JP2002305792A5 - - Google Patents

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  1. その各々が、それぞれに前面と背面を有している比較的高い誘電率を有する圧電セラミック材料からなる第1及び第2の層であって、該第2層の前記前面は該第1層の前記背面に面している、第1及び第2の層と、
    前記第1層の前記前面と接触している第1の電極と、
    前記第2層の前記前面と前記第1層の前記背面の間にある第2の電極と、
    前記第2層の前記背面と接触している第3の電極と、
    前記第1と第3の電極を電気的に接続している第1の電極間接続と、
    前記第1電極間接続と前記第2の電極の相対するエッジとの間、並びに前記第1と第3の電極の間に広がるような、比較的低い誘電率を有する材料からなる第1のセグメントと、
    を備えている複数の素子を有する超音波トランスジューサ・アレイ。
  2. さらに、前記圧電セラミック材料からなる前記第1層の前記前面に面している表面を有する音響整合材料からなる層であって、前記第1層と該音響整合材料層との間に前記第1電極が配置されるようにした音響整合材料層を備えている、請求項1に記載の超音波トランスジューサ素子。
  3. 超音波トランスジューサ素子の製造方法であって、
    (a)比較的高い誘電率を有する圧電セラミック材料からなる第1の層に第1及び第2のビアを形成するステップと、
    (b)前記第1層上で前記第1及び第2のビアのうちの一方を除く領域に第1の金属電極を付着させるステップと、
    (c)前記第1層の最上面上で前記第1電極が間に入るようにして前記圧電セラミック材料からなる第2の層を付着させて1つのスタックを形成させるステップと、
    (d)前記圧電セラミック材料からなる前記第2層に、前記第1層の前記第1及び第2のビアと整列するように配置した第1及び第2のビアを形成するステップと、
    (e)前記第1及び第2のビアに比較的低い誘電率をもつ材料を充填するステップと、(f)前記第1及び第2の層をトリミングし比較的低い誘電率をもつ前記材料の表面を露出させるステップと、
    を含む方法。
  4. さらに、(a)前記第2層の背面に第2の金属電極(46)を結合させるステップと、
    (b)前記スタックの前面に第3の金属電極を結合させるステップと、
    (c)前記第2層の最上面上に前記第2電極が間に入るようにして前記圧電セラミック材料からなる第3の層を付着させて前記スタックの高さを増加させるステップと、
    (d)前記第3層の背面に第4の金属電極を結合させるステップと、
    (e)前記第2と第3の電極を電気的に接続させるように、前記低誘電率材料からなる露出表面のうちの少なくとも一方の上に金属の電極間接続を形成させるステップと、
    を含む請求項3に記載の製造方法。
  5. さらに、前記圧電セラミック材料と前記低誘電率材料とを共焼結させるステップを含む請求項3に記載の製造方法。
  6. 前記圧電セラミック材料はジルコン酸チタン酸鉛を含み、低い誘電率をもつ前記材料は、アルミナと、スズ酸鉛と、二酸化チタンと、チタン酸マグネシウムと、チタン酸カルシウムと、チタン酸ストロンチウムと、チタン酸ビスマスと、鉛のジルコン酸塩及びスズ酸塩と、アルカリ土類酸化物及び希土類酸化物と、等価材料と、からなる群のうちの1つを含んでいる、請求項3に記載の製造方法。
  7. さらに、ステップ(b)の前に、前記第1層の前記第1と第2のビアのうちの一方に一過性材料を充填するステップと、その後、ステップ(e)の前に、前記スタックを焼結させて充填させた前記一方のビアから前記一過性材料を焼き払うステップと、を含む請求項3に記載の製造方法。
  8. さらに、前記第3層の前記前面に音響整合材料からなる層(18)を結合させるステップであって、前記第3層と該音響整合材料層との間に前記第4電極が配置さ れるようにするステップを含む請求項3に記載の製造方法。
  9. 前記比較的高い誘電率が前記比較的低い誘電率と比べ約100倍の大きさである、請求項3に記載の製造方法。
  10. それぞれに前面と背面を有している比較的高い誘電率を有するセラミック材料からなる第1及び第2の層であって、該第2層の前記前面は該第1層の前記背面に面している、第1及び第2の層と、
    前記第1層の前記前面と接触している第1の電極と、
    前記第2層の前記前面と前記第1層の前記背面の間にある第2の電極と、
    前記第2層の前記背面と接触している第3の電極と、
    前記第1と第3の電極を電気的に接続している第1の電極間接続と、
    前記第1電極間接続と前記第2の電極の相対するエッジとの間、並びに前記第1と第3の電極の間に広がるような、比較的低い誘電率を有する材料からなる第1のセグメントと、
    を備える超音波トランスジューサ素子。
  11. 前面と背面を有している前記圧電セラミック材料からなる第3の層であって、該第3層の前記前面は前記第3の電極がその間に来るようにして前記第2層の前記背面に面している、第3の層と、
    前記第3層の前記背面と接触している第4の電極と、
    前記第2と第4の電極を電気的に接続している第2の電極間接続と、
    前記第2電極間接続と前記第1電極の相対するエッジとの間、並びに前記第2と第4の電極の間に広がるような、比較的低い誘電率を有する前記材料からなる第2のセグメントと、
    をさらに備える請求項1又は10に記載の超音波トランスジューサ素子。
  12. 前記圧電セラミック材料が焼結され、かつ低い誘電率を有する前記材料が焼結されている、請求項1又は10に記載の超音波トランスジューサ・アレイ。
  13. 前記圧電セラミック材料はジルコン酸チタン酸鉛を含み、低い誘電率を有する前記材料は、アルミナと、スズ酸鉛と、二酸化チタンと、チタン酸マグネシウムと、チタン酸カルシウムと、チタン酸ストロンチウムと、イットリウム安定化酸化ジルコニウムと、チタン酸ビスマスと、鉛のジルコン酸塩及びスズ酸塩と、アルカリ土類酸化物及び希土類酸化物と、等価材料と、からなる群のうちの1つを含んでいる、請求項10又は12に記載の超音波トランスジューサ・アレイ。
  14. 前記比較的高い誘電率が前記比較的低い誘電率と比べ約100倍の大きさである、請求項10に記載の超音波トランスジューサ・アレイ。
  15. 各素子内の前記圧電セラミック材料層の総数が3層を超えている、請求項11に記載の超音波トランスジューサ・アレイ。
  16. 複数のトランスジューサ素子と、
    前記トランスジューサ素子のうちの少なくとも1つを付勢して超音波エネルギーを送信させるためのパルス発生器と、
    前記トランスジューサ素子に返される超音波エネルギーに応答して生成される前記少なくとも1つのトランスジューサ素子からの電気的受信信号を受け取るための受信器チャンネルを含むビーム形成器と、
    前記受信信号を処理して画像データを形成させるための信号プロセッサと、
    前記画像データの関数であるような画像を表示するための表示サブシステムと、を含む超音波イメージング・システムであって、
    前記トランスジューサ素子の各々は、それぞれに前面と背面を有している比較的高い誘電率を有する圧電セラミック材料からなる第1及び第2の層であって、該第2層の前記前面は該第1層の前記背面に面している、第1及び第2の層と、
    前記第1層の前記前面と接触している第1の電極と、
    前記第2層の前記前面と前記第1層の前記背面の間にある第2の電極と、
    前記第2層の前記背面と接触している第3の電極と、
    前記第1と第3の電極を電気的に接続している電極間接続と、
    前記電極間接続と前記第2の電極の相対するエッジとの間、並びに前記第1と第3の電極の間に広がるような、比較的低い誘電率を有する材料からなるセグメントと、
    を備えている、超音波イメージング・システム。
  17. 前面と背面を有している前記圧電セラミック材料からなる第3の層であって、該第3層の前記前面は前記第3の電極がその間に来るようにして前記第2層の前記背面に面している、第3の層と、
    前記第3層の前記背面と接触している第4の電極と、
    前記第2と第4の電極を電気的に接続している第2の電極間接続と、
    前記第2電極間接続と前記第1電極の相対するエッジとの間、並びに前記第2と第4の電極の間に広がるような、比較的低い誘電率を有する前記材料からなる第2のセグメントと、
    をさらに備える請求項17に記載の超音波イメージング・システム。
  18. 前記素子の各々において前記圧電セラミック材料層の総数が3層を超えている、請求項17に記載の超音波イメージング・システム。
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