CN111803125A - 微型阵列超声换能器及其制备方法、包含其的超声探头 - Google Patents

微型阵列超声换能器及其制备方法、包含其的超声探头 Download PDF

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CN111803125A CN202010762307.0A CN202010762307A CN111803125A CN 111803125 A CN111803125 A CN 111803125A CN 202010762307 A CN202010762307 A CN 202010762307A CN 111803125 A CN111803125 A CN 111803125A
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朱鑫乐
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Abstract

本发明属于超声成像技术领域,具体涉及一种微型阵列超声换能器及其制备方法、包含其的超声探头。本发明提供的微型阵列超声探头包括依次层叠设置的柔性电路板、压电晶片和声匹配层,压电晶片的第一压电电极和压电柱形成若干线型阵元,且每个阵元任何部分都能参与工作,最大限度地发挥了每个阵元在长度方向上的性能,继而提高了该微型阵列超声换能器的性能;压电晶片的第二压电电极由压电材料层延伸至与第一压电电极同侧,不需单独引入连接线,降低了微型阵列超声换能器在厚度方向上的尺寸,实现了超声换能器的微型化。本发明提供的制备方法避免了常规超声换能器制备过程中因需对连接线精细加工以及与第二压电电极精确对接而导致工艺复杂的问题。

Description

微型阵列超声换能器及其制备方法、包含其的超声探头
技术领域
本发明属于超声成像技术领域,具体涉及一种微型阵列超声换能器及其制备方法、包含其的超声探头。
背景技术
超声成像广泛应用于医疗诊断、工业检测等领域,具有无损、便捷以及可靠等优点。通过超声探头产生的超声波信号在不透光介质内传播,然后接收不透光物体反射的信号强度、频率、时间以及相位等信息,并对该信息进行处理,从而获得反映被探测的不透光介质内部结构声学特性分布的直观图像。
超声探头是超声成像设备的关键组成部分,其主要包括内部的压电换能器、电路部分、外壳部分等,根据压电换能器的数量可将超声探头分为单阵元超声探头和多阵元超声探头,而多阵元超声探头根据换能器的排布方式又可分为线阵型、凸阵型、面阵型等。
超声换能器的性能直接决定了超声成像的质量,其结构一般由压电片、背衬层、声匹配层、柔性电路板和声透镜等组成,其中,压电片1包括压电层11、第一电极12和第二电极13,其设置方式如图1所示,第二电极13设置在压电层11两侧,使得阵元长度方向的两端无法参与工作,限制了阵元在长度方向上性能的发挥,继而降低了超声换能器的性能;同时,受材料等因素限制为获得较好的线型阵元,第二电极13厚度不得不增加,增加了压电片1的厚度。再者,在将第二电极13引至与第一电极12同侧以方便引出至成像系统时,需在第二电极13上引入连接线14,引入连接线14使得超声换能器结构和制备工艺复杂化,需要对引入的连接线14进行精细加工以及与第二电极13的精确对接,工艺越复杂,就越难保证产品质量,尤其在一些微型超声换能器设计中显得更为突显。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有的超声换能器由于电极连接线的存在从而使得产品结构和制备工艺复杂并导致超声成像性能差的缺陷,从而提供一种微型阵列超声换能器、该微型超声换能器的制备方法以及包含该微型阵列超声换能器的超声探头。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
本发明提供一种微型阵列超声换能器,包括依次层叠设置的柔性电路板、压电晶片和声匹配层:
所述柔性电路板上阵列设置有若干线型第一电路电极和至少一个第二电路电极;
所述压电晶片包括具有压电柱的压电材料层、阵列设置在所述压电材料层朝向所述柔性电路板一侧表面的若干线型第一压电电极以及覆盖在所述压电材料层朝向所述声匹配层一侧表面并沿所述压电材料层部分边缘延伸至所述压电材料层朝向所述柔性电路板一侧表面的平面型第二压电电极;
其中,若干所述第一电路电极与若干所述第一压电电极一一对应连接,所述第一电路电极与所述第二压电电极连接,且所述第二压电电极和相邻的所述第一压电电极之间以及相邻的两个所述第一压电电极之间形成线型压电电极间隙。
优选地,该结构的微型阵列超声换能器,所述压电材料层选自1-3型压电复合材料。
进一步优选地,该结构的微型阵列超声换能器,所述压电材料层朝向所述柔性电路板的一侧表面上设置有与所述压电电极间隙对应的凹槽结构。
优选地,该结构的微型阵列超声换能器,所述第一压电电极与所述第一电路电极的线型设置方式一致,选自直线段、圆弧线段、椭圆弧段、正弦曲线段中的任一种。
进一步优选地,该结构的微型阵列超声换能器,所述第一压电电极、所述第一电路电极形成(1~3)×(8~128)矩形阵列;
沿垂直于线型延伸方向上相邻的两个所述第一压电电极或相邻的两个所述第一电路电极平行;沿平行于线型延伸方向上相邻的两个所述第一压电电极或相邻的两个所述第一电路电极错开。
进一步优选地,该结构的微型阵列超声换能器,沿垂直于线型延伸方向上相邻的两个所述第一电路电极之间设置有与所述第一电路电极线型一致的电路电极间隙;
所述电路电极间隙与所述压电电极间隙、所述凹槽结构对应设置。
进一步优选地,该结构的微型阵列超声换能器,所述柔性电路板远离所述压电晶片的一侧表面上设置有背衬层,所述声匹配层远离所述压电晶片的一侧表面上设置有声透镜;
所述声透镜、所述声匹配层、所述压电晶片、所述柔性电路板和所述背衬层的总厚度≤1.5mm,总宽度≤2mm。
本发明提供一种如上所述的微型阵列超声换能器的制备方法,包括以下步骤:
在所述压电材料层两表面及部分边缘设置连续导电片层,形成包边结构的所述压电晶片;
对所述压电晶片一侧表面的所述导电片层进行首次切割以形成首个所述压电电极间隙以及位于首个所述压电电极间隙两侧的互不连接的第一压电导电层和第二压电导电层;对所述第一压电导电层进行若干次切割,形成阵列设置的线型所述第一压电电极,所述第二压电导电层形成平面型所述第二压电电极;
印制柔性电路板,形成与所述第一压电电极对应的若干所述第一电路电极以及与所述第二压电电极对应的所述第二电路电极;
将所述压电晶片与所述柔性电路板压接,实现所述第一压电电极与一一对应连接、与所述第一压电电极同侧的所述第二压电电极与所述第二电路电极对应连接;在所述压电晶片远离所述柔性电路板的一侧表面上设置所述声匹配层。
本发明还提供一种如上所述的微型阵列超声换能器的另一种制备方法,包括以下步骤:
在所述压电材料层两表面及部分边缘设置连续导电片层,形成包边结构的所述压电晶片;
印制柔性电路板,形成阵列设置的若干线型第一电路电极和至少一个第二电路电极;
将所述柔性电路板、所述声匹配层分别设置在所述压电晶片两表面,并使所述第二电路电极位于包边结构侧;
沿所述第二电路电极和相邻的所述第一电路电极之间间隙以及相邻两个所述第一电路电极之间间隙,对所述柔性电路板、所述导电片层进行切割,形成若干电路电极间隙及对应的所述压电电极间隙,以形成阵列设置的所述第一压电电极以及位于所述第一压电电极同侧的所述第二压电电极;
在所述柔性电路板远离所述压电晶片的一侧表面上设置所述背衬层,在所述声匹配层远离所述压电晶片的一侧表面上设置所述声透镜层。
本发明提供一种超声探头,包括:
壳体,具有内腔;
位于所述内腔的如上所述的微型阵列超声换能器;
将所述微型阵列超声换能器内柔性电路板的第一电路电极和第二电路电极分别引出至所述壳体外的第一引出电极和第二引出电极。
本发明技术方案,具有如下优点:
1.本发明提供的微型阵列超声换能器包括依次层叠设置的柔性电路板、压电晶片和声匹配层。其中,柔性电路板上阵列设置有若干线型第一电路电极和至少一个第二电路电极;压电晶片包括具有压电柱的压电材料层、阵列设置在压电材料层朝向柔性电路板一侧表面的若干线型第一压电电极以及覆盖在压电材料层朝向声匹配层一侧表面并沿压电材料层部分边缘延伸至压电材料层朝向柔性电路板一侧表面的平面型第二压电电极;若干第一电路电极与若干第一压电电极一一对应连接,第一电路电极与第二压电电极连接,且第二压电电极和相邻的第一压电电极之间以及相邻的两个第一压电电极之间形成线型压电电极间隙。
该结构的微型阵列超声换能器,压电材料层内具有若干压电柱,在其一侧表面设置若干线型第一压电电极,在其另一侧面设置平面型第二压电电极,相邻的两个第一压电电极之间形成线型压电电极间隙,第一压电电极和压电柱形成若干线型阵元,且每个阵元任何部分都能参与工作,最大限度地发挥了每个阵元在长度方向上的性能,同时降低了微型阵列超声换能器在厚度方向上的尺寸,实现了超声换能器的微型化,继而提高了该微型阵列超声换能器的性能;同时,第二压电电极由压电材料层延伸至与第一压电电极同侧,不需单独引入连接线,避免了常规超声换能器制备过程中因需对连接线精细加工以及与第二压电电极精确对接而导致工艺复杂的问题。
2.本发明提供的微型阵列换能器,压电材料层选用1-3型压电复合材料,由垂直于压电材料层两表面的若干压电柱形成,该压电复合材料具有一个个独立的阵元,每个阵元在工作过程中不会受其它阵元的影响,整体性能更加优越;更为重要地,若干压电柱可并联于同一个线型的第一压电电极上,从而形成足够多的线型阵元,很大程度地提高微型阵列换能器的性能。
3.本发明提供的微型阵列超声换能器,第一电路电极线型选自直线段、圆弧线段、椭圆弧段、正弦曲线段中的任一种,第一压电电极、凹槽结构对应地选自上述线型中的任一种,从而形成多种形式的线型阵元,以实现微型阵列超声换能器的波束偏转、聚焦等功能。
4.本发明提供的微型阵列超声换能器,沿垂直于线型延伸方向上相邻的两个第一电路电极平行,沿平行于线型延伸方向上相邻的两个第一电路电极错开,可在加工条件有限的情况下进一步减小第一电路电极之间的距离,从而实现微型阵列超声换能器的微型化设计。
5.本发明提供的微型阵列超声换能器,第一压电电极、第一电路电极形成(1~3)×(8~128)矩形阵列,集成化设置实现了超声换能器的微型化。
6.本发明提供的微型阵列超声换能器的制备方法,先对压电晶片一侧表面的导电片层进行切割,形成若干线型第一压电电极和至少一个第二压电电极,然后将柔性电路板的第一电路电极、第二电路电极分别与第一压电电极、第二压电电极连接,最后设置声匹配层,即可形成微型阵列超声换能器的核心结构,对切割精度要求低,无需单独引入连接线,简化了制备工艺,提高了产品的生产效率和成品率。
7.本发明提供的微型阵列超声换能器的制备方法,先将声匹配层、印制好第一电路电极和第二电路电极的柔性电路板分别设置在压电晶片的两表面,再沿着相邻第二电路电极和第一电路电极之间间隙、相邻两个第一电路电极之间间隙进行切割,最后分别设置背衬层和声透镜层,即可形成微型阵列超声换能器的核心结构。该制备方法,声匹配层、压电晶片、柔性电路板一次压接成型,解决了常规各层通过胶层粘接固定而导致厚度增加的问题,而且该制备方法能够提供阵列方式多样、数量足够多的线型阵元。
8.本发明提供的超声探头,包含微型阵列超声换能器和第一引出电极、第二引出电极,一方面实现了超声探头性能提升和结构微型化的统一,另一方面方便与成像主机连接,能够很好地用于体内超声成像。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的压电片结构示意图;
图2为本发明实施例1提供的微型阵列超声换能器结构示意图;
图3为本发明实施例1提供的压电晶片结构示意图;
图4为本发明实施例1提供的压电柱结构示意图;
图5为本发明实施例1提供的压电晶片局部结构放大示意图;
图6为本发明实施例1提供的压电晶片俯视图;
图7为本发明实施例1提供的柔性电路板结构示意图;
图8为本发明实施例2提供的微型阵列超声换能器的制备方法流程图;
图9为本发明实施例3提供的微型阵列超声换能器的另一种制备方法流程图;
图10为本发明实施例4提供的超声探头结构示意图;
附图标记说明:
1-压电片;11-压电层;12-第一电极;13-第二电极;14-连接线;
2-微型阵列超声换能器;21-压电晶片;211-压电材料层;2111-压电柱;2112-凹槽结构;212-第一压电电极;213-第二压电电极;22-柔性电路板;221-第一电路电极;222-第二电路电极;223-电路电极间隙;23-声匹配层;24-背衬层;25-声透镜层;
3-超声探头;31-壳体;32-超声换能器;33-引出电极;331-第一引出电极;332-第二引出电极;
4-成像主机。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外,下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本实施例提供一种微型阵列超声换能器2,如图2所示,包括压电晶片21、柔性电路板22、声匹配层23、背衬层24和声透镜层25。
压电晶片21是微型阵列超声换能器2的核心部件,在接收电压后产生振动并输出超声波,压电晶片21的形状、材质、厚度等参数直接影响着微型阵列超声换能器2的性能,继而决定了超声成像质量。如图3所示,压电晶片21包括压电材料层211、第一压电电极212和第二压电电极213。
压电材料层211形状可选自矩形、圆形、椭圆形等几何形状,其材质可选自压电单晶(如铌酸锂、PMNT等)、压电陶瓷(如PbTiO3、PZT等)、压电聚合物(如PVDF、TrFE等)和压电复合材料(如陶瓷/聚合物、单晶/聚合物等)等,其厚度为20~500μm。
本实施例中,压电材料层211材质选用1-3型压电复合材料,其本身具有垂直于两表面的若干压电柱2111,如图4所示,压电柱2111之间相互独立,有助于形成一个个独立阵元,每个阵元在工作过程中不受其它阵元的影响,使得整体性能更加优越,因此,1-3型压电复合材料在制作工艺上体现出比其它常规压电材料更多的优势,即不需对压电材料层211进行深度切割等加工便可形成上述若干独立压电柱2111,然后在若干独立压电柱2111设置压电电极再与柔性电路板连接即可形成所需形式的阵元结构。
本实施例中,压电材料层211设计为矩形,为方便压电柱2111与其它部件连接以形成较为理想的线型阵元结构,在压电材料层211的一侧表面通过切割等方法形成若干线型的凹槽结构2112,如图5所示,使得凸起的压电柱2111形成更规则的压电线阵。
其中,凹槽结构2112的线型可以是直线段、圆弧线段、椭圆弧段、正弦曲线段等几何线型的任一种,自然地,压电线阵也可选自上述几种线型;凹槽结构2112和压电线阵各自形成(1~3)×(8~128)矩形阵列。本实施例中,凹槽结构2112和压电线阵均为直线段型,均为2×32矩形阵列,每个凹槽结构2112、每个压电线阵的线型整体延伸方向与压电材料层211宽度方向一致;并且,沿垂直于各自线型延伸方向上相邻的两个凹槽结构2112互相平行、相邻的两个压电线阵互相平行,沿平行于各自线型延伸方向上相邻的两个凹槽结构2112互相错开、相邻的两个压电线阵互相错开,如图6所示,既获得了线型阵元结构,又节约了空间。
每一个压电线阵包含若干独立压电柱2111,且在每个压电线阵之间(即凹槽结构2112内)填充有隔离材料,如环氧胶、空气等,则每一个压电线阵的压电柱2111与电极等其它部件连接时,相邻压电线阵之间互不影响,即可形成较为理想的线型阵元结构,超声性能得到提升;同时,将压电材料层211厚度优选设计为50~150μm,更优选为100μm,使得超声换能器更加微型化。
如图4、图5和图6所示,第一压电电极212为若干线型阵列,设置在压电材料层211具有凹槽结构2112的一侧部分表面上。第一压电电极212的线型与压电线阵的线型一致,可选自直线段、圆弧线段、椭圆弧段、正弦曲线段等几何线型中的任一种,本实施例中,第一压电电极212为直线段型,呈2×32矩形阵列,通过蒸镀方式与压电线阵一一对应连接,无需使用粘接层,降低了超声换能器的厚度。
如图3所示,第二压电电极213呈矩形,完全覆盖在压电材料层211另一侧面,即凹槽结构2112的反面,并至少一端沿压电材料层211部分边缘延伸至第一压电电极212侧形成包边结构,并与第一压电电极212之间形成压电电极间隙(图中未标注),该压电电极间隙对应凹槽结构2112,如图5所示。本实施例中,第二压电电极213两端均沿压电材料层211的两短边延伸至第一压电电极212侧形成双侧包边结构。
上述第一压电电极212、第二压电电极213均为蒸镀金电极,厚度为200nm~800nm,优选500nm,降低了微型阵列超声换能器2在厚度方向上的尺寸,并通过第二压电电极213双侧包边结构实现了与第一电路电极212同侧,不需单独引入连接线,并避免了常规超声换能器制备过程中因需对连接线精细加工以及与第二压电电极213精确对接而导致工艺复杂的问题。同时,第一压电电极212呈线型,第二压电电极213呈平面型,形成良好的线型阵元结构。
如图2和图7所示,柔性电路板22设置在压电材料层21具有凹槽结构2112的一侧表面,厚度为40μm,包括第一电路电极221、第二电路电极222和电路电极间隙223。第一电路电极221设置若干,形成(1~3)×(8~128)矩形阵列,与压电线阵排布方式一致,以利于二者一一对应连接;第一电路电极221呈线型,选自直线段、圆弧线段、椭圆弧段、正弦曲线段等几何线型中的任一种。本实施例中,若干第一电路电极221呈2×32矩形阵列排布,每一个第一电路电极221线型选自与第一压电电极212一致的直线段型,其线型延伸方向平行于压电晶片21宽度方向。并且,沿垂直于线型延伸方向上相邻的两个第一电路电极221平行,二者间隙形成线型电路电极间隙223,电路电极间隙223与第一电路电极221线型保持一致,也即,该电路电极间隙223与凹槽结构2112、压电电极间隙线型设置方式也一致;沿平行于线型延伸方向上相邻的两个第一电路电极221错开。第二电路电极222设置在柔性电路板22的两端,与相邻的第一电路电极221之间也设置有电路电极间隙223,实现第二电路电极222和第一电路电极221的不连接。将柔性电路板22压接在压电晶片21上,以将若干第一电路电极221与若干第一压电电极212一一对应连接、第二电路电极222与第二压电电极213连接,同时凹槽结构2112、压电电极间隙也与电路电极间隙223对应,实现了柔性电路板22与压电晶片21的连接。
如图2所示,声匹配层23厚度为5~100μm,优选50μm,设置在压电晶片21远离柔性电路板22的一侧表面上;背衬层24厚度为200~800μm,优选500μm,设置在柔性电路板22远离压电晶片21的一侧表面上;声透镜层25厚度为100~500μm,优选300μm,设置在声匹配层23远离压电晶片21的一侧表面上。该结构的微型阵列超声换能器各层(声透镜层25、声匹配层23、压电晶片21、柔性电路板22和背衬层24)的总厚度≤1.5mm,总宽度≤2mm。
实施例2
本实施例提供一种如实施例1所述的微型阵列超声换能器的制备方法,如图8所示,包括以下步骤:
第一步,制备具有包边结构的压电晶片
在压电材料层211两表面及部分边缘设置连续导电片层,形成包边结构的压电晶片21。具体地,在矩形的1-3型压电复合材料的上下两表面及两短边通过蒸镀、电化学沉积、磁控溅射等方式设置连续的导电片层,该导电片层仅包覆压电材料层211的两短边,两长边不设置导电片层,即形成双侧包边结构的压电晶片21。本实施例中,采用蒸镀方式。
作为可替换的实施方式,导电片层也可以只包覆压电材料层211的两长边,两短边不设置导电片层。
作为可替换的实时方式,导电片层也可以只包覆一个边缘,如只包覆一个长边或者只包覆一个短边,只要是部分边缘包覆即可。
第二步,形成第一压电电极和第二压电电极
沿着包边结构(即平行于压电材料层211短边方向),对第一步中压电晶片21一侧表面的导电片层进行首次切割,形成首个压电电极间隙,则导电片层被分为位于首个压电电极间隙两侧互不连接的第一压电导电层和第二压电导电层;
沿着首个压电电极间隙方向,对第一压电导电层进行若干次切割,形成阵列设置的线型且平行的若干第一压电电极212;
第二压电导电层不切割,形成平面型第二压电电极213。
由于1-3型压电复合材料具有压电柱2111结构,故上述切割深度控制在大于等于第一压电导电层厚度,能保证切断第一压电导电层即可,简化了工艺;切割深度也可以延伸至压电材料层211内,形成凹槽结构2112,从而使得形成的线型阵元结构性能更优。
本实施例中,切割深度只切断第一压电导电层。
第三步,印制柔性电路板
印制柔性电路板22,形成与第一压电电极212对应的若干第一电路电极221以及与第二压电电极213对应的第二电路电极222。
第四步,压电晶片、柔性电路板、声匹配层压合成型
先将柔性电路板22通过压接方式设置在压电晶片21具有压电电极间隙的一侧表面上,使得第一压电电极212与第一电路电极221一一对应连接、与第一压电电极212同侧的第二压电电极213与第二电路电极222对应连接,然后再将声匹配层23通过压接方式设置在压电晶片21远离柔性电路板22的一侧表面上,即形成微型阵列超声换能器2核心结构。
本实施例提供的制备方法,只需对压电材料层211进行切割即可形成压电电极阵列结构,再将印制有电路电极的柔性电路板22、声匹配层23与压电晶片21压合成型即形成微型阵列超声换能器2核心结构,无需对柔性电路板22进行切割。
实施例3
本实施例提供一种如实施例1所述的微型阵列超声换能器的另一种制备方法,如图9所示,包括以下步骤:
第一步,制备具有包边结构的压电晶片
在压电材料层211两表面及部分边缘设置连续导电片层,形成包边的压电晶片21。具体地,在矩形的1-3型压电复合材料的上下两表面及两短边通过蒸镀、电化学沉积、磁控溅射等方式设置连续的导电片层,该导电片层仅包覆压电材料层211的两短边,两长边不设置导电片层,即形成双侧包边结构的压电晶片21。本实施例中,采用蒸镀方式。
作为可替换的实施方式,导电片层也可以只包覆压电材料层211的两长边,两短边不设置导电片层。
作为可替换的实时方式,导电片层也可以只包覆一个边缘,如只包覆一个长边或者只包覆一个短边,只要是部分边缘包覆即可。
第二步,印制柔性电路板
印制柔性电路板22,形成若干第一电路电极212和至少一个第二电路电极213。
本实施例中,形成两个第二电路电极213。
第三步,压电晶片、柔性电路板、声匹配层压接成型
将柔性电路板22、声匹配层23通过压接方式设置在压电晶片21的两表面,使第二电路电极222位于包边结构侧,且第一电路电极221、第二电路电极222延伸方向与压电晶片21宽度方向一致。
第四步,形成第一压电电极和第二压电电极
沿第二电路电极222和与之相邻的第一电路电极221之间间隙、相邻的两个第一电路电极221之间间隙,对柔性电路板22、导电片层进行切割,在柔性电路板22上形成若干电路电极间隙223,在导电片层上形成与电路电极间隙223对应的压电电极间隙,在压电晶片21上形成与电路电极间隙223对应的凹槽结构2112,则导电片层形成阵列设置的若干线型第一压电电极212以及与至少一个第二压电电极213,且该第二压电电极213与第一压电电极212位于压电材料层211的同侧,使得第一压电电极212与第一电路电极221一一对应连接、与第一压电电极212同侧的第二压电电极213与第二电路电极222对应连接。压电晶片21的另一侧不进行切割,形成平面型第二压电电极212。
由于1-3型压电复合材料具有压电柱2111结构,故上述切割深度控制在大于等于第一压电导电层厚度,能保证切断第一压电导电层即可,简化了工艺;切割深度也可以延伸至压电材料层211内,形成凹槽结构2112,从而使得形成的线型阵元结构性能更优。
本实施例中,切割深度也可以延伸至压电材料层211内,形成凹槽结构2112。
第五步,背衬层、声透镜层压接
在柔性电路板22远离压电晶片21的一侧表面上压接背衬层24,在声匹配层23远离压电晶片21的一侧表面上压接声透镜层25,即形成微型阵列超声换能器2。
本实施例提供的制备方法,先将柔性电路板22与压电晶片21压接再切割,即可形成压电电极阵列结构和电路电极阵列结构,并实现压电电极和对应的电路电极连接,再将背衬层24、声透镜层25与上述结构压接成型即形成微型阵列超声换能器2。
实施例4
本实施例提供一种超声探头3,如图10所示,包括壳体31、超声换能器32和引出电极33。
壳体31具有内腔;超声换能器32位于该内腔,采用实施例1提供的微型阵列超声换能器;引出电极33一端与超声换能器32内的电路板电极连接,另一端与成像主机4连接;其中,引出电极33包括第一引出电极331和第二引出电极332,分别与第一电路电极221、第二电路电极222连接。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种微型阵列超声换能器,包括依次层叠设置的柔性电路板、压电晶片和声匹配层,其特征在于:
所述柔性电路板上阵列设置有若干线型第一电路电极和至少一个第二电路电极;
所述压电晶片包括具有压电柱的压电材料层、阵列设置在所述压电材料层朝向所述柔性电路板一侧表面的若干线型第一压电电极以及覆盖在所述压电材料层朝向所述声匹配层一侧表面并沿所述压电材料层部分边缘延伸至所述压电材料层朝向所述柔性电路板一侧表面的平面型第二压电电极;
其中,若干所述第一电路电极与若干所述第一压电电极一一对应连接,所述第一电路电极与所述第二压电电极连接,且所述第二压电电极和相邻的所述第一压电电极之间以及相邻的两个所述第一压电电极之间形成线型压电电极间隙。
2.根据权利要求1所述的微型阵列超声换能器,其特征在于,所述压电材料层选自1-3型压电复合材料。
3.根据权利要求2所述的微型阵列超声换能器,其特征在于,所述压电材料层朝向所述柔性电路板的一侧表面上设置有与所述压电电极间隙对应的凹槽结构。
4.根据权利要求3所述的微型阵列超声换能器,其特征在于,所述第一压电电极与所述第一电路电极的线型设置方式一致,选自直线段、圆弧线段、椭圆弧段、正弦曲线段中的任一种。
5.根据权利要求4所述的微型阵列超声换能器,其特征在于,所述第一压电电极、所述第一电路电极形成(1~3)×(8~128)矩形阵列;
沿垂直于线型延伸方向上相邻的两个所述第一压电电极或相邻的两个所述第一电路电极平行;沿平行于线型延伸方向上相邻的两个所述第一压电电极或相邻的两个所述第一电路电极错开。
6.根据权利要求5所述的微型阵列超声换能器,其特征在于,沿垂直于线型延伸方向上相邻的两个所述第一电路电极之间设置有与所述第一电路电极线型一致的电路电极间隙;
所述电路电极间隙与所述压电电极间隙、所述凹槽结构对应设置。
7.根据权利要求1-6任一所述的微型阵列超声换能器,其特征在于,所述柔性电路板远离所述压电晶片的一侧表面上设置有背衬层,所述声匹配层远离所述压电晶片的一侧表面上设置有声透镜;
所述声透镜、所述声匹配层、所述压电晶片、所述柔性电路板和所述背衬层的总厚度≤1.5mm,总宽度≤2mm。
8.一种如权利要求1所述的微型阵列超声换能器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在所述压电材料层两表面及部分边缘设置连续导电片层,形成包边结构的所述压电晶片;
对所述压电晶片一侧表面的所述导电片层进行首次切割以形成首个所述压电电极间隙以及位于首个所述压电电极间隙两侧的互不连接的第一压电导电层和第二压电导电层;对所述第一压电导电层进行若干次切割,形成阵列设置的线型所述第一压电电极,所述第二压电导电层形成平面型所述第二压电电极;
印制柔性电路板,形成与所述第一压电电极对应的若干所述第一电路电极以及与所述第二压电电极对应的所述第二电路电极;
将所述压电晶片与所述柔性电路板压接,实现所述第一压电电极与一一对应连接、与所述第一压电电极同侧的所述第二压电电极与所述第二电路电极对应连接;在所述压电晶片远离所述柔性电路板的一侧表面上设置所述声匹配层。
9.一种如权利要求7所述的微型阵列超声换能器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在所述压电材料层两表面及部分边缘设置连续导电片层,形成包边结构的所述压电晶片;
印制柔性电路板,形成阵列设置的若干线型第一电路电极和至少一个第二电路电极;
将所述柔性电路板、所述声匹配层分别设置在所述压电晶片两表面,并使所述第二电路电极位于包边结构侧;
沿所述第二电路电极和相邻的所述第一电路电极之间间隙以及相邻两个所述第一电路电极之间间隙,对所述柔性电路板、所述导电片层进行切割,形成若干电路电极间隙及对应的所述压电电极间隙,以形成阵列设置的所述第一压电电极以及位于所述第一压电电极同侧的所述第二压电电极;
在所述柔性电路板远离所述压电晶片的一侧表面上设置所述背衬层,在所述声匹配层远离所述压电晶片的一侧表面上设置所述声透镜层。
10.一种超声探头,其特征在于,包括:
壳体,具有内腔;
位于所述内腔的权利要求1-7任一所述的微型阵列超声换能器;
将所述微型阵列超声换能器内柔性电路板的第一电路电极和第二电路电极分别引出至所述壳体外的第一引出电极和第二引出电极。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113143320A (zh) * 2021-04-30 2021-07-23 吉林大学 一种多模式测量的柔性超声换能器
CN113451499A (zh) * 2021-07-05 2021-09-28 大连理工大学 一种压电晶片主动传感器封装结构
CN113588795A (zh) * 2021-06-24 2021-11-02 清华大学 柔性超声面阵的制作方法、柔性超声面阵及超声成像方法
WO2022104683A1 (zh) * 2020-11-20 2022-05-27 深圳先进技术研究院 一种阵列式超声换能器及其制作方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022104683A1 (zh) * 2020-11-20 2022-05-27 深圳先进技术研究院 一种阵列式超声换能器及其制作方法
CN113143320A (zh) * 2021-04-30 2021-07-23 吉林大学 一种多模式测量的柔性超声换能器
CN113588795A (zh) * 2021-06-24 2021-11-02 清华大学 柔性超声面阵的制作方法、柔性超声面阵及超声成像方法
CN113451499A (zh) * 2021-07-05 2021-09-28 大连理工大学 一种压电晶片主动传感器封装结构
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