KR100813248B1 - 나노로드를 이용한 전계발광소자 - Google Patents

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Abstract

전계발광소자가 개시된다. 개시된 전계발광소자는, 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 제1 전극 및 제2 전극; 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 무기 발광층; 제2 전극의 내면 상에 형성되는 유전체층; 및 무기 발광층의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 형성되는 것으로, 나노로드(nanorods)로 이루어진 전계방출층;을 구비한다.

Description

나노로드를 이용한 전계발광소자{Electroluminescence device using nanorods}
도 1은 종래 전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3a 및 도 3b는 화학적 기상증착법(CVD)에 의하여 성장되어 형성된 탄소나노튜브들(CNTs)을 보여주는 SEM 사진들이다.
도 4a 및 도 4b는 탄소나노튜브 페이스트(paste)를 이용하여 형성된 탄소나노튜브들(CNTs)을 보여주는 SEM 사진들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 6은 2wt% ZnO 나노와이어와 형광체가 혼합된 모습을 보여주는 SEM 사진이다.
도 7은 종래 전계발광소자의 휘도와 본 발명에 따른 전계발광소자의 휘도를 비교하여 도시한 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110,210... 제1 기판 112,212... 제1 전극
120,220... 제2 기판 122,222... 제2 전극
124,224... 유전체층 131... 발광층
132... 전계방출층 230... 전계방출 발광층
본 발명은 전계발광소자에 관한 것으로, 상세하게는 구동전압을 낮출 수 있고, 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있는 무기 전계발광소자(inorganic electroluminescence device)에 관한 것이다.
도 1에는 종래 일반적인 무기 전계발광소자의 단면이 개략적으로 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 제1 기판(10) 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 투명한 제1 전극(12)이 마련되고, 이 제1 전극(12) 상에는 전계발광이 이루어지는 무기 발광층(31)이 형성된다. 그리고, 상기 무기 발광층(31)의 위에는 유전체층(24) 및 제2 전극(22)이 순차적으로 적층되며, 상기 제2 전극(22)의 상면에는 제2 기판(20)이 마련되어 있다. 이러한 무기 전계발광소자는 교류에 의해 구동된다.
상기와 같은 전계발광소자에서, 제1 및 제2 전극 사이에 소정 전압이 인가되면 무기 발광층 내에 전계가 형성되며, 이렇게 형성된 전계에 의하여 가속된 전자들이 발광층 내의 형광 중심에 충돌함으로써 여기된다.
이러한 무기 발광소자가 높은 휘도를 구현하고 구동전압을 낮추기 위해서는 무기 발광층 내부에 강한 전계를 형성함으로써 다량의 전자를 보다 높은 에너지로 가속시킬 필요가 있다.
본 발명은 구동전압을 낮출 수 있고, 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있는 전계발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 구현예에 따른 전계발광소자는,
일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 무기 발광층;
상기 제2 전극의 내면 상에 형성되는 유전체층; 및
상기 무기 발광층의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 형성되는 것으로, 나노로드(nanorods)로 이루어진 전계방출층;을 구비한다.
상기 나노로드는 나노와이어(nanowires)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 나노와이어는 ZnO, TiO2, 또는 SiC로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 나노로드는 수직 정렬된 탄소나노튜브(CNTs)를 포함할 수 있다.
상기 무기 발광층은 전계발광(electroluminescence)형 형광체 및 음극선발광(cathodeluminescence)형 형광체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제1 전극은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 제2 전극은 투명한 도전성 물질 또는 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 전극의 내면 상에 유전체층이 더 형성될 수 있다.
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에는 교류 전압이 인가될 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 전계발광소자는,
일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 것으로, 나노로드(nanorods)로 이루어진 전계방출물질과 무기 발광물질이 혼합된 전계방출 발광층; 및
상기 제2 전극의 내면 상에 형성되는 유전체층;을 구비한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 각 구성요소의 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광소자는 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 제1 및 제2 전극(112,122)과, 상기 제1 전극(112)과 제2 전극(122) 사이에 형성되는 무기 발광층(inorganic light emission layer,131)과, 상기 제2 전극(122)의 하면에 형성되는 유전체층(124)과, 상기 무기 발광층(131)의 하면에 형성되는 전계방출층(132)을 구비한다.
한편, 상기 제1 전극(112)의 하면에는 하부기판인 제1 기판(110)이 마련될 수 있다. 상기 제1 기판(110)은 투명기판으로서 유리기판 또는 플라스틱기판이 될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극(122)의 상면에는 상부기판인 제2 기판(120)이 더 마련될 수 있다. 상기 제2 기판(120)은 제1 기판(110)과 마찬가지로 유리기판 또는 플라스틱 기판이 될 수 있다.
상기 제1 전극(112)은 투명한 도전성 물질, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극(122)은 ITO 등과 같은 투명한 도전성 물질이나 Ag 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 무기 발광층(131)은 전계발광이 이루어지는 물질층으로서, 그 내부에 인가된 전계에 의하여 가속된 전자들이 여기된 다음 안정화되면서 가시광을 방출시킨다. 상기 무기 발광층(131)은 무기 전계발광소자에 일반적으로 사용되는 전계발광(electroluminescence)형 형광체(EL형 형광체)로 이루어질 수 있다. 한편, 본 실시예에서 상기 무기 발광층(131)은 CRT, FED 등과 같은 디스플레이 소자에 사용되는 음극선발광(cathodeluminescence)형 형광체(CL형 형광체)로 이루어지는 것도 가능하다. 상기 제2 전극(122)과 무기 발광층(131) 사이에는 유전체층(124)이 형성되어 있으며, 이러한 유전체층(124)은 예를 들면 SiO2로 이루어질 수 있다.
상기 무기 발광층(131)과 제1 전극(112) 사이에는 전계방출층(132)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 전계방출층(132)은 무기 발광층(131)의 하면에 접촉하도록 형성된다. 본 실시예에서 상기 전계방출층(132)은 에스팩트 비(aspect ratio)가 큰 나노물질인 나노로드(nanorods)로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 나노로드로 이루어진 전계방출층(132)은 외부에서 인가된 전계를 강하게 집속함으로써 무기 발광층(131) 내부에 형성되는 전계의 세기(intensity)를 증가시키는 역할을 한다. 이에 따라, 무기 발광층(131) 내부에서는 다량의 전자가 보다 높은 에너지를 가지도 록 가속될 수 있게 된다.
상기 전계방출층(132)은 스크린프린팅(screen printing)법, 화학적 또는 물리적 진공증착법, 전착(electrodeposition)법, 닥터 블레이드(doctor blade)법 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 나노로드는 나노와이어(nanowires)가 될 수 있다. 상기 나노와이어는 예를 들면, ZnO, TiO2, SiC 등으로 이루어질 수 있다. 상기 나노와이어는 무기 발광층(131) 내부에 형성되는 전계를 더욱 집중시키기 위하여 전계방출층(132) 내부에서 수직 정렬되도록 형성될 수 있다. 그러나, 상기 나노와이어는 수직 정렬되지 않아도 무방하다.
또한, 상기 나노로드는 수직 정렬된 탄소나노튜브(CNTs; Carbon nanotubes)가 될 수도 있다. 도 3a 내지 도 4b는 수직 정렬된 탄소나노튜브들을 보여주는 SEM 사진들이다. 구체적으로, 도 3a는 화학적 기상증착법(CVD)에 의하여 성장되어 형성된 다중벽 나노튜브(MWNTs; multi walled nanotubes)을 찍은 SEM 사진이며, 도 3b는 도 3a를 확대한 사진이다. 그리고, 도 4a는 CNT 페이스트(paste)를 이용하여 형성된 단일벽 나노튜브(SWNTs; single walled nanotubes)을 찍은 SEM 사진이며, 도 4b는 도 4a를 확대한 사진이다.
상기와 같은 구조의 전계발광소자에서, 제1 전극(112)과 제2 전극(122) 사이에 소정 전압을 인가하게 되면, 나노로드로 이루어진 전계방출층(132)이 제1 전극(112)과 제2 전극(122) 사이에 인가되는 전계를 강하게 집속하게 되고, 이에 따 라 무기 발광층(131) 내부에 형성되는 전계의 세기는 크게 증가하게 된다. 여기서, 상기 제1 전극(112)과 제2 전극(122) 사이에는 교류전압이 인가되는 것이 바람직하다. 일반적으로, 무기 발광층(131) 내부에 형성되는 전계의 세기가 강할수록 다량의 전자가 보다 높은 에너지를 가지도록 가속되며, 그 결과 무기 발광층(131)으로부터 방출되는 가시광의 휘도가 증가하게 된다. 따라서, 본 실시예에서는 나노로드로 이루어진 전계방출층(132)에 의하여 무기 발광층(131) 내부에 강한 전계가 형성되고, 이에 따라 상기 무기 발광층(131)으로부터 높은 휘도를 가지는 가시광이 방출될 수 있다. 이렇게 방출된 가시광은 투명한 제1 기판(110)을 통하여 외부로 출사되어 화상을 형성하게 된다. 이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광소자는 종래 전계발광소자보다 휘도 및 발광효율을 증대시킬 수 있게 되며, 또한 구동전압을 낮출 수 있게 된다.
이상의 실시예에서는 나노로드로 이루어진 전계방출층(132)이 제1 전극(112)과 무기 발광층(131) 사이에 형성되는 경우가 설명되었다. 그러나, 본 발명에서는 나노로드로 이루어진 전계방출층(132)이 제2 전극(122)과 무기 발광층(131) 사이에 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 상기 전계방출층(132)은 무기 발광층(131)의 상면에 접촉하도록 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 전계방출층(132)은 제1 전극(112)과 무기 발광층(131) 사이 및 제2 전극(122)과 무기 발광층(131) 사이에 모두 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 상기 전계방출층(132)은 무기 발광층(131)의 하면 및 상면에 각각 접촉하도록 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 이상의 실시예에서는 제2 전극(122)의 내면에만 유전체층(124)이 형성되는 경우가 설명되었으 나, 제1 전극(112)의 내면에도 유전체층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 것이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계발광소자는, 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 제1 및 제2 전극(212,222)과, 상기 제1 전극(212)과 제2 전극(222) 사이에 형성되는 전계방출 발광층(230)과, 상기 제2 전극(222)의 하면에 형성되는 유전체층(224)을 구비한다.
상기 제1 전극(212)의 하면에는 하부기판인 제1 기판(210)이 마련될 수 있다. 상기 제1 기판(210)은 투명기판으로서 유리기판 또는 플라스틱기판이 될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극(222)의 상면에는 상부기판인 제2 기판(220)이 더 마련될 수 있다. 상기 제2 기판(220)은 제1 기판(210)과 마찬가지로 유리기판 또는 플라스틱 기판이 될 수 있다.
상기 제1 전극(212)은 투명한 도전성 물질, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극(222)은 ITO 등과 같은 투명한 도전성 물질이나 Ag 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 전계방출 발광층(230)은 무기 발광물질과 전계방출물질이 혼합되어 형성된다. 여기서, 상기 무기 발광물질은 전계발광이 이루어지는 물질로서, 전계방출 물질층(230) 내부에 인가된 전계에 의하여 가속된 전자들이 여기된 다음 안정화되면서 가시광을 방출시킨다. 이러한 무기 발광물질은 무기 전계발광소자에 일반적으로 사용되는 전계발광형 형광체로 이루어질 수 있다. 한편, 본 실시예에서 상기 무기 발광물질은 CRT, FED 등과 같은 디스플레이 소자에 사용되는 음극선발광형 형광 체로 이루지는 것도 가능하다.
상기 전계방출물질은 에스팩트 비(aspect ratio)가 큰 나노물질인 나노로드(nanorods)로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 나노로드로 이루어진 전계방출물질은 외부에서 인가되는 전계를 강하게 집속함으로써 무기 발광물질 내부에 형성되는 전계의 세기를 증가시키는 역할을 한다. 이에 따라, 무기 발광물질 내부에서는 다량의 전자가 보다 높은 에너지를 가지도록 가속될 수 있게 된다.
상기 나노로드는 나노와이어(nanowires)가 될 수 있다. 상기 나노와이어는 예를 들면, ZnO, TiO2, SiC 등으로 이루어질 수 있다. 상기 나노와이어는 전계방출 발광층(230) 내부에 형성되는 전계를 더욱 집중시키기 위하여 전계방출 발광층(230) 내부에서 수직 정렬되도록 형성될 수 있다. 그러나, 상기 나노와이어는 수직 정렬되지 않아도 무방하다. 또한, 상기 나노로드는 수직 정렬된 탄소나노튜브(CNTs; Carbon nanotubes)가 될 수도 있다.
이와 같은 형광체와 나노로드의 혼합물로 이루어진 전계방출 발광층(230)에서, 상기 형광체에 대한 나노로드의 함량은 대략 0.1wt% ~ 10wt%인 것이 바람직하다. 여기서, wt%는 형광체의 무게에 대한 나노로드의 무게의 비율을 나타내며, 이하에서도 같다. 한편, 나노로드의 함량이 10wt% 보다 커지게 되면, 첫째 나노로드의 부피가 매우 증가하게 되어 페이스트(paste)로 제작하는 것이 어렵게 되며, 둘째 나노로드가 탄소나노튜브(CNTs)인 경우에는 탄소나노튜브(CNTs)가 검은색을 띠기 때문에 휘도가 오히려 떨어질 수 있다.
상기 전계방출 발광층(230)은 나노로드로 이루어진 전계방출물질과 무기 발광물질을 혼합한 다음, 이를 프린팅 방법이나 닥터 블레이드(doctor blade)법에 의하여 제1 전극(212)의 상면에 도포함으로써 형성될 수 있다. 도 6은 형광체와 2 wt% ZnO 나노와이어를 혼합하여 형성한 전계방출 발광층을 찍은 SEM 사진이다.
상기 제2 전극(222)과 전계방출 발광층(230) 사이에는 유전체층(224)이 형성되어 있으며, 이러한 유전체층(224)은 예를 들면 SiO2로 이루어질 수 있다.
상기와 같은 구조의 전계발광소자에서, 제1 전극(212)과 제2 전극(222) 사이에 소정 전압을 인가하게 되면, 전계방출 발광층(230)에 포함된 전계방출물질이 제1 전극(212)과 제2 전극(222) 사이에 인가되는 전계를 강하게 집속시킨다. 이에 따라, 무기 발광물질 내부에 형성되는 전계의 세기가 크게 증가함으로써 다량의 전자가 보다 높은 에너지를 가지도록 가속된다. 여기서, 상기 제1 전극(212)과 제2 전극(222) 사이에는 교류전압이 인가되는 것이 바람직하다. 그 결과, 상기 전계방출 발광층(230)에 포함된 무기 발광물질로부터 높은 휘도를 가진 가시광이 방출될 수 있다. 이렇게 방출된 가시광은 투명한 제1 기판(210)을 통하여 외부로 출사되어 화상을 형성하게 된다.
이상의 실시예에서는 제2 전극(222)의 내면에만 유전체층(224)이 형성되는 경우가 설명되었으나, 제1 전극(212)의 내면에도 유전체층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
도 7은 종래 전계발광소자의 휘도와 본 발명에 따른 전계발광소자의 휘도를 비교하여 도시한 그래프이다. 도 7에 도시된 결과는 도 1에 도시된 무기 발광층만(bare phosphor)을 구비하는 종래 전계발광소자와, 도 2에 도시된 전계방출층을 구비하는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광소자와, 도 5에 도시된 전계방출 발광층을 구비하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계발광소자를 이용하여 얻어진 결과이다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광소자에서, 전계방출층으로는 화학적 기상증착법(CVD)에 의하여 형성한CNT(구체적으로, 수직 정렬된 다중벽 나노튜브(MWNT))와 CNT 페이스트를 이용하여 형성한 CNT(구체적으로, 수직 정렬된 단일벽 나노뉴브(SWNT))를 사용하였다. 그리고, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계발광소자에서, 전계방출 발광층으로는 형광체와 2 wt% ZnO 나노와이어를 혼합한 물질을 사용하였다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 전계방출소자의 휘도는 종래 전계방출소자보다 크게 증대하였음을 알 수 있다. 그리고, 형광체와 2 wt% ZnO 나노와이어가 혼합된 전계방출 발광층을 구비한 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계발광소자의 휘도는 탄소나노튜브로 이루어진 전계방출층을 구비한 본 발명의 실시예에 따른 전계발광소자의 휘도보다 더 높음을 알 수 있다. 또한, 다중벽 나노튜브보다는 단일벽 나노튜브로 이루어진 전계방출층을 구비한 전계방출소자의 휘도가 더 높음을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명되었지만, 본 발명의 범위는 이에 한정되지 않고, 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 전계방출소자는 나노로드로 이루어진 전계방출물질을 이용하여 무기 발광물질 내부에 형성되는 전계의 세기를 증대시킴으로써 무기 발광물질로부터 방출되는 가시광의 휘도를 크게 향상시킬 수 있으며, 또한 발광효율도 향상시킬 수 있다. 그리고, 전극 사이에 낮은 전압을 인가하여도 원하는 가시광의 휘도를 얻을 수 있게 되므로 구동전압을 낮출 수 있다.

Claims (23)

  1. 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;
    상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 무기 발광층;
    상기 제2 전극의 내면 상에 형성되는 유전체층; 및
    상기 무기 발광층의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 형성되는 것으로, 나노로드(nanorods)로 이루어진 전계방출층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 나노로드는 나노와이어(nanowires)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 나노와이어는 ZnO, TiO2, 또는 SiC로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 나노와이어는 수직 정렬된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 나노로드는 수직 정렬된 탄소나노튜브(CNTs)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 발광층은 전계발광(electroluminescence)형 형광체 및 음극선발광(cathodeluminescence)형 형광체 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 투명한 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 투명한 도전성 물질 또는 금속으로 이루어지는 것을 특징으 로 하는 전계발광소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체층은 SiO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극의 내면 상에 유전체층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 제2 전극 사이에는 교류 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  13. 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;
    상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 것으로, 나노로드(nanorods)로 이루어진 전계방출물질과 무기 발광물질이 혼합된 전계방출 발광층; 및
    상기 제2 전극의 내면 상에 형성되는 유전체층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 나노로드는 나노와이어(nanowires)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 나노와이어는 ZnO, TiO2, 또는 SiC로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 나노와이어는 수직 정렬된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 나노로드는 수직 정렬된 탄소나노튜브(CNTs)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 무기 발광물질은 전계발광형 형광체 및 음극선발광형 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 투명한 도전성 물질 또는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  21. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 전극의 내면 상에 유전체층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  22. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 제2 전극 사이에는 교류 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  23. 제 13 항에 있어서,
    상기 무기 발광물질에 대한 상기 전계방출물질의 함량은 0.01wt% ~ 10wt%인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
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