JP2002289958A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

Info

Publication number
JP2002289958A
JP2002289958A JP2001088134A JP2001088134A JP2002289958A JP 2002289958 A JP2002289958 A JP 2002289958A JP 2001088134 A JP2001088134 A JP 2001088134A JP 2001088134 A JP2001088134 A JP 2001088134A JP 2002289958 A JP2002289958 A JP 2002289958A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
semiconductor element
hole
semiconductor device
metal lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001088134A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoichi Osada
倫一 長田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2001088134A priority Critical patent/JP2002289958A/ja
Publication of JP2002289958A publication Critical patent/JP2002289958A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半導体素子を気密に収容し、光半導体素子
を正常かつ安定に作動させ、光信号を効率よく伝送させ
得る光半導体装置とすること。 【解決手段】 上側主面の中央部に光半導体素子2を載
置した基体1と、基体1の上側主面の外周部に光半導体
素子2を囲繞するように接合され、上端が閉じられ下端
が開かれた筒状であり上端面3aの略中央部に貫通孔3
bが形成されている金属製蓋体3と、貫通孔3bの上側
開口の周囲に接合された透光性部材4とを具備し、金属
製蓋体3は、上端面3aの透光性部材4との接合部より
も外周側に断面が略U字状の湾曲部3dが貫通孔3bを
取り囲むとともに下方に凸となるように形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等の分野に
用いられる光半導体素子を収納した光半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の光通信等の分野において高い周波
数で作動する半導体レーザ(LD),フォトダイオード
(PD)等の光半導体素子を気密封止して収容した光半
導体装置の例を図5に断面図で示す。同図において、2
1は基体、22は光半導体素子、23は金属製蓋体、2
4は透光性部材、26は光ファイバである。
【0003】基体21は鉄(Fe)−ニッケル(Ni)
−コバルト(Co)合金や銅(Cu)−タングステン
(W)合金等の金属材料、またはアルミナ(Al
23),窒化アルミニウム(AlN),ムライト(3A
23・2SiO2)等のセラミックスから成り、その
上側主面の中央部には、LD,PD等の光半導体素子2
2が載置される載置部21aが形成されている。載置部
21aには、光半導体素子22が載置固定される。
【0004】また、基体21の上側主面の外周部に載置
部21aを囲繞するようにして接合され、上端が閉じら
れ下端が開かれた筒状であり上端面23aの略中央部に
貫通孔23bが形成されており、Fe−Ni−Co合金
等の金属から成る金属製蓋体23が設けられる。金属製
蓋体23の下端23cは、例えば図5のような鍔状とな
っており、これにより基体21と金属製蓋体23との接
合面積が大きくなり、基体21と金属製蓋体23とで構
成される容器内部の気密信頼性を向上させ得る。
【0005】さらに、貫通孔23bを塞ぐように、貫通
孔23bの上側開口の周囲に透光性部材24が接合され
る。透光性部材24はガラスやサファイア等から成る円
板状,レンズ状,球状または半球状等のものであり、低
融点ガラスによる接合や半田付け等により金属製蓋体2
3に気密に接合される。
【0006】このような基体21、金属製蓋体23およ
び透光性部材24から主に構成される容器内部に光半導
体素子22を収容し気密に封止する。
【0007】最後に、光ファイバ26固定用の筒状の金
属製固定部材25が、金属製蓋体23の外周部に溶接さ
れ、光ファイバ26が金属製固定部材27の上面の貫通
孔に外部から挿通固定されて透光性部材24の上方に固
定されることによって、光半導体装置となる。
【0008】この光半導体装置は、外部電気回路(図示
せず)から供給される電気信号によって光半導体素子2
2にレーザ光等の光を励起させ、この光を透光性部材2
4、光ファイバ26の順に透過させ、光ファイバ26を
介して外部に伝送することによって、高速光通信等に使
用される光半導体装置として機能する。もしくは、外部
から光ファイバ26を介して伝送してくる光信号を、透
光性部材24を透過させ光半導体素子22に受光させ
て、光信号を電気信号に変換することによって、高速光
通信等に使用される光半導体装置として機能する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光半導体装置において、金属製蓋体23の外周部に
光ファイバ26固定用の金属製固定部材25を接合する
際に、金属製蓋体23の外周部に溶接による熱が局所的
に加わり、金属製蓋体23が熱膨張により変形すること
があった。その結果、金属製蓋体23に接合された透光
性部材24にクラックが入り、光半導体装置内の気密が
保持できなくなり、内部に収容した光半導体素子22が
正常に作動しなくなるという問題点を有していた。
【0010】また、透光性部材24にクラックが入るこ
とによって、光半導体素子22から発光した光信号が透
光性部材24中で乱反射を起こし、光半導体素子22か
らの光信号を光ファイバ26に効率よく伝送できなくな
るという問題が発生していた。もしくは、外部から光フ
ァイバ26を伝送してくる光信号が透光性部材24中で
乱反射を起こし、光半導体素子22において光信号が効
率よく受信できなくなるという問題が発生していた。
【0011】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、透光性部材にクラックが
発生することを防止し、その結果内部に収容した光半導
体素子を気密に収容し、光半導体素子を長期にわたり正
常かつ安定に作動させ、また光信号を効率よく伝送させ
得る光半導体装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、上側主面の中央部に光半導体素子を載置した基体
と、該基体の上側主面の外周部に前記光半導体素子を囲
繞するように接合され、上端が閉じられ下端が開かれた
筒状であり上端面の略中央部に貫通孔が形成されている
金属製蓋体と、前記貫通孔の上側開口の周囲に接合され
た透光性部材とを具備した光半導体装置であって、前記
金属製蓋体は、前記上端面の前記透光性部材との接合部
よりも外周側に断面が略U字状の湾曲部が前記貫通孔を
取り囲むとともに下方に凸となるように形成されている
ことを特徴とする。
【0013】本発明は、金属製保持部材が、貫通孔の透
光性部材との接合部よりも外周側に断面が略U字状の湾
曲部が貫通孔を取り囲むとともに下方に凸となるように
形成されていることから、金属製保持部材に熱が加わり
熱膨張して変形した場合においても、湾曲部において変
形を吸収できる。その結果、金属製保持部材の外周部に
光ファイバ固定用の金属製固定部材を溶接する際、金属
製保持部材の外周部に溶接による熱が局所的に加わり、
金属製保持部材が熱膨張により変形した場合において
も、透光性部材にクラックが入ることを防止できる。そ
の結果、光半導体装置内の気密を有効に保持するととも
に、光半導体素子からの光信号を効率よく光ファイバに
伝送でき、また、外部から光ファイバを伝送してくる光
信号を光半導体素子において効率よく受信できることと
なる。
【0014】また、金属製保持部材の湾曲部が下方に凸
となるように形成されていることから、放熱し易い凸部
が光ファイバ側にないため、光ファイバの光軸ずれ等の
問題が発生しにくくなる。また、金属製保持部材の湾曲
部が下方に凸となるように形成されていることから、金
属製保持部材の上端面が外側からの気圧に対して適度に
内側に変形できるため、透光性部材にかかる気圧による
圧力を緩和して、その変形や破損を防ぐことができる。
【0015】また、本発明の光半導体装置は、光ファイ
バを具備して光信号を入出力するタイプであってもよい
し、直接外光を受像するタイプであってもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の光半導体装置について以
下に詳細に説明する。図1は本発明の光半導体装置につ
いて実施の形態の一例を示す断面図であり、1は基体、
2は光半導体素子、3は金属製蓋体、4は透光性部材、
6は光ファイバである。
【0017】本発明の基体1は、略円板状、略長方形の
板状等の形状であり、Fe−Ni−Co合金やCu−W
合金等の金属材料、またはAl23,AlN,3Al2
3・2SiO2等のセラミックスから成る。金属材料か
ら成る場合、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工
等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形
状に製作される。
【0018】また、基体1が例えばAl23セラミック
スから成る場合以下のようにして作製される。まず、A
23,酸化珪素(SiO2),酸化カルシウム(Ca
O),酸化マグネシウム(MgO)等の原料粉末に、適
当な有機バインダや可塑剤,分散剤,溶剤等を添加混合
して泥漿状となす。これを従来周知のドクターブレード
法でシート状となすことによって複数枚のセラミックグ
リーンシートを得る。しかる後、これらのセラミックグ
リーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、還元雰囲気
中で約1600℃の温度で焼成することによって製作さ
れる。
【0019】基体1の上側主面には、LD,PD等の光
半導体素子2が載置される載置部1aが形成されるとと
もに、載置部1aには、光半導体素子2が載置固定され
る。
【0020】また、基体1の上側主面の外周部には、載
置部1aを囲繞するようにして接合され、上端が閉じら
れ下端が開かれた筒状であり上端面の略中央部に貫通孔
3bが形成されている金属製蓋体3が設けられる。金属
製蓋体3の下端3cは、鉛(Pb)−錫(Sn)半田等
の半田付けや溶接等によって基体1と気密に接合され
る。下端3cは、基体1との接合面積を大きくとり、基
体1と金属製蓋体3とで構成される容器内部の気密信頼
性を向上させるために、図1に示すような鍔状であるこ
とが好ましい。
【0021】金属製蓋体3は、断面形状(横断面形状)
が円形または長方形等の多角形の筒状であり、Fe−N
i−Co合金等の金属のインゴットに圧延加工や打ち抜
き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所
定の形状に製作される。そして、図2の(a)に要部断
面図を示すように、上端面3aには、貫通孔3bの透光
性部材4との接合部よりも外周側に断面が略U字状の湾
曲部3dが貫通孔3bを取り囲むとともに下方に凸とな
るように形成されている。なお、金属製蓋体3は、筒状
部と上端面3aが個々に製作され、ろう付け、半田付
け、溶接等によって接合されたものであってもよい。
【0022】金属製蓋体3には、貫通孔3bを塞ぐよう
に貫通孔3bの上側開口の周囲に、透光性部材4がガラ
ス接合や半田付け等により気密に接合される。透光性部
材4は、ガラスやサファイア等から成る円板状,レンズ
状,球状または半球状等のものであり、球状の場合周縁
部で、円板状やレンズ状の場合一主面の外周部で、半球
状の場合平面部の外周部で金属製蓋体3とガラス接合や
半田付け等により接合される。
【0023】また、光ファイバ6は、Fe−Ni−Co
合金等の金属から成る略円筒状の金属製固定部材5の上
面に固定されており、金属製固定部材5の一端面が金属
製蓋体3の外周部付近にレーザ溶接法等の溶接によって
接合される。光ファイバ6が金属製固定部材5を介して
透光性部材4の上方に固定されることによって、製品と
しての光半導体装置となる。これにより、光ファイバ6
を介して内部に収容する光半導体素子2と外部との光信
号の授受が可能となる。
【0024】金属製蓋体3には、透光性部材4との接合
部よりも外周側に貫通孔3bを取り囲むようにして断面
が略U字状の湾曲部3dが形成されていることから、金
属製蓋体3の外周部に金属製固定部材5の一端面が溶接
法によって接合され、溶接による熱が局所的に加わり、
金属製蓋体3が熱膨張により変形した場合においても、
その変形が湾曲部3dにおいて吸収される。その結果、
金属製蓋体3の透光性部材4との接合部で変形が抑えら
れることとなり、透光性部材4にクラックが入ることを
防止できる。その結果、光半導体装置内の気密を有効に
保持するとともに、光半導体素子2からの光信号を透光
性部材4内にて乱反射することなく、光ファイバ6に効
率よく伝送させることが可能となる。もしくは、外部か
ら光ファイバ6を伝送してくる光信号を透光性部材4中
で乱反射させることなく、光半導体素子2において効率
よく受信させることが可能となる。
【0025】また、湾曲部3dが下方に凸となるように
形成されていることから、放熱し易い湾曲部3dの凸部
が光ファイバ6側にないため、熱による光ファイバ6の
光軸ずれ等の問題が発生しにくくなる。また、金属製蓋
体3が外側からの気圧に対して適度に内側に変形できる
ため、透光性部材4にかかる気圧による圧力を緩和し
て、その変形や破損を防ぐことができる。
【0026】本発明において、透光性部材4は貫通孔3
bの上側開口の周囲に接合されており、この場合以下の
ような点で有利である。即ち、光半導体装置は内部を気
密にするため外側から内側に気圧が加わり、金属製蓋体
3の外周部に金属製固定部材5を溶接法によって接合す
る際の熱が金属製蓋体3に局所的に加わり、金属製蓋体
3の透光性部材4との接合面に熱膨張による引っ張り応
力が加わると、透光性部材4が金属製蓋体3から剥がれ
易くなる。透光性部材4を貫通孔3bの上側開口の周囲
に接合することにより、気圧によって透光性部材4が金
属製蓋体3に押し付けられて剥がれにくくなる。一方、
透光性部材4が貫通孔3bの下側開口の周囲に接合され
ていると、熱膨張による応力によって透光性部材4を剥
がそうとする引っ張り応力と気圧による圧力が、透光性
部材4を金属製蓋体3から容易に外してしまうこととな
る。
【0027】また金属製蓋体3は、図2(b)のように
略U字状の湾曲部3dを上下に互い違いに連続形成して
波形とし、湾曲部3dの一方は貫通孔3bの上方に凸と
なり、他方は貫通孔3bの下方に凸となるように湾曲さ
せるとよい。湾曲部3dが1つだけある場合または湾曲
部3dが複数あり突出の方向が同じである場合、金属製
蓋体3が変形した際に、金属製蓋体3は湾曲部3dが突
出した方向に反りやすくなる。その結果、金属製蓋体3
の透光性部材4との接合部において反り変形が生じ、透
光性部材4にクラックが入る可能性がある。そのため、
U字状の湾曲部3dを貫通孔3bの上方および下方にそ
れぞれに突出させるのがよく、この構成により、上下方
向に働く力による反り変形を緩衝させ、透光性部材4と
の接合部において反り変形を有効に抑制できる。
【0028】また、図2(b)のように、貫通孔3bの
下方に凸となっている湾曲部3dが透光性部材4に近い
側にあるのがよく、その場合外側からの気圧に対して金
属製蓋体3の上端面が適度に内側に変形し易くなる。
【0029】また、図2(b)と同様の構成において、
図2(c)のように金属製蓋体3の外周側の湾曲部3d
の湾曲を大きくし、貫通孔3b側の湾曲部3dの湾曲を
小さくするのがよい。これにより、反り変形をさらに有
効に抑制できるとともに、金属製固定部材5が溶接され
る外周部で特に熱膨張が大きくなり変形しやすいことか
ら、変形しやすい外周部側の湾曲を大きくすることによ
って、外周部側の湾曲部3dにおいて変形をより有効に
吸収させ得る。また、貫通孔3b側の湾曲を小さくする
ことで貫通孔3b側の湾曲部3dで剛性が大きくなり変
形しにくくなる。したがって、上下方向の力による貫通
孔3b側での変形がより抑制され透光性部材4にクラッ
クが入ることを防止できる。
【0030】この場合にも、金属製蓋体3の貫通孔3b
の下方に凸となっている湾曲部3dが透光性部材4に近
い側にあるのがよく、その場合外側からの気圧に対して
金属製蓋体3が適度に変形し易くなる。
【0031】また、湾曲部3dは、図3(a)のように
断面が角張った角部を有する凹形であってもよい。この
構成では、金属製蓋体3が変形した場合、反り変形の金
属製蓋体3の内外への方向性がほとんど無いことから、
図2(b)のように略U字状の湾曲部3dを2本連続し
て形成せずとも反り変形を抑制することができる。図3
(a)と同様の構成において好ましくは、図3(b)の
ように、外周部側の角部を略直角にし、貫通孔3b側の
角部を鈍角とするとよい。この構成により、金属製固定
部材5が溶接される外周部で特に熱膨張が大きくなり変
形しやすいことから、変形しやすい外周部側の角部を略
直角にして変形しやすくすることによって、外周部側の
角部において変形をより有効に吸収させ得る。また、貫
通孔3b側の角部を鈍角とすることで、貫通孔3b付近
での変形を抑制し透光性部材4にクラックが入ることを
防止できる。
【0032】また、略U字状の湾曲部3dは図4のよう
に断面が三角形状であってもよい。この構成において
も、図3(a)の場合と同様に、反り変形の金属製蓋体
3の内外への方向性がほとんど無いことから、図2
(b)のように略U字状の湾曲部3dを2本連続して形
成せずとも反り変形を抑制することができる。
【0033】本発明の光半導体装置は、光半導体素子2
の電極を外部電気回路(図示せず)に電気的に接続し、
製品としての光半導体装置となる。この光半導体装置
は、外部電気回路から供給される電気信号によって光半
導体素子2に光を励起させ、この光を透光性部材4、光
ファイバ6の順に透過させ、光ファイバ6を介して外部
に伝送することによって、高速光通信等に使用される光
半導体装置として機能する。もしくは、外部から光ファ
イバ6を伝送してくる光信号を、透光性部材4を透過さ
せ、光半導体素子2に受光させて光信号を電気信号に変
換することによって、高速光通信等に使用される光半導
体装置として機能する。
【0034】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であ
れば種々の変更は可能である。
【0035】
【発明の効果】本発明は、金属製蓋体が、その上端面の
透光性部材との接合部よりも外周側に断面が略U字状の
湾曲部が貫通孔を取り囲むとともに下方に凸となるよう
に形成されていることから、金属製蓋体の外周部に光フ
ァイバを固定するための金属製固定部材をレーザ溶接法
等によって溶接し熱膨張による変形が発生した場合、略
U字状の湾曲部で変形を吸収することができる。その結
果、透光性部材の接合部において熱膨張による変形を防
止し、透光性部材にクラックが入ることを防止できる。
従って、光半導体装置内の気密を有効に保持し、光半導
体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させるととも
に、光半導体素子からの光信号を透光性部材中において
乱反射させることなく光ファイバに効率よく伝送させる
ことが可能となる。または、外部から光ファイバを伝送
してくる光信号を透光性部材中において乱反射させるこ
となく光半導体素子側に透過させ、光信号を無駄なく電
気信号に変換することが可能となる。
【0036】また、金属製保持部材の湾曲部が下方に凸
となるように形成されていることから、放熱し易い凸部
が光ファイバ側にないため、熱による光ファイバの光軸
ずれ等の問題が発生しにくくなる。また、金属製保持部
材の湾曲部が下方に凸となるように形成されていること
から、金属製保持部材が外側からの気圧に対して適度に
内側に変形できるため、透光性部材にかかる気圧による
圧力を緩和して、その変形や破損を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体装置について実施の形態の例
を示す断面図である。
【図2】(a)〜(c)は本発明の光半導体装置につい
て実施の形態の各例を示す要部断面図である。
【図3】(a),(b)は本発明の光半導体装置につい
て実施の形態の各例を示す要部断面図である。
【図4】本発明の光半導体装置について実施の形態の他
の例を示す要部断面図である。
【図5】従来の光半導体装置の例の断面図である。
【符号の説明】
1:基体 1a:載置部 2:光半導体素子 3:金属製蓋体 3a:上端面 3b:貫通孔 3c:下端 3d:湾曲部 4:透光性部材 6:光ファイバ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上側主面の中央部に光半導体素子を載置
    した基体と、該基体の上側主面の外周部に前記光半導体
    素子を囲繞するように接合され、上端が閉じられ下端が
    開かれた筒状であり上端面の略中央部に貫通孔が形成さ
    れている金属製蓋体と、前記貫通孔の上側開口の周囲に
    接合された透光性部材とを具備した光半導体装置であっ
    て、前記金属製蓋体は、前記上端面の前記透光性部材と
    の接合部よりも外周側に断面が略U字状の湾曲部が前記
    貫通孔を取り囲むとともに下方に凸となるように形成さ
    れていることを特徴とする光半導体装置。
JP2001088134A 2001-03-26 2001-03-26 光半導体装置 Pending JP2002289958A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001088134A JP2002289958A (ja) 2001-03-26 2001-03-26 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001088134A JP2002289958A (ja) 2001-03-26 2001-03-26 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002289958A true JP2002289958A (ja) 2002-10-04

Family

ID=18943271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001088134A Pending JP2002289958A (ja) 2001-03-26 2001-03-26 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002289958A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005106964A1 (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 受光素子、受光素子の製造方法、光ヘッド装置、及び光情報処理装置
JP2006145610A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 光学部品収納用パッケージ
EP1978388A2 (en) * 2007-04-04 2008-10-08 AmTRAN Technology Co. Ltd. Photoelectric element package
JP2009176764A (ja) * 2008-01-21 2009-08-06 Sharp Corp キャップ部材およびそれを用いた半導体装置
JP2013021220A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
JP2019102582A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021166291A (ja) * 2020-03-23 2021-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005106964A1 (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 受光素子、受光素子の製造方法、光ヘッド装置、及び光情報処理装置
JP2006145610A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 光学部品収納用パッケージ
EP1978388A3 (en) * 2007-04-04 2014-08-27 AmTRAN Technology Co., Ltd. Photoelectric element package
JP2008258628A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Amtran Technology Co Ltd 光電素子パッケージ
EP1978388A2 (en) * 2007-04-04 2008-10-08 AmTRAN Technology Co. Ltd. Photoelectric element package
JP2009176764A (ja) * 2008-01-21 2009-08-06 Sharp Corp キャップ部材およびそれを用いた半導体装置
JP2013021220A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
JP2019102582A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10608406B2 (en) 2017-11-30 2020-03-31 Nichia Corporation Light emitting device
US10965097B2 (en) 2017-11-30 2021-03-30 Nichia Corporation Light emitting device
US11367994B2 (en) 2017-11-30 2022-06-21 Nichia Corporation Light emitting device
JP2021166291A (ja) * 2020-03-23 2021-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7060830B2 (ja) 2020-03-23 2022-04-27 日亜化学工業株式会社 発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5537306B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ、および電子装置
JP4822820B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2002289958A (ja) 光半導体装置
JP2002270944A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP4931438B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2008277395A (ja) 光素子用窓部材ならびに光素子収納用パッケージおよび光モジュール
JP3694670B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JPH1174619A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP2004349565A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2003179294A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2004327685A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2004349567A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2004296456A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP3914764B2 (ja) 光半導体装置
JP5601819B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2004221505A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2004179544A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2003218443A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP5448392B2 (ja) センサー用窓部材およびそれを用いたセンサー用パッケージならびにセンサー装置
JP2004288947A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2003273436A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2004253557A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2003282759A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2004259771A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP4045123B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置