JPS5810661A - 加速度測定器 - Google Patents
加速度測定器Info
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- JPS5810661A JPS5810661A JP57115304A JP11530482A JPS5810661A JP S5810661 A JPS5810661 A JP S5810661A JP 57115304 A JP57115304 A JP 57115304A JP 11530482 A JP11530482 A JP 11530482A JP S5810661 A JPS5810661 A JP S5810661A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flap
- acceleration
- support
- electrode
- accelerometer
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/13—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by measuring the force required to restore a proofmass subjected to inertial forces to a null position
- G01P15/131—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by measuring the force required to restore a proofmass subjected to inertial forces to a null position with electrostatic counterbalancing means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般に加速度を測定するための装置に関し、例
えば集積電子回路技術による製造に適した加速度測定器
に関する。
えば集積電子回路技術による製造に適した加速度測定器
に関する。
集積回路製造方法と類似の方法を用いて製造される加速
度測定器は既に公知である。このような加速度測定器に
ついて以下の論文の中で記述されている: IEEET
ranseon Electron De −vice
s、vol、ED−26、A 11 、 Novenb
er 1979記載の”5ilicon cantil
ever beem accelerom−eter
utilizing a PI−FET capaci
tive tra −nsducer’ : IEE
E Trans、on Electron Devi
c −es、volaBD−26、AI 2 De
cember 1 9 7 9記載の’A batc
hfabricated 5ilicon accel
e−r ometler ”他の集積加速度測定器u、
t 980 年12月8・9・10日にワシントン
で六MIcra”mechanical Accele
rometer ;ntegratsi、 withM
O8detection circuitry#という
題で行われたインタナショナルエレクトロンデノ々イス
ミーティングに提出された。このような加速度測定器は
基本的に矩形ダイアフラム、支持体に固定されたダイア
フラムの側部、及び加速度の影響をうけるダイアフラム
の運動を検出するための装置から成る。ダイアフラムを
固定する方法は加速度測定器のばね定数が比較的大きな
値を有し。
度測定器は既に公知である。このような加速度測定器に
ついて以下の論文の中で記述されている: IEEET
ranseon Electron De −vice
s、vol、ED−26、A 11 、 Novenb
er 1979記載の”5ilicon cantil
ever beem accelerom−eter
utilizing a PI−FET capaci
tive tra −nsducer’ : IEE
E Trans、on Electron Devi
c −es、volaBD−26、AI 2 De
cember 1 9 7 9記載の’A batc
hfabricated 5ilicon accel
e−r ometler ”他の集積加速度測定器u、
t 980 年12月8・9・10日にワシントン
で六MIcra”mechanical Accele
rometer ;ntegratsi、 withM
O8detection circuitry#という
題で行われたインタナショナルエレクトロンデノ々イス
ミーティングに提出された。このような加速度測定器は
基本的に矩形ダイアフラム、支持体に固定されたダイア
フラムの側部、及び加速度の影響をうけるダイアフラム
の運動を検出するための装置から成る。ダイアフラムを
固定する方法は加速度測定器のばね定数が比較的大きな
値を有し。
このため高い感度にするのが難しい。さらにこのような
装置は所望されない方向における加速度影響に対しても
敏感である。
装置は所望されない方向における加速度影響に対しても
敏感である。
本発明の目的は、電子集積回路に使用される技術を用い
た製造に適しまた上述した欠点を克服したい加速度測定
器を提供することである。
た製造に適しまた上述した欠点を克服したい加速度測定
器を提供することである。
本発明の他の目的は、特定の方向における加速度影響に
対して高い感度を有する加速度測定器を提供することで
ある。
対して高い感度を有する加速度測定器を提供することで
ある。
さらに本発明の別の目的は、特定の方向と異なる方向に
おける加速度影響に対しては実質的に鈍感である加速度
測定器を提供することである。
おける加速度影響に対しては実質的に鈍感である加速度
測定器を提供することである。
本発明によれば加速度測定器は、2つの向い合う位置に
ある弾性取付は部分にょシ支持体に取付けられたフラッ
プを具備しフラップは該支持体の面に垂直な加速度の影
響をうけてその取付は部分の周囲を回転でき、さらにフ
ラップに向かい合いかつその面が支゛持体の面に面平行
に設けられた少なくとも1つの電極及び、フラップと電
極の間のキャパシタンスの測定に基づきフラップがうけ
た加速度を表わす信号全発生する装置を備えている。
ある弾性取付は部分にょシ支持体に取付けられたフラッ
プを具備しフラップは該支持体の面に垂直な加速度の影
響をうけてその取付は部分の周囲を回転でき、さらにフ
ラップに向かい合いかつその面が支゛持体の面に面平行
に設けられた少なくとも1つの電極及び、フラップと電
極の間のキャパシタンスの測定に基づきフラップがうけ
た加速度を表わす信号全発生する装置を備えている。
本発明の実施例によると、加速度測定器はフラップのそ
れぞれの両側に設けられた2つの電4、ヲ有し、フラッ
プが受ける加速度の影響を補償しかつフラップをその静
止位置に戻すことのできる戒圧をフラップと2つの電極
の間に加えるために負帰還装置が設けられている。ねじ
り振動モードにおいて動作する2つの対称な取付は部分
を使用することは加速度測定器の感度を高めつっばね定
数の低い値を得ることを可能にする。加えて、フラップ
のそれぞれの側に取付は部分を設けることは、フラップ
が取付は部分の軸の周囲を回る回転運動以外のいかなる
運動からも影響され嬢くする一方、フラップが十分にそ
の位置に維持されることを保証する。
れぞれの両側に設けられた2つの電4、ヲ有し、フラッ
プが受ける加速度の影響を補償しかつフラップをその静
止位置に戻すことのできる戒圧をフラップと2つの電極
の間に加えるために負帰還装置が設けられている。ねじ
り振動モードにおいて動作する2つの対称な取付は部分
を使用することは加速度測定器の感度を高めつっばね定
数の低い値を得ることを可能にする。加えて、フラップ
のそれぞれの側に取付は部分を設けることは、フラップ
が取付は部分の軸の周囲を回る回転運動以外のいかなる
運動からも影響され嬢くする一方、フラップが十分にそ
の位置に維持されることを保証する。
本発明による他の目的、特徴、利点は以下の特定の実施
例に関する説明からさらに明白になる。以下本発明につ
き図を用いて詳しく説明する。
例に関する説明からさらに明白になる。以下本発明につ
き図を用いて詳しく説明する。
実施例の説明
第1図は本発明の原理による装置の概略図を示す。この
装置の重要な構成要素はフラップまたは翼2であり、こ
のフラップは2つの弾性取付は部分3により支持体1に
取付けられている。
装置の重要な構成要素はフラップまたは翼2であり、こ
のフラップは2つの弾性取付は部分3により支持体1に
取付けられている。
支持体1はプレート4の上に設けられてお#)。
このプレート4の上に電極5が設けられている。
このような装置は、集積電子回路において用いられるの
に似た技術によシ製造できる。実施例においては、支持
体lはn形のけい素基板から作られ、フラップ2とその
取付は部分3とは基板を切除して形成されてp形のドー
ピング材でドーピングされ、プレート4は上にアルミニ
ウム電極を設けており、ガラスから成る。
に似た技術によシ製造できる。実施例においては、支持
体lはn形のけい素基板から作られ、フラップ2とその
取付は部分3とは基板を切除して形成されてp形のドー
ピング材でドーピングされ、プレート4は上にアルミニ
ウム電極を設けており、ガラスから成る。
本装置は次のように動作する。
フラップ2は慣性質量及びコンデンサの電極プレート、
即ち電極5により形成されているコンデンサの他方の電
極プレー)1構成する。本装置が電極プレート4の面に
垂直に加速される場合、取付は部分3により加わるもど
りトルクすなわち復帰トリクが加速度によりフラップに
生ずるモーメントに釣り合うまでフラップはその弾性取
付は部分3の回りを回転する。フラップが回転したその
角度は加速度に比例する。フラップの回転運動はフラッ
プと電極5の間のキャノ々シ?ンスの相応する変化を生
ぜしめ、それは測定可能である。
即ち電極5により形成されているコンデンサの他方の電
極プレー)1構成する。本装置が電極プレート4の面に
垂直に加速される場合、取付は部分3により加わるもど
りトルクすなわち復帰トリクが加速度によりフラップに
生ずるモーメントに釣り合うまでフラップはその弾性取
付は部分3の回りを回転する。フラップが回転したその
角度は加速度に比例する。フラップの回転運動はフラッ
プと電極5の間のキャノ々シ?ンスの相応する変化を生
ぜしめ、それは測定可能である。
フラップの構造は慣性力と復帰力との間の非常に有利な
関係を得ることを可能にする。実際復帰力は、フラップ
を適当に支持したままで、蝋付は部分の断面の縮小によ
り低減させられる。
関係を得ることを可能にする。実際復帰力は、フラップ
を適当に支持したままで、蝋付は部分の断面の縮小によ
り低減させられる。
取付は部分の復帰力の低減は装置の感度を増大させ、そ
の周波数応答を高める。このような構造の他の利点は、
もしそれが取付は部分の周囲でのフラップの回転運動を
増大するならば、取付は部分の長さを増加させることに
関連する他のいかなる運動をも妨害する。このことは特
定の方向、即ち支持体の面に垂直な方向における加速度
を測定することに関して装置の良好な性能を保証する。
の周波数応答を高める。このような構造の他の利点は、
もしそれが取付は部分の周囲でのフラップの回転運動を
増大するならば、取付は部分の長さを増加させることに
関連する他のいかなる運動をも妨害する。このことは特
定の方向、即ち支持体の面に垂直な方向における加速度
を測定することに関して装置の良好な性能を保証する。
この利点は以下の場合さらに高められる、即ち支持体l
が単一結晶けい素から成り、またフラップと取付は部分
が硼素(1019a t oms/cd以上の濃度)に
より濃くドーピングされる場合である。硼素でドーピン
グするとフラップ取付は部分で長手方向応力を高め、そ
れは特定の運動以外の運動との関係においてフラップを
より剛性にする。
が単一結晶けい素から成り、またフラップと取付は部分
が硼素(1019a t oms/cd以上の濃度)に
より濃くドーピングされる場合である。硼素でドーピン
グするとフラップ取付は部分で長手方向応力を高め、そ
れは特定の運動以外の運動との関係においてフラップを
より剛性にする。
第2図は本発明による加速度測定器の実施例の断面図を
示す。断面図は翼またはフラップの回転軸、例えば第1
図の軸A−Aに沿って切断して示されている。第1図に
示されているのに類似した構成要素には同じ符号を付し
である。
示す。断面図は翼またはフラップの回転軸、例えば第1
図の軸A−Aに沿って切断して示されている。第1図に
示されているのに類似した構成要素には同じ符号を付し
である。
従って第2図は再び支持体1.フラップ2及びその取付
は部分、電極5.プレート4を示す。
は部分、電極5.プレート4を示す。
第2図にはまた加速度計と共働する測定回路を含むブロ
ック7と接続部分が示されており、測定回路は同じ支持
体1上に有利に集積されている。例えばアルミニウムか
ら作られるこのような接続部分は、接続部分71を用い
てフラップを測定回路7に接続し電極5iP+拡散領域
52を介して接触接続面51に、或いは領域52゜接触
接続面51.接触接続面73及びP十拡散領域72を介
して測定回路7に接続するために設けられている。支持
体lはn″″形のけい素基板で作られる。支持体の底面
は5i02の絶縁している層6により保護されている。
ック7と接続部分が示されており、測定回路は同じ支持
体1上に有利に集積されている。例えばアルミニウムか
ら作られるこのような接続部分は、接続部分71を用い
てフラップを測定回路7に接続し電極5iP+拡散領域
52を介して接触接続面51に、或いは領域52゜接触
接続面51.接触接続面73及びP十拡散領域72を介
して測定回路7に接続するために設けられている。支持
体lはn″″形のけい素基板で作られる。支持体の底面
は5i02の絶縁している層6により保護されている。
5i02絶縁層は表面にも設けられており接続部を支持
体から絶縁する。プレート4は電極5を形、或するため
に部分的にアルミニウム付着により金属化されたガラス
から作られ、アノードデンディング法を用いて支持体l
に固着されている。凹部8がプレート4の測定回路7に
面している測に設けられている。
体から絶縁する。プレート4は電極5を形、或するため
に部分的にアルミニウム付着により金属化されたガラス
から作られ、アノードデンディング法を用いて支持体l
に固着されている。凹部8がプレート4の測定回路7に
面している測に設けられている。
″ 第2図に匹敵する構造f4造するための工程は
、IRBg Transactions\on El
ectron Devi −ces、Vo重gD−27
、J165 、 May 1980の中の論文%Amo
nolithic capacitive press
ure sen −5or with pulse−p
erio<L! outputlの中に記載されている
。またIFjFiB Electron Device
s Le−ttera、Vol ED2−2.42 、
Febr、 1981の中に・見られる論文%An
electroc’hemical P−Njunc
tion etch−stop for the fo
rmation ofsilicon Microst
ructur・Sl には所望の薄さの膜を製造する工
程について記載されている。膜を作った後、フラップ2
及びその取付は部分はエツチングにより、有利にはガス
状媒体で(・例えばプラズマまたはイオンエツチング]
切夛取シ形成される。
、IRBg Transactions\on El
ectron Devi −ces、Vo重gD−27
、J165 、 May 1980の中の論文%Amo
nolithic capacitive press
ure sen −5or with pulse−p
erio<L! outputlの中に記載されている
。またIFjFiB Electron Device
s Le−ttera、Vol ED2−2.42 、
Febr、 1981の中に・見られる論文%An
electroc’hemical P−Njunc
tion etch−stop for the fo
rmation ofsilicon Microst
ructur・Sl には所望の薄さの膜を製造する工
程について記載されている。膜を作った後、フラップ2
及びその取付は部分はエツチングにより、有利にはガス
状媒体で(・例えばプラズマまたはイオンエツチング]
切夛取シ形成される。
第3図は第1図に示す装置の別の実施例の1つを示し、
そこには付加電極10がフラップ2に関して電極5とは
反対側に設けられている。
そこには付加電極10がフラップ2に関して電極5とは
反対側に設けられている。
付加電、甑10はガラスプレート9に固定されたけい素
基体20の上にアルミニウムを付着させることにより作
られる。けい素は始めアノードボンディング工程を用い
てプレート9に固着され、それからけい素は基体2oを
形吠するためエツチングされ電極1oが基体2oに付着
される。プレート9.基体20.電極1oがら構成され
る組立体はアノードボンディングにょシ支持体1に固定
される。付加電極1oは接触接続面12にP+にドーピ
ングされた領域11を介して接続している。電極loは
第5図の説明からよシ明らかなように、負帰還のために
用いられる。
基体20の上にアルミニウムを付着させることにより作
られる。けい素は始めアノードボンディング工程を用い
てプレート9に固着され、それからけい素は基体2oを
形吠するためエツチングされ電極1oが基体2oに付着
される。プレート9.基体20.電極1oがら構成され
る組立体はアノードボンディングにょシ支持体1に固定
される。付加電極1oは接触接続面12にP+にドーピ
ングされた領域11を介して接続している。電極loは
第5図の説明からよシ明らかなように、負帰還のために
用いられる。
第4図は本発明の装置と共働する加速度測定回路のブロ
ック図である。フラップ2と電極5は容量の変化するコ
ンデンサclを構成し、このコンデンサはコンデンサc
2と2つの抵抗101.102とから成る測定ブリッジ
の一部であシ、2つの抵抗の共通の接続点はアースに接
続されている。コンデンサc1と抵抗101の共通接続
点は増幅器103の入力側に接続されている;増幅器1
03の出力側信号が回路1o5により整流されろ波され
て、差動増幅器107の一方の入力側に供給される、。
ック図である。フラップ2と電極5は容量の変化するコ
ンデンサclを構成し、このコンデンサはコンデンサc
2と2つの抵抗101.102とから成る測定ブリッジ
の一部であシ、2つの抵抗の共通の接続点はアースに接
続されている。コンデンサc1と抵抗101の共通接続
点は増幅器103の入力側に接続されている;増幅器1
03の出力側信号が回路1o5により整流されろ波され
て、差動増幅器107の一方の入力側に供給される、。
コンデンサc2と抵抗102とに共通な接続点は増幅器
104の入力側、に接続され、増幅器104の出方側信
号は回路lO゛6により整流されろ波されてから差動増
幅器107の他方の入力側に供給される。2つのコンデ
ンサo1と02に共通の接続点には高周波数信号Umが
加わる。加速度の影響をうけているフラップ2の回転運
動は、信号U1の相応する振幅及び位相変調を受ける。
104の入力側、に接続され、増幅器104の出方側信
号は回路lO゛6により整流されろ波されてから差動増
幅器107の他方の入力側に供給される。2つのコンデ
ンサo1と02に共通の接続点には高周波数信号Umが
加わる。加速度の影響をうけているフラップ2の回転運
動は、信号U1の相応する振幅及び位相変調を受ける。
信号U1とU’ lの間の振動差は差動増幅器の出方信
号Usを取出すための回路103〜107により引き出
される。この信号Usはフラップ2が受けている加速度
を表わす。第4図は一例として示したにすぎないもので
ある。実際、信号UlとUI tとの間の61のキャパ
シタンスの変化ニよって生ずる位相差を測定してひいて
は加速度に関連する信号を発生することも可能である。
号Usを取出すための回路103〜107により引き出
される。この信号Usはフラップ2が受けている加速度
を表わす。第4図は一例として示したにすぎないもので
ある。実際、信号UlとUI tとの間の61のキャパ
シタンスの変化ニよって生ずる位相差を測定してひいて
は加速度に関連する信号を発生することも可能である。
第5図は負帰還ループを組み込んだ測定回路のブロック
回路図を示す。第5図では容量の変化するコンデンサ0
1.、コンデンサc2及び測定回路100を再び示しt
この回路!ooはCIのキャパシタンスの変化を表わす
信号Usを発生する。もう1つのコンデンサO’lがフ
ラップ2と付加電極10(第3図参照)にょシ構成され
る。信号Usは一方では演算増幅器110及び抵抗10
8,109で示す増幅器装置に供給され。
回路図を示す。第5図では容量の変化するコンデンサ0
1.、コンデンサc2及び測定回路100を再び示しt
この回路!ooはCIのキャパシタンスの変化を表わす
信号Usを発生する。もう1つのコンデンサO’lがフ
ラップ2と付加電極10(第3図参照)にょシ構成され
る。信号Usは一方では演算増幅器110及び抵抗10
8,109で示す増幅器装置に供給され。
他方では演算増幅器120及び2つの抵抗118.11
9 から成る増幅器装置に供給される。
9 から成る増幅器装置に供給される。
信号Usの極性はコンパレータ112により検出され、
その出力側はスイッチ111と121を制御する。回w
1113は、スイッチ111と121が常に正反対の状
態をとるようにする。
その出力側はスイッチ111と121を制御する。回w
1113は、スイッチ111と121が常に正反対の状
態をとるようにする。
スイダチ111と121は信号Usに比例する電圧を電
極10か電極5のどちらかに供給し、フラップ2をその
平衡位置に近い位置へ動かす。
極10か電極5のどちらかに供給し、フラップ2をその
平衡位置に近い位置へ動かす。
増幅器装置の利得はC1とcl 10間のキャパシタン
スの差を補償するように調整される。2つの抵抗114
と124は持続的に電極10及び電極5f、各々アース
に接続する。抵抗114と124の値はコンデンサC1
とC10のインピーダンスよりも高くなければならない
。
スの差を補償するように調整される。2つの抵抗114
と124は持続的に電極10及び電極5f、各々アース
に接続する。抵抗114と124の値はコンデンサC1
とC10のインピーダンスよりも高くなければならない
。
負帰還ループを用いると加速度測定器の測定範囲を増大
させること、ができ、またフラップの回転運動が負帰還
により制限されるので、フラーツブと電極の間の距離t
−輔小させることも可能である。
させること、ができ、またフラップの回転運動が負帰還
により制限されるので、フラーツブと電極の間の距離t
−輔小させることも可能である。
本発明を特定の実施例について説明したが、決してこれ
らの実施例に限定されず、本発明の範囲から逸脱するこ
となく種々変形することがテキル。特に、ゲルマニウム
のような他の半導体材を用いたりサファイアのような絶
縁材を支持体として用いることができる。しかしながら
支持体が絶縁支持体である場合は、フラップとその取付
は部分が導電材から作られる。
らの実施例に限定されず、本発明の範囲から逸脱するこ
となく種々変形することがテキル。特に、ゲルマニウム
のような他の半導体材を用いたりサファイアのような絶
縁材を支持体として用いることができる。しかしながら
支持体が絶縁支持体である場合は、フラップとその取付
は部分が導電材から作られる。
第1図は本発明の原理による、フラップの構造とその取
付は部分の斜視略図、第2図は本発明による加速度測定
器の第1の実施例の断面略図、第3図は本発明による加
速度測定器の第2の実施例の断面略図、第4図は第2図
の加速度測定器による測定回路のブロック回路図、第5
図は第3図の加速度測定器によ名測定回路のブロック回
路図を示す。 l・・・支持体、2・・・フラップ、3・・・取付は部
分、4・9・・・プレート、5・・・電極、6・・・絶
縁層、7・・・測定回路、8・・・凹部、lO・・・付
加電極、 20・・・基体、CI@C′1・C2・・・
コンデンサ、101・102・tos・109・114
・118・119・124・・・抵抗% 103・10
4・・・増幅器、107・・・差動増幅器、11a・1
20・・・演算増幅器、112・・・コンパレータ、1
00・・・測定回路、111・121・・・スイッチ。 FIG、1
付は部分の斜視略図、第2図は本発明による加速度測定
器の第1の実施例の断面略図、第3図は本発明による加
速度測定器の第2の実施例の断面略図、第4図は第2図
の加速度測定器による測定回路のブロック回路図、第5
図は第3図の加速度測定器によ名測定回路のブロック回
路図を示す。 l・・・支持体、2・・・フラップ、3・・・取付は部
分、4・9・・・プレート、5・・・電極、6・・・絶
縁層、7・・・測定回路、8・・・凹部、lO・・・付
加電極、 20・・・基体、CI@C′1・C2・・・
コンデンサ、101・102・tos・109・114
・118・119・124・・・抵抗% 103・10
4・・・増幅器、107・・・差動増幅器、11a・1
20・・・演算増幅器、112・・・コンパレータ、1
00・・・測定回路、111・121・・・スイッチ。 FIG、1
Claims (1)
- 1.2つの向い合う位置にある弾性取り付は部分によシ
支持体に取付けられたフラップを具備し該フラップは支
持体の面に垂直な加速度の影響をうけてその取付は部分
の周囲を回転でき、さらにフラップに向い合いかつその
面が支持体の面に面平行に設けられた少なくとも1つの
電極及び、フラップと電極の間のキヤ、eシタンスの測
定に基づきフラップが受けた加速度を表わす信号を発生
する装置とを備えていることを特徴とする加速度測定器
。 2、 加速度測定器がフラップのそれぞれの両側に設け
られた電極を有し、フラップが受ける加速度の影響を補
償しかつフラップをその静止位置に戻すことができる電
圧をフラップと2つの電極のうちの1つとの間に加える
ために負帰還装置が設けられている特許請求の範囲第1
項記載の加速度測定器 3、支持体、フラップ及び取付は部分がけい素から成シ
、フラップとその取付は部分が支持体と異なる形にドー
ピングをされた特許請求の範囲第1項記載の加速度測定
器。 4、加速度を表わす信号を発生するための装置が該支持
体に集積されている特許請求の範囲第1項記載の加速度
測定器。 5、電極が支持体に固定されたプレート上に設けられて
いる特許請求の範囲第1項記載の加速度測定器。 6、 フラップとその取付は部分が硼素で濃くドーピン
グされている特許請求の範囲第1項記載の加速度測定器
。 L 加速度を表わす信号を発生するための装置が、少な
くとも1つの固定されたコンデンサ、及びフラップと′
1極により構成される容量の変化するコンデンサを含む
測定ブリッジから成る特許請求の範囲第1項記載の加速
度測定器。
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