ樹脂組成物中に６
０〜９５重量％が好ましい。６０重量％未満だと、吸水
率の上昇に伴う耐半田クラック性が低下し、９５重量％
を越えると、ワイヤースィープ及びパッドシフト等の成
形性の問題が生じる可能性がある。
に封止材料に使用されているものを使用することができ
る。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミ
ナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは１種類を単独で用
いても２種類以上を併用してもよい。これらの内では、
球形度の高い溶融シリカを全量、あるいは一部破砕シリ
カを併用することが好ましい。無機充填材の平均粒径と
しては５〜３０μｍ、最大粒径としては７４μｍ以下が
好ましい。又、粒子の大きさの異なるものを混合するこ
とにより充填量を多くすることができる。無機充填材
は、予めシランカップリング剤等で表面処理されている
ものを用いてもよい。配合量としては、成形性と耐半田
クラック性のバランスから、水酸化アルミニウム及び前
記の無機充填材の合計量で全エポキシ樹脂組成物中に６
０〜９５重量％が好ましい。６０重量％未満だと、吸水
率の上昇に伴う耐半田クラック性が低下し、９５重量％
を越えると、ワイヤースィープ及びパッドシフト等の成
形性の問題が生じる可能性がある。
【０００９】本発明に用いるホスファゼン化合物は、化
合物中にホスファゼン構造を有するものであればよく、
例えば、一般式（４）で示される構造を有する化合物等
を挙げることができ、難燃剤として作用する。
合物中にホスファゼン構造を有するものであればよく、
例えば、一般式（４）で示される構造を有する化合物等
を挙げることができ、難燃剤として作用する。
【化３】 一般式（４）中、ｎは３〜１０００の整数であり、Ｒと
しては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルコキ
シ基、アリール基、アリールオキシ基等が一般的である
が、又、アミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フル
オロアルキル基等に代表される様に、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原
子等を含有していても差し支えない。これらのホスファ
ゼン化合物は、１種類を単独で用いても２種類以上を併
用してもよい。ホスファゼン化合物の難燃機構は、その
含有しているリンによる炭化促進効果、即ち、硬化物の
表面に不燃性の炭化層を形成することにより、硬化物表
面の保護、及び酸素を遮断する効果が得られること、
又、含有している窒素により、熱分解時に窒素ガスが発
生し、気相においても酸素を遮断することによる。この
固相と気相の両方で働く難燃効果から、ホスファゼン化
合物は高い難燃性を付与することができる。
しては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルコキ
シ基、アリール基、アリールオキシ基等が一般的である
が、又、アミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フル
オロアルキル基等に代表される様に、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原
子等を含有していても差し支えない。これらのホスファ
ゼン化合物は、１種類を単独で用いても２種類以上を併
用してもよい。ホスファゼン化合物の難燃機構は、その
含有しているリンによる炭化促進効果、即ち、硬化物の
表面に不燃性の炭化層を形成することにより、硬化物表
面の保護、及び酸素を遮断する効果が得られること、
又、含有している窒素により、熱分解時に窒素ガスが発
生し、気相においても酸素を遮断することによる。この
固相と気相の両方で働く難燃効果から、ホスファゼン化
合物は高い難燃性を付与することができる。
【００１０】好ましいホスファゼン化合物としては、本
発明のエポキシ樹脂組成物の流動性の点から、環状ホス
ファゼン化合物である。環状ホスファゼン化合物として
は、例えば、一般式（３）で示される環状ホスファゼン
化合物等があり、一般式（３）中のＲはアルキル基、ア
ルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキ
シ基等が一般的であるが、又、アミノ基、メルカプト
基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル基等に代表される
様に、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原子等を含有していても差し支え
ない。これらの環状ホスファゼン化合物は、単独でも混
合して用いてもよい。更に、３量体の６員環を主成分と
していることがより好ましい。一般式（３）で示される
環状ホスファゼン化合物としては、具体的には、例え
ば、ヘキサプロピルシクロトリホスファゼン、テトラエ
トキシジプロポキシシクロトリホスファゼン、ヘキサフ
ェノキシシクロトリホスファゼン、ヘキサアニリノシク
ロトリホスファゼン、ヘキサキス（３−メルカプトプロ
ピル）シクロトリホスファゼン、ヘキサキス（ヘプタフ
ルオロプロピルオキシ）シクロトリホスファゼン等が一
例として挙げられる。一般式（４）、一般式（３）中の
Ｒとしては、耐熱性、耐湿性の観点からはアリールオキ
シ基が好ましく、エポキシ樹脂との相溶性やエポキシ樹
脂組成物の流動性の観点から、２ｎ個のＲのうち、少な
くともｎ個がフェノキシ基であることが、より好まし
い。
発明のエポキシ樹脂組成物の流動性の点から、環状ホス
ファゼン化合物である。環状ホスファゼン化合物として
は、例えば、一般式（３）で示される環状ホスファゼン
化合物等があり、一般式（３）中のＲはアルキル基、ア
ルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキ
シ基等が一般的であるが、又、アミノ基、メルカプト
基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル基等に代表される
様に、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原子等を含有していても差し支え
ない。これらの環状ホスファゼン化合物は、単独でも混
合して用いてもよい。更に、３量体の６員環を主成分と
していることがより好ましい。一般式（３）で示される
環状ホスファゼン化合物としては、具体的には、例え
ば、ヘキサプロピルシクロトリホスファゼン、テトラエ
トキシジプロポキシシクロトリホスファゼン、ヘキサフ
ェノキシシクロトリホスファゼン、ヘキサアニリノシク
ロトリホスファゼン、ヘキサキス（３−メルカプトプロ
ピル）シクロトリホスファゼン、ヘキサキス（ヘプタフ
ルオロプロピルオキシ）シクロトリホスファゼン等が一
例として挙げられる。一般式（４）、一般式（３）中の
Ｒとしては、耐熱性、耐湿性の観点からはアリールオキ
シ基が好ましく、エポキシ樹脂との相溶性やエポキシ樹
脂組成物の流動性の観点から、２ｎ個のＲのうち、少な
くともｎ個がフェノキシ基であることが、より好まし
い。
【００１１】又、別の環状ホスファゼン化合物の例とし
て、難燃性を高めるために、一つの環状ホスファゼンが
別の有機基を介して他の環状ホスファゼンと結合した形
態の化合物も好ましい。この場合、環状ホスファゼンは
同じ種類でもよく、異なった種類でもよい。例えば、一
般式（３）で示される一つの環状ホスファゼンのＲの一
部が他の環状ホスファゼンのＲの一部との間で別の有機
基又はＲを介して結合した形態の化合物でもよく、これ
らの別の有機基は、単独の基だけではなく、他の基との
複合の基でもよい。例えば、有機基の両末端にホスファ
ゼン基を有している化合物でもよい。これらの環状ホス
ファゼン同士を結合する別の有機基としては、例えば、
１，６−ジオキシヘキサン等の様にジオール化合物の水
酸基から水素原子を除いた有機基、あるいはハイドロキ
ノン、４，４−ビフェノール、ビスフェノールＦ等の２
官能フェノール化合物等のジヒドロキシ化合物から水素
原子を除いた基等を好ましく用いることができる。
て、難燃性を高めるために、一つの環状ホスファゼンが
別の有機基を介して他の環状ホスファゼンと結合した形
態の化合物も好ましい。この場合、環状ホスファゼンは
同じ種類でもよく、異なった種類でもよい。例えば、一
般式（３）で示される一つの環状ホスファゼンのＲの一
部が他の環状ホスファゼンのＲの一部との間で別の有機
基又はＲを介して結合した形態の化合物でもよく、これ
らの別の有機基は、単独の基だけではなく、他の基との
複合の基でもよい。例えば、有機基の両末端にホスファ
ゼン基を有している化合物でもよい。これらの環状ホス
ファゼン同士を結合する別の有機基としては、例えば、
１，６−ジオキシヘキサン等の様にジオール化合物の水
酸基から水素原子を除いた有機基、あるいはハイドロキ
ノン、４，４−ビフェノール、ビスフェノールＦ等の２
官能フェノール化合物等のジヒドロキシ化合物から水素
原子を除いた基等を好ましく用いることができる。
【００１２】本発明のホスファゼン化合物の配合量は、
全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１５重量％が好ま
しく、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。０．
０１重量％未満だと難燃性が不足し、１５重量％を越え
ると硬化性、耐熱性及び強度が低下し、吸水率が増加す
る可能性がある。
全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１５重量％が好ま
しく、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。０．
０１重量％未満だと難燃性が不足し、１５重量％を越え
ると硬化性、耐熱性及び強度が低下し、吸水率が増加す
る可能性がある。
【００１３】本発明に用いる水酸化アルミニウムは、難
燃剤として作用し、その難燃機構としては、燃焼時に水
酸化アルミニウムが脱水を開始し、吸熱することによっ
て燃焼反応を阻害するものである。水酸化アルミニウム
の平均粒径としては１〜３０μｍが好ましく、より好ま
しくは５〜２０μｍである。水酸化アルミニウムの配合
量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．５〜２０重
量％が好ましく、更に好ましくは０．５〜１０重量％で
ある。０．５重量％未満だと難燃性が不足し、２０重量
％を越えると耐湿信頼性、成形性が低下する可能性があ
る。
燃剤として作用し、その難燃機構としては、燃焼時に水
酸化アルミニウムが脱水を開始し、吸熱することによっ
て燃焼反応を阻害するものである。水酸化アルミニウム
の平均粒径としては１〜３０μｍが好ましく、より好ま
しくは５〜２０μｍである。水酸化アルミニウムの配合
量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．５〜２０重
量％が好ましく、更に好ましくは０．５〜１０重量％で
ある。０．５重量％未満だと難燃性が不足し、２０重量
％を越えると耐湿信頼性、成形性が低下する可能性があ
る。
【００１４】ホスファゼン化合物及び水酸化アルミニウ
ムは、各々単独でも難燃性を付与する性質があるが、十
分な難燃性を発現させるには、多量の配合が必要とな
る。しかし多量に配合すると、成形性及び強度の低下、
吸水率の増加を引き起こす傾向にあり、耐半田クラック
性が低下する。これらの諸物性の低下を防ぐためにも配
合量は極力少なくする必要がある。本発明者は、ホスフ
ァゼン化合物と水酸化アルミニウムとを併用することに
より、その相乗効果として更に難燃性が向上し、配合量
を低減できることを見出した。前述した様に、ホスファ
ゼン化合物は、燃焼時にポリ燐酸層と炭化層を形成する
ことによって燃焼反応を阻害するものであり、更に水酸
化アルミニウムは、燃焼時に脱水反応が起こり、吸熱す
ることにより燃焼反応を阻害する作用がある。両者を併
用することにより、互いの能力を補い合い、その相乗効
果として高い難燃性を得ることができる。その結果とし
て、配合量を少なくしても難燃性を維持し、成形性及び
強度の低下、吸水率の増加等を防ぐことができる。
ムは、各々単独でも難燃性を付与する性質があるが、十
分な難燃性を発現させるには、多量の配合が必要とな
る。しかし多量に配合すると、成形性及び強度の低下、
吸水率の増加を引き起こす傾向にあり、耐半田クラック
性が低下する。これらの諸物性の低下を防ぐためにも配
合量は極力少なくする必要がある。本発明者は、ホスフ
ァゼン化合物と水酸化アルミニウムとを併用することに
より、その相乗効果として更に難燃性が向上し、配合量
を低減できることを見出した。前述した様に、ホスファ
ゼン化合物は、燃焼時にポリ燐酸層と炭化層を形成する
ことによって燃焼反応を阻害するものであり、更に水酸
化アルミニウムは、燃焼時に脱水反応が起こり、吸熱す
ることにより燃焼反応を阻害する作用がある。両者を併
用することにより、互いの能力を補い合い、その相乗効
果として高い難燃性を得ることができる。その結果とし
て、配合量を少なくしても難燃性を維持し、成形性及び
強度の低下、吸水率の増加等を防ぐことができる。
【００１５】本発明に用いる一般式（１）、一般式
（２）で示される化合物は、イオン捕捉剤として作用
し、ハロゲンアニオン、有機酸アニオン等を捕捉するこ
とにより樹脂成分等に含まれるイオン性不純物を減少さ
せるものである。これらのイオン性不純物はアルミニウ
ムの配線やパッドを腐食することが知られているが、本
発明のイオン捕捉剤を使用することによりこれらのイオ
ン性不純物を捕捉しアルミニウムの腐食を防止すること
ができる。本発明の一般式（１）、一般式（２）で示さ
れる化合物は、１種類を単独で用いても２種類以上を併
用してもよい。又、本発明の一般式（１）、一般式
（２）で示される化合物の特性を損なわない範囲で、他
のイオン捕捉剤を併用することもできる。併用できるイ
オン捕捉剤としては、例えば、次式で示されるようなハ
イドロタルサイト類化合物等が挙げられ、これらは１種
類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。 ＭｇxＡｌy（ＯＨ）zＣＯ3・ｎＨ2Ｏ （式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｎはそれぞれ正数を表す。） 全イオン捕捉剤の配合量としては、全エポキシ樹脂組成
物中に０．１〜５重量％が好ましい。０．１重量％未満
だとエポキシ樹脂組成物中のイオン性不純物の捕捉が不
十分で、プレッシャークッカーテスト等における耐湿信
頼性が不足し、５重量％を越えると難燃性が低下する可
能性がある。
（２）で示される化合物は、イオン捕捉剤として作用
し、ハロゲンアニオン、有機酸アニオン等を捕捉するこ
とにより樹脂成分等に含まれるイオン性不純物を減少さ
せるものである。これらのイオン性不純物はアルミニウ
ムの配線やパッドを腐食することが知られているが、本
発明のイオン捕捉剤を使用することによりこれらのイオ
ン性不純物を捕捉しアルミニウムの腐食を防止すること
ができる。本発明の一般式（１）、一般式（２）で示さ
れる化合物は、１種類を単独で用いても２種類以上を併
用してもよい。又、本発明の一般式（１）、一般式
（２）で示される化合物の特性を損なわない範囲で、他
のイオン捕捉剤を併用することもできる。併用できるイ
オン捕捉剤としては、例えば、次式で示されるようなハ
イドロタルサイト類化合物等が挙げられ、これらは１種
類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。 ＭｇxＡｌy（ＯＨ）zＣＯ3・ｎＨ2Ｏ （式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｎはそれぞれ正数を表す。） 全イオン捕捉剤の配合量としては、全エポキシ樹脂組成
物中に０．１〜５重量％が好ましい。０．１重量％未満
だとエポキシ樹脂組成物中のイオン性不純物の捕捉が不
十分で、プレッシャークッカーテスト等における耐湿信
頼性が不足し、５重量％を越えると難燃性が低下する可
能性がある。
【００１６】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｇ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三
酸化アンチモン等の難燃剤を含有することは差し支えな
いが、半導体装置の１５０〜２００℃の高温下での電気
特性の安定性が要求される用途では、臭素原子、アンチ
モン原子の含有量が、それぞれ全エポキシ樹脂組成物中
に０．１重量％未満であることが好ましく、完全に含ま
れない方がより好ましい。臭素原子、アンチモン原子の
いずれかが０．１重量％以上だと、高温下に放置したと
きに半導体装置の抵抗値が時間と共に増大し、最終的に
は半導体素子の金線が断線する不良が発生する可能性が
ある。又、環境保護の観点からも、臭素原子、アンチモ
ン原子のそれぞれの含有量が０．１重量％未満で、極力
含有されていないことが望ましい。本発明のエポキシ樹
脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成分を必須成分とするが、
これ以外に必要に応じてシランカップリング剤、カーボ
ンブラック等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等
の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加
剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。
又、本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成
分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に
均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融
混練し、冷却後粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹
脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封
止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモー
ルド、コンプレッションモールド、インジェクションモ
ールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
（Ｇ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三
酸化アンチモン等の難燃剤を含有することは差し支えな
いが、半導体装置の１５０〜２００℃の高温下での電気
特性の安定性が要求される用途では、臭素原子、アンチ
モン原子の含有量が、それぞれ全エポキシ樹脂組成物中
に０．１重量％未満であることが好ましく、完全に含ま
れない方がより好ましい。臭素原子、アンチモン原子の
いずれかが０．１重量％以上だと、高温下に放置したと
きに半導体装置の抵抗値が時間と共に増大し、最終的に
は半導体素子の金線が断線する不良が発生する可能性が
ある。又、環境保護の観点からも、臭素原子、アンチモ
ン原子のそれぞれの含有量が０．１重量％未満で、極力
含有されていないことが望ましい。本発明のエポキシ樹
脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成分を必須成分とするが、
これ以外に必要に応じてシランカップリング剤、カーボ
ンブラック等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等
の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加
剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。
又、本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成
分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に
均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融
混練し、冷却後粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹
脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封
止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモー
ルド、コンプレッションモールド、インジェクションモ
ールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
【００１７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂：４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ） −３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とする（エポキシ当量 １９０、融点１０５℃） ７７重量部 フェノールアラルキル樹脂（水酸基当量１６５、軟化点６２℃） ６８重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ２重量部 溶融球状シリカ ７８５重量部 式（５）で示される環状ホスファゼン化合物 ３０重量部
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂：４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ） −３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とする（エポキシ当量 １９０、融点１０５℃） ７７重量部 フェノールアラルキル樹脂（水酸基当量１６５、軟化点６２℃） ６８重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ２重量部 溶融球状シリカ ７８５重量部 式（５）で示される環状ホスファゼン化合物 ３０重量部
【化４】 水酸化アルミニウム（平均粒径１０μｍ） ２０重量部 イオン捕捉剤１：ＢｉＯ1.0（ＯＨ）0.7（ＮＯ3）0.3 ５重量 部 エポキシシランカップリング剤 ５重量部 カーボンブラック ３重量部 カルナバワックス ５重量部 を常温でスーパーミキサーを用いて混合し、７０〜１０
０℃でロール混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成
物とした。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で
評価した。結果を表１に示す。
０℃でロール混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成
物とした。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で
評価した。結果を表１に示す。
【００１８】評価方法 硬化性：（株）オリエンテック・製、ＪＳＲキュラスト
メーターＩＶＰＳを用いて、ダイスの直径３５ｍｍ、振
幅角１°、成形温度１７５℃、成形開始９０秒後のトル
ク値を測定した。数値が大きいほど硬化が速い。単位は
Ｎ・ｍ。 難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温度
１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片
（１２７ｍｍ×１２．７ｍｍ×３．２ｍｍ）を成形し、
アフターベークとして１７５℃、８時間処理した後、Ｕ
Ｌ−９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆmaxを測定し、難燃性
を判定した。 熱時強度：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温
度１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片
（８０ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）を成形し、アフターベ
ークとして１７５℃、８時間処理した後、２４０℃での
曲げ強度をＪＩＳ Ｋ ６９１１に準じて測定した。単
位はＮ／ｍｍ2。 吸水率：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温度
１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で円盤（直
径５０ｍｍ、厚さ４ｍｍ）を成形し、アフターベークと
して１７５℃、８時間処理した後、１５０℃で１６時間
乾燥処理を行い、８５℃、相対湿度８５％で１６８時間
吸水処理を行ったものについて、初期重量に対する増加
重量の百分率を求めた。単位は重量％。 耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用い
て、成形温度１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０
秒で８０ｐＱＦＰ（２ｍｍ厚、チップサイズ９．０ｍｍ
×９．０ｍｍ）を成形し、アフターベークとして１７５
℃、８時間処理した後、８５℃、相対湿度８５％で９６
時間の処理を行い、ＩＲリフロー処理（２４０℃、１０
秒）を行った。超音波探傷機を用いて、パッケージ内部
の剥離、クラック等の不良を観察した。６個のパッケー
ジ中の不良パッケージ数を示す。 高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて、成
形温度１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で１
６ｐＤＩＰ（チップサイズ３．０ｍｍ×３．５ｍｍ）を
成形し、アフターベークとして１７５℃、８時間処理し
た後、高温保管試験（１８５℃、１０００時間）を行
い、配線間の電気抵抗値が初期値に対し２０％増加した
パッケージを不良と判定した。１５個のパッケージ中の
不良率を百分率で示した。単位は％。 Ｂｒ原子、Ｓｂ原子の含有量：圧力５．９ＭＰａで直径
４０ｍｍ、厚さ５〜７ｍｍに圧縮成形し、蛍光Ｘ線分析
装置を用いて、全エポキシ樹脂組成物中の臭素原子、ア
ンチモン原子の含有量を定量した。単位は重量％。
メーターＩＶＰＳを用いて、ダイスの直径３５ｍｍ、振
幅角１°、成形温度１７５℃、成形開始９０秒後のトル
ク値を測定した。数値が大きいほど硬化が速い。単位は
Ｎ・ｍ。 難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温度
１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片
（１２７ｍｍ×１２．７ｍｍ×３．２ｍｍ）を成形し、
アフターベークとして１７５℃、８時間処理した後、Ｕ
Ｌ−９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆmaxを測定し、難燃性
を判定した。 熱時強度：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温
度１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片
（８０ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）を成形し、アフターベ
ークとして１７５℃、８時間処理した後、２４０℃での
曲げ強度をＪＩＳ Ｋ ６９１１に準じて測定した。単
位はＮ／ｍｍ2。 吸水率：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温度
１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で円盤（直
径５０ｍｍ、厚さ４ｍｍ）を成形し、アフターベークと
して１７５℃、８時間処理した後、１５０℃で１６時間
乾燥処理を行い、８５℃、相対湿度８５％で１６８時間
吸水処理を行ったものについて、初期重量に対する増加
重量の百分率を求めた。単位は重量％。 耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用い
て、成形温度１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０
秒で８０ｐＱＦＰ（２ｍｍ厚、チップサイズ９．０ｍｍ
×９．０ｍｍ）を成形し、アフターベークとして１７５
℃、８時間処理した後、８５℃、相対湿度８５％で９６
時間の処理を行い、ＩＲリフロー処理（２４０℃、１０
秒）を行った。超音波探傷機を用いて、パッケージ内部
の剥離、クラック等の不良を観察した。６個のパッケー
ジ中の不良パッケージ数を示す。 高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて、成
形温度１７５℃、圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で１
６ｐＤＩＰ（チップサイズ３．０ｍｍ×３．５ｍｍ）を
成形し、アフターベークとして１７５℃、８時間処理し
た後、高温保管試験（１８５℃、１０００時間）を行
い、配線間の電気抵抗値が初期値に対し２０％増加した
パッケージを不良と判定した。１５個のパッケージ中の
不良率を百分率で示した。単位は％。 Ｂｒ原子、Ｓｂ原子の含有量：圧力５．９ＭＰａで直径
４０ｍｍ、厚さ５〜７ｍｍに圧縮成形し、蛍光Ｘ線分析
装置を用いて、全エポキシ樹脂組成物中の臭素原子、ア
ンチモン原子の含有量を定量した。単位は重量％。
【００１９】実施例２〜６、比較例１〜７ 表１の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂
組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。結果を
表１に示す。なお、実施例、及び比較例で用いたエポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、イオン捕捉剤の詳細を以下に
示す。 ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂：
エポキシ当量２６５、軟化点６０℃。 フェノールノボラック樹脂：水酸基当量１０４、軟化点
８０℃。 イオン捕捉剤２：ＢｉＯ1.0（ＯＨ）0.7（ＮＯ3）c（Ｈ
ＳｉＯ3）d［式中、ｃ＋ｄ＝０．３］。 イオン捕捉剤３：協和化学工業（株）・製ＤＨＴ−４Ｈ
（ハイドロタルサイト系化合物）。又、実施例６に用い
た環状ホスファゼン化合物は、式（６）で示される。
組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。結果を
表１に示す。なお、実施例、及び比較例で用いたエポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、イオン捕捉剤の詳細を以下に
示す。 ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂：
エポキシ当量２６５、軟化点６０℃。 フェノールノボラック樹脂：水酸基当量１０４、軟化点
８０℃。 イオン捕捉剤２：ＢｉＯ1.0（ＯＨ）0.7（ＮＯ3）c（Ｈ
ＳｉＯ3）d［式中、ｃ＋ｄ＝０．３］。 イオン捕捉剤３：協和化学工業（株）・製ＤＨＴ−４Ｈ
（ハイドロタルサイト系化合物）。又、実施例６に用い
た環状ホスファゼン化合物は、式（６）で示される。
【化５】 比較例１に用いた臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂のエポキシ当量は３６５である。
脂のエポキシ当量は３６５である。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明に従うと、ハロゲン系難燃剤、ア
ンチモン化合物を含まず、成形性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置
は難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性、及び耐半田クラ
ック性に優れる。
ンチモン化合物を含まず、成形性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置
は難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性、及び耐半田クラ
ック性に優れる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/5399 Ｃ０８Ｋ 5/5399 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC032 CD001 DE148 DF009 DJ009 EU116 EU136 EW136 EW157 EW176 FD137 FD138 FD142 FD156 GQ05 4J036 AA01 DA04 FA02 FA12 FB07 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB07 EB12 EC01 EC03 EC14 EC20
Claims (6)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）ホ
スファゼン化合物、（Ｆ）水酸化アルミニウム、及び
（Ｇ）一般式（１）、一般式（２）で示される化合物か
ら選ばれる１種以上を必須成分とすることを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c （１） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＝０〜０．４） ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c（ＨＳｉＯ3）d （２） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ
＋ｄ＝０．２〜０．４） - 【請求項２】 ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼ
ン化合物である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。 - 【請求項３】 環状ホスファゼン化合物が、一般式
（３）で示される環状ホスファゼン化合物である請求項
２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異
なる有機基を示す。） - 【請求項４】 一般式（３）で示される環状ホスファゼ
ン化合物の２ｎ個のＲのうち、少なくともｎ個がフェノ
キシ基である請求項３記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項５】 全エポキシ樹脂組成物中に含有される臭
素原子及びアンチモン原子が、それぞれ０．１重量％未
満である請求項１、２、３、又は４記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001135827A JP2002327105A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001135827A JP2002327105A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002327105A true JP2002327105A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18983222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001135827A Pending JP2002327105A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002327105A (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08151427A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-06-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH10152599A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH10259292A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-09-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| JPH1121423A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2000103939A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2000336252A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-05 | Toshiba Chem Corp | 難燃性エポキシ樹脂組成物、プリプレグおよび積層製品 |
| JP2001049090A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-20 | Toshiba Chem Corp | ビルドアップ型多層プリント配線板とそれに用いる樹脂組成物および樹脂フィルム |
| JP2002047393A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2001
- 2001-05-07 JP JP2001135827A patent/JP2002327105A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08151427A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-06-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH10152599A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH10259292A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-09-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| JPH1121423A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2000103939A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2000336252A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-05 | Toshiba Chem Corp | 難燃性エポキシ樹脂組成物、プリプレグおよび積層製品 |
| JP2001049090A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-20 | Toshiba Chem Corp | ビルドアップ型多層プリント配線板とそれに用いる樹脂組成物および樹脂フィルム |
| JP2002047393A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0926196B1 (en) | Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors, and semiconductor devices | |
| JP3537082B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2004067717A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4677761B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002212397A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001354839A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4765150B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001329144A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000273281A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH11302501A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4345174B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001158852A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002047393A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003147053A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001192533A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP5098125B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001354840A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001335679A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2004027062A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002327105A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001049084A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001226564A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001226561A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003292731A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002012741A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080208 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101028 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110204 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |