JP2002310812A - 高感度歪ゲージ - Google Patents
高感度歪ゲージInfo
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- JP2002310812A JP2002310812A JP2001120883A JP2001120883A JP2002310812A JP 2002310812 A JP2002310812 A JP 2002310812A JP 2001120883 A JP2001120883 A JP 2001120883A JP 2001120883 A JP2001120883 A JP 2001120883A JP 2002310812 A JP2002310812 A JP 2002310812A
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- stress impedance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】直流磁気ノイズの影響を受けにくく、回路構成
が簡単で安価な高感度歪ゲージを提供する。 【解決手段】応力インピーダンス効果を有する材料２よ
り構成してなる高感度歪ゲージにおいて、応力インピー
ダンス効果を有する材料２の両端を円形ループ状に曲げ
て基材１面上に形成すると共に、該材料２の両端部を電
気絶縁層４により絶縁した構成にしたため、差動構成や
磁気シールドを施すことなしに直流外部磁界のノイズの
影響をキャンセルでき、リード線本数が少なく、歪ゲー
ジ回路も簡単で、製造コストを抑えることができる。
が簡単で安価な高感度歪ゲージを提供する。 【解決手段】応力インピーダンス効果を有する材料２よ
り構成してなる高感度歪ゲージにおいて、応力インピー
ダンス効果を有する材料２の両端を円形ループ状に曲げ
て基材１面上に形成すると共に、該材料２の両端部を電
気絶縁層４により絶縁した構成にしたため、差動構成や
磁気シールドを施すことなしに直流外部磁界のノイズの
影響をキャンセルでき、リード線本数が少なく、歪ゲー
ジ回路も簡単で、製造コストを抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は構造部材等に印加さ
れた応力あるいは応力によって生じる歪を高感度で検出
することができる高感度歪ゲージに関する。
れた応力あるいは応力によって生じる歪を高感度で検出
することができる高感度歪ゲージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から構造部材等に印加された応力あ
るいは応力によって生じる歪を測定する手段として、一
般的に抵抗線歪ゲージやピエゾ抵抗効果半導体歪ゲージ
が知られている。従来の歪ゲージの単位歪当たりの出力
変化であるゲージ率は、抵抗線歪ゲージで２以下、ピエ
ゾ抵抗効果半導体歪ゲージで１５０から２００程度であ
った。これに対し、毛利らは磁性体に交流電流を通電し
た状態で応力に対して前記磁性体のインピーダンスを変
化させる応力インピーダンス効果を有する材料を用いた
高感度の歪ゲージを開発した（例えば、日本応用磁気学
会誌２２巻、４−２号、６７７−６８０（１９９８）に
記載）。図５は従来の応力インピーダンス効果を有する
材料を用いた歪ゲージの構成を示したものである。１１
は基材、１２は応力インピーダンス効果を有する材料、
１３Ａ，１３Ｂは電極、１５はリード線である。リード
線１５は図示しない歪ゲージ回路に接続している。図６
は図５の歪ゲージの回路をブロック図として示したもの
である。まず、インバータＱ1（６１）、インバータＱ2
（６２）とコンデンサＣ（６３）、抵抗Ｒ（６４）によ
るマルチバイブレータ発振回路で方形波を出力し、その
方形波をコンデンサＣD（６５）と抵抗ＲD（６６）で微
分し、幅数十ｎｓの鋭いパルス波形を得る。それから、
ワイヤ状の応力インピーダンス効果を有する材料１２に
パルス電流を通電するとパルスによる高調波成分により
表皮効果が発生し、応力インピーダンス効果が生じる。
ワイヤ状の応力インピーダンス効果を有する材料１２に
応力が印加されると、パルス誘起電圧がショットキーバ
リアダイオード６７と抵抗ＲH（６８）およびコンデン
サＣH（６９）からなるピークホールド回路によって直
流電圧に変換される。この応力インピーダンス効果を有
する材料を用いて作製した歪ゲージのゲージ率は１００
０から５０００であり、従来の歪ゲージに比べて著しく
大きな感度を示すようになっている。
るいは応力によって生じる歪を測定する手段として、一
般的に抵抗線歪ゲージやピエゾ抵抗効果半導体歪ゲージ
が知られている。従来の歪ゲージの単位歪当たりの出力
変化であるゲージ率は、抵抗線歪ゲージで２以下、ピエ
ゾ抵抗効果半導体歪ゲージで１５０から２００程度であ
った。これに対し、毛利らは磁性体に交流電流を通電し
た状態で応力に対して前記磁性体のインピーダンスを変
化させる応力インピーダンス効果を有する材料を用いた
高感度の歪ゲージを開発した（例えば、日本応用磁気学
会誌２２巻、４−２号、６７７−６８０（１９９８）に
記載）。図５は従来の応力インピーダンス効果を有する
材料を用いた歪ゲージの構成を示したものである。１１
は基材、１２は応力インピーダンス効果を有する材料、
１３Ａ，１３Ｂは電極、１５はリード線である。リード
線１５は図示しない歪ゲージ回路に接続している。図６
は図５の歪ゲージの回路をブロック図として示したもの
である。まず、インバータＱ1（６１）、インバータＱ2
（６２）とコンデンサＣ（６３）、抵抗Ｒ（６４）によ
るマルチバイブレータ発振回路で方形波を出力し、その
方形波をコンデンサＣD（６５）と抵抗ＲD（６６）で微
分し、幅数十ｎｓの鋭いパルス波形を得る。それから、
ワイヤ状の応力インピーダンス効果を有する材料１２に
パルス電流を通電するとパルスによる高調波成分により
表皮効果が発生し、応力インピーダンス効果が生じる。
ワイヤ状の応力インピーダンス効果を有する材料１２に
応力が印加されると、パルス誘起電圧がショットキーバ
リアダイオード６７と抵抗ＲH（６８）およびコンデン
サＣH（６９）からなるピークホールド回路によって直
流電圧に変換される。この応力インピーダンス効果を有
する材料を用いて作製した歪ゲージのゲージ率は１００
０から５０００であり、従来の歪ゲージに比べて著しく
大きな感度を示すようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来技術で
は、応力インピーダンス効果を有する材料１２は直流外
部磁界に対しても感度を有するので地磁気や周囲の直流
磁気ノイズに影響を受けやすいという問題があった。す
なわち、この応力インピーダンス効果を有する材料は材
料１２の長手方向に磁界に対する感度を有するので、直
流外部磁界が作用すると、外部磁界方向と応力インピー
ダンス効果を有する材料１２の長手方向が直交しない限
り外部磁界によるインピーダンス変化がそのまま誤差と
なって出力されてしまう。直流外部磁界による影響をキ
ャンセルするためには複数の応力インピーダンス効果を
有する材料１２を用いて差動出力を取る方策があるが、
リード線の本数が増え、歪ゲージ回路が複雑になるた
め、歪ゲージ回路の大型化や製造コストの上昇等の問題
があった。また歪ゲージを磁気シールド材で覆う方策が
あるが、地磁気等の一様直流磁界に対しては十分な効果
が得られなかった。本発明は上記課題を解決するために
なされたものであり、直流磁気ノイズの影響を受けにく
く、回路構成が簡単で安価な高感度歪ゲージを提供する
ことを目的とする。
は、応力インピーダンス効果を有する材料１２は直流外
部磁界に対しても感度を有するので地磁気や周囲の直流
磁気ノイズに影響を受けやすいという問題があった。す
なわち、この応力インピーダンス効果を有する材料は材
料１２の長手方向に磁界に対する感度を有するので、直
流外部磁界が作用すると、外部磁界方向と応力インピー
ダンス効果を有する材料１２の長手方向が直交しない限
り外部磁界によるインピーダンス変化がそのまま誤差と
なって出力されてしまう。直流外部磁界による影響をキ
ャンセルするためには複数の応力インピーダンス効果を
有する材料１２を用いて差動出力を取る方策があるが、
リード線の本数が増え、歪ゲージ回路が複雑になるた
め、歪ゲージ回路の大型化や製造コストの上昇等の問題
があった。また歪ゲージを磁気シールド材で覆う方策が
あるが、地磁気等の一様直流磁界に対しては十分な効果
が得られなかった。本発明は上記課題を解決するために
なされたものであり、直流磁気ノイズの影響を受けにく
く、回路構成が簡単で安価な高感度歪ゲージを提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、請求項１記載の本発明は、磁性体に交流電流を通電
した状態で外部応力に対してインピーダンスが変化する
応力インピーダンス効果を有する材料より構成してなる
高感度歪ゲージにおいて、前記応力インピーダンス効果
を有する材料は、材料の両端を円形ループ状に曲げて基
材面上に形成すると共に、該材料の両端部を電気絶縁層
により絶縁したものである。また、請求項２記載の本発
明は、請求項１に記載の高感度歪ゲージにおいて、前記
応力インピーダンス効果を有する材料２は、該材料の両
端部が、両端部に形成された電極のうち、少なくとも一
方の電極から他方の電極に向かって突出するよう、一部
オーバーラップして配置したものである。また、請求項
３記載の本発明は、請求項１に記載の高感度歪ゲージに
おいて、前記応力インピーダンス効果を有する材料は、
該材料の両端部に形成された電極が隙間を保って配置さ
れるよう、一部欠損した円形ループ状に形成したもので
ある。また、請求項４記載の本発明は、請求項１、２、
３に記載の高感度歪ゲージにおいて、前記応力インピー
ダンス効果を有する材料は、ＣｏＳｉＢを組成とするア
モルファスワイヤを用いたものである。
め、請求項１記載の本発明は、磁性体に交流電流を通電
した状態で外部応力に対してインピーダンスが変化する
応力インピーダンス効果を有する材料より構成してなる
高感度歪ゲージにおいて、前記応力インピーダンス効果
を有する材料は、材料の両端を円形ループ状に曲げて基
材面上に形成すると共に、該材料の両端部を電気絶縁層
により絶縁したものである。また、請求項２記載の本発
明は、請求項１に記載の高感度歪ゲージにおいて、前記
応力インピーダンス効果を有する材料２は、該材料の両
端部が、両端部に形成された電極のうち、少なくとも一
方の電極から他方の電極に向かって突出するよう、一部
オーバーラップして配置したものである。また、請求項
３記載の本発明は、請求項１に記載の高感度歪ゲージに
おいて、前記応力インピーダンス効果を有する材料は、
該材料の両端部に形成された電極が隙間を保って配置さ
れるよう、一部欠損した円形ループ状に形成したもので
ある。また、請求項４記載の本発明は、請求項１、２、
３に記載の高感度歪ゲージにおいて、前記応力インピー
ダンス効果を有する材料は、ＣｏＳｉＢを組成とするア
モルファスワイヤを用いたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図に基づ
いて説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す高感
度歪ゲージの斜視図である。図１において、１は絶縁コ
ーティングしたステンレス鋼の基材、２は応力インピー
ダンス効果を有する材料、３Ａ，３Ｂは電極、４は電気
絶縁層、５はリード線、６はリード線カバーである。本
発明の特徴は以下のとおりである。すなわち、応力イン
ピーダンス効果を有する材料２は、材料の両端を円形ル
ープ状に曲げて形成したものであって、基材１面上に接
着材等で貼り付けてある。また、応力インピーダンス効
果を有する材料２の両端は、はんだ付けで電極３Ａ、３
Ｂを形成すると共に、２つの電極３Ａ、３Ｂはエポキシ
樹脂の電気絶縁層４を介して基材面に対して垂直方向に
重なって配置してある。さらに、電極３Ａ、３Ｂはリー
ド線５および図示しない歪ゲージ回路に接続されてい
る。歪ゲージ回路（不図示）は図６に示した従来技術の
回路と基本的に同じである。なお、本実施例では、応力
インピーダンス効果を有する材料２は急冷法で作製した
線状の材料であって、直径３０μｍのＣｏＳｉＢアモル
ファスワイヤを用いている。
いて説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す高感
度歪ゲージの斜視図である。図１において、１は絶縁コ
ーティングしたステンレス鋼の基材、２は応力インピー
ダンス効果を有する材料、３Ａ，３Ｂは電極、４は電気
絶縁層、５はリード線、６はリード線カバーである。本
発明の特徴は以下のとおりである。すなわち、応力イン
ピーダンス効果を有する材料２は、材料の両端を円形ル
ープ状に曲げて形成したものであって、基材１面上に接
着材等で貼り付けてある。また、応力インピーダンス効
果を有する材料２の両端は、はんだ付けで電極３Ａ、３
Ｂを形成すると共に、２つの電極３Ａ、３Ｂはエポキシ
樹脂の電気絶縁層４を介して基材面に対して垂直方向に
重なって配置してある。さらに、電極３Ａ、３Ｂはリー
ド線５および図示しない歪ゲージ回路に接続されてい
る。歪ゲージ回路（不図示）は図６に示した従来技術の
回路と基本的に同じである。なお、本実施例では、応力
インピーダンス効果を有する材料２は急冷法で作製した
線状の材料であって、直径３０μｍのＣｏＳｉＢアモル
ファスワイヤを用いている。
【０００６】次に、動作について説明する。応力インピ
ーダンス効果を有する材料２に交流電流が通電された状
態で基材１に外部応力が印加されると、応力インピーダ
ンス効果を有する材料２の全体あるいは一部に材料の長
手方向に引張応力あるいは圧縮応力が作用し、応力イン
ピーダンス効果により応力インピーダンス効果を有する
材料２の両端のインピーダンスが変化する。このインピ
ーダンスの変化から基材に印加された応力あるいは歪を
検出することができる。
ーダンス効果を有する材料２に交流電流が通電された状
態で基材１に外部応力が印加されると、応力インピーダ
ンス効果を有する材料２の全体あるいは一部に材料の長
手方向に引張応力あるいは圧縮応力が作用し、応力イン
ピーダンス効果により応力インピーダンス効果を有する
材料２の両端のインピーダンスが変化する。このインピ
ーダンスの変化から基材に印加された応力あるいは歪を
検出することができる。
【０００７】図２は第１の実施例における直流外部磁界
の作用を説明する図である。応力インピーダンス効果を
有する材料２は材料の長手方向にのみ磁界に対する感度
があるので、ここでは基材面内方向のみの直流外部磁界
の作用を考える。円形ループ状の応力インピーダンス効
果を有する材料２に直流外部磁界φｏが作用すると前記
応力インピーダンス効果を有する材料のＡ側では素子の
長手方向に時計回りの磁束φRが侵入する。一方Ｂ側で
は反時計回りの磁束φLが侵入する。直流外部磁界は一
様であるので応力インピーダンス効果を有する材料内部
には時計回りの磁束φRと反時計回りの磁束φLが等しく
侵入するのでお互いに相殺され、本実施例の歪ゲージは
直流外部磁界の影響を受けないことになる。応力インピ
ーダンス効果を有する材料２に対する直流外部磁界の印
加方向が基材面内方向で変わっても同様である。
の作用を説明する図である。応力インピーダンス効果を
有する材料２は材料の長手方向にのみ磁界に対する感度
があるので、ここでは基材面内方向のみの直流外部磁界
の作用を考える。円形ループ状の応力インピーダンス効
果を有する材料２に直流外部磁界φｏが作用すると前記
応力インピーダンス効果を有する材料のＡ側では素子の
長手方向に時計回りの磁束φRが侵入する。一方Ｂ側で
は反時計回りの磁束φLが侵入する。直流外部磁界は一
様であるので応力インピーダンス効果を有する材料内部
には時計回りの磁束φRと反時計回りの磁束φLが等しく
侵入するのでお互いに相殺され、本実施例の歪ゲージは
直流外部磁界の影響を受けないことになる。応力インピ
ーダンス効果を有する材料２に対する直流外部磁界の印
加方向が基材面内方向で変わっても同様である。
【０００８】したがって、第１の実施例は、応力インピ
ーダンス効果を有する材料２の両端を円形ループ状に曲
げて基材１面上に形成すると共に、該材料の両端部を電
気絶縁層４により絶縁した構成にしたので、差動構成や
磁気シールドを施すことなしに直流外部磁界のノイズの
影響をキャンセルでき、リード線本数が少なく、歪ゲー
ジ回路も簡単で、製造コストを抑えた高感度歪ゲージを
得ることができる。
ーダンス効果を有する材料２の両端を円形ループ状に曲
げて基材１面上に形成すると共に、該材料の両端部を電
気絶縁層４により絶縁した構成にしたので、差動構成や
磁気シールドを施すことなしに直流外部磁界のノイズの
影響をキャンセルでき、リード線本数が少なく、歪ゲー
ジ回路も簡単で、製造コストを抑えた高感度歪ゲージを
得ることができる。
【０００９】図３は本発明の第２の実施例を示す高感度
歪ゲージの斜視図である。第２の実施例が第１の実施例
と異なる点は以下のとおりである。円形ループ状に形成
された応力インピーダンス効果を有する材料２は、該材
料の両端部が、両端部に形成された電極３Ａ，３Ｂのう
ちの少なくとも一方の電極から他方の電極に向かって突
出するよう、一部オーバーラップして配置される構成と
なっており、電気絶縁層により絶縁されている。第２の
実施例は、このような構成にしすることで第１の実施例
と同様に直流外部磁界のノイズ影響をキャンセルするこ
とができる。
歪ゲージの斜視図である。第２の実施例が第１の実施例
と異なる点は以下のとおりである。円形ループ状に形成
された応力インピーダンス効果を有する材料２は、該材
料の両端部が、両端部に形成された電極３Ａ，３Ｂのう
ちの少なくとも一方の電極から他方の電極に向かって突
出するよう、一部オーバーラップして配置される構成と
なっており、電気絶縁層により絶縁されている。第２の
実施例は、このような構成にしすることで第１の実施例
と同様に直流外部磁界のノイズ影響をキャンセルするこ
とができる。
【００１０】図４は本発明の第３の実施例を示す高感度
歪ゲージの斜視図である。第３の実施例が第２の実施例
と異なる点は以下のとおりである。応力インピーダンス
効果を有する材料２は、該材料の両端部に形成された電
極３Ａ，３Ｂが隙間を保って配置されるよう、一部欠損
した円形ループ状に形成されている。応力インピーダン
ス効果を有する材料２は完全な円形ループ形状ではない
ので直流外部磁界の向きによっては直流外部磁界による
時計回りおよび反時計回りの磁束の侵入のアンバランス
が生じるが、その差はわずかなため実用上問題はない。
第３の実施例は、このような構成にすることで、第１お
よび第２の実施例のごとく電極同志３Ａ，３Ｂを絶縁す
る電気絶縁層は必要ではないので歪ゲージの製造工程が
簡略化できるという利点がある。その他の効果は、第１
実施例および第２実施例と同じである。なお、上記の実
施例では応力インピーダンス効果を有する材料２として
急冷法で作製したＣｏＳｉＢアモルファスワイヤを用い
たが、スパッタ法、蒸着法、めっき法等の薄膜製造法を
用いて基材に形成した材料を用いても同様の効果が得ら
れることは明らかである。また、応力インピーダンス効
果を有する材料２としては、ＣｏＳｉＢ系に限定される
ものではなく、ＦｅＣｏＳｉＢ系、ＦｅＣｏＢ系、Ｆｅ
−Ｎｉ系等の応力インピーダンス効果を有する材料を用
いても同様の効果があることは明らかである。
歪ゲージの斜視図である。第３の実施例が第２の実施例
と異なる点は以下のとおりである。応力インピーダンス
効果を有する材料２は、該材料の両端部に形成された電
極３Ａ，３Ｂが隙間を保って配置されるよう、一部欠損
した円形ループ状に形成されている。応力インピーダン
ス効果を有する材料２は完全な円形ループ形状ではない
ので直流外部磁界の向きによっては直流外部磁界による
時計回りおよび反時計回りの磁束の侵入のアンバランス
が生じるが、その差はわずかなため実用上問題はない。
第３の実施例は、このような構成にすることで、第１お
よび第２の実施例のごとく電極同志３Ａ，３Ｂを絶縁す
る電気絶縁層は必要ではないので歪ゲージの製造工程が
簡略化できるという利点がある。その他の効果は、第１
実施例および第２実施例と同じである。なお、上記の実
施例では応力インピーダンス効果を有する材料２として
急冷法で作製したＣｏＳｉＢアモルファスワイヤを用い
たが、スパッタ法、蒸着法、めっき法等の薄膜製造法を
用いて基材に形成した材料を用いても同様の効果が得ら
れることは明らかである。また、応力インピーダンス効
果を有する材料２としては、ＣｏＳｉＢ系に限定される
ものではなく、ＦｅＣｏＳｉＢ系、ＦｅＣｏＢ系、Ｆｅ
−Ｎｉ系等の応力インピーダンス効果を有する材料を用
いても同様の効果があることは明らかである。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、第
１の実施例は、応力インピーダンス効果を有する材料２
の両端を円形ループ状に曲げて基材１面上に形成すると
共に、該材料の両端部を電気絶縁層４により絶縁した構
成にしたため、差動構成や磁気シールドを施すことなし
に直流外部磁界のノイズの影響をキャンセルでき、リー
ド線本数が少なく、歪ゲージ回路も簡単で、製造コスト
を抑えた高感度歪ゲージを得る効果がある。その結果、
従来の抵抗線歪ゲージやピエゾ抵抗効果半導体歪ゲージ
に比べて高感度の応力インピーダンス効果を利用した歪
ゲージを提供することができる。第２の実施例は、応力
インピーダンス効果を有する材料は、該材料の両端部に
形成される電極のうち、少なくとも一方の電極から他方
の電極に向かって突出するよう、一部オーバーラップし
て配置される構成にしたため、第１の実施例と同様に直
流外部磁界のノイズ影響をキャンセルすることができ
る。また、第３の実施例は、応力インピーダンス効果を
有する材料は、該材料の両端部に形成された電極が隙間
を保って配置されるよう、一部欠損した円形ループ状に
形成してあるため、電極同志を絶縁する電気絶縁層は必
要ではないので歪ゲージの製造工程が簡略化できる。
１の実施例は、応力インピーダンス効果を有する材料２
の両端を円形ループ状に曲げて基材１面上に形成すると
共に、該材料の両端部を電気絶縁層４により絶縁した構
成にしたため、差動構成や磁気シールドを施すことなし
に直流外部磁界のノイズの影響をキャンセルでき、リー
ド線本数が少なく、歪ゲージ回路も簡単で、製造コスト
を抑えた高感度歪ゲージを得る効果がある。その結果、
従来の抵抗線歪ゲージやピエゾ抵抗効果半導体歪ゲージ
に比べて高感度の応力インピーダンス効果を利用した歪
ゲージを提供することができる。第２の実施例は、応力
インピーダンス効果を有する材料は、該材料の両端部に
形成される電極のうち、少なくとも一方の電極から他方
の電極に向かって突出するよう、一部オーバーラップし
て配置される構成にしたため、第１の実施例と同様に直
流外部磁界のノイズ影響をキャンセルすることができ
る。また、第３の実施例は、応力インピーダンス効果を
有する材料は、該材料の両端部に形成された電極が隙間
を保って配置されるよう、一部欠損した円形ループ状に
形成してあるため、電極同志を絶縁する電気絶縁層は必
要ではないので歪ゲージの製造工程が簡略化できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す高感度歪ゲージの
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例における直流外部磁界の
作用を示す図である。
作用を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す高感度歪ゲージの
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明の第３の実施例を示す高感度歪ゲージの
斜視図である。
斜視図である。
【図５】従来の応力インピーダンス効果を有する材料を
用いた歪ゲージの構成を示す斜視図である。
用いた歪ゲージの構成を示す斜視図である。
【図６】従来の応力インピーダンス効果を有する材料を
用いた歪ゲージの回路図である。
用いた歪ゲージの回路図である。
１：基材 ２：応力インピーダンス効果を有する材料 ３Ａ，３Ｂ：電極 ４：電気絶縁層 ５：リード線 ６：リード線カバー φｏ：直流外部磁界 φR：時計回りの磁束 φL：反時計回りの磁束
Claims (4)
- 【請求項１】 磁性体に交流電流を通電した状態で外部
応力に対してインピーダンスが変化する応力インピーダ
ンス効果を有する材料より構成してなる高感度歪ゲージ
において、 前記応力インピーダンス効果を有する材料は、該材料の
両端を円形ループ状に曲げて基材面上に形成すると共
に、該材料の両端部を電気絶縁層により絶縁してあるこ
とを特徴とする高感度歪ゲージ。 - 【請求項２】 前記応力インピーダンス効果を有する材
料は、該材料の両端部に形成される電極のうち、少なく
とも一方の電極から他方の電極に向かって突出するよ
う、一部オーバーラップして配置されていることを特徴
とする請求項１に記載の高感度歪ゲージ。 - 【請求項３】 前記応力インピーダンス効果を有する材
料は、該材料の両端部に形成された電極が隙間を保って
配置されるよう、一部欠損した円形ループ状に形成して
あることを特徴とする請求項１に記載の高感度歪ゲー
ジ。 - 【請求項４】 前記応力インピーダンス効果を有する材
料は、ＣｏＳｉＢを組成とするアモルファスワイヤであ
ることを特徴とする請求項１、２、３に記載の高感度歪
ゲージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120883A JP2002310812A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 高感度歪ゲージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120883A JP2002310812A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 高感度歪ゲージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002310812A true JP2002310812A (ja) | 2002-10-23 |
Family
ID=18970853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001120883A Abandoned JP2002310812A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 高感度歪ゲージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002310812A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103557973A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-02-05 | 重庆交通大学 | 在役结构预应力原位检测系统及方法 |
| CN116539196A (zh) * | 2023-06-25 | 2023-08-04 | 南京高华科技股份有限公司 | Mems压阻式压力传感器及其制备方法 |
-
2001
- 2001-04-19 JP JP2001120883A patent/JP2002310812A/ja not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103557973A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-02-05 | 重庆交通大学 | 在役结构预应力原位检测系统及方法 |
| CN116539196A (zh) * | 2023-06-25 | 2023-08-04 | 南京高华科技股份有限公司 | Mems压阻式压力传感器及其制备方法 |
| CN116539196B (zh) * | 2023-06-25 | 2024-01-19 | 南京高华科技股份有限公司 | Mems压阻式压力传感器及其制备方法 |
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| A621 | Written request for application examination |
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