JP2002293989A - ナノ気孔を有する物質を製造するための組成物 - Google Patents
ナノ気孔を有する物質を製造するための組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はナノ気孔を有する物質を形成するた
めの組成物を提供する。 【解決手段】 シクロデキストリン誘導体と、熱的に安
定な有機または無機マトリックス前駆体と、溶媒とを含
む、ナノ気孔を有する物質を形成するための組成物であ
る。当該組成物から製造された物質は、５０Å以下レベ
ルの気孔を有し、その分布が均一であるため、半導体に
用いられる層間絶縁膜を提供することができる。
めの組成物を提供する。 【解決手段】 シクロデキストリン誘導体と、熱的に安
定な有機または無機マトリックス前駆体と、溶媒とを含
む、ナノ気孔を有する物質を形成するための組成物であ
る。当該組成物から製造された物質は、５０Å以下レベ
ルの気孔を有し、その分布が均一であるため、半導体に
用いられる層間絶縁膜を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はナノ気孔を有した物
質を形成するための組成物に関するものであり、より詳
細にはシクロデキストリン誘導体をマトリックス前駆体
で包含することによって、直径５０Å以下の均一したナ
ノ気孔を形成させることができる組成物に関するもので
ある。
質を形成するための組成物に関するものであり、より詳
細にはシクロデキストリン誘導体をマトリックス前駆体
で包含することによって、直径５０Å以下の均一したナ
ノ気孔を形成させることができる組成物に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、直径がナノレベルの気孔（以下、
ナノ気孔）を有する物質は、様々な分野の吸着剤、担
体、熱絶縁体、電気絶縁体の素材として関心の対象にな
っている。特に半導体分野において、集積度が増加する
ことによって素子の性能が配線速度に左右されるため
に、配線での抵抗およびキャパシティを少なくするため
に層間絶縁膜の蓄積容量を低くしなければならない。そ
こで、誘電率が低い物質を絶縁膜に利用する試みがなさ
てきている。例えば米国特許第３，６１５，２７２号、
第４，３９９，２６６号および第４，９９９，３９７号
では、既存のＣＶＤによる誘電率が４．００程度のＳｉ
Ｏ2膜の代りに、ＳＯＤで形成可能な誘電率２．５〜
３．１程度のポリシルセスキオキサン膜などが開示され
ている。また、米国特許第５，９６５，６７９号では誘
電率が２．６５〜２．７０程度の有機高分子であるポリ
フェニレン膜が開示されている。
ナノ気孔）を有する物質は、様々な分野の吸着剤、担
体、熱絶縁体、電気絶縁体の素材として関心の対象にな
っている。特に半導体分野において、集積度が増加する
ことによって素子の性能が配線速度に左右されるため
に、配線での抵抗およびキャパシティを少なくするため
に層間絶縁膜の蓄積容量を低くしなければならない。そ
こで、誘電率が低い物質を絶縁膜に利用する試みがなさ
てきている。例えば米国特許第３，６１５，２７２号、
第４，３９９，２６６号および第４，９９９，３９７号
では、既存のＣＶＤによる誘電率が４．００程度のＳｉ
Ｏ2膜の代りに、ＳＯＤで形成可能な誘電率２．５〜
３．１程度のポリシルセスキオキサン膜などが開示され
ている。また、米国特許第５，９６５，６７９号では誘
電率が２．６５〜２．７０程度の有機高分子であるポリ
フェニレン膜が開示されている。
【０００３】しかし、これらは誘電率２．５０以下の極
低誘電率が要求される高速の素子としては、誘電率が十
分に低いとはいえない。従ってこのような有機材料また
は無機材料に誘電率が１．０になるようにナノレベルの
気孔を挿入するための試みが多数なされている。例え
ば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と適切な気孔形
成剤とを利用したゾル−ゲル方法で多孔性シリカを作る
方法、薄膜形成における加熱段階で分解し得るデンドリ
マー状のラクトン系高分子を気孔形成物質として使用す
る方法が米国特許第６，１１４，４５８号に例示されて
いる。さらに、気孔形成物質としてこのようなラクトン
系デンドリマー、ポリスチレン、ポリメタクリレート、
ポリエステルなどのビニル系高分子デンドリマーと、マ
トリックスとして上記で例示した有機または無機材料と
を用い、それぞれ一定含有量で混合したもので薄膜を形
成し、高温で気孔形成物質を分解してナノレベルの気孔
を有する低誘電率（ｋ＜３．０）物質の製造方法が米国
特許第６，１０７，３５７、６，０９３，６３６号に例
示されている。
低誘電率が要求される高速の素子としては、誘電率が十
分に低いとはいえない。従ってこのような有機材料また
は無機材料に誘電率が１．０になるようにナノレベルの
気孔を挿入するための試みが多数なされている。例え
ば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と適切な気孔形
成剤とを利用したゾル−ゲル方法で多孔性シリカを作る
方法、薄膜形成における加熱段階で分解し得るデンドリ
マー状のラクトン系高分子を気孔形成物質として使用す
る方法が米国特許第６，１１４，４５８号に例示されて
いる。さらに、気孔形成物質としてこのようなラクトン
系デンドリマー、ポリスチレン、ポリメタクリレート、
ポリエステルなどのビニル系高分子デンドリマーと、マ
トリックスとして上記で例示した有機または無機材料と
を用い、それぞれ一定含有量で混合したもので薄膜を形
成し、高温で気孔形成物質を分解してナノレベルの気孔
を有する低誘電率（ｋ＜３．０）物質の製造方法が米国
特許第６，１０７，３５７、６，０９３，６３６号に例
示されている。
【０００４】しかしながら、このような方法で得られる
多孔性物質において、形成される気孔は直径が５０〜１
００Åレベルと大きく、さらにマトリックス内での分布
が不均一であるという問題を有する。
多孔性物質において、形成される気孔は直径が５０〜１
００Åレベルと大きく、さらにマトリックス内での分布
が不均一であるという問題を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、形成される気孔の直径が５０Å以下レベルと非常に
小さく、かつ、分布が均一な、ナノ気孔を有する物質を
形成するための新規の組成物を提供することである。
は、形成される気孔の直径が５０Å以下レベルと非常に
小さく、かつ、分布が均一な、ナノ気孔を有する物質を
形成するための新規の組成物を提供することである。
【０００６】本発明のまた他の目的はこのような前記造
成を利用して誘電率kが２．５以下レベルで低い半導体
用の層間絶縁膜を提供することである。
成を利用して誘電率kが２．５以下レベルで低い半導体
用の層間絶縁膜を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、シクロデ
キストリン誘導体と、熱的に安定な有機または無機マト
リックス前駆体と、前記シクロデキストリン誘導体と前
記有機または無機マトリックス前駆体とを溶解させる溶
媒とを含む、ナノ気孔を有する物質を形成するための組
成物である。
キストリン誘導体と、熱的に安定な有機または無機マト
リックス前駆体と、前記シクロデキストリン誘導体と前
記有機または無機マトリックス前駆体とを溶解させる溶
媒とを含む、ナノ気孔を有する物質を形成するための組
成物である。
【０００８】さらに本発明は、前記シクロデキストリン
誘導体の含有量が、組成物に含まれる固形成分総量に対
して、０．１〜９５質量％であることを特徴とする前記
組成物である。
誘導体の含有量が、組成物に含まれる固形成分総量に対
して、０．１〜９５質量％であることを特徴とする前記
組成物である。
【０００９】さらに本発明は、前記溶媒の含有量が、組
成物総量に対して２０〜９９．９質量％であることを特
徴とする前記組成物である。
成物総量に対して２０〜９９．９質量％であることを特
徴とする前記組成物である。
【００１０】さらに本発明は、前記シクロデキストリン
誘導体は、下記化学式６：
誘導体は、下記化学式６：
【００１１】
【化１０】
【００１２】［式中、ｑは６〜１２の整数であり、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立してハロゲン原子、
炭素数０〜１０のアミノ基もしくはアジド基、炭素数３
〜２０のイミダゾリル基もしくはピリジル基、炭素数１
〜１０のシアノ基、炭素数２〜１０のカーボネート基、
炭素数１〜１０のカルバモイル基、または、ＯＲ4であ
り、ここでＲ4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数２
〜３０のアシル基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素
数３〜１０のアルケン基、炭素数３〜２０のアルキン
基、炭素数７〜２０のトシル基、炭素数１〜１０のメシ
ル基、炭素数０〜１０のリン含有基、炭素数３〜１０の
シクロアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素
数１〜２０のヒドロキシアルキル基、炭素数６〜３０の
アリール基、カルボキシ基、炭素数１〜２０のカルボキ
シアルキル基、炭素数６〜１２のグルコシル基、炭素数
１２〜３０のマルトシル基、または、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ
3（ｒ1、ｒ2およびｒ3はそれぞれ独立して炭素数１〜５
のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素
数６〜２０のアリール基である。）で示されるケイ素化
合物である。］で示されることを特徴とする前記組成物
である。
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立してハロゲン原子、
炭素数０〜１０のアミノ基もしくはアジド基、炭素数３
〜２０のイミダゾリル基もしくはピリジル基、炭素数１
〜１０のシアノ基、炭素数２〜１０のカーボネート基、
炭素数１〜１０のカルバモイル基、または、ＯＲ4であ
り、ここでＲ4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数２
〜３０のアシル基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素
数３〜１０のアルケン基、炭素数３〜２０のアルキン
基、炭素数７〜２０のトシル基、炭素数１〜１０のメシ
ル基、炭素数０〜１０のリン含有基、炭素数３〜１０の
シクロアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素
数１〜２０のヒドロキシアルキル基、炭素数６〜３０の
アリール基、カルボキシ基、炭素数１〜２０のカルボキ
シアルキル基、炭素数６〜１２のグルコシル基、炭素数
１２〜３０のマルトシル基、または、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ
3（ｒ1、ｒ2およびｒ3はそれぞれ独立して炭素数１〜５
のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素
数６〜２０のアリール基である。）で示されるケイ素化
合物である。］で示されることを特徴とする前記組成物
である。
【００１３】さらに本発明は、前記シクロデキストリン
誘導体は、下記化学式７〜９：
誘導体は、下記化学式７〜９：
【００１４】
【化１１】
【００１５】
【化１２】
【００１６】
【化１３】
【００１７】［式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独
立してハロゲン原子、炭素数０〜１０のアミノ基もしく
はアジド基、炭素数３〜２０のイミダゾリル基もしくは
ピリジル基、炭素数１〜１０のシアノ基、炭素数２〜１
０のカーボネート基、炭素数１〜１０のカルバモイル
基、または、ＯＲ4であり、ここでＲ4はそれぞれ独立し
て水素原子、炭素数２〜３０のアシル基、炭素数１〜２
０のアルキル基、炭素数３〜１０のアルケン基、炭素数
３〜２０のアルキン基、炭素数７〜２０のトシル基、炭
素数１〜１０のメシル基、炭素数０〜１０のリン含有
基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜３
０のアリール基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル
基、炭素数６〜３０のアリール基、カルボキシ基、炭素
数１〜２０のカルボキシアルキル基、炭素数６〜１２の
グルコシル基、炭素数１２〜３０のマルトシル基、また
は、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ3（ｒ1、ｒ2およびｒ3はそれぞれ独立
して炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコ
キシ基または炭素数６〜２０のアリール基である。）で
示されるケイ素化合物である。］で示される３次元構造
を有するα−シクロデキストリン、β−シクロデキスト
リン、または、γ−シクロデキストリン誘導体であるこ
とを特徴とする前記組成物である。
立してハロゲン原子、炭素数０〜１０のアミノ基もしく
はアジド基、炭素数３〜２０のイミダゾリル基もしくは
ピリジル基、炭素数１〜１０のシアノ基、炭素数２〜１
０のカーボネート基、炭素数１〜１０のカルバモイル
基、または、ＯＲ4であり、ここでＲ4はそれぞれ独立し
て水素原子、炭素数２〜３０のアシル基、炭素数１〜２
０のアルキル基、炭素数３〜１０のアルケン基、炭素数
３〜２０のアルキン基、炭素数７〜２０のトシル基、炭
素数１〜１０のメシル基、炭素数０〜１０のリン含有
基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜３
０のアリール基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル
基、炭素数６〜３０のアリール基、カルボキシ基、炭素
数１〜２０のカルボキシアルキル基、炭素数６〜１２の
グルコシル基、炭素数１２〜３０のマルトシル基、また
は、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ3（ｒ1、ｒ2およびｒ3はそれぞれ独立
して炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコ
キシ基または炭素数６〜２０のアリール基である。）で
示されるケイ素化合物である。］で示される３次元構造
を有するα−シクロデキストリン、β−シクロデキスト
リン、または、γ−シクロデキストリン誘導体であるこ
とを特徴とする前記組成物である。
【００１８】さらに本発明は、前記シクロデキストリン
誘導体は、ヘキサキス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチ
ル)−α−シクロデキストリン、ヘプタキス(２，３，６
−トリ−Ｏ−アセチル)−β−シクロデキストリン、オ
クタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチル)−γ−シク
ロデキストリン、ヘキサキス(２，３，６−トリ−Ｏ−
メチル)−α−シクロデキストリン、ヘプタキス(２，
３，６−トリ−Ｏ−メチル)−β−シクロデキストリ
ン、ヘキサキス(６−Ｏ−トシル)−α−シクロデキスト
リン、ヘキサキス(６−アミノ−６−デオキシ)−α−シ
クロデキストリン、ヘキサキス(６−アミノ−６−デオ
キシ)−β−シクロデキストリン、ビス(６−アジド−６
−デオキシ)−β−シクロデキストリン、ヘキサキス
(２、３−アセチル−６−ブロモ−６−デオキシ)−α−
シクロデキストリン、ヘプタキス(２，３−Ｏ−アセチ
ル−６−ブロモ−６−デオキシ)−β−シクロデキスト
リン、モノ(２−Ｏ−ホスホリル)−α−シクロデキスト
リン、モノ(２−Ｏ−ホスホリル)−β−シクロデキスト
リン、ヘキサキス［６−デオキシ−６−(１−イミダゾ
リル)］−β−シクロデキストリン、または、モノ
［２，(３)−Ｏ−(カルボキシルメチル)］−α−シクロ
デキストリンであることを特徴とする前記組成物であ
る。
誘導体は、ヘキサキス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチ
ル)−α−シクロデキストリン、ヘプタキス(２，３，６
−トリ−Ｏ−アセチル)−β−シクロデキストリン、オ
クタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチル)−γ−シク
ロデキストリン、ヘキサキス(２，３，６−トリ−Ｏ−
メチル)−α−シクロデキストリン、ヘプタキス(２，
３，６−トリ−Ｏ−メチル)−β−シクロデキストリ
ン、ヘキサキス(６−Ｏ−トシル)−α−シクロデキスト
リン、ヘキサキス(６−アミノ−６−デオキシ)−α−シ
クロデキストリン、ヘキサキス(６−アミノ−６−デオ
キシ)−β−シクロデキストリン、ビス(６−アジド−６
−デオキシ)−β−シクロデキストリン、ヘキサキス
(２、３−アセチル−６−ブロモ−６−デオキシ)−α−
シクロデキストリン、ヘプタキス(２，３−Ｏ−アセチ
ル−６−ブロモ−６−デオキシ)−β−シクロデキスト
リン、モノ(２−Ｏ−ホスホリル)−α−シクロデキスト
リン、モノ(２−Ｏ−ホスホリル)−β−シクロデキスト
リン、ヘキサキス［６−デオキシ−６−(１−イミダゾ
リル)］−β−シクロデキストリン、または、モノ
［２，(３)−Ｏ−(カルボキシルメチル)］−α−シクロ
デキストリンであることを特徴とする前記組成物であ
る。
【００１９】さらに本発明は、前記マトリックス前駆体
は、シルセスキオキサン、アルコキシシラン、有機シリ
ケートまたはオルトシリケートであることを特徴とする
前記組成物である。
は、シルセスキオキサン、アルコキシシラン、有機シリ
ケートまたはオルトシリケートであることを特徴とする
前記組成物である。
【００２０】さらに本発明は、前記シルセスキオキサン
は、水素シルセスキオキサン、アルキルシルセスキオキ
サン、アリールシルセスキオキサンまたはこれらの共重
合体であることを特徴とする前記組成物である。
は、水素シルセスキオキサン、アルキルシルセスキオキ
サン、アリールシルセスキオキサンまたはこれらの共重
合体であることを特徴とする前記組成物である。
【００２１】さらに本発明は、前記マトリックス前駆体
は、下記化学式１〜５：
は、下記化学式１〜５：
【００２２】
【化１４】
【００２３】［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜３のア
ルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭
素数６〜１５のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3
はそれぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数
１〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子であり、ｐ
は３〜８の整数であり、ｍは１〜１０の整数である。］
ルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭
素数６〜１５のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3
はそれぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数
１〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子であり、ｐ
は３〜８の整数であり、ｍは１〜１０の整数である。］
【００２４】
【化１５】
【００２５】
【化１６】
【００２６】
【化１７】
【００２７】［化学式２〜４において式中、Ｘ1、Ｘ2お
よびＸ3はそれぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル
基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子
であり、ｎは１〜１２の整数である。］
よびＸ3はそれぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル
基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子
であり、ｎは１〜１２の整数である。］
【００２８】
【化１８】
【００２９】［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜３のア
ルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭
素数６〜１５のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3
はそれぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数
１〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子である。］
で示される化合物からなる群より選択される１種以上の
モノマーを、有機溶媒下で酸触媒と水とを利用して加水
分解及び縮合反応させて製造したシロキサン系樹脂であ
ることを特徴とする、前記組成物である。
ルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭
素数６〜１５のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3
はそれぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数
１〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子である。］
で示される化合物からなる群より選択される１種以上の
モノマーを、有機溶媒下で酸触媒と水とを利用して加水
分解及び縮合反応させて製造したシロキサン系樹脂であ
ることを特徴とする、前記組成物である。
【００３０】さらに本発明は、前記マトリックス前駆体
は、ポリイミド、ポリベンゾシクロブテン、ポリアリー
レン、ポリアリーレンエーテル、ポリフェニレンまたは
これらの混合物であることを特徴とする前記組成物であ
る。
は、ポリイミド、ポリベンゾシクロブテン、ポリアリー
レン、ポリアリーレンエーテル、ポリフェニレンまたは
これらの混合物であることを特徴とする前記組成物であ
る。
【００３１】さらに本発明は、前記シクロデキストリン
誘導体と前記有機または無機マトリックス前駆体とを溶
解させる溶媒は、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶
媒、エーテル系溶媒、アセテート系溶媒、アミド系溶
媒、γ−ブチロラクトン、アルコール系溶媒、シリコン
溶媒またはこれらの混合物であることを特徴とする前記
組成物である。
誘導体と前記有機または無機マトリックス前駆体とを溶
解させる溶媒は、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶
媒、エーテル系溶媒、アセテート系溶媒、アミド系溶
媒、γ−ブチロラクトン、アルコール系溶媒、シリコン
溶媒またはこれらの混合物であることを特徴とする前記
組成物である。
【００３２】さらに本発明は、前記シクロデキストリン
誘導体と前記有機または無機マトリックス前駆体とを溶
解させる溶媒は、アニソール、キシレン、メシチレン、
メチルイソブチルケトン、１−メチル−２−ピロリジノ
ン、アセトン、テトラヒドロフラン、イソプロピルエー
テル、エチルアセテート、ブチルアセテート、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチル
アセトアミド、ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラク
トン、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、オ
クチルアルコール、シリコン溶媒またはこれらの混合物
であることを特徴とする前記組成物である。
誘導体と前記有機または無機マトリックス前駆体とを溶
解させる溶媒は、アニソール、キシレン、メシチレン、
メチルイソブチルケトン、１−メチル−２−ピロリジノ
ン、アセトン、テトラヒドロフラン、イソプロピルエー
テル、エチルアセテート、ブチルアセテート、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチル
アセトアミド、ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラク
トン、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、オ
クチルアルコール、シリコン溶媒またはこれらの混合物
であることを特徴とする前記組成物である。
【００３３】さらに本発明は、前記シクロデキストリン
誘導体に存在する反応性基と結合することができる作用
基と、前記マトリックス前駆体に存在する反応性基と結
合することができる作用基とを有するカップリング剤を
さらに含むことを特徴とする、前記組成物である。
誘導体に存在する反応性基と結合することができる作用
基と、前記マトリックス前駆体に存在する反応性基と結
合することができる作用基とを有するカップリング剤を
さらに含むことを特徴とする、前記組成物である。
【００３４】さらに本発明は、前記組成物を、半導体基
板上にスピンコーティング、ディップコーティング、ス
プレーコーティング、フローコーティング、またはスク
リーン印刷によって塗布した後、溶媒を蒸発させて、不
活性気体雰囲気または真空雰囲気中で１５０〜６００℃
で加熱する段階を含むことを特徴とする半導体用の層間
絶縁膜の製造方法である。
板上にスピンコーティング、ディップコーティング、ス
プレーコーティング、フローコーティング、またはスク
リーン印刷によって塗布した後、溶媒を蒸発させて、不
活性気体雰囲気または真空雰囲気中で１５０〜６００℃
で加熱する段階を含むことを特徴とする半導体用の層間
絶縁膜の製造方法である。
【００３５】さらに本発明は、前記塗布は、速度が１０
００〜５０００ｒｐｍのスピンコーティングによってな
されることを特徴とする前記製造方法である。
００〜５０００ｒｐｍのスピンコーティングによってな
されることを特徴とする前記製造方法である。
【００３６】さらに本発明は、前記組成物を使用して製
造されたナノ気孔を有する物質である。
造されたナノ気孔を有する物質である。
【００３７】さらに本発明は、前記物質を用いた、耐熱
性素材、電気絶縁性素材、吸着剤または担体である。
性素材、電気絶縁性素材、吸着剤または担体である。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明をより詳細に説明す
る。
る。
【００３９】一つの観点において、本発明は、シクロデ
キストリン誘導体と、熱的に安定な有機または無機マト
リックス前駆体と、前記シクロデキストリン誘導体と前
記有機または無機マトリックス前駆体とを溶解させる溶
媒とを含む、ナノ気孔を有する物質を形成するための組
成物である。本発明の組成物は、熱的に不安定なシクロ
デキストリン系三次構造を有する有機化合物（シクロデ
キストリン誘導体）と、熱的に安定な有機または無機マ
トリックスとを組み合わせて用いることによって、５０
Å以下の非常に小さい直径を有し、かつ、非常に均一な
分布で存在する気孔を有する、ナノ気孔を有する物質を
製造することを可能するものである。以下、当該組成物
に含まれる各成分について詳述する。
キストリン誘導体と、熱的に安定な有機または無機マト
リックス前駆体と、前記シクロデキストリン誘導体と前
記有機または無機マトリックス前駆体とを溶解させる溶
媒とを含む、ナノ気孔を有する物質を形成するための組
成物である。本発明の組成物は、熱的に不安定なシクロ
デキストリン系三次構造を有する有機化合物（シクロデ
キストリン誘導体）と、熱的に安定な有機または無機マ
トリックスとを組み合わせて用いることによって、５０
Å以下の非常に小さい直径を有し、かつ、非常に均一な
分布で存在する気孔を有する、ナノ気孔を有する物質を
製造することを可能するものである。以下、当該組成物
に含まれる各成分について詳述する。
【００４０】まず有機または無機マトリックス前駆体
（以下、単に「マトリックス前駆体」ともいう）につい
て説明する。当該マトリックス前駆体としては、マトリ
ックスとして機能し得る有機高分子化合物または無機高
分子化合物であればいずれも使用可能であるが、好まし
くは、ガラス転移温度が少なくとも４００℃以上の化合
物である。このような有機高分子化合物または無機高分
子化合物として好ましくは、シリコン、炭素、酸素およ
び水素から構成される（１）シルセスキオキサン、
（２）アルコキシシラン、（３）ＲＳｉＯ3またはＲ2Ｓ
ｉＯ2（ここでＲは有機置換基であり、複数の場合はそ
れぞれ独立して選択される）の構造を有機的に改変した
有機シリケート、（４）ＳｉＯＲ4（ここでＲ4は有機置
換基であり、それぞれ独立して選択される）の構造を有
する部分的に縮合されたオルトシリケートが挙げられ
る。
（以下、単に「マトリックス前駆体」ともいう）につい
て説明する。当該マトリックス前駆体としては、マトリ
ックスとして機能し得る有機高分子化合物または無機高
分子化合物であればいずれも使用可能であるが、好まし
くは、ガラス転移温度が少なくとも４００℃以上の化合
物である。このような有機高分子化合物または無機高分
子化合物として好ましくは、シリコン、炭素、酸素およ
び水素から構成される（１）シルセスキオキサン、
（２）アルコキシシラン、（３）ＲＳｉＯ3またはＲ2Ｓ
ｉＯ2（ここでＲは有機置換基であり、複数の場合はそ
れぞれ独立して選択される）の構造を有機的に改変した
有機シリケート、（４）ＳｉＯＲ4（ここでＲ4は有機置
換基であり、それぞれ独立して選択される）の構造を有
する部分的に縮合されたオルトシリケートが挙げられ
る。
【００４１】上記（１）シルセスキオキサンとしてさら
に具体的には、水素シルセスキオキサン、アルキルシル
セスキオキサン、アリールシルセスキオキサンまたはこ
れらの共重合体が本発明において好ましく用いられる。
上記アルキルシルセスキオキサンとしては、メチルシル
セスキオキサン、エチルシルセスキオキサン、プロピル
シルセスキオキサンが挙げられる。上記アリールシルセ
スキオキサンとしては、フェニルシルセスキオキサンが
挙げられる。上記共重合体としては、水素シルセスキオ
キサン・フェニルシルセスキオキサン共重合体、メチル
シルセスキオキサン・エチルシルセスキオキサン共重合
体、メチルシルセスキオキサン・ビニルシルセスキオキ
サン共重合体などが挙げられる。
に具体的には、水素シルセスキオキサン、アルキルシル
セスキオキサン、アリールシルセスキオキサンまたはこ
れらの共重合体が本発明において好ましく用いられる。
上記アルキルシルセスキオキサンとしては、メチルシル
セスキオキサン、エチルシルセスキオキサン、プロピル
シルセスキオキサンが挙げられる。上記アリールシルセ
スキオキサンとしては、フェニルシルセスキオキサンが
挙げられる。上記共重合体としては、水素シルセスキオ
キサン・フェニルシルセスキオキサン共重合体、メチル
シルセスキオキサン・エチルシルセスキオキサン共重合
体、メチルシルセスキオキサン・ビニルシルセスキオキ
サン共重合体などが挙げられる。
【００４２】また上記（２）アルコキシシランとして
は、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシランが本
発明において好ましく用いられ、これに加えて、これら
アルコキシシランを単一または複数種用いて数平均分子
量５００〜２０，０００程度で部分的に縮合したポリア
ルコキシシランも好ましく用いられる。
は、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシランが本
発明において好ましく用いられ、これに加えて、これら
アルコキシシランを単一または複数種用いて数平均分子
量５００〜２０，０００程度で部分的に縮合したポリア
ルコキシシランも好ましく用いられる。
【００４３】また上記（３）有機シリケートとしては、
具体的には上記式：ＲＳｉＯ3またはＲ2ＳｉＯ2におい
て、Ｒは好ましくはアルキル基であり、例えばメチル、
エチル、プロピルである。
具体的には上記式：ＲＳｉＯ3またはＲ2ＳｉＯ2におい
て、Ｒは好ましくはアルキル基であり、例えばメチル、
エチル、プロピルである。
【００４４】また上記（４）オルトシリケートとして
は、具体的には上記式：ＳｉＯＲ4（ここでＲ4は有機置
換基である）において、Ｒは好ましくはアルキル基であ
り、例えばメチル、エチル、プロピルである。
は、具体的には上記式：ＳｉＯＲ4（ここでＲ4は有機置
換基である）において、Ｒは好ましくはアルキル基であ
り、例えばメチル、エチル、プロピルである。
【００４５】またマトリックス前駆体として、高い温度
でも安定して網状型構造に硬化される有機高分子化合物
も好ましく使用でき、このような有機高分子として具体
的には、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステルなどのイ
ミド化可能なポリイミド、ポリベンゾシクロブテン、ポ
リアリーレン、ポリアリーレンエーテル、ポリフェニレ
ン、またはこれらの混合物が挙げられる。
でも安定して網状型構造に硬化される有機高分子化合物
も好ましく使用でき、このような有機高分子として具体
的には、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステルなどのイ
ミド化可能なポリイミド、ポリベンゾシクロブテン、ポ
リアリーレン、ポリアリーレンエーテル、ポリフェニレ
ン、またはこれらの混合物が挙げられる。
【００４６】またマトリックス前駆体としてより好まし
くは、環状構造またはケージ構造を有するシロキサンモ
ノマーを、有機溶媒下で酸触媒と水とを利用して加水分
解及び縮合反応させて製造したシロキサン系樹脂であ
る。当該シロキサン系樹脂は、好ましくはＳｉ−ＯＨ含
有量が１０モル％以上、より好ましくは２５モル％以上
であり、溶解度が優秀であることが好ましい。ここで当
該シロキサン系樹脂は、単一の環状構造またはケージ構
造を有するシロキサンモノマーを重合させてなるホモポ
リマーでもよいし、複数種を混合して重合させてなる共
重合体でもよい。
くは、環状構造またはケージ構造を有するシロキサンモ
ノマーを、有機溶媒下で酸触媒と水とを利用して加水分
解及び縮合反応させて製造したシロキサン系樹脂であ
る。当該シロキサン系樹脂は、好ましくはＳｉ−ＯＨ含
有量が１０モル％以上、より好ましくは２５モル％以上
であり、溶解度が優秀であることが好ましい。ここで当
該シロキサン系樹脂は、単一の環状構造またはケージ構
造を有するシロキサンモノマーを重合させてなるホモポ
リマーでもよいし、複数種を混合して重合させてなる共
重合体でもよい。
【００４７】以下、上記環状構造またはケージ構造を有
するシロキサンモノマーについて詳述する。
するシロキサンモノマーについて詳述する。
【００４８】まず、環状構造を有するシロキサンモノマ
ーとして、以下の化学式１で示される構造を有するモノ
マーが本発明において好ましく用いられる。当該モノマ
ーは、酸素原子を介してケイ素原子が結合された環状構
造を有し、末端には加水分解が可能な置換基を形成する
有機基が含まれている。
ーとして、以下の化学式１で示される構造を有するモノ
マーが本発明において好ましく用いられる。当該モノマ
ーは、酸素原子を介してケイ素原子が結合された環状構
造を有し、末端には加水分解が可能な置換基を形成する
有機基が含まれている。
【００４９】
【化１９】
【００５０】式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜３のアル
キル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭素
数６〜１５のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は
それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子であり、ｐは
３〜８の整数であり、ｍは１〜１０の整数である。ここ
で、Ｒにおける上記炭素数１〜３のアルキル基として
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルが挙げら
れ、特にメチルが好ましい。上記炭素数３〜１０のシク
ロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシルなど
が挙げられる。さらに上記炭素数６〜１５のアリール基
としては、フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、
ナフチルなどが挙げられる。また、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3
における炭素数１〜３のアルキル基としては、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピルが挙げられ、好ましく
はメチルである。さらに上記炭素数１〜１０のアルコキ
シ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペントキシなどが挙げられ、好ましくはメトキシ
である。さらに上記ハロゲン原子としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、
好ましくは臭素原子である。
キル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭素
数６〜１５のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は
それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子であり、ｐは
３〜８の整数であり、ｍは１〜１０の整数である。ここ
で、Ｒにおける上記炭素数１〜３のアルキル基として
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルが挙げら
れ、特にメチルが好ましい。上記炭素数３〜１０のシク
ロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシルなど
が挙げられる。さらに上記炭素数６〜１５のアリール基
としては、フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、
ナフチルなどが挙げられる。また、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3
における炭素数１〜３のアルキル基としては、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピルが挙げられ、好ましく
はメチルである。さらに上記炭素数１〜１０のアルコキ
シ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペントキシなどが挙げられ、好ましくはメトキシ
である。さらに上記ハロゲン原子としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、
好ましくは臭素原子である。
【００５１】このような化学式１のモノマーとして具体
的には、Ｒがメチルであり、Ｘ1〜Ｘ3がメトキシであ
り、ｍが１であり、ｐが４である化合物が挙げられ、本
発明において好ましく用いられる。
的には、Ｒがメチルであり、Ｘ1〜Ｘ3がメトキシであ
り、ｍが１であり、ｐが４である化合物が挙げられ、本
発明において好ましく用いられる。
【００５２】化学式１のモノマーの製造方法は特に制限
されず従来周知の方法によって製造することができる
が、例えば金属触媒を利用したヒドロシリル化反応によ
って製造することができる。
されず従来周知の方法によって製造することができる
が、例えば金属触媒を利用したヒドロシリル化反応によ
って製造することができる。
【００５３】次にケージ型構造のシロキサンモノマー
（ケージ型シロキサンモノマー）として、下記化学式２
〜４で示される構造を有するモノマーが本発明において
好ましく用いられる。当該モノマーは、酸素原子を介し
て環中および環と環との間のケイ素原子が結合されたケ
ージ型構造を有し、末端には加水分解が可能な置換基を
形成する有機基が含まれている。
（ケージ型シロキサンモノマー）として、下記化学式２
〜４で示される構造を有するモノマーが本発明において
好ましく用いられる。当該モノマーは、酸素原子を介し
て環中および環と環との間のケイ素原子が結合されたケ
ージ型構造を有し、末端には加水分解が可能な置換基を
形成する有機基が含まれている。
【００５４】
【化２０】
【００５５】
【化２１】
【００５６】
【化２２】
【００５７】化学式２〜４において式中、Ｘ1、Ｘ2およ
びＸ3はそれぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、
炭素数１〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子であ
り、ｎは１〜１２の整数である。ここで上記炭素数１〜
３のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピルが挙げられ、特にメチルが好ましい。さら
に上記炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシなど
が挙げられ、特にメトキシが好ましい。さらに上記ハロ
ゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子などが挙げられる。
びＸ3はそれぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、
炭素数１〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子であ
り、ｎは１〜１２の整数である。ここで上記炭素数１〜
３のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピルが挙げられ、特にメチルが好ましい。さら
に上記炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシなど
が挙げられ、特にメトキシが好ましい。さらに上記ハロ
ゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子などが挙げられる。
【００５８】このようなモノマーとして具体的には、上
記化学式２において、Ｘ1およびＸ2がメチルであり、Ｘ
3がメトキシであり、ｎが１である化合物が挙げられ、
本発明において好ましく用いられる。
記化学式２において、Ｘ1およびＸ2がメチルであり、Ｘ
3がメトキシであり、ｎが１である化合物が挙げられ、
本発明において好ましく用いられる。
【００５９】このようなケージ型シロキサンモノマー
は、市販の末端の作用基がハロゲン原子であるシロキサ
ン系ユニットをそのまま使用してもよいし、または必要
に応じて該ユニットの末端のハロゲン原子をアルキル基
またはアルコキシ基で変換して使用してもよい。このよ
うな変換に使われる方法は、本発明の目的を阻害しない
限り特に制限されず、当該技術分野で周知の任意の方法
を使用することができ、例えば末端のハロゲン原子をア
ルコキシ基で変換する場合には、アルコールとトリエチ
ルアミンと共に反応させることによって容易に達成する
ことができる。
は、市販の末端の作用基がハロゲン原子であるシロキサ
ン系ユニットをそのまま使用してもよいし、または必要
に応じて該ユニットの末端のハロゲン原子をアルキル基
またはアルコキシ基で変換して使用してもよい。このよ
うな変換に使われる方法は、本発明の目的を阻害しない
限り特に制限されず、当該技術分野で周知の任意の方法
を使用することができ、例えば末端のハロゲン原子をア
ルコキシ基で変換する場合には、アルコールとトリエチ
ルアミンと共に反応させることによって容易に達成する
ことができる。
【００６０】また、上述した環状構造またはケージ構造
を有するシロキサンモノマーまたはこれらの混合物に、
シラン系モノマーをさらに混合して重合させて製造され
たマトリックス前駆体も本発明において好ましく使用で
きる。当該シラン系モノマーは、以下の化学式５で示さ
れ、末端には加水分解が可能な置換基を形成する有機基
が含まれている。
を有するシロキサンモノマーまたはこれらの混合物に、
シラン系モノマーをさらに混合して重合させて製造され
たマトリックス前駆体も本発明において好ましく使用で
きる。当該シラン系モノマーは、以下の化学式５で示さ
れ、末端には加水分解が可能な置換基を形成する有機基
が含まれている。
【００６１】
【化２３】
【００６２】式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜３のアル
キル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭素
数６〜１５のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は
それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子である。ここ
でＲにおける上記炭素数１〜３のアルキル基としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピルが挙げられ、
特にメチルが好ましい。さらに上記炭素数３〜１０のシ
クロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシルなど
が挙げられる。さらに上記炭素数６〜１５のアリール基
としては、フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、
ナフチルなどが挙げられる。また、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3
における炭素数１〜３のアルキル基としては、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピルが挙げられ、特にメチ
ルが好ましい。さらに上記炭素数１〜１０のアルコキシ
基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシなどが挙げられ、特にメトキシが好まし
い。さらに上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
キル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭素
数６〜１５のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は
それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基またはハロゲン原子である。ここ
でＲにおける上記炭素数１〜３のアルキル基としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピルが挙げられ、
特にメチルが好ましい。さらに上記炭素数３〜１０のシ
クロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシルなど
が挙げられる。さらに上記炭素数６〜１５のアリール基
としては、フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、
ナフチルなどが挙げられる。また、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3
における炭素数１〜３のアルキル基としては、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピルが挙げられ、特にメチ
ルが好ましい。さらに上記炭素数１〜１０のアルコキシ
基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシなどが挙げられ、特にメトキシが好まし
い。さらに上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【００６３】このような化学式５で示されるシラン系モ
ノマーとして、具体的には、メチルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラ
ンなどが挙げられる。もちろん、当該シラン系モノマー
は、上述のように環状構造またはケージ構造を有するシ
ロキサンモノマーまたはこれらの混合物に混合させて用
いるだけでなく、単独で用いてマトリックス前駆体を形
成してもよい。
ノマーとして、具体的には、メチルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラ
ンなどが挙げられる。もちろん、当該シラン系モノマー
は、上述のように環状構造またはケージ構造を有するシ
ロキサンモノマーまたはこれらの混合物に混合させて用
いるだけでなく、単独で用いてマトリックス前駆体を形
成してもよい。
【００６４】以上説明した環状構造またはケージ構造を
有するシロキサンモノマーを、有機溶媒下で酸触媒と水
とを利用して加水分解及び縮合反応させることによっ
て、シロキサン系樹脂が製造される。ここで用いられる
有機溶媒は、従来周知のものが使用でき特には限定され
ないが、なかでもテトラヒドロフラン、アセトン、メシ
チレン、キシレン、メチルイソブチルケトンなど、特に
本発明において好ましく用いられる。また、ここで用い
られる酸触媒は、従来周知のものが使用でき特には限定
されないが、好ましくは塩酸、ベンゼンスルホン酸、蓚
酸、硝酸、蟻酸またはこれらの混合物を使用することが
できる。加水分解反応および縮合反応中に使われる水の
量は、上記モノマーに存在する反応性基に対する当量と
して好ましくは１．０〜１００．０、より好ましくは
１．０〜１０．０の範囲内で使用し、反応温度は好まし
くは０〜２００℃、より好ましくは５０〜１１０℃の範
囲が適当である。反応時間は１時間〜１００時間が適当
で、より望ましくは５〜４８時間が良い。
有するシロキサンモノマーを、有機溶媒下で酸触媒と水
とを利用して加水分解及び縮合反応させることによっ
て、シロキサン系樹脂が製造される。ここで用いられる
有機溶媒は、従来周知のものが使用でき特には限定され
ないが、なかでもテトラヒドロフラン、アセトン、メシ
チレン、キシレン、メチルイソブチルケトンなど、特に
本発明において好ましく用いられる。また、ここで用い
られる酸触媒は、従来周知のものが使用でき特には限定
されないが、好ましくは塩酸、ベンゼンスルホン酸、蓚
酸、硝酸、蟻酸またはこれらの混合物を使用することが
できる。加水分解反応および縮合反応中に使われる水の
量は、上記モノマーに存在する反応性基に対する当量と
して好ましくは１．０〜１００．０、より好ましくは
１．０〜１０．０の範囲内で使用し、反応温度は好まし
くは０〜２００℃、より好ましくは５０〜１１０℃の範
囲が適当である。反応時間は１時間〜１００時間が適当
で、より望ましくは５〜４８時間が良い。
【００６５】次に本発明におけるシクロデキストリン誘
導体について説明する。
導体について説明する。
【００６６】本発明で使われるシクロデキストリン誘導
体としては、ナノ気孔を有する物質を形成しうるもので
あればいずれも使用可能であるが、好ましくは下記化学
式６で示される化合物が用いられる。
体としては、ナノ気孔を有する物質を形成しうるもので
あればいずれも使用可能であるが、好ましくは下記化学
式６で示される化合物が用いられる。
【００６７】
【化２４】
【００６８】式中、ｑは６〜１２の整数であり、Ｒ1、
Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数
０〜１０のアミノ基もしくはアジド基、炭素数３〜２０
のイミダゾリル基もしくはピリジル基、炭素数１〜１０
のシアノ基、炭素数２〜１０のカーボネート基、炭素数
１〜１０のカルバモイル基、または、ＯＲ4であり、こ
こでＲ4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数２〜３０
のアシル基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜
１０のアルケン基、炭素数３〜２０のアルキン基、炭素
数７〜２０のトシル基、炭素数１〜１０のメシル基、炭
素数０〜１０のリン含有基、炭素数３〜１０のシクロア
ルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２
０のヒドロキシアルキル基、炭素数６〜３０のアリール
基、カルボキシ基、炭素数１〜２０のカルボキシアルキ
ル基、炭素数６〜１２のグルコシル基、炭素数１２〜３
０のマルトシル基、または、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ3（ｒ1、ｒ2
およびｒ3はそれぞれ独立して炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素数６〜２０
のアリール基である。）で示されるケイ素化合物であ
る。
Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数
０〜１０のアミノ基もしくはアジド基、炭素数３〜２０
のイミダゾリル基もしくはピリジル基、炭素数１〜１０
のシアノ基、炭素数２〜１０のカーボネート基、炭素数
１〜１０のカルバモイル基、または、ＯＲ4であり、こ
こでＲ4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数２〜３０
のアシル基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜
１０のアルケン基、炭素数３〜２０のアルキン基、炭素
数７〜２０のトシル基、炭素数１〜１０のメシル基、炭
素数０〜１０のリン含有基、炭素数３〜１０のシクロア
ルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２
０のヒドロキシアルキル基、炭素数６〜３０のアリール
基、カルボキシ基、炭素数１〜２０のカルボキシアルキ
ル基、炭素数６〜１２のグルコシル基、炭素数１２〜３
０のマルトシル基、または、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ3（ｒ1、ｒ2
およびｒ3はそれぞれ独立して炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素数６〜２０
のアリール基である。）で示されるケイ素化合物であ
る。
【００６９】詳述すると、上記Ｒ1、Ｒ2およびＲ3にお
いて、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素などが挙げられる。炭素数０〜１０のアミノ基とし
ては、アミノ、Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−エチルアミノな
どが挙げられ、炭素数０〜１０のアジド基としては、ア
ジド、Ｎ−メチルアジド、Ｎ−エチルアジドなどが挙げ
られる。炭素数３〜２０のイミダゾリル基としては、１
−イミダゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリ
ル、２−メチルイミダゾリル、２−エチルイミダゾリ
ル、２−プロピルイミダゾリル、２，４−ジメチルイミ
ダゾリルなどが挙げられ、炭素数３〜２０のピリジル基
としては、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジ
ル、２−メチルピリジル、２−プロピルピリジル、２−
エチルピリジル、２，３−ジメチルピリジル、２，４−
ジメチルピリジル、２，３，４−トリメチルピリジルな
どがあげられる。炭素数１〜１０のシアノ基としては、
シアノ、炭素数１〜９の炭化水素基で置換されたシアノ
などが挙げられる。炭素数２〜１０のカーボネート基と
しては、炭素数２〜１０の炭酸エステルから誘導される
基などが挙げられる。炭素数１〜１０のカルバモイル基
としては、カルバモイル基、炭素数１〜９の炭化水素基
で置換されたカルバモイル基などが挙げられる。
いて、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素などが挙げられる。炭素数０〜１０のアミノ基とし
ては、アミノ、Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−エチルアミノな
どが挙げられ、炭素数０〜１０のアジド基としては、ア
ジド、Ｎ−メチルアジド、Ｎ−エチルアジドなどが挙げ
られる。炭素数３〜２０のイミダゾリル基としては、１
−イミダゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリ
ル、２−メチルイミダゾリル、２−エチルイミダゾリ
ル、２−プロピルイミダゾリル、２，４−ジメチルイミ
ダゾリルなどが挙げられ、炭素数３〜２０のピリジル基
としては、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジ
ル、２−メチルピリジル、２−プロピルピリジル、２−
エチルピリジル、２，３−ジメチルピリジル、２，４−
ジメチルピリジル、２，３，４−トリメチルピリジルな
どがあげられる。炭素数１〜１０のシアノ基としては、
シアノ、炭素数１〜９の炭化水素基で置換されたシアノ
などが挙げられる。炭素数２〜１０のカーボネート基と
しては、炭素数２〜１０の炭酸エステルから誘導される
基などが挙げられる。炭素数１〜１０のカルバモイル基
としては、カルバモイル基、炭素数１〜９の炭化水素基
で置換されたカルバモイル基などが挙げられる。
【００７０】次にＲ4において、炭素数２〜３０のアシ
ル基としては、ホルミル、アセチル、プロパノイル、ブ
タノイル、ペンタノイル、パルミトイル、ステアロイ
ル、オレオイル、ベンゾイル、トルオイル、ナフトイル
などが挙げられ、特にアセチル、プロパノイル、ブタノ
イル、ベンゾイルが好ましい。炭素数１〜２０のアルキ
ル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルな
どが挙げられ、特にメチルが好ましい。炭素数３〜１０
のアルケン基としては、２−プロペニル、３−ブテニル
などが挙げられる。炭素数３〜２０のアルキン基として
は、２−プロピニルなどが挙げられる。炭素数０〜１０
のリン含有基としては、ホスホリル、ジフェニルホスホ
リルなどが挙げられる。炭素数３〜１０のシクロアルキ
ル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオ
クチル、シクロノニル、シクロデシルなどが挙げられ
る。炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、
トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチルなどが挙げら
る。炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基としては、
ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロ
ピルなどが挙げられる。炭素数１〜２０のカルボキシア
ルキル基としては、カルボキシメチル、カルボキシエチ
ル、カルボキシプロピルなどが挙げられる。炭素数６〜
１２のグルコシル基としては、置換基を有してもよいグ
ルコースから誘導される基である。炭素数１２〜３０の
マルトシル基としては、置換基を有してもよいマルトー
スから誘導される基である。またＳｉｒ1ｒ2ｒ3におい
て、炭素数１〜５のアルキル基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチ
ル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチルなどが挙げられる。炭素
数１〜５のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシなどが挙げられ
る。炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル、
トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチルなどが挙げら
れる。
ル基としては、ホルミル、アセチル、プロパノイル、ブ
タノイル、ペンタノイル、パルミトイル、ステアロイ
ル、オレオイル、ベンゾイル、トルオイル、ナフトイル
などが挙げられ、特にアセチル、プロパノイル、ブタノ
イル、ベンゾイルが好ましい。炭素数１〜２０のアルキ
ル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルな
どが挙げられ、特にメチルが好ましい。炭素数３〜１０
のアルケン基としては、２−プロペニル、３−ブテニル
などが挙げられる。炭素数３〜２０のアルキン基として
は、２−プロピニルなどが挙げられる。炭素数０〜１０
のリン含有基としては、ホスホリル、ジフェニルホスホ
リルなどが挙げられる。炭素数３〜１０のシクロアルキ
ル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオ
クチル、シクロノニル、シクロデシルなどが挙げられ
る。炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、
トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチルなどが挙げら
る。炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基としては、
ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロ
ピルなどが挙げられる。炭素数１〜２０のカルボキシア
ルキル基としては、カルボキシメチル、カルボキシエチ
ル、カルボキシプロピルなどが挙げられる。炭素数６〜
１２のグルコシル基としては、置換基を有してもよいグ
ルコースから誘導される基である。炭素数１２〜３０の
マルトシル基としては、置換基を有してもよいマルトー
スから誘導される基である。またＳｉｒ1ｒ2ｒ3におい
て、炭素数１〜５のアルキル基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチ
ル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチルなどが挙げられる。炭素
数１〜５のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシなどが挙げられ
る。炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル、
トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチルなどが挙げら
れる。
【００７１】さらに、本発明のシクロデキストリン誘導
体として、下記化学式７〜９で示される３次元構造を有
するα−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン
またはγ−シクロデキストリンを挙げることができ、こ
れらシクロデキストリンは最大半径が１３〜１７Å程度
に制限された３次元構造を有することが好ましい。
体として、下記化学式７〜９で示される３次元構造を有
するα−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン
またはγ−シクロデキストリンを挙げることができ、こ
れらシクロデキストリンは最大半径が１３〜１７Å程度
に制限された３次元構造を有することが好ましい。
【００７２】
【化２５】
【００７３】
【化２６】
【００７４】
【化２７】
【００７５】化学式７〜９において式中、Ｒ1、Ｒ2およ
びＲ3はそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数０〜１
０のアミノ基もしくはアジド基、炭素数３〜２０のイミ
ダゾリル基もしくはピリジル基、炭素数１〜１０のシア
ノ基、炭素数２〜１０のカーボネート基、炭素数１〜１
０のカルバモイル基、または、ＯＲ4であり、ここでＲ4
はそれぞれ独立して水素原子、炭素数２〜３０のアシル
基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のア
ルケン基、炭素数３〜２０のアルキン基、炭素数７〜２
０のトシル基、炭素数１〜１０のメシル基、炭素数０〜
１０のリン含有基、炭素数３〜１０のシクロアルキル
基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のヒ
ドロキシアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、カ
ルボキシ基、炭素数１〜２０のカルボキシアルキル基、
炭素数６〜１２のグルコシル基、炭素数１２〜３０のマ
ルトシル基、または、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ3（ｒ1、ｒ2および
ｒ3はそれぞれ独立して炭素数１〜５のアルキル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリ
ール基である。）で示されるケイ素化合物である。これ
ら列挙された各種官能基は、上記化学式６において例示
したものと同様である。
びＲ3はそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数０〜１
０のアミノ基もしくはアジド基、炭素数３〜２０のイミ
ダゾリル基もしくはピリジル基、炭素数１〜１０のシア
ノ基、炭素数２〜１０のカーボネート基、炭素数１〜１
０のカルバモイル基、または、ＯＲ4であり、ここでＲ4
はそれぞれ独立して水素原子、炭素数２〜３０のアシル
基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のア
ルケン基、炭素数３〜２０のアルキン基、炭素数７〜２
０のトシル基、炭素数１〜１０のメシル基、炭素数０〜
１０のリン含有基、炭素数３〜１０のシクロアルキル
基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のヒ
ドロキシアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、カ
ルボキシ基、炭素数１〜２０のカルボキシアルキル基、
炭素数６〜１２のグルコシル基、炭素数１２〜３０のマ
ルトシル基、または、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ3（ｒ1、ｒ2および
ｒ3はそれぞれ独立して炭素数１〜５のアルキル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリ
ール基である。）で示されるケイ素化合物である。これ
ら列挙された各種官能基は、上記化学式６において例示
したものと同様である。
【００７６】このような化学式７〜９で示されるシクロ
デキストリン誘導体の具体的な例として、ヘキサキス
（２，３，６−トリ−Ｏ−アセチル）−α−シクロデキ
ストリン、ヘプタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−アセチ
ル）−β−シクロデキストリン、オクタキス（２，３，
６−トリ−Ｏ−アセチル）−γ−シクロデキストリン、
ヘプタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−プロパノイル）−
β−シクロデキストリン、ヘプタキス（２，３，６−ト
リ−Ｏ−ブタノイル）−β−シクロデキストリン、ヘプ
タキス（２，３，６−トリ−Ｏ−ペンタノイル）−β−
シクロデキストリン、ヘキサキス（２，３，６−トリ−
Ｏ−ベンゾイル）−α−シクロデキストリン、ヘプタキ
ス（２，３，６−トリ−Ｏ−ベンゾイル）−β−シクロ
デキストリン、オクタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−ベ
ンゾイル）−γ−シクロデキストリン、ヘキサキス
（２，３，６−トリ−Ｏ−メチル）−α−シクロデキス
トリン、ヘプタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−メチル）
−β−シクロデキストリン、ヘキサキス（６−Ｏ−トシ
ル）−α−シクロデキストリン、ヘキサキス（６−アミ
ノ−６−デオキシ）−α−シクロデキストリン、ヘプタ
キス（６−アミノ−６−デオキシ）−β−シクロデキス
トリン、ビス（６−アジド−６−デオキシ）−β−シク
ロデキストリン、ヘキサキス（２，３−Ｏ−アセチル−
６−ブロモ−６−デオキシ）−α−シクロデキストリ
ン、ヘプタキス（２，３−Ｏ−アセチル−６−ブロモ−
６−デオキシ）−β−シクロデキストリン、モノ（２−
Ｏ−ホスホリル）−α−シクロデキストリン、モノ（２
−Ｏ−ホスホリル）−β−シクロデキストリン、ヘキサ
キス（６−デオキシ−６−（１−イミダゾリル））−α
−シクロデキストリン、モノ（２，（３）−Ｏ−（カル
ボキシルメチル））−α−シクロデキストリン、ヘプタ
キス（２，３，６−トリ−Ｏ−トリメチルシリル）−β
−シクロデキストリン、ヘプタキス（２，３，６−トリ
−Ｏ−ジメチルシリル）−β−シクロデキストリンなど
を挙げることができる。なかでも好ましくは、ヘキサキ
ス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチル)−α−シクロデキ
ストリン、ヘプタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチ
ル)−β−シクロデキストリン、オクタキス(２，３，６
−トリ−Ｏ−アセチル)−γ−シクロデキストリン、ヘ
キサキス(２，３，６−トリ−Ｏ−メチル)−α−シクロ
デキストリン、ヘプタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−メ
チル)−β−シクロデキストリン、ヘキサキス(６−Ｏ−
トシル)−α−シクロデキストリン、ヘキサキス(６−ア
ミノ−６−デオキシ)−α−シクロデキストリン、ヘキ
サキス(６−アミノ−６−デオキシ)−β−シクロデキス
トリン、ビス(６−アジド−６−デオキシ)−β−シクロ
デキストリン、ヘキサキス(２、３−アセチル−６−ブ
ロモ−６−デオキシ)−α−シクロデキストリン、ヘプ
タキス(２，３−Ｏ−アセチル−６−ブロモ−６−デオ
キシ)−β−シクロデキストリン、モノ(２−Ｏ−ホスホ
リル)−α−シクロデキストリン、モノ(２−Ｏ−ホスホ
リル)−β−シクロデキストリン、ヘキサキス［６−デ
オキシ−６−(１−イミダゾリル)］−β−シクロデキス
トリン、または、モノ［２，(３)−Ｏ−(カルボキシル
メチル)］−α−シクロデキストリンであり、特に好ま
しくはヘプタキス(２，４，６−トリ−Ｏ−メチル)−β
−シクロデキストリンである。
デキストリン誘導体の具体的な例として、ヘキサキス
（２，３，６−トリ−Ｏ−アセチル）−α−シクロデキ
ストリン、ヘプタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−アセチ
ル）−β−シクロデキストリン、オクタキス（２，３，
６−トリ−Ｏ−アセチル）−γ−シクロデキストリン、
ヘプタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−プロパノイル）−
β−シクロデキストリン、ヘプタキス（２，３，６−ト
リ−Ｏ−ブタノイル）−β−シクロデキストリン、ヘプ
タキス（２，３，６−トリ−Ｏ−ペンタノイル）−β−
シクロデキストリン、ヘキサキス（２，３，６−トリ−
Ｏ−ベンゾイル）−α−シクロデキストリン、ヘプタキ
ス（２，３，６−トリ−Ｏ−ベンゾイル）−β−シクロ
デキストリン、オクタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−ベ
ンゾイル）−γ−シクロデキストリン、ヘキサキス
（２，３，６−トリ−Ｏ−メチル）−α−シクロデキス
トリン、ヘプタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−メチル）
−β−シクロデキストリン、ヘキサキス（６−Ｏ−トシ
ル）−α−シクロデキストリン、ヘキサキス（６−アミ
ノ−６−デオキシ）−α−シクロデキストリン、ヘプタ
キス（６−アミノ−６−デオキシ）−β−シクロデキス
トリン、ビス（６−アジド−６−デオキシ）−β−シク
ロデキストリン、ヘキサキス（２，３−Ｏ−アセチル−
６−ブロモ−６−デオキシ）−α−シクロデキストリ
ン、ヘプタキス（２，３−Ｏ−アセチル−６−ブロモ−
６−デオキシ）−β−シクロデキストリン、モノ（２−
Ｏ−ホスホリル）−α−シクロデキストリン、モノ（２
−Ｏ−ホスホリル）−β−シクロデキストリン、ヘキサ
キス（６−デオキシ−６−（１−イミダゾリル））−α
−シクロデキストリン、モノ（２，（３）−Ｏ−（カル
ボキシルメチル））−α−シクロデキストリン、ヘプタ
キス（２，３，６−トリ−Ｏ−トリメチルシリル）−β
−シクロデキストリン、ヘプタキス（２，３，６−トリ
−Ｏ−ジメチルシリル）−β−シクロデキストリンなど
を挙げることができる。なかでも好ましくは、ヘキサキ
ス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチル)−α−シクロデキ
ストリン、ヘプタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチ
ル)−β−シクロデキストリン、オクタキス(２，３，６
−トリ−Ｏ−アセチル)−γ−シクロデキストリン、ヘ
キサキス(２，３，６−トリ−Ｏ−メチル)−α−シクロ
デキストリン、ヘプタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−メ
チル)−β−シクロデキストリン、ヘキサキス(６−Ｏ−
トシル)−α−シクロデキストリン、ヘキサキス(６−ア
ミノ−６−デオキシ)−α−シクロデキストリン、ヘキ
サキス(６−アミノ−６−デオキシ)−β−シクロデキス
トリン、ビス(６−アジド−６−デオキシ)−β−シクロ
デキストリン、ヘキサキス(２、３−アセチル−６−ブ
ロモ−６−デオキシ)−α−シクロデキストリン、ヘプ
タキス(２，３−Ｏ−アセチル−６−ブロモ−６−デオ
キシ)−β−シクロデキストリン、モノ(２−Ｏ−ホスホ
リル)−α−シクロデキストリン、モノ(２−Ｏ−ホスホ
リル)−β−シクロデキストリン、ヘキサキス［６−デ
オキシ−６−(１−イミダゾリル)］−β−シクロデキス
トリン、または、モノ［２，(３)−Ｏ−(カルボキシル
メチル)］−α−シクロデキストリンであり、特に好ま
しくはヘプタキス(２，４，６−トリ−Ｏ−メチル)−β
−シクロデキストリンである。
【００７７】上述したマトリックス前駆体とシクロデキ
ストリン誘導体との相溶性を増大させ、均一にシクロデ
キストリン誘導体を分散させるために、本発明の組成物
中に、前記シクロデキストリン誘導体に存在する反応性
基と結合することができる作用基と、前記マトリックス
前駆体に存在する反応性基と結合することができる作用
基とを有するカップリング剤をさらに含ませることがで
きる。
ストリン誘導体との相溶性を増大させ、均一にシクロデ
キストリン誘導体を分散させるために、本発明の組成物
中に、前記シクロデキストリン誘導体に存在する反応性
基と結合することができる作用基と、前記マトリックス
前駆体に存在する反応性基と結合することができる作用
基とを有するカップリング剤をさらに含ませることがで
きる。
【００７８】当該カップリング剤としては、以下の化学
式１０で示されるものが好ましい。
式１０で示されるものが好ましい。
【００７９】
【化２８】
【００８０】式中、Ｆ1は上記シクロデキストリン誘導
体のＲ1、Ｒ2およびＲ3と反応性があるイソシアネート
基、ケテン基、シアノ基、アミン基、イミノエーテル
基、アルデヒド基等であることが好ましい。Ｒ4は炭素
数２〜３０の炭化水素鎖であり、例えば−（ＣＨ2）n−
などである。Ｆ2はマトリックス前駆体の反応性基と結
合することができる反応性基であり、用いられるマトリ
ックス前駆体の反応性基によって適宜選択される。例え
ば、マトリックス前駆体としてポリフェニレンが用いら
れる場合にはアセチレン基またはシクロペンタジノン基
が好ましい。
体のＲ1、Ｒ2およびＲ3と反応性があるイソシアネート
基、ケテン基、シアノ基、アミン基、イミノエーテル
基、アルデヒド基等であることが好ましい。Ｒ4は炭素
数２〜３０の炭化水素鎖であり、例えば−（ＣＨ2）n−
などである。Ｆ2はマトリックス前駆体の反応性基と結
合することができる反応性基であり、用いられるマトリ
ックス前駆体の反応性基によって適宜選択される。例え
ば、マトリックス前駆体としてポリフェニレンが用いら
れる場合にはアセチレン基またはシクロペンタジノン基
が好ましい。
【００８１】本発明の組成物に用いられる溶媒は、上述
した熱的に安定なマトリックス前駆体と、熱的に不安定
なシクロデキストリン誘導体とを溶解させ得るものであ
れば特には限定されないが、（１）芳香族炭化水素系溶
媒、（２）ケトン系溶媒、（３）エーテル系溶媒、
（４）アセテート系溶媒、（５）アミド系溶媒、（６）
γ−ブチロラクトン、（７）アルコール系溶媒、（８）
シリコン溶媒またはこれらの混合物（請求項１１）であ
ることが好ましい。（１）芳香族炭化水素系溶媒として
は、アニソール、キシレン、メシチレン等が挙げられ、
（２）ケトン系溶媒としては、メチルイソブチルケト
ン、１−メチル−２−ピロリジノン、アセトン等が挙げ
られ、（３）エーテル系溶媒としては、テトラヒドロフ
ラン、イソプロピルエーテル等が挙げられ、（４）アセ
テート系溶媒としては、エチルアセテート、ブチルアセ
テート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート等が挙げられ、（５）アミド系溶媒としては、ジ
メチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等が挙げら
れ、（７）アルコール系溶媒としては、イソプロピルア
ルコール、ブチルアルコール、オクチルアルコール等が
挙げられ、マトリックス前駆体およびシクロデキストリ
ン誘導体を良好に溶解させ得るので好ましく用いられ
る。
した熱的に安定なマトリックス前駆体と、熱的に不安定
なシクロデキストリン誘導体とを溶解させ得るものであ
れば特には限定されないが、（１）芳香族炭化水素系溶
媒、（２）ケトン系溶媒、（３）エーテル系溶媒、
（４）アセテート系溶媒、（５）アミド系溶媒、（６）
γ−ブチロラクトン、（７）アルコール系溶媒、（８）
シリコン溶媒またはこれらの混合物（請求項１１）であ
ることが好ましい。（１）芳香族炭化水素系溶媒として
は、アニソール、キシレン、メシチレン等が挙げられ、
（２）ケトン系溶媒としては、メチルイソブチルケト
ン、１−メチル−２−ピロリジノン、アセトン等が挙げ
られ、（３）エーテル系溶媒としては、テトラヒドロフ
ラン、イソプロピルエーテル等が挙げられ、（４）アセ
テート系溶媒としては、エチルアセテート、ブチルアセ
テート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート等が挙げられ、（５）アミド系溶媒としては、ジ
メチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等が挙げら
れ、（７）アルコール系溶媒としては、イソプロピルア
ルコール、ブチルアルコール、オクチルアルコール等が
挙げられ、マトリックス前駆体およびシクロデキストリ
ン誘導体を良好に溶解させ得るので好ましく用いられ
る。
【００８２】このような溶媒は、基板に塗布するのに要
求されるのに充分な量の上記マトリックス前駆体が存在
しなければならないことを考慮すると、組成物総量に対
して２０〜９９．９質量％（請求項３）の範囲で含まれ
ることが好ましい。ここで上記溶媒の含有量が２０質量
％未満の場合、前駆体が溶媒に完全に溶解しない恐れが
あり、一方、９９．９質量％を超過する場合、例えば薄
膜を形成した場合に膜厚が１０００Å以下と薄くなりす
ぎる恐れがある。
求されるのに充分な量の上記マトリックス前駆体が存在
しなければならないことを考慮すると、組成物総量に対
して２０〜９９．９質量％（請求項３）の範囲で含まれ
ることが好ましい。ここで上記溶媒の含有量が２０質量
％未満の場合、前駆体が溶媒に完全に溶解しない恐れが
あり、一方、９９．９質量％を超過する場合、例えば薄
膜を形成した場合に膜厚が１０００Å以下と薄くなりす
ぎる恐れがある。
【００８３】また、上記シクロデキストリン誘導体の含
有量は、組成物に含まれる固形成分総量に対して、好ま
しくは０．１〜９５質量％、より好ましくは１０〜７０
質量％の範囲になるようにする。ここで上記シクロデキ
ストリン誘導体の含有量が０．１質量％未満の場合、気
孔形成物質としての効果が低くなる恐れがあり、一方、
９５質量％を超過する場合、マトリックスの機械的な強
度が不良になる恐れがある。なお、上記「組成物中に含
まれる固形成分」とは、少なくとも該シクロデキストリ
ン誘導体と該マトリックス前駆体とであり、さらに最終
的に製造される本発明のナノ気孔を有する物質の構造に
関与し得る物質も含まれる。
有量は、組成物に含まれる固形成分総量に対して、好ま
しくは０．１〜９５質量％、より好ましくは１０〜７０
質量％の範囲になるようにする。ここで上記シクロデキ
ストリン誘導体の含有量が０．１質量％未満の場合、気
孔形成物質としての効果が低くなる恐れがあり、一方、
９５質量％を超過する場合、マトリックスの機械的な強
度が不良になる恐れがある。なお、上記「組成物中に含
まれる固形成分」とは、少なくとも該シクロデキストリ
ン誘導体と該マトリックス前駆体とであり、さらに最終
的に製造される本発明のナノ気孔を有する物質の構造に
関与し得る物質も含まれる。
【００８４】以上説明した成分を含む本発明の組成物を
用いて、形成される気孔の直径が５０Å以下レベルと非
常に小さく、かつ、分布が均一な、ナノ気孔を有する物
質を得ることができる。このようなナノ気孔を有する物
質は、多様な分野に応用可能なものであり、具体的には
耐熱性素材、電気絶縁性素材、吸着剤、担体などとして
応用可能であり、特に、極低誘電率（具体的には２．５
０以下）が要求される、電子素子の半導体材料に挿入さ
れる層間絶縁膜として有用に使用することができる。
用いて、形成される気孔の直径が５０Å以下レベルと非
常に小さく、かつ、分布が均一な、ナノ気孔を有する物
質を得ることができる。このようなナノ気孔を有する物
質は、多様な分野に応用可能なものであり、具体的には
耐熱性素材、電気絶縁性素材、吸着剤、担体などとして
応用可能であり、特に、極低誘電率（具体的には２．５
０以下）が要求される、電子素子の半導体材料に挿入さ
れる層間絶縁膜として有用に使用することができる。
【００８５】本発明はまた、上記した本発明の組成物
を、半導体基板上にスピンコーティング、ディップコー
ティング、スプレーコーティング、フローコーティン
グ、またはスクリーン印刷によって塗布した後、溶媒を
蒸発させて、不活性気体雰囲気または真空雰囲気中で１
５０〜６００℃で加熱する段階を含む半導体用の層間絶
縁膜の製造方法を提供するものである。
を、半導体基板上にスピンコーティング、ディップコー
ティング、スプレーコーティング、フローコーティン
グ、またはスクリーン印刷によって塗布した後、溶媒を
蒸発させて、不活性気体雰囲気または真空雰囲気中で１
５０〜６００℃で加熱する段階を含む半導体用の層間絶
縁膜の製造方法を提供するものである。
【００８６】本発明の組成物は、上述した通りスピンコ
ーティング、ディップコーティング、スプレーコーティ
ング、フローコーティング、またはスクリーン印刷によ
って半導体基板に塗布されるが、好ましくは速度が１０
００〜５０００rpmのスピンコーティングによって良好
に塗布され得る。
ーティング、ディップコーティング、スプレーコーティ
ング、フローコーティング、またはスクリーン印刷によ
って半導体基板に塗布されるが、好ましくは速度が１０
００〜５０００rpmのスピンコーティングによって良好
に塗布され得る。
【００８７】コーティング後、溶媒を蒸発させて、上記
組成物中に含まれるシクロデキストリン誘導体とマトリ
ックス前駆体とを含む樹脂膜が基板上に積層されるよう
にする。この時、周囲環境に露出させるような単純空気
乾燥法、該樹脂膜が硬化する初期段階で真空を適用する
方法や、１００℃以下の温度で加熱する方法など、溶媒
の蒸発に適合した手段を使用することが好ましい。
組成物中に含まれるシクロデキストリン誘導体とマトリ
ックス前駆体とを含む樹脂膜が基板上に積層されるよう
にする。この時、周囲環境に露出させるような単純空気
乾燥法、該樹脂膜が硬化する初期段階で真空を適用する
方法や、１００℃以下の温度で加熱する方法など、溶媒
の蒸発に適合した手段を使用することが好ましい。
【００８８】続いて、上記の通りに形成されたコーティ
ング膜を、シクロデキストリン誘導体が熱分解される温
度、好ましくは１５０〜６００℃、より好ましくは２０
０〜４５０℃の温度で加熱することによって硬化させ、
亀裂がない不溶性の樹脂膜を形成させることができる。
ここで「亀裂がない不溶性の樹脂膜」とは、１０００倍
率の光学顕微鏡で観察する時、肉眼でみることができる
任意の亀裂が観察されない被膜を意味し、「不溶性の樹
脂膜」とは、上述したシロキサン系樹脂を沈着させて膜
を形成させるのに用いる溶媒、または、樹脂を塗布させ
るのに有用なものとして上述された溶媒に実質的に溶解
されない被膜を意味する。なお、コーティング膜を加熱
する時の雰囲気は、不活性気体(窒素、アルゴン)雰囲
気、または真空雰囲気で実施されることもできる。この
時、硬化時間は１０時間までが好ましいが、より好まし
くは３０分〜１時間である。
ング膜を、シクロデキストリン誘導体が熱分解される温
度、好ましくは１５０〜６００℃、より好ましくは２０
０〜４５０℃の温度で加熱することによって硬化させ、
亀裂がない不溶性の樹脂膜を形成させることができる。
ここで「亀裂がない不溶性の樹脂膜」とは、１０００倍
率の光学顕微鏡で観察する時、肉眼でみることができる
任意の亀裂が観察されない被膜を意味し、「不溶性の樹
脂膜」とは、上述したシロキサン系樹脂を沈着させて膜
を形成させるのに用いる溶媒、または、樹脂を塗布させ
るのに有用なものとして上述された溶媒に実質的に溶解
されない被膜を意味する。なお、コーティング膜を加熱
する時の雰囲気は、不活性気体(窒素、アルゴン)雰囲
気、または真空雰囲気で実施されることもできる。この
時、硬化時間は１０時間までが好ましいが、より好まし
くは３０分〜１時間である。
【００８９】硬化後、形成されたマトリックス内に直径
が約５０Å以下の小さな気孔が形成された薄膜を得るこ
とができる。さらにシクロデキストリン誘導体を化学的
に変形させる等の様々な方法により、直径が３０Å以下
の気孔が均一に形成された薄膜を得ることができる。
が約５０Å以下の小さな気孔が形成された薄膜を得るこ
とができる。さらにシクロデキストリン誘導体を化学的
に変形させる等の様々な方法により、直径が３０Å以下
の気孔が均一に形成された薄膜を得ることができる。
【００９０】このように製造された薄膜は、誘電率２．
５以下の低誘電率特性を有し、上述のマトリックス前駆
体１００質量部に対してシクロデキストリン誘導体を約
３０質量部を含む本発明の組成物を使用すれば、誘電率
２．２以下の極低誘電率特性も得ることができ、半導体
用の層間絶縁膜に適用するのに非常に有用である。
５以下の低誘電率特性を有し、上述のマトリックス前駆
体１００質量部に対してシクロデキストリン誘導体を約
３０質量部を含む本発明の組成物を使用すれば、誘電率
２．２以下の極低誘電率特性も得ることができ、半導体
用の層間絶縁膜に適用するのに非常に有用である。
【００９１】以上、半導体用層間絶縁膜を例にとり本発
明の組成物からナノ気孔を有する物質を得る方法を説明
したが、その他の用途である上記耐熱性素材、吸着剤ま
たは担体などの場合も、それぞれにおける通常的な製造
方法を本発明の組成物に適用して、ナノ気孔を持つ物質
として製造することができる。
明の組成物からナノ気孔を有する物質を得る方法を説明
したが、その他の用途である上記耐熱性素材、吸着剤ま
たは担体などの場合も、それぞれにおける通常的な製造
方法を本発明の組成物に適用して、ナノ気孔を持つ物質
として製造することができる。
【００９２】
【実施例】以下、実施例を通じて本発明をより詳細に説
明する。
明する。
【００９３】合成例１：マトリックス前駆体合成用のモ
ノマーの合成 合成例１−１：モノマーＡ合成 ２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テト
ラビニルシクロテトラシロキサン１０．０ｇ（２９．０
１４ｍｍｏｌ）と、キシレン溶液に溶解させた白金
（Ｏ）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメ
チルジシロキサン化合物０．１６４ｇをフラスコに入れ
た後、ジエチルエーテル３００ｍｌを入れて希釈した。
続いて、反応温度を−７８℃まで低くし、トリクロロシ
ラン１２７．６６ｍｍｏｌ（１７．２９ｇ）を徐々に加
えた後、反応温度を徐々に常温まで上げた。以後、常温
で２０時間反応を進行させた後、０．１ｔｏｒｒ程度の
減圧下において揮発性物質を除去して、ペンタン１００
ｍｌを加えた。次に、１時間攪拌し、セライトを通じて
濾過して、無色の澄んだ溶液を得た。この溶液を、再び
０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下においてペンタンを除去
し、無色の液状化合物ＨＯ−［Ｓｉ（ＣＨ3）（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＳｉＣｌ3）Ｏ］4−Ｈを９５％の収率で得た。
ノマーの合成 合成例１−１：モノマーＡ合成 ２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テト
ラビニルシクロテトラシロキサン１０．０ｇ（２９．０
１４ｍｍｏｌ）と、キシレン溶液に溶解させた白金
（Ｏ）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメ
チルジシロキサン化合物０．１６４ｇをフラスコに入れ
た後、ジエチルエーテル３００ｍｌを入れて希釈した。
続いて、反応温度を−７８℃まで低くし、トリクロロシ
ラン１２７．６６ｍｍｏｌ（１７．２９ｇ）を徐々に加
えた後、反応温度を徐々に常温まで上げた。以後、常温
で２０時間反応を進行させた後、０．１ｔｏｒｒ程度の
減圧下において揮発性物質を除去して、ペンタン１００
ｍｌを加えた。次に、１時間攪拌し、セライトを通じて
濾過して、無色の澄んだ溶液を得た。この溶液を、再び
０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下においてペンタンを除去
し、無色の液状化合物ＨＯ−［Ｓｉ（ＣＨ3）（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＳｉＣｌ3）Ｏ］4−Ｈを９５％の収率で得た。
【００９４】この化合物１１．２８ｍｍｏｌ（１０．０
ｇ）をテトラヒドロフラン５００ｍｌで希釈して、トリ
エチルアミン１３６．７１ｍｍｏｌ（１３．８３ｇ）を
添加した。続いて、反応容器を−７８℃まで低くし、メ
チルアルコール１３６．７１ｍｍｏｌ（４．３８ｇ）を
徐々に加えた後、反応温度を徐々に常温まで上げた。続
いて、常温で１５時間反応を進行させた後、セライトを
通じ濾過し、０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下で揮発性物質
を除去した。ここに、ペンタン１００ｍｌを加えて、１
時間攪拌した後、セライトを通じ濾過して、無色の澄ん
だ溶液を得た。この溶液を０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下
においてペンタンを除去し、無色の液状化合物である下
記化学式１１（式中、Ｒはメチルであり、ｐは４であ
る）のモノマーＡを９４％の収率で得た。
ｇ）をテトラヒドロフラン５００ｍｌで希釈して、トリ
エチルアミン１３６．７１ｍｍｏｌ（１３．８３ｇ）を
添加した。続いて、反応容器を−７８℃まで低くし、メ
チルアルコール１３６．７１ｍｍｏｌ（４．３８ｇ）を
徐々に加えた後、反応温度を徐々に常温まで上げた。続
いて、常温で１５時間反応を進行させた後、セライトを
通じ濾過し、０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下で揮発性物質
を除去した。ここに、ペンタン１００ｍｌを加えて、１
時間攪拌した後、セライトを通じ濾過して、無色の澄ん
だ溶液を得た。この溶液を０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下
においてペンタンを除去し、無色の液状化合物である下
記化学式１１（式中、Ｒはメチルであり、ｐは４であ
る）のモノマーＡを９４％の収率で得た。
【００９５】
【化２９】
【００９６】合成例１−２：モノマーＢ合成 オクタ（クロロシリルエチル）−ポス（Ｏｃｔａ（ｃｈ
ｌｏｒｏｓｉｌｙｌｅｔｈｙｌ）−ＰＯＳＳ）７．１９
４ｍｍｏｌ（１０．０ｇ）をテトラヒドロフラン５００
ｍｌで希釈して、トリエチルアミン６３．３１０ｍｍｏ
ｌ（６．４１ｇ）を添加した。次に反応温度を−７８℃
まで低くし、メチルアルコール６３．３１０ｍｍｏｌ
（２．０３ｇ）を徐々に加えた後、反応温度を徐々に常
温まで上げた。常温で２０時間反応を進行させた後、セ
ライトを通じ濾過し、０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下で揮
発性物質を除去した。ここにペンタン１００ｍｌを加え
て、１時間攪拌した後、セライトを通じ濾過して無色の
澄んだ溶液を得て、再びこの溶液を０．１ｔｏｒｒ程度
の減圧下においてペンタンを除去し、下記化学式１２の
モノマーＢを製造した。
ｌｏｒｏｓｉｌｙｌｅｔｈｙｌ）−ＰＯＳＳ）７．１９
４ｍｍｏｌ（１０．０ｇ）をテトラヒドロフラン５００
ｍｌで希釈して、トリエチルアミン６３．３１０ｍｍｏ
ｌ（６．４１ｇ）を添加した。次に反応温度を−７８℃
まで低くし、メチルアルコール６３．３１０ｍｍｏｌ
（２．０３ｇ）を徐々に加えた後、反応温度を徐々に常
温まで上げた。常温で２０時間反応を進行させた後、セ
ライトを通じ濾過し、０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下で揮
発性物質を除去した。ここにペンタン１００ｍｌを加え
て、１時間攪拌した後、セライトを通じ濾過して無色の
澄んだ溶液を得て、再びこの溶液を０．１ｔｏｒｒ程度
の減圧下においてペンタンを除去し、下記化学式１２の
モノマーＢを製造した。
【００９７】
【化３０】
【００９８】合成例２：マトリックス前駆体の重合 合成例２−１：マトリックス前駆体Ａ（モノマーＡの単
独重合）の合成 合成例１で得られたモノマーＡ９．８５ｍｍｏｌ（８．
２１８ｇ）をフラスコに入れ、テトラヒドロフラン９０
ｍｌで希釈して溶液を得た。−７８℃の条件下で、この
溶液に、濃塩酸（塩化水素３５％含有）８．８ｍｌを水
１００ｍｌで希釈した塩酸溶液を徐々に加え、塩化水素
含量を１．１８ｍｍｏｌとした。得られた溶液に水を徐
々に加え、最終的な水の含量を添加された塩酸溶液中に
含まれている水の量と合わせて３９３．６１ｍｍｏｌ
（７．０８４ｇ）とした。以後、反応温度を徐々に７０
℃まで上げて反応を１６時間進行させた。続いて反応溶
液を分液漏斗に移した後、ジエチルエーテル９０ｍｌを
入れて、水１００ｍｌで５回洗った後、この溶液に無水
硫酸ナトリウム５ｇを入れて常温で１０時間攪拌し、溶
液に含まれている微量の水を除去した後濾過し、無色の
澄んだ溶液を得た。この溶液から０．１ｔｏｒｒ程度の
減圧下で揮発性物質を除去して、白色粉末形態のマトリ
ックス前駆体Ａ５．３ｇを得た。
独重合）の合成 合成例１で得られたモノマーＡ９．８５ｍｍｏｌ（８．
２１８ｇ）をフラスコに入れ、テトラヒドロフラン９０
ｍｌで希釈して溶液を得た。−７８℃の条件下で、この
溶液に、濃塩酸（塩化水素３５％含有）８．８ｍｌを水
１００ｍｌで希釈した塩酸溶液を徐々に加え、塩化水素
含量を１．１８ｍｍｏｌとした。得られた溶液に水を徐
々に加え、最終的な水の含量を添加された塩酸溶液中に
含まれている水の量と合わせて３９３．６１ｍｍｏｌ
（７．０８４ｇ）とした。以後、反応温度を徐々に７０
℃まで上げて反応を１６時間進行させた。続いて反応溶
液を分液漏斗に移した後、ジエチルエーテル９０ｍｌを
入れて、水１００ｍｌで５回洗った後、この溶液に無水
硫酸ナトリウム５ｇを入れて常温で１０時間攪拌し、溶
液に含まれている微量の水を除去した後濾過し、無色の
澄んだ溶液を得た。この溶液から０．１ｔｏｒｒ程度の
減圧下で揮発性物質を除去して、白色粉末形態のマトリ
ックス前駆体Ａ５．３ｇを得た。
【００９９】合成例２−２：マトリックス前駆体Ｂ（モ
ノマーＡとメチルトリメトキシシランの共重合体）の合
成 メチルトリメトキシシラン３７．８６ｍｍｏｌ（５．１
５８ｇ）と合成例１で得られたモノマーＡ３．７９ｍｍ
ｏｌ（３．１６２ｇ）をフラスコに入れた後、テトラヒ
ドロフラン１００ｍｌで希釈して溶液を得た。−７８℃
の条件下で、この溶液に、濃塩酸（塩化水素３５％含
有）０．１２ｍｌを水１００ｍｌで希釈した塩酸溶液を
徐々に加え、塩化水素含量を０．０１５９ｍｍｏｌとし
た。得られた溶液に水を徐々に加え、最終的な水の含量
を添加された塩酸溶液中に含まれている水の量と合わせ
て５２９．６７ｍｍｏｌ（９．５３４ｇ）とした。以
後、反応温度を徐々に７０℃まで上げて反応を１６時間
進行させた。続いて反応溶液を分液漏斗に移し、ジエチ
ルエーテル１００ｍｌを入れて、水１００ｍｌで５回洗
った後、この溶液に無水硫酸ナトリウム５ｇを入れて常
温で１０時間攪拌して、溶液に含まれている微量の水を
除去した後、濾過し、無色の澄んだ溶液を得た。この溶
液から０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下で揮発性物質を除去
して、白色粉末形態のマトリックス前駆体Ｂ５．５ｇを
得た。
ノマーＡとメチルトリメトキシシランの共重合体）の合
成 メチルトリメトキシシラン３７．８６ｍｍｏｌ（５．１
５８ｇ）と合成例１で得られたモノマーＡ３．７９ｍｍ
ｏｌ（３．１６２ｇ）をフラスコに入れた後、テトラヒ
ドロフラン１００ｍｌで希釈して溶液を得た。−７８℃
の条件下で、この溶液に、濃塩酸（塩化水素３５％含
有）０．１２ｍｌを水１００ｍｌで希釈した塩酸溶液を
徐々に加え、塩化水素含量を０．０１５９ｍｍｏｌとし
た。得られた溶液に水を徐々に加え、最終的な水の含量
を添加された塩酸溶液中に含まれている水の量と合わせ
て５２９．６７ｍｍｏｌ（９．５３４ｇ）とした。以
後、反応温度を徐々に７０℃まで上げて反応を１６時間
進行させた。続いて反応溶液を分液漏斗に移し、ジエチ
ルエーテル１００ｍｌを入れて、水１００ｍｌで５回洗
った後、この溶液に無水硫酸ナトリウム５ｇを入れて常
温で１０時間攪拌して、溶液に含まれている微量の水を
除去した後、濾過し、無色の澄んだ溶液を得た。この溶
液から０．１ｔｏｒｒ程度の減圧下で揮発性物質を除去
して、白色粉末形態のマトリックス前駆体Ｂ５．５ｇを
得た。
【０１００】合成例２−３：マトリックス前駆体Ｃ（モ
ノマーＡとモノマーＢの共重合体）の合成 合成例１で得られたモノマーＡ１３．２８ｍｍｏｌ（１
１．０８ｇ）と上記モノマーＢ２．３９ｍｍｏｌ（２．
００ｇ）をフラスコに入れた後、テトラヒドロフラン１
００ｍｌで希釈して溶液を得た。−７８℃の条件下で、
この溶液に、濃塩酸（塩化水素３５％含有）０．１２ｍ
ｌを水１００ｍｌで希釈した塩酸溶液を徐々に加え、塩
化水素含量を０．０１５９ｍｍｏｌとした。得られた溶
液に水を徐々に加え、最終的な水の含量を添加された塩
酸溶液中に含まれている水の量と合わせて５２９．６７
ｍｍｏｌ（９．５３４ｇ）とした。以後、反応温度を徐
々に７０℃まで上げて反応を１６時間進行させた。続い
て、反応溶液を分液漏斗に移し、ジエチルエーテル１０
０ｍｌを入れて、水１００ｍｌで５回洗った後、この溶
液に無水硫酸ナトリウム５ｇを入れて常温で１０時間攪
拌して、溶液に含まれている微量の水を除去した後、濾
過し、無色の澄んだ溶液を得た。この溶液から０．１ｔ
ｏｒｒ程度の減圧下で揮発性物質を除去して、白色粉末
形態のマトリックス前駆体Ｃ６．１５ｇを得た。
ノマーＡとモノマーＢの共重合体）の合成 合成例１で得られたモノマーＡ１３．２８ｍｍｏｌ（１
１．０８ｇ）と上記モノマーＢ２．３９ｍｍｏｌ（２．
００ｇ）をフラスコに入れた後、テトラヒドロフラン１
００ｍｌで希釈して溶液を得た。−７８℃の条件下で、
この溶液に、濃塩酸（塩化水素３５％含有）０．１２ｍ
ｌを水１００ｍｌで希釈した塩酸溶液を徐々に加え、塩
化水素含量を０．０１５９ｍｍｏｌとした。得られた溶
液に水を徐々に加え、最終的な水の含量を添加された塩
酸溶液中に含まれている水の量と合わせて５２９．６７
ｍｍｏｌ（９．５３４ｇ）とした。以後、反応温度を徐
々に７０℃まで上げて反応を１６時間進行させた。続い
て、反応溶液を分液漏斗に移し、ジエチルエーテル１０
０ｍｌを入れて、水１００ｍｌで５回洗った後、この溶
液に無水硫酸ナトリウム５ｇを入れて常温で１０時間攪
拌して、溶液に含まれている微量の水を除去した後、濾
過し、無色の澄んだ溶液を得た。この溶液から０．１ｔ
ｏｒｒ程度の減圧下で揮発性物質を除去して、白色粉末
形態のマトリックス前駆体Ｃ６．１５ｇを得た。
【０１０１】合成例３：分離 合成例３−１：マトリックス前駆体Ａの分離 合成例２−１で得たマトリックス前駆体Ａ５ｇをフラス
コに入れて、アセトン７ｍｌを加えて溶解させた。この
溶液を気孔が０．２μｍであるシリンジフィルターを利
用して微細な粉末及びその他異物を除去して澄んだ溶液
部分だけを取った後、水２０ｍｌを徐々に加えた。ここ
で生成した白色粉末と、溶液部分（アセトンと水の混合
溶液）とを分離した後、０〜５℃の温度で、０．１ｔｏ
ｒｒ減圧下で白色粉末を乾燥させ、３．７ｇのマトリッ
クス前駆体Ａを得た。
コに入れて、アセトン７ｍｌを加えて溶解させた。この
溶液を気孔が０．２μｍであるシリンジフィルターを利
用して微細な粉末及びその他異物を除去して澄んだ溶液
部分だけを取った後、水２０ｍｌを徐々に加えた。ここ
で生成した白色粉末と、溶液部分（アセトンと水の混合
溶液）とを分離した後、０〜５℃の温度で、０．１ｔｏ
ｒｒ減圧下で白色粉末を乾燥させ、３．７ｇのマトリッ
クス前駆体Ａを得た。
【０１０２】合成例３−２：マトリックス前駆体Ｂの分
離 合成例２−２で得られたマトリックス前駆体Ｂを使用し
た以外は、合成例３−１と同様の方法でマトリックス前
駆体Ｂを分離した。この時分離されたマトリックス前駆
体Ｂの量は３．５ｇであった。
離 合成例２−２で得られたマトリックス前駆体Ｂを使用し
た以外は、合成例３−１と同様の方法でマトリックス前
駆体Ｂを分離した。この時分離されたマトリックス前駆
体Ｂの量は３．５ｇであった。
【０１０３】合成例３−３：マトリックス前駆体Ｃの分
離 合成例２−３で得られたマトリックス前駆体Ｃを使用し
た以外は、合成例３−１と同様の方法でマトリックス前
駆体Ｃを分離した。この時分離されたマトリックス前駆
体Ｃの量は４。１ｇであった。
離 合成例２−３で得られたマトリックス前駆体Ｃを使用し
た以外は、合成例３−１と同様の方法でマトリックス前
駆体Ｃを分離した。この時分離されたマトリックス前駆
体Ｃの量は４。１ｇであった。
【０１０４】合成例４：マトリックス前駆体Ａ〜Ｃの分
析 上記合成例で合成されたシロキサン系樹脂マトリックス
前駆体Ａ〜Ｃの分子量および分子量分布を、ゲル濾過ク
ロマトグラフィー（Ｗａｔｅｒｓ社製）で分析して、こ
れらマトリックス前駆体Ａ〜Ｃに含まれるシロキサン系
樹脂末端基のＳｉ−ＯＨ含有量（％）、Ｓｉ−ＯＣＨ3
含有量（％）およびＳｉ−ＣＨ3含有量（％）を核磁気
共鳴分析機（Ｂｒｕｋｅｒ社製）で分析した。計算式お
よびその結果を以下に示す。
析 上記合成例で合成されたシロキサン系樹脂マトリックス
前駆体Ａ〜Ｃの分子量および分子量分布を、ゲル濾過ク
ロマトグラフィー（Ｗａｔｅｒｓ社製）で分析して、こ
れらマトリックス前駆体Ａ〜Ｃに含まれるシロキサン系
樹脂末端基のＳｉ−ＯＨ含有量（％）、Ｓｉ−ＯＣＨ3
含有量（％）およびＳｉ−ＣＨ3含有量（％）を核磁気
共鳴分析機（Ｂｒｕｋｅｒ社製）で分析した。計算式お
よびその結果を以下に示す。
【０１０５】
【数１】
【０１０６】
【表１】
【０１０７】実施例１：ナノ気孔を有する物質で形成さ
れた低誘電膜の製造、および、厚さ・屈折率測定 合成例３で製造されたマトリックス前駆体Ａ〜Ｃと、ヘ
プタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−メチル）−β−シク
ロデキストリンとを下記表２に示した組成で用い、さら
に溶媒としてメチルイソブチルケトンを用いて、本発明
の組成物（実施例１−１〜１−１９）を製造した。これ
ら実施例１−１〜１−１９の組成物を、ホウ素でドーピ
ングしたｐ型シリコンウェーハ上に３０００ｒｐｍ速度
でスピンコーティングによって塗布した。これら組成物
がコーティングされた基板を、ホットプレート下で、１
５０℃を１分、２５０℃を１分の条件を順次行うソフト
ベークを実施して、有機溶剤を十分に除去した。
れた低誘電膜の製造、および、厚さ・屈折率測定 合成例３で製造されたマトリックス前駆体Ａ〜Ｃと、ヘ
プタキス（２，３，６−トリ−Ｏ−メチル）−β−シク
ロデキストリンとを下記表２に示した組成で用い、さら
に溶媒としてメチルイソブチルケトンを用いて、本発明
の組成物（実施例１−１〜１−１９）を製造した。これ
ら実施例１−１〜１−１９の組成物を、ホウ素でドーピ
ングしたｐ型シリコンウェーハ上に３０００ｒｐｍ速度
でスピンコーティングによって塗布した。これら組成物
がコーティングされた基板を、ホットプレート下で、１
５０℃を１分、２５０℃を１分の条件を順次行うソフト
ベークを実施して、有機溶剤を十分に除去した。
【０１０８】このようにして得られた基板を、リンバー
グ炉（Ｌｉｎｂｅｒｇ ｆｕｒｎａｃｅ）のなかで４２
０℃、真空雰囲気下で６０分間硬化させ本発明の組成物
からなる低誘電膜を基板上に形成した。得られた低誘電
膜の厚さ（Ｔ）および屈折率（ＲＩ）を、プリズムカプ
ラー、楕円偏光測定器およびプロフィルメーターを用い
て測定した。測定結果を表２示す。なお、表中「Ｍａ
ｔ」とは、組成物中のマトリックス前駆体（Ｍａｔ）の
含有量（質量％）を表し、以下の式によって計算され
る。
グ炉（Ｌｉｎｂｅｒｇ ｆｕｒｎａｃｅ）のなかで４２
０℃、真空雰囲気下で６０分間硬化させ本発明の組成物
からなる低誘電膜を基板上に形成した。得られた低誘電
膜の厚さ（Ｔ）および屈折率（ＲＩ）を、プリズムカプ
ラー、楕円偏光測定器およびプロフィルメーターを用い
て測定した。測定結果を表２示す。なお、表中「Ｍａ
ｔ」とは、組成物中のマトリックス前駆体（Ｍａｔ）の
含有量（質量％）を表し、以下の式によって計算され
る。
【０１０９】
【数２】
【０１１０】さらに表中「ＣＤ」とは、シクロデキスト
リン誘導体であるヘプタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−
メチル)−β−シクロデキストリン（ＨＴＭ−β−Ｃ
Ｄ）の固形成分総量に対する含有量を表し、以下の式に
よって計算される。
リン誘導体であるヘプタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−
メチル)−β−シクロデキストリン（ＨＴＭ−β−Ｃ
Ｄ）の固形成分総量に対する含有量を表し、以下の式に
よって計算される。
【０１１１】
【数３】
【０１１２】
【表２】
【０１１３】低誘電膜の誘電率測定 誘電率はＨｇ ＣＶ ｍｅｔｅｒ（ＳＳＭ４９０ｉ Ｃ
Ｖ ｓｙｓｔｅｍ，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｍｅａｓ
ｕｒｅｍｅｎｔｓ）を利用して約１ＭＨｚの周波数でゲ
ート電圧が−２２０Ｖ〜２２０Ｖである範囲内で測定さ
れた。誘電率を求めるために、厚さと誘電率とが既知の
熱酸化シリコンオキサイドがコーティングされた試料の
静電容量を測定し、下記式を利用してＨｇ電極と測定試
片との接触面積を求め、これを基準値とした。
Ｖ ｓｙｓｔｅｍ，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｍｅａｓ
ｕｒｅｍｅｎｔｓ）を利用して約１ＭＨｚの周波数でゲ
ート電圧が−２２０Ｖ〜２２０Ｖである範囲内で測定さ
れた。誘電率を求めるために、厚さと誘電率とが既知の
熱酸化シリコンオキサイドがコーティングされた試料の
静電容量を測定し、下記式を利用してＨｇ電極と測定試
片との接触面積を求め、これを基準値とした。
【０１１４】
【数４】
【０１１５】式中、ＡはＨｇと試料の接触面積、Ｃは測
定された静電容量、ｔは膜の厚さ、ｋは基準物質の誘電
率（熱酸化シリコンオキサイドであるために３．９）で
ある。
定された静電容量、ｔは膜の厚さ、ｋは基準物質の誘電
率（熱酸化シリコンオキサイドであるために３．９）で
ある。
【０１１６】ＣＶ測定により、実施例１で得られた低誘
電膜のテスト試片の静電容量と基準値を基にした膜厚さ
（以下、換算厚さという）とを測定した。この換算厚さ
と、表２に記載のプリズムカプラーによる膜厚さ測定値
とを下記式に代入して、テスト試片の誘電率を計算し
た。
電膜のテスト試片の静電容量と基準値を基にした膜厚さ
（以下、換算厚さという）とを測定した。この換算厚さ
と、表２に記載のプリズムカプラーによる膜厚さ測定値
とを下記式に代入して、テスト試片の誘電率を計算し
た。
【０１１７】
【数５】
【０１１８】このようにして得られた誘電率を以下の表
３に示す。
３に示す。
【０１１９】
【表３】
【０１２０】実施例１で製造された低誘電膜の断面のTE
Mイメージ観察 実施例１で製造されたシリコンウェーハ上の低誘電膜の
断面イメージを、TEMH９０００NAを使用して３００kV条
件で測定し、該低誘電膜中に形成されたナノ気孔を確認
した。そのイメージを図１〜４に示す。図１は実施例１
−６により製造された低誘電膜の断面イメージ写真であ
り、図２は実施例１−７により製造された低誘電膜の断
面イメージ写真であり、図３は実施例１−１３により製
造された低誘電膜の断面イメージ写真であり、図４は実
施例１−１５により製造された薄膜の断面イメージ写真
である。
Mイメージ観察 実施例１で製造されたシリコンウェーハ上の低誘電膜の
断面イメージを、TEMH９０００NAを使用して３００kV条
件で測定し、該低誘電膜中に形成されたナノ気孔を確認
した。そのイメージを図１〜４に示す。図１は実施例１
−６により製造された低誘電膜の断面イメージ写真であ
り、図２は実施例１−７により製造された低誘電膜の断
面イメージ写真であり、図３は実施例１−１３により製
造された低誘電膜の断面イメージ写真であり、図４は実
施例１−１５により製造された薄膜の断面イメージ写真
である。
【０１２１】実施例４：ＢＥＴ Ｎ2吸収分析 実施例１で製造された低誘電膜中に形成されたナノ気孔
の物理的な特性を、ＢＥＴ Ｎ2吸収法に従って調べ
た。その結果を表４に示す。
の物理的な特性を、ＢＥＴ Ｎ2吸収法に従って調べ
た。その結果を表４に示す。
【０１２２】
【表４】
【０１２３】以上の断面イメージ写真およびＢＥＴ Ｎ
2吸収分析によれば、本発明による低誘電膜には５０Å
以下の微細な気孔が形成されており、かつその気孔の分
布が均一であることがわかった。
2吸収分析によれば、本発明による低誘電膜には５０Å
以下の微細な気孔が形成されており、かつその気孔の分
布が均一であることがわかった。
【０１２４】
【発明の効果】本発明の組成物は、５０Å以下の微細な
気孔を有し、かつその気孔の分布が均一している物質を
提供するものであり、当該組成物により得られた物質
は、耐熱性素材、電気絶縁性素材、吸着剤または触媒の
担体として有用に用いることができる。特に誘電率が
２．５以下レベルまで低くすることができるので、半導
体用の層間絶縁膜として有用に用いることができる。
気孔を有し、かつその気孔の分布が均一している物質を
提供するものであり、当該組成物により得られた物質
は、耐熱性素材、電気絶縁性素材、吸着剤または触媒の
担体として有用に用いることができる。特に誘電率が
２．５以下レベルまで低くすることができるので、半導
体用の層間絶縁膜として有用に用いることができる。
【図１】 実施例１−６により製造された低誘電膜の断
面イメージ写真である。
面イメージ写真である。
【図２】 実施例１−７により製造された低誘電膜の断
面イメージ写真である。
面イメージ写真である。
【図３】 実施例１−１３により製造された低誘電膜の
断面イメージ写真である。
断面イメージ写真である。
【図４】 実施例１−１５により製造された低誘電膜の
断面イメージ写真である。
断面イメージ写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｂ 37/16 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｊ (72)発明者 馬 相 國 大韓民國ソウル特別市永登浦區汝矣島洞 廣場アパート10棟905号 (72)発明者 羅 恩 珠 大韓民國大田市中區太平洞 プルンメーア パート108棟1602 (72)発明者 ▲黄▼ 日 宣 大韓民國大田市中區柳川２洞182−２番地 (72)発明者 尹 根 秉 大韓民國大田市儒城區田民洞 世宗アパー ト104棟501 Ｆターム(参考） 4C090 AA05 AA08 BA11 BD50 CA06 DA05 DA31 4J002 AB05W CE00X CH07X CM04X CP03X CP08X EX026 EX036 GQ01 GQ05 HA05 5F033 QQ74 RR21 RR25 RR29 SS22 XX24
Claims (17)
- 【請求項１】 シクロデキストリン誘導体と、熱的に安
定な有機または無機マトリックス前駆体と、前記シクロ
デキストリン誘導体と前記有機または無機マトリックス
前駆体とを溶解させる溶媒とを含む、ナノ気孔を有する
物質を形成するための組成物。 - 【請求項２】 前記シクロデキストリン誘導体の含有量
が、組成物に含まれる固形成分総量に対して、０．１〜
９５質量％であることを特徴とする請求項１に記載の組
成物。 - 【請求項３】 前記溶媒の含有量が、組成物総量に対し
て２０〜９９．９質量％であることを特徴とする請求項
１または２に記載の組成物。 - 【請求項４】 前記シクロデキストリン誘導体は、下記
化学式６： 【化１】 ［式中、ｑは６〜１２の整数であり、Ｒ1、Ｒ2およびＲ
3はそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数０〜１０の
アミノ基もしくはアジド基、炭素数３〜２０のイミダゾ
リル基もしくはピリジル基、炭素数１〜１０のシアノ
基、炭素数２〜１０のカーボネート基、炭素数１〜１０
のカルバモイル基、または、ＯＲ4であり、ここでＲ4は
それぞれ独立して水素原子、炭素数２〜３０のアシル
基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のア
ルケン基、炭素数３〜２０のアルキン基、炭素数７〜２
０のトシル基、炭素数１〜１０のメシル基、炭素数０〜
１０のリン含有基、炭素数３〜１０のシクロアルキル
基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のヒ
ドロキシアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、カ
ルボキシ基、炭素数１〜２０のカルボキシアルキル基、
炭素数６〜１２のグルコシル基、炭素数１２〜３０のマ
ルトシル基、または、Ｓｉｒ1ｒ2ｒ3（ｒ1、ｒ2および
ｒ3はそれぞれ独立して炭素数１〜５のアルキル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリ
ール基である。）で示されるケイ素化合物である。］で
示されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項
に記載の組成物。 - 【請求項５】 前記シクロデキストリン誘導体は、下記
化学式７〜９： 【化２】 【化３】 【化４】 ［式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立してハロゲ
ン原子、炭素数０〜１０のアミノ基もしくはアジド基、
炭素数３〜２０のイミダゾリル基もしくはピリジル基、
炭素数１〜１０のシアノ基、炭素数２〜１０のカーボネ
ート基、炭素数１〜１０のカルバモイル基、または、Ｏ
Ｒ4であり、ここでＲ4はそれぞれ独立して水素原子、炭
素数２〜３０のアシル基、炭素数１〜２０のアルキル
基、炭素数３〜１０のアルケン基、炭素数３〜２０のア
ルキン基、炭素数７〜２０のトシル基、炭素数１〜１０
のメシル基、炭素数０〜１０のリン含有基、炭素数３〜
１０のシクロアルキル基、炭素数６〜３０のアリール
基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基、炭素数６
〜３０のアリール基、カルボキシ基、炭素数１〜２０の
カルボキシアルキル基、炭素数６〜１２のグルコシル
基、炭素数１２〜３０のマルトシル基、または、Ｓｉｒ
1ｒ2ｒ3（ｒ1、ｒ2およびｒ3はそれぞれ独立して炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基また
は炭素数６〜２０のアリール基である。）で示されるケ
イ素化合物である。］で示される３次元構造を有するα
−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、また
は、γ−シクロデキストリン誘導体であることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項６】 前記シクロデキストリン誘導体は、ヘキ
サキス(２，３，６−トリ−Ｏ−アセチル)−α−シクロ
デキストリン、ヘプタキス(２，３，６−トリ−Ｏ−ア
セチル)−β−シクロデキストリン、オクタキス(２，
３，６−トリ−Ｏ−アセチル)−γ−シクロデキストリ
ン、ヘキサキス(２，３，６−トリ−Ｏ−メチル)−α−
シクロデキストリン、ヘプタキス(２，３，６−トリ−
Ｏ−メチル)−β−シクロデキストリン、ヘキサキス(６
−Ｏ−トシル)−α−シクロデキストリン、ヘキサキス
(６−アミノ−６−デオキシ)−α−シクロデキストリ
ン、ヘキサキス(６−アミノ−６−デオキシ)−β−シク
ロデキストリン、ビス(６−アジド−６−デオキシ)−β
−シクロデキストリン、ヘキサキス(２、３−アセチル
−６−ブロモ−６−デオキシ)−α−シクロデキストリ
ン、ヘプタキス(２，３−Ｏ−アセチル−６−ブロモ−
６−デオキシ)−β−シクロデキストリン、モノ(２−Ｏ
−ホスホリル)−α−シクロデキストリン、モノ(２−Ｏ
−ホスホリル)−β−シクロデキストリン、ヘキサキス
［６−デオキシ−６−(１−イミダゾリル)］−β−シク
ロデキストリン、または、モノ［２，(３)−Ｏ−(カル
ボキシルメチル)］−α−シクロデキストリンであるこ
とを特徴とする請求項４に記載の組成物。 - 【請求項７】 前記マトリックス前駆体は、シルセスキ
オキサン、アルコキシシラン、有機シリケートまたはオ
ルトシリケートであることを特徴とする請求項１〜６の
いずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項８】 前記シルセスキオキサンは、水素シルセ
スキオキサン、アルキルシルセスキオキサン、アリール
シルセスキオキサンまたはこれらの共重合体であること
を特徴とする請求項７に記載の組成物。 - 【請求項９】 前記マトリックス前駆体は、下記化学式
１〜５： 【化５】 ［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭
素数３〜１０のシクロアルキル基または炭素数６〜１５
のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそれぞれ独
立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜１０のア
ルコキシ基またはハロゲン原子であり、ｐは３〜８の整
数であり、ｍは１〜１０の整数である。］ 【化６】 【化７】 【化８】 ［化学式２〜４において式中、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそ
れぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜
１０のアルコキシ基またはハロゲン原子であり、ｎは１
〜１２の整数である。］ 【化９】 ［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭
素数３〜１０のシクロアルキル基または炭素数６〜１５
のアリール基であり、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそれぞれ独
立して炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜１０のア
ルコキシ基またはハロゲン原子である。］で示される化
合物からなる群より選択される１種以上のモノマーを、
有機溶媒下で酸触媒と水とを利用して加水分解及び縮合
反応させて製造したシロキサン系樹脂であることを特徴
とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項１０】 前記マトリックス前駆体は、ポリイミ
ド、ポリベンゾシクロブテン、ポリアリーレン、ポリア
リーレンエーテル、ポリフェニレンまたはこれらの混合
物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項
に記載の組成物。 - 【請求項１１】 前記シクロデキストリン誘導体と前記
有機または無機マトリックス前駆体とを溶解させる溶媒
は、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系
溶媒、アセテート系溶媒、アミド系溶媒、γ−ブチロラ
クトン、アルコール系溶媒、シリコン溶媒またはこれら
の混合物であることを特徴とする請求項１〜１０のいず
れか一項に記載の組成物。 - 【請求項１２】 前記シクロデキストリン誘導体と前記
有機または無機マトリックス前駆体とを溶解させる溶媒
は、アニソール、キシレン、メシチレン、メチルイソブ
チルケトン、１−メチル−２−ピロリジノン、アセト
ン、テトラヒドロフラン、イソプロピルエーテル、エチ
ルアセテート、ブチルアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、イソ
プロピルアルコール、ブチルアルコール、オクチルアル
コール、シリコン溶媒またはこれらの混合物であること
を特徴とする請求項１１に記載の組成物。 - 【請求項１３】 前記シクロデキストリン誘導体に存在
する反応性基と結合することができる作用基と、前記マ
トリックス前駆体に存在する反応性基と結合することが
できる作用基とを有するカップリング剤をさらに含むこ
とを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載
の組成物。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれか一項に記載
の組成物を、半導体基板上にスピンコーティング、ディ
ップコーティング、スプレーコーティング、フローコー
ティング、またはスクリーン印刷によって塗布した後、
溶媒を蒸発させて、不活性気体雰囲気または真空雰囲気
中で１５０〜６００℃で加熱する段階を含むことを特徴
とする半導体用の層間絶縁膜の製造方法。 - 【請求項１５】 前記塗布は、速度が１０００〜５００
０ｒｐｍのスピンコーティングによってなされることを
特徴とする請求項１４に記載の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１〜１３のいずれか一項に記載
の組成物を使用して製造されたナノ気孔を有する物質。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の物質を用いた、耐
熱性素材、電気絶縁性素材、吸着剤または担体。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| KR2001-015883 | 2001-03-27 | ||
| KR20010015883 | 2001-03-27 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002016754A Expired - Fee Related JP4090244B2 (ja) | 2001-03-27 | 2002-01-25 | ナノ気孔を有する物質を製造するための組成物 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP4090244B2 (ja) |
| KR (1) | KR100455339B1 (ja) |
| DE (1) | DE60135540D1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004359953A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | シロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜 |
| JP2005023318A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Samsung Electronics Co Ltd | シロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜 |
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