JP2002299924A

JP2002299924A - 積層型ストリップライン共振器

Info

Publication number: JP2002299924A
Application number: JP2001097940A
Authority: JP
Inventors: Kenichirou Morishige; 憲一郎森茂
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】特にストリップライン導体周辺に発生するク
ラックを防止し、かつストリップライン導体の表面の膜
Ｑ値を向上できる積層型ストリップライン共振器を提供
する。【解決手段】本発明の積層型ストリップライン共振器
１０は、一対の誘電体層２、４間に配置されるストリッ
プライン導体１２と、一対の誘電体層２、４の両外側主
面に被着形成されたグランド導体膜１１、１３とから成
る積層型ストリップライン共振器において、ストリップ
ライン導体１２の空隙率が導体の切断面積あたり１０〜
３５％の範囲にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型ストリップ
ライン共振器に関し、特に携帯通信用電話機等の高周波
回路無線機に利用する共振回路や高周波回路フィルタ等
に使用される積層型ストリップライン共振器及びそのた
めの導電性ペーストに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電圧制御発振器（ＶＣＯ）やフィ
ルタ用の共振器として、図４に示すような積層型ストリ
ップライン共振器５０が用いられている。このような積
層型ストリップライン共振器５０は、特に、ストリップ
ライン導体（導体線路）６２の共振抵抗を下げてＱ値を
高める必要があるが、このためにストリップライン導体
６２の厚みを増加させるべく、ストリップライン導体６
２を１つの誘電体層３の厚み全体に形成されるようにし
ていた。

【０００３】例えば、図４において、５層の誘電体層１
〜５が積層し、誘電体層１、５は外装となる誘電体層で
あり、誘電体層３はストリップライン導体６２が形成さ
れる第２の誘電体層であり、誘電体層２、４はストリッ
プライン導体６２を挟持する第１の誘電体層である。

【０００４】また、誘電体層１と誘電体層２との間に
は、下部側のグランド導体膜１１が配置され、また誘電
体層３の厚みの全部にあたりストリップライン導体６２
が配置され、誘電体層４と誘電体層５との間には、上部
側のグランド導体膜１３が配置されている。

【０００５】そして、ストリップライン導体６２は、誘
電体層２、４を介して、グランド導体膜１１、１３に対
向して構成されている。

【０００６】その特性は、実質的に、同軸ケーブルを平
面的に展開したものと等価であり、特性インピーダンス
はストリップライン導体６２の幅、厚さ、誘電体層２、
４の誘電率、厚さによって決定される。

【０００７】このような積層型ストリップライン共振器
５０において、グランド導体膜１１、１３は、上述の塗
布膜上に、導電性ペーストを用いて印刷により形成す
る。また、ストリップライン導体６２は、誘電体層３に
なる塗布膜に形成された貫通部内に導電性ペーストを充
填することにより形成する。

【０００８】このように積層された積層体は、誘電体層
１〜５となる塗布膜、グランド導体膜１１、１３となる
導体膜、ストリップライン導体６２となる導体を一体的
に焼成処理する。

【０００９】このストリップライン導体６２などの各導
体は、金、銀、銅などの低抵抗材料を主成分とする導電
性ペーストを用いて形成される。

【００１０】このように積層型ストリップライン共振器
５０では、ストリップライン導体６２の厚みが大きいた
め、低抵抗化が達成できる。しかも、共振器などのよう
に高周波信号（マイクロ波）が伝搬する場合、その電流
は導体の表面に集中的に流れる表皮効果（例えば、ＧＨ
ｚオーダーの高周波信号は、表皮の深さは数μｍに流れ
る）があるため、ストリップライン導体６２の厚みを増
大させて、表皮効果を十分引き出す構造であった。この
構造を採用する理由は、通常のストリップライン導体は
厚膜印刷法で形成されるが、積層体の焼成後、断面が概
略レンズ形となるため、端部の厚みが薄くなった部分に
電界が集中し、共振抵抗の大きな導体になる。これに対
し、ストリップライン導体６２の場合、実質的に誘電体
層３の厚み相当の導体厚みをであるため、この部分に電
界が集中することなく、導体の表面に均一に電流が流れ
るため、共振抵抗を低くすることができることによる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層型ストリップライン共振器５０においては、誘電体
層１〜５、ストリップライン導体６２などを同時に焼成
した時、ストリップライン導体６２の周囲を位置する誘
電体層３及びその上下に積層される誘電体層２、４との
境界で、誘電体層２、３、４側にクラックが発生し、特
性劣化や、信頼性を損なう場合がある。このクラックの
原因は２種類考えられる。すなわち、１つは焼成時にス
トリップライン導体６２の焼結収縮挙動と誘電体層１〜
５の焼結挙動とが温度によっても一致せず、焼成途中で
クラックを発生するものである。もう１つは、焼成によ
り、ストリップライン導体６２と誘電体層１〜５とが焼
結されるが、室温時までの冷却時に、ストリップライン
導体６２と誘電体層１〜５の材料間の熱膨張係数のミス
マッチにより発生するストレスが引っ張り応力としてか
かり、強度的に弱い誘電体層２〜４側でクラックが発生
するものである。

【００１２】そこで、例えば、導電性ペーストとして、
銀とホウケイ酸系低融点ガラス、有機ビヒクルなどを混
練して形成するが、このときガラス量比を制御して、ス
トリップライン導体６２と誘電体層１〜５の焼結による
焼結挙動を合わせる方法が考えられる。しかし、この方
法では、冷却時の熱膨張係数を一致させるように、ガラ
ス量比を制御することは困難であった。

【００１３】また、導電性ペースト中に添加したガラス
成分が、ストリップライン導体６２と誘電体層２、４の
界面に移動し、界面（表面）付近の電極膜が凹凸状態と
なってしまう。このことから、抵抗値が純粋な導体より
も高くなる。

【００１４】しかも、上記表皮効果により、導体の表面
付近に流れる電流の割合は大きいことから、この影響は
増幅され、ストリップライン導体６２の導体損が増加
し、結果として積層型ストリップライン共振器５０のＱ
値が劣化するという問題があった。

【００１５】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、特にストリップライン導体周
辺に発生するクラックを防止し、かつストリップライン
導体の表面の膜Ｑ値を向上できる積層型ストリップライ
ン共振器を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の積層型ストリッ
プライン共振器は、厚み方向に貫通部を有する第１の
誘電体層と、前記貫通部に充填されたストリップライン
導体と、前記第１の誘電体層の上下に積層され、グラン
ド導体膜を有する一対の第２の誘電体層とから成る積層
型ストリップライン共振器において、前記ストリップラ
イン導体は、空隙率が導体の切断面積あたり１０〜３５
％であることを特徴とする積層型ストリップライン共振
器である。

【００１７】なお、ストリップライン導体の空隙率は、
Ａｇ導体は軟らかく、導体表面を研磨すると傷つき易い
ため、導体表面を塩化第二鉄でエッチング後、ＳＥＭ像
で撮影し、画像処理を行うことにより算出する。この
他、導電性ペーストそのものを焼結し、密度を算出し、
導電性ペースト中の成分（金属成分、添加物）の理論密
度と比較することにより、間接的に空隙率を求めても良
い。

【００１８】また、本発明のストリップライン導体用導
電性ペーストは、金属成分と、有機成分のみからなる。

【００１９】ここで、有機成分とは、有機バインダ等の
樹脂成分や、有機溶剤、可塑剤等の５００℃以下の温度
で分解・燃焼する成分のことをいう。

【００２０】また、上記導電性ペーストには、ガラス以
外の無機添加剤を添加する。

【００２１】ここで、無機添加剤とは、ホウケイ酸系ガ
ラスなどのガラスを除いた、酸化ルテニウム（Ｒｕ
₂Ｏ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ）などの無機酸化物や、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐ
ｔ）などの元素があげられる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の積層型ストリップ
ライン共振器を図面に基づいて詳説する。図１は、本発
明の積層型ストリップライン共振器の外観斜視図であ
り、図２はＸ−Ｘ線に相当する縦断面図であり、図３
は、Ｙ−Ｙ線に相当する横断面図である。

【００２３】本発明の積層型ストリップライン共振器１
０は、例えば、５層の誘電体層１〜５を積層して成る積
層体に、ストリップライン導体１２及びグランド導体膜
１１、１３が配置される。図において、誘電体層１、５
は、外層の誘電体層であり、誘電体層２、４は、その外
層側にグランド導体膜１１、１３が形成された一対の第
２の誘電体層であり、誘電体層３は、ストリップライン
導体１２が形成された第１の誘電体層である。ストリッ
プライン導体１２は、誘電体層３厚みに形成された貫通
部に充填され、誘電体層１３の厚み略全体に形成されて
おり、誘電体層１と誘電体層２との層間、即ち、誘電体
層１の上面に形成されたグランド導体膜１１、誘電体層
４と誘電体層５との層間、即ち、誘電体層４の上面に形
成されたグランド導体膜１３とから構成されている。

【００２４】即ち、一対のグランド導体膜１１、１３の
間には、誘電体層２、４を介してストリップライン導体
１２が配置されている。

【００２５】そして、この積層型ストリップライン共振
器１０では、ストリップライン導体１２の厚みは、誘電
体層３の厚みに相当し、約５０〜２００μｍの厚みを有
している。ストリップライン導体１２の厚みは、低抵抗
を達成するために、非常に重要である。尚、その導体幅
ｗは、例えば３００〜５００μｍである。

【００２６】また、ストリップライン導体１２と誘電体
層２との界面には、ストリップライン導体１２と実質的
に同一の形状で、且つ、積層体の一端面にまで延びる下
地引き出し導体膜１６が形成されている。

【００２７】また、誘電体層２、誘電体３には、グラン
ド電位のビアホール導体１４、１５が形成されており、
このビアホール導体１４、１５によって、グランド導体
膜１１の一部とストリップライン導体１２の他端部を、
また、グランド導体膜１１の一部とストリップライン導
体１２（下地引き出し導体膜１６）の他端部が接続され
ている。

【００２８】さらに、積層体の一対の端面のうち、一方
の端面には、下地引き出し導体膜１６と導通する信号側
電極３１が、さらに、他方の端面にはグランド導体膜１
１、１３の一部と導通グランド電極３２が形成されてい
る。

【００２９】本発明の特徴的なことは、ストリップライ
ン導体１２は、空隙率が導体の切断面積あたり１０〜３
５％の範囲にあることである。

【００３０】このような積層型ストリップライン共振器
１０においては、誘電体層となるグリーンシートを積層
して形成する方法、または、極端に厚みの厚い誘電体層
については、光硬化モノマーを有する誘電体スリップ材
をナイフコート法などで塗布などで形成される。また、
グランド導体膜１１、１３、下地引き出し導体１６は、
グリーンシート上に所定導体ペーストを印刷塗布により
形成する。また、ビアホール導体１４、１５について
は、グリ―ンシートにパンチング処理を施して、この貫
通孔に導電ペーストを印刷充填して形成される。また、
ストリップライン導体１２は、例えば、グリ―ンシート
にパンチング処理を施して、ストリップライン導体１２
の形状に貫通部（溝）を形成し、この貫通部に導電ペー
ストを充填することにより形成される。

【００３１】以下の積層型ストリップライン共振器の製
造方法については、誘電体層１〜５となるグリーンシー
トを積層して形成した例で説明する。

【００３２】まず、積層体１の誘電体層１〜５となる大
型のグリーンシート、グランド導体膜１１、１３、スト
リップライン導体１２、ビアホール導体１４、１５を形
成するための例えばＡｇ系の導電性ペーストを用意す
る。

【００３３】グリーンシート用のセラミック原料粉末と
しては、例えば、金属元素として少なくともＭｇ、Ｔ
ｉ、Ｃａを含有する複合酸化物であって、その金属元素
酸化物による組成式を（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ₃−ｘＣａ
ＴｉＯ₃（但し、式中ｘは重量比を表し、０．０１≦ｘ
≦０．１５）で表される主成分１００重量部に対して、
硼素含有化合物をＢ₂Ｏ₃換算で３〜２０重量部、Ｓｉ含
有化合物をＳｉＯ₂換算で０．１〜５重量部、さらに、
アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１
〜１０重量部添加含有してなるものが用いられる。

【００３４】また、グランド導体膜１１、１３、ストリ
ップライン導体１２となる導電性ペーストは、低抵抗の
金属材料である例えば銀粉末と、有機バインダ、例えば
エチルセルロースを、有機溶剤、例えば２，２，４−ト
リメチル−１，３−ペンタジオールモノイソブチレート
に混合し、３本ローラーにより均質混練して作製され
る。

【００３５】まず、例えば、セラミック粉末、低融点ガ
ラス成分のフリット、有機バインダ、有機溶剤を均質混
練したスラリーを、ドクターブレード法によって所定厚
みにテープ成型して、所定大きさに切断して誘電体層１
〜５となるグリーンシートを作成する。

【００３６】次に、誘電体層１となるグリーンシート上
に上記導電性ペーストを塗布してグランド導体膜１１と
なる導体膜を形成する。

【００３７】次に、誘電体層３となるグリーンシートに
パンチング処理を施して、ビアホール１４となる部分に
誘電体層２の厚みを貫くように貫通孔が形成される。

【００３８】次に、誘電体層２となるグリーンシート上
に導電性ペーストを塗布して、ビアホール導体１４とな
る導体、下地引き出し導体膜１６となる導体膜を形成す
る。

【００３９】次に、誘電体層２となるグリーンシートに
パンチング処理を施して、ストリップライン導体１２が
形成される領域に誘電体層２の厚みを全体を貫くように
貫通部が形成される。

【００４０】次に、誘電体層３の貫通部内に、ストリッ
プライン導体１２となる導体を導電性ペーストの充填に
より形成する。

【００４１】ここで、ストリップライン導体１２用導電
性ペーストは、Ａｇ粉末と、有機バインダー、有機溶
剤、可塑剤のみからなり、ガラス成分を含有しない。ま
た、必要に応じて、無機添加物、すなわち酸化ルテニウ
ム（Ｒｕ₂Ｏ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）などの無機酸化物や、ロジウム（Ｒｈ）、
白金（Ｐｔ）などの元素を添加する。

【００４２】次に、同様に、誘電体層４となるグリーン
シートにビアホール導体１５、グランド導体膜１３とな
る導体膜を形成する。

【００４３】そして、誘電体層１〜５を積層し、必要に
おいて、信号電極、グランド電極となる電極となる導体
膜を形成する。即ち、積層体の端面となる部分に、貫通
孔を形成し、この内面に、電極となる導体膜を塗布す
る。なお、その後、この積層体を必要に応じて、積層成
形体をプレスで形状を整えたり、分割溝を形成したりす
る。

【００４４】次に焼成処理を行う。焼成処理は、脱バイ
ンダ工程と本焼成工程からなる。脱バインダ工程は、積
層成形体及び導電性ペーストに含まれる有機バインダ
ー、有機溶剤などを飛散させる工程であり、本焼成工程
は、ピーク温度８５０〜１０５０℃、例えば９００℃×
３０分キープの焼成を行う。

【００４５】最後に、各積層型ストリップライン共振器
を区画する分割溝に沿って分割処理を行う。これによ
り、大型積層体からは、図１に示す複数の積層型ストリ
ップライン共振器１０が抽出されることになる。

【００４６】なお、ガラス−セラミック材料を含むスラ
リーに光硬化可能なモノマーを添加しておき、グリーン
シート、または塗布印刷した塗布膜を選択的な露光・現
像処理して、ストリップライン導体１２となる貫通孔を
形成してもよい。

【００４７】以上のように、本発明では、グランド導体
膜１１、１３が形成された一対の第１の誘電体層２、４
と、該第１の誘電体層２、４間に配置され、その厚みの
全部に渡り形成されたストリップライン導体１２を有す
る第２の誘電体層３とから成る積層型ストリップライン
共振器１０において、ストリップライン導体１２は、空
隙率が導体の切断面積あたり１０〜３５％の範囲にあ
る。

【００４８】すなわち、このような空隙３０は、焼成工
程において、ストリップライン導体１２の焼結（収縮）
が進行し過ぎないように調節することにより形成される
ため、結果的にストリップライン導体１２と誘電体層１
〜５の焼結挙動を一致させることができ、焼結挙動の差
によるクラックを防止することができる。また、室温ま
での冷却時に、ストリップライン導体１２と誘電体層
２、４の熱膨張係数の差による応力が発生した場合も、
形成された空隙３０が導体を容易に塑性変形させるため
に、発生する応力が緩和され、クラックを防止すること
ができる。

【００４９】また、空隙率が１０体積％未満の場合は、
上記ストリップライン導体１２と誘電体層１〜５の焼結
挙動を一致させる効果や、ストリップライン導体１２と
誘電体層１〜５の熱膨張係数の差による応力を緩和する
効果が不十分であるため、クラックが発生しやすい。一
方、空隙率が３５体積％より大きい場合は、径が大きい
空隙３０がストリップライン導体１２と誘電体層２、４
の界面に析出する確率が増大し、該界面が凹凸になりや
すいため、Ｑ値が低下する。

【００５０】また、ストリップライン導体１２用導電性
ペーストは、ストリップラインは、金属成分と、有機成
分と、必要に応じた無機添加剤のみからなり、ガラス成
分を含有しないことを特徴とする。

【００５１】すなわち、脱脂時に、導電性ペースト中の
バインダーがあった部分が空隙３０になる。そして、導
電性ペーストにガラス成分が含有されている場合は、焼
成時に該ガラス成分が溶融してこの空隙３０が埋められ
るが、本発明の導電性ペーストは、ガラス成分を添加し
ないため、焼成中もこの空隙３０が残り、クラックを防
止すると考えられる。さらに、ガラス成分がストリップ
ライン導体１２と誘電体層２、４の界面に析出し、該界
面が凹凸になることによるＱ値の低下を防止できる。

【００５２】ここで、ガラス成分を添加することによ
り、ストリップライン導体１２と誘電体層２、４の接合
強度を強くする効果があるが、本発明では、誘電体層１
〜５としてガラス−セラミックスを用いているため、誘
電体層１〜５中のガラス成分の一部がストリップライン
導体１２中に入り込むことから、上記効果が失われるこ
とは問題にならないと考えられる。

【００５３】また、ストリップライン導体１２の厚みが
５０〜２００μｍであることも関係していると考えられ
る。すなわち、導体膜の厚みが小さい場合、ガラス成分
を添加しなくても、導体膜と誘電体層の界面における物
質移動が十分行われるため、導体膜の焼結が十分進行
し、空隙３０が形成されることはないが、ストリップラ
イン導体１２の厚みが５０μｍ以上であるため、空隙３
０が形成されると考えられる。

【００５４】また、導電性ペーストに、必要に応じて、
ホウケイ酸系ガラスなどのガラスを除いた、酸化ルテニ
ウム（Ｒｕ₂Ｏ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マン
ガン（ＭｎＯ）などの無機酸化物や、ロジウム（Ｒ
ｈ）、白金（Ｐｔ）などの元素を添加しても良い。この
ことにより、誘電体層１〜５とストリップライン導体１
２のの収縮挙動を完全に一致させることができ、焼成時
の残留応力による反りやクラックを防止することができ
る。なお、無機添加剤は、金属粉末に対して１０ｖｏｌ
％以下しか添加しないため、ストリップライン導体１２
と誘電体層２、４の界面に析出し、該界面が凹凸にな
り、Ｑ値が低下することはない。

【００５５】また、金属成分は、粒径が５〜６μｍの範
囲にある球状粒子の割合が８０％以上、好ましくは９０
％以上であることが望ましい。

【００５６】すなわち、粒径が小さい金属粒子の割合が
多くなると、該金属粒子が焼結の進行を促進し、空隙３
０を確実に形成できなくなり、クラックが発生する確率
が増大する。一方、粒径が大きい金属粒子の割合が多く
なると、金属粒子の焼結が必要以上に抑制され、空隙率
が増大し、Ｑ値が低下する確率が増大する。

【００５７】また、粉末同士の接触面積を小さくし、焼
結を抑制するためには、金属粒子が球状である方が望ま
しい。

【００５８】また、空隙３０の平均径ｍは、０．５〜５
μｍの範囲にあることが望ましい。

【００５９】すなわち、径が小さい空隙３０の割合が多
くなると、応力を防止する効果が十分得られず、クラッ
クが発生する確率が増大する。一方、径が大きい空隙３
０の割合が多くなると、該空隙３０がストリップライン
導体１２と誘電体層２、４の界面に析出し、該界面が凹
凸になり、Ｑ値が低下する確率が増大する。

【００６０】なお、ここでいう１２の空隙３０の平均径
ｍは、焼成後、ＳＥＭにて１０００倍の倍率で写真撮影
し、測定・算出する。すなわち、図２、３に示すストリ
ップライン導体１２の空隙３０の平均径ｍは、ストリッ
プライン導体１２の部分を研磨し、一定の断面を複数個
所とり、各断面をＳＥＭ像で写真撮影し、このＳＥＭ像
から空隙３０の平均径ｍの平均を求め、さらにＳＥＭ像
の倍率で割ることにより算出する。

【００６１】また、発明者が種々実験したところ、スト
リップライン導体１２以外の下地引き出し導体膜１６や
グランド導体膜１１、１３、ビアホール導体１４、１５
においては、体積がストリップライン導体１２に対して
非常に小さいため、収縮の絶対量が小さく、下地引き出
し導体膜１６やグランド導体膜１１、１３、ビアホール
導体１４、１５に空隙３０が形成されることはない。

【００６２】従って、グランド導体膜１１、１３が誘電
体層１、２、４、５から剥離することがなく、また、下
地引き出し導体１６が誘電体層２、３から剥離すること
がない。また、ビアホール導体１５は、ストリップライ
ン導体１２の端部に接続されているが、この間に空隙３
０が形成されても、金属の延性により、ストリップライ
ン導体１２とビアホール導体１５の金属の一部が互いに
引き合うことになるため、両者の接続は安定して維持で
きる。

【００６３】また、ビアホール導体１４側において、こ
のビアホール導体１４は、ストリップライン導体１２の
下部に形成した下地引き出し導体膜１６に直接接続され
ているため、安定した接続が維持できる。

【００６４】尚、ストリップライン導体１２は、導体の
厚みが約５０〜２００μｍであり、その幅ｗが、例えば
３００〜５００μｍであり、その体積（断面積）が、そ
の他の導体膜と比較して非常に大きいため、ストリップ
ラインの導体損を減少することができる。

【００６５】なお、本発明は上記の実施の形態例に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内
での種々の変更や改良などは何ら差し支えない。

【００６６】例えば、本実施の形態では、ストリップラ
イン導体１２やグランド導体膜１１、１３は、銀を主成
分とした材料を用いているが、その他の金属、例えば、
銅や金を主成分とした材料を用いても構わない。特に、
銅を用いた場合には、還元性雰囲気で焼成処理する必要
がある。

【００６７】また、セラミック原料粉末として、本実施
の形態に記載以外のガラス−セラミックスにも適用でき
る。

【００６８】また、本実施の形態では、導体ペーストに
ガラスを添加しないことにより、ストリップライン導体
１２に空隙率が導体の切断面積あたり１０〜３５％の範
囲にある空隙３０を形成しているが、ガラスの種類・添
加量を調節することにより、上記空隙３０を形成するよ
うにしてもよい。

【００６９】

【実施例】次に本発明について、実施例に基づき、更に
詳細に説明する。

【００７０】本発明者は、上記製造方法により、積層型
ストリップライン共振器１０を作製した。なお、誘電体
層１〜５は１００μｍ×５層、ストリップライン導体１
２の厚みは１００μｍとなるようにした。

【００７１】試料番号１は、導体ペースト中のガラス添
加量を５ｗｔ％とし、ストリップライン導体１２に空隙
３０が形成されないようにした。

【００７２】試料番号２は、導体ペースト中のガラス添
加量を０ｗｔ％とし、ストリップライン導体１２に空隙
３０が形成されないようにした。

【００７３】試料番号３〜８は、導体ペースト中のガラ
ス添加量を０ｗｔ％とし、ストリップライン導体１２
に、空隙率が導体の切断面積あたり１０〜４０％となる
ようにした。

【００７４】ここで、試料番号２〜８において、ストリ
ップライン導体１２の空隙率は、Ａｇ粉末の平均粒径、
粒度分布、形状を調節することにより調節した。

【００７５】このようにして得られた積層型ストリップ
ライン共振器１０クラックの有無及びＱ値を測定、評価
した。その結果を表１に示す。

【００７６】

【表１】

【００７７】なお、表１におけるストリップライン導体
１２の空隙率は、導体表面を塩化第二鉄でエッチング
後、ＳＥＭ像で撮影し、画像処理を行うことにより算出
した。

【００７８】また、クラックは、焼結体５０個を樹脂埋
め研磨後、金属顕微鏡で観察し、クラックが発生しなか
った場合を良品として丸印、発生した場合を不良品とし
て×印とした。

【００７９】また、Ｑ値は、インピーダンスアナライザ
ーにより測定し、２００以上であるものを良品、２００
未満であるものを不良品とした。

【００８０】表１に示すように、導電性ペーストにガラ
スを添加せず、ストリップライン導体１２の空隙率が導
体の切断面積あたり１０〜３５％の場合（試料番号３〜
７）、クラックが発生せず、Ｑ値が２００以上になっ
た。

【００８１】これに対し、導電性ペーストにガラスを５
ｗｔ％添加した場合（試料番号１）、クラックが発生
し、Ｑ値が１８０となった。一方、導電性ペーストにガ
ラスを添加せず、ストリップライン導体１２に空隙３０
が形成されなかった場合（試料番号２）、クラックが発
生した。また、導電性ペーストにガラスを添加せず、ス
トリップライン導体１２の空隙率が導体の切断面積あた
り４０％の場合、Ｑ値が１９０となった。

【００８２】

【発明の効果】本発明の積層型ストリップライン共振器
では、一対の誘電体層と、該誘電体層間に配置されるス
トリップライン導体と、一対の誘電体層の両外側主面に
被着形成されたグランド導体膜とから成る積層型ストリ
ップライン共振器において、ストリップライン導体の空
隙率が導体の切断面積あたり１０〜３５％の範囲になる
ようにした。

【００８３】このため、特にストリップライン導体周辺
に発生するクラックを防止し、かつストリップライン導
体の表面の膜Ｑ値を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層型ストリップライン共振器を示す
外観斜視図である。

【図２】図１中におけるＸ−Ｘ線の断面を示す縦断面図
である。

【図３】図１中におけるＹ−Ｙ線の断面を示す横断面図
である。

【図４】従来の積層型ストリップライン共振器の横断面
図である。

【符号の説明】

１０、５０積層型ストリップライン共振器１〜５誘電体層１２、６２ストリップライン導体１１、１３グランド導体膜１４、１５ビアホール導体１６信号用導体３０空隙３１、３２入出力用端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】厚み方向に貫通部を有する第１の誘電体
層と、前記貫通部に充填されたストリップライン導体
と、前記第１の誘電体層の上下に積層され、グランド導
体膜を有する一対の第２の誘電体層とから成る積層型ス
トリップライン共振器において、前記ストリップライン導体は、空隙率が該導体の切断面
積あたり１０〜３５％であることを特徴とする積層型ス
トリップライン共振器。