JP2002322174A - 骨格にフェニルアセチレン構造を有する化合物、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】大きい屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し
易く、光安定性が有利で、紫外域の吸収波長が実用上問
題ない程度に短い、新規な化合物、液晶組成物及び、光
シャッターや表示素子等に使用できる液晶素子を提供す
ること。 【解決手段】式(１)の化合物で、分子軌道法計算によ
る、式(１−１)〜(１−３)の式(１)における各部分のＨ
ＯＭＯエネルギー差ΔＥが０．３電子ボルト以上であ
り、かつ同様に算出した式(１)の分子の分極率異方性Δ
αが５００(原子単位)以上である骨格にフェニルアセチ
レン構造を有する化合物。 【化１】 (Ａ¹〜Ａ⁴：独立にＨ、Ｆ、Ｆで置換されていてもよい
Ｃ１〜１０のアルキル基又はアルコキシ基、Ｐ¹、Ｐ²：
ＨＯＭＯエネルギーと分極率の条件を満たす構造。)

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の構
成材料あるいは液晶組成物の配合成分等として有用であ
り、骨格にフッ素原子で置換されていてもよいアルキル
基又はアルコキシ基等を有するフェニルアセチレン構造
を有する新規な化合物、それを含む液晶組成物及びそれ
を用いた液晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示素子の高性能化は、情報
化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物と
しては、より高速化、あるいは高性能化等の物性を達成
するために、屈折率異方性の大きい材料の配合が必要と
されている。屈折率異方性が比較的大きい液晶としてト
ラン化合物が知られている[Ｍｏｌ.Ｃｒｙｓｔ.Ｌｉｑ.
Ｃｒｙｓｔ.,第２３巻、第２３３頁(１９７３)］が、屈
折率異方性は約０．２と満足できるほどの大きさではな
かった。また、下記式で表される化合物(６)及び(７)が
開発されている(特開平２−８３３４０号公報、特開平
９−２１６８４１号公報)。

【０００３】

【化７】 (式中、Ａｌｋｙｌは、アルキル基を表す。)

【化８】 (式中、Ｒはアルキル基を示し、ＹはＲ、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はシアノ基を示し、
Ｈ¹〜Ｈ¹²は水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示す
(但し、Ｈ¹〜Ｈ¹²の少なくとも１つはフッ素原子又は塩
素原子である)。)

【０００４】これらの化合物は、トラン系化合物よりさ
らに大きい屈折率異方性を示すが、０．４程度であり、
さらに化合物(７)のように相溶性改善のためにフッ素原
子等のハロゲン原子置換を行った場合は０．３程度とさ
らに屈折率異方性が低いものとなっている。そこで、更
に高い屈折率異方性を有する液晶性化合物の開発が求め
られているが、一方で屈折率異方性を大きくするためパ
イ電子共役系を長くすると、化合物の紫外、可視域の吸
収スペクトルが長波長側にシフトし、場合によっては化
合物が着色するという問題がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大き
い屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し易く、かつ光
に対する安定性がより有利で、紫外域の吸収波長が実用
上問題ない程度に短い、骨格にフェニルアセチレン構造
を有する新規な化合物、それを用いた液晶組成物及びこ
れを用いた、光シャッターや表示素子等に使用できる液
晶素子を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、ある種のフェニル
アセチレン化合物が十分大きな屈折率異方性を有し、か
つ紫外域の吸収スペクトルの波長が実用上問題ない程度
に短いことを見出し、本発明を完成するに至った。即
ち、本発明によれば、式(１)で示される化合物であり、
分子軌道法計算により得られる、式(１−１)〜(１−３)
で示される式(１)における各部分の最高被占軌道(ＨＯ
ＭＯ)のエネルギー差ΔＥが下記条件を満たし、かつ同
様の方法で算出した式(１)で表される分子の分極率異方
性Δαが５００(原子単位)以上であることを特徴とする
骨格にフェニルアセチレン構造を有する化合物が提供さ
れる。 ΔＥ＝Ｅ_1-1−(Ｅ_1-2＋Ｅ_1-3)／２≧０．３電子ボルト (ただし、Ｅ_1-1、Ｅ_1-2及びＥ_1-3は、各々式(１−１)、
(１−２)及び(１−３)で示される式(１)における各部分
の分子軌道法で計算したＨＯＭＯのエネルギー値を示
す。)

【０００７】

【化９】 (式中、Ａ¹〜Ａ⁴は、それぞれ独立に水素原子、フッ素
原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１
０のアルキル基又はアルコキシ基を表す。Ｐ¹及びＰ²は
上記ＨＯＭＯエネルギーと分極率の条件を満たしていれ
ば特に化学構造は限定されない。) また本発明によれば、式(２)で示される、骨格にフェニ
ルアセチレン構造を有する化合物が提供される。

【０００８】

【化１０】 (式(２)中、Ａ⁹〜Ａ¹²は、それぞれ独立に水素原子、フ
ッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１
〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を表す。Ｐ ³及び
Ｐ⁴は、式(２−１)又は(２−２)を示し、少なくとも一
方は式(２−１)を示す(但し、式(２−１)中のＡ³⁷〜Ａ
⁴²及び式(２−２)中のＡ⁵〜Ａ⁸は、それぞれ独立に水素
原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよい
炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を表
す。)。Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に水素原子、フ
ッ素原子、シアノ基、−ＳＦ₅、−ＮＣＳ、４−Ｒ²³−
(シクロアルキル)基、４−Ｒ²³−(シクロアルケニル)基
又はＲ²⁴−(Ｏ)ｑ基を示す(但し、Ｒ ²³は水素原子、直
鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていてもよい炭
素数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ²⁴は直鎖もしくは
分枝のフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜
１２のアルキル基、炭素数３〜１２のアルケニル基又は
アルキニル基を示す。ｑは０又は１を示す)。)

【化１１】

【０００９】更に本発明によれば、上記式(１)で示され
る化合物又は式(２)で示される化合物の少なくとも１種
を含むことを特徴とする液晶組成物が提供される。更に
また本発明によれば、上記液晶組成物を一対の電極基板
間に挟持してなることを特徴とする液晶素子が提供され
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下本発明を更に詳細に説明す
る。本発明の骨格にフェニルアセチレン構造を有する化
合物は、上記式(１)又は(２)で示される化合物である。
式(１)におけるＡ¹〜Ａ⁴又は式(２)におけるＡ⁹〜Ａ¹²
は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、フッ素原子
で置換されていてもよい、炭素数１〜１０のアルキル基
又はアルコキシ基を示す。また、Ａ¹〜Ａ⁴及びＡ⁹〜Ａ
¹²の少なくとも１つはフッ素原子で置換されていてもよ
い、アルキル基又はアルコキシ基であることが望まし
い。上記式(１)中のＰ¹及びＰ²は上記ＨＯＭＯエネルギ
ーと分極率の条件を満たしていれば特に化学構造は限定
されず、後述する具体例の化合物におけるＰ¹及びＰ²に
相当する基の組合せが例示できる。上記式(２)中、Ｐ³
及びＰ⁴は、上記式(２−１)又は(２−２)を示し、少な
くとも一方は式(２−１)を示す。Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それ
ぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シアノ基、−Ｓ
Ｆ₅、−ＮＣＳ、４−Ｒ²³−(シクロアルキル)基、４−
Ｒ^{2 3}−(シクロアルケニル)基又はＲ²⁴−(Ｏ)ｑ基を示
す。但し、Ｒ²³は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素
原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキル
基を示し、Ｒ²⁴は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換
されていてもよい、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素
数３〜１２のアルケニル基又はアルキニル基を示す。ｑ
は０又は１を示す。

【００１１】上記式(１)で示される化合物は、分子軌道
法計算により得られる、上記式(１−１)〜(１−３)で示
される式(１)における各部分の最高被占軌道(ＨＯＭＯ)
のエネルギー差ΔＥが０．３電子ボルト以上、好ましく
は０．３５電子ボルト以上であり、かつ同様の方法で算
出した式(１)で表される分子の分極率異方性Δαが５０
０(原子単位)以上、好ましくは６００(原子単位)以上で
ある。ここで分子分極率異方性Δαとは、分子長軸に沿
った分極率をαｘｘ、この軸に垂直な軸に沿った分極率
を各々αｙｙ、αｚｚとしたとき、下記式より計算され
る値を示す。 Δα＝αｘｘ−(αｙｙ＋αｚｚ)／２ 分子長軸は、分子長の最も長い方向付付近にとることが
でき、例えば、式(１)のＰ¹と結合した炭素炭素三重結
合の末端炭素と、Ｐ²と結合した炭素炭素三重結合の末
端炭素とを結ぶ軸がこれに相当する。

【００１２】式(１)又は式(２)で表される化合物として
は、下記に示す構造で示される化合物等が挙げられる。

【００１３】

【化１２】

【００１４】

【化１３】

【００１５】

【化１４】

【００１６】

【化１５】

【００１７】

【化１６】

【００１８】上記構造式において、Ｒ¹¹及びＲ¹²として
は、例えば、水素原子；フッ素原子；メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデ
シル基、ドデシル基等のアルキル基及びこれらがフッ素
原子で置換されたフルオロアルキル基(例えば、トリフ
ルオロメチル基等)；エテニル基、プロペニル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、
オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル
基、ドデセニル基等のアルケニル基及びこれらがフッ素
原子で置換されたフルオロアルケニル基；プロピニル
基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチ
ニル基、オクチニル基、ノニニル基、デシニル基、ドデ
シニル基等のアルキニル基及びこれらがフッ素原子で置
換されたフルオロアルキニル基；メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘ
キシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、
デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ
基等のアルコキシ基及びこれらがフッ素原子で置換され
たフルオロアルコキシ基(例えば、１〜３個のフッ素原
子で置換されたメトキシ基、１〜５個のフッ素原子で置
換されたエトキシ基等)；ビニルオキシ基、プロペニル
オキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、ヘ
キセニルオキシ基、ヘプテニルオキシ基、オクテニルオ
キシ基、ノネニルオキシ基、デセニルオキシ基等のアル
ケニルオキシ基及びこれらがフッ素原子で置換されたフ
ルオロアルケニルオキシ基；プロピオニルオキシ基、ブ
チニルオキシ基、ペンチニルオキシ基、ヘキシニルオキ
シ基、ヘプチニルオキシ基、オクチニルオキシ基、ノニ
ニルオキシ基、デシニルオキシ基、ウンデシニルオキシ
基、ドデシニルオキシ基等のアルキニルオキシ基及びこ
れらがフッ素原子で置換されたフルオロアルキニルオキ
シ基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキ
シメチル基、ブトキシメチル基、ペンチルオキシメチル
基、ヘキシルオキシメチル基、ヘプチルオキシメチル
基、オクチルオキシメチル基、ノニルオキシメチル基、
デシルオキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペン
チルオキシエチル基、ヘキシルオキシエチル基、ヘプチ
ルオキシエチル基、オクチルオキシエチル基、ノニルオ
キシエチル基、デシルオキシエチル基、メトキシプロピ
ル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブ
トキシプロピル基、ペンチルオキシプロピル基、ヘキシ
ルオキシプロピル基、ヘプチルオキシプロピル基、オク
チルオキシプロピル基、ノニルオキシプロピル基、メト
キシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル
基、ブトキシブチル基、ペンチルオキシブチル基、ヘキ
シルオキシブチル基、ヘプチルオキシブチル基、オクチ
ルオキシブチル基、メトキシペンチル基、エトキシペン
チル基、プロポキシペンチル基、ブトキシペンチル基、
ペンチルオキシペンチル基、ヘキシルオキシペンチル
基、ヘプチルオキシペンチル基等のアルコキシアルキル
基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロアルコ
キシアルキル基；２−メチルプロピル基、２−メチルブ
チル基、３−メチルブチル基、３−メチルペンチル基等
の分枝アルキル基及びこれらがフッ素原子で置換された
フルオロ分枝アルキル基；２−メチルプロピルオキシ
基、２−メチルブチルオキシ基、３−メチルブチルオキ
シ基、３−メチルペンチルオキシ基等の分枝アルキルオ
キシ基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロ分
枝アルキルオキシ基；４−メチルシクロヘキシル基、４
−エチルシクロヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシ
ル基、４−ブチルシクロヘキシル基、４−ペンチルシク
ロヘキシル基、４−ヘキシルシクロヘキシル基、４−ヘ
プチルシクロヘキシル基、４−オクチルシクロヘキシル
基、４−ノニルシクロヘキシル基、４−デシルシクロヘ
キシル基等の４−アルキル−シクロアルキル基及びこれ
らがフッ素原子で置換された４−フルオロアルキル−シ
クロアルキル基；４−プロピルシクロヘキセニル基、４
−ペンチルシクロヘキセニル基等の４−アルキル−シク
ロアルケニル基及びこれらがフッ素原子で置換された４
−フルオロアルキル−シクロアルケニル基；シアノ基；
−ＳＦ₅；−ＮＣＳ等が挙げられるが、これらに限定さ
れない。

【００１９】本発明の式(１)又は(２）で示される化合
物は、通常の有機合成的手段を駆使して合成することが
できる。例えば、３つのアリール基が２つのアセチレン
基でつながったフェニルアセチレン構造を有する化合物
を合成するには、芳香族ハロゲン類あるいは、芳香族ア
ルコールスルホン酸エステル(トリフルオロメタンスル
ホン酸エステル等)と、アセチレン末端メチン部分とを
パラジウム触媒により塩基存在下の条件でカップリング
反応させる、Sonogashira反応(Organocopper Reagents.
A Practical Approach; Taylor,R.J.K.Ed.;Oxford Uni
versity Press:Oxford,1994;Chapter 10,pp217-236. Me
tal-Catalyzed Cross-Coupling Reactions;Diederich,
F.,Stang,P.J.Eds;Wiley:Weinheim,1997;Chapter5,pp20
3-229.)等を適宜組み合わせて合成できる。

【００２０】本発明の液晶組成物は、上記式(１)又は
(２)で示される化合物の少なくとも１種を配合成分とし
て含有する。混合する他の成分は特に限定されないが、
液晶相を示す化合物あるいは組成物が好ましい。

【００２１】上記他の化合物としては、例えば、式(３)
〜(５)で示される化合物の少なくとも１種等が挙げられ
る。これらの化合物は、通常の有機合成的手段を駆使し
て合成することができる。

【化１７】

【００２２】式(３)中Ａ¹³〜Ａ²⁴は、それぞれ独立に水
素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよ
い炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を示
し、少なくとも１つはフッ素原子で置換されていてもよ
い炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコキシ基であ
る。Ｒ³¹及びＲ³²は、それぞれ独立に水素原子、フッ素
原子、シアノ基、−ＳＦ₅、−ＮＣＳ、４−Ｒ³³−(シク
ロアルキル)基、４−Ｒ³³−(シクロアルケニル)基又は
Ｒ³⁴−(Ｏ)ｑ³¹基を示す。但し、Ｒ³³は水素原子、直鎖
もしくは分枝のフッ素原子で置換されていてもよい炭素
数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ³⁴は直鎖もしくは分
枝のフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２
のアルキル基を示す。ｑ³¹は０又は１を示す。上記式
(３)で示される化合物としては、例えば、下記構造式で
示される化合物等が挙げられる。

【００２３】

【化１８】

【００２４】

【化１９】

【００２５】

【化２０】

【００２６】

【化２１】

【００２７】

【化２２】

【００２８】

【化２３】

【００２９】

【化２４】

【００３０】

【化２５】

【００３１】上記構造式において、Ｒ¹及びＲ²は、式
(３)中のＲ³¹及びＲ³²に対応する基であって、例えば、
水素原子；フッ素原子；メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデ
シル基等のアルキル基及びこれらがフッ素原子で置換さ
れたフルオロアルキル基(例えばトリフルオロメチル
基)；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシ
ルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアルコキシ基及びこ
れらがフッ素原子で置換されたフルオロアルコキシ基
(例えば１〜３個のフッ素原子で置換されたメトキシ
基、１〜５個のフッ素原子で置換されたエトキシ基)；
メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチ
ル基、ブトキシメチル基、ペンチルオキシメチル基、ヘ
キシルオキシメチル基、ヘプチルオキシメチル基、オク
チルオキシメチル基、ノニルオキシメチル基、デシルオ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペンチルオキ
シエチル基、ヘキシルオキシエチル基、ヘプチルオキシ
エチル基、オクチルオキシエチル基、ノニルオキシエチ
ル基、デシルオキシエチル基、メトキシプロピル基、エ
トキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプ
ロピル基、ペンチルオキシプロピル基、ヘキシルオキシ
プロピル基、ヘプチルオキシプロピル基、オクチルオキ
シプロピル基、ノニルオキシプロピル基、メトキシブチ
ル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、ブトキ
シブチル基、ペンチルオキシブチル基、ヘキシルオキシ
ブチル基、ヘプチルオキシブチル基、オクチルオキシブ
チル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、プ
ロポキシペンチル基、ブトキシペンチル基、ペンチルオ
キシペンチル基、ヘキシルオキシペンチル基、ヘプチル
オキシペンチル基等のアルコキシアルキル基及びこれら
がフッ素原子で置換されたフルオロアルコキシアルキル
基；２−メチルプロピル基、２−メチルブチル基、３−
メチルブチル基、３−メチルペンチル基等の分枝アルキ
ル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロ分枝
アルキル基；２−メチルプロピルオキシ基、２−メチル
ブチルオキシ基、３−メチルブチルオキシ基、３−メチ
ルペンチルオキシ基等の分枝アルキルオキシ基及びこれ
らがフッ素原子で置換されたフルオロ分枝アルキルオキ
シ基；４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロ
ヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシル基、４−ブチ
ルシクロヘキシル基、４−ペンチルシクロヘキシル基、
４−ヘキシルシクロヘキシル基、４−ヘプチルシクロヘ
キシル基、４−オクチルシクロヘキシル基、４−ノニル
シクロヘキシル基、４−デシルシクロヘキシル基等の４
−アルキル−シクロアルキル基及びこれらがフッ素原子
で置換された４−フルオロアルキル−シクロアルキル
基；４−プロピルシクロヘキセニル基、４−ペンチルシ
クロヘキセニル基等の４−アルキル−シクロアルケニル
基及びこれらがフッ素原子で置換された４−フルオロア
ルキル−シクロアルケニル基；シアノ基；−ＳＦ₅；−
ＮＣＳ等が挙げられる。

【００３２】式(４)中Ａ²⁵〜Ａ³⁶は、それぞれ独立に水
素原子、フッ素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を
示す。ｍは０又は１である。Ｒ⁴¹は水素原子、直鎖もし
くは分枝のフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１
〜１２のアルキル基を示す。Ｒ⁴²は、Ｒ⁴¹、フッ素原
子、シアノ基、４−Ｒ⁴³−(シクロアルキル)基、４−Ｒ
⁴³−(シクロアルケニル)基又はＲ⁴⁴−(Ｏ)ｑ⁴¹基を示
す。但し、Ｒ⁴³は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素
原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキル
基を示し、Ｒ⁴⁴は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換
されていてもよい炭素数１〜１２のアルキル基を示す。
ｑ⁴¹は０又は１を示す。式(４)で示される化合物の具体
例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられ
る。

【００３３】

【化２６】

【００３４】

【化２７】

【００３５】

【化２８】

【００３６】

【化２９】

【００３７】

【化３０】

【００３８】

【化３１】

【００３９】

【化３２】

【００４０】

【化３３】

【００４１】

【化３４】

【００４２】

【化３５】

【００４３】

【化３６】

【００４４】

【化３７】

【００４５】

【化３８】

【００４６】

【化３９】

【００４７】

【化４０】

【００４８】

【化４１】

【００４９】上記構造式において、Ｒ¹及びＲ²は、式中
(４)中のＲ⁴¹及びＲ⁴²に対応する基であって、具体例と
しては、−ＳＦ₅、−ＮＣＳを除く、上記式(３)の化合
物の例示で説明したＲ³¹及びＲ³²に対応するＲ¹及びＲ²
の例示と同様なものが挙げられるが、それらに限定され
ない。

【００５０】式(５)中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、
それぞれ独立に、１，４−フェニレン、１，４−シクロ
ヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、４，１−シ
クロヘキセニレン、２，５−シクロヘキセニレン、５，
２−シクロヘキセニレン、３，６−シクロヘキセニレ
ン、６，３−シクロヘキセニレン、２，５−ピリミジン
ジイル、５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピリジン
ジイル、５，２−ピリジンジイル、２，５−ジオキサン
ジイル、もしくは５，２−ジオキサンジイルを示し、環
Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄ上の水素原子はフッ素原子で置
換されていてもよい。Ｒ⁵¹及びＲ⁵²は、水素原子、フッ
素原子、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリ
フルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメ
トキシ基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基、炭素数
１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のアルケニル
基、炭素数３〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１２の
アルコキシ基、炭素数３〜１２のアルケニルオキシ基、
炭素数３〜１２のアルキニルオキシ基、炭素数２〜１６
のアルコキシアルキル基、もしくは炭素数３〜１６のア
ルコキシアルケニル基を示す。これらのアルキル基、ア
ルケニル基又はアルキニル基中の少なくとも１つのメチ
レン基は、酸素原子、イオウ原子、ケイ素原子で置換さ
れてもよく、直鎖又は分岐のどちらでもよい。Ｚ¹、Ｚ²
及びＺ³は、それぞれ独立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、炭素数１〜５のアルキ
レン基、炭素数２〜５のアルケニレン基、炭素数２〜５
のアルキニレン基もしくは単結合を示し、ｂ、ｃ及びｄ
は、それぞれ独立に０又は１であり、かつｂ＋ｃ＋ｄ≧
１を満たす。式(５)で示される化合物としては、例え
ば、下記構造式で示される化合物等が挙げられる。

【００５１】

【化４２】

【００５２】

【化４３】

【００５３】

【化４４】

【００５４】

【化４５】

【００５５】

【化４６】

【００５６】

【化４７】

【００５７】

【化４８】

【００５８】

【化４９】

【００５９】

【化５０】

【００６０】

【化５１】

【００６１】

【化５２】

【００６２】

【化５３】

【００６３】

【化５４】

【００６４】

【化５５】

【００６５】

【化５６】

【００６６】

【化５７】

【００６７】

【化５８】

【００６８】

【化５９】

【００６９】

【化６０】

【００７０】

【化６１】

【００７１】

【化６２】

【００７２】

【化６３】

【００７３】

【化６４】

【００７４】

【化６５】

【００７５】

【化６６】

【００７６】

【化６７】

【００７７】

【化６８】

【００７８】

【化６９】

【００７９】

【化７０】

【００８０】前記式(５)で示される化合物の例示として
の上記構造式において、Ｒ⁵及びＲ⁶は、式(５)中のＲ⁵¹
及びＲ⁵²に相当する基である。上記Ｒ⁵としては、例え
ば、水素原子、フッ素原子で置換されていてもよい、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペン
テニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニ
ル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘ
キシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニ
ルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシル
オキシ、ビニルオキシ、プロペニルオキシ、ブテニルオ
キシ、ペンテニルオキシ、ヘキシニルオキシ、ヘプテニ
ルオキシ、オクテニルオキシ、ノネニルオキシ、デセニ
ルオキシ、プロピニルオキシ、ブチニルオキシ、ペンチ
ニルオキシ、ヘキシニルオキシ、ヘプチニルオキシ、オ
クチニルオキシ、ノニニルオキシ、デシニルオキシ、ウ
ンデシニルオキシ、ドデシニルオキシ、メトキシメチ
ル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチ
ル、ペンチルオキシメチル、ヘキシルオキシメチル、ヘ
プチルオキシメチル、オクチルオキシメチル、ノニルオ
キシメチル、デシルオキシメチル、メトキシエチル、エ
トキシエチル、プロポキシエチル、ブトキシエチル、ペ
ンチルオキシエチル、ヘキシルオキシエチル、ヘプチル
オキシエチル、オクチルオキシエチル、ノニルオキシエ
チル、デシルオキシエチル、メトキシプロピル、エトキ
シプロピル、プロポキシプロピル、ブトキシプロピル、
ペンチルオキシプロピル、ヘキシルオキシプロピル、ヘ
プチルオキシプロピル、オクチルオキシプロピル、ノニ
ルオキシプロピル、デシルオキシプロピル、メトキシブ
チル、エトキシブチル、プロポキシブチル、ブトキシブ
チル、ペンチルオキシブチル、ヘキシルオキシブチル、
ヘプチルオキシブチル、オクチルオキシブチル、ノニル
オキシブチル、デシルオキシブチル、メトキシペンチ
ル、エトキシペンチル、プロポキシペンチル、ブトキシ
ペンチル、ペンチルオキシペンチル、ヘキシルオキシペ
ンチル、ヘプチルオキシペンチル、オクチルオキシペン
チル、ノニルオキシペンチル、デシルオキシペンチル等
が挙げられるが、これらに限定されない。

【００８１】前記Ｒ⁶としては、例えば、水素原子、フ
ッ素原子、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ト
リフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロ
メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基、フッ
素原子で置換されていてもよい、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチ
ル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニ
ル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、
ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデ
セニル、ドデセニル、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプ
チルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオ
キシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ビニルオキ
シ、プロペニルオキシ、ブテニルオキシ、ペンテニルオ
キシ、ヘキシニルオキシ、ヘプテニルオキシ、オクテニ
ルオキシ、ノネニルオキシ、デセニルオキシ、プロピニ
ルオキシ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキシ、ヘキシ
ニルオキシ、ヘプチニルオキシ、オクチニルオキシ、ノ
ニニルオキシ、デシニルオキシ、ウンデシニルオキシ、
ドデシニルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、
プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキシメ
チル、ヘキシルオキシメチル、ヘプチルオキシメチル、
オクチルオキシメチル、ノニルオキシメチル、デシルオ
キシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポ
キシエチル、ブトキシエチル、ペンチルオキシエチル、
ヘキシルオキシエチル、ヘプチルオキシエチル、オクチ
ルオキシエチル、ノニルオキシエチル、デシルオキシエ
チル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロポキ
シプロピル、ブトキシプロピル、ペンチルオキシプロピ
ル、ヘキシルオキシプロピル、ヘプチルオキシプロピ
ル、オクチルオキシプロピル、ノニルオキシプロピル、
デシルオキシプロピル、メトキシブチル、エトキシブチ
ル、プロポキシブチル、ブトキシブチル、ペンチルオキ
シブチル、ヘキシルオキシブチル、ヘプチルオキシブチ
ル、オクチルオキシブチル、ノニルオキシブチル、デシ
ルオキシブチル、メトキシペンチル、エトキシペンチ
ル、プロポキシペンチル、ブトキシペンチル、ペンチル
オキシペンチル、ヘキシルオキシペンチル、ヘプチルオ
キシペンチル、オクチルオキシペンチル、ノニルオキシ
ペンチル、デシルオキシペンチル等が挙げられるが、こ
れらに限定されない。

【００８２】前記式(５)で示される化合物の例示として
の上記構造式において、Ｗは水素原子又はフッ素原子を
表し、Ｘは０〜３の整数を示す。また、環Ｈは、１，４
−シクロヘキシレンを表し、環Ｇは、フッ素原子で置換
されていてもよい、１，４−フェニレン、１，４−シク
ロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、４，１−
シクロヘキセニレン、２，５−シクロヘキセニレン、
５，２−シクロヘキセニレン、３，６−シクロヘキセニ
レン、６，３−シクロヘキセニレン、２，５−ピリミジ
ンジイル、５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピリジ
ンジイル、５，２−ピリジンジイル、２，５−ジオキサ
ンジイル又は５，２−ジオキサンジイルを表す。好まし
い環Ｇとしては、１，４−シクロヘキシレン、１，４−
シクロヘキセニレン、４，１−シクロヘキセニレン、
２，５−シクロヘキセニレン、５，２−シクロヘキセニ
レン、３，６−シクロヘキセニレン、６，３−シクロヘ
キセニレンが挙げられる。

【００８３】本発明の液晶組成物において、式(１)又は
(２)で表される化合物の配合割合は、液晶組成物中に
０．１〜９９．９質量％、好ましくは１〜９９質量％の
範囲が好ましい。また、式(３)〜(５)で示される化合物
を組合わせる場合の比率(質量基準)は、目的とする組成
物物性に応じて適宜決定できるが、((１)又は(２))：
(３)：(４)：(５)＝１〜９９：０〜９９：０〜５０：０
〜５０(但し合計が１００％である)が好ましい。

【００８４】本発明の液晶組成物には、捩れ剤として、
カイラル化合物を一種もしくは複数種含有させることが
できる。カイラル化合物は、特に限定されないが、好ま
しくは以下に示す化合物が例示できる。但し、例示中の
＊は不斉炭素を表す。

【００８５】

【化７１】 本発明の液晶組成物において、上記カイラル化合物の配
合割合は、配合組成等において適宜選択することがで
き、特に限定されない。

【００８６】本発明の液晶素子は、上記液晶組成物を一
対の電極基板に挟持した素子であれば、特に限定され
ず、公知の液晶表示素子と同様な構成ものが挙げられ
る。電極の種類及び形態も特に限定されず、公知の電極
等が使用できる。また、本発明の液晶表示素子の作製
は、通常の液晶表示素子の作製にしたがって同様に行う
ことができ、他の要素を適宜付加させることも可能であ
る。

【００８７】

【実施例】以下、実施例により、本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。製造例１ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で原料RDBT-1を２７．６４ｇ、及び四塩化炭素２７
６．４ｇを仕込み２℃に冷却した。次いで、塩素ガスを
攪拌しながら５時間バブリングした。その後反応マスを
氷水４００ｇにあけ５０分間攪拌した。得られた反応物
を濾過し水で洗浄した。濾液を濃縮し、トルエン／ヘキ
サン＝１／１でリパルプし、IMDBT-1を１８．５３ｇ得
た。撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素
雰囲気下で氷酢酸１６４．５ｇを仕込み５℃に冷却し
た。ここに硫酸５４９．３ｇを滴下して加えたのち２３
〜２５℃に昇温し、中間体IMDBT-1を６５．８ｇ仕込み
溶解させた。次いで、５〜９℃に冷却し、７０％硝酸を
２３６．６ｇ滴下し２時間攪拌した。これを氷水２７４
５ｇにあけて反応を停止し、さらに攪拌した。得られた
反応物を濾過し、水で洗浄後乾燥した。得られたドライ
ケーキをエタノールでリパルプしIMDBT-2を６９ｇ得
た。撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素
雰囲気下で上記で調製した中間体IMDBT-2を６９．０
ｇ、及び氷酢酸６９０．０ｇを仕込んだ。これに濃塩酸
４３９．５ｇにＳｎＣｌ₂を３２０．１ｇ溶解したもの
を２４〜３３℃で滴下し、室温で終夜攪拌した。得られ
た反応物を濾過し、氷酢酸／濃塩酸＝１／１で洗浄し
た。次いで、１０％水酸化ナトリウム水溶液６００ｇを
加えて中和し、酢酸エチルで反応物を抽出した。さらに
水で洗浄後濃縮し、クロロホルムを移動相とするシリカ
ゲルクロマトグラフィーによる分離を行い、IMDBT-3を
４８．０ｇ得た。

【００８８】撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で９８質量％硫酸１８２．８ｇ、及び
ＮａＮＯ₂を１８．２８ｇ仕込み２℃に冷却した。次い
で、氷酢酸５７６ｇに上記で調製した中間体IMDBT-3を
４８．０ｇ溶解したものを滴下し、５〜８℃で１時間４
０分攪拌した。続いて、５〜−５℃に冷却し、エーテル
５００ｍｌを仕込んだ。−５℃で２５分間攪拌したの
ち、得られた反応物を濾過し、エーテルで洗浄した。得
られたウエットケーキを、４８％ＨＢｒ水溶液１０３７
ｇとＣｕＢｒ５１．８４ｇを室温で仕込んだ容器に加
え、２５〜６４℃で３０分間攪拌した。これを６４℃で
２時間還流後濾過し、水で洗浄した。得られたウエット
ケーキを乾燥し、ヘキサンを移動相とするシリカゲルク
ロマトグラフィーによる分離を行い、IMDBT-4を４１．
８ｇ得た。撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で上記で調製した中間体IMDBT-4を１
０．５３ｇ、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム０．２１ｇ、トリフェニルホスフィン０．２１
ｇ、ヨウ化銅０．１１ｇ及びトリエチルアミン４０．５
ｇを仕込み７６℃に昇温した。次いで、２-メチル-３-
ブチン-２-オール５．０５ｇを酢酸エチル２．５ｇに溶
解した溶液を滴下し、２時間攪拌した。得られた反応物
を濾過し、酢酸エチルで洗浄して濾液を濃縮した。得ら
れた濃縮物を、ヘキサン／酢酸エチル＝５／１にトリエ
チルアミン０．１質量％加えたものを移動相とするシリ
カゲルクロマトグラフィーによる分離を行い、IMDBT-5
を９．７５ｇ得た。

【００８９】撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で上記で調製した中間体IMDBT-5を
９．７５ｇ、トルエン４８．８ｇ及びＫＯＨ０．４ｇを
仕込み、９５℃に昇温して３時間半攪拌した。反応終了
後、得られた反応物を濃縮し、ヘキサンにトリエチルア
ミン０．１質量％加えたものを移動相とするシリカゲル
クロマトグラフィーにより分離を行い、目的とする化合
物IMDBT-6を６．６０ｇ得た。得られたIMDBT-6の¹Ｈ−
ＮＭＲスペクトルの測定結果、並びに以上の反応式を以
下に示す。¹ Ｈ-ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：３．１５(ｓ,１Ｈ)、７．
４３−７．４６(ｍ,２Ｈ)、７．５３−７．５６(ｍ,１
Ｈ)、７．８１−７．８４(ｍ,１Ｈ)、７．９７−８．１
１(ｍ,３Ｈ)

【００９０】

【化７２】

【００９１】製造例２ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で製造例１で調製したIMDBT-4を１８．９５ｇ、ジ
クロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０．３
８７ｇ、トリフェニルホスフィン０．３８ｇ、ヨウ化銅
(Ｉ)０．１９ｇ及びトリエチルアミン７２．９ｇを仕込
み、７６℃に昇温した。次いで、酢酸エチル９．１ｇに
IM-2を１７．４１ｇ溶解した溶液を滴下し、７６〜８０
℃で５時間撹拌した。室温に戻し、得られた反応物を濾
過し、酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られた
固体にメタノール１２９．６ｇ、ｐ-トルエンスルホン
酸０．３２ｇ及びＴＨＦ１２９．６ｇを仕込み、２３〜
４０℃で２．５時間攪拌した。反応終了後、トリエチル
アミン２ｇを加えて中和し濃縮した。これをヘキサン／
酢酸エチル＝１０／１にトリエチルアミン０．１質量％
加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィ
ーにて分離を行い、中間体IMDBT‐7を１４．１ｇ得た。
得られた１４．１ｇの中間体IMDBT‐7を窒素雰囲気下、
攪拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に仕込み、ト
ルエン７０．５ｇ、ピリジン２８．１ｇ、及び４−ピロ
リジノピリジン０．２８ｇを加え、−２℃に冷却した。
同温度で攪拌しながら、トリフルオロメタンスルホン酸
無水物１８．１７ｇを滴下し、０〜２℃で１．５時間攪
拌した。反応終了後、水を加え酢酸エチルで抽出した。
続いて、有機層を濃縮後、ヘキサン／クロロホルム＝２
０／１を移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーに
よる分離を行い、中間体IMDBT‐8を１８．６４ｇ得た。

【００９２】得られた中間体IMDBT‐8の¹Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルの測定結果、並びに以上の反応式を以下に示
す。¹ Ｈ-ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：１．２９(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝
７．５Ｈｚ)、２．７５(ｑ,２Ｈ,Ｊ＝７．５Ｈｚ)、
７．２０−７．２６(ｍ,１Ｈ)、７．４０−７．６０
(ｍ,５Ｈ)、７．８１−７．８９(ｍ,１Ｈ)、８．０１−
８．１８(ｍ,３Ｈ)

【００９３】

【化７３】

【００９４】実施例１ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で製造例２で調製したIMDBT-8を５．５３ｇ、ジク
ロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０．１１
ｇ、トリエチルアミン３．６４ｇ及びＤＭＦ３３．２ｇ
を仕込み、６５℃に昇温した。次いで、ＤＭＦ６．８ｇ
に製造例１で調製したIMDBT-6を４．５０ｇ溶解した溶
液を滴下し、６３〜６８℃で７時間撹拌した。室温に戻
し、得られた反応物を濾過し、酢酸エチルで洗浄した。
なお、ここで得られた濾上物ウエットケーキ１を保存し
た。続いて、濾液を水洗し、濃縮後、得られた固体をク
ロロホルムにトリエチルアミン０．１質量％を加えたも
のを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分
離した。さらに酢酸エチルによりリパルプを行い、上記
濾上物に保存しておいたウエットケーキ１を合わせ、ヘ
キサン／クロロホルム＝５／１にトリエチルアミン０．
１質量％を加えたものを移動相とするシリカゲルクロマ
トグラフィーによる分離を行った。クロロホルムで再結
晶を行い、目的とする化合物DBT1116を２．８６ｇ得
た。

【００９５】得られた化合物DBT1116の¹Ｈ−ＮＭＲスペ
クトルの測定結果、並びにこの実施例の反応式を以下に
示す。¹ Ｈ-ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：１．３８(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝
７．５Ｈｚ)、２．９５(ｑ,２Ｈ)、７．３７−７．５８
(ｍ,７Ｈ)、７．５８−７．６９(ｍ,２Ｈ)、７．８３−
７．９０(ｍ,２Ｈ)、８．０２−８．０８(ｍ,２Ｈ)、
８．１１−８．２０(ｍ,４Ｈ)

【００９６】

【化７４】

【００９７】得られたDBT1116について、以下に示すパ
ーツに分離し、分子軌道法によりＨＯＭＯのエネルギー
差ΔＥ及び分極率異方性Δαを計算したところ、下記の
ような値であった。 ΔＥ＝Ｅ_DBT1116-1−Ｅ_DBT1116-2＝０．７７(ｅＶ) Δα＝７５３(原子単位)

【化７５】

【００９８】上記化合物DBT1116の相系列を偏光顕微鏡
観察により評価したところ、２２７℃未満で結晶相を示
し、２２７℃からネマティック相を示した。さらに３０
０℃まで昇温したところ、ネマティック相であった。従
って、この化合物は、液晶性化合物であることが判っ
た。さらに、この化合物をネマティック相及び液相で目
視観察したところ、無色透明であった。また、化合物DB
T1116をネマティック組成物 MJ931381(メルクジャパン
社製)に５質量％添加して測定した屈折率異方性Δｎか
ら濃度比で外挿したΔｎを求めたところ、０．６３と極
めて大きいものであった。なお、Δｎはアッベ屈折計で
測定し、測定温度は２０℃、測定波長は５８９ｎｍで行
った。

【００９９】実施例２ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で製造例２で調製したIMDBT‐8を５．５３ｇ、ジク
ロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０．１７
ｇ、トリエチルアミン３．６４ｇ及びＤＭＦ３３．２ｇ
を仕込み、６５℃に昇温した。ＤＭＦ４．３ｇにIM-1を
３．８４ｇ溶解した溶液を滴下し、６４〜６８℃で１０
時間撹拌した。室温に戻し、得られた反応物を濾過し、
酢酸エチルで洗浄した。濾上物を濃縮後、得られた固体
を、クロロホルムにトリエチルアミン０．１質量％を加
えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィー
にて分離した。さらに酢酸エチルによりリパルプを行
い、ヘキサン／クロロホルム＝1０／1にトリエチルアミ
ン０．１質量％を加えたものを移動相とするシリカゲル
クロマトグラフィーによる分離を行い、目的とする化合
物DBT1115を４．１８ｇ得た。

【０１００】得られた化合物DBT1115の¹Ｈ−ＮＭＲスペ
クトルの測定結果、並びに以上の反応式を以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃、δ)：０．９４(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝
７．５Ｈｚ)、１．３３(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝７．５Ｈｚ)、
１．３８−１．４９(ｍ,４Ｈ)、１．７５−１．８５
(ｍ,２Ｈ)、２．９０(ｑ,２Ｈ,Ｊ＝７．５Ｈｚ)、３．
９７(ｔ,２Ｈ,Ｊ＝７．５Ｈｚ)、６．８６−６．９０
(ｍ,２Ｈ)、７．３７−７．６３(ｍ,８Ｈ)、７．８５−
８．３７(ｍ,４Ｈ)

【化７６】

【０１０１】得られたDBT1115について、以下に示すよ
うなパーツに分離し、分子軌道法によりＨＯＭＯのエネ
ルギー差ΔＥ及び分極率異方性Δαを計算したところ、
下記のような値であった。 ΔＥ＝Ｅ_DBT1115-1−(Ｅ_DBT1115-2＋Ｅ_DBT1115-3)／２
＝０．３９(ｅＶ) Δα＝６５２(原子単位)

【化７７】

【０１０２】上記化合物DBT1115の相系列を偏光顕微鏡
観察により評価したところ、１３４℃未満で結晶相を示
し、１３４〜２５３℃の範囲でネマティック相を示し、
２５３℃を超えると等方相を示した。従って、この化合
物は、液晶性化合物であることがわかる。さらに、この
化合物をネマティック相及び液相で目視観察したとこ
ろ、無色透明であった。また、化合物DBT1115を、ネマ
ティック組成物 MJ931381(メルクジャパン社製)に１０
質量％添加して測定した屈折率異方性Δｎから濃度比で
外挿したΔｎを求めたところ、０．５３と極めて大きい
ものであった。なお、Δｎはアッベ屈折計で測定し、測
定温度は２０℃、測定波長は５８９ｎｍで行った。

【０１０３】製造例３ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で製造例１で調製した原料IMDBT-4を４４．１ｇ、
及び四塩化炭素４４１ｇを仕込み−５℃に冷却した。次
いで、塩素ガスを攪拌しながら−７℃〜−１２℃で５時
間バブリングした。その後反応マスを氷水１０００ｇに
あけ、５℃以下で４０分間攪拌した。得られた反応物を
濾過し、四塩化炭素で洗浄して、得られた結晶を乾燥
し、IMDBT-9を２７．９１ｇ得た。撹拌装置及び温度計
を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で氷酢酸６９．
８ｇ及び上記で調製したIMDBT-9を２７．９ｇ仕込み、
１０℃に冷却した。続いて、濃硫酸２３９．８ｇを滴下
して加えた後、−２℃に冷却し、７０％硝酸を−２〜８
℃で７２．０ｇ滴下し、５℃以下で２時間攪拌した。こ
れを氷水１２００ｇにあけて反応を停止し、さらに攪拌
した。得られた反応物を濾過し、水で洗浄後乾燥した。
得られたドライケーキをエタノールで洗浄し、IMDBT-10
を３１．９ｇ得た。

【０１０４】撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で上記で調製した中間体IMDBT-10を２
６．９８ｇ、及び氷酢酸２６９．８ｇを仕込んだ。次い
で、ＳｎＣｌ₂・２Ｈ₂Ｏ １１２．７ｇを濃塩酸１５８
ｇに溶解した溶液を１４〜１８℃で１時間かけて滴下
し、室温で終夜攪拌した。得られた反応物を濾過し、氷
酢酸／濃塩酸＝１／１で洗浄した。これに７質量％水酸
化ナトリウム水溶液１１００ｇを加えて中和し、酢酸エ
チルで反応物を抽出した。さらに水で洗浄後濃縮し、ヘ
キサン／クロロホルム＝１／1にトリエチルアミン０．
１質量％を加えたものを移動相とするシリカゲルクロマ
トグラフィーにより精製し、IMDBT-11を１７．３１ｇ得
た。撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素
雰囲気下で濃硫酸２０９．３ｇ、及びＮａＮＯ₂ ８．９
３ｇを仕込み、２℃に冷却した。次いで、上記で調製し
た中間体IMDBT-11を２４．０ｇ加え、２〜４℃で３時間
攪拌した。続いて、水９９．８ｇと共に８０℃に昇温し
た６５質量％硫酸３４８．７ｇ中に併注し、８０〜８５
℃で５時間攪拌した。室温まで冷却し、得られた反応物
を濾過後、酢酸エチル３００ｍｌで６回抽出し、減圧濃
縮した。得られた残渣を、クロロホルムを移動相とする
シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、IMDBT-12
を７．１１ｇ得た。得られたIMDBT-12の¹Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルの測定結果を以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：４．９８(Ｓ,１Ｈ)、
６．９５−７．００(ｍ,１Ｈ)、７．２５−７．２７
(ｍ,１Ｈ)、７．５０−７．５４(ｍ,１Ｈ)、７．８４−
７．８８(ｍ,１Ｈ)、７．９１−７．９３(ｍ,１Ｈ)、
７．９３−７．９７(ｍ,１Ｈ)

【０１０５】撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で上記で調製した中間体IMDBT-12を
３．１６ｇ、炭酸カリウム３．９１ｇ、１−ヨードペン
タン５．６０ｇ、及びメチルエチルケトン１６．８ｇを
仕込み、８０〜８５℃に昇温した。同温度で４時間攪拌
した後、室温まで冷却し、濾過により無機塩を濾別し
た。酢酸エチル１００ｍｌで洗浄し、濾洗液を減圧下濃
縮した。得られた残渣を、ヘキサンを移動相とするシリ
カゲルクロマトグラフィーにより精製し、IMDBT-13を
３．３１ｇ得た。得られたIMDBT-13の¹Ｈ−ＮＭＲスペ
クトルの測定結果を以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：０．９５(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝
６Ｈｚ)、１．３９−１．５１(ｍ,４Ｈ)、１．８４(ｔ
ｔ,２Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ,６Ｈｚ)、４．０５(ｔ,２Ｈ,Ｊ＝
６Ｈｚ)、７．０３−７．０６(ｍ,１Ｈ)、７．２６−
７．２９(ｍ,２Ｈ)、７．５０−７．５３(ｍ,１Ｈ)、
７．８５−７．９８(ｍ,３H)

【０１０６】撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で上記で調製した中間体IMDBT-13を
３．３０ｇ、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム０．０３ｇ、トリフェニルホスフィン０．０６
ｇ、ヨウ化銅０．０３ｇ、及びトリエチルアミン１８．
９ｍｌを仕込み６０℃に昇温した。これにIM-2 ３．３
０ｇのトリエチルアミン２ｇ溶液を６０〜６５℃で１時
間かけて滴下し、７０℃で７時間攪拌した。室温まで冷
却し、濾過により無機塩を濾別した。酢酸エチル１００
ｍｌで洗浄し、濾線液を減圧した濃縮した。得られた残
渣にメタノール２０ｍｌ、ｐ−トルエンスルホン酸０．
１０ｇを加え、室温で４時間攪拌した。トリエチルアミ
ン１．３ｍｌを加え、中和・反応停止した後、反応液を
濃縮し、得られた残渣をヘキサン／酢酸エチル＝１０／
１にトリエチルアミン０．１質量％を加えたものを移動
相とするシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、
IMDBT-14を４．３０ｇ得た。撹拌装置及び温度計を装着
したフラスコ内に、窒素雰囲気下で上記で調製した中間
体IMDBT-14を３．９２ｇ、４−ピロリジノピリジン０．
４ｇ、ピリジン１５．１ｍｌ及びジクロロメタン３７．
８ｍｌを仕込み氷冷した。次いで、１〜３℃でトリフル
オロメタンスルホン酸無水物３．５ｇのジクロロメタン
１０ｍｌ溶液を１時間かけて滴下した後、同温度で４時
間攪拌した。反応終了後、酢酸エチル２００ｍｌ、水５
０ｍｌを加え、有機層を分液・水洗後、減圧濃縮した。
得られた残渣を、ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１にト
リエチルアミン０．１質量％を加えたものを移動相とす
るシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、目的と
するIMDBT-15を４．１０ｇ得た。

【０１０７】得られたIMDBT-15のの¹Ｈ−ＮＭＲスペク
トルの測定結果、並びに以上の反応式を以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：０．９５(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝
６Ｈｚ)、１．３０(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ)、１．４０−
１．５４(ｍ,４Ｈ)、１．８５(ｔｔ,２Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ,
６Ｈｚ)、２．７６(ｑ,２Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ)、４．０６
(ｔ,２Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ)、７．０５−７．０８(ｍ,１
Ｈ)、７．２３−７．３２(ｍ,２Ｈ)、７．４３−７．５
８(ｍ,３Ｈ)、７．９７−８．０２(ｍ,３Ｈ)

【０１０８】

【化７８】

【０１０９】製造例４ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で製造例３で調製した中間体IMDBT-12を５．２ｇ、
ｐ−トルエンスルホン酸０．００７ｇ、及びクロロホル
ム１５０ｍｌを仕込み氷冷した。続いて、ジヒドロピラ
ン４．８ｇを１℃で滴下し、同温度で６時間攪拌した。
トリエチルアミン３ｍｌを加え、中和・反応停止した
後、反応液を濃縮し、得られた残渣をヘキサン／酢酸エ
チル＝１３／１にトリエチルアミン０．１質量％を加え
たものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーに
より精製し、IMDBT-16を６．４２ｇ得た。

【０１１０】撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で１−へキシン３．５ｍｌ、テトラヒ
ドロフラン５ｍｌを仕込み、この中に１Ｍカテコールボ
ラン／テトラヒドロフラン溶液３６ｍｌを加えた。６８
℃に昇温し、同温度で８時間攪拌した。反応後、窒素雰
囲気下で濃縮し、IMDBT-17を単離することなく次工程に
使用した。撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で上記で調製したIMDBT-17を含む濃縮
残渣、上記で調製した中間体IMDBT-16を５．０ｇ、テト
ラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム１．６ｇ、
トルエン２６ｍｌ及びエタノール４０ｍｌを仕込んだ。
この中に室温で２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１１ｍｌを２
０分間かけて滴下し、７３℃に昇温・還流した。同温度
で４時間還流攪拌した後、室温まで冷却し、酢酸エチル
及び水を加えて抽出し、有機層を４回水洗した。有機層
を減圧濃縮し、IMDBT-18を単離することなく次工程に使
用した。撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、
窒素雰囲気下で上記で調製したIMDBT-18を含む濃縮残
渣、メタノール４１ｍｌ、及びｐ−トルエンスルホン酸
０．５ｇを仕込み、室温で３時間攪拌した。次いで、ト
リエチルアミン２ｍｌを加え、中和・反応停止した後、
反応液を濃縮し、得られた残渣をヘキサン／酢酸エチル
＝８／１にトリエチルアミン０．１質量％を加えたもの
を移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにより精
製し、IMDBT-19を３．５ｇ得た。

【０１１１】撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で上記で調製した中間体IMDBT-19を
３．８ｇ、４−ピロリジノピリジン０．６ｇ、ピリジン
２２ｍｌ及びジクロロメタン５４ｍｌを仕込み氷冷し
た。次いで、１〜３℃でトリフルオロメタンスルホン酸
無水物２．６ｍｌのジクロロメタン８ｍｌ溶液を１時間
かけて滴下した後、同温度で４時間攪拌した。反応終了
後、ジクロロメタン８０ｍｌ及び水５０ｍｌを加え、有
機層を分液・水洗後、減圧濃縮した。得られた残渣を、
ヘキサン／酢酸エチル＝５／１にトリエチルアミン０．
１質量％を加えたものを移動相とするシリカゲルクロマ
トグラフィーにより精製し、IMDBT-20を４．４ｇ得た。
得られたIMDBT-20の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果
を以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：０．９５(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝
６Ｈｚ)、１．３６−１．５２(ｍ,４Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ)、
２．２９(ｄｔ,２Ｈ,Ｊｄ＝６Ｈｚ,Ｊｔ＝６Ｈｚ)、
６．３５(ｄｔ,１Ｈ,Ｊｄ＝１５Ｈｚ,Ｊｔ＝６Ｈｚ)、
６．５０(ｄ,１Ｈ,Ｊ＝１５Ｈｚ)、７．３１−７．３５
(ｍ,１Ｈ)、７．４７−７．５０(ｍ,１Ｈ)、７．７２−
７．７８(ｍ,２Ｈ)、８．００−８．１１(ｍ,２Ｈ)

【０１１２】撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内
に、窒素雰囲気下で上記で調製した中間体IMDBT-20を
３．０ｇ、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム０．２ｇ、トリエチルアミン１．５ｍｌ及びジメ
チルホルムアミド２９ｍｌを仕込み、４５℃に昇温し
た。続いて、トリメチルシリルアセチレン２ｍｌを滴下
し、同温度で４時間攪拌した。室温まで冷却後、ジエチ
ルエーテル５０ｍｌ、水２０ｍｌを加え、有機層を分液
・水洗後、減圧濃縮した。得られた残渣を、ヘキサン／
酢酸エチル＝２０／１にトリエチルアミン０．１質量％
加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィ
ーによる分離を行い、IMDBT-21を２．６０ｇ得た。撹拌
装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下
で上記で調製した中間体IMDBT-21を２．６０ｇ、炭酸カ
リウム０．３ｇ、メタノール７０ｍｌ及びテトラヒドロ
フラン３５ｍｌを仕込み、室温で２時間攪拌した。次い
で、酢酸エチルを加え、濾過により無機物を除去し、更
に酢酸エチルで洗浄した。濾洗液を減圧濃縮後、ヘキサ
ン／酢酸エチル＝２０／１にトリエチルアミン０．１質
量％を加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグ
ラフィーにより精製し、目的とするIMDBT-22を１．５７
ｇ得た。得られたIMDBT-22の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルの
測定結果、並びに以上の反応式を以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：０．９４(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝
６Ｈｚ)、１．３５−１．５３(ｍ,４Ｈ)、２．２６(ｄ
ｔ,２Ｈ、Ｊｄ＝６Ｈｚ,Ｊｔ＝６Ｈｚ)、３．１７(Ｓ,
１Ｈ)、６．３４(ｄｔ,１Ｈ,Ｊｄ＝１５Ｈｚ,Ｊｔ＝６
Ｈｚ)、６．４９(ｄ,１Ｈ,Ｊ＝１５Ｈｚ)、７．４３−
７．４６(ｍ,１Ｈ)、７．５１−７．５５(ｍ,１Ｈ)、
７．７６−７．７７(ｍ,１Ｈ)、７．９４−８．１１
(ｍ,３H)

【０１１３】

【化７９】

【０１１４】実施例３ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で製造例３で調製したIMDBT-15を１．９０ｇ、ジク
ロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０．０７
ｇ、トリエチルアミン０．７ｍｌ及びジメチルホルムア
ミド１４ｍｌを仕込み、６０℃に昇温した。次いで、同
温度で、ジメチルホルムアミド４ｍｌに製造例４で調製
したIMDBT-22を１．６０ｇ溶解した溶液を８時間かけて
滴下し、６０℃で２時間攪拌した。反応終了後、ジエチ
ルエーテル２０ｍｌ及び水１０ｍｌを加え有機層へ抽出
した。有機層を１０ｍｌの水で２回洗浄後、濃縮し、得
られた残渣をヘキサン／クロロホルム＝１０／１にトリ
エチルアミン０．１質量％を加えたものを移動相とする
シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、目的とす
る化合物DBT1125を１２０ｍｇ得た。得られたDBT1125の
¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果、並びに以上の反応
式を以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ₃，δ)：０．９５(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝
６Ｈｚ)、０．９６(ｔ,３Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ)、１．３４−
１．４８(ｍ,１１Ｈ)、１．８５(ｔｔ,２Ｈ、Ｊ＝６Ｈ
ｚ,６Ｈｚ)、２．２６(ｄｔ,２Ｈ、Ｊｄ＝６Ｈｚ,Ｊｔ
＝６Ｈｚ)、２．９３(ｑ,２Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ)、４．０６
(ｔ,２Ｈ,Ｊ＝６Ｈｚ)、６．３４(ｄｔ,１Ｈ,Ｊｄ＝１
５Ｈｚ,Ｊｔ＝６Ｈｚ)、６．５１(ｄ,１Ｈ,Ｊ＝１５Ｈ
ｚ)、７．０５−７．０９(ｍ,１Ｈ)、７．３１−７．６
１(ｍ,７Ｈ)、７．７９−７．８０(ｍ,１Ｈ)、７．９８
−８．０９(ｍ,６Ｈ)

【０１１５】

【化８０】

【０１１６】上記化合物DBT1125の相系列を実施例１と
同様に評価したところ、２２６℃未満で結晶相を示し、
２２６℃から液晶相を示した。さらに３００℃まで昇温
したところ、相変化は観察されなかった。従って、この
化合物は、液晶性化合物であることがわかる。また、化
合物DBT1125をネマティック組成物MJ931381(メルクジャ
パン社製)に５質量％添加して測定した屈折率異方性Δ
ｎから濃度比で外挿したΔｎを求めたところ、０．６３
と極めて大きいものであった。なお、Δｎはアッベ屈折
計で測定し、測定温度は２０℃、測定波長は５８９ｎｍ
で行った。

【０１１７】DBT1125について、以下に示すようなパー
ツに分離し、分子軌道法によりＨＯＭＯのエネルギー差
ΔＥ及び分極率異方性Δαを計算したところ、下記のよ
うな値であった。 ΔＥ＝Ｅ_DBT1125-1−(Ｅ_DBT1125-2＋Ｅ_DBT1125-3)／２
＝０．７８(ｅＶ) Δα＝９５０(Ａ．Ｕ．)

【化８１】

【０１１８】実施例４ 実施例１及び２で調製した、式(１)又は(２)で示される
化合物としてのDBT1115及びDBT1116を各々６．９質量％
及び２．６質量％と、式(３)で表される化合物としての
以下に示す式(３−１)、(３−２)及び(３−３)の化合物
を各々３０質量％、２１．４質量％及び７．１質量％
と、式(４)で表される化合物としての以下に示す式(４
−１)及び(４−２)の化合物を各々８．２質量％及び
５．８質量％と、式(５)で表される化合物としての以下
に示す式(５−１)及び式(５−２)の化合物を各々１３．
７質量％及び４．３質量％とを混合し、液晶組成物Ｍ−
１を調製した。Ｍ−１の相系列を実施例１と同様に測定
したところ、７〜１９５℃の範囲でネマティック相を示
すことが判った。また、Ｍ−１を、頂角が約１．６度
の、平行配向処理を施したガラス製セルに注入し、Hand
book of liquid crystals vol2A129頁(D.Demusら編集、
WILEY−VCH Verlag GmbH)記載のHollow prism法で、ヘ
リウムネオンレーザーを光源として屈折率異方性を測定
したところ、０．４３(２０℃、６３２．８ｎｍ)と極め
て大きな値を示した。

【０１１９】

【化８２】

【０１２０】実施例５ 実施例１及び２で調製した、式(１)又は(２)で示される
化合物としてのDBT1115及びDBT1116を各々２．２質量％
及び５．９質量％と、式(３)で表される化合物としての
化合物(３−１)、(３−３)、(３−４)及び(３−５)を各
々２０．２質量％、６．５質量％、２１．９質量％及び
１３．５質量％と、式(４)で表される化合物としての化
合物(４−１)及び(４−２)を各々８．３質量％及び６．
０質量％と、式(５)で表される化合物としての化合物
(５−１)及び(５−２)を各々１２．０質量％及び３．６
質量％とを混合し、液晶組成物Ｍ−２を調製した。Ｍ−
２の相系列を測定したところ、室温でネマティック相を
示し、１７５℃でネマティック相から等方相に転移し
た。また実施例４記載の方法で屈折率異方性を測定した
ところ、０．４６(６３２．８ｎｍ)及び０．５１(５４
３．５ｎｍ)と極めて大きい値を示した。

【０１２１】

【化８３】

【０１２２】

【発明の効果】本発明の骨格にフェニルアセチレン構造
を有する化合物は、分極率異方性が大きく、紫外吸収波
長が短く、この化合物を用いた液晶組成物は、屈折率異
方性が大きく、安定で、他液晶に混合し易く、例えば、
ＳＴＮ(超ねじれネマティック)型液晶素子やＰＤＬＣ
(ポリマー分散型液晶)型液晶素子に代表される液晶素子
を構成する材料として特に有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 石飛 昌光 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 4H027 BB04 BB11 BD01 BD07 BD24 CB04 CE01 CE04 CU01 CU04 DK01 DL01

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式(１)で示される化合物であり、分子軌
   道法計算により得られる、式(１−１)〜(１−３)で示さ
   れる式(１)における各部分の最高被占軌道(ＨＯＭＯ)の
   エネルギー差ΔＥが下記条件を満たし、かつ同様の方法
   で算出した式(１)で表される分子の分極率異方性Δαが
   ５００(原子単位)以上であることを特徴とする骨格にフ
   ェニルアセチレン構造を有する化合物。 ΔＥ＝Ｅ_1-1−(Ｅ_1-2＋Ｅ_1-3)／２≧０．３電子ボルト (ただし、Ｅ_1-1、Ｅ_1-2及びＥ_1-3は、各々式(１−１)、
   (１−２)及び(１−３)で示される式(１)における各部分
   の分子軌道法で計算したＨＯＭＯのエネルギー値を示
   す。) 【化１】 (式中、Ａ¹〜Ａ⁴は、それぞれ独立に水素原子、フッ素
   原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１
   ０のアルキル基又はアルコキシ基を表す。Ｐ¹及びＰ²は
   上記ＨＯＭＯエネルギーと分極率の条件を満たしていれ
   ば特に化学構造は限定されない。)
2. 【請求項２】 式(２)で示される、骨格にフェニルアセ
   チレン構造を有する化合物。 【化２】 (式(２)中、Ａ⁹〜Ａ¹²は、それぞれ独立に水素原子、フ
   ッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１
   〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を表す。Ｐ ³及び
   Ｐ⁴は、式(２−１)又は(２−２)を示し、少なくとも一
   方は式(２−１)を示す(但し、式(２−１)中のＡ³⁷〜Ａ
   ⁴²及び式(２−２)中のＡ⁵〜Ａ⁸は、それぞれ独立に水素
   原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよい
   炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を表
   す。)。Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に水素原子、フ
   ッ素原子、シアノ基、−ＳＦ₅、−ＮＣＳ、４−Ｒ²³−
   (シクロアルキル)基、４−Ｒ²³−(シクロアルケニル)基
   又はＲ²⁴−(Ｏ)ｑ基を示す(但し、Ｒ ²³は水素原子、直
   鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていてもよい炭
   素数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ²⁴は直鎖もしくは
   分枝のフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜
   １２のアルキル基、炭素数３〜１２のアルケニル基又は
   アルキニル基を示す。ｑは０又は１を示す)。) 【化３】
3. 【請求項３】 請求項１記載の式(１)で示される化合物
   の少なくとも１種を含むことを特徴とする液晶組成物。
4. 【請求項４】 請求項２記載の式(２)で示される化合物
   の少なくとも１種を含むことを特徴とする液晶組成物。
5. 【請求項５】 式(３)〜(５)で表される化合物の少なく
   とも１種を更に含むことを特徴とする請求項３又は４記
   載の液晶組成物。 【化４】 (式(３)中Ａ¹³〜Ａ²⁴は、それぞれ独立に水素原子、フ
   ッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１
   〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を示し、少なくと
   も１つはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜
   １０のアルキル基又はアルコキシ基である。Ｒ³¹及びＲ
   ³²は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シアノ
   基、−ＳＦ₅、−ＮＣＳ、４−Ｒ³³−(シクロアルキル)
   基、４−Ｒ³³−(シクロアルケニル)基又はＲ³⁴−(Ｏ)ｑ
   ³¹基を示す(但し、Ｒ³³は水素原子、直鎖もしくは分枝
   のフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２の
   アルキル基を示し、Ｒ³⁴は直鎖もしくは分枝のフッ素原
   子で置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキル基
   を示す。ｑ³¹は０又は１を示す)。) 【化５】 (式(４)中Ａ²⁵〜Ａ³⁶は、それぞれ独立に水素原子、フ
   ッ素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。ｍは
   ０又は１である。Ｒ⁴¹は水素原子、直鎖もしくは分枝の
   フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２のア
   ルキル基を示す。Ｒ⁴²は、Ｒ⁴¹、フッ素原子、シアノ
   基、４−Ｒ⁴³−(シクロアルキル)基、４−Ｒ ⁴³−(シク
   ロアルケニル)基又はＲ⁴⁴−(Ｏ)ｑ⁴¹基を示す(但し、Ｒ
   ⁴³は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換さ
   れていてもよい炭素数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ
   ⁴⁴は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても
   よい炭素数１〜１２のアルキル基を示す。ｑ⁴¹は０又は
   １を示す)。) 【化６】 (式(５)中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、それぞれ独
   立に、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキシレ
   ン、１，４−シクロヘキセニレン、４，１−シクロヘキ
   セニレン、２，５−シクロヘキセニレン、５，２−シク
   ロヘキセニレン、３，６−シクロヘキセニレン、６，３
   −シクロヘキセニレン、２，５−ピリミジンジイル、
   ５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピリジンジイル、
   ５，２−ピリジンジイル、２，５−ジオキサンジイル、
   もしくは５，２−ジオキサンジイルを示し、環Ａ、環
   Ｂ、環Ｃ及び環Ｄ上の水素原子はフッ素原子で置換され
   ていてもよい。Ｒ⁵¹及びＲ⁵²は、水素原子、フッ素原
   子、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフル
   オロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキ
   シ基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基、炭素数１〜
   １２のアルキル基、炭素数３〜１２のアルケニル基、炭
   素数３〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１２のアルコ
   キシ基、炭素数３〜１２のアルケニルオキシ基、炭素数
   ３〜１２のアルキニルオキシ基、炭素数２〜１６のアル
   コキシアルキル基、もしくは炭素数３〜１６のアルコキ
   シアルケニル基を示す。これらのアルキル基、アルケニ
   ル基又はアルキニル基中の少なくとも１つのメチレン基
   は、酸素原子、イオウ原子、ケイ素原子で置換されても
   よく、直鎖又は分岐のどちらでもよい。Ｚ¹、Ｚ²及びＺ
   ³は、それぞれ独立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ
   ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、炭素数１〜５のアルキレン基、
   炭素数２〜５のアルケニレン基、炭素数２〜５のアルキ
   ニレン基もしくは単結合を示し、ｂ、ｃ及びｄは、それ
   ぞれ独立に０又は１であり、かつｂ＋ｃ＋ｄ≧１を満た
   す。)
6. 【請求項６】 請求項３〜５のいずれか１項記載の液晶
   組成物を一対の電極基板間に挟持してなることを特徴と
   する液晶素子。