JP2002305087A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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- JP2002305087A JP2002305087A JP2001107660A JP2001107660A JP2002305087A JP 2002305087 A JP2002305087 A JP 2002305087A JP 2001107660 A JP2001107660 A JP 2001107660A JP 2001107660 A JP2001107660 A JP 2001107660A JP 2002305087 A JP2002305087 A JP 2002305087A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高効率、長寿命の有機電界発光素子を提供す
る。 【解決手段】 有機電界発光素子は、基板１の上に、ハ
ードコート層１Ａ、透明電極層２、有機電界発光層３、
カーボンナノチューブ層４および金属電極層５を順に積
層して構成されている。カーボンナノチューブ層４は、
金属的な導電性を有するもの、ｎ＝ｍまたはｎ−ｍが３
の倍数（ｎ，ｍはカイラル指数）となるようなカーボン
ナノチューブからなり、層面に対してチューブの軸が垂
直となるように配向している。このような素子に電圧を
印加すると、低電圧でも層面（チューブ先端部）には強
い電界が生じ、カーボンナノチューブから多くの電子が
取り出され、高輝度な発光が得られる。
る。 【解決手段】 有機電界発光素子は、基板１の上に、ハ
ードコート層１Ａ、透明電極層２、有機電界発光層３、
カーボンナノチューブ層４および金属電極層５を順に積
層して構成されている。カーボンナノチューブ層４は、
金属的な導電性を有するもの、ｎ＝ｍまたはｎ−ｍが３
の倍数（ｎ，ｍはカイラル指数）となるようなカーボン
ナノチューブからなり、層面に対してチューブの軸が垂
直となるように配向している。このような素子に電圧を
印加すると、低電圧でも層面（チューブ先端部）には強
い電界が生じ、カーボンナノチューブから多くの電子が
取り出され、高輝度な発光が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を構成
要素に含む有機電界発光素子に係り、特に、有機ＥＬ
（Electroluminescence)ディスプレイ装置に好適に用い
られる有機電界発光素子に関する。
要素に含む有機電界発光素子に係り、特に、有機ＥＬ
（Electroluminescence)ディスプレイ装置に好適に用い
られる有機電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータやテレビジョン、携
帯用通信機器などに代表される各種の表示装置は軽量・
薄型化が加速化しており、それに伴ってフラットパネル
ディスプレイの開発が盛んに推し進められてきている。
フラットパネルディスプレイは、軽量であるだけでな
く、ブラウン管すなわちＣＲＴ（Cathode Ray Tube）装
置よりも発光効率に優れており、次世代表示装置として
期待されている。そのうち、現在商品化されているのは
アクティブマトリクス駆動方式の液晶ディスプレイ（Ｌ
ＣＤ；Liquid Crystal Display）である。このＬＣＤ
は、自ら発光せずに外部よりの光（バックライト）を受
けて表示するタイプのディスプレイであり、周囲が暗い
環境下ではバックライトの消費電力が大きい、視野角が
狭い、十分な高速応答性を備えていない等の問題点が指
摘されている。
帯用通信機器などに代表される各種の表示装置は軽量・
薄型化が加速化しており、それに伴ってフラットパネル
ディスプレイの開発が盛んに推し進められてきている。
フラットパネルディスプレイは、軽量であるだけでな
く、ブラウン管すなわちＣＲＴ（Cathode Ray Tube）装
置よりも発光効率に優れており、次世代表示装置として
期待されている。そのうち、現在商品化されているのは
アクティブマトリクス駆動方式の液晶ディスプレイ（Ｌ
ＣＤ；Liquid Crystal Display）である。このＬＣＤ
は、自ら発光せずに外部よりの光（バックライト）を受
けて表示するタイプのディスプレイであり、周囲が暗い
環境下ではバックライトの消費電力が大きい、視野角が
狭い、十分な高速応答性を備えていない等の問題点が指
摘されている。
【０００３】これに対し、フィールドエミッションディ
スプレイ（ＦＥＤ；Field EmissionDisplay）や、有機
発光材料を用いた有機ＥＬディスプレイは、バックライ
トが不要である自発光型のフラットパネルディスプレイ
であり、自発光型特有の広い視野角を有している。ま
た、必要な画素のみを点灯させればよいので更なる消費
電力の低減を図ることが可能であり、十分な応答速度も
備えていると考えられている。ＦＥＤは、画素毎にミク
ロンサイズの極微小電子源を集積したもので、ＣＲＴと
同様の動作原理で発光する。ＦＥＤの電子源（陰極）と
しては、電界放射現象によって電子を放出するフィール
ドエミッタが最も実用化に近いが、動作電圧が８０Ｖ程
度と高いなど改善すべき点も多い。
スプレイ（ＦＥＤ；Field EmissionDisplay）や、有機
発光材料を用いた有機ＥＬディスプレイは、バックライ
トが不要である自発光型のフラットパネルディスプレイ
であり、自発光型特有の広い視野角を有している。ま
た、必要な画素のみを点灯させればよいので更なる消費
電力の低減を図ることが可能であり、十分な応答速度も
備えていると考えられている。ＦＥＤは、画素毎にミク
ロンサイズの極微小電子源を集積したもので、ＣＲＴと
同様の動作原理で発光する。ＦＥＤの電子源（陰極）と
しては、電界放射現象によって電子を放出するフィール
ドエミッタが最も実用化に近いが、動作電圧が８０Ｖ程
度と高いなど改善すべき点も多い。
【０００４】一方、有機ＥＬディスプレイは、対向する
陰極と陽極の間に、電子輸送層，発光層および正孔輸送
層からなる有機電界発光層を挟んだ構造のＥＬ素子から
なり、それぞれの電極から注入される電子と正孔が発光
層で再結合して発光する。そのうち、電子輸送層は、陰
極から注入された電子を発光部に輸送するためのもので
あり、良好な電子輸送材料は仕事関数が低い金属材料に
限ってエネルギー準位が一致する最低非占有分子軌道
（ＬＵＭＯ；Lowest Unoccupied Molecular Orbital)を
有する。従って、有機ＥＬディスプレイ用の陰極材料と
しては、できるだけＬＵＭＯとエネルギー準位を一致さ
せ、効率よく電子を注入するために、仕事関数が低い材
料が好ましい。
陰極と陽極の間に、電子輸送層，発光層および正孔輸送
層からなる有機電界発光層を挟んだ構造のＥＬ素子から
なり、それぞれの電極から注入される電子と正孔が発光
層で再結合して発光する。そのうち、電子輸送層は、陰
極から注入された電子を発光部に輸送するためのもので
あり、良好な電子輸送材料は仕事関数が低い金属材料に
限ってエネルギー準位が一致する最低非占有分子軌道
（ＬＵＭＯ；Lowest Unoccupied Molecular Orbital)を
有する。従って、有機ＥＬディスプレイ用の陰極材料と
しては、できるだけＬＵＭＯとエネルギー準位を一致さ
せ、効率よく電子を注入するために、仕事関数が低い材
料が好ましい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、仕事関
数が低い金属材料は一般的には、化学的に活性である。
例えば、カルシウム（Ｃａ）やマグネシウム（Ｍｇ）は
電子輸送材料であるトリス（８−ヒドロキシキノリン）
アルミニウム（tris(8-hydroxyquinoline)aluminum；Ａ
ｌｑ3 ）のＬＵＭＯと十分一致するが、空気中で変質し
たり、有機材料と化学反応を生じたりすることにより、
素子の劣化を招く虞がある。そのために、仕事関数が大
きなアルミニウム（Ａｌ）等が陰極に用いられることも
ある。Ａｌ等は化学的に安定であるが、逆に、これらよ
りなる陰極から電子輸送層のＬＵＭＯに電子注入するた
めには、高い電圧が必要となる。動作電圧が高いと、素
子のオーム損失が増大して効率が低下するだけでなく、
必要以上に強い電界が相互拡散や寄生的な再結合あるい
は化学反応を促進して有機電界発光層を劣化させる。こ
のように、陰極の導電性と化学的安定性は有機ＥＬ素子
の効率や寿命に影響を与えるが、この２つの条件を同時
に満足するような陰極材料は未だ開発されてはいない。
数が低い金属材料は一般的には、化学的に活性である。
例えば、カルシウム（Ｃａ）やマグネシウム（Ｍｇ）は
電子輸送材料であるトリス（８−ヒドロキシキノリン）
アルミニウム（tris(8-hydroxyquinoline)aluminum；Ａ
ｌｑ3 ）のＬＵＭＯと十分一致するが、空気中で変質し
たり、有機材料と化学反応を生じたりすることにより、
素子の劣化を招く虞がある。そのために、仕事関数が大
きなアルミニウム（Ａｌ）等が陰極に用いられることも
ある。Ａｌ等は化学的に安定であるが、逆に、これらよ
りなる陰極から電子輸送層のＬＵＭＯに電子注入するた
めには、高い電圧が必要となる。動作電圧が高いと、素
子のオーム損失が増大して効率が低下するだけでなく、
必要以上に強い電界が相互拡散や寄生的な再結合あるい
は化学反応を促進して有機電界発光層を劣化させる。こ
のように、陰極の導電性と化学的安定性は有機ＥＬ素子
の効率や寿命に影響を与えるが、この２つの条件を同時
に満足するような陰極材料は未だ開発されてはいない。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、高効率、長寿命の有機電界発光素子
を提供することにある。
ので、その目的は、高効率、長寿命の有機電界発光素子
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による有機電界発
光素子は、陰極がカーボンナノチューブを含んでいるも
のである。カーボンナノチューブは、グラフィン（単層
グラファイト）を筒状に丸めた立体構造を有し、およそ
直径０．５ｎｍ〜１０ｎｍ、長さ１μｍの円筒（チュー
ブ）状の炭素材料である。このカーボンナノチューブ
は、最近、ＦＥＤの冷陰極の電子材料としてダイヤモン
ドと共に注目されている。冷陰極は、従来の熱電子放出
型の電極とは異なり、加熱することなく電子を取り出す
ことができるが、カーボンナノチューブ電極には更に、
熱電子放出型よりも高強度の電子ビームが得られるとい
う優れた特徴がある。例えば、ダイヤモンドの電界放出
電流密度は１０4 Ａ／ｃｍ2 であるが、カーボンナノチ
ューブでは１０6 Ａ／ｃｍ2以上にもなる。
光素子は、陰極がカーボンナノチューブを含んでいるも
のである。カーボンナノチューブは、グラフィン（単層
グラファイト）を筒状に丸めた立体構造を有し、およそ
直径０．５ｎｍ〜１０ｎｍ、長さ１μｍの円筒（チュー
ブ）状の炭素材料である。このカーボンナノチューブ
は、最近、ＦＥＤの冷陰極の電子材料としてダイヤモン
ドと共に注目されている。冷陰極は、従来の熱電子放出
型の電極とは異なり、加熱することなく電子を取り出す
ことができるが、カーボンナノチューブ電極には更に、
熱電子放出型よりも高強度の電子ビームが得られるとい
う優れた特徴がある。例えば、ダイヤモンドの電界放出
電流密度は１０4 Ａ／ｃｍ2 であるが、カーボンナノチ
ューブでは１０6 Ａ／ｃｍ2以上にもなる。
【０００８】本発明による有機電界発光素子は、陰極に
このカーボンナノチューブを含むように構成したもので
あり、その結果、高い電界放出電流密度を有すると共に
化学的に安定な電子源を備えたものとなり、動作電圧を
高く設定する必要がなく、かつ、経時的変質や劣化が生
じ難くなる。
このカーボンナノチューブを含むように構成したもので
あり、その結果、高い電界放出電流密度を有すると共に
化学的に安定な電子源を備えたものとなり、動作電圧を
高く設定する必要がなく、かつ、経時的変質や劣化が生
じ難くなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】図１は、本発明の一実施の形態に係る有機
電界発光素子の断面構造を表すものである。この有機電
界発光素子は、例えば、基板１の上に、ハードコート層
１Ａ、透明電極層２、有機電界発光層３、カーボンナノ
チューブ層４および金属電極層５を順に積層して構成さ
れている。
電界発光素子の断面構造を表すものである。この有機電
界発光素子は、例えば、基板１の上に、ハードコート層
１Ａ、透明電極層２、有機電界発光層３、カーボンナノ
チューブ層４および金属電極層５を順に積層して構成さ
れている。
【００１１】基板１は、透明な材料からなることが好ま
しく、ここでは、例えば厚さ２００μｍ程度のポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ；Poly(Ethylene Terephth
alate)）を用いる。基板１としては、これ以外にもポリ
カーボネート（ＰＣ；Poly Carbonate），ポリオレフィ
ン（ＰＯ；Poly Olefin ）およびポリエーテルサルフォ
ン（ＰＥＳ；Poly Eter Sulphone）などの高分子ポリマ
ー系材料や、薄膜ガラスを用いることができる。また、
ハードコート層１Ａは、基板１をコーティングして基板
強度を向上させるためのものであり、例えば厚さ６μｍ
のアクリル樹脂から構成される。但し、ハードコート層
１Ａは必ずしも設けられる必要はない。
しく、ここでは、例えば厚さ２００μｍ程度のポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ；Poly(Ethylene Terephth
alate)）を用いる。基板１としては、これ以外にもポリ
カーボネート（ＰＣ；Poly Carbonate），ポリオレフィ
ン（ＰＯ；Poly Olefin ）およびポリエーテルサルフォ
ン（ＰＥＳ；Poly Eter Sulphone）などの高分子ポリマ
ー系材料や、薄膜ガラスを用いることができる。また、
ハードコート層１Ａは、基板１をコーティングして基板
強度を向上させるためのものであり、例えば厚さ６μｍ
のアクリル樹脂から構成される。但し、ハードコート層
１Ａは必ずしも設けられる必要はない。
【００１２】透明電極層２は、陽極であり、効率良く正
孔を正孔輸送層に注入するために真空準位からの仕事関
数が大きく、かつ、基板１の側から光を取り出すために
透光性を有する材料から構成されていることが望まし
い。そのような材料として具体的には、インジウムとス
ズの複合酸化物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），酸化ス
ズ（ＳｎＯ2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。特
に、生産性、制御性の観点からはＩＴＯを用いるのが好
ましく、その厚みは例えば１５０ｎｍ程度である。
孔を正孔輸送層に注入するために真空準位からの仕事関
数が大きく、かつ、基板１の側から光を取り出すために
透光性を有する材料から構成されていることが望まし
い。そのような材料として具体的には、インジウムとス
ズの複合酸化物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），酸化ス
ズ（ＳｎＯ2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。特
に、生産性、制御性の観点からはＩＴＯを用いるのが好
ましく、その厚みは例えば１５０ｎｍ程度である。
【００１３】有機電界発光層３は、透明電極層２の側か
ら順に、正孔輸送層３１、発光層３２および電子輸送層
３３が積層されてなる有機化合物層であり、その総厚を
例えば１５０ｎｍ程度とする。正孔輸送層３１は、透明
電極層２から注入された正孔を発光層３２まで輸送する
ものである。正孔輸送層３１の材料としては、例えば、
ベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポル
フィリン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾ
ール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，ア
リールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレ
ノン，ヒドラゾン，スチルベン，あるいはこれらの誘導
体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール
系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合
物等の複素環式共役系のモノマー，オリゴマーあるいは
ポリマーを用いることができる。具体的には、α−ナフ
チルフェニルジアミン，ポルフィリン，金属テトラフェ
ニルポルフィリン，金属ナフタロシアニン，４，４，４
−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフ
ェニルアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（ｐ−トリ
ル）ｐ−フェニレンジアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ
フェニル４，４−ジアミノビフェニル，Ｎ−フェニルカ
ルバゾール，４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン，ポ
リ（パラフェニレンビニレン），ポリ（チオフェンビニ
レン），ポリ（２，２−チエニルピロール）等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
ら順に、正孔輸送層３１、発光層３２および電子輸送層
３３が積層されてなる有機化合物層であり、その総厚を
例えば１５０ｎｍ程度とする。正孔輸送層３１は、透明
電極層２から注入された正孔を発光層３２まで輸送する
ものである。正孔輸送層３１の材料としては、例えば、
ベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポル
フィリン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾ
ール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，ア
リールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレ
ノン，ヒドラゾン，スチルベン，あるいはこれらの誘導
体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール
系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合
物等の複素環式共役系のモノマー，オリゴマーあるいは
ポリマーを用いることができる。具体的には、α−ナフ
チルフェニルジアミン，ポルフィリン，金属テトラフェ
ニルポルフィリン，金属ナフタロシアニン，４，４，４
−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフ
ェニルアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（ｐ−トリ
ル）ｐ−フェニレンジアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ
フェニル４，４−ジアミノビフェニル，Ｎ−フェニルカ
ルバゾール，４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン，ポ
リ（パラフェニレンビニレン），ポリ（チオフェンビニ
レン），ポリ（２，２−チエニルピロール）等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【００１４】発光層３２は、金属電極層５および透明電
極層２による電圧印加時に、金属電極層５および透明電
極層２のそれぞれから電子および正孔が注入され、さら
にこれら電子および正孔が再結合する領域である。ま
た、発光層３２は、発光効率が高い材料、例えば、低分
子蛍光色素，蛍光性の高分子，金属錯体等の有機材料か
ら構成されている。具体的には、例えば、アントラセ
ン，ナフタリン，フェナントレン，ピレン，クリセン，
ペリレン，ブタジエン，クマリン，アクリジン，スチル
ベン，トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体，
ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体，トリ（ジ
ベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体
ジトルイルビニルビフェニルが挙げられる。
極層２による電圧印加時に、金属電極層５および透明電
極層２のそれぞれから電子および正孔が注入され、さら
にこれら電子および正孔が再結合する領域である。ま
た、発光層３２は、発光効率が高い材料、例えば、低分
子蛍光色素，蛍光性の高分子，金属錯体等の有機材料か
ら構成されている。具体的には、例えば、アントラセ
ン，ナフタリン，フェナントレン，ピレン，クリセン，
ペリレン，ブタジエン，クマリン，アクリジン，スチル
ベン，トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体，
ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体，トリ（ジ
ベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体
ジトルイルビニルビフェニルが挙げられる。
【００１５】電子輸送層３３は、金属電極層５から注入
される電子を発光層３２に輸送するためのものである。
電子輸送層３３の材料としては、例えば、キノリン，ペ
リレン，ビススチリル，ピラジン，またはこれらの誘導
体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシ
キノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3 ），アントラセ
ン，ナフタリン，フェナントレン，ピレン，クリセン，
ペリレン，ブタジエン，クマリン，アクリジン，スチル
ベン，またはこれらの誘導体が挙げられる。
される電子を発光層３２に輸送するためのものである。
電子輸送層３３の材料としては、例えば、キノリン，ペ
リレン，ビススチリル，ピラジン，またはこれらの誘導
体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシ
キノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3 ），アントラセ
ン，ナフタリン，フェナントレン，ピレン，クリセン，
ペリレン，ブタジエン，クマリン，アクリジン，スチル
ベン，またはこれらの誘導体が挙げられる。
【００１６】カーボンナノチューブ層４および金属電極
層５は、共に陰極として機能する。すなわち、カーボン
ナノチューブ層４は主に電子源となり、金属電極層５の
方は、主に配線電極として電気的導通を担う。
層５は、共に陰極として機能する。すなわち、カーボン
ナノチューブ層４は主に電子源となり、金属電極層５の
方は、主に配線電極として電気的導通を担う。
【００１７】カーボンナノチューブ層４については、チ
ューブの構造、サイズ等は任意であり、その層厚は、例
えば２ｎｍ〜１μｍ程度とすることができる。但し、こ
こでは、カーボンナノチューブの軸が層面に対し垂直方
向に配向し、層面が林立するカーボンナノチューブの無
数の先端部からなるものとする。効率良く電子を放出す
るために、従来の電子源（陰極）では、電子輸送層３３
との界面におけるエネルギー準位差をなくすよう仕事関
数が考慮されていたが、本実施の形態ではこのようにし
て、材料の形状と配向により電子放出能自体を向上させ
るようにしている。
ューブの構造、サイズ等は任意であり、その層厚は、例
えば２ｎｍ〜１μｍ程度とすることができる。但し、こ
こでは、カーボンナノチューブの軸が層面に対し垂直方
向に配向し、層面が林立するカーボンナノチューブの無
数の先端部からなるものとする。効率良く電子を放出す
るために、従来の電子源（陰極）では、電子輸送層３３
との界面におけるエネルギー準位差をなくすよう仕事関
数が考慮されていたが、本実施の形態ではこのようにし
て、材料の形状と配向により電子放出能自体を向上させ
るようにしている。
【００１８】更に、カーボンナノチューブには、価電子
状態の違いによって金属的なものと半導体的なものが存
在するが、ここでは導電性の良い構造である方が好まし
い。ところで、カーボンナノチューブの構造はカイラル
ベクトルにより決定される。カイラルベクトルは、チュ
ーブの円筒面の赤道に対応しており、丁度、チューブを
軸に沿って展開して得られるグラフィンの２次元格子ベ
クトルである。よって、カイラルベクトルは基本格子ベ
クトルａ1 ，ａ2 の線形結合ｎａ1 ＋ｍａ2 ＝（ｎ，
ｍ）として表される。（ｎ，ｍ）はカイラル指数と呼ば
れ、ｎ＝ｍのときにはアームチェア型チューブ、ｍ＝０
のときにはジグザグ型チューブ、それ以外の場合にはカ
イラル型チューブとなる。このように、カイラルベクト
ルはチューブの立体構造を一意的に決定するが、それと
同時に、カーボンナノチューブのバンド状態をも支配し
ている。すなわち、その電子状態はグラフィンの２次元
電子状態にチューブの周期境界条件を課して得られるＮ
個（チューブの単位胞に含まれるグラファイトの六角形
の単位胞の数；Ｎはｎとｍの関数）の線形に分散する一
次元エネルギーバンドの集まりであり、赤道方向のＮ個
の離散的な波数の１つがフェルミエネルギーの縮重点に
くる場合には金属的、縮重点にこない場合にはギャップ
が開き半導体となる。その規則（１／３則）は、ｎ−ｍ
が３の倍数であれば金属、そうでなければ半導体となる
ことを示しており、アームチェア型チューブ（ｎ＝ｍ）
の場合は全てが金属である。従って、ここでは、アーム
チェア型チューブ、または、ｎ−ｍが３の倍数となるよ
うなナノチューブを用いることが好ましい。
状態の違いによって金属的なものと半導体的なものが存
在するが、ここでは導電性の良い構造である方が好まし
い。ところで、カーボンナノチューブの構造はカイラル
ベクトルにより決定される。カイラルベクトルは、チュ
ーブの円筒面の赤道に対応しており、丁度、チューブを
軸に沿って展開して得られるグラフィンの２次元格子ベ
クトルである。よって、カイラルベクトルは基本格子ベ
クトルａ1 ，ａ2 の線形結合ｎａ1 ＋ｍａ2 ＝（ｎ，
ｍ）として表される。（ｎ，ｍ）はカイラル指数と呼ば
れ、ｎ＝ｍのときにはアームチェア型チューブ、ｍ＝０
のときにはジグザグ型チューブ、それ以外の場合にはカ
イラル型チューブとなる。このように、カイラルベクト
ルはチューブの立体構造を一意的に決定するが、それと
同時に、カーボンナノチューブのバンド状態をも支配し
ている。すなわち、その電子状態はグラフィンの２次元
電子状態にチューブの周期境界条件を課して得られるＮ
個（チューブの単位胞に含まれるグラファイトの六角形
の単位胞の数；Ｎはｎとｍの関数）の線形に分散する一
次元エネルギーバンドの集まりであり、赤道方向のＮ個
の離散的な波数の１つがフェルミエネルギーの縮重点に
くる場合には金属的、縮重点にこない場合にはギャップ
が開き半導体となる。その規則（１／３則）は、ｎ−ｍ
が３の倍数であれば金属、そうでなければ半導体となる
ことを示しており、アームチェア型チューブ（ｎ＝ｍ）
の場合は全てが金属である。従って、ここでは、アーム
チェア型チューブ、または、ｎ−ｍが３の倍数となるよ
うなナノチューブを用いることが好ましい。
【００１９】金属電極層５は、カーボンナノチューブ層
４の導電性を補うために設けられるものであり、主に配
線電極としての機能を有している。そのような材料とし
ては、例えば、アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），金
（Ａｕ），銅（Ｃｕ）などが挙げられる。これらの金属
は単体で用いてもよく、または、他の金属との合金とし
て安定性を高めて使用してもよい。なお、金属電極層５
の厚みは例えば１００ｎｍとする。
４の導電性を補うために設けられるものであり、主に配
線電極としての機能を有している。そのような材料とし
ては、例えば、アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），金
（Ａｕ），銅（Ｃｕ）などが挙げられる。これらの金属
は単体で用いてもよく、または、他の金属との合金とし
て安定性を高めて使用してもよい。なお、金属電極層５
の厚みは例えば１００ｎｍとする。
【００２０】このような構成を有する有機電界発光素子
は、例えば、以下のようにして製造することができる。
は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【００２１】まず、例えば厚さ６μｍのアクリル樹脂か
らなるハードコート層１Ａによりコーティングされてい
る、例えば厚さ１８８μｍのＰＥＴからなる基板１を用
意する。基板１のハードコート層１Ａの上に、以下の各
層を順次形成する。まず、透明電極層２として、例え
ば、反応性ＤＣスパッタリングにより、ＩＴＯを１５０
ｎｍの厚さに形成する。
らなるハードコート層１Ａによりコーティングされてい
る、例えば厚さ１８８μｍのＰＥＴからなる基板１を用
意する。基板１のハードコート層１Ａの上に、以下の各
層を順次形成する。まず、透明電極層２として、例え
ば、反応性ＤＣスパッタリングにより、ＩＴＯを１５０
ｎｍの厚さに形成する。
【００２２】次いで、透明電極層２の上に有機電界発光
層３を形成する。有機電界発光層３は、例えば真空蒸着
法により、正孔輸送層３１、発光層３２および電子輸送
層３３をこの順に成膜することにより形成される。その
際には、例えば、正孔輸送層３１として４，４，４−ト
リス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニ
ルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を、発光層３２として
４, ４' −ビス［Ｎ−（ナフチル) −Ｎ−フェニルアミ
ノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を、電子輸送層３３とし
てトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムをそ
れぞれ用いる。こうして得られる有機電界発光層３の総
厚は、例えば１５０ｎｍとする。
層３を形成する。有機電界発光層３は、例えば真空蒸着
法により、正孔輸送層３１、発光層３２および電子輸送
層３３をこの順に成膜することにより形成される。その
際には、例えば、正孔輸送層３１として４，４，４−ト
リス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニ
ルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を、発光層３２として
４, ４' −ビス［Ｎ−（ナフチル) −Ｎ−フェニルアミ
ノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を、電子輸送層３３とし
てトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムをそ
れぞれ用いる。こうして得られる有機電界発光層３の総
厚は、例えば１５０ｎｍとする。
【００２３】続いて、有機電界発光層３上に、例えばＣ
ＶＤ（Chemical Vapor Depositin）法を用いてカーボン
ナノチューブ層４を形成する。その他にもカーボンナノ
チューブの製造法としては、アーク放電法、レーザアブ
レーション法などがあるが、ＣＶＤ法は、これらに比
べ、大量生産が可能であり、比較的低温で製造でき、配
向制御が可能であるという点で優れており、好ましい。
ＶＤ（Chemical Vapor Depositin）法を用いてカーボン
ナノチューブ層４を形成する。その他にもカーボンナノ
チューブの製造法としては、アーク放電法、レーザアブ
レーション法などがあるが、ＣＶＤ法は、これらに比
べ、大量生産が可能であり、比較的低温で製造でき、配
向制御が可能であるという点で優れており、好ましい。
【００２４】また、ＣＶＤ法におけるナノチューブ生成
には、例えばコバルト（Ｃｏ）などの金属触媒が用いら
れるが、この触媒は微粒子であることが必須である。そ
のような金属微粒子、並びに調製方法はどのようなもの
であってもよいが、金属微粒子を逆ミセル法により調製
することが好ましい。逆ミセル法とは、表面活性剤に囲
まれた微少な空間の中で金属イオンを還元することによ
って金属ナノ粒子を合成する方法であり、金や銀のナノ
粒子合成にはよく用いられる方法である。こうして得ら
れる金属触媒の微粒子を基板上にキャストし、例えばア
セチレンの希釈ガスを供給して反応させることにより、
軸が層面に対し垂直方向に配向しているカーボンナノチ
ューブ層４が形成される。なお、逆ミセル法で得た触媒
液は、大気中で安定であり、取り扱いが容易であり、ス
クリーン印刷法やインクジェットプリンタと組み合わせ
れば素子の大面積化、パターニング、曲面上への形成に
も対応可能である。
には、例えばコバルト（Ｃｏ）などの金属触媒が用いら
れるが、この触媒は微粒子であることが必須である。そ
のような金属微粒子、並びに調製方法はどのようなもの
であってもよいが、金属微粒子を逆ミセル法により調製
することが好ましい。逆ミセル法とは、表面活性剤に囲
まれた微少な空間の中で金属イオンを還元することによ
って金属ナノ粒子を合成する方法であり、金や銀のナノ
粒子合成にはよく用いられる方法である。こうして得ら
れる金属触媒の微粒子を基板上にキャストし、例えばア
セチレンの希釈ガスを供給して反応させることにより、
軸が層面に対し垂直方向に配向しているカーボンナノチ
ューブ層４が形成される。なお、逆ミセル法で得た触媒
液は、大気中で安定であり、取り扱いが容易であり、ス
クリーン印刷法やインクジェットプリンタと組み合わせ
れば素子の大面積化、パターニング、曲面上への形成に
も対応可能である。
【００２５】更に、カーボンナノチューブ層４上に、例
えば、真空蒸着法を用いてＡｌよりなる厚さ１００ｎｍ
の金属電極層５を形成する。このようにして、有機電界
発光素子が作製される。
えば、真空蒸着法を用いてＡｌよりなる厚さ１００ｎｍ
の金属電極層５を形成する。このようにして、有機電界
発光素子が作製される。
【００２６】この有機電界発光素子では、透明電極層２
と金属電極層５との間に所定の電圧が印加されることに
より、透明電極層２と、主にカーボンナノチューブ層４
から、それぞれ正孔および電子が注入される。これら正
孔および電子は、正孔輸送層３１および電子輸送層３３
を介して発光層３２に輸送され、これらが再結合するこ
とにより発光が起こる。ここでは、電子源として配向性
のあるカーボンナノチューブ層４を備えるようにしたの
で、低電圧でも層面（チューブ先端部）には強い電界が
生じ、カーボンナノチューブから多くの電子が取り出さ
れるので、発光は高輝度となる。例えば、動作電圧を８
Ｖとして輝度１０4 ｃｄ／ｍ2 で発光させることができ
る。
と金属電極層５との間に所定の電圧が印加されることに
より、透明電極層２と、主にカーボンナノチューブ層４
から、それぞれ正孔および電子が注入される。これら正
孔および電子は、正孔輸送層３１および電子輸送層３３
を介して発光層３２に輸送され、これらが再結合するこ
とにより発光が起こる。ここでは、電子源として配向性
のあるカーボンナノチューブ層４を備えるようにしたの
で、低電圧でも層面（チューブ先端部）には強い電界が
生じ、カーボンナノチューブから多くの電子が取り出さ
れるので、発光は高輝度となる。例えば、動作電圧を８
Ｖとして輝度１０4 ｃｄ／ｍ2 で発光させることができ
る。
【００２７】このように、本実施の形態においては、有
機電界発光素子の電子源としてカーボンナノチューブ層
４を設けるようにしたので、低い動作電圧であっても十
分な量の電界放出電子が得られ、素子の高輝度化を図る
ことができる。また、本実施の形態では、カーボンナノ
チューブ層４はチューブの軸が層面に垂直方向に配向す
るようにしたので、より効果的に電子を取り出すことが
できる。
機電界発光素子の電子源としてカーボンナノチューブ層
４を設けるようにしたので、低い動作電圧であっても十
分な量の電界放出電子が得られ、素子の高輝度化を図る
ことができる。また、本実施の形態では、カーボンナノ
チューブ層４はチューブの軸が層面に垂直方向に配向す
るようにしたので、より効果的に電子を取り出すことが
できる。
【００２８】また、化学的に安定なカーボンナノチュー
ブ層４を電子輸送層３３に接するように設けたので、両
者の化学反応による劣化が防止される。
ブ層４を電子輸送層３３に接するように設けたので、両
者の化学反応による劣化が防止される。
【００２９】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形が可能である。例えば、有機電界発光素子
の構成は、上記実施の形態で説明したものに限らず、金
属電極層５の上に劣化防止等のために保護層を設けるな
ど各種の機能層を挿入・付加するようにしてもよい。但
し、その場合にも、カーボンナノチューブ層は電子輸送
層に接するように設けることが望ましい。ちなみに、保
護層は、有機電界発光素子を封止し、酸素や水分を遮断
するものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯx ），窒
化ケイ素（ＳｉＮx ），酸化アルミニウム（Ａｌ
Ｏx ），窒化アルミニウム（ＡｌＮx ）などにより形成
することができる。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形が可能である。例えば、有機電界発光素子
の構成は、上記実施の形態で説明したものに限らず、金
属電極層５の上に劣化防止等のために保護層を設けるな
ど各種の機能層を挿入・付加するようにしてもよい。但
し、その場合にも、カーボンナノチューブ層は電子輸送
層に接するように設けることが望ましい。ちなみに、保
護層は、有機電界発光素子を封止し、酸素や水分を遮断
するものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯx ），窒
化ケイ素（ＳｉＮx ），酸化アルミニウム（Ａｌ
Ｏx ），窒化アルミニウム（ＡｌＮx ）などにより形成
することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子によれ
ば、陰極がカーボンナノチューブを含んでいるので、陰
極から取り出せる電子の量が多くなる。よって、低い動
作電圧で高輝度の発光を得ることが可能となる。また、
陰極が化学的に安定な材料で構成されるので、経時的変
質や劣化が防止されて長寿命化することができる。
項４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子によれ
ば、陰極がカーボンナノチューブを含んでいるので、陰
極から取り出せる電子の量が多くなる。よって、低い動
作電圧で高輝度の発光を得ることが可能となる。また、
陰極が化学的に安定な材料で構成されるので、経時的変
質や劣化が防止されて長寿命化することができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機電界発光素子
の概略構成を表す断面図である。
の概略構成を表す断面図である。
１…基板、１Ａ…ハードコート層、２…透明電極層、３
…有機電界発光層、３１…正孔輸送層、３２…発光層、
３３…電子輸送層、４…カーボンナノチューブ層、５…
金属電極層
…有機電界発光層、３１…正孔輸送層、３２…発光層、
３３…電子輸送層、４…カーボンナノチューブ層、５…
金属電極層
Claims (4)
- 【請求項１】 有機電界発光層を介して対向する陰極と
陽極とを備えた有機電界発光素子であって、 前記陰極がカーボンナノチューブを含んでいることを特
徴とする有機電界発光素子。 - 【請求項２】 前記陰極はカーボンナノチューブ層を前
記有機電界発光層の側に有することを特徴とする請求項
１記載の有機電界発光素子。 - 【請求項３】 前記カーボンナノチューブ層はその軸が
層面に対し垂直方向に配向していることを特徴とする請
求項２記載の有機電界発光素子。 - 【請求項４】 前記カーボンナノチューブ層はカイラル
指数ｎ，ｍがｎ＝ｍまたはｎ−ｍが３の倍数となるカー
ボンナノチューブからなることを特徴とする請求項２記
載の有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107660A JP2002305087A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107660A JP2002305087A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002305087A true JP2002305087A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=18959941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001107660A Pending JP2002305087A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002305087A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1434470A2 (en) * | 2002-12-24 | 2004-06-30 | Samsung SDI Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device |
| WO2005055672A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Rohm Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| WO2005083751A2 (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-09 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Semiconductor device and method using nanotube contacts |
| KR100813248B1 (ko) | 2006-03-09 | 2008-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 나노로드를 이용한 전계발광소자 |
| WO2008062642A1 (fr) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | Nec Corporation | Dispositif semiconducteur et son procédé de fabrication |
| JP2008243567A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Takiron Co Ltd | 機能性薄膜素子、表示体、調光体、光起電力モジュール、導電層のイオン化ポテンシャル制御方法、及び機能性薄膜素子の製造方法 |
| EP1993326A1 (de) * | 2007-05-18 | 2008-11-19 | LYTTRON Technology GmbH | Teilchen mit Nanostrukturen enthaltendes Elektrolumineszenzelement |
| EP2013926A2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-01-14 | The Regents of the University of California | Organic light emitting diodes with structured electrodes |
| US8217401B2 (en) | 2004-06-05 | 2012-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device using nano size needle |
| JP2012216489A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-11-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光素子及び光電変換素子、並びにこれらの製造方法 |
| JP2013077417A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Mitsubishi Materials Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| US9165996B2 (en) | 2012-10-19 | 2015-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
| US9642252B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-05-02 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
| US9742018B2 (en) | 2010-12-17 | 2017-08-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Hydrogen oxidation and generation over carbon films |
| US10115972B2 (en) | 2009-04-30 | 2018-10-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Single wall carbon nanotube based air cathodes |
| US10374158B2 (en) | 2017-08-30 | 2019-08-06 | Tsinghua University | Method for making organic light emitting diode |
| TWI678011B (zh) * | 2017-08-30 | 2019-11-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 有機發光二極體的製備方法 |
| US10815576B2 (en) | 2013-11-20 | 2020-10-27 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Carbon dioxide reduction over carbon-containing materials |
| US11121341B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-09-14 | Tsinghua University | Organic light emitting diode including electron transport layer including carbon nanotubes |
-
2001
- 2001-04-05 JP JP2001107660A patent/JP2002305087A/ja active Pending
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7411343B2 (en) | 2002-12-24 | 2008-08-12 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device |
| EP1434470A2 (en) * | 2002-12-24 | 2004-06-30 | Samsung SDI Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device |
| EP1434470A3 (en) * | 2002-12-24 | 2006-05-31 | Samsung SDI Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device |
| WO2005055672A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Rohm Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| WO2005083751A3 (en) * | 2004-02-20 | 2007-03-22 | Univ Florida | Semiconductor device and method using nanotube contacts |
| WO2005083751A2 (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-09 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Semiconductor device and method using nanotube contacts |
| KR101216124B1 (ko) | 2004-02-20 | 2012-12-27 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. | 반도체 장치 및 나노튜브 접촉부 이용 방법 |
| US8168965B2 (en) | 2004-02-20 | 2012-05-01 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Semiconductor device and method using nanotube contacts |
| US8217401B2 (en) | 2004-06-05 | 2012-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device using nano size needle |
| KR100813248B1 (ko) | 2006-03-09 | 2008-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 나노로드를 이용한 전계발광소자 |
| US8324651B2 (en) | 2006-04-26 | 2012-12-04 | The Regents Of The University Of California | Organic light emitting diodes with structured electrodes |
| EP2013926A2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-01-14 | The Regents of the University of California | Organic light emitting diodes with structured electrodes |
| JP2009535767A (ja) * | 2006-04-26 | 2009-10-01 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 構造化された電極を有する有機発光ダイオード |
| EP2013926A4 (en) * | 2006-04-26 | 2011-06-29 | Univ California | ORGANIC LUMINAIRE DIODES WITH STRUCTURED ELECTRODES |
| WO2008062642A1 (fr) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | Nec Corporation | Dispositif semiconducteur et son procédé de fabrication |
| US8093580B2 (en) | 2006-11-22 | 2012-01-10 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008243567A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Takiron Co Ltd | 機能性薄膜素子、表示体、調光体、光起電力モジュール、導電層のイオン化ポテンシャル制御方法、及び機能性薄膜素子の製造方法 |
| WO2008142013A1 (de) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Lyttron Technology Gmbh | Teilchen mit nanostrukturen enthaltendes elektrolumineszenzelement |
| EP1993326A1 (de) * | 2007-05-18 | 2008-11-19 | LYTTRON Technology GmbH | Teilchen mit Nanostrukturen enthaltendes Elektrolumineszenzelement |
| US10115972B2 (en) | 2009-04-30 | 2018-10-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Single wall carbon nanotube based air cathodes |
| JP2012216489A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-11-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光素子及び光電変換素子、並びにこれらの製造方法 |
| US10181614B2 (en) | 2010-12-17 | 2019-01-15 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Hydrogen oxidation and generation over carbon films |
| US9742018B2 (en) | 2010-12-17 | 2017-08-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Hydrogen oxidation and generation over carbon films |
| US9768460B2 (en) | 2010-12-17 | 2017-09-19 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Hydrogen oxidation and generation over carbon films |
| US9642252B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-05-02 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
| US9642253B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-05-02 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
| US9775241B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-09-26 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
| JP2013077417A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Mitsubishi Materials Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| US9165996B2 (en) | 2012-10-19 | 2015-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
| US10815576B2 (en) | 2013-11-20 | 2020-10-27 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Carbon dioxide reduction over carbon-containing materials |
| US10374158B2 (en) | 2017-08-30 | 2019-08-06 | Tsinghua University | Method for making organic light emitting diode |
| TWI678011B (zh) * | 2017-08-30 | 2019-11-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 有機發光二極體的製備方法 |
| US11121341B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-09-14 | Tsinghua University | Organic light emitting diode including electron transport layer including carbon nanotubes |
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