JPS5810661A - 加速度測定器 - Google Patents

加速度測定器

Info

Publication number
JPS5810661A
JPS5810661A JP57115304A JP11530482A JPS5810661A JP S5810661 A JPS5810661 A JP S5810661A JP 57115304 A JP57115304 A JP 57115304A JP 11530482 A JP11530482 A JP 11530482A JP S5810661 A JPS5810661 A JP S5810661A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flap
acceleration
support
electrode
accelerometer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57115304A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0339268B2 (ja
Inventor
フエリツクス・ル−ドルフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre Electronique Horloger SA
Original Assignee
Centre Electronique Horloger SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre Electronique Horloger SA filed Critical Centre Electronique Horloger SA
Publication of JPS5810661A publication Critical patent/JPS5810661A/ja
Publication of JPH0339268B2 publication Critical patent/JPH0339268B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/13Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by measuring the force required to restore a proofmass subjected to inertial forces to a null position
    • G01P15/131Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by measuring the force required to restore a proofmass subjected to inertial forces to a null position with electrostatic counterbalancing means

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に加速度を測定するための装置に関し、例
えば集積電子回路技術による製造に適した加速度測定器
に関する。
集積回路製造方法と類似の方法を用いて製造される加速
度測定器は既に公知である。このような加速度測定器に
ついて以下の論文の中で記述されている: IEEET
ranseon Electron De −vice
s、vol、ED−26、A 11 、 Novenb
er 1979記載の”5ilicon cantil
ever beem accelerom−eter 
utilizing a PI−FET capaci
tive tra −nsducer’ :  IEE
E  Trans、on Electron Devi
c −es、volaBD−26、AI  2  De
cember  1 9 7 9記載の’A batc
hfabricated 5ilicon accel
e−r ometler ”他の集積加速度測定器u、
  t 980 年12月8・9・10日にワシントン
で六MIcra”mechanical Accele
rometer ;ntegratsi、 withM
O8detection circuitry#という
題で行われたインタナショナルエレクトロンデノ々イス
ミーティングに提出された。このような加速度測定器は
基本的に矩形ダイアフラム、支持体に固定されたダイア
フラムの側部、及び加速度の影響をうけるダイアフラム
の運動を検出するための装置から成る。ダイアフラムを
固定する方法は加速度測定器のばね定数が比較的大きな
値を有し。
このため高い感度にするのが難しい。さらにこのような
装置は所望されない方向における加速度影響に対しても
敏感である。
本発明の目的は、電子集積回路に使用される技術を用い
た製造に適しまた上述した欠点を克服したい加速度測定
器を提供することである。
本発明の他の目的は、特定の方向における加速度影響に
対して高い感度を有する加速度測定器を提供することで
ある。
さらに本発明の別の目的は、特定の方向と異なる方向に
おける加速度影響に対しては実質的に鈍感である加速度
測定器を提供することである。
本発明によれば加速度測定器は、2つの向い合う位置に
ある弾性取付は部分にょシ支持体に取付けられたフラッ
プを具備しフラップは該支持体の面に垂直な加速度の影
響をうけてその取付は部分の周囲を回転でき、さらにフ
ラップに向かい合いかつその面が支゛持体の面に面平行
に設けられた少なくとも1つの電極及び、フラップと電
極の間のキャパシタンスの測定に基づきフラップがうけ
た加速度を表わす信号全発生する装置を備えている。
本発明の実施例によると、加速度測定器はフラップのそ
れぞれの両側に設けられた2つの電4、ヲ有し、フラッ
プが受ける加速度の影響を補償しかつフラップをその静
止位置に戻すことのできる戒圧をフラップと2つの電極
の間に加えるために負帰還装置が設けられている。ねじ
り振動モードにおいて動作する2つの対称な取付は部分
を使用することは加速度測定器の感度を高めつっばね定
数の低い値を得ることを可能にする。加えて、フラップ
のそれぞれの側に取付は部分を設けることは、フラップ
が取付は部分の軸の周囲を回る回転運動以外のいかなる
運動からも影響され嬢くする一方、フラップが十分にそ
の位置に維持されることを保証する。
本発明による他の目的、特徴、利点は以下の特定の実施
例に関する説明からさらに明白になる。以下本発明につ
き図を用いて詳しく説明する。
実施例の説明 第1図は本発明の原理による装置の概略図を示す。この
装置の重要な構成要素はフラップまたは翼2であり、こ
のフラップは2つの弾性取付は部分3により支持体1に
取付けられている。
支持体1はプレート4の上に設けられてお#)。
このプレート4の上に電極5が設けられている。
このような装置は、集積電子回路において用いられるの
に似た技術によシ製造できる。実施例においては、支持
体lはn形のけい素基板から作られ、フラップ2とその
取付は部分3とは基板を切除して形成されてp形のドー
ピング材でドーピングされ、プレート4は上にアルミニ
ウム電極を設けており、ガラスから成る。
本装置は次のように動作する。
フラップ2は慣性質量及びコンデンサの電極プレート、
即ち電極5により形成されているコンデンサの他方の電
極プレー)1構成する。本装置が電極プレート4の面に
垂直に加速される場合、取付は部分3により加わるもど
りトルクすなわち復帰トリクが加速度によりフラップに
生ずるモーメントに釣り合うまでフラップはその弾性取
付は部分3の回りを回転する。フラップが回転したその
角度は加速度に比例する。フラップの回転運動はフラッ
プと電極5の間のキャノ々シ?ンスの相応する変化を生
ぜしめ、それは測定可能である。
フラップの構造は慣性力と復帰力との間の非常に有利な
関係を得ることを可能にする。実際復帰力は、フラップ
を適当に支持したままで、蝋付は部分の断面の縮小によ
り低減させられる。
取付は部分の復帰力の低減は装置の感度を増大させ、そ
の周波数応答を高める。このような構造の他の利点は、
もしそれが取付は部分の周囲でのフラップの回転運動を
増大するならば、取付は部分の長さを増加させることに
関連する他のいかなる運動をも妨害する。このことは特
定の方向、即ち支持体の面に垂直な方向における加速度
を測定することに関して装置の良好な性能を保証する。
この利点は以下の場合さらに高められる、即ち支持体l
が単一結晶けい素から成り、またフラップと取付は部分
が硼素(1019a t oms/cd以上の濃度)に
より濃くドーピングされる場合である。硼素でドーピン
グするとフラップ取付は部分で長手方向応力を高め、そ
れは特定の運動以外の運動との関係においてフラップを
より剛性にする。
第2図は本発明による加速度測定器の実施例の断面図を
示す。断面図は翼またはフラップの回転軸、例えば第1
図の軸A−Aに沿って切断して示されている。第1図に
示されているのに類似した構成要素には同じ符号を付し
である。
従って第2図は再び支持体1.フラップ2及びその取付
は部分、電極5.プレート4を示す。
第2図にはまた加速度計と共働する測定回路を含むブロ
ック7と接続部分が示されており、測定回路は同じ支持
体1上に有利に集積されている。例えばアルミニウムか
ら作られるこのような接続部分は、接続部分71を用い
てフラップを測定回路7に接続し電極5iP+拡散領域
52を介して接触接続面51に、或いは領域52゜接触
接続面51.接触接続面73及びP十拡散領域72を介
して測定回路7に接続するために設けられている。支持
体lはn″″形のけい素基板で作られる。支持体の底面
は5i02の絶縁している層6により保護されている。
5i02絶縁層は表面にも設けられており接続部を支持
体から絶縁する。プレート4は電極5を形、或するため
に部分的にアルミニウム付着により金属化されたガラス
から作られ、アノードデンディング法を用いて支持体l
に固着されている。凹部8がプレート4の測定回路7に
面している測に設けられている。
″   第2図に匹敵する構造f4造するための工程は
、IRBg  Transactions\on El
ectron Devi −ces、Vo重gD−27
、J165 、 May 1980の中の論文%Amo
nolithic capacitive press
ure sen −5or with pulse−p
erio<L! outputlの中に記載されている
。またIFjFiB Electron Device
s Le−ttera、Vol ED2−2.42 、
 Febr、  1981の中に・見られる論文%An
 electroc’hemical P−Njunc
tion etch−stop for the fo
rmation ofsilicon Microst
ructur・Sl には所望の薄さの膜を製造する工
程について記載されている。膜を作った後、フラップ2
及びその取付は部分はエツチングにより、有利にはガス
状媒体で(・例えばプラズマまたはイオンエツチング]
切夛取シ形成される。
第3図は第1図に示す装置の別の実施例の1つを示し、
そこには付加電極10がフラップ2に関して電極5とは
反対側に設けられている。
付加電、甑10はガラスプレート9に固定されたけい素
基体20の上にアルミニウムを付着させることにより作
られる。けい素は始めアノードボンディング工程を用い
てプレート9に固着され、それからけい素は基体2oを
形吠するためエツチングされ電極1oが基体2oに付着
される。プレート9.基体20.電極1oがら構成され
る組立体はアノードボンディングにょシ支持体1に固定
される。付加電極1oは接触接続面12にP+にドーピ
ングされた領域11を介して接続している。電極loは
第5図の説明からよシ明らかなように、負帰還のために
用いられる。
第4図は本発明の装置と共働する加速度測定回路のブロ
ック図である。フラップ2と電極5は容量の変化するコ
ンデンサclを構成し、このコンデンサはコンデンサc
2と2つの抵抗101.102とから成る測定ブリッジ
の一部であシ、2つの抵抗の共通の接続点はアースに接
続されている。コンデンサc1と抵抗101の共通接続
点は増幅器103の入力側に接続されている;増幅器1
03の出力側信号が回路1o5により整流されろ波され
て、差動増幅器107の一方の入力側に供給される、。
コンデンサc2と抵抗102とに共通な接続点は増幅器
104の入力側、に接続され、増幅器104の出方側信
号は回路lO゛6により整流されろ波されてから差動増
幅器107の他方の入力側に供給される。2つのコンデ
ンサo1と02に共通の接続点には高周波数信号Umが
加わる。加速度の影響をうけているフラップ2の回転運
動は、信号U1の相応する振幅及び位相変調を受ける。
信号U1とU’ lの間の振動差は差動増幅器の出方信
号Usを取出すための回路103〜107により引き出
される。この信号Usはフラップ2が受けている加速度
を表わす。第4図は一例として示したにすぎないもので
ある。実際、信号UlとUI tとの間の61のキャパ
シタンスの変化ニよって生ずる位相差を測定してひいて
は加速度に関連する信号を発生することも可能である。
第5図は負帰還ループを組み込んだ測定回路のブロック
回路図を示す。第5図では容量の変化するコンデンサ0
1.、コンデンサc2及び測定回路100を再び示しt
この回路!ooはCIのキャパシタンスの変化を表わす
信号Usを発生する。もう1つのコンデンサO’lがフ
ラップ2と付加電極10(第3図参照)にょシ構成され
る。信号Usは一方では演算増幅器110及び抵抗10
8,109で示す増幅器装置に供給され。
他方では演算増幅器120及び2つの抵抗118.11
9 から成る増幅器装置に供給される。
信号Usの極性はコンパレータ112により検出され、
その出力側はスイッチ111と121を制御する。回w
1113は、スイッチ111と121が常に正反対の状
態をとるようにする。
スイダチ111と121は信号Usに比例する電圧を電
極10か電極5のどちらかに供給し、フラップ2をその
平衡位置に近い位置へ動かす。
増幅器装置の利得はC1とcl 10間のキャパシタン
スの差を補償するように調整される。2つの抵抗114
と124は持続的に電極10及び電極5f、各々アース
に接続する。抵抗114と124の値はコンデンサC1
とC10のインピーダンスよりも高くなければならない
負帰還ループを用いると加速度測定器の測定範囲を増大
させること、ができ、またフラップの回転運動が負帰還
により制限されるので、フラーツブと電極の間の距離t
−輔小させることも可能である。
本発明を特定の実施例について説明したが、決してこれ
らの実施例に限定されず、本発明の範囲から逸脱するこ
となく種々変形することがテキル。特に、ゲルマニウム
のような他の半導体材を用いたりサファイアのような絶
縁材を支持体として用いることができる。しかしながら
支持体が絶縁支持体である場合は、フラップとその取付
は部分が導電材から作られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理による、フラップの構造とその取
付は部分の斜視略図、第2図は本発明による加速度測定
器の第1の実施例の断面略図、第3図は本発明による加
速度測定器の第2の実施例の断面略図、第4図は第2図
の加速度測定器による測定回路のブロック回路図、第5
図は第3図の加速度測定器によ名測定回路のブロック回
路図を示す。 l・・・支持体、2・・・フラップ、3・・・取付は部
分、4・9・・・プレート、5・・・電極、6・・・絶
縁層、7・・・測定回路、8・・・凹部、lO・・・付
加電極、 20・・・基体、CI@C′1・C2・・・
コンデンサ、101・102・tos・109・114
・118・119・124・・・抵抗% 103・10
4・・・増幅器、107・・・差動増幅器、11a・1
20・・・演算増幅器、112・・・コンパレータ、1
00・・・測定回路、111・121・・・スイッチ。 FIG、1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.2つの向い合う位置にある弾性取り付は部分によシ
    支持体に取付けられたフラップを具備し該フラップは支
    持体の面に垂直な加速度の影響をうけてその取付は部分
    の周囲を回転でき、さらにフラップに向い合いかつその
    面が支持体の面に面平行に設けられた少なくとも1つの
    電極及び、フラップと電極の間のキヤ、eシタンスの測
    定に基づきフラップが受けた加速度を表わす信号を発生
    する装置とを備えていることを特徴とする加速度測定器
    。 2、 加速度測定器がフラップのそれぞれの両側に設け
    られた電極を有し、フラップが受ける加速度の影響を補
    償しかつフラップをその静止位置に戻すことができる電
    圧をフラップと2つの電極のうちの1つとの間に加える
    ために負帰還装置が設けられている特許請求の範囲第1
    項記載の加速度測定器 3、支持体、フラップ及び取付は部分がけい素から成シ
    、フラップとその取付は部分が支持体と異なる形にドー
    ピングをされた特許請求の範囲第1項記載の加速度測定
    器。 4、加速度を表わす信号を発生するための装置が該支持
    体に集積されている特許請求の範囲第1項記載の加速度
    測定器。 5、電極が支持体に固定されたプレート上に設けられて
    いる特許請求の範囲第1項記載の加速度測定器。 6、 フラップとその取付は部分が硼素で濃くドーピン
    グされている特許請求の範囲第1項記載の加速度測定器
    。 L 加速度を表わす信号を発生するための装置が、少な
    くとも1つの固定されたコンデンサ、及びフラップと′
    1極により構成される容量の変化するコンデンサを含む
    測定ブリッジから成る特許請求の範囲第1項記載の加速
    度測定器。
JP57115304A 1981-07-02 1982-07-02 加速度測定器 Granted JPS5810661A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH4361/81-9 1981-07-02
CH436181A CH642461A5 (fr) 1981-07-02 1981-07-02 Accelerometre.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5810661A true JPS5810661A (ja) 1983-01-21
JPH0339268B2 JPH0339268B2 (ja) 1991-06-13

Family

ID=4274663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57115304A Granted JPS5810661A (ja) 1981-07-02 1982-07-02 加速度測定器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4483194A (ja)
JP (1) JPS5810661A (ja)
CH (1) CH642461A5 (ja)
DE (1) DE3223987C2 (ja)
GB (1) GB2101336B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59168383A (ja) * 1983-03-07 1984-09-22 サ−トル・エレクトロニク・オルロジユ−ル・ソシエテ・アノニム 磁界測定装置
JPS60147654A (ja) * 1984-01-12 1985-08-03 Agency Of Ind Science & Technol 姿勢センサ
JPH03134570A (ja) * 1989-10-20 1991-06-07 Yamatake Honeywell Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2006517661A (ja) * 2003-02-11 2006-07-27 ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア 容量型加速度センサー
WO2007125961A1 (ja) * 2006-04-28 2007-11-08 Panasonic Electric Works Co., Ltd. 静電容量式センサ
JP2007298410A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Works Ltd 静電容量式センサ
WO2008126409A1 (ja) * 2007-04-10 2008-10-23 Panasonic Corporation 加速度センサおよびその製造方法

Families Citing this family (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5938621A (ja) * 1982-08-27 1984-03-02 Nissan Motor Co Ltd 振動分析装置
GB2146697B (en) * 1983-09-17 1986-11-05 Stc Plc Flexible hinge device
FR2558263B1 (fr) * 1984-01-12 1986-04-25 Commissariat Energie Atomique Accelerometre directif et son procede de fabrication par microlithographie
FR2560997B1 (fr) * 1984-03-06 1987-06-05 Sfena Capteur accelerometrique a structure pendulaire plane
FR2621394B2 (fr) * 1984-03-06 1990-02-02 Sfena Capteur accelerometrique a structure pendulaire plane
US4598585A (en) * 1984-03-19 1986-07-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Planar inertial sensor
US4699006A (en) * 1984-03-19 1987-10-13 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Vibratory digital integrating accelerometer
GB2159278B (en) * 1984-05-23 1988-04-13 Stc Plc Heading sensor
DE3515349A1 (de) * 1985-04-27 1986-10-30 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn Elektrischer geber zur messung mechanischer groessen
US4679434A (en) * 1985-07-25 1987-07-14 Litton Systems, Inc. Integrated force balanced accelerometer
US4744249A (en) * 1985-07-25 1988-05-17 Litton Systems, Inc. Vibrating accelerometer-multisensor
US4736629A (en) * 1985-12-20 1988-04-12 Silicon Designs, Inc. Micro-miniature accelerometer
FR2599833B1 (fr) * 1986-06-10 1992-02-14 Metravib Sa Capteur de grandeurs mecaniques integre sur silicium et procede de fabrication
DE3625411A1 (de) * 1986-07-26 1988-02-04 Messerschmitt Boelkow Blohm Kapazitiver beschleunigungssensor
JPS63252257A (ja) * 1986-11-20 1988-10-19 Aisin Seiki Co Ltd 加速度検出装置
ATE55632T1 (de) * 1987-01-20 1990-09-15 Litef Gmbh Biegefedergelenk und verfahren zu seiner herstellung.
DE3703793A1 (de) * 1987-02-07 1988-08-18 Messerschmitt Boelkow Blohm Detektorelement
FR2617607B1 (fr) * 1987-06-30 1989-12-01 Applic Gles Electrici Meca Accelerometre pendulaire a reequilibrage et procede de fabrication d'un tel accelerometre
DE3816628A1 (de) * 1987-09-30 1989-04-20 Aisin Seiki Beschleunigungsmessvorrichtung
FI81915C (fi) * 1987-11-09 1990-12-10 Vaisala Oy Kapacitiv accelerationsgivare och foerfarande foer framstaellning daerav.
DE3741036A1 (de) * 1987-12-03 1989-06-15 Fraunhofer Ges Forschung Mikromechanischer beschleunigungsmesser
US5060039A (en) * 1988-01-13 1991-10-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Permanent magnet force rebalance micro accelerometer
US5016072A (en) * 1988-01-13 1991-05-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Semiconductor chip gyroscopic transducer
US5216490A (en) * 1988-01-13 1993-06-01 Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Bridge electrodes for microelectromechanical devices
FR2627592B1 (fr) * 1988-02-22 1990-07-27 Sagem Accelerometre pendulaire non asservi a poutre resonante
US4951510A (en) * 1988-07-14 1990-08-28 University Of Hawaii Multidimensional force sensor
US5095762A (en) * 1988-07-14 1992-03-17 University Of Hawaii Multidimensional force sensor
CH677540A5 (ja) * 1988-11-07 1991-05-31 Wyler Ag
JPH0623782B2 (ja) * 1988-11-15 1994-03-30 株式会社日立製作所 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ
US4945773A (en) * 1989-03-06 1990-08-07 Ford Motor Company Force transducer etched from silicon
US5045152A (en) * 1989-03-06 1991-09-03 Ford Motor Company Force transducer etched from silicon
DD282530A5 (de) * 1989-04-24 1990-09-12 Karl Marx Stadt Tech Hochschul Kapazitiver mikromechanischer beschleunigungssensor
GB8912755D0 (en) * 1989-06-02 1989-07-19 Emi Plc Thorn A"null"flow sensor
US5115291A (en) * 1989-07-27 1992-05-19 Honeywell Inc. Electrostatic silicon accelerometer
US5006487A (en) * 1989-07-27 1991-04-09 Honeywell Inc. Method of making an electrostatic silicon accelerometer
US5228341A (en) * 1989-10-18 1993-07-20 Hitachi, Ltd. Capacitive acceleration detector having reduced mass portion
US5092174A (en) * 1989-10-19 1992-03-03 Texas Instruments Incorporated Capacitance accelerometer
US5092173A (en) * 1989-12-29 1992-03-03 Honeywell Inc. Secondary accelerometer pickoff
DE4000903C1 (ja) * 1990-01-15 1990-08-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US5144184A (en) * 1990-01-26 1992-09-01 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical device with a trimmable resonant frequency structure and method of trimming same
US5473945A (en) * 1990-02-14 1995-12-12 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical angular accelerometer with auxiliary linear accelerometer
US5126812A (en) * 1990-02-14 1992-06-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromechanical accelerometer
US5277053A (en) * 1990-04-25 1994-01-11 Litton Systems, Inc. Square law controller for an electrostatic force balanced accelerometer
US5122755A (en) * 1990-05-11 1992-06-16 New Sd, Inc. Capacitive position detector
US5417111A (en) 1990-08-17 1995-05-23 Analog Devices, Inc. Monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5620931A (en) * 1990-08-17 1997-04-15 Analog Devices, Inc. Methods for fabricating monolithic device containing circuitry and suspended microstructure
US5326726A (en) * 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
EP0543901B1 (en) * 1990-08-17 1995-10-04 Analog Devices, Inc. Monolithic accelerometer
US5314572A (en) * 1990-08-17 1994-05-24 Analog Devices, Inc. Method for fabricating microstructures
JP2786321B2 (ja) * 1990-09-07 1998-08-13 株式会社日立製作所 半導体容量式加速度センサ及びその製造方法
US5605598A (en) * 1990-10-17 1997-02-25 The Charles Stark Draper Laboratory Inc. Monolithic micromechanical vibrating beam accelerometer with trimmable resonant frequency
US5408119A (en) * 1990-10-17 1995-04-18 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromechanical vibrating string accelerometer with trimmable resonant frequency
US5142921A (en) * 1990-10-29 1992-09-01 Litton Systems, Inc. Force balance instrument with electrostatic charge control
US5239871A (en) * 1990-12-17 1993-08-31 Texas Instruments Incorporated Capacitive accelerometer
US5186053A (en) * 1990-12-19 1993-02-16 New Sd, Inc. Temperature compensated proofmass assembly for accelerometers
US5205171A (en) * 1991-01-11 1993-04-27 Northrop Corporation Miniature silicon accelerometer and method
US5241861A (en) * 1991-02-08 1993-09-07 Sundstrand Corporation Micromachined rate and acceleration sensor
US5129983A (en) * 1991-02-25 1992-07-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of fabrication of large area micromechanical devices
JPH04268725A (ja) * 1991-02-25 1992-09-24 Canon Inc 力学量検出センサおよびその製造方法
US5203208A (en) * 1991-04-29 1993-04-20 The Charles Stark Draper Laboratory Symmetrical micromechanical gyroscope
US5177331A (en) * 1991-07-05 1993-01-05 Delco Electronics Corporation Impact detector
US5331852A (en) * 1991-09-11 1994-07-26 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electromagnetic rebalanced micromechanical transducer
US5635639A (en) * 1991-09-11 1997-06-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical tuning fork angular rate sensor
US5220835A (en) * 1991-09-12 1993-06-22 Ford Motor Company Torsion beam accelerometer
US5345823A (en) * 1991-11-12 1994-09-13 Texas Instruments Incorporated Accelerometer
JP2765316B2 (ja) * 1991-11-21 1998-06-11 日本電気株式会社 容量型三軸加速度センサ
FR2688315B1 (fr) * 1992-03-09 1994-05-27 Sagem Capteur accelerometrique capacitif et accelerometre non asservi en comportant application.
US5408877A (en) * 1992-03-16 1995-04-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical gyroscopic transducer with improved drive and sense capabilities
US5365790A (en) * 1992-04-02 1994-11-22 Motorola, Inc. Device with bonded conductive and insulating substrates and method therefore
US5349855A (en) * 1992-04-07 1994-09-27 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Comb drive micromechanical tuning fork gyro
US5767405A (en) * 1992-04-07 1998-06-16 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Comb-drive micromechanical tuning fork gyroscope with piezoelectric readout
JP3367113B2 (ja) 1992-04-27 2003-01-14 株式会社デンソー 加速度センサ
JP2804420B2 (ja) * 1992-07-08 1998-09-24 ローム株式会社 加速度センサ
US5461916A (en) * 1992-08-21 1995-10-31 Nippondenso Co., Ltd. Mechanical force sensing semiconductor device
US5331658A (en) * 1992-08-26 1994-07-19 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser and sensor
US5734105A (en) * 1992-10-13 1998-03-31 Nippondenso Co., Ltd. Dynamic quantity sensor
JP2527144Y2 (ja) * 1992-11-19 1997-02-26 モレックス インコーポレーテッド プリント回路基板接続用電気コネクタ
FR2698447B1 (fr) * 1992-11-23 1995-02-03 Suisse Electronique Microtech Cellule de mesure micro-usinée.
FR2700065B1 (fr) * 1992-12-28 1995-02-10 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d'accéléromètres utilisant la technologie silicium sur isolant.
US5650568A (en) * 1993-02-10 1997-07-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Gimballed vibrating wheel gyroscope having strain relief features
US6282956B1 (en) * 1994-12-29 2001-09-04 Kazuhiro Okada Multi-axial angular velocity sensor
US5404749A (en) * 1993-04-07 1995-04-11 Ford Motor Company Boron doped silicon accelerometer sense element
US5610335A (en) * 1993-05-26 1997-03-11 Cornell Research Foundation Microelectromechanical lateral accelerometer
US6149190A (en) * 1993-05-26 2000-11-21 Kionix, Inc. Micromechanical accelerometer for automotive applications
US6199874B1 (en) 1993-05-26 2001-03-13 Cornell Research Foundation Inc. Microelectromechanical accelerometer for automotive applications
SE9302357D0 (sv) * 1993-07-07 1993-07-07 Siemens-Elema Ab Tryck- och hjaertroerelsesensor vid hjaertstimulatorer
DE4332057A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-30 Siemens Ag Integrierte mikromechanische Sensorvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
US5555766A (en) * 1993-11-04 1996-09-17 Texas Instruments Incorporated Acceleration sensor apparatus and method for making same
CA2149933A1 (en) * 1994-06-29 1995-12-30 Robert M. Boysel Micro-mechanical accelerometers with improved detection circuitry
US5546805A (en) * 1994-08-12 1996-08-20 Coyote Engineering Services, Inc. Angle and angular acceleration sensors
US5581035A (en) * 1994-08-29 1996-12-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical sensor with a guard band electrode
US5646348A (en) * 1994-08-29 1997-07-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical sensor with a guard band electrode and fabrication technique therefor
US5473946A (en) * 1994-09-09 1995-12-12 Litton Systems, Inc. Accelerometer using pulse-on-demand control
US5725729A (en) * 1994-09-26 1998-03-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Process for micromechanical fabrication
DE4439238A1 (de) * 1994-11-03 1996-05-09 Telefunken Microelectron Kapazitiver Beschleunigungssensor
US5488864A (en) * 1994-12-19 1996-02-06 Ford Motor Company Torsion beam accelerometer with slotted tilt plate
US5640133A (en) * 1995-06-23 1997-06-17 Cornell Research Foundation, Inc. Capacitance based tunable micromechanical resonators
US6073484A (en) * 1995-07-20 2000-06-13 Cornell Research Foundation, Inc. Microfabricated torsional cantilevers for sensitive force detection
US6000280A (en) * 1995-07-20 1999-12-14 Cornell Research Foundation, Inc. Drive electrodes for microfabricated torsional cantilevers
EP0762128B1 (en) * 1995-09-04 2000-05-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acceleration detection device
DE19541388A1 (de) 1995-11-07 1997-05-15 Telefunken Microelectron Mikromechanischer Beschleunigungssensor
US5817942A (en) * 1996-02-28 1998-10-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Capacitive in-plane accelerometer
US5892153A (en) * 1996-11-21 1999-04-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Guard bands which control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US5920013A (en) * 1997-02-07 1999-07-06 Ford Motor Company Silicon micromachine with sacrificial pedestal
US5783973A (en) * 1997-02-24 1998-07-21 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Temperature insensitive silicon oscillator and precision voltage reference formed therefrom
US5911156A (en) * 1997-02-24 1999-06-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Split electrode to minimize charge transients, motor amplitude mismatch errors, and sensitivity to vertical translation in tuning fork gyros and other devices
US5874675A (en) * 1997-03-20 1999-02-23 Interscience, Inc. Wideband vibration sensor
US5952574A (en) * 1997-04-29 1999-09-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Trenches to reduce charging effects and to control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US5914553A (en) * 1997-06-16 1999-06-22 Cornell Research Foundation, Inc. Multistable tunable micromechanical resonators
US6035714A (en) 1997-09-08 2000-03-14 The Regents Of The University Of Michigan Microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
US6167757B1 (en) 1997-09-08 2001-01-02 The Regents Of The University Of Michigan Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
US6718605B2 (en) 1997-09-08 2004-04-13 The Regents Of The University Of Michigan Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
US5905201A (en) * 1997-10-28 1999-05-18 Alliedsignal Inc. Micromachined rate and acceleration sensor and method
US6034414A (en) * 1997-11-18 2000-03-07 Industrial Technology Research Institute Variable capacitor using resistor generated heat to control dielectric thickness
WO2000028293A1 (de) 1998-11-06 2000-05-18 Siemens Aktiengesellschaft Kapazitiver messaufnehmer und betriebsverfahren
JP4238437B2 (ja) 1999-01-25 2009-03-18 株式会社デンソー 半導体力学量センサとその製造方法
US6497141B1 (en) * 1999-06-07 2002-12-24 Cornell Research Foundation Inc. Parametric resonance in microelectromechanical structures
AUPQ130999A0 (en) * 1999-06-30 1999-07-22 Silverbrook Research Pty Ltd A method and apparatus (IJ47V11)
US6386032B1 (en) 1999-08-26 2002-05-14 Analog Devices Imi, Inc. Micro-machined accelerometer with improved transfer characteristics
DE19961299B4 (de) * 1999-12-18 2009-04-30 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Erkennung des Klopfens bei einer Brennkraftmaschine
US6868726B2 (en) * 2000-01-20 2005-03-22 Analog Devices Imi, Inc. Position sensing with improved linearity
AUPR244801A0 (en) * 2001-01-10 2001-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd A method and apparatus (WSM01)
US6595056B2 (en) 2001-02-07 2003-07-22 Litton Systems, Inc Micromachined silicon gyro using tuned accelerometer
US6474160B1 (en) 2001-05-24 2002-11-05 Northrop Grumman Corporation Counterbalanced silicon tuned multiple accelerometer-gyro
US6619121B1 (en) 2001-07-25 2003-09-16 Northrop Grumman Corporation Phase insensitive quadrature nulling method and apparatus for coriolis angular rate sensors
FI119528B (fi) 2003-02-11 2008-12-15 Vti Technologies Oy Kapasitiivinen kiihtyvyysanturirakenne
FR2851368B1 (fr) * 2003-02-18 2008-03-07 Agence Spatiale Europeenne Composants electroniques comportant des condensateurs micro electromecaniques a capacite ajustable
US7055387B2 (en) * 2003-07-25 2006-06-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Apparatus for and method of sensing a measured input
JP2005098726A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Hosiden Corp 振動センサ
US20050132803A1 (en) * 2003-12-23 2005-06-23 Baldwin David J. Low cost integrated MEMS hybrid
FI119299B (fi) * 2005-06-17 2008-09-30 Vti Technologies Oy Menetelmä kapasitiivisen kiihtyvyysanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen kiihtyvyysanturi
ITPI20070036A1 (it) * 2007-03-29 2008-09-30 Univ Pisa Microgravimetro per prospezioni geofisiche
WO2008129865A1 (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Panasonic Corporation 慣性力センサ
US8499630B2 (en) * 2008-03-31 2013-08-06 Intel Corporation Piezoelectric sensor dynamic range improvement
US8187902B2 (en) 2008-07-09 2012-05-29 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. High performance sensors and methods for forming the same
DE102011006422B4 (de) * 2011-03-30 2019-02-28 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauteil und Sensorvorrichtung
ITTO20120542A1 (it) 2012-06-20 2013-12-21 St Microelectronics Srl Dispositivo microelettromeccanico con instradamento dei segnali attraverso un cappuccio protettivo e metodo per controllare un dispositivo microelettromeccanico
US10273147B2 (en) 2013-07-08 2019-04-30 Motion Engine Inc. MEMS components and method of wafer-level manufacturing thereof
WO2015003264A1 (en) 2013-07-08 2015-01-15 Motion Engine Inc. Mems device and method of manufacturing
WO2015013828A1 (en) 2013-08-02 2015-02-05 Motion Engine Inc. Mems motion sensor and method of manufacturing
WO2015103688A1 (en) 2014-01-09 2015-07-16 Motion Engine Inc. Integrated mems system
WO2015154173A1 (en) 2014-04-10 2015-10-15 Motion Engine Inc. Mems pressure sensor
US11674803B2 (en) 2014-06-02 2023-06-13 Motion Engine, Inc. Multi-mass MEMS motion sensor
CA3004760A1 (en) 2014-12-09 2016-06-16 Motion Engine Inc. 3d mems magnetometer and associated methods
WO2016112463A1 (en) 2015-01-15 2016-07-21 Motion Engine Inc. 3d mems device with hermetic cavity
US10712360B2 (en) 2017-09-27 2020-07-14 Azoteq (Pty) Ltd Differential charge transfer based accelerometer
USD933010S1 (en) 2019-05-29 2021-10-12 Milwaukee Electric Tool Corporation Portable power source

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS519592A (ja) * 1974-06-12 1976-01-26 Philips Nv

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3209601A (en) * 1962-08-16 1965-10-05 Gen Precision Inc Quartz accelerometer
US3691850A (en) * 1970-02-24 1972-09-19 North American Rockwell High sensitivity accelerometer
US3877313A (en) * 1973-07-23 1975-04-15 Singer Co Electrostatic accelerometer
FR2454103A1 (fr) * 1979-04-11 1980-11-07 Sagem Perfectionnements aux accelerometres pendulaires asservis
US4244225A (en) * 1979-06-08 1981-01-13 Itt Industries, Inc. Mechanical resonator arrangements
US4342227A (en) * 1980-12-24 1982-08-03 International Business Machines Corporation Planar semiconductor three direction acceleration detecting device and method of fabrication

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS519592A (ja) * 1974-06-12 1976-01-26 Philips Nv

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59168383A (ja) * 1983-03-07 1984-09-22 サ−トル・エレクトロニク・オルロジユ−ル・ソシエテ・アノニム 磁界測定装置
JPH0564308B2 (ja) * 1983-03-07 1993-09-14 Centre Electron Horloger
JPS60147654A (ja) * 1984-01-12 1985-08-03 Agency Of Ind Science & Technol 姿勢センサ
JPH03134570A (ja) * 1989-10-20 1991-06-07 Yamatake Honeywell Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2006517661A (ja) * 2003-02-11 2006-07-27 ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア 容量型加速度センサー
WO2007125961A1 (ja) * 2006-04-28 2007-11-08 Panasonic Electric Works Co., Ltd. 静電容量式センサ
JP2007298410A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Works Ltd 静電容量式センサ
US8176782B2 (en) 2006-04-28 2012-05-15 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Capacitive sensor
WO2008126409A1 (ja) * 2007-04-10 2008-10-23 Panasonic Corporation 加速度センサおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0339268B2 (ja) 1991-06-13
GB2101336A (en) 1983-01-12
DE3223987A1 (de) 1983-01-20
US4483194A (en) 1984-11-20
GB2101336B (en) 1985-01-23
CH642461A5 (fr) 1984-04-13
DE3223987C2 (de) 1995-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5810661A (ja) 加速度測定器
JP3672937B2 (ja) 小型シリコン加速度計及びその方法
US5665253A (en) Method of manufacturing single-wafer tunneling sensor
JP2938989B2 (ja) 角加速度センサ
US5036286A (en) Magnetic and electric force sensing method and apparatus
US5006487A (en) Method of making an electrostatic silicon accelerometer
US6350983B1 (en) Micro-electro-opto-mechanical inertial sensor
US5115291A (en) Electrostatic silicon accelerometer
JP5425824B2 (ja) 複合センサ
US3498138A (en) Accelerometer
US8096180B2 (en) Inertial sensor
GB2178856A (en) Integrated, force balanced accelerometer
US20040123660A1 (en) Rotational rate sensor
WO1996042111A1 (en) Cmos integrated microsensor with a precision measurement circuit
JP2003519797A (ja) 加速度計
JPH1090299A (ja) 静電容量式加速度センサ
EP0917652B1 (en) Tunneling sensor with linear force rebalance
FI81915B (fi) Kapacitiv accelerationsgivare och foerfarande foer framstaellning daerav.
US9511993B2 (en) Semiconductor physical quantity detecting sensor
Yeh et al. A low-voltage bulk-silicon tunneling-based microaccelerometer
US5911157A (en) Tunnel effect sensor
Parmar et al. Characterization of SOI technology based MEMS differential capacitive accelerometer and its estimation of resolution by near vertical tilt angle measurements
Zavracky et al. Design and process considerations for a tunneling tip accelerometer
US4459849A (en) Compact force measuring system
JP2882664B2 (ja) 流れ感知装置およびその作製方法