JP2002321978A - Ｄｌｃ被覆粉体及びその焼結体 - Google Patents
Ｄｌｃ被覆粉体及びその焼結体Info
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Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 非常に高い耐磨耗性を有するＤＬＣ被覆粉体
及びその焼結体を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＤＬＣ被覆粉体の焼結体
は、微粒子１と、この微粒子に被覆されたＤＬＣ膜２
と、を有する粉体を焼結によって結合したものである。
すなわち、ＤＬＣ被覆粉体の焼結体は、この粉体を成形
し加熱して焼き固めたものである。ＤＬＣ膜２が非常に
高い耐磨耗性を有するので、非常に高い耐磨耗性を有す
る焼結体を形成することができる。
及びその焼結体を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＤＬＣ被覆粉体の焼結体
は、微粒子１と、この微粒子に被覆されたＤＬＣ膜２
と、を有する粉体を焼結によって結合したものである。
すなわち、ＤＬＣ被覆粉体の焼結体は、この粉体を成形
し加熱して焼き固めたものである。ＤＬＣ膜２が非常に
高い耐磨耗性を有するので、非常に高い耐磨耗性を有す
る焼結体を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微粒子にＤＬＣ(D
iamond Like Carbon)膜を被覆した粉体及びそれを焼結
した焼結体に関するものである。
iamond Like Carbon)膜を被覆した粉体及びそれを焼結
した焼結体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の粉体には種々の微粒子からなるも
のがあり、例えばＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＭｏＳ2などの微粒
子が用いられることがある。また、粉体の他の例として
は、ＢＮ等の微粒子を複数備えたものがある。この微粒
子を有する粉体を圧縮成形した後、高温に加熱して焼き
固めて焼結体を製造することが可能である。このような
焼結体は耐磨耗性に優れており、例えばオイルレス・ベ
アリングに使用される。
のがあり、例えばＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＭｏＳ2などの微粒
子が用いられることがある。また、粉体の他の例として
は、ＢＮ等の微粒子を複数備えたものがある。この微粒
子を有する粉体を圧縮成形した後、高温に加熱して焼き
固めて焼結体を製造することが可能である。このような
焼結体は耐磨耗性に優れており、例えばオイルレス・ベ
アリングに使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＢＮ
等の微粒子を用いた焼結体は耐磨耗性に優れている。し
かし、用途よっては更なる耐磨耗性が要求される場合も
ある。
等の微粒子を用いた焼結体は耐磨耗性に優れている。し
かし、用途よっては更なる耐磨耗性が要求される場合も
ある。
【０００４】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、非常に高い耐磨耗性を有
するＤＬＣ被覆粉体及びその焼結体を提供することにあ
る。
れたものであり、その目的は、非常に高い耐磨耗性を有
するＤＬＣ被覆粉体及びその焼結体を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るＤＬＣ被覆粉体は、微粒子と、この微
粒子に被覆されたＤＬＣ膜と、を具備することを特徴と
する。また、上記微粒子の粒径は１０μｍ以下であり、
上記ＤＬＣ膜の膜厚は３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であ
ることが好ましい。
め、本発明に係るＤＬＣ被覆粉体は、微粒子と、この微
粒子に被覆されたＤＬＣ膜と、を具備することを特徴と
する。また、上記微粒子の粒径は１０μｍ以下であり、
上記ＤＬＣ膜の膜厚は３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であ
ることが好ましい。
【０００６】上記ＤＬＣ被覆粉体によれば、微粒子にＤ
ＬＣ膜を被覆しており、このＤＬＣ膜は非常に高い耐磨
耗性を有する。従って、非常に高い耐磨耗性を有する粉
体とすることが可能となる。
ＬＣ膜を被覆しており、このＤＬＣ膜は非常に高い耐磨
耗性を有する。従って、非常に高い耐磨耗性を有する粉
体とすることが可能となる。
【０００７】また、本発明に係るＤＬＣ被覆粉体におい
ては、上記ＤＬＣ膜の密着性を高めるために上記微粒子
と該ＤＬＣ膜との間に形成された中間層をさらに含むこ
とも可能である。なお、上記中間層は、Ｓｉ層、Ｔｉ
層、Ｃｒ層、ＳｉＣ層、ヘキサメチルジシロキサン等を
原料ガスとして用いて作製するＳｉ及び酸素を含有する
アモルファスカーボン層等を用いることも可能である。
ては、上記ＤＬＣ膜の密着性を高めるために上記微粒子
と該ＤＬＣ膜との間に形成された中間層をさらに含むこ
とも可能である。なお、上記中間層は、Ｓｉ層、Ｔｉ
層、Ｃｒ層、ＳｉＣ層、ヘキサメチルジシロキサン等を
原料ガスとして用いて作製するＳｉ及び酸素を含有する
アモルファスカーボン層等を用いることも可能である。
【０００８】本発明に係るＤＬＣ被覆粉体の焼結体は、
微粒子と、この微粒子に被覆されたＤＬＣ膜と、を有す
る粉体を焼結によって結合したことを特徴とする。すな
わち、ＤＬＣ被覆粉体の焼結体は、この粉体を成形し加
熱して焼き固めたものである。
微粒子と、この微粒子に被覆されたＤＬＣ膜と、を有す
る粉体を焼結によって結合したことを特徴とする。すな
わち、ＤＬＣ被覆粉体の焼結体は、この粉体を成形し加
熱して焼き固めたものである。
【０００９】上記ＤＬＣ被覆粉体の焼結体によれば、微
粒子にＤＬＣ膜を被覆した粉体を用いており、このＤＬ
Ｃ膜は非常に高い耐磨耗性を有する。従って、非常に高
い耐磨耗性を有する焼結体とすることが可能となる。
粒子にＤＬＣ膜を被覆した粉体を用いており、このＤＬ
Ｃ膜は非常に高い耐磨耗性を有する。従って、非常に高
い耐磨耗性を有する焼結体とすることが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態によるＤＬＣ被覆粉体を示す断面図である。
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態によるＤＬＣ被覆粉体を示す断面図である。
【００１１】ＤＬＣ膜被覆粉体は、図１に示すように非
常に小さな粒である微粒子１にＤＬＣ膜２を被覆したも
のである。微粒子１を構成する母材は、金属でもセラミ
ックでも良く、種々の材料を用いることが可能である。
また、微粒子１は、単一の物質から構成されている必要
は必ずしも無く、複数の物質を混合したものから構成さ
れていることも可能である。また、微粒子１の形状は、
種々の形状を用いることが可能であり、例えば球、球に
近い形状、表面に凹凸を有する形状、表面がギザギザし
た形状などを用いることも可能である。つまり、微粒子
の形状は特に限定されるものではない。
常に小さな粒である微粒子１にＤＬＣ膜２を被覆したも
のである。微粒子１を構成する母材は、金属でもセラミ
ックでも良く、種々の材料を用いることが可能である。
また、微粒子１は、単一の物質から構成されている必要
は必ずしも無く、複数の物質を混合したものから構成さ
れていることも可能である。また、微粒子１の形状は、
種々の形状を用いることが可能であり、例えば球、球に
近い形状、表面に凹凸を有する形状、表面がギザギザし
た形状などを用いることも可能である。つまり、微粒子
の形状は特に限定されるものではない。
【００１２】また、微粒子の粒径１ａは１０μｍ以下で
あることが好ましく、ＤＬＣ膜２の膜厚は３ｎｍ以上２
０００ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚が３ｎｍ未
満であると耐食性が悪くなり、微粒子そのものが腐蝕し
てしまうおそれがあるからである。また、膜厚が２００
０ｎｍより厚くなるとＤＬＣ膜の内部応力によって該Ｄ
ＬＣ膜が剥離してしまうからである。
あることが好ましく、ＤＬＣ膜２の膜厚は３ｎｍ以上２
０００ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚が３ｎｍ未
満であると耐食性が悪くなり、微粒子そのものが腐蝕し
てしまうおそれがあるからである。また、膜厚が２００
０ｎｍより厚くなるとＤＬＣ膜の内部応力によって該Ｄ
ＬＣ膜が剥離してしまうからである。
【００１３】ここでのＤＬＣ膜２は、炭素を主成分とす
る非晶質炭素系薄膜であって、種々の硬質炭素膜を含む
ものである。
る非晶質炭素系薄膜であって、種々の硬質炭素膜を含む
ものである。
【００１４】なお、微粒子１にＤＬＣ膜２を直接被覆す
ると微粒子１とＤＬＣ膜２との密着性が悪い場合は、微
粒子１とＤＬＣ膜２との間に、密着性を高めるための中
間層を形成することが好ましい。微粒子がセラミックの
場合はＤＬＣ膜の密着性は比較的に良いが、微粒子がＣ
ｕやＦｅなどの金属の場合はＤＬＣ膜の密着性は比較的
に悪い。従って、微粒子がＣｕの場合は、中間層として
例えばＳｉ層、Ｔｉ層、Ｃｒ層、ＳｉＣ層、ヘキサメチ
ルジシロキサン等を原料ガスとして用いて製作するＳｉ
及び酸素を含有するアモルファスカーボン層等を用いる
ことが好ましい。
ると微粒子１とＤＬＣ膜２との密着性が悪い場合は、微
粒子１とＤＬＣ膜２との間に、密着性を高めるための中
間層を形成することが好ましい。微粒子がセラミックの
場合はＤＬＣ膜の密着性は比較的に良いが、微粒子がＣ
ｕやＦｅなどの金属の場合はＤＬＣ膜の密着性は比較的
に悪い。従って、微粒子がＣｕの場合は、中間層として
例えばＳｉ層、Ｔｉ層、Ｃｒ層、ＳｉＣ層、ヘキサメチ
ルジシロキサン等を原料ガスとして用いて製作するＳｉ
及び酸素を含有するアモルファスカーボン層等を用いる
ことが好ましい。
【００１５】次に、上記ＤＬＣ被覆粉体を製造する方法
について説明する。まず、複数の微粒子１を準備し、こ
れらの微粒子１にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition）法によりＤＬＣ膜２を成膜する。
について説明する。まず、複数の微粒子１を準備し、こ
れらの微粒子１にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition）法によりＤＬＣ膜２を成膜する。
【００１６】このＤＬＣ膜２の成膜方法の一例として
は、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを例え
ば０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下
で導入し、高周波電源に接続された電極上に被成膜対象
物である複数の微粒子１を置き、この電極を回転させた
り動かすことによって微粒子１を動かしながら、この電
極に３０Ｗ以上３０００Ｗ以下の高周波電力を印加して
成膜するものが挙げられる。
は、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを例え
ば０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下
で導入し、高周波電源に接続された電極上に被成膜対象
物である複数の微粒子１を置き、この電極を回転させた
り動かすことによって微粒子１を動かしながら、この電
極に３０Ｗ以上３０００Ｗ以下の高周波電力を印加して
成膜するものが挙げられる。
【００１７】また、上記ＤＬＣ膜２を成膜する他の方法
としては、イオン化蒸着法又はイオンプレーティング法
と呼ばれる成膜方法を用いることも可能である。例え
ば、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．
１ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入
し、電源によって通電され高温に保持された熱フィラメ
ントをカソードとして用いて、その近傍に配置した電極
をアノードとして用いて、両電極間に１０Ｖ以上２００
Ｖ以下の電圧を印加して１０ｍＡ以上２０００ｍＡ以下
の電流を流しガスをイオン化させ、カソード・アノード
から一定の距離に置いた基板電極に被成膜対象物である
複数の微粒子１を設置して、この基板電極を回転させた
り動かすことによって微粒子１を動かしながら、基板電
極に２０Ｖ以上３０００Ｖ以下のバイアス電圧を印加し
て成膜するものである。
としては、イオン化蒸着法又はイオンプレーティング法
と呼ばれる成膜方法を用いることも可能である。例え
ば、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．
１ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入
し、電源によって通電され高温に保持された熱フィラメ
ントをカソードとして用いて、その近傍に配置した電極
をアノードとして用いて、両電極間に１０Ｖ以上２００
Ｖ以下の電圧を印加して１０ｍＡ以上２０００ｍＡ以下
の電流を流しガスをイオン化させ、カソード・アノード
から一定の距離に置いた基板電極に被成膜対象物である
複数の微粒子１を設置して、この基板電極を回転させた
り動かすことによって微粒子１を動かしながら、基板電
極に２０Ｖ以上３０００Ｖ以下のバイアス電圧を印加し
て成膜するものである。
【００１８】尚、炭化水素系ガスとしては、少なくとも
炭素と水素を含むものであれば種々のガスを用いること
が可能であり、例えば、炭素と水素のみを含む化合物ガ
ス、炭素と水素と酸素を含むガス、炭素、水素、酸素、
珪素、窒素、銅、銀などを含むガス、ベンゼン、トルエ
ン、アセチレンなどを用いることも可能である。
炭素と水素を含むものであれば種々のガスを用いること
が可能であり、例えば、炭素と水素のみを含む化合物ガ
ス、炭素と水素と酸素を含むガス、炭素、水素、酸素、
珪素、窒素、銅、銀などを含むガス、ベンゼン、トルエ
ン、アセチレンなどを用いることも可能である。
【００１９】また、上記成膜条件において炭化水素系ガ
スの流量としては、上記圧力を実現できるガス流量であ
れば、種々のガス流量を用いることが可能である。
スの流量としては、上記圧力を実現できるガス流量であ
れば、種々のガス流量を用いることが可能である。
【００２０】なお、前述したように、微粒子１とＤＬＣ
膜２との間に、密着性を高めるための中間層を形成する
場合の製造方法は次の通りである。中間層として、Ｓｉ
層、Ｔｉ層、Ｃｒ層、ＳｉＣ層を形成する場合はスパッ
タリング法を用いることが好ましく、中間層としてＳｉ
及び酸素を含有するアモルファスカーボン層を形成する
場合は、ヘキサメチルジシロキサン等を原料ガスとして
イオン化蒸着法または高周波プラズマＣＶＤ法を用いる
ことが好ましい。
膜２との間に、密着性を高めるための中間層を形成する
場合の製造方法は次の通りである。中間層として、Ｓｉ
層、Ｔｉ層、Ｃｒ層、ＳｉＣ層を形成する場合はスパッ
タリング法を用いることが好ましく、中間層としてＳｉ
及び酸素を含有するアモルファスカーボン層を形成する
場合は、ヘキサメチルジシロキサン等を原料ガスとして
イオン化蒸着法または高周波プラズマＣＶＤ法を用いる
ことが好ましい。
【００２１】次に、上記ＤＬＣ被覆粉体の焼結体を製造
する方法について説明する。第１の方法としては、少な
くとも上記ＤＬＣ被覆粉体を含む原料粉末を５００℃以
下の温度でホットプレス（熱間焼成）して焼結体とする
ものが挙げられる。ホットプレスに際しては、所望形状
の内面形状を有するプレス型内に、上記原料粉末を充填
し、そのままに面圧を付与して、所定時間、上記の焼結
温度で加熱保持して焼結する。
する方法について説明する。第１の方法としては、少な
くとも上記ＤＬＣ被覆粉体を含む原料粉末を５００℃以
下の温度でホットプレス（熱間焼成）して焼結体とする
ものが挙げられる。ホットプレスに際しては、所望形状
の内面形状を有するプレス型内に、上記原料粉末を充填
し、そのままに面圧を付与して、所定時間、上記の焼結
温度で加熱保持して焼結する。
【００２２】第２の方法としては、少なくとも上記ＤＬ
Ｃ被覆粉体を含む原料粉末を、予め所望形状に成形した
後、この成形体を不活性ガス中で５００℃以下の温度で
常圧焼成して焼結体とするものである。
Ｃ被覆粉体を含む原料粉末を、予め所望形状に成形した
後、この成形体を不活性ガス中で５００℃以下の温度で
常圧焼成して焼結体とするものである。
【００２３】上記実施の形態によれば、微粒子１にＤＬ
Ｃ膜２を被覆しており、このＤＬＣ膜２は非常に高い耐
磨耗性を有する。これにより、従来の粉体に比べて非常
に高い耐磨耗性を有するＤＬＣ被覆粉体を形成すること
ができ、非常に高い耐磨耗性を有する焼結体を形成する
ことができる。
Ｃ膜２を被覆しており、このＤＬＣ膜２は非常に高い耐
磨耗性を有する。これにより、従来の粉体に比べて非常
に高い耐磨耗性を有するＤＬＣ被覆粉体を形成すること
ができ、非常に高い耐磨耗性を有する焼結体を形成する
ことができる。
【００２４】また、本実施の形態によるＤＬＣ被覆粉体
の場合、粉体表面がＤＬＣであるので、最も摩耗しにく
く揮発しない無機潤滑材などとして使用することが好ま
しく、例えば、真空中の駆動部又は摩耗部および宇宙空
間で使用する機器の駆動部又は摩耗部の固体潤滑材とし
て使用する事が可能である。すなわち、従来の湿式潤滑
材では揮発したり化学変化してしまうような環境下にお
いても、ＤＬＣ被覆粉体を用いれば、揮発したり化学変
化することなく、潤滑材として使用することが可能であ
る。真空中でＢＮ粉体、カーボン粉体を使用した場合、
しばらくするとかじってしまうが、ＤＬＣ被覆粉体では
そのようなことがない。また、ＤＬＣ被覆粉体の場合、
ＤＬＣ成膜が不可能な複雑な形状を有する成膜装置及び
その他のもの、ＤＬＣ成膜により製作することが不可能
な大型機械部品などに対しても固体潤滑材として応用す
る事が可能である。
の場合、粉体表面がＤＬＣであるので、最も摩耗しにく
く揮発しない無機潤滑材などとして使用することが好ま
しく、例えば、真空中の駆動部又は摩耗部および宇宙空
間で使用する機器の駆動部又は摩耗部の固体潤滑材とし
て使用する事が可能である。すなわち、従来の湿式潤滑
材では揮発したり化学変化してしまうような環境下にお
いても、ＤＬＣ被覆粉体を用いれば、揮発したり化学変
化することなく、潤滑材として使用することが可能であ
る。真空中でＢＮ粉体、カーボン粉体を使用した場合、
しばらくするとかじってしまうが、ＤＬＣ被覆粉体では
そのようなことがない。また、ＤＬＣ被覆粉体の場合、
ＤＬＣ成膜が不可能な複雑な形状を有する成膜装置及び
その他のもの、ＤＬＣ成膜により製作することが不可能
な大型機械部品などに対しても固体潤滑材として応用す
る事が可能である。
【００２５】また、ＤＬＣが成膜されたＤＬＣ被覆粉体
を焼結して得られる本実施の形態による焼結体の場合、
例えば、この焼結体を工具または機械部品に適用するこ
とも可能であり、特に、摩耗が激しく表面の膜や界面が
消失してしまうような工具または機械部品に効果があ
る。つまり、形状が変わるほどの摩耗の激しい部品に適
用した場合、表面の膜だけでなく、削られて形状までも
が変化しても耐摩耗性の良い物質が表面に常に存在して
いるから摩擦係数が変化することない。また、ＤＬＣ被
覆粉体と同様に、真空中の駆動部又は摩耗部および宇宙
空間で使用される機器の駆動部又は摩耗部において焼結
体を適用することも可能であり、その場合、摩耗を減少
させる効果が期待できる。
を焼結して得られる本実施の形態による焼結体の場合、
例えば、この焼結体を工具または機械部品に適用するこ
とも可能であり、特に、摩耗が激しく表面の膜や界面が
消失してしまうような工具または機械部品に効果があ
る。つまり、形状が変わるほどの摩耗の激しい部品に適
用した場合、表面の膜だけでなく、削られて形状までも
が変化しても耐摩耗性の良い物質が表面に常に存在して
いるから摩擦係数が変化することない。また、ＤＬＣ被
覆粉体と同様に、真空中の駆動部又は摩耗部および宇宙
空間で使用される機器の駆動部又は摩耗部において焼結
体を適用することも可能であり、その場合、摩耗を減少
させる効果が期待できる。
【００２６】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、微
粒子にＤＬＣ膜を被覆した粉体を用いており、このＤＬ
Ｃ膜は非常に高い耐磨耗性を有する。したがって、非常
に高い耐磨耗性を有するＤＬＣ被覆粉体及びその焼結体
を提供することができる。
粒子にＤＬＣ膜を被覆した粉体を用いており、このＤＬ
Ｃ膜は非常に高い耐磨耗性を有する。したがって、非常
に高い耐磨耗性を有するＤＬＣ被覆粉体及びその焼結体
を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態によるＤＬＣ被覆粉体を示
す断面図である。
す断面図である。
１…微粒子 １ａ…微粒子の粒径 ２…ＤＬＣ膜
Claims (4)
- 【請求項１】 微粒子と、 この微粒子に被覆されたＤＬＣ膜と、 を具備することを特徴とするＤＬＣ被覆粉体。
- 【請求項２】 上記微粒子の粒径が１０μｍ以下であ
り、上記ＤＬＣ膜の膜厚が３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下
であることを特徴とする請求項１に記載のＤＬＣ被覆粉
体。 - 【請求項３】 上記ＤＬＣ膜の密着性を高めるために上
記微粒子と該ＤＬＣ膜との間に形成された中間層をさら
に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のＤＬＣ
被覆粉体。 - 【請求項４】 微粒子と、この微粒子に被覆されたＤＬ
Ｃ膜と、を有する粉体を焼結によって結合したことを特
徴とするＤＬＣ被覆粉体の焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001131488A JP4753489B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | Ｄｌｃ被覆粉体の焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001131488A JP4753489B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | Ｄｌｃ被覆粉体の焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002321978A true JP2002321978A (ja) | 2002-11-08 |
| JP4753489B2 JP4753489B2 (ja) | 2011-08-24 |
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ID=18979673
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001131488A Expired - Lifetime JP4753489B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | Ｄｌｃ被覆粉体の焼結体の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4753489B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008502574A (ja) * | 2004-06-15 | 2008-01-31 | シーメンス パワー ジェネレーション インコーポレイテッド | ナノフィラー上のダイヤモンドライクコーティング |
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| JP2001040446A (ja) * | 1998-08-25 | 2001-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド含有硬質部材及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001131488A patent/JP4753489B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4753489B2 (ja) | 2011-08-24 |
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