JP2002299345A - シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法Info
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- JP2002299345A JP2002299345A JP2001105152A JP2001105152A JP2002299345A JP 2002299345 A JP2002299345 A JP 2002299345A JP 2001105152 A JP2001105152 A JP 2001105152A JP 2001105152 A JP2001105152 A JP 2001105152A JP 2002299345 A JP2002299345 A JP 2002299345A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｎ／ｎ+ウェーハにおいても酸素析出物によ
るゲッタリング能力を持たせることのできるシリコン単
結晶ウェーハ、その製造方法、及びそのシリコン単結晶
ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハを提供する。 【解決手段】 チョクラルスキー法により引き上げられ
たシリコン単結晶棒をウェーハに加工して得られたシリ
コン単結晶ウェーハであって、５族元素と３族元素の電
気的活性不純物を２種以上含有し、そのうち少なくとも
３族元素の不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3以上であるよ
うにした。
るゲッタリング能力を持たせることのできるシリコン単
結晶ウェーハ、その製造方法、及びそのシリコン単結晶
ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハを提供する。 【解決手段】 チョクラルスキー法により引き上げられ
たシリコン単結晶棒をウェーハに加工して得られたシリ
コン単結晶ウェーハであって、５族元素と３族元素の電
気的活性不純物を２種以上含有し、そのうち少なくとも
３族元素の不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3以上であるよ
うにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法 （ＣＺ法） によってシリコン単結晶を引き上げ、こ
のシリコン単結晶をウェーハに加工して得られる半導体
デバイス用シリコン単結晶ウェーハ（基板）、その製造
方法及びそのシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキ
シャルウェーハに関する。
法 （ＣＺ法） によってシリコン単結晶を引き上げ、こ
のシリコン単結晶をウェーハに加工して得られる半導体
デバイス用シリコン単結晶ウェーハ（基板）、その製造
方法及びそのシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキ
シャルウェーハに関する。
【０００２】
【関連技術】半導体集積回路等のデバイスを作成するた
めのウェーハとしては、主にＣＺ法によって育成され
た、シリコン単結晶ウェーハが用いられている。このシ
リコン単結晶ウェーハとしてはＩＣやＬＳＩといった電
子デバイスに応じて、ｐ型、ｎ型という電気抵抗率の区
分がある。
めのウェーハとしては、主にＣＺ法によって育成され
た、シリコン単結晶ウェーハが用いられている。このシ
リコン単結晶ウェーハとしてはＩＣやＬＳＩといった電
子デバイスに応じて、ｐ型、ｎ型という電気抵抗率の区
分がある。
【０００３】そのためｐ型ウェーハを得るには３族の元
素、例えばホウ素、アルミニウム、ガリウムを電気的不
純物として添加し、抵抗率を制御する。またｎ型の場合
には５族の元素、例えば燐、アンチモン、ヒ素を適当に
添加し、その抵抗率を制御している。
素、例えばホウ素、アルミニウム、ガリウムを電気的不
純物として添加し、抵抗率を制御する。またｎ型の場合
には５族の元素、例えば燐、アンチモン、ヒ素を適当に
添加し、その抵抗率を制御している。
【０００４】特に最近では、抵抗率が２０ｍΩｃｍ以下
の低抵抗率ウェーハを基板とし、その上に同じ伝導型の
エピタキシャルシリコン層を堆積させて、電気デバイス
の作製を行うことも多い。例えば高濃度ホウ素を添加
し、２０ｍΩｃｍ以下の抵抗率であるｐ型ウェーハを基
板とし（ｐ+基板）、その基板上にエピタキシャル層と
して１０Ωｃｍ程度の抵抗率を得るようホウ素を添加し
たｐ-層を堆積した構造のｐ／ｐ+エピエピタキシャルウ
ェーハなどがその一例である。これらは電子デバイスの
特性を鑑みて、構造的に動作効率の良いデバイスを作製
するのに都合が良く、理想的なシリコンウェーハであ
る。
の低抵抗率ウェーハを基板とし、その上に同じ伝導型の
エピタキシャルシリコン層を堆積させて、電気デバイス
の作製を行うことも多い。例えば高濃度ホウ素を添加
し、２０ｍΩｃｍ以下の抵抗率であるｐ型ウェーハを基
板とし（ｐ+基板）、その基板上にエピタキシャル層と
して１０Ωｃｍ程度の抵抗率を得るようホウ素を添加し
たｐ-層を堆積した構造のｐ／ｐ+エピエピタキシャルウ
ェーハなどがその一例である。これらは電子デバイスの
特性を鑑みて、構造的に動作効率の良いデバイスを作製
するのに都合が良く、理想的なシリコンウェーハであ
る。
【０００５】同様に５族元素不純物添加によるｎ／ｎ+
ウェーハも存在するが、これはｐ／ｐ+に比して簡単で
はない。というのは５族元素不純物のうち燐やアンチモ
ンはＣＺ法に用いる溶融シリコンのるつぼに添加して
も、引き上げ工程において昇華し、低抵抗率のウェーハ
を得るほど高濃度に添加できないからである。その点ヒ
素は高濃度添加可能であるため、ｎ／ｎ+構造を得るた
めによく用いられる。
ウェーハも存在するが、これはｐ／ｐ+に比して簡単で
はない。というのは５族元素不純物のうち燐やアンチモ
ンはＣＺ法に用いる溶融シリコンのるつぼに添加して
も、引き上げ工程において昇華し、低抵抗率のウェーハ
を得るほど高濃度に添加できないからである。その点ヒ
素は高濃度添加可能であるため、ｎ／ｎ+構造を得るた
めによく用いられる。
【０００６】一方、シリコンウェーハの特性として、重
要なものにゲッタリング特性がある。ゲッタリングとは
デバイス特性を悪化させる原因となる重金属不純物をデ
バイス動作領域外へ除去する方法の総称であり、例え
ば、シリコンウェーハの表面数十μｍをデバイス動作領
域とすれば、その領域より深いウェーハ位置、つまりバ
ルクに不純物金属を捕獲しておけばよい。
要なものにゲッタリング特性がある。ゲッタリングとは
デバイス特性を悪化させる原因となる重金属不純物をデ
バイス動作領域外へ除去する方法の総称であり、例え
ば、シリコンウェーハの表面数十μｍをデバイス動作領
域とすれば、その領域より深いウェーハ位置、つまりバ
ルクに不純物金属を捕獲しておけばよい。
【０００７】この方法の一つとして、最も頻繁に使用さ
れるのが酸素析出物によるＩＧ法（Internal Getterin
g）である。この方法はＣＺ法で作製されたシリコンウ
ェーハには不可避的に含まれる過飽和な酸素原子を、デ
バイス動作領域より深いウェーハ位置に析出物として形
成させ、その周りにできた格子の歪みに不純物を捕獲す
る方法である。その際、酸素析出物の密度、サイズ、形
成位置を種々の方法によって制御することが必要であ
る。
れるのが酸素析出物によるＩＧ法（Internal Getterin
g）である。この方法はＣＺ法で作製されたシリコンウ
ェーハには不可避的に含まれる過飽和な酸素原子を、デ
バイス動作領域より深いウェーハ位置に析出物として形
成させ、その周りにできた格子の歪みに不純物を捕獲す
る方法である。その際、酸素析出物の密度、サイズ、形
成位置を種々の方法によって制御することが必要であ
る。
【０００８】この酸素析出物の形成制御について、電気
抵抗率を支配するために添加した３族元素あるいは５族
元素との関係が明らかになっている。３族元素添加不純
物の代表であるホウ素の場合、ｐ+の抵抗率領域まで添
加すると、酸素析出が促進されることがよく知られてい
る。従ってＩＧに酸素析出物を利用する場合、初期酸素
濃度が低い結晶であっても効率的に酸素析出物を形成で
きるため、ゲッタリング能力は高まり、大変有利であ
る。
抵抗率を支配するために添加した３族元素あるいは５族
元素との関係が明らかになっている。３族元素添加不純
物の代表であるホウ素の場合、ｐ+の抵抗率領域まで添
加すると、酸素析出が促進されることがよく知られてい
る。従ってＩＧに酸素析出物を利用する場合、初期酸素
濃度が低い結晶であっても効率的に酸素析出物を形成で
きるため、ゲッタリング能力は高まり、大変有利であ
る。
【０００９】しかるに５族元素の抵抗率制御用不純物添
加ウェーハの場合、酸素析出は抑制されることが知られ
ている。特にｎ+ウェーハを得るために添加したヒ素は
大幅に酸素析出を抑制するため、２０ｐｐｍａ〔（ＪＥ
ＩＤＡ：日本電子工業振興協会）規格〕のような高酸素
濃度ウェーハを用いても、酸素析出物形成によるゲッタ
リング効果を期待するのは極めて困難な場合がある。
加ウェーハの場合、酸素析出は抑制されることが知られ
ている。特にｎ+ウェーハを得るために添加したヒ素は
大幅に酸素析出を抑制するため、２０ｐｐｍａ〔（ＪＥ
ＩＤＡ：日本電子工業振興協会）規格〕のような高酸素
濃度ウェーハを用いても、酸素析出物形成によるゲッタ
リング効果を期待するのは極めて困難な場合がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点に鑑みてなされたもので、ｎ／ｎ+ウェーハにお
いても酸素析出物によるゲッタリング能力を持たせるこ
とのできるシリコン単結晶ウェーハ、その製造方法、及
びそのシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャル
ウェーハを提供することを目的とする。
問題点に鑑みてなされたもので、ｎ／ｎ+ウェーハにお
いても酸素析出物によるゲッタリング能力を持たせるこ
とのできるシリコン単結晶ウェーハ、その製造方法、及
びそのシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャル
ウェーハを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のシリコン単結晶ウェーハは、チョクラルス
キー法により引き上げられたシリコン単結晶棒をウェー
ハに加工して得られたシリコン単結晶ウェーハであっ
て、５族元素と３族元素の電気的活性不純物を２種以上
含有し、そのうち少なくとも３族元素の不純物濃度が１
×１０18ｃｍ-3以上であることを特徴とする。
め、本発明のシリコン単結晶ウェーハは、チョクラルス
キー法により引き上げられたシリコン単結晶棒をウェー
ハに加工して得られたシリコン単結晶ウェーハであっ
て、５族元素と３族元素の電気的活性不純物を２種以上
含有し、そのうち少なくとも３族元素の不純物濃度が１
×１０18ｃｍ-3以上であることを特徴とする。
【００１２】本発明のシリコン単結晶ウェーハの製造方
法は、チョクラルスキー法により引き上げられたシリコ
ン単結晶棒をウェーハに加工して得られたシリコン単結
晶ウェーハの製造方法であって、単結晶製造の際、５族
元素と３族元素の電気的活性不純物を２種以上混合し、
そのうち少なくとも３族元素の不純物濃度を１×１０ 18
ｃｍ-3以上とすることを特徴とする。
法は、チョクラルスキー法により引き上げられたシリコ
ン単結晶棒をウェーハに加工して得られたシリコン単結
晶ウェーハの製造方法であって、単結晶製造の際、５族
元素と３族元素の電気的活性不純物を２種以上混合し、
そのうち少なくとも３族元素の不純物濃度を１×１０ 18
ｃｍ-3以上とすることを特徴とする。
【００１３】また、本発明のエピタキシャルウェーハ
は、上記したシリコン単結晶ウェーハを基板とし、その
上にシリコンエピタキシャル層を形成したものである。
は、上記したシリコン単結晶ウェーハを基板とし、その
上にシリコンエピタキシャル層を形成したものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
するが、本発明の技術思想から逸脱しない限り、この実
施の形態以外にも種々の変形が可能なことは勿論であ
る。
するが、本発明の技術思想から逸脱しない限り、この実
施の形態以外にも種々の変形が可能なことは勿論であ
る。
【００１５】本発明においては、チョクラルスキー法に
よりシリコン単結晶を製造する際、５族元素と３族元素
の電気抵抗率制御用不純物の２種以上を同時に添加する
が、この場合シリコン単結晶の抵抗率はこの２種以上の
添加不純物の絶対的な濃度及び混合割合で制御できる。
よりシリコン単結晶を製造する際、５族元素と３族元素
の電気抵抗率制御用不純物の２種以上を同時に添加する
が、この場合シリコン単結晶の抵抗率はこの２種以上の
添加不純物の絶対的な濃度及び混合割合で制御できる。
【００１６】これらの元素の添加にあたり、例えばn型
シリコンウェーハを得たい場合、５族元素不純物の単独
添加に比べて、３族元素及び５族元素の同時添加では、
少なからず３族元素の電気抵抗率制御用不純物を添加し
たことになる。そのため、後の工程でゲッタリング効果
を持たせるための酸素析出挙動が３族元素不純物の存在
によって抑制されにくくなる。従って、高ゲッタリング
能力を持ったｎ／ｎ+エピタキシャルウェーハの作成が
可能となる。
シリコンウェーハを得たい場合、５族元素不純物の単独
添加に比べて、３族元素及び５族元素の同時添加では、
少なからず３族元素の電気抵抗率制御用不純物を添加し
たことになる。そのため、後の工程でゲッタリング効果
を持たせるための酸素析出挙動が３族元素不純物の存在
によって抑制されにくくなる。従って、高ゲッタリング
能力を持ったｎ／ｎ+エピタキシャルウェーハの作成が
可能となる。
【００１７】この際、少なくとも３族元素の不純物濃度
が１×１０18ｃｍ-3以上のウェーハであれば酸素析出が
促進されるため、そのウェーハがｐ型でもｎ型でも効率
的に酸素析出物を形成できるため、ゲッタリング能力を
高めることができる。
が１×１０18ｃｍ-3以上のウェーハであれば酸素析出が
促進されるため、そのウェーハがｐ型でもｎ型でも効率
的に酸素析出物を形成できるため、ゲッタリング能力を
高めることができる。
【００１８】３族元素の不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3
に達しない場合は酸素析出物の形成が充分でなく、本発
明の目的を達成することができない。この３族元素の不
純物濃度が１×１０18ｃｍ-3以上であれば限界固溶度ま
で特別の上限はないが、２×１０19ｃｍ-3程度であれば
充分である。
に達しない場合は酸素析出物の形成が充分でなく、本発
明の目的を達成することができない。この３族元素の不
純物濃度が１×１０18ｃｍ-3以上であれば限界固溶度ま
で特別の上限はないが、２×１０19ｃｍ-3程度であれば
充分である。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに挙げ
て具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示さ
れるもので、本発明はこれらに限定して解釈されるもの
でないことはいうまでもない。
て具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示さ
れるもので、本発明はこれらに限定して解釈されるもの
でないことはいうまでもない。
【００２０】（実施例１）ＣＺ法により、直径６イン
チ、初期酸素濃度１５ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）、方位＜
１００＞の結晶棒を、通常の引き上げ速度（１.２ｍｍ
／ｍｉｎ）で引き上げた。その際、ホウ素を１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3、ヒ素を７×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3含
有するように引き上げた結晶では、電気伝導型がｎ型で
抵抗率が０.０１Ωｃｍになるように制御された。この
結晶棒を加工して基板ウェーハとし、その表面にｎ型、
１０Ωｃｍのｎ-層エピタキシャル成長させた。このエ
ピタキシャル成長は、原料ガスにトリクロルシランを用
い、１１３０℃で３μｍ成長させた。
チ、初期酸素濃度１５ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）、方位＜
１００＞の結晶棒を、通常の引き上げ速度（１.２ｍｍ
／ｍｉｎ）で引き上げた。その際、ホウ素を１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3、ヒ素を７×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3含
有するように引き上げた結晶では、電気伝導型がｎ型で
抵抗率が０.０１Ωｃｍになるように制御された。この
結晶棒を加工して基板ウェーハとし、その表面にｎ型、
１０Ωｃｍのｎ-層エピタキシャル成長させた。このエ
ピタキシャル成長は、原料ガスにトリクロルシランを用
い、１１３０℃で３μｍ成長させた。
【００２１】このエピタキシャルウェーハに８００℃、
４ｈｒ+１０００℃、１６ｈｒの酸素析出熱処理を窒素
雰囲気にて施したのち、選択エッチングによって酸素析
出物密度を測定した。
４ｈｒ+１０００℃、１６ｈｒの酸素析出熱処理を窒素
雰囲気にて施したのち、選択エッチングによって酸素析
出物密度を測定した。
【００２２】酸素析出物密度の測定は、アングルポリッ
シュを行い、その面に特開平９−２６０４４９号公報に
記載された技術（表面に銅を堆積させた後、アルカリ性
水溶液でエッチングし、光学顕微鏡観察する方法）によ
り行った。
シュを行い、その面に特開平９−２６０４４９号公報に
記載された技術（表面に銅を堆積させた後、アルカリ性
水溶液でエッチングし、光学顕微鏡観察する方法）によ
り行った。
【００２３】測定の結果、ホウ素とヒ素を同時添加した
ウェーハでは１０9ｃｍ-3の酸素析出物密度が検出され
た。
ウェーハでは１０9ｃｍ-3の酸素析出物密度が検出され
た。
【００２４】この結果から本発明によるシリコン単結晶
ウェーハでは、抵抗率を同一に制御でき、かつゲッタリ
ング能力の優れたウェーハを作製可能である。特に、３
族元素および５族元素の同時添加を行うことにより、酸
素析出物を形成しにくいｎ型の場合に効果を発揮するこ
とがわかった。
ウェーハでは、抵抗率を同一に制御でき、かつゲッタリ
ング能力の優れたウェーハを作製可能である。特に、３
族元素および５族元素の同時添加を行うことにより、酸
素析出物を形成しにくいｎ型の場合に効果を発揮するこ
とがわかった。
【００２５】（比較例１）ヒ素単独添加による同一抵抗
率、つまり０．０１Ωｃｍのウェーハとした以外は、実
施例１と同様にエピタキシャルウェーハを製造し、その
酸素析出密度を測定した。測定の結果、ヒ素の単独添加
ウェーハでは、検出下限の１０6ｃｍ-3以下の酸素析出
物密度であり、実施例１のウェーハとは酸素析出特性が
格段に異なった。
率、つまり０．０１Ωｃｍのウェーハとした以外は、実
施例１と同様にエピタキシャルウェーハを製造し、その
酸素析出密度を測定した。測定の結果、ヒ素の単独添加
ウェーハでは、検出下限の１０6ｃｍ-3以下の酸素析出
物密度であり、実施例１のウェーハとは酸素析出特性が
格段に異なった。
【００２６】（実施例２）ドープするホウ素を１×１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、ヒ素を３×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3とした以外は実施例１と同一条件でシリコンウェ
ーハ（電気伝導型ｎ-型、１０Ωｃｍ）を作製した後、
実施例１と同一条件でエピタキシャル成長および酸素析
出物密度の測定を行った。
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、ヒ素を３×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3とした以外は実施例１と同一条件でシリコンウェ
ーハ（電気伝導型ｎ-型、１０Ωｃｍ）を作製した後、
実施例１と同一条件でエピタキシャル成長および酸素析
出物密度の測定を行った。
【００２７】その結果、ホウ素とヒ素を同時添加したウ
ェーハでは１×１０18ｃｍ-3の酸素析出物密度が検出さ
れた。
ェーハでは１×１０18ｃｍ-3の酸素析出物密度が検出さ
れた。
【００２８】（比較例２）ヒ素単独添加による同一抵抗
率（１０Ωｃｍ）のウェーハとした以外は、実施例２と
同様にエピタキシャルウェーハを製造し、その酸素析出
密度を測定した。その結果、ヒ素の単独添加ウェーハの
酸素析出物密度は１×１０6ｃｍ-3以下であった。
率（１０Ωｃｍ）のウェーハとした以外は、実施例２と
同様にエピタキシャルウェーハを製造し、その酸素析出
密度を測定した。その結果、ヒ素の単独添加ウェーハの
酸素析出物密度は１×１０6ｃｍ-3以下であった。
【００２９】（実施例３）ドープするホウ素を２×１０
18 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、ヒ素を６×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3とした以外は実施例１と同一条件でシリコンウェ
ーハ（電気伝導型ｐ型、１０Ωｃｍ）を作製した後、実
施例１と同一条件でエピタキシャル成長および酸素析出
物密度の測定を行った。
18 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、ヒ素を６×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3とした以外は実施例１と同一条件でシリコンウェ
ーハ（電気伝導型ｐ型、１０Ωｃｍ）を作製した後、実
施例１と同一条件でエピタキシャル成長および酸素析出
物密度の測定を行った。
【００３０】その結果、ホウ素とヒ素を同時添加したウ
ェーハでは５×１０18ｃｍ-3の酸素析出物密度が検出さ
れた。
ェーハでは５×１０18ｃｍ-3の酸素析出物密度が検出さ
れた。
【００３１】（比較例３）ホウ素単独添加による同一抵
抗率（１０Ωｃｍ）のウェーハとした以外は、実施例３
と同様にエピタキシャルウェーハを製造し、その酸素析
出物密度を測定した。その結果、ホウ素の単独添加ウェ
ーハの酸素析出物密度は１×１０7ｃｍ-3であった。
抗率（１０Ωｃｍ）のウェーハとした以外は、実施例３
と同様にエピタキシャルウェーハを製造し、その酸素析
出物密度を測定した。その結果、ホウ素の単独添加ウェ
ーハの酸素析出物密度は１×１０7ｃｍ-3であった。
【００３２】なお、本発明は上記実施の形態及び実施例
に限定されるものではない。上記実施の形態及び実施例
は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技
術的思想と実質的に同一な構成を有し、かつ同様な作用
効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の
技術的範囲に包含される。
に限定されるものではない。上記実施の形態及び実施例
は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技
術的思想と実質的に同一な構成を有し、かつ同様な作用
効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の
技術的範囲に包含される。
【００３３】例えば、本発明において、３族元素および
５族元素の不純物添加を行うに当たり、抵抗率の範囲は
問われていないものであり、ｐ型であるシリコンウェー
ハを作製しても、あるいはｎ／ｎ-ウェーハを作製して
も本発明の範囲に含まれる。
５族元素の不純物添加を行うに当たり、抵抗率の範囲は
問われていないものであり、ｐ型であるシリコンウェー
ハを作製しても、あるいはｎ／ｎ-ウェーハを作製して
も本発明の範囲に含まれる。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、従
来困難とされていたｎ／ｎ+ウェーハにおいても酸素析
出物によるゲッタリング能力を持たせることのできるシ
リコン単結晶ウェーハを得ることができる。
来困難とされていたｎ／ｎ+ウェーハにおいても酸素析
出物によるゲッタリング能力を持たせることのできるシ
リコン単結晶ウェーハを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA02 AB01 BA04 CF10 EB03 EB06 5F053 AA12 FF05 GG01 HH01 KK10 PP03 RR03
Claims (3)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法により引き上げられ
たシリコン単結晶棒をウェーハに加工して得られたシリ
コン単結晶ウェーハであって、５族元素と３族元素の電
気的活性不純物を２種以上含有し、そのうち少なくとも
３族元素の不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3以上であるこ
とを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法により引き上げられ
たシリコン単結晶棒をウェーハに加工して得られたシリ
コン単結晶ウェーハの製造方法であって、単結晶製造の
際、５族元素と３族元素の電気的活性不純物を２種以上
混合し、そのうち少なくとも３族元素の不純物濃度を１
×１０18ｃｍ-3以上とすることを特徴とするシリコン単
結晶ウェーハの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のシリコン単結晶ウェーハ
を基板とし、その表面にエピタキシャル層を形成したこ
とを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001105152A JP4862221B2 (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | ｎ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001105152A JP4862221B2 (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | ｎ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299345A true JP2002299345A (ja) | 2002-10-11 |
| JP4862221B2 JP4862221B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=18957884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001105152A Expired - Fee Related JP4862221B2 (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | ｎ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4862221B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006003812A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコンウェーハの製造方法及びこの方法により製造されたシリコンウェーハ |
| WO2006080264A1 (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 選択エッチング方法及びシリコン単結晶基板 |
| KR100798585B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2008-01-28 | 가부시키가이샤 섬코 | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된실리콘 웨이퍼 |
| US7820007B2 (en) | 2004-04-01 | 2010-10-26 | Sumco Corporation | Silicon electrode plate for plasma etching with superior durability |
| US20120193030A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon electrode plate for plasma etching |
| KR20160019495A (ko) * | 2013-06-11 | 2016-02-19 | 썬에디슨 세미컨덕터 리미티드 | 초크랄스키 방법에 의해 성장시킨 잉곳으로부터 슬라이싱된 고농도로 도핑된 실리콘 웨이퍼에서의 산소 침전 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1029894A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Hitachi Ltd | 単結晶シリコンの比抵抗調整方法および単結晶シリコン製造装置 |
| JP2000044389A (ja) * | 1998-05-22 | 2000-02-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハ |
| JP2002134518A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 抵抗率を調整したシリコンウェーハ及びそのウェーハの製造方法 |
-
2001
- 2001-04-03 JP JP2001105152A patent/JP4862221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1029894A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Hitachi Ltd | 単結晶シリコンの比抵抗調整方法および単結晶シリコン製造装置 |
| JP2000044389A (ja) * | 1998-05-22 | 2000-02-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハ |
| JP2002134518A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 抵抗率を調整したシリコンウェーハ及びそのウェーハの製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7820007B2 (en) | 2004-04-01 | 2010-10-26 | Sumco Corporation | Silicon electrode plate for plasma etching with superior durability |
| WO2006003812A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコンウェーハの製造方法及びこの方法により製造されたシリコンウェーハ |
| KR100798585B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2008-01-28 | 가부시키가이샤 섬코 | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된실리콘 웨이퍼 |
| JPWO2006003812A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2008-04-17 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法及びこの方法により製造されたシリコンウェーハ |
| US7700394B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-04-20 | Sumco Corporation | Method for manufacturing silicon wafer method |
| WO2006080264A1 (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 選択エッチング方法及びシリコン単結晶基板 |
| US7811464B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-10-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Preferential etching method and silicon single crystal substrate |
| US20120193030A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon electrode plate for plasma etching |
| KR20160019495A (ko) * | 2013-06-11 | 2016-02-19 | 썬에디슨 세미컨덕터 리미티드 | 초크랄스키 방법에 의해 성장시킨 잉곳으로부터 슬라이싱된 고농도로 도핑된 실리콘 웨이퍼에서의 산소 침전 |
| JP2016526783A (ja) * | 2013-06-11 | 2016-09-05 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドＳｕｎＥｄｉｓｏｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｍｉｔｅｄ | チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされた高ドープシリコンウエハ中の酸素析出 |
| KR102071304B1 (ko) | 2013-06-11 | 2020-01-31 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 초크랄스키 방법에 의해 성장시킨 잉곳으로부터 슬라이싱된 고농도로 도핑된 실리콘 웨이퍼에서의 산소 침전 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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