JPH0564308B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、小型磁界感応装置と、外部磁界によ
りフラツプ上に発生する力を検出する手段とを含
む磁界測定装置に関する。

磁界測定は、航行、強電流測定、２物体の相対
位置決定その他の様々な分野で行われている。

いくつかの完成されたトランスジユーサーが既
に知られており、それらの中の最も一般的なもの
はホール効果トランスジユーサーである。

マグネトダイオードやマグネトトランジスタの
ような感応電子装置もまた多くの働きをしてい
る。

しかし、それらのトランスジユーサーの感度は
低く、しかも集積化された増幅回路を持つホール
効果トランスジユーサーにおいてテスラ当り約
0.75Vからマグネトトランジスタにおいてテスラ
当り10Vの間で変化する。しかも、感応電子装置
は温度変化によつて大幅に影響されるパラメータ
を有している。

本発明の別の目的は、温度変化に対して安定
な、しかも集積回路における技術を用いて製造し
得る、小型磁界感応装置を備えた磁界測定装置を
提供することである。

トーシヨンヒンジ装置は、ねじれ復帰トルクを
発生させながらフラツプを回転させる、帯状のま
たは他の形状をなす。

垂直方向の力を発生するためにフラツプに取付
けられる装置は、電流を流す導電性ストライプで
構成される。別の場合には、それらの装置は、そ
の磁化方向がフラツプの平面内にあつて、しかも
そのヒンジ軸線に垂直な強磁性コーテイングで構
成される。

前に述べた従来技術と比較すれば、本発明の装
置は高感度であること、集積回路技術によつて低
いコストで大量生産できること、および特に温度
に関して高い安定度が得られること等の利点があ
る。

本発明の磁界測定装置は外部磁界によつてフラ
ツプに発生された力を検出する手段を有する。

この手段は、フラツプに対向して実質的にその
静止位置に平行に設けられて第１キヤパシタープ
レートを構成する少なくとも１つの電極と、フラ
ツプ上に第２キヤパシタープレートを形成する装
置と、さらにキヤパシタープレートの容量の変化
を測定するため第１および第２キヤパシタープレ
ートに接続されている回路とを有する。さらに、
磁界に応答して前記垂直な力を発生するためにフ
ラツプに取付けられた装置が電流を通すための、
また通電時において磁界によつて発生された力が
フラツプの回転を生じさせるようにしてフラツプ
上で堆積された、少なくとも１つの導電性ストラ
イプによつて構成され、第１装置が、フラツプ上
で設けられた導電性ストライプに対向する固定プ
レート上に位置する第２の導電性ストライプと、
さらに第１導電性ストライプ上の電流によつて形
成された磁界が測定すべき磁界の影響を相殺する
ように、第２導電性ストライプに電流を通過させ
る装置とを有し、前記電流の値が測定すべき磁界
の測定を表わす。

さらに、上記第１磁界測定計器において磁界に
応答して前記垂直な力を発生するためにフラツプ
に取付けられた装置は、フラツプの平面内でしか
もそのヒンジ軸線に垂直に磁化されている強磁性
体コーテイングによつて構成され、第１装置が複
数の電極と、電極の１つおよびフラツプの間に電
圧を、その電圧によつて発生する電界が測定すべ
き磁界の影響を相殺する力をプラツプに発生させ
るように、印加するための装置とを有し、印加さ
れた電圧が測定されるべき磁界の測定値を検出す
る。

さらに、フラツプがそのヒンジ回転軸に関して
対称な形状を有し、また２つの電極がサポートに
固定された、しかもフラツプの２つのウイングそ
れぞれに対向するプレート上に堆積されている。

さらに、２つの電極がそれぞれフラツプと対向
する側に設けられる。

さらに、成極磁界形成装置がシリコン基板中に
作られ、またフラツプが第２のキヤパシタープレ
ートを構成するのと同様の方法でドーピングされ
る。

さらに、成極磁界形式装置がシリコン基板中に
作られ、また測定回路がシリコン基板上に集積化
される。

本発明を、添付図面を参照しながら実施例につ
き詳細に説明する。

第１図は小型感応装置に関連する技術を説明す
るための参考図であり、図示されている様に、２
つのトーシヨンヒンジ３によつてサポート２に保
持されている。おおよそ長方形のフラツプ１を含
んでいる。

フラツプ１の１つの側から見れば、これらのヒ
ンジ３はフラツプ１がそれに関して回転可能な軸
１０を形成数。

サポート２は、ベース４上に設けられるが、ベ
ースによつてキヤビテイ５が形成される。

このキヤビテイ５はまた、サポート自身の中に
作られることもあり、その場合はサポートがベー
ス４を形成する。

導電性ストライプ６は、フラツプ上に設けら
れ、電流がストライプを通過しまた装置が磁界
Ｂの中に置かれている時に、磁界の方向と電流の
方向の両方に垂直な力Ｆがフラツプ１に生ずる。

もし、ｂおよびｃがそれぞれフラツプ１の長さ
および幅であれば、フラツプに生ずる機械的モー
メントは Mm＝ｂ・ｃ・Ｉ×Ｂに等しい。（符号“・”
はスカラー積を表わし、符号“×”はベクトル積
を表わす。） この機械的モーメントの作用の下で、ヒンジに
発生する復帰トルクが、電流Ｉと磁界Ｂとの相互
作用によつて発生するモーメントとバランスする
まで、フラツプはそのヒンジ３に関して旋回す
る。

フラツプが旋回した角度は、電流Ｉの方向に垂
直な磁界の成分の大きさの測定値である。フラツ
プに生ずる力は磁界、形状およびストライプを通
過する電流にのみ依存するため、本装置は極めて
正確かつ安定である。

この様な装置は集積回路技術に類する技術を用
いて製造することができる。例えば、サポート２
はｎ型シリコンの基板に形成できる。フラツプ１
とそのヒンジ３とは、その基板から切断されて、
Ｐ型添加物をドーピングされる。ベースまたはプ
レート４は陽極接着剤によつてサポート２に固定
されるガラスで作ることができる。

下記の寸法は容易に得られるものである。フラ
ツプの範囲：500×500（μm²）ヒンジの形状：1.3
×100（μm³） このフラツプの構造は、得られるべき復帰トル
クを越える慣性力の比を極めて都合良く設定させ
る。実際、復帰トルクは、フラツプが保持され得
る範囲でヒンジの断面を減少することによつて、
低減化できる。

ヒンジの復帰力の低減化は磁界感応装置の感度
を増加させる。この様な構造の他の利点は、この
構造がそのヒンジ軸線に関してフラツプを旋回さ
せることを可能にしていると言つても、両方のヒ
ンジの長さを延ばすように他の運動を防止できる
ことである。このことは、フラツプの平面内にあ
つてしかもその回転軸に垂直な方向における所望
の方向での磁界測定のための本装置の良好な機能
を保証する。

この長所は、サポート２が単結晶のシリコンで
ありまたフラツプとそのヒンジがホウ素で十分に
ドーピング（標準的濃度は10¹⁹原子／cm³に等しい
かそれ以上である）されているならば、さらに改
善される。ホウ素ドーピングはフラツプのヒンジ
上に縦方向の応力を発生し、それは望ましい動き
以外の動きに対してフラツプを硬化させる。

説明を続けるにおいて、第１図におけるのと同
様な部品には同じ参照番号が付与される。

第２図は小型感応装置の他の参考図である。こ
の型によれば、導電ストライプ６はフラツプ１上
において複数回の巻回（第２図の場合では２回
半）を有している。第２図のフラツプはその回転
軸に関して対称な形状をなしており、結果とし
て、巻回の回数が多くなるに従い、小型磁界感応
装置の感度が増加する。

第１図のそれと比して、フラツプの対称形状の
他の利点は、フラツプの平面に垂直な加速度の影
響を除去できることである。実際、そのような方
向のいかなる加速度も第１図の非対称フラツプに
は力を加えてそれを回転させようとするが、一
方、対称形状ではフラツプの各部に生ずる影響は
互いに打ち消し合う。

電流Ｉが流れるｎ回の巻回を含むフラツプ上の
磁界Ｂによつて生ずる機械的モーメントMmは、
Mm＝２・ｎ・ｂ・ｃ・Ｉ×Ｂである。

接触接続孔２１によつて導電性ストライプ６と
電気的に接続されている伝導ゾーン２０は、フラ
ツプの外側に設けられる電流源からこれを介して
コイルに電流供給されるために設けられる。接続
線の長さを制限するために、コイルの２つの出力
側はフラツプの同じ側に作られるべきであること
は明らかである。導電性ストライプ６はアルミニ
ウムまたは他の適当な金属のコーテイングを蒸着
させエツチングすることによつて得られる。

第３図は本願発明の実施例であるフラツプ上の
コーテイングを説明する図面である。

この型では、フラツプ１は強磁性材料の薄いコ
ーテイング３０で覆われている。このコーテイン
グはフラツプの平面内で帯磁され、その方向はフ
ラツプの矢印Ｍで示されるように、フラツプの回
転軸１０に垂直である。第２図の場合と同様に、
このフラツプはその回転軸に関して対称である。

強制的ではないが、これまでに見たように磁界
感応装置の感度を増加させ、また加速による影響
を受けなくするため、対称であることは望まし
い。

鉄とニツケルの合金が強磁性コーテイングとし
て用いることができる。100ナノメーターの単位
のコーテイングは蒸着によつて行われる。この材
料の弱い保持力の考慮の下に、外部磁界によつ
て、この堆積コーテイング３０を成極することが
必要である。

平面に垂直に、成極磁界よりも十分に大きな磁
界を加えても、コーテイングの帯磁は基本的には
平面中に残つており、これはこの磁界感応装置が
強磁界の検出や測定に用いられることを可能とす
る。磁界Ｂによつてフラツプに生ずる機械的モー
メントMmは、Mm＝Ｖ・Ｍ×Ｂであて、ここで
Ｖは強磁性体コーテイングの量、Ｍはコーテイン
グの磁化、およびＢは測定される磁界である。

第４ａ図および第４ｂ図は、フラツプの平面に
堆積したコーテイングを成極するための磁界を作
る、それぞれの構成も示したものである。第４ａ
図の場合では、堆積コーテイング３０の磁化Ｍは
外的磁石４０を用いて得られる。この磁石は図示
されているように、永久磁石でもまたは電磁石で
もよい。この磁界感応装置は、磁石によつて作ら
れる磁束Bpが、フラツプの平面中に、さらにそ
の回転軸線に垂直にコーテイング３０の磁化Ｍを
生じさせるように、外部磁石４０のエアギヤツプ
内に置かれる。

第４ｂ図は、フラツプ１の上に堆積されたコー
テイング３０のための成極磁束Bpを作るように
設計された電磁石を、磁界感応装置のサポートそ
のものの上に集積化できることを示す。

電磁石の磁気回路は、サポート２上に、フラツ
プ１と同様の特性を有する強磁性体５０を堆積さ
せることによつて得られる。

励磁コイル６０は、強磁性体コーテイング５０
の下に設けられた伝導ゾーン６２によつて相互に
接続された、アルムミニウムの平行導電帯６１の
形成される。接触接続孔６３は、導電帯６１と伝
導ゾーン６２との間の電気接続を可能にする。

コイル６０に電流Ｉを供給することにより、フ
ラツプ１上の強磁性体コーテイング３０の磁化を
可能とする成極磁束Bpが発生する。

第４ｃ図はフラツプ１上に堆積されたコーテイ
ングを磁化する他の方法を示すものである。この
構成では、例えばアルミニウムの導電性ストライ
プ７０はフラツプの中央部においてフラツプを横
切る。電流Ｉがこの導電性ストライプ７０を流れ
る時、フラツプの平面にあつてその回転軸に垂直
に、コーテイング３０の成極を可能とする磁界を
このストライプは発生する。

この方法はマグロウヒル出版社によつて1970件
に出版された「薄膜技術ハンドブツク」誌の21−
２と21−３ページの記述に関連した説明と同じで
ある。第４ｂ図の場合のように、フラツプ１のコ
ーテイング３０の周りに何回かの巻回を設けるこ
とも可能である。

前述の種々の磁界可能装置は、測定されるベき
磁界によつてフラツプに生ずる力に比例する電気
値を与える磁界測定計装置において使用できる。

第５図はこのような磁界測定装置の、フラツプ
の回転軸線方向の断面図である、フラツプ１はわ
ずかにドーピングされたｎ型シリコンの基板から
形成される。このシリコン基板はサポート２を形
成し、トーシヨンヒンジ３によつてフラツプ１は
サポート２に取り付けられている。フラツプ２に
は強磁性体コーテイング３０（または用いられる
型によつてはコイル）が設けられる。

フラツプそのものはドーピングされたシリコン
（例えばP⁺）によつて構成されるため、サポート
２上に集積化された測定回路１００まで導電性コ
ーテイング８０によつて電気接続できる。

この測定回路１００は、一方ではフラツプによ
つて、他方では固定された対向電極によつて形成
されるバリアブルキヤパシターの容量を測定する
のに適している。この対向電極９１はガラスの、
陽極接着技術と称される技法でサポート２に固定
される、プレート９０上に堆積させられる。凹部
９２は測定回路１００に対向するようにプレート
９０に設けれる。さらに第５図は対向電極９１と
アルミニウム接続部８３との間の電気接続を行う
伝導ゾーン８２、および測定回路１００とアルミ
ニウム接続部８６との間の電気接続を行う伝導ゾ
ーン８５とを示す。伝導ゾーンとの接続点から離
れた部分では、８０，８３および８６のようなア
ルミニウム接続部は、SiO₂の絶縁コーテイング
８１の上に作られる。同様にサポート２の底面に
もSiO₂のコーテイング８８を設けることができ
る。

第５図の磁界測定装置を製造するための工程
は、例えば次の主な段階を含む。

− フラツプとその対向電極の間のギヤツプを形
成するためのシリコンのエツチング。

− 測定回路の集積化と、フラツプの所定の部分
にコーテイングを製作（あるいは強磁性体コー
テイングの堆積およびエツチング）。

− 異方侵食やシリコンのドーピングの型式によ
る選択的侵食による背面からのシリコンの化学
的エツチング（例えば陽極侵食または陽極不活
性化処理）。

− ウエツトメソツドまたはプラズマエツチング
によつてフラツプを切断。

− 対向電極を形成するためガラスプレート上に
アルミニウムを堆積させた後にエツチング。

− 陽極接着によつてシリコンサポートにガラス
プレートを固定。

本発明による磁界測定装置の原理は次の通りで
ある。

成極された強磁性体コーテイング（第３図およ
び第４図）で覆われているフラツプは、その面に
垂直な磁界の存在によつて、印加された磁界に比
例する角度だけ旋回する磁界感応装置を構成す
る。第５図の磁界測定装置において、フラツプの
旋回は、フラツプと対向電極９１とで形成される
キヤパシターの容量における相応の変化を測定す
ることによつて測定される。容量変化の測定は周
知であり、その一例は英国特許出願第201336Aに
示されている。

フラツプ１が対向電極９１に接触することを阻
止するために、フラツプ上にまたは対向電極が設
けられたサポート９０上に絶縁材料の停止柱を設
けることができる。

対称形のフラツプを有する磁界測定装置の場
合、２つの対向電極を持つことが可能であり、そ
れらの各々はフラツプの回転軸の反対側に設けら
れた、フラツプの２つの部分の対向する各一方に
堆積される。こうして、２つの対向電極と、相応
するフラツプの部分とが２つのキヤパシターを形
成し、それらの容量の変化が、磁界の値を得るた
めに測定される。

これまでに説明された磁界測定装置において
は、フラツプ１と対向電極９１の間のキヤツプ
は、それらの２つの素子の間の容量が十分な値を
持つためには、比較的小さい（2μm程度）ことが
必要とされる。このことはフラツプ１の旋回の可
能性を制限することになり、結果として、磁界の
値の測定可能な範囲を制限する。それらの制限
は、相殺回路を設けることによつて除去される。
その相殺回路の目的は、測定されるべき磁界によ
つて作られるのと正確に反対の作用をフラツプ１
上に発生させることであつて、そのようにしてフ
ラツプ１はその静止位置に常に保持される。この
相殺回路は、測定されるべき磁界の直接的測定値
である電気値により制御されることが所望され
る。第６ａ図から第６ｃ図は、相殺化のための３
つの異なる構成を示す。これら３つの図では、フ
ラツプ１はその回転軸に垂直な断面として表わさ
れており、フラツプはそのヒンジ３によつてサポ
ート２に固定され、またサポート２は第１図にお
けると同様、バース４に固定されている。

同様に、サポート２に固定されて、第５図にお
けると同様の役目を持つプレート９０は３つの図
の中で共通である。

第６ａ図は、第１図で示したと同様に、電流が
流れる導電性ストライプ６を有する非対称フラツ
プ１を示す。測定されるべき磁界の作用は同じ強
さの、かつ反対方向の別の磁界を形成すること、
例えばプレート９０上に導電帯６に対向して導電
性ストライプ９４を設けることにより相殺され
る。この導電性ストライプ９４を通る電流路は、
フラツプ１の導電帯６のレベルにおいて電流に比
例した磁界を発生させる。

測定される磁界の作用を正確に相殺することお
よび、この相殺に必要な電流を測定してこの磁界
を測定することは、いずれも可能である。導電ス
トライプ６の場合と同様に導電性ストライプ９４
に複数回の巻回を形成できることは、明らかであ
る。

第６ｂ図と第６ｃ図とは、測定されるべき磁界
によつてフラツプ１に発生する影響を相殺する他
の方法を表わしている。相殺はフラツプ１と電極
との間で作られる電界によるものであつて、測定
されるべき磁界によつてフラツプ１に発生する機
械的トルクを正確に相殺できる。

この形式の相殺は、フラツプ１に強磁性体コー
テイングが設けられている時に与えられる。

フラツプ１は適当なドーピングによつて導電状
態にあること、および電界を用いて吸引力を生じ
させることができる。こうして、対称な形状のフ
ラツプ１の場合（第６ｂ図）には、２つの電極９
５と９６がプレート３０上に設けられ、さらに測
定されるべき磁界の方向により、一方または他方
が、測定されるべき磁界の影響を相殺できる吸引
力を発生するように作用できる。第６ｃ図によれ
ば、２つの電極９７と４１が、非対称な形状を有
するフラツプ１の両側に設けられる。

測定されるべき磁界の影響を正確に相殺するた
めにフラツプ１と一方の電極との間に加えること
が必要な電圧が、この磁界を測定する。

本発明を特定の実施例で説明したが、本発明が
それらの実施例に限定されるものでなく、さらに
特許請求の範囲から逸脱しない変更あるいは修正
が可能であることは明らかである。

例えば、説明された以外の材料が用いられるこ
とや、フラツプに生ずる力を測定する別の方法が
利用できることは明らかである。そのため、磁界
測定装置の感度を増加させるためにフラツプ上の
コイルに交流電流を供給したり、またフラツプを
機械的共振することも出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は小型磁界感応装置に関連する技術を示
す参考図であり、第２図はその第２の参考図であ
り、第３図は強磁性コーテイングの実施例を示す
図であり、第４ａ図は第３図の強磁性コーテイン
グを成極するための第１の方法を示す図であり、
第４ｂ図はフラツプの強磁性コーテイングを成極
する第２の方法を示す図であり、第４ｃ図はフラ
ツプの強磁性コーテイングを成極する第３の方法
を示す図であり、第５図は本発明の実施した磁界
測定装置の断面図であり、第６ａ図から第６ｃ図
は、フラツプ上の磁界の影響の相殺するための
種々の手段を示す図である。 １……フラツプ、２……サポート、３……ヒン
ジ、４……ベース、５……キヤビテイ、６……導
電性ストライプ、１０……回転軸、２０……伝導
ゾーン、２１……接触接続孔、３０……コーテイ
ング、４０……磁石、４１……電極、５０……強
磁性体、６０……コイル、６１……導電帯、６２
……伝導ゾーン、７０……導電性ストライプ、８
０……導電性コーテイング、８１……絶縁コーテ
イング、８２，８５……伝導ゾーン、８３，８６
……接続部、８８……絶縁コーテイング、９０…
…プレート、９１……対向電極、９２……凹部、
９４……導電性ストライプ、９５，９６，９７…
…電極、１００……測定回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 小型磁界感応装置と、外部磁界によりフラツ
   プ上に発生される力を検出する手段とを含む磁界
   測定装置であつて、該小型磁界感応装置は、フラ
   ツプ；サポート；フラツプをサポートへ取り付け
   てフラツプのためのヒンジ旋回軸を形成する、フ
   ラツプの対向面に設けられる第１および第２のト
   ーシヨンヒンジを有し；第１の強磁性体のコーテ
   イングがフラツプ上に設けられ、該第１強磁性体
   コーテイングはヒンジ軸線に垂直方向に磁化さ
   れ；フラツプの平面にヒンジ旋回軸線に垂直な成
   極磁界を形成する手段がサポートに設けられ、該
   成極磁界が第１の強磁性体のコーテイングを磁化
   することを特徴とする磁界測定装置。 ２ フラツプがそのヒンジ軸線に関して対称的な
   形状を有する、特許請求の範囲第１項記載の磁界
   測定装置。 ３ 成極磁界を形成する手段が、電流を導くため
   の少なくとも１つの導電性ストライプを含み、該
   導電性ストライプはフラツプの第１の強磁性体コ
   ーテイング上に設けられていて、該第１のコーテ
   イングをフラツプの面においてそのヒンジ軸線に
   垂直に磁化する特許請求の範囲第１項記載の磁界
   測定装置。 ４ 前記導電性ストライプが複数回の巻回を有す
   る特許請求の範囲第３項記載の磁界測定装置。 ５ 成極磁界を形成する手段が、 (a) 第２の強磁性体コーテイングを有し、該第２
   の強磁性体コーテイングがサポート上に設けら
   れていて、フラツプの第１の強磁性体コーテイ
   ングと共に磁気回路を形成し、 (b) 電流を案内する少なくとも１つの導電性巻回
   体を有し、該導電性巻回体の形成する磁界が第
   ２の強磁性体コーテイングをフラツプの第１の
   強磁性体コーテイングへ磁気的に結合し、第２
   の強磁性体コーテイングがフラツプの第１の強
   磁性体コーテイングの中に成極磁界を形成す
   る、特許請求の範囲第１項記載の磁界測定装
   置。 ６ 成極磁界を形成する手段が、電流を導くため
   の少なくとも１つの導電性ストライプを含み、該
   導電性ストライプはフラツプの第１の強磁性体コ
   ーテイング上に設けられていて、コーテイングを
   フラツプの面においてそのヒンジ軸線に垂直に磁
   化し、外部磁界によりフラツプ上に発生される力
   を検出する手段が、 (a) フラツプと対向する側に固定板上に設けられ
   る導電性ストライプおよび、 (b) 該導電性ストライプを介して電流を案内する
   手段を有し、この電流により形成された磁界
   が、測定されるべき外部磁界の影響を相殺し、
   前記電流の値が、測定されるべき磁界の大きさ
   を検出する、特許請求の範囲第１項記載の磁界
   測定装置。 ７ 外部磁界によりフラツプ上に発生される力を
   検出する手段が、 (a) 少なくとも１つの電極を有し、該電極が、フ
   ラツプと対向する側に、フラツプの休止位置に
   対して実質的に平行に設けられており、該電極
   が第１コンデンサ板を形成し； (b) フラツプ上に第２コンデンサ板を形成する手
   段を有し； (c) コンデンサの容量における変化を測定するた
   めの第１のおよび第２のコンデンサ板へ接続さ
   れる回路とを有する、特許請求の範囲第１項記
   載の磁界測定装置。 ８ 成極磁界を形成する装置が、 (a) 第２の強磁性体コーテイングを有し、該強磁
   性体コーテイングがサポート上に設けられてい
   て、フラツプの第１の強磁性体コーテイングと
   共に磁気回路を形成し、 (b) 電流を案内する少なくとも１つの導電性巻回
   体を有有し、該導電性巻回体の形成する磁界が
   第２の強磁性体コーテイングをフラツプの第１
   の強磁性体コーテイングへ磁気的に結合し、第
   ２の強磁性体コーテイングが第１のフラツプの
   強磁性体コーテイングの中に成極磁界を形成
   し、外部磁界によりフラツプ上に発生される力
   を検出する手段が、 (a) フラツプと対向する側に固定板上に設けられ
   る導電性ストライプおよび、 (b) 該導電性ストライプを介して電流を案内する
   手段を有し、この電流により形成された磁界
   が、測定されるべき外部磁界の影響を相殺し、
   前記電流の値が、測定されるべき磁界の尺度を
   形成する、特許請求の範囲第１項記載の磁界測
   定装置。 ９ 成極磁界を形成する装置が、 (a) 第２の強磁性体コーテイングを有し、該第２
   の強磁性体コーテイングがサポート上に設けら
   れていて、フラツプの第１の強磁性体コーテイ
   ングと共に磁気回路を形成し、 (b) 電流を案内する少なくとも１つの導電性巻回
   体を有し、該導電性巻回体の形成する磁界が第
   ２の強磁性体コーテイングをフラツプの第１の
   強磁性体コーテイングへ磁気的に結合し、第２
   の強磁性体コーテイングがフラツプの第１の強
   磁性体コーテイングの中に成極磁界を形成し、
   外部磁界によりフラツプ上に発生される力を検
   出する手段が、 (a) 少なくとも１つの電極を有し、該電極が、フ
   ラツプと対向する側に、フラツプの休止位置に
   対して実質的に平行に設けられており、該電極
   が第１コンデンサ板を形成し； (b) フラツプ上に第２コンデンサ板を形成する手
   段を有し； (c) コンデンサの容量における変化を測定するた
   めの第１のおよび第２のコンデンサ板へ接続さ
   れる回路とを有する、特許請求の範囲第１項記
   載の磁界測定装置。 １０ 外部磁界によりフラツプ上に発生される力
   を検出する手段が、 (a) 少なくとも１つの電極を有し、該電極が、フ
   ラツプと対向する側に、フラツプの休止位置に
   対して実質的に平行に設けられており、該電極
   が第１コンデンサ板を形成し； (b) フラツプ上に第２コンデンサ板を形成する手
   段を有し； (c) コンデンサの容量における変化を測定するた
   めの第１および第２のコンデンサ板へ接続され
   る回路とを有する、特許請求の範囲第１項記載
   の磁界測定装置。 １１ 磁界感応装置がシリコン基板において実施
   されており、フラツプが第２のコンデンサ板を形
   成するようにドーピングされている特許請求の範
   囲第１０項記載の磁界測定装置。 １２ 磁界感応装置がシリコン基板において実施
   されており、さらに測定回路がシリコン基板上に
   集積化されている、特許請求の範囲第１０項記載
   の磁界測定装置。 １３ 外部磁界によりフラツプ上に発生される力
   を検出する手段が、 (a) フラツプと対向する側に固定板上に設けられ
   る導電性ストライプを有し、 (b) 導電性ストライプを介して電流を案内する手
   段を有し、この電流により形成された磁界が、
   測定されるべき外部磁界の影響を相殺し、前記
   電流の値が、測定されるべき磁界の大きさを検
   出する、特許請求の範囲第１項記載の磁界測定
   装置。 １４ 外部磁界によりフラツプ上に発生される力
   を検出する手段が、フラツプ上に設けられる少な
   くとも１つの第１の電極とサポートに固定される
   少なくとも１つの第２の電極と、該少なくとも１
   つの第１の電極と第２の電極との間に電圧を供給
   する手段を有し、この電圧により形成される電界
   がフラツプ上に力を発生し、この力が、測定され
   るべき磁界の影響を相殺し、この加えられた電圧
   の値が、測定されるべき磁界の大きさを検出す
   る、特許請求の範囲第１項記載の磁界測定装置。 １５ フラツプがそのヒンジ旋回軸に関して対称
   的な形状を有し、さらに前記の少なくとも１つの
   第２電極が２つの電極を含み、該２つの電極は、
   サポートに固定されているプレート上に、フラツ
   プの端部と対向する側に設けられている、特許請
   求の範囲第１４項記載の磁界測定装置。 １６ 前記少なくとも１つの第２電極が、フラツ
   プと対向する側に設けられている、特許請求の範
   囲第１４項記載の磁界測定装置。