JP2002294435A - ＧｅＮ薄膜の形成方法とＧｅＮ薄膜および光学薄膜 - Google Patents
ＧｅＮ薄膜の形成方法とＧｅＮ薄膜および光学薄膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学的安定性および熱遮断性を有し透明なＧ
ｅＮ薄膜を、屈折率を制御して形成することができる方
法と、それにより得られるＧｅＮ薄膜およびそのＧｅＮ
薄膜からなる新規な光学薄膜を提供する。 【解決手段】 窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源とし
てＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティングであ
って、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制御す
ることで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する。
ｅＮ薄膜を、屈折率を制御して形成することができる方
法と、それにより得られるＧｅＮ薄膜およびそのＧｅＮ
薄膜からなる新規な光学薄膜を提供する。 【解決手段】 窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源とし
てＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティングであ
って、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制御す
ることで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、ＧｅＮ薄
膜の形成方法とそれにより形成されるＧｅＮ薄膜および
光学薄膜に関するものである。さらに詳しくは、この出
願の発明は、化学的安定性および熱遮断性を有し透明な
ＧｅＮ薄膜を、屈折率を制御して形成することができる
方法と、それにより得られるＧｅＮ薄膜およびそのＧｅ
Ｎ薄膜からなる新規な光学薄膜に関するものである。
膜の形成方法とそれにより形成されるＧｅＮ薄膜および
光学薄膜に関するものである。さらに詳しくは、この出
願の発明は、化学的安定性および熱遮断性を有し透明な
ＧｅＮ薄膜を、屈折率を制御して形成することができる
方法と、それにより得られるＧｅＮ薄膜およびそのＧｅ
Ｎ薄膜からなる新規な光学薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】近年になって各種の通信需要
が大幅に増加しているが、特に光通信の分野では一般家
庭にまで光ファイバを接続するＦＴＴＨ計画が進めら
れ、光ファイバ等の各種光学物品の需要が増えてきてい
る。光ファイバ用の屈折率制御材料としては、従来よ
り、ＧｅＯ2，Ｐ2Ｏ5，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3等の
酸化物材料が多層膜等として用いられているのが一般的
である。
が大幅に増加しているが、特に光通信の分野では一般家
庭にまで光ファイバを接続するＦＴＴＨ計画が進めら
れ、光ファイバ等の各種光学物品の需要が増えてきてい
る。光ファイバ用の屈折率制御材料としては、従来よ
り、ＧｅＯ2，Ｐ2Ｏ5，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3等の
酸化物材料が多層膜等として用いられているのが一般的
である。
【０００３】一方、酸化物以外の光学薄膜としては、化
学的安定性および熱遮断性を有し、透明なＧｅＮ薄膜が
公知であり、反射防止膜や誘電体層等として実用されて
いる。このＧｅＮ薄膜は、ゲルマニウムをターゲットと
して用い、窒素（Ｎ2）ガス、あるいはアルゴン（Ａ
ｒ）ガスや窒素ガスとを混合した雰囲気でＲＦスパッタ
リング法を用いて形成することや、化学気相蒸着法（Ｃ
ＶＤ）、プラズマ処理された化学気相蒸着法（ＰＥＣＶ
Ｄ）またはゾル−ゲル法により形成する方法が知られて
いる。しかしながら、これらの方法では、屈折率を任意
に制御してＧｅＮ薄膜を形成することはなされていなか
った。そのため、ＧｅＮ薄膜は屈折率制御材料としては
利用されていなかった。
学的安定性および熱遮断性を有し、透明なＧｅＮ薄膜が
公知であり、反射防止膜や誘電体層等として実用されて
いる。このＧｅＮ薄膜は、ゲルマニウムをターゲットと
して用い、窒素（Ｎ2）ガス、あるいはアルゴン（Ａ
ｒ）ガスや窒素ガスとを混合した雰囲気でＲＦスパッタ
リング法を用いて形成することや、化学気相蒸着法（Ｃ
ＶＤ）、プラズマ処理された化学気相蒸着法（ＰＥＣＶ
Ｄ）またはゾル−ゲル法により形成する方法が知られて
いる。しかしながら、これらの方法では、屈折率を任意
に制御してＧｅＮ薄膜を形成することはなされていなか
った。そのため、ＧｅＮ薄膜は屈折率制御材料としては
利用されていなかった。
【０００４】そこで、この出願の発明は、以上の通りの
事情に鑑みてなされたものであり、化学的安定性および
熱遮断性を有し透明なＧｅＮ薄膜を、屈折率を制御して
形成することができる方法と、それにより得られるＧｅ
Ｎ薄膜およびそのＧｅＮ薄膜からなる新規な光学薄膜を
提供することを課題としている。
事情に鑑みてなされたものであり、化学的安定性および
熱遮断性を有し透明なＧｅＮ薄膜を、屈折率を制御して
形成することができる方法と、それにより得られるＧｅ
Ｎ薄膜およびそのＧｅＮ薄膜からなる新規な光学薄膜を
提供することを課題としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、この出願の発明
は、上記の課題を解決するものとして、以下の通りの発
明を提供する。
は、上記の課題を解決するものとして、以下の通りの発
明を提供する。
【０００６】すなわち、まず第１には、この出願の発明
は、窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源としてＧｅを用
いる反応性高周波イオンプレーティングであって、窒素
ガス圧を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜
を形成することを特徴とするＧｅＮ薄膜の形成方法を提
供する。
は、窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源としてＧｅを用
いる反応性高周波イオンプレーティングであって、窒素
ガス圧を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜
を形成することを特徴とするＧｅＮ薄膜の形成方法を提
供する。
【０００７】そして、この出願の発明は、第２には、上
記第１の発明において、窒素ガス圧を１×１０-4〜１×
１０-3Ｔｏｒｒの範囲で制御することを特徴とする請求
項１記載のＧｅＮ薄膜の形成方法を提供する。
記第１の発明において、窒素ガス圧を１×１０-4〜１×
１０-3Ｔｏｒｒの範囲で制御することを特徴とする請求
項１記載のＧｅＮ薄膜の形成方法を提供する。
【０００８】また、この出願の発明は、第３には、上記
の発明の方法で形成されたことを特徴とするＧｅＮ薄膜
を、第４には、屈折率が１．５〜２．０の範囲で制御さ
れていることを特徴とするＧｅＮ薄膜を提供する。
の発明の方法で形成されたことを特徴とするＧｅＮ薄膜
を、第４には、屈折率が１．５〜２．０の範囲で制御さ
れていることを特徴とするＧｅＮ薄膜を提供する。
【０００９】さらにこの出願の発明は、上記発明のＧｅ
Ｎ薄膜からなることを特徴とする光学薄膜をも提供す
る。
Ｎ薄膜からなることを特徴とする光学薄膜をも提供す
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】この出願の発明は、上記の通りの
特徴を持つものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。
特徴を持つものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。
【００１１】まず、この出願の発明が提供するＧｅＮ薄
膜の形成方法は、窒素ガスを導入した雰囲気で、蒸発源
としてＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティング
であって、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制
御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する
ことを特徴としている。
膜の形成方法は、窒素ガスを導入した雰囲気で、蒸発源
としてＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティング
であって、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制
御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する
ことを特徴としている。
【００１２】ＧｅＮ薄膜は、従来より反射防止膜や誘電
体層等として、ゲルマニウムをターゲットとして用い窒
素（Ｎ2）ガス、あるいはアルゴン（Ａｒ）ガスと窒素
ガスとを混合した雰囲気でＲＦスパッタリング法を用い
て形成することや、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、プラズ
マ処理された化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）またはゾル
−ゲル方法により形成する方法が知られている。しかし
ながら、反応性高周波イオンプレーティングにより、各
種形成条件を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ
薄膜を形成すること、および、それにより得られたＧｅ
Ｎ薄膜が屈折率制御材料として有用であることは今まで
に知られていなかったことであり、この出願の発明者ら
により初めて明らかにされるものである。
体層等として、ゲルマニウムをターゲットとして用い窒
素（Ｎ2）ガス、あるいはアルゴン（Ａｒ）ガスと窒素
ガスとを混合した雰囲気でＲＦスパッタリング法を用い
て形成することや、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、プラズ
マ処理された化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）またはゾル
−ゲル方法により形成する方法が知られている。しかし
ながら、反応性高周波イオンプレーティングにより、各
種形成条件を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ
薄膜を形成すること、および、それにより得られたＧｅ
Ｎ薄膜が屈折率制御材料として有用であることは今まで
に知られていなかったことであり、この出願の発明者ら
により初めて明らかにされるものである。
【００１３】この出願の発明のＧｅＮ薄膜の形成には、
公知の反応性高周波イオンプレーティング装置を用いる
ことができる。そこで、例えば、図１に例示した構成の
反応性高周波イオンプレーティング装置を用いてこの出
願の発明の方法について説明する。
公知の反応性高周波イオンプレーティング装置を用いる
ことができる。そこで、例えば、図１に例示した構成の
反応性高周波イオンプレーティング装置を用いてこの出
願の発明の方法について説明する。
【００１４】反応性高周波イオンプレーティング装置の
真空槽（ａ）内には、基板ホルダー（ｂ）に取り付けた
基板（ｃ）と蒸発源（ｄ）とがシャッター（ｅ）を介し
て対向して設置されている。基板（ｃ）については、透
明であれば、その材質や形状等に制限はなく、用途によ
って任意のものを使用することができる。また、後で説
明するように基板温度を上げる場合には、その温度に対
する耐熱性を有するものであることが考慮される。
真空槽（ａ）内には、基板ホルダー（ｂ）に取り付けた
基板（ｃ）と蒸発源（ｄ）とがシャッター（ｅ）を介し
て対向して設置されている。基板（ｃ）については、透
明であれば、その材質や形状等に制限はなく、用途によ
って任意のものを使用することができる。また、後で説
明するように基板温度を上げる場合には、その温度に対
する耐熱性を有するものであることが考慮される。
【００１５】まず真空槽（ａ）内を真空ポンプ（ｋ）等
により１０-4〜１０-7Ｔｏｒｒ程度の高真空に排気した
後、ガス導入管（ｈ）からＮ2ガス、あるいはＮ2ガスお
よびＡｒガス、Ｈｅガス等の不活性ガスの混合ガスを導
入して槽内を１０-3〜１０-4Ｔｏｒｒ程度に保つ。真空
槽（ａ）内の圧力は、他の形成条件および所望の屈折率
によって、１×１０-4〜１０×１０-4Ｔｏｒｒ程度の範
囲で調節することができる。
により１０-4〜１０-7Ｔｏｒｒ程度の高真空に排気した
後、ガス導入管（ｈ）からＮ2ガス、あるいはＮ2ガスお
よびＡｒガス、Ｈｅガス等の不活性ガスの混合ガスを導
入して槽内を１０-3〜１０-4Ｔｏｒｒ程度に保つ。真空
槽（ａ）内の圧力は、他の形成条件および所望の屈折率
によって、１×１０-4〜１０×１０-4Ｔｏｒｒ程度の範
囲で調節することができる。
【００１６】次いで、フィラメント電源（ｌ）からＧｅ
蒸発源（ｄ）に電力を供給してＧｅを蒸発させ、高周波
電源（ｆ）から高周波コイル（ｇ）に電力を供給してＮ
2ガスをプラズマ化する。蒸発したＧｅはＮ2ガスプラズ
マにより励起され、反応性化合物ＧｅＮとなって基板
（ｃ）に堆積する。ここで基板（ｃ）はバイアス電源
（ｌ）によって加熱することもできる。
蒸発源（ｄ）に電力を供給してＧｅを蒸発させ、高周波
電源（ｆ）から高周波コイル（ｇ）に電力を供給してＮ
2ガスをプラズマ化する。蒸発したＧｅはＮ2ガスプラズ
マにより励起され、反応性化合物ＧｅＮとなって基板
（ｃ）に堆積する。ここで基板（ｃ）はバイアス電源
（ｌ）によって加熱することもできる。
【００１７】この出願の発明において、基板温度および
高周波出力は、所望の屈折率に応じて、基板温度は室温
〜３００℃程度の範囲で、高周波出力は５０〜４００Ｗ
程度の範囲で制御することができる。これらの条件は、
製膜装置の大きさによって多少変化する場合が考えられ
る。これによって、ＧｅＮ膜の屈折率を１．５〜４．０
の範囲の任意の値に制御することができ、さらには１．
５〜２．０の範囲で精密に制御することができる。な
お、上記の形成条件を調節することにより、膜の透明性
（透過率特性）等の光学特性をも制御することが可能で
ある。
高周波出力は、所望の屈折率に応じて、基板温度は室温
〜３００℃程度の範囲で、高周波出力は５０〜４００Ｗ
程度の範囲で制御することができる。これらの条件は、
製膜装置の大きさによって多少変化する場合が考えられ
る。これによって、ＧｅＮ膜の屈折率を１．５〜４．０
の範囲の任意の値に制御することができ、さらには１．
５〜２．０の範囲で精密に制御することができる。な
お、上記の形成条件を調節することにより、膜の透明性
（透過率特性）等の光学特性をも制御することが可能で
ある。
【００１８】そしてこの出願の発明は、以上詳しく述べ
た方法により、屈折率が１．５〜４．０の範囲で任意の
値に制御されたＧｅＮ膜を、とくに屈折率が１．５〜
２．０の範囲で微細に制御されたＧｅＮ膜を得ることが
できる。さらにこの出願の発明のＧｅＮ膜は反応性イオ
ンプレーティングにより形成されるため、膜質および膜
厚が均一である。そして、可視から近赤外領域にかけて
の透過率が９０％以上と透明性にも優れたものとなる。
た方法により、屈折率が１．５〜４．０の範囲で任意の
値に制御されたＧｅＮ膜を、とくに屈折率が１．５〜
２．０の範囲で微細に制御されたＧｅＮ膜を得ることが
できる。さらにこの出願の発明のＧｅＮ膜は反応性イオ
ンプレーティングにより形成されるため、膜質および膜
厚が均一である。そして、可視から近赤外領域にかけて
の透過率が９０％以上と透明性にも優れたものとなる。
【００１９】以上の特性を利用することで、この出願の
発明のＧｅＮ膜は、光学薄膜、さらには屈折率制御材料
としても使用することができる。このＧｅＮ膜からなる
光学薄膜は、例えば、単層膜としてもよいし、各々が異
なる屈折率に制御された複数のＧｅＮ膜からなる多層膜
や、ＳｉＯ2等の他の物質の薄膜とこの発明のＧｅＮ膜
とが積層された多層膜とすること等も考慮される。この
ような光学多層膜は、たとえば、光ファイバー、レン
ズ、プリズム等の光学物品の製造に有用である。この出
願の発明によって、新規な光学機能材料が提供されるこ
とも期待される。
発明のＧｅＮ膜は、光学薄膜、さらには屈折率制御材料
としても使用することができる。このＧｅＮ膜からなる
光学薄膜は、例えば、単層膜としてもよいし、各々が異
なる屈折率に制御された複数のＧｅＮ膜からなる多層膜
や、ＳｉＯ2等の他の物質の薄膜とこの発明のＧｅＮ膜
とが積層された多層膜とすること等も考慮される。この
ような光学多層膜は、たとえば、光ファイバー、レン
ズ、プリズム等の光学物品の製造に有用である。この出
願の発明によって、新規な光学機能材料が提供されるこ
とも期待される。
【００２０】以下、添付した図面に沿って実施例を示
し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明す
る。
し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明す
る。
【００２１】
【実施例】基板としてＳｉＯ2基板を用い、図１の装置
によってＧｅＮ薄膜を形成した。なお膜形成条件は、表
１に示したように、Ｎ2ガス圧を１×１０-4〜１０×１
０- 4Ｔｏｒｒ、基板温度を室温または３００℃、高周波
出力を１００〜３００Ｗで変化させた。
によってＧｅＮ薄膜を形成した。なお膜形成条件は、表
１に示したように、Ｎ2ガス圧を１×１０-4〜１０×１
０- 4Ｔｏｒｒ、基板温度を室温または３００℃、高周波
出力を１００〜３００Ｗで変化させた。
【００２２】
【表１】
【００２３】（Ｉ） 得られたＧｅＮ薄膜の波長５５０
ｎｍの光における屈折率を測定し、その結果を図２に示
した。なお、ＧｅＮ薄膜は、基板温度および高周波出力
により系列Ａ〜Ｄに分類（表１参照）して示した。その
結果、ＧｅＮ薄膜の屈折率は、窒素ガス圧、基板温度、
高周波出力の形成条件を調節することで、制御可能であ
ることが示された。また、ＧｅＮ薄膜の屈折率は、１．
５〜２．０の間で微細に制御できることもわかった。Ｇ
ｅＮ薄膜の屈折率の制御には、基板を加熱することが有
効であるが、基板を加熱しなくても高周波出力と窒素ガ
ス圧を調節することも可能であることが示された。
ｎｍの光における屈折率を測定し、その結果を図２に示
した。なお、ＧｅＮ薄膜は、基板温度および高周波出力
により系列Ａ〜Ｄに分類（表１参照）して示した。その
結果、ＧｅＮ薄膜の屈折率は、窒素ガス圧、基板温度、
高周波出力の形成条件を調節することで、制御可能であ
ることが示された。また、ＧｅＮ薄膜の屈折率は、１．
５〜２．０の間で微細に制御できることもわかった。Ｇ
ｅＮ薄膜の屈折率の制御には、基板を加熱することが有
効であるが、基板を加熱しなくても高周波出力と窒素ガ
ス圧を調節することも可能であることが示された。
【００２４】さらに可視領域から近赤外領域の波長に対
しても同様にＧｅＮ薄膜の屈折率を測定したところ、屈
折率は１．５〜２．０の間で任意に制御できることが確
認された。 （II） 得られたＧｅＮ薄膜の波長５５０ｎｍの光に対
する透過率を測定し、その評価を表１に示した。なお、
表中の記号は、×：透過率６０％未満，□：透過率６０
％以上７５％未満，△：透過率７５％以上８５％未満，
○：透過率８５％以上を示している。ＧｅＮ薄膜の透明
性については、窒素ガス圧、基板温度、高周波出力が高
いほうが、より光透過率が高くなることが分かった。
しても同様にＧｅＮ薄膜の屈折率を測定したところ、屈
折率は１．５〜２．０の間で任意に制御できることが確
認された。 （II） 得られたＧｅＮ薄膜の波長５５０ｎｍの光に対
する透過率を測定し、その評価を表１に示した。なお、
表中の記号は、×：透過率６０％未満，□：透過率６０
％以上７５％未満，△：透過率７５％以上８５％未満，
○：透過率８５％以上を示している。ＧｅＮ薄膜の透明
性については、窒素ガス圧、基板温度、高周波出力が高
いほうが、より光透過率が高くなることが分かった。
【００２５】また、窒素ガス圧を４×１０-4Ｔｏｒｒと
して得られたＧｅＮ薄膜（表１中、太破線で囲んだ薄
膜）に対し、波長２００〜１８００ｎｍの光に対する透
過率を測定し、その結果を図３に示した。窒素ガス圧を
４×１０-4Ｔｏｒｒとし、基板を加熱した場合（Ｄ）に
は、可視領域で透過率８０％以上、赤外領域では透過率
９０％以上と、透明性にも優れたＧｅＮ薄膜が得られる
ことが分かった。また、基板を加熱しない場合でも、高
周波出力を２００Ｗより高くした場合（Ｂ），（Ｃ）に
は、可視領域から近赤外領域で透過率６０％以上のＧｅ
Ｎ薄膜を得ることができた。
して得られたＧｅＮ薄膜（表１中、太破線で囲んだ薄
膜）に対し、波長２００〜１８００ｎｍの光に対する透
過率を測定し、その結果を図３に示した。窒素ガス圧を
４×１０-4Ｔｏｒｒとし、基板を加熱した場合（Ｄ）に
は、可視領域で透過率８０％以上、赤外領域では透過率
９０％以上と、透明性にも優れたＧｅＮ薄膜が得られる
ことが分かった。また、基板を加熱しない場合でも、高
周波出力を２００Ｗより高くした場合（Ｂ），（Ｃ）に
は、可視領域から近赤外領域で透過率６０％以上のＧｅ
Ｎ薄膜を得ることができた。
【００２６】以上のことから、窒素ガス圧、基板温度、
高周波出力の形成条件を調節することで、任意の屈折率
および透過率等の光学特性を有するＧｅＮ薄膜を得るこ
とができる。もちろん、この発明は以上の例に限定され
るものではなく、細部については様々な態様が可能であ
ることは言うまでもない。
高周波出力の形成条件を調節することで、任意の屈折率
および透過率等の光学特性を有するＧｅＮ薄膜を得るこ
とができる。もちろん、この発明は以上の例に限定され
るものではなく、細部については様々な態様が可能であ
ることは言うまでもない。
【００２７】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、化学的安定性および熱遮断性を有し透明なＧｅＮ
薄膜を、屈折率を制御して形成できる方法と、それによ
り得られる、新規な光学薄膜等として有用なＧｅＮ薄膜
が提供される。
って、化学的安定性および熱遮断性を有し透明なＧｅＮ
薄膜を、屈折率を制御して形成できる方法と、それによ
り得られる、新規な光学薄膜等として有用なＧｅＮ薄膜
が提供される。
【図１】反応性高周波イオンプレーティング装置を例示
した図である。
した図である。
【図２】実施例において得られたＧｅＮ薄膜の屈折率
（波長５５０ｎｍ）の測定結果を膜形成時のＮ2圧力に
ついて例示した図である。記号Ａ〜Ｄは、膜形成時の高
周波波出力および基板温度により分類した系列Ａ〜Ｄを
示している。
（波長５５０ｎｍ）の測定結果を膜形成時のＮ2圧力に
ついて例示した図である。記号Ａ〜Ｄは、膜形成時の高
周波波出力および基板温度により分類した系列Ａ〜Ｄを
示している。
【図３】実施例において窒素ガス圧を４×１０-4Ｔｏｒ
ｒとして得られたＧｅＮ薄膜の透過率を測定した結果を
例示した図である。記号Ａ〜Ｄは、ＧｅＮ薄膜形成時の
高周波波出力および基板温度による分類を示している。
ｒとして得られたＧｅＮ薄膜の透過率を測定した結果を
例示した図である。記号Ａ〜Ｄは、ＧｅＮ薄膜形成時の
高周波波出力および基板温度による分類を示している。
フロントページの続き (72)発明者 柏木 邦宏 埼玉県志木市本町２−11−47 Ｆターム(参考） 2K009 BB01 CC02 DD07 4K029 AA08 BA58 BC07 BD09 CA04 EA03
Claims (5)
- 【請求項１】 窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源とし
てＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティングであ
って、窒素ガス圧を制御することで、屈折率を制御して
ＧｅＮ薄膜を形成することを特徴とするＧｅＮ薄膜の形
成方法。 - 【請求項２】 窒素ガス圧を１×１０-4〜１×１０-3Ｔ
ｏｒｒの範囲で制御することを特徴とする請求項１記載
のＧｅＮ薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の方法で形成され
たことを特徴とするＧｅＮ薄膜。 - 【請求項４】 屈折率が１．５〜２．０の範囲で制御さ
れていることを特徴とする請求項３記載のＧｅＮ薄膜。 - 【請求項５】 請求項３または４記載のＧｅＮ薄膜から
なることを特徴とする光学薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101498A JP2002294435A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | ＧｅＮ薄膜の形成方法とＧｅＮ薄膜および光学薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101498A JP2002294435A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | ＧｅＮ薄膜の形成方法とＧｅＮ薄膜および光学薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002294435A true JP2002294435A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18954799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001101498A Pending JP2002294435A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | ＧｅＮ薄膜の形成方法とＧｅＮ薄膜および光学薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002294435A (ja) |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001101498A patent/JP2002294435A/ja active Pending
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