JP2002289821A - フラットパネル型イメージセンサ - Google Patents
フラットパネル型イメージセンサInfo
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強度面での信頼性が高いフラットパネル型イ
メージセンサを提供する。 【解決手段】 領域Ｙ１で示すアクティブマトリクス基
板２上において半導体膜３が形成されている領域と、領
域Ｘ１で示すアクティブマトリクス基板２上において半
導体膜３が形成されていない領域とにおいて、絶縁性樹
脂６の厚さが等しくなっている。これにより、フラット
パネル型イメージセンサ１における絶縁性樹脂６内部に
発生する応力を低減することができ、アクティブマトリ
クス基板２の反りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラット
パネル型イメージセンサ１の耐性が向上する。
メージセンサを提供する。 【解決手段】 領域Ｙ１で示すアクティブマトリクス基
板２上において半導体膜３が形成されている領域と、領
域Ｘ１で示すアクティブマトリクス基板２上において半
導体膜３が形成されていない領域とにおいて、絶縁性樹
脂６の厚さが等しくなっている。これにより、フラット
パネル型イメージセンサ１における絶縁性樹脂６内部に
発生する応力を低減することができ、アクティブマトリ
クス基板２の反りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラット
パネル型イメージセンサ１の耐性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線等の放射線、
可視光、赤外光等の画像を検出できるフラットパネル型
イメージセンサに関するものである。
可視光、赤外光等の画像を検出できるフラットパネル型
イメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フラットパネル型イメージセンサ
として、Ｘ線を感知して電子と正孔とにより付与される
電荷を発生する半導体膜をアクティブマトリクス基板上
に配置し、該アクティブマトリクス基板上にマトリクス
状に配置された複数の画素に電気スイッチを設けて、各
行の画素毎に電気スイッチを順次オンにして各列の画素
毎にセンサの電荷を読み出すものが知られている。
として、Ｘ線を感知して電子と正孔とにより付与される
電荷を発生する半導体膜をアクティブマトリクス基板上
に配置し、該アクティブマトリクス基板上にマトリクス
状に配置された複数の画素に電気スイッチを設けて、各
行の画素毎に電気スイッチを順次オンにして各列の画素
毎にセンサの電荷を読み出すものが知られている。
【０００３】例えば、「1997年開催のエス アイ ディ
ー 97 ダイジェスト中、第91頁から第94頁までのエ
ル．エス．ジェロミンらの”Ｘ線検知パネルへのアモル
ファスシリコン アクティブ−マトリクス技術の応用”
（L.S.Jeromin,et al.,"Application of a-Si Active-M
atrix Technology in a X-Ray Detector Panel",SID 97
DIGEST,pp.91-94,1997 ）」等に具体的な構造や原理が
記載されている。
ー 97 ダイジェスト中、第91頁から第94頁までのエ
ル．エス．ジェロミンらの”Ｘ線検知パネルへのアモル
ファスシリコン アクティブ−マトリクス技術の応用”
（L.S.Jeromin,et al.,"Application of a-Si Active-M
atrix Technology in a X-Ray Detector Panel",SID 97
DIGEST,pp.91-94,1997 ）」等に具体的な構造や原理が
記載されている。
【０００４】以下、従来のフラットパネル型イメージセ
ンサの構成について説明する。
ンサの構成について説明する。
【０００５】図１２に示すように、従来のフラットパネ
ル型イメージセンサ１００は、複数の画素２１０がマト
リクス状に配された略正方形のアクティブマトリクス基
板２００と、該アクティブマトリクス基板２００上に該
アクティブマトリクス基板２００と中心を同じくして形
成された略正方形の半導体膜３００と、該半導体膜３０
０上の略全面に形成されたバイアス電極４００とを備え
る構成である。
ル型イメージセンサ１００は、複数の画素２１０がマト
リクス状に配された略正方形のアクティブマトリクス基
板２００と、該アクティブマトリクス基板２００上に該
アクティブマトリクス基板２００と中心を同じくして形
成された略正方形の半導体膜３００と、該半導体膜３０
０上の略全面に形成されたバイアス電極４００とを備え
る構成である。
【０００６】また、アクティブマトリクス基板２００上
の各画素２１０は、図１３に拡大して示すように、走査
配線２１１と信号配線２１２とからなるＸＹマトリクス
状の電極配線と、薄膜トランジスタ（TFT:Thin Film Tr
ansistor）２１３と、アクティブマトリクス基板２００
（図１２）に対して形成された電荷蓄積容量（Cs:Charg
e storage ）２１４とからなる。
の各画素２１０は、図１３に拡大して示すように、走査
配線２１１と信号配線２１２とからなるＸＹマトリクス
状の電極配線と、薄膜トランジスタ（TFT:Thin Film Tr
ansistor）２１３と、アクティブマトリクス基板２００
（図１２）に対して形成された電荷蓄積容量（Cs:Charg
e storage ）２１４とからなる。
【０００７】また、半導体膜３００（図１２）は、Ｘ線
等の放射線を照射することにより電荷が発生する光導電
性を示す物質が用いられる。ここで、光導電性とは、Ｘ
線等の照射により電荷を発生する性質をいう。
等の放射線を照射することにより電荷が発生する光導電
性を示す物質が用いられる。ここで、光導電性とは、Ｘ
線等の照射により電荷を発生する性質をいう。
【０００８】例えば、前述の文献においては、暗抵抗が
高く、Ｘ線照射に対して良好な光導電性を示し、蒸着に
より大面積の成膜が容易なアモルファス（非晶質）セレ
ニウム（a-Se）が半導体膜として用いられている。
高く、Ｘ線照射に対して良好な光導電性を示し、蒸着に
より大面積の成膜が容易なアモルファス（非晶質）セレ
ニウム（a-Se）が半導体膜として用いられている。
【０００９】一方、アクティブマトリクス基板２００
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板を流用することが可能である。例え
ば、アクティブマトリクス型液晶表示装置（AMLCD:Acti
ve Matrix Liquid Crystal Display）に用いられるアク
ティブマトリクス基板の各画素は、アモルファスシリコ
ン（a-Si）又はポリシリコン（p-Si）で形成された薄膜
トランジスタと、ＸＹマトリクス電極と、電荷蓄積容量
とを備えている構成であり、若干の設計変更を行うだけ
で、フラットパネル型イメージセンサ用のアクティブマ
トリクス基板として利用することが容易である。
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板を流用することが可能である。例え
ば、アクティブマトリクス型液晶表示装置（AMLCD:Acti
ve Matrix Liquid Crystal Display）に用いられるアク
ティブマトリクス基板の各画素は、アモルファスシリコ
ン（a-Si）又はポリシリコン（p-Si）で形成された薄膜
トランジスタと、ＸＹマトリクス電極と、電荷蓄積容量
とを備えている構成であり、若干の設計変更を行うだけ
で、フラットパネル型イメージセンサ用のアクティブマ
トリクス基板として利用することが容易である。
【００１０】次に、上記構成の従来のフラットパネル型
イメージセンサ１００の機能について説明する。アモル
ファスセレニウム膜等の半導体膜３００に、Ｘ線等の放
射線が照射されると、該半導体膜３００内に電荷が発生
する。ここでバイアス電極４００に電圧を印加しておく
と、半導体膜３００で発生した電荷がそれぞれ＋電位側
と−電位側に移動する。その結果、アクティブマトリク
ス基板２００に形成されている電荷蓄積容量２１４に該
電荷が蓄積される。
イメージセンサ１００の機能について説明する。アモル
ファスセレニウム膜等の半導体膜３００に、Ｘ線等の放
射線が照射されると、該半導体膜３００内に電荷が発生
する。ここでバイアス電極４００に電圧を印加しておく
と、半導体膜３００で発生した電荷がそれぞれ＋電位側
と−電位側に移動する。その結果、アクティブマトリク
ス基板２００に形成されている電荷蓄積容量２１４に該
電荷が蓄積される。
【００１１】このように電荷蓄積容量２１４に蓄積され
た電荷は、走査配線２１１からの入力信号により薄膜ト
ランジスタ２１３をオン状態にすることで、信号配線２
１２を通じて外部に取り出すことが可能である。
た電荷は、走査配線２１１からの入力信号により薄膜ト
ランジスタ２１３をオン状態にすることで、信号配線２
１２を通じて外部に取り出すことが可能である。
【００１２】また、図１３に示すように、走査配線２１
１と信号配線２１２とからなる電極配線、薄膜トランジ
スタ２１３、電荷蓄積容量２１４等は、すべてアクティ
ブマトリクス基板２００（図１２）上にＸＹマトリクス
状に設けられている。したがって、各走査配線２１１に
ついて入力信号を順次に走査することにより、各薄膜ト
ランジスタ２１３をオン状態にして、各電荷蓄積容量２
１４に蓄積された画像情報としての電荷を各信号配線２
１２を通じて外部に取り出して、二次元的にＸ線の画像
情報を得ることが可能となる。
１と信号配線２１２とからなる電極配線、薄膜トランジ
スタ２１３、電荷蓄積容量２１４等は、すべてアクティ
ブマトリクス基板２００（図１２）上にＸＹマトリクス
状に設けられている。したがって、各走査配線２１１に
ついて入力信号を順次に走査することにより、各薄膜ト
ランジスタ２１３をオン状態にして、各電荷蓄積容量２
１４に蓄積された画像情報としての電荷を各信号配線２
１２を通じて外部に取り出して、二次元的にＸ線の画像
情報を得ることが可能となる。
【００１３】また、上記従来のフラットパネル型イメー
ジセンサ１００において、使用する半導体膜３００がＸ
線等の放射線だけでなく、可視光又は赤外光に対しても
光導電性を示す場合は、可視光又は赤外光の二次元画像
検出器としても作用する。例えば、上述したアモルファ
スセレニウム膜は、可視光に対して良好な光導電性を示
すので、高電界印加時のアバランシェ効果を利用した高
感度イメージセンサにも用いることが可能である。
ジセンサ１００において、使用する半導体膜３００がＸ
線等の放射線だけでなく、可視光又は赤外光に対しても
光導電性を示す場合は、可視光又は赤外光の二次元画像
検出器としても作用する。例えば、上述したアモルファ
スセレニウム膜は、可視光に対して良好な光導電性を示
すので、高電界印加時のアバランシェ効果を利用した高
感度イメージセンサにも用いることが可能である。
【００１４】しかしながら、上記の従来のフラットパネ
ル型イメージセンサ１００においては、バイアス電極４
００に高い電圧を印加する必要があるため、周囲への放
電のおそれがあるという問題があった。更に、半導体膜
３００が、外部からの汚染に弱いという問題があった。
ル型イメージセンサ１００においては、バイアス電極４
００に高い電圧を印加する必要があるため、周囲への放
電のおそれがあるという問題があった。更に、半導体膜
３００が、外部からの汚染に弱いという問題があった。
【００１５】これらの問題の対策として、図１４に示す
ように、従来のフラットパネル型イメージセンサ１１０
においては、アクティブマトリクス基板２００の周辺上
に設けられる略正方形枠状のスペーサ５００と、同図中
領域Ｙ１０で示すアクティブマトリクス基板２００上に
おいて半導体膜３００が形成されている領域と、同図中
領域Ｘ１０で示すアクティブマトリクス基板２００上に
おいて半導体膜３００が形成されていない周辺領域とを
一括して覆うように形成される絶縁性樹脂６００と、ス
ペーサ５００によりアクティブマトリクス基板２００と
の間隔を一定に保たれつつアクティブマトリクス基板２
００に対向するように配置される保護基板７００とを備
える構成を採用している。
ように、従来のフラットパネル型イメージセンサ１１０
においては、アクティブマトリクス基板２００の周辺上
に設けられる略正方形枠状のスペーサ５００と、同図中
領域Ｙ１０で示すアクティブマトリクス基板２００上に
おいて半導体膜３００が形成されている領域と、同図中
領域Ｘ１０で示すアクティブマトリクス基板２００上に
おいて半導体膜３００が形成されていない周辺領域とを
一括して覆うように形成される絶縁性樹脂６００と、ス
ペーサ５００によりアクティブマトリクス基板２００と
の間隔を一定に保たれつつアクティブマトリクス基板２
００に対向するように配置される保護基板７００とを備
える構成を採用している。
【００１６】なお、絶縁性樹脂６００はスペーサ５００
により封止されており、保護基板７００はアクティブマ
トリクス基板２００と略同面積の正方形のものとされて
いる。
により封止されており、保護基板７００はアクティブマ
トリクス基板２００と略同面積の正方形のものとされて
いる。
【００１７】絶縁性樹脂６００の上部に配置される保護
基板７００は、フラットパネル型イメージセンサ１１０
の強度を向上させる目的、絶縁性樹脂６００の露出面を
機械的に保護する目的、絶縁性樹脂６００を外部の湿気
から隔離する目的などで設けられている。
基板７００は、フラットパネル型イメージセンサ１１０
の強度を向上させる目的、絶縁性樹脂６００の露出面を
機械的に保護する目的、絶縁性樹脂６００を外部の湿気
から隔離する目的などで設けられている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
フラットパネル型イメージセンサ１１０において、半導
体膜３００は、Ｘ線の吸収効率を向上させるために、数
百μｍ〜１ｍｍ程度の厚さで形成される。このため、ア
クティブマトリクス基板２００上に形成される絶縁性樹
脂６００の厚さが、アクティブマトリクス基板２００上
において半導体膜３００が形成されている領域Ｙ１０
と、半導体膜３００が形成されていない周辺領域Ｘ１０
とで、異なってしまう。
フラットパネル型イメージセンサ１１０において、半導
体膜３００は、Ｘ線の吸収効率を向上させるために、数
百μｍ〜１ｍｍ程度の厚さで形成される。このため、ア
クティブマトリクス基板２００上に形成される絶縁性樹
脂６００の厚さが、アクティブマトリクス基板２００上
において半導体膜３００が形成されている領域Ｙ１０
と、半導体膜３００が形成されていない周辺領域Ｘ１０
とで、異なってしまう。
【００１９】すなわち、上記領域Ｘ１０に形成される絶
縁性樹脂６００の厚さｘ１０は、上記領域Ｙ１０に形成
される絶縁性樹脂６００の厚さｙ１０に比べて半導体膜
３００の厚さ分だけ厚くなってしまう。
縁性樹脂６００の厚さｘ１０は、上記領域Ｙ１０に形成
される絶縁性樹脂６００の厚さｙ１０に比べて半導体膜
３００の厚さ分だけ厚くなってしまう。
【００２０】そして、絶縁性樹脂６００として用いられ
る光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、２液硬化性樹脂等の樹
脂材料は、硬化反応に伴い５〜１０％程度の体積収縮を
伴う。
る光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、２液硬化性樹脂等の樹
脂材料は、硬化反応に伴い５〜１０％程度の体積収縮を
伴う。
【００２１】例えば、半導体膜３００の厚さが１ｍｍの
場合、絶縁性樹脂６００における上記厚さｘ１０と上記
厚さｙ１０とには１ｍｍの差が生じる。したがって、絶
縁性樹脂６００の厚さ方向の硬化収縮量の差は、５０〜
１００μｍ程度にもなる。
場合、絶縁性樹脂６００における上記厚さｘ１０と上記
厚さｙ１０とには１ｍｍの差が生じる。したがって、絶
縁性樹脂６００の厚さ方向の硬化収縮量の差は、５０〜
１００μｍ程度にもなる。
【００２２】このようにして、アクティブマトリクス基
板２００上において半導体膜３００が形成されている領
域Ｙ１０と、半導体膜３００が形成されていない周辺領
域Ｘ１０とで硬化収縮量の厚さの差が生じてしまう。こ
のため、絶縁性樹脂６００における領域Ｙ１０と領域Ｘ
１０との境目近傍で、大きな内部応力が蓄積されてしま
う。
板２００上において半導体膜３００が形成されている領
域Ｙ１０と、半導体膜３００が形成されていない周辺領
域Ｘ１０とで硬化収縮量の厚さの差が生じてしまう。こ
のため、絶縁性樹脂６００における領域Ｙ１０と領域Ｘ
１０との境目近傍で、大きな内部応力が蓄積されてしま
う。
【００２３】この結果、従来のフラットパネル型イメー
ジセンサ１１０は、前述のように蓄積された応力によ
り、アクティブマトリクス基板２００周縁部でアクティ
ブマトリクス基板２００の反りが生じたり、衝撃に対す
るフラットパネル型イメージセンサ１１０の耐性が劣化
する等、強度面での信頼性が欠けるという問題点を有し
ている。
ジセンサ１１０は、前述のように蓄積された応力によ
り、アクティブマトリクス基板２００周縁部でアクティ
ブマトリクス基板２００の反りが生じたり、衝撃に対す
るフラットパネル型イメージセンサ１１０の耐性が劣化
する等、強度面での信頼性が欠けるという問題点を有し
ている。
【００２４】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、強度面での信頼性が高い
フラットパネル型イメージセンサを提供することにあ
る。
たものであって、その目的は、強度面での信頼性が高い
フラットパネル型イメージセンサを提供することにあ
る。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明のフラットパネル
型イメージセンサは、上記課題を解決するため、アクテ
ィブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板
上に形成される半導体膜と、上記半導体膜上に形成され
るバイアス電極と、上記半導体膜の周囲を囲むように上
記アクティブマトリクス基板上に形成される第１のスペ
ーサと、上記半導体膜と上記バイアス電極と上記アクテ
ィブマトリクス基板との表面上に形成されるとともに上
記第１のスペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記
第１のスペーサを介して上記アクティブマトリクス基板
と対向し、上記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護
基板とを備えるフラットパネル型イメージセンサにおい
て、上記半導体膜上に形成されている上記絶縁性樹脂の
厚さと、上記アクティブマトリクス基板上において上記
半導体膜および上記第１のスペーサが形成されていない
周辺領域上に形成されている上記絶縁性樹脂の厚さとが
等しいことを特徴としている。
型イメージセンサは、上記課題を解決するため、アクテ
ィブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板
上に形成される半導体膜と、上記半導体膜上に形成され
るバイアス電極と、上記半導体膜の周囲を囲むように上
記アクティブマトリクス基板上に形成される第１のスペ
ーサと、上記半導体膜と上記バイアス電極と上記アクテ
ィブマトリクス基板との表面上に形成されるとともに上
記第１のスペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記
第１のスペーサを介して上記アクティブマトリクス基板
と対向し、上記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護
基板とを備えるフラットパネル型イメージセンサにおい
て、上記半導体膜上に形成されている上記絶縁性樹脂の
厚さと、上記アクティブマトリクス基板上において上記
半導体膜および上記第１のスペーサが形成されていない
周辺領域上に形成されている上記絶縁性樹脂の厚さとが
等しいことを特徴としている。
【００２６】上記の発明によれば、半導体膜上に形成さ
れている絶縁性樹脂と、アクティブマトリクス基板上に
おいて半導体膜および第１のスペーサが形成されていな
い周辺領域上の絶縁性樹脂とには、厚さの差が発生しな
い。すなわち、アクティブマトリクス基板上において半
導体膜が形成されている領域と半導体膜が形成されてい
ない領域との境目近傍において絶縁性樹脂の厚さの差が
発生しない。
れている絶縁性樹脂と、アクティブマトリクス基板上に
おいて半導体膜および第１のスペーサが形成されていな
い周辺領域上の絶縁性樹脂とには、厚さの差が発生しな
い。すなわち、アクティブマトリクス基板上において半
導体膜が形成されている領域と半導体膜が形成されてい
ない領域との境目近傍において絶縁性樹脂の厚さの差が
発生しない。
【００２７】本発明者においては、上記構成の本発明に
よるフラットパネル型イメージセンサと、従来構造のフ
ラットパネル型イメージセンサとについて、アクティブ
マトリクス基板上において半導体膜が形成されている領
域と半導体膜が形成されていない領域との境目近傍にお
ける内部応力を比較検討した。なお、従来構造のフラッ
トパネル型イメージセンサとしては、本発明によるフラ
ットパネル型イメージセンサと基本構成が同一のもので
あるが、半導体膜上に形成されている絶縁性樹脂と、ア
クティブマトリクス基板上において半導体膜および第１
のスペーサが形成されていない周辺領域上の絶縁性樹脂
とに厚さの差が発生するもの、すなわち上記境目近傍に
おいて絶縁性樹脂の厚さの差が発生するものを用いた。
よるフラットパネル型イメージセンサと、従来構造のフ
ラットパネル型イメージセンサとについて、アクティブ
マトリクス基板上において半導体膜が形成されている領
域と半導体膜が形成されていない領域との境目近傍にお
ける内部応力を比較検討した。なお、従来構造のフラッ
トパネル型イメージセンサとしては、本発明によるフラ
ットパネル型イメージセンサと基本構成が同一のもので
あるが、半導体膜上に形成されている絶縁性樹脂と、ア
クティブマトリクス基板上において半導体膜および第１
のスペーサが形成されていない周辺領域上の絶縁性樹脂
とに厚さの差が発生するもの、すなわち上記境目近傍に
おいて絶縁性樹脂の厚さの差が発生するものを用いた。
【００２８】そして、鋭意研究の結果、上記境目近傍に
おいて絶縁性樹脂の厚さの差が発生しない本発明のフラ
ットパネル型イメージセンサの方が、上記境目近傍にお
いて絶縁性樹脂の厚さの差が発生する上記従来構造のフ
ラットパネル型イメージセンサよりも、上記境目近傍に
発生する内部応力が小さいことが判った。
おいて絶縁性樹脂の厚さの差が発生しない本発明のフラ
ットパネル型イメージセンサの方が、上記境目近傍にお
いて絶縁性樹脂の厚さの差が発生する上記従来構造のフ
ラットパネル型イメージセンサよりも、上記境目近傍に
発生する内部応力が小さいことが判った。
【００２９】したがって、本発明のフラットパネル型イ
メージセンサにおいては、絶縁性樹脂内部に発生する応
力を低減することができ、アクティブマトリクス基板の
反りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメ
ージセンサの耐性が向上する。
メージセンサにおいては、絶縁性樹脂内部に発生する応
力を低減することができ、アクティブマトリクス基板の
反りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメ
ージセンサの耐性が向上する。
【００３０】よって、強度面での信頼性に優れたフラッ
トパネル型イメージセンサを提供することができる。
トパネル型イメージセンサを提供することができる。
【００３１】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記第１のスペー
サは、上記半導体膜の周囲を該半導体膜と間隔をおいて
囲むように形成されていることを特徴としている。
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記第１のスペー
サは、上記半導体膜の周囲を該半導体膜と間隔をおいて
囲むように形成されていることを特徴としている。
【００３２】上記の構成によれば、第１のスペーサは、
半導体膜の周囲を該半導体膜と間隔をおいて囲むように
形成されている。したがって、第１のスペーサを容易に
半導体膜の周囲にセットすることができる。
半導体膜の周囲を該半導体膜と間隔をおいて囲むように
形成されている。したがって、第１のスペーサを容易に
半導体膜の周囲にセットすることができる。
【００３３】それゆえ、強度面での信頼性に優れたフラ
ットパネル型イメージセンサをより簡易に提供すること
ができる。
ットパネル型イメージセンサをより簡易に提供すること
ができる。
【００３４】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記アクティブマ
トリクス基板上において上記半導体膜および上記第１の
スペーサが形成されていない全領域上に設けられるとと
もに、上記半導体膜の厚さと等しい厚さを有する第２の
スペーサを備える一方で、上記絶縁性樹脂は上記第２の
スペーサ上と上記半導体膜上とに形成されていることを
特徴としている。
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記アクティブマ
トリクス基板上において上記半導体膜および上記第１の
スペーサが形成されていない全領域上に設けられるとと
もに、上記半導体膜の厚さと等しい厚さを有する第２の
スペーサを備える一方で、上記絶縁性樹脂は上記第２の
スペーサ上と上記半導体膜上とに形成されていることを
特徴としている。
【００３５】上記の発明によれば、第２のスペーサと半
導体膜とは等しい厚さを有している。すなわち、従来構
造のフラットパネル型イメージセンサに第２のスペーサ
を設け、該第２のスペーサと半導体膜との上に絶縁性樹
脂を形成することにより、アクティブマトリクス基板上
において半導体膜が形成されている領域と半導体膜が形
成されていない領域との境目近傍において発生していた
絶縁性樹脂の厚さの差を容易に解消することができる。
導体膜とは等しい厚さを有している。すなわち、従来構
造のフラットパネル型イメージセンサに第２のスペーサ
を設け、該第２のスペーサと半導体膜との上に絶縁性樹
脂を形成することにより、アクティブマトリクス基板上
において半導体膜が形成されている領域と半導体膜が形
成されていない領域との境目近傍において発生していた
絶縁性樹脂の厚さの差を容易に解消することができる。
【００３６】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメージセ
ンサを容易に得ることができる。
強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメージセ
ンサを容易に得ることができる。
【００３７】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記アクティブマ
トリクス基板上において上記半導体膜および上記第１の
スペーサが形成されていない全領域上に設けられるとと
もに、上記半導体膜の厚さと上記バイアス電極の厚さと
の和と等しい厚さを有する第２のスペーサを備える一方
で、上記絶縁性樹脂は上記第２のスペーサ上と上記半導
体膜上とに形成されていることを特徴としている。
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記アクティブマ
トリクス基板上において上記半導体膜および上記第１の
スペーサが形成されていない全領域上に設けられるとと
もに、上記半導体膜の厚さと上記バイアス電極の厚さと
の和と等しい厚さを有する第２のスペーサを備える一方
で、上記絶縁性樹脂は上記第２のスペーサ上と上記半導
体膜上とに形成されていることを特徴としている。
【００３８】上記の発明によれば、第２のスペーサは半
導体膜の厚さとバイアス電極の厚さとの和と等しい厚さ
を有している。すなわち、第２のスペーサと半導体膜と
の上に絶縁性樹脂を形成することにより、アクティブマ
トリクス基板上において半導体膜が形成されている領域
と半導体膜が形成されていない領域との境目近傍におい
て発生していた絶縁性樹脂の厚さの差を完全に解消する
ことができる。
導体膜の厚さとバイアス電極の厚さとの和と等しい厚さ
を有している。すなわち、第２のスペーサと半導体膜と
の上に絶縁性樹脂を形成することにより、アクティブマ
トリクス基板上において半導体膜が形成されている領域
と半導体膜が形成されていない領域との境目近傍におい
て発生していた絶縁性樹脂の厚さの差を完全に解消する
ことができる。
【００３９】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを得ることができる。
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを得ることができる。
【００４０】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記保護基板に、
上記保護基板の上記半導体膜と対向する領域の全域に上
記半導体膜の厚さと等しい寸法の深さを有する凹部が形
成されていることを特徴としている。
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記保護基板に、
上記保護基板の上記半導体膜と対向する領域の全域に上
記半導体膜の厚さと等しい寸法の深さを有する凹部が形
成されていることを特徴としている。
【００４１】上記の発明によれば、保護基板には半導体
膜の厚さと等しい寸法の深さを有する凹部が形成されて
いる。すなわち、該凹部を有する保護基板を設けること
により、半導体膜上に形成される絶縁性樹脂の厚さと、
アクティブマトリクス基板上において半導体膜が形成さ
れていない周辺領域上に形成される絶縁性樹脂の厚さと
を等しくすることができる。
膜の厚さと等しい寸法の深さを有する凹部が形成されて
いる。すなわち、該凹部を有する保護基板を設けること
により、半導体膜上に形成される絶縁性樹脂の厚さと、
アクティブマトリクス基板上において半導体膜が形成さ
れていない周辺領域上に形成される絶縁性樹脂の厚さと
を等しくすることができる。
【００４２】したがって、アクティブマトリクス基板上
において半導体膜が形成されている領域と半導体膜が形
成されていない領域との境目近傍において発生していた
絶縁性樹脂の厚さの差を容易に解消することができる。
において半導体膜が形成されている領域と半導体膜が形
成されていない領域との境目近傍において発生していた
絶縁性樹脂の厚さの差を容易に解消することができる。
【００４３】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメージセ
ンサを容易に得ることができる。
強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメージセ
ンサを容易に得ることができる。
【００４４】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記保護基板に、
上記保護基板の上記半導体膜と対向する領域の全域に上
記半導体膜の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和と等
しい寸法の深さを有する凹部が形成されていることを特
徴としている。
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記保護基板に、
上記保護基板の上記半導体膜と対向する領域の全域に上
記半導体膜の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和と等
しい寸法の深さを有する凹部が形成されていることを特
徴としている。
【００４５】上記の発明によれば、凹部は上記半導体膜
の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和と等しい寸法の
深さを有している。したがって、アクティブマトリクス
基板上において半導体膜が形成されている領域と半導体
膜が形成されていない領域との境目近傍において発生し
ていた絶縁性樹脂の厚さの差を完全に解消することがで
きる。
の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和と等しい寸法の
深さを有している。したがって、アクティブマトリクス
基板上において半導体膜が形成されている領域と半導体
膜が形成されていない領域との境目近傍において発生し
ていた絶縁性樹脂の厚さの差を完全に解消することがで
きる。
【００４６】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを得ることができる。
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを得ることができる。
【００４７】本発明のフラットパネル型イメージセンサ
は、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマト
リクス基板上に形成される半導体膜と、上記半導体膜上
に形成されるバイアス電極と、上記半導体膜を囲むよう
に上記アクティブマトリクス基板上に形成されるスペー
サと、上記半導体膜上に形成されるとともに上記スペー
サにより封止される絶縁性樹脂と、上記スペーサを介し
て上記アクティブマトリクス基板と対向し、上記絶縁性
樹脂を覆うように配置される保護基板とを備えるフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記スペーサが、
上記アクティブマトリクス基板における上記半導体膜が
形成されていない領域の全領域を覆うとともに上記半導
体膜よりも厚く形成されていることを特徴としている。
は、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマト
リクス基板上に形成される半導体膜と、上記半導体膜上
に形成されるバイアス電極と、上記半導体膜を囲むよう
に上記アクティブマトリクス基板上に形成されるスペー
サと、上記半導体膜上に形成されるとともに上記スペー
サにより封止される絶縁性樹脂と、上記スペーサを介し
て上記アクティブマトリクス基板と対向し、上記絶縁性
樹脂を覆うように配置される保護基板とを備えるフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記スペーサが、
上記アクティブマトリクス基板における上記半導体膜が
形成されていない領域の全領域を覆うとともに上記半導
体膜よりも厚く形成されていることを特徴としている。
【００４８】上記の発明によれば、アクティブマトリク
ス基板上の半導体膜が形成されていない全領域上にスペ
ーサが形成されており、更に該スペーサは半導体膜より
も厚い厚さを有している。
ス基板上の半導体膜が形成されていない全領域上にスペ
ーサが形成されており、更に該スペーサは半導体膜より
も厚い厚さを有している。
【００４９】これにより、半導体膜の上側の、スペーサ
により周囲を囲まれるとともに保護基板により上側を閉
じられた空間にのみ絶縁性樹脂を充填させることがで
き、アクティブマトリクス基板上の半導体膜が形成され
ていない領域には、絶縁性樹脂は形成されない。
により周囲を囲まれるとともに保護基板により上側を閉
じられた空間にのみ絶縁性樹脂を充填させることがで
き、アクティブマトリクス基板上の半導体膜が形成され
ていない領域には、絶縁性樹脂は形成されない。
【００５０】その結果、半導体膜上にのみ絶縁性樹脂を
形成することができる。したがって、アクティブマトリ
クス基板上において半導体膜が形成されている領域と半
導体膜が形成されていない領域との境目における絶縁性
樹脂の厚さの差は発生しないので、従来この境目で発生
していた内部応力も発生しない。
形成することができる。したがって、アクティブマトリ
クス基板上において半導体膜が形成されている領域と半
導体膜が形成されていない領域との境目における絶縁性
樹脂の厚さの差は発生しないので、従来この境目で発生
していた内部応力も発生しない。
【００５１】よって、強度面での信頼性に優れたフラッ
トパネル型イメージセンサを得ることができる。
トパネル型イメージセンサを得ることができる。
【００５２】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記スペーサが、
上記半導体膜の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和よ
りも厚く形成されていることを特徴としている。
センサは、上記課題を解決するため、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、上記スペーサが、
上記半導体膜の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和よ
りも厚く形成されていることを特徴としている。
【００５３】上記の発明によれば、バイアス電極の上側
の、スペーサにより周囲を囲まれるとともに保護基板に
より上側を閉じられた空間にのみ絶縁性樹脂を充填させ
ることができ、アクティブマトリクス基板上の半導体膜
が形成されていない領域には、絶縁性樹脂は形成されな
い。
の、スペーサにより周囲を囲まれるとともに保護基板に
より上側を閉じられた空間にのみ絶縁性樹脂を充填させ
ることができ、アクティブマトリクス基板上の半導体膜
が形成されていない領域には、絶縁性樹脂は形成されな
い。
【００５４】その結果、バイアス電極上にのみ絶縁性樹
脂を形成することができる。したがって、アクティブマ
トリクス基板上において半導体膜が形成されている領域
と半導体膜が形成されていない領域との境目における絶
縁性樹脂の厚さの差は発生しないので、従来この境目で
発生していた内部応力も発生しない。
脂を形成することができる。したがって、アクティブマ
トリクス基板上において半導体膜が形成されている領域
と半導体膜が形成されていない領域との境目における絶
縁性樹脂の厚さの差は発生しないので、従来この境目で
発生していた内部応力も発生しない。
【００５５】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを得ることができる。
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを得ることができる。
【００５６】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記課題を解決するため、アクティブマトリ
クス基板と、上記アクティブマトリクス基板上に形成さ
れる半導体膜と、上記半導体膜上に形成されるバイアス
電極と、上記半導体膜の周囲を囲むように上記アクティ
ブマトリクス基板上に形成される第１のスペーサと、上
記半導体膜と上記バイアス電極と上記アクティブマトリ
クス基板との表面上に形成されるとともに上記第１のス
ペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記第１のスペ
ーサを介して上記アクティブマトリクス基板と対向し、
上記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板とを備
えるフラットパネル型イメージセンサにおいて、上記ア
クティブマトリクス基板上において、上記半導体膜およ
び上記第１のスペーサが形成されていない全領域上に、
第２のスペーサが形成されていることを特徴としてい
る。
センサは、上記課題を解決するため、アクティブマトリ
クス基板と、上記アクティブマトリクス基板上に形成さ
れる半導体膜と、上記半導体膜上に形成されるバイアス
電極と、上記半導体膜の周囲を囲むように上記アクティ
ブマトリクス基板上に形成される第１のスペーサと、上
記半導体膜と上記バイアス電極と上記アクティブマトリ
クス基板との表面上に形成されるとともに上記第１のス
ペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記第１のスペ
ーサを介して上記アクティブマトリクス基板と対向し、
上記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板とを備
えるフラットパネル型イメージセンサにおいて、上記ア
クティブマトリクス基板上において、上記半導体膜およ
び上記第１のスペーサが形成されていない全領域上に、
第２のスペーサが形成されていることを特徴としてい
る。
【００５７】上記の構成によれば、第２のスペーサの厚
みを変更することにより、アクティブマトリクス基板上
において半導体膜が形成されていない領域と、半導体膜
が形成されている領域とにおける絶縁性樹脂の厚みの差
を、アクティブマトリクス基板の反りや強度面の劣化の
原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂内に発生させな
い程度に小さいものとすることができる。
みを変更することにより、アクティブマトリクス基板上
において半導体膜が形成されていない領域と、半導体膜
が形成されている領域とにおける絶縁性樹脂の厚みの差
を、アクティブマトリクス基板の反りや強度面の劣化の
原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂内に発生させな
い程度に小さいものとすることができる。
【００５８】それゆえ、絶縁性樹脂内部に発生する応力
を低減することができ、アクティブマトリクス基板の反
りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメー
ジセンサの耐性が向上する。よって、強度面での信頼性
に優れたフラットパネル型イメージセンサを提供するこ
とができる。
を低減することができ、アクティブマトリクス基板の反
りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメー
ジセンサの耐性が向上する。よって、強度面での信頼性
に優れたフラットパネル型イメージセンサを提供するこ
とができる。
【００５９】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記課題を解決するため、アクティブマトリ
クス基板と、上記アクティブマトリクス基板上に形成さ
れる半導体膜と、上記半導体膜上に形成されるバイアス
電極と、上記半導体膜の周囲を囲むように上記アクティ
ブマトリクス基板上に形成される第１のスペーサと、上
記半導体膜と上記バイアス電極と上記アクティブマトリ
クス基板との表面上に形成されるとともに上記第１のス
ペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記第１のスペ
ーサを介して上記アクティブマトリクス基板と対向し、
上記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板とを備
えるフラットパネル型イメージセンサにおいて、上記保
護基板に、上記保護基板の半導体膜と対向する領域の全
域に凹部が形成されていることを特徴としている。
センサは、上記課題を解決するため、アクティブマトリ
クス基板と、上記アクティブマトリクス基板上に形成さ
れる半導体膜と、上記半導体膜上に形成されるバイアス
電極と、上記半導体膜の周囲を囲むように上記アクティ
ブマトリクス基板上に形成される第１のスペーサと、上
記半導体膜と上記バイアス電極と上記アクティブマトリ
クス基板との表面上に形成されるとともに上記第１のス
ペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記第１のスペ
ーサを介して上記アクティブマトリクス基板と対向し、
上記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板とを備
えるフラットパネル型イメージセンサにおいて、上記保
護基板に、上記保護基板の半導体膜と対向する領域の全
域に凹部が形成されていることを特徴としている。
【００６０】上記の構成によれば、凹部の深さを変更す
ることにより、半導体膜が形成されていない領域と、半
導体膜が形成されている領域とにおける絶縁性樹脂の厚
みの差を、アクティブマトリクス基板の反りや強度面の
劣化の原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂内に発生
させない程度に小さいものとすることができる。
ることにより、半導体膜が形成されていない領域と、半
導体膜が形成されている領域とにおける絶縁性樹脂の厚
みの差を、アクティブマトリクス基板の反りや強度面の
劣化の原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂内に発生
させない程度に小さいものとすることができる。
【００６１】それゆえ、絶縁性樹脂内部に発生する応力
を低減することができ、アクティブマトリクス基板の反
りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメー
ジセンサの耐性が向上する。よって、強度面での信頼性
に優れたフラットパネル型イメージセンサを提供するこ
とができる。
を低減することができ、アクティブマトリクス基板の反
りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメー
ジセンサの耐性が向上する。よって、強度面での信頼性
に優れたフラットパネル型イメージセンサを提供するこ
とができる。
【００６２】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について図１および図２に基づいて説明すれば、
以下の通りである。
一形態について図１および図２に基づいて説明すれば、
以下の通りである。
【００６３】図１に示すように、本実施の形態のフラッ
トパネル型イメージセンサ１は、アクティブマトリクス
基板２と、半導体膜３と、バイアス電極４とを備える。
トパネル型イメージセンサ１は、アクティブマトリクス
基板２と、半導体膜３と、バイアス電極４とを備える。
【００６４】アクティブマトリクス基板２は、略長方
形、例えば略正方形の形状であって、図示しない複数の
画素が表面にＸＹマトリクス状に配されている。また、
アクティブマトリクス基板２は、液晶表示装置を製造す
る過程で形成されるアクティブマトリクス基板と基本構
成が同じ基板を用いることができる。例えば、アモルフ
ァスシリコンやポリシリコン等によって形成された薄膜
トランジスタと、ＸＹマトリクス状に配列された複数の
電極と、電荷蓄積容量とを備えたガラス基板等のアクテ
ィブマトリクス基板を用いることができる。
形、例えば略正方形の形状であって、図示しない複数の
画素が表面にＸＹマトリクス状に配されている。また、
アクティブマトリクス基板２は、液晶表示装置を製造す
る過程で形成されるアクティブマトリクス基板と基本構
成が同じ基板を用いることができる。例えば、アモルフ
ァスシリコンやポリシリコン等によって形成された薄膜
トランジスタと、ＸＹマトリクス状に配列された複数の
電極と、電荷蓄積容量とを備えたガラス基板等のアクテ
ィブマトリクス基板を用いることができる。
【００６５】また、アクティブマトリクス基板２の大き
さは、フラットパネル型イメージセンサ１の受像面積に
よって決定される。フラットパネル型イメージセンサ１
が医療用Ｘ線用のものである場合、２３ｃｍ（約９イン
チ）角〜４３ｃｍ（約１７インチ）角程度の受像面積が
必要とされる。したがって、図１において領域Ｙ１で示
す、アクティブマトリクス基板２上において半導体膜３
が形成される領域の幅も２３ｃｍ〜４３ｃｍ程度が必要
とされる。
さは、フラットパネル型イメージセンサ１の受像面積に
よって決定される。フラットパネル型イメージセンサ１
が医療用Ｘ線用のものである場合、２３ｃｍ（約９イン
チ）角〜４３ｃｍ（約１７インチ）角程度の受像面積が
必要とされる。したがって、図１において領域Ｙ１で示
す、アクティブマトリクス基板２上において半導体膜３
が形成される領域の幅も２３ｃｍ〜４３ｃｍ程度が必要
とされる。
【００６６】半導体膜３は、アクティブマトリクス基板
２よりも小さい面積の略長方形、例えば略正方形の形状
であって、アクティブマトリクス基板２上にアクティブ
マトリクス基板２と中心を同一にして形成されている。
また、半導体膜３は、光導電性を示す物質が用いられ
る。例えば、アモルファスセレニウム、アモルファスシ
リコン、カドミウムテルル（CdTe）、カドミウム亜鉛テ
ルル（CdZnTe）、ヨウ化鉛（PbI２）、ヨウ化水銀（HgI
２）等を用いることができる。
２よりも小さい面積の略長方形、例えば略正方形の形状
であって、アクティブマトリクス基板２上にアクティブ
マトリクス基板２と中心を同一にして形成されている。
また、半導体膜３は、光導電性を示す物質が用いられ
る。例えば、アモルファスセレニウム、アモルファスシ
リコン、カドミウムテルル（CdTe）、カドミウム亜鉛テ
ルル（CdZnTe）、ヨウ化鉛（PbI２）、ヨウ化水銀（HgI
２）等を用いることができる。
【００６７】また、一般的に、図１において領域Ｘ１で
示す、アクティブマトリクス基板２上において半導体膜
３が形成されていない領域の幅は、１〜３ｃｍ程度であ
る。
示す、アクティブマトリクス基板２上において半導体膜
３が形成されていない領域の幅は、１〜３ｃｍ程度であ
る。
【００６８】なお、本実施の形態では半導体膜３の材料
として、暗電流が小さく、大面積のアクティブマトリク
ス基板２上に低温で成膜することができるアモルファス
セレニウムを使用した。アモルファスセレニウムを半導
体膜３として使用する場合、Ｘ線の吸収効率を考慮する
と、０．５〜１．５ｍｍの厚さが好ましい。そこで、本
実施の形態では半導体膜３の厚さを１ｍｍ厚に設定して
いる。
として、暗電流が小さく、大面積のアクティブマトリク
ス基板２上に低温で成膜することができるアモルファス
セレニウムを使用した。アモルファスセレニウムを半導
体膜３として使用する場合、Ｘ線の吸収効率を考慮する
と、０．５〜１．５ｍｍの厚さが好ましい。そこで、本
実施の形態では半導体膜３の厚さを１ｍｍ厚に設定して
いる。
【００６９】バイアス電極４は、半導体膜３上の略全面
に形成される。また、バイアス電極４としては、各種の
金属から形成される薄膜を用いることが可能である。ま
た、バイアス電極４の厚さは、１μｍ以下の厚さが好ま
しい。
に形成される。また、バイアス電極４としては、各種の
金属から形成される薄膜を用いることが可能である。ま
た、バイアス電極４の厚さは、１μｍ以下の厚さが好ま
しい。
【００７０】また、図２に示すように、フラットパネル
型イメージセンサ１は、半導体膜３の周囲に第２のスペ
ーサとしての内側スペーサ５を備えている。内側スペー
サ５は、半導体膜３を嵌め込むような略長方形枠状、例
えば略正方形状に形成される。
型イメージセンサ１は、半導体膜３の周囲に第２のスペ
ーサとしての内側スペーサ５を備えている。内側スペー
サ５は、半導体膜３を嵌め込むような略長方形枠状、例
えば略正方形状に形成される。
【００７１】更に、図１に示すように、内側スペーサ５
は、図１において領域Ｘ１で示すアクティブマトリクス
基板２上において半導体膜３が形成されていない領域の
全面に形成されるとともに、半導体膜３の厚さと等しい
厚さを有する。
は、図１において領域Ｘ１で示すアクティブマトリクス
基板２上において半導体膜３が形成されていない領域の
全面に形成されるとともに、半導体膜３の厚さと等しい
厚さを有する。
【００７２】なお、例えば半導体膜３のアクティブマト
リクス基板２に対する位置精度や、半導体膜３の端縁部
のテーパー形状の寸法のバラツキが無視できない場合に
は、その分を打ち消すため、内側スペーサ５と半導体膜
３との隙間を若干あけることにより、アクティブマトリ
クス基板２上において、半導体膜３が形成されていない
領域と内側スペーサ５が形成される領域とが略等しいよ
うにすればよい。この場合、内側スペーサ５と半導体膜
３との間隔は、５ｍｍ以内に設定されることが望まし
い。
リクス基板２に対する位置精度や、半導体膜３の端縁部
のテーパー形状の寸法のバラツキが無視できない場合に
は、その分を打ち消すため、内側スペーサ５と半導体膜
３との隙間を若干あけることにより、アクティブマトリ
クス基板２上において、半導体膜３が形成されていない
領域と内側スペーサ５が形成される領域とが略等しいよ
うにすればよい。この場合、内側スペーサ５と半導体膜
３との間隔は、５ｍｍ以内に設定されることが望まし
い。
【００７３】また、ここではバイアス電極４の厚さは半
導体膜３の厚さに比べて１／１０００以下と非常に小さ
いものであるので、便宜上バイアス電極４の厚さを無視
して、内側スペーサ５の厚さを半導体膜３の厚さと等し
いものとしている。しかし、半導体膜３の厚さに対して
バイアス電極４の厚さが比較的大きくて、バイアス電極
４の厚さの影響が無視できない場合には、半導体膜３の
厚さとバイアス電極４の厚さの和が、内側スペーサ５の
厚さに等しくなるように構成することにより、内側スペ
ーサ５の厚さが半導体膜３の厚さと略等しいように構成
すればよい。
導体膜３の厚さに比べて１／１０００以下と非常に小さ
いものであるので、便宜上バイアス電極４の厚さを無視
して、内側スペーサ５の厚さを半導体膜３の厚さと等し
いものとしている。しかし、半導体膜３の厚さに対して
バイアス電極４の厚さが比較的大きくて、バイアス電極
４の厚さの影響が無視できない場合には、半導体膜３の
厚さとバイアス電極４の厚さの和が、内側スペーサ５の
厚さに等しくなるように構成することにより、内側スペ
ーサ５の厚さが半導体膜３の厚さと略等しいように構成
すればよい。
【００７４】このようにして、半導体膜３と内側スペー
サ５との上部表面を略同じ高さとすることができる。
サ５との上部表面を略同じ高さとすることができる。
【００７５】また、内側スペーサ５としては、セラミッ
ク、ガラス、絶縁性の優れた樹脂等を使用することがで
き、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素系樹脂、
エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ（Acrylonitrile-
Butadiene-Styrene ）樹脂材料等を使用できる。
ク、ガラス、絶縁性の優れた樹脂等を使用することがで
き、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素系樹脂、
エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ（Acrylonitrile-
Butadiene-Styrene ）樹脂材料等を使用できる。
【００７６】また、図１に示すように、フラットパネル
型イメージセンサ１は、バイアス電極４が表面に形成さ
れた半導体膜３および内側スペーサ５の上面全域を覆う
ように形成される絶縁性樹脂６を備えている。
型イメージセンサ１は、バイアス電極４が表面に形成さ
れた半導体膜３および内側スペーサ５の上面全域を覆う
ように形成される絶縁性樹脂６を備えている。
【００７７】更に、そのように積層された絶縁性樹脂６
および内側スペーサ５の周辺には、絶縁性樹脂６を封止
し、内側スペーサ５よりやや厚い厚さの第１のスペーサ
としての外側スペーサ７がアクティブマトリクス基板２
上に形成される。
および内側スペーサ５の周辺には、絶縁性樹脂６を封止
し、内側スペーサ５よりやや厚い厚さの第１のスペーサ
としての外側スペーサ７がアクティブマトリクス基板２
上に形成される。
【００７８】また、図２に示すように、外側スペーサ７
は略長方形枠状、例えば略正方形枠状に形成され、半導
体膜３の周囲を該半導体膜３と間隔をおいて囲んでい
る。すなわち、半導体膜３と外側スペーサ７との間に、
内側スペーサ５がはめ込まれた構成となっている。
は略長方形枠状、例えば略正方形枠状に形成され、半導
体膜３の周囲を該半導体膜３と間隔をおいて囲んでい
る。すなわち、半導体膜３と外側スペーサ７との間に、
内側スペーサ５がはめ込まれた構成となっている。
【００７９】更に、図１に示すように、フラットパネル
型イメージセンサ１は、外側スペーサ７を介してアクテ
ィブマトリクス基板２と対向し、絶縁性樹脂６を覆うよ
うに形成される保護基板８を備える。保護基板８は、ア
クティブマトリクス基板２と略同面積の略長方形、例え
ば略正方形であって、外側スペーサ７によりアクティブ
マトリクス基板２との間隔が一定に保たれ、ギャップが
調整されている。
型イメージセンサ１は、外側スペーサ７を介してアクテ
ィブマトリクス基板２と対向し、絶縁性樹脂６を覆うよ
うに形成される保護基板８を備える。保護基板８は、ア
クティブマトリクス基板２と略同面積の略長方形、例え
ば略正方形であって、外側スペーサ７によりアクティブ
マトリクス基板２との間隔が一定に保たれ、ギャップが
調整されている。
【００８０】すなわち、半導体膜３および内側スペーサ
５を表面に備えるアクティブマトリクス基板２と保護基
板８との間隙に、絶縁性樹脂６が封入された構造となっ
ている。
５を表面に備えるアクティブマトリクス基板２と保護基
板８との間隙に、絶縁性樹脂６が封入された構造となっ
ている。
【００８１】絶縁性樹脂６としては、半導体膜３が表面
に形成されたアクティブマトリクス基板２と保護基板８
との間隙を隙間無く充填できるように、充填前は液状
で、充填後に固化する硬化性樹脂を用いる。例えば、ア
クリル系の光硬化性樹脂や、エポキシ系の２液硬化性樹
脂などを用いることができる。絶縁性樹脂６の厚さとし
ては、０．５〜３ｍｍ程度に設定することが好ましい。
また、保護基板８としては、ガラス基板、各種セラミッ
ク基板、樹脂基板等を用いる事ができる。
に形成されたアクティブマトリクス基板２と保護基板８
との間隙を隙間無く充填できるように、充填前は液状
で、充填後に固化する硬化性樹脂を用いる。例えば、ア
クリル系の光硬化性樹脂や、エポキシ系の２液硬化性樹
脂などを用いることができる。絶縁性樹脂６の厚さとし
ては、０．５〜３ｍｍ程度に設定することが好ましい。
また、保護基板８としては、ガラス基板、各種セラミッ
ク基板、樹脂基板等を用いる事ができる。
【００８２】一方、外側スペーサ７の材料としては、セ
ラミック、ガラス、絶縁性の優れた樹脂等を使用するこ
とができ、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素系
樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂材料等
を使用できる。
ラミック、ガラス、絶縁性の優れた樹脂等を使用するこ
とができ、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素系
樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂材料等
を使用できる。
【００８３】また、必要に応じて、外側スペーサ７とア
クティブマトリクス基板２との間や、外側スペーサ７と
保護基板８との間に隙間が生じる場合は、その隙間をシ
リコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止することもで
きる。
クティブマトリクス基板２との間や、外側スペーサ７と
保護基板８との間に隙間が生じる場合は、その隙間をシ
リコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止することもで
きる。
【００８４】なお、本実施の形態のフラットパネル型イ
メージセンサ１においては、内側スペーサ５と外側スペ
ーサ７とが一体成形される構成であってもよい。これに
より、フラットパネル型イメージセンサ１の製造工程を
簡略化することができる。
メージセンサ１においては、内側スペーサ５と外側スペ
ーサ７とが一体成形される構成であってもよい。これに
より、フラットパネル型イメージセンサ１の製造工程を
簡略化することができる。
【００８５】また、バイアス電極４に電圧を印加するた
めのリード線は、保護基板８の一部に孔を空けるか、保
護基板８のコーナー部分をカットしておくことでバイア
ス電極４の一部を露出させ、その部分から引き出せばよ
い。あるいは、外側スペーサ７に開口部を設けておき、
その部分からリード線を引き出してもよい。
めのリード線は、保護基板８の一部に孔を空けるか、保
護基板８のコーナー部分をカットしておくことでバイア
ス電極４の一部を露出させ、その部分から引き出せばよ
い。あるいは、外側スペーサ７に開口部を設けておき、
その部分からリード線を引き出してもよい。
【００８６】上記の構成により、図１において領域Ｙ１
で示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜
３が形成されている領域における絶縁性樹脂６の厚さｙ
１と、図１において領域Ｘ１で示すアクティブマトリク
ス基板２上において半導体膜３が形成されていない領
域、すなわちここでは内側スペーサ５が形成されている
全領域における絶縁性樹脂６の厚さｘ１とが等しくなっ
ている。
で示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜
３が形成されている領域における絶縁性樹脂６の厚さｙ
１と、図１において領域Ｘ１で示すアクティブマトリク
ス基板２上において半導体膜３が形成されていない領
域、すなわちここでは内側スペーサ５が形成されている
全領域における絶縁性樹脂６の厚さｘ１とが等しくなっ
ている。
【００８７】次に、上記構成の本実施の形態のフラット
パネル型イメージセンサ１を製造する方法の一例につい
て説明する。
パネル型イメージセンサ１を製造する方法の一例につい
て説明する。
【００８８】先ず、複数の画素を表面にＸＹマトリクス
状に配し、アクティブマトリクス基板２を形成する（Ｓ
１：以下、ステップを「Ｓ」と記す）。次に、アクティ
ブマトリクス基板２上に半導体膜３を形成し、該半導体
膜３上の略全面にバイアス電極４を形成する（Ｓ２）。
状に配し、アクティブマトリクス基板２を形成する（Ｓ
１：以下、ステップを「Ｓ」と記す）。次に、アクティ
ブマトリクス基板２上に半導体膜３を形成し、該半導体
膜３上の略全面にバイアス電極４を形成する（Ｓ２）。
【００８９】次に、内側スペーサ５を、半導体膜３の周
囲に設け、アクティブマトリクス基板２上に接着剤によ
り固定する（Ｓ３）。なお、内側スペーサ５に樹脂材料
を用いる場合は、アクティブマトリクス基板２上に直接
樹脂材料を塗布した後、樹脂を硬化させることで内側ス
ペーサ５を配設しても構わない。更に、外側スペーサ７
を、内側スペーサ５の周囲に設け、アクティブマトリク
ス基板２上に接着剤により固定する（Ｓ４）。なお、内
側スペーサ５および外側スペーサ７は、上記のように絶
縁性の優れた絶縁性の樹脂材料を、アクティブマトリク
ス基板２上に固定する前に所定形状に硬化したものを用
いる。また、この際外側スペーサ７とアクティブマトリ
クス基板２との間に隙間が生じる場合は、該隙間をシリ
コン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止すればよい。
囲に設け、アクティブマトリクス基板２上に接着剤によ
り固定する（Ｓ３）。なお、内側スペーサ５に樹脂材料
を用いる場合は、アクティブマトリクス基板２上に直接
樹脂材料を塗布した後、樹脂を硬化させることで内側ス
ペーサ５を配設しても構わない。更に、外側スペーサ７
を、内側スペーサ５の周囲に設け、アクティブマトリク
ス基板２上に接着剤により固定する（Ｓ４）。なお、内
側スペーサ５および外側スペーサ７は、上記のように絶
縁性の優れた絶縁性の樹脂材料を、アクティブマトリク
ス基板２上に固定する前に所定形状に硬化したものを用
いる。また、この際外側スペーサ７とアクティブマトリ
クス基板２との間に隙間が生じる場合は、該隙間をシリ
コン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止すればよい。
【００９０】その後、絶縁性樹脂６を、バイアス電極４
が表面に形成された半導体膜３および内側スペーサ５を
覆うように外側スペーサ７により封止しつつ充填する
（Ｓ５）。
が表面に形成された半導体膜３および内側スペーサ５を
覆うように外側スペーサ７により封止しつつ充填する
（Ｓ５）。
【００９１】その後、保護基板８を、絶縁性樹脂６およ
び外側スペーサ７の表面を覆うように、外側スペーサ７
に接着固定する（Ｓ６）。なお、気泡を巻き込む恐れが
ある場合は、大気圧から減圧された環境下、例えば真空
環境下で行えばよい。また、保護基板８と外側スペーサ
７との間に隙間が生じる場合は、必要に応じて該隙間を
シリコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止すればよ
い。
び外側スペーサ７の表面を覆うように、外側スペーサ７
に接着固定する（Ｓ６）。なお、気泡を巻き込む恐れが
ある場合は、大気圧から減圧された環境下、例えば真空
環境下で行えばよい。また、保護基板８と外側スペーサ
７との間に隙間が生じる場合は、必要に応じて該隙間を
シリコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止すればよ
い。
【００９２】上記Ｓ５の前に、上記Ｓ６を行うことも可
能である。すなわち、保護基板８を外側スペーサ７に接
着固定した後に、絶縁性樹脂６を充填することも可能で
ある。この場合、外側スペーサ７または保護基板８に、
絶縁性樹脂６を注入するための図示しない注入孔と、図
示しない脱気孔とを設ける。これにより、絶縁性樹脂６
は注入孔から充填されるとともに、絶縁性樹脂６の充填
により生ずる気泡は脱気孔から排出される。なお、絶縁
性樹脂６の充填終了後、上記の注入孔および脱気孔は接
着剤等により封止する。
能である。すなわち、保護基板８を外側スペーサ７に接
着固定した後に、絶縁性樹脂６を充填することも可能で
ある。この場合、外側スペーサ７または保護基板８に、
絶縁性樹脂６を注入するための図示しない注入孔と、図
示しない脱気孔とを設ける。これにより、絶縁性樹脂６
は注入孔から充填されるとともに、絶縁性樹脂６の充填
により生ずる気泡は脱気孔から排出される。なお、絶縁
性樹脂６の充填終了後、上記の注入孔および脱気孔は接
着剤等により封止する。
【００９３】また、上記Ｓ６の代わりに上記Ｓ４におい
て、予め保護基板８を接着した外側スペーサ７を接着固
定し、その後上記Ｓ５を行うことも可能である。また、
保護基板８と外側スペーサ７とを一体成形したものを用
いることもできる。
て、予め保護基板８を接着した外側スペーサ７を接着固
定し、その後上記Ｓ５を行うことも可能である。また、
保護基板８と外側スペーサ７とを一体成形したものを用
いることもできる。
【００９４】その後、絶縁性樹脂６を、熱硬化方法、光
硬化方法等により硬化する（Ｓ７）。
硬化方法等により硬化する（Ｓ７）。
【００９５】上記Ｓ１〜Ｓ７のステップを踏むことによ
り、本実施の形態にかかるフラットパネル型イメージセ
ンサ１を製造することができる。
り、本実施の形態にかかるフラットパネル型イメージセ
ンサ１を製造することができる。
【００９６】以上のように、本実施の形態のフラットパ
ネル型イメージセンサ１は、図１において領域Ｙ１で示
すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜３が
形成されている領域と、図１において領域Ｘ１で示すア
クティブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成
されていない領域とにおいて、絶縁性樹脂６の厚さが等
しくなっている。
ネル型イメージセンサ１は、図１において領域Ｙ１で示
すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜３が
形成されている領域と、図１において領域Ｘ１で示すア
クティブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成
されていない領域とにおいて、絶縁性樹脂６の厚さが等
しくなっている。
【００９７】したがって、アクティブマトリクス基板２
上の半導体膜３が形成されている領域Ｙ１と、半導体膜
３が形成されていない領域Ｘ１の境目近傍において、以
下のように、絶縁性樹脂６の内部応力が低減する現象が
確認された。
上の半導体膜３が形成されている領域Ｙ１と、半導体膜
３が形成されていない領域Ｘ１の境目近傍において、以
下のように、絶縁性樹脂６の内部応力が低減する現象が
確認された。
【００９８】すなわち、上記領域Ｘ１と領域Ｙ１の境目
近傍での絶縁性樹脂６の内部応力について、内部応力の
変化に伴う光弾性効果の発生状況と、絶縁性樹脂６内に
発生する微視的なボイドの有無とを、本実施の形態によ
る構造のフラットパネル型イメージセンサ１と従来構造
のフラットパネル型イメージセンサとについて観察し、
比較評価を行った。
近傍での絶縁性樹脂６の内部応力について、内部応力の
変化に伴う光弾性効果の発生状況と、絶縁性樹脂６内に
発生する微視的なボイドの有無とを、本実施の形態によ
る構造のフラットパネル型イメージセンサ１と従来構造
のフラットパネル型イメージセンサとについて観察し、
比較評価を行った。
【００９９】ここで、従来構造のフラットパネル型イメ
ージセンサは、図１４に示すような、アクティブマトリ
クス基板２００の周辺上に設けられる略正方形枠状のス
ペーサ５００と、アクティブマトリクス基板２００上に
おいて半導体膜３００が形成されている領域とアクティ
ブマトリクス基板２００上において半導体膜３００が形
成されていない周辺領域とを一括して覆うように形成さ
れる絶縁性樹脂６００と、スペーサ５００によりアクテ
ィブマトリクス基板２００との間隔を一定に保たれつつ
アクティブマトリクス基板２００に対向するように配置
される保護基板７００とを備える構成のフラットパネル
型イメージセンサ１１０を用いた。
ージセンサは、図１４に示すような、アクティブマトリ
クス基板２００の周辺上に設けられる略正方形枠状のス
ペーサ５００と、アクティブマトリクス基板２００上に
おいて半導体膜３００が形成されている領域とアクティ
ブマトリクス基板２００上において半導体膜３００が形
成されていない周辺領域とを一括して覆うように形成さ
れる絶縁性樹脂６００と、スペーサ５００によりアクテ
ィブマトリクス基板２００との間隔を一定に保たれつつ
アクティブマトリクス基板２００に対向するように配置
される保護基板７００とを備える構成のフラットパネル
型イメージセンサ１１０を用いた。
【０１００】また、光弾性効果とは、透明物質が応力に
よって弾性変形を受けて屈折率の変化を生じることをい
い、ボイドとは、絶縁性樹脂内に応力が作用することに
より発生する孔のことをいう。光弾性効果の発生状況ま
たはボイドの有無を確認することにより、絶縁性樹脂内
に内部応力が発生しているか否かを観察することができ
る。
よって弾性変形を受けて屈折率の変化を生じることをい
い、ボイドとは、絶縁性樹脂内に応力が作用することに
より発生する孔のことをいう。光弾性効果の発生状況ま
たはボイドの有無を確認することにより、絶縁性樹脂内
に内部応力が発生しているか否かを観察することができ
る。
【０１０１】比較評価の結果、本実施の形態のフラット
パネル型イメージセンサ１においては、上記の境目近傍
において、絶縁性樹脂６の屈折率は略等方的かつ連続的
であり、ボイドの発生も見られなかった。
パネル型イメージセンサ１においては、上記の境目近傍
において、絶縁性樹脂６の屈折率は略等方的かつ連続的
であり、ボイドの発生も見られなかった。
【０１０２】一方、従来構造のフラットパネル型イメー
ジセンサ１１０においては、上記境目近傍において絶縁
性樹脂６００の屈折率異方性に伴う光弾性効果が認めら
れるとともに、微視的なボイドが認められた。
ジセンサ１１０においては、上記境目近傍において絶縁
性樹脂６００の屈折率異方性に伴う光弾性効果が認めら
れるとともに、微視的なボイドが認められた。
【０１０３】すなわち、従来構造のフラットパネル型イ
メージセンサ１１０では、上記境目近傍における絶縁性
樹脂６００の内部応力が大きいのに比べて、本実施の形
態のフラットパネル型イメージセンサ１では、上記境目
近傍における絶縁性樹脂６の内部応力が小さいことが判
明した。
メージセンサ１１０では、上記境目近傍における絶縁性
樹脂６００の内部応力が大きいのに比べて、本実施の形
態のフラットパネル型イメージセンサ１では、上記境目
近傍における絶縁性樹脂６の内部応力が小さいことが判
明した。
【０１０４】これにより、フラットパネル型イメージセ
ンサ１における絶縁性樹脂６内部に発生する応力を低減
することができ、アクティブマトリクス基板２の反りを
未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメージセ
ンサ１の耐性が向上する。
ンサ１における絶縁性樹脂６内部に発生する応力を低減
することができ、アクティブマトリクス基板２の反りを
未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメージセ
ンサ１の耐性が向上する。
【０１０５】よって、強度面での信頼性に優れたフラッ
トパネル型イメージセンサ１を提供することができる。
トパネル型イメージセンサ１を提供することができる。
【０１０６】また、本実施の形態のフラットパネル型イ
メージセンサ１は、以上のように、上記構成のフラット
パネル型イメージセンサ１において、アクティブマトリ
クス基板２上において半導体膜３が形成されていない全
領域Ｘ１上に設けられるとともに、半導体膜３の厚さと
等しい厚さを有する内側スペーサ５を備える一方で、絶
縁性樹脂６は内側スペーサ５上および半導体膜３上に形
成されているものであってもよい。
メージセンサ１は、以上のように、上記構成のフラット
パネル型イメージセンサ１において、アクティブマトリ
クス基板２上において半導体膜３が形成されていない全
領域Ｘ１上に設けられるとともに、半導体膜３の厚さと
等しい厚さを有する内側スペーサ５を備える一方で、絶
縁性樹脂６は内側スペーサ５上および半導体膜３上に形
成されているものであってもよい。
【０１０７】上記構成によれば、内側スペーサ５と半導
体膜３とは等しい厚さを有している。すなわち、従来構
造のフラットパネル型イメージセンサ１１０に内側スペ
ーサ５を設け、内側スペーサ５と半導体膜３との上に絶
縁性樹脂６を形成することにより、アクティブマトリク
ス基板２上において半導体膜３が形成されている領域Ｙ
１と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ１との境目近
傍において発生していた絶縁性樹脂６の厚さの差を容易
に解消することができる。
体膜３とは等しい厚さを有している。すなわち、従来構
造のフラットパネル型イメージセンサ１１０に内側スペ
ーサ５を設け、内側スペーサ５と半導体膜３との上に絶
縁性樹脂６を形成することにより、アクティブマトリク
ス基板２上において半導体膜３が形成されている領域Ｙ
１と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ１との境目近
傍において発生していた絶縁性樹脂６の厚さの差を容易
に解消することができる。
【０１０８】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメージセ
ンサ１を容易に得ることができる。
強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメージセ
ンサ１を容易に得ることができる。
【０１０９】また、本実施の形態のフラットパネル型イ
メージセンサ１は、以上のように、上記構成のフラット
パネル型イメージセンサ１において、アクティブマトリ
クス基板２上において半導体膜３が形成されていない全
領域Ｘ１上に設けられるとともに、半導体膜３の厚さと
バイアス電極４の厚さとの和と等しい厚さを有する内側
スペーサ５を備える一方で、絶縁性樹脂６は内側スペー
サ５上および半導体膜３上に形成されているものであっ
てもよい。
メージセンサ１は、以上のように、上記構成のフラット
パネル型イメージセンサ１において、アクティブマトリ
クス基板２上において半導体膜３が形成されていない全
領域Ｘ１上に設けられるとともに、半導体膜３の厚さと
バイアス電極４の厚さとの和と等しい厚さを有する内側
スペーサ５を備える一方で、絶縁性樹脂６は内側スペー
サ５上および半導体膜３上に形成されているものであっ
てもよい。
【０１１０】上記構成によれば、内側スペーサ５は半導
体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さとの和と等しい厚
さを有している。すなわち、内側スペーサ５と半導体膜
３との上に絶縁性樹脂６を形成することにより、アクテ
ィブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成され
ている領域Ｙ１と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ
１との境目近傍において発生していた絶縁性樹脂６の厚
さの差を完全に解消することができる。
体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さとの和と等しい厚
さを有している。すなわち、内側スペーサ５と半導体膜
３との上に絶縁性樹脂６を形成することにより、アクテ
ィブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成され
ている領域Ｙ１と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ
１との境目近傍において発生していた絶縁性樹脂６の厚
さの差を完全に解消することができる。
【０１１１】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサ１を得ることができる。
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサ１を得ることができる。
【０１１２】なお、上記の説明では、内側スペーサ５の
厚みと、半導体膜３の厚み（あるいは半導体膜３の厚さ
とバイアス電極４の厚さとの和）を等しくすることで、
アクティブマトリクス基板２上の半導体膜３が形成され
ている領域Ｙ１と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ
１における絶縁性樹脂６の厚みを等しくした理想的な構
成について説明したが、本発明の範囲はこれに限定され
るものではない。
厚みと、半導体膜３の厚み（あるいは半導体膜３の厚さ
とバイアス電極４の厚さとの和）を等しくすることで、
アクティブマトリクス基板２上の半導体膜３が形成され
ている領域Ｙ１と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ
１における絶縁性樹脂６の厚みを等しくした理想的な構
成について説明したが、本発明の範囲はこれに限定され
るものではない。
【０１１３】すなわち、内側スペーサ５の厚みは、半導
体膜３が形成されていない領域Ｘ１と、半導体膜３が形
成されている領域Ｙ１とにおける絶縁性樹脂６の厚みの
差を、アクティブマトリクス基板２の反りや強度面の劣
化の原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂６内に発生
させない程度に小さいものとする厚みであればよい。す
なわち、内側スペーサ５の厚みと、半導体膜３の厚み
（あるいは半導体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さと
の和）とは厳密に等しくなくてもよい。
体膜３が形成されていない領域Ｘ１と、半導体膜３が形
成されている領域Ｙ１とにおける絶縁性樹脂６の厚みの
差を、アクティブマトリクス基板２の反りや強度面の劣
化の原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂６内に発生
させない程度に小さいものとする厚みであればよい。す
なわち、内側スペーサ５の厚みと、半導体膜３の厚み
（あるいは半導体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さと
の和）とは厳密に等しくなくてもよい。
【０１１４】なお、内側スペーサ５の厚みの最適値は、
絶縁性樹脂６の種類やアクティブマトリクス基板２およ
び保護基板８の材質、サイズ等により異なるため、一概
には決めることはできない。大体の目安として、内側ス
ペーサ５の厚みの最適値としては、半導体膜３の厚みの
±５０％の範囲内に設定することが好ましい。
絶縁性樹脂６の種類やアクティブマトリクス基板２およ
び保護基板８の材質、サイズ等により異なるため、一概
には決めることはできない。大体の目安として、内側ス
ペーサ５の厚みの最適値としては、半導体膜３の厚みの
±５０％の範囲内に設定することが好ましい。
【０１１５】たとえば、図３に示すように、内側スペー
サ５の厚みは、半導体膜３とバイアス電極４との厚みの
和よりも小さいものであってもよい。あるいは、図４に
示すように、内側スペーサ５の厚みは、半導体膜３とバ
イアス電極４との厚みの和よりも大きいものであっても
構わない。
サ５の厚みは、半導体膜３とバイアス電極４との厚みの
和よりも小さいものであってもよい。あるいは、図４に
示すように、内側スペーサ５の厚みは、半導体膜３とバ
イアス電極４との厚みの和よりも大きいものであっても
構わない。
【０１１６】以上のように、本実施の形態では、半導体
膜３および外側スペーサ７が形成されていない領域Ｘ１
上に、絶縁性樹脂６の厚みを変更するための内側スペー
サ５を形成する構成であってもよい。
膜３および外側スペーサ７が形成されていない領域Ｘ１
上に、絶縁性樹脂６の厚みを変更するための内側スペー
サ５を形成する構成であってもよい。
【０１１７】上記の構成によれば、内側スペーサ５の厚
みを変更することにより、半導体膜３が形成されていな
い領域Ｘ１と、半導体膜３が形成されている領域Ｙ１と
における絶縁性樹脂６の厚みの差を、アクティブマトリ
クス基板２の反りや強度面の劣化の原因となる程度の内
部応力を絶縁性樹脂６内に発生させない程度に小さいも
のとすることができる。
みを変更することにより、半導体膜３が形成されていな
い領域Ｘ１と、半導体膜３が形成されている領域Ｙ１と
における絶縁性樹脂６の厚みの差を、アクティブマトリ
クス基板２の反りや強度面の劣化の原因となる程度の内
部応力を絶縁性樹脂６内に発生させない程度に小さいも
のとすることができる。
【０１１８】それゆえ、絶縁性樹脂６内部に発生する応
力を低減することができ、アクティブマトリクス基板２
の反りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イ
メージセンサ１の耐性が向上する。よって、強度面での
信頼性に優れたフラットパネル型イメージセンサ１を提
供することができる。
力を低減することができ、アクティブマトリクス基板２
の反りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イ
メージセンサ１の耐性が向上する。よって、強度面での
信頼性に優れたフラットパネル型イメージセンサ１を提
供することができる。
【０１１９】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
について図５ないし図７に基づいて説明すれば、以下の
通りである。
について図５ないし図７に基づいて説明すれば、以下の
通りである。
【０１２０】図５に示すように、本実施の形態のフラッ
トパネル型イメージセンサ２１は、アクティブマトリク
ス基板２と、半導体膜３と、バイアス電極４と、外側ス
ペーサ７とを備えている。アクティブマトリクス基板
２、半導体膜３、バイアス電極４、および外側スペーサ
７は実施の形態１と同様のものを用いることができる。
トパネル型イメージセンサ２１は、アクティブマトリク
ス基板２と、半導体膜３と、バイアス電極４と、外側ス
ペーサ７とを備えている。アクティブマトリクス基板
２、半導体膜３、バイアス電極４、および外側スペーサ
７は実施の形態１と同様のものを用いることができる。
【０１２１】さらに、図５に示すように、本実施の形態
のフラットパネル型イメージセンサ２１は、外側スペー
サ７の上面に接着固定される保護基板８ａを備える。保
護基板８ａの外周端部は、アクティブマトリクス基板２
と略同面積の略長方形、例えば略正方形となるように形
成されている。
のフラットパネル型イメージセンサ２１は、外側スペー
サ７の上面に接着固定される保護基板８ａを備える。保
護基板８ａの外周端部は、アクティブマトリクス基板２
と略同面積の略長方形、例えば略正方形となるように形
成されている。
【０１２２】また、保護基板８ａには、アクティブマト
リクス基板２と対向する面に、凹部８ｂが形成されてい
る。凹部８ｂは、半導体膜３の形状に対応する形状を有
する。すなわち、凹部８ｂの深さと半導体膜３の厚さと
は等しく形成されている。しかし、半導体膜３の厚さに
対してバイアス電極４の厚さが比較的大きくて、バイア
ス電極４の厚さの影響が無視できない場合には、半導体
膜３の厚さとバイアス電極４の厚さの和が、凹部８ｂの
深さに等しくなるように構成すればよい。
リクス基板２と対向する面に、凹部８ｂが形成されてい
る。凹部８ｂは、半導体膜３の形状に対応する形状を有
する。すなわち、凹部８ｂの深さと半導体膜３の厚さと
は等しく形成されている。しかし、半導体膜３の厚さに
対してバイアス電極４の厚さが比較的大きくて、バイア
ス電極４の厚さの影響が無視できない場合には、半導体
膜３の厚さとバイアス電極４の厚さの和が、凹部８ｂの
深さに等しくなるように構成すればよい。
【０１２３】また、図５に示すように、保護基板８ａ
は、中央部において凹部８ｂに対応する高さの凸部８ｃ
を形成することにより、該保護基板８ａの厚さが水平方
向の全面において等しくなるように形成される。しか
し、保護基板８ａの形状は必ずしもこれに限定されず、
図６に示すように、保護基板８ａの上面を水平方向にフ
ラットな平面とすることも可能である。また、保護基板
８ａとしては、上記実施の形態１における保護基板８と
同様に、ガラス基板、各種セラミック基板、樹脂基板等
を用いる事ができる。
は、中央部において凹部８ｂに対応する高さの凸部８ｃ
を形成することにより、該保護基板８ａの厚さが水平方
向の全面において等しくなるように形成される。しか
し、保護基板８ａの形状は必ずしもこれに限定されず、
図６に示すように、保護基板８ａの上面を水平方向にフ
ラットな平面とすることも可能である。また、保護基板
８ａとしては、上記実施の形態１における保護基板８と
同様に、ガラス基板、各種セラミック基板、樹脂基板等
を用いる事ができる。
【０１２４】更に、フラットパネル型イメージセンサ２
１は、アクティブマトリクス基板２と保護基板８ａとの
間を充填すると共に、図７に示すように外側スペーサ７
により周囲を封止される絶縁性樹脂６を備える。絶縁性
樹脂６としては、上記実施の形態１と同様のものを用い
ることができる。
１は、アクティブマトリクス基板２と保護基板８ａとの
間を充填すると共に、図７に示すように外側スペーサ７
により周囲を封止される絶縁性樹脂６を備える。絶縁性
樹脂６としては、上記実施の形態１と同様のものを用い
ることができる。
【０１２５】上記の構成により、図５において領域Ｙ３
で示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜
３が形成されている領域における絶縁性樹脂６の厚さｙ
３と、図５において領域Ｘ３で示すアクティブマトリク
ス基板２上において半導体膜３が形成されていない領域
における絶縁性樹脂６の厚さｘ３とが等しくなってい
る。同様に、図６において領域Ｙ４で示すアクティブマ
トリクス基板２上において半導体膜３が形成されている
領域における絶縁性樹脂６の厚さｙ４と、図６において
領域Ｘ４で示すアクティブマトリクス基板２上において
半導体膜３が形成されていない領域における絶縁性樹脂
６の厚さｘ４とも等しくなっている。
で示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜
３が形成されている領域における絶縁性樹脂６の厚さｙ
３と、図５において領域Ｘ３で示すアクティブマトリク
ス基板２上において半導体膜３が形成されていない領域
における絶縁性樹脂６の厚さｘ３とが等しくなってい
る。同様に、図６において領域Ｙ４で示すアクティブマ
トリクス基板２上において半導体膜３が形成されている
領域における絶縁性樹脂６の厚さｙ４と、図６において
領域Ｘ４で示すアクティブマトリクス基板２上において
半導体膜３が形成されていない領域における絶縁性樹脂
６の厚さｘ４とも等しくなっている。
【０１２６】また、バイアス電極４に電圧を印加するた
めのリード線は、保護基板８ａの一部に孔を空けるか、
保護基板８ａのコーナー部分をカットしておくことでバ
イアス電極４の一部を露出させ、その部分から引き出せ
ばよい。
めのリード線は、保護基板８ａの一部に孔を空けるか、
保護基板８ａのコーナー部分をカットしておくことでバ
イアス電極４の一部を露出させ、その部分から引き出せ
ばよい。
【０１２７】また、必要に応じて、外側スペーサ７と保
護基板８ａとの間に隙間が生じる場合は、その隙間をシ
リコン樹脂等の樹脂で封止することもできる。
護基板８ａとの間に隙間が生じる場合は、その隙間をシ
リコン樹脂等の樹脂で封止することもできる。
【０１２８】次に、上記構成の本実施の形態のフラット
パネル型イメージセンサ２１を製造する方法の一例につ
いて説明する。
パネル型イメージセンサ２１を製造する方法の一例につ
いて説明する。
【０１２９】先ず、複数の画素を表面にＸＹマトリクス
状に配し、アクティブマトリクス基板２を形成する（Ｓ
１１）。次に、アクティブマトリクス基板２上に半導体
膜３を形成し、該半導体膜３上の略全面にバイアス電極
４を形成する（Ｓ１２）。Ｓ１１のステップは、上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ１と実質的に同一のステップであり、Ｓ
１２は上記実施の形態１のフラットパネル型イメージセ
ンサ１の製造方法におけるＳ２と実質的に同一のステッ
プである。
状に配し、アクティブマトリクス基板２を形成する（Ｓ
１１）。次に、アクティブマトリクス基板２上に半導体
膜３を形成し、該半導体膜３上の略全面にバイアス電極
４を形成する（Ｓ１２）。Ｓ１１のステップは、上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ１と実質的に同一のステップであり、Ｓ
１２は上記実施の形態１のフラットパネル型イメージセ
ンサ１の製造方法におけるＳ２と実質的に同一のステッ
プである。
【０１３０】次に、外側スペーサ７を、アクティブマト
リクス基板２上に接着剤により固定し、半導体膜３の周
囲に設ける（Ｓ１３）。Ｓ１３は上記実施の形態１のフ
ラットパネル型イメージセンサ１の製造方法におけるＳ
４と実質的に同一のステップである。
リクス基板２上に接着剤により固定し、半導体膜３の周
囲に設ける（Ｓ１３）。Ｓ１３は上記実施の形態１のフ
ラットパネル型イメージセンサ１の製造方法におけるＳ
４と実質的に同一のステップである。
【０１３１】次に、絶縁性樹脂６を、バイアス電極４が
表面に形成された半導体膜３を覆うように外側スペーサ
７により封止しつつ充填する（Ｓ１４）。Ｓ１４は上記
実施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製
造方法におけるＳ５と実質的に同一のステップである。
表面に形成された半導体膜３を覆うように外側スペーサ
７により封止しつつ充填する（Ｓ１４）。Ｓ１４は上記
実施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製
造方法におけるＳ５と実質的に同一のステップである。
【０１３２】次に、絶縁性樹脂６および外側スペーサ７
を覆うように、保護基板８ａを設ける（Ｓ１５）。Ｓ１
５は上記実施の形態１のフラットパネル型イメージセン
サ１の製造方法におけるＳ６と実質的に同一のステップ
である。
を覆うように、保護基板８ａを設ける（Ｓ１５）。Ｓ１
５は上記実施の形態１のフラットパネル型イメージセン
サ１の製造方法におけるＳ６と実質的に同一のステップ
である。
【０１３３】上記Ｓ１４の前に、上記Ｓ１５を行うこと
も可能である。すなわち、保護基板８ａを外側スペーサ
７に接着固定した後に、絶縁性樹脂６を充填することも
可能である。この場合、外側スペーサ７または保護基板
８ａに絶縁性樹脂６を注入するための図示しない注入孔
と、図示しない脱気孔とを設ける。これにより、絶縁性
樹脂６は注入孔から充填されるとともに、絶縁性樹脂６
の充填により生ずる気泡は脱気孔から排出される。な
お、絶縁性樹脂６の充填終了後、上記の注入孔および脱
気孔は接着剤等により封止される。
も可能である。すなわち、保護基板８ａを外側スペーサ
７に接着固定した後に、絶縁性樹脂６を充填することも
可能である。この場合、外側スペーサ７または保護基板
８ａに絶縁性樹脂６を注入するための図示しない注入孔
と、図示しない脱気孔とを設ける。これにより、絶縁性
樹脂６は注入孔から充填されるとともに、絶縁性樹脂６
の充填により生ずる気泡は脱気孔から排出される。な
お、絶縁性樹脂６の充填終了後、上記の注入孔および脱
気孔は接着剤等により封止される。
【０１３４】その後、絶縁性樹脂６を、熱硬化方法、光
硬化方法等により硬化する（Ｓ１６）。Ｓ１６は上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ７と実質的に同一のステップである。
硬化方法等により硬化する（Ｓ１６）。Ｓ１６は上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ７と実質的に同一のステップである。
【０１３５】上記Ｓ１１〜Ｓ１６のステップを踏むこと
により本実施の形態にかかるフラットパネル型イメージ
センサ２１を得ることができる。
により本実施の形態にかかるフラットパネル型イメージ
センサ２１を得ることができる。
【０１３６】以上のように、本実施の形態のフラットパ
ネル型イメージセンサ２１は、図５において領域Ｙ３で
示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜３
が形成されている領域と、図５において領域Ｘ３で示す
アクティブマトリクス基板２上において半導体膜３が形
成されていない領域とにおいて、絶縁性樹脂６の厚さが
等しくなっている。
ネル型イメージセンサ２１は、図５において領域Ｙ３で
示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜３
が形成されている領域と、図５において領域Ｘ３で示す
アクティブマトリクス基板２上において半導体膜３が形
成されていない領域とにおいて、絶縁性樹脂６の厚さが
等しくなっている。
【０１３７】これにより、フラットパネル型イメージセ
ンサ１における絶縁性樹脂６内部に発生する応力を低減
することができ、アクティブマトリクス基板２の反りを
未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメージセ
ンサ２１の耐性が向上する。
ンサ１における絶縁性樹脂６内部に発生する応力を低減
することができ、アクティブマトリクス基板２の反りを
未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメージセ
ンサ２１の耐性が向上する。
【０１３８】よって、強度面での信頼性に優れたフラッ
トパネル型イメージセンサ２１を提供することができ
る。
トパネル型イメージセンサ２１を提供することができ
る。
【０１３９】また、本実施の形態のフラットパネル型イ
メージセンサ２１は、以上のように、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサ２１において、保護基板８ａ
に、保護基板８ａの半導体膜３と対向する領域の全域に
半導体膜３の厚さと等しい寸法の深さを有する凹部８ｂ
が形成されている。
メージセンサ２１は、以上のように、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサ２１において、保護基板８ａ
に、保護基板８ａの半導体膜３と対向する領域の全域に
半導体膜３の厚さと等しい寸法の深さを有する凹部８ｂ
が形成されている。
【０１４０】上記構成によれば、保護基板８ａには半導
体膜３の厚さと等しい寸法の深さを有する凹部８ｂが形
成されている。すなわち、該凹部８ｂを有する保護基板
８ａを設けることにより、半導体膜３上に形成される絶
縁性樹脂６の厚さｙ３と、アクティブマトリクス基板２
上において半導体膜３が形成されていない周辺領域Ｘ３
上に形成される絶縁性樹脂６の厚さｘ３とを等しくする
ことができる。
体膜３の厚さと等しい寸法の深さを有する凹部８ｂが形
成されている。すなわち、該凹部８ｂを有する保護基板
８ａを設けることにより、半導体膜３上に形成される絶
縁性樹脂６の厚さｙ３と、アクティブマトリクス基板２
上において半導体膜３が形成されていない周辺領域Ｘ３
上に形成される絶縁性樹脂６の厚さｘ３とを等しくする
ことができる。
【０１４１】したがって、アクティブマトリクス基板２
上において半導体膜３が形成されている領域Ｙ３と半導
体膜３が形成されていない領域Ｘ３との境目近傍におい
て発生していた絶縁性樹脂６の厚さの差を容易に解消す
ることができる。
上において半導体膜３が形成されている領域Ｙ３と半導
体膜３が形成されていない領域Ｘ３との境目近傍におい
て発生していた絶縁性樹脂６の厚さの差を容易に解消す
ることができる。
【０１４２】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメージセ
ンサ２１を容易に得ることができる。
強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメージセ
ンサ２１を容易に得ることができる。
【０１４３】また、本実施の形態のフラットパネル型イ
メージセンサ２１は、以上のように、保護基板８ａに、
保護基板８ａの半導体膜３と対向する領域の全域に半導
体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さとの和と等しい寸
法の深さを有する凹部８ｂが形成されている。
メージセンサ２１は、以上のように、保護基板８ａに、
保護基板８ａの半導体膜３と対向する領域の全域に半導
体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さとの和と等しい寸
法の深さを有する凹部８ｂが形成されている。
【０１４４】上記の構成によれば、凹部８ｂは半導体膜
３の厚さとバイアス電極４の厚さとの和と等しい寸法の
深さを有している。したがって、アクティブマトリクス
基板２上において半導体膜３が形成されている領域Ｙ３
と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ３との境目近傍
において発生していた絶縁性樹脂６の厚さの差を完全に
解消することができる。
３の厚さとバイアス電極４の厚さとの和と等しい寸法の
深さを有している。したがって、アクティブマトリクス
基板２上において半導体膜３が形成されている領域Ｙ３
と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ３との境目近傍
において発生していた絶縁性樹脂６の厚さの差を完全に
解消することができる。
【０１４５】よって、上記の構成による効果に加えて、
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサ２１を得ることができる。
強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イメー
ジセンサ２１を得ることができる。
【０１４６】なお、半導体膜３上に形成される絶縁性樹
脂６の厚さｙ３と、アクティブマトリクス基板２上にお
いて半導体膜３が形成されていない周辺領域Ｘ３上に形
成される絶縁性樹脂６の厚さｘ３が等しければよく、例
えば実施の形態１における内側スペーサ５を設けるとと
もに保護基板８ａに凹部８ｂを形成した構成として、内
側スペーサ５を半導体膜３よりａだけ低くして、その
分、半導体膜３の凹部８ｂの深さをａとしてもよい。
脂６の厚さｙ３と、アクティブマトリクス基板２上にお
いて半導体膜３が形成されていない周辺領域Ｘ３上に形
成される絶縁性樹脂６の厚さｘ３が等しければよく、例
えば実施の形態１における内側スペーサ５を設けるとと
もに保護基板８ａに凹部８ｂを形成した構成として、内
側スペーサ５を半導体膜３よりａだけ低くして、その
分、半導体膜３の凹部８ｂの深さをａとしてもよい。
【０１４７】また、内側スペーサ５を半導体膜３よりｂ
だけ高くして、保護基板８ａでは半導体膜３に対向する
領域を凸領域とし、該凸領域以外の領域を、すなわちこ
こでは内側スペーサ５と対向する領域を凹領域として、
凸領域と凹領域との深さの差がｂになるようにしてもよ
い。
だけ高くして、保護基板８ａでは半導体膜３に対向する
領域を凸領域とし、該凸領域以外の領域を、すなわちこ
こでは内側スペーサ５と対向する領域を凹領域として、
凸領域と凹領域との深さの差がｂになるようにしてもよ
い。
【０１４８】また、図６において、半導体膜３と外側ス
ペーサ７との間の任意の領域に内側スペーサ５を置き、
内側スペーサ５の高さ分だけ図６の構成から保護基板８
ａを凹ませる（図６中上方に深く形成する）ようにして
もよい。
ペーサ７との間の任意の領域に内側スペーサ５を置き、
内側スペーサ５の高さ分だけ図６の構成から保護基板８
ａを凹ませる（図６中上方に深く形成する）ようにして
もよい。
【０１４９】なお、上記の説明では、保護基板８ａに、
半導体膜３の厚み（あるいは半導体膜３の厚さとバイア
ス電極４の厚さとの和）を等しい寸法の深さを有する凹
部８ｂを形成することで、アクティブマトリクス基板２
上の半導体膜３が形成されている領域Ｙ３（Ｙ４）と半
導体膜３が形成されていない領域Ｘ３（Ｘ４）における
絶縁性樹脂６の厚みを等しくした構成について説明した
が、本発明の範囲は、これに限定されるものではない。
半導体膜３の厚み（あるいは半導体膜３の厚さとバイア
ス電極４の厚さとの和）を等しい寸法の深さを有する凹
部８ｂを形成することで、アクティブマトリクス基板２
上の半導体膜３が形成されている領域Ｙ３（Ｙ４）と半
導体膜３が形成されていない領域Ｘ３（Ｘ４）における
絶縁性樹脂６の厚みを等しくした構成について説明した
が、本発明の範囲は、これに限定されるものではない。
【０１５０】なお、凹部８ｂの深さの最適値は、絶縁性
樹脂６の種類やアクティブマトリクス基板２および保護
基板８ａの材質、サイズ等により異なるため、一概には
決めることはできない。大体の目安として、凹部８ｂの
深さの最適値としては、半導体膜３の厚みの±５０％の
範囲内に設定することが好ましい。
樹脂６の種類やアクティブマトリクス基板２および保護
基板８ａの材質、サイズ等により異なるため、一概には
決めることはできない。大体の目安として、凹部８ｂの
深さの最適値としては、半導体膜３の厚みの±５０％の
範囲内に設定することが好ましい。
【０１５１】すなわち、凹部８ｂの深さは、半導体膜３
が形成されていない領域Ｘ３（Ｘ４）と、半導体膜３が
形成されている領域Ｙ３（Ｙ４）とにおける絶縁性樹脂
６の厚みの差を、アクティブマトリクス基板２の反りや
強度面の劣化の原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂
６内に発生させない程度に小さいものとする厚みであれ
ばよい。すなわち、凹部８ｂの深さは、半導体膜３の厚
み（あるいは半導体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さ
との和）と厳密に等しくなくてもよい。
が形成されていない領域Ｘ３（Ｘ４）と、半導体膜３が
形成されている領域Ｙ３（Ｙ４）とにおける絶縁性樹脂
６の厚みの差を、アクティブマトリクス基板２の反りや
強度面の劣化の原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂
６内に発生させない程度に小さいものとする厚みであれ
ばよい。すなわち、凹部８ｂの深さは、半導体膜３の厚
み（あるいは半導体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さ
との和）と厳密に等しくなくてもよい。
【０１５２】たとえば、図８に示すように、凹部８ｂの
深さは、半導体膜３とバイアス電極４との厚みの和より
も小さいものであってもよい。あるいは、図９に示すよ
うに、凹部８ｂの深さは、半導体膜３とバイアス電極４
との厚みの和よりも大きいものであっても構わない。
深さは、半導体膜３とバイアス電極４との厚みの和より
も小さいものであってもよい。あるいは、図９に示すよ
うに、凹部８ｂの深さは、半導体膜３とバイアス電極４
との厚みの和よりも大きいものであっても構わない。
【０１５３】以上のように、本実施の形態では、保護基
板８ａに、保護基板８ａの半導体膜３と対向する領域の
全域に絶縁性樹脂６の厚みを変更するための凹部８ｂが
形成されている構成であってもよい。
板８ａに、保護基板８ａの半導体膜３と対向する領域の
全域に絶縁性樹脂６の厚みを変更するための凹部８ｂが
形成されている構成であってもよい。
【０１５４】上記の構成によれば、凹部８ｂの深さを変
更することにより、半導体膜３が形成されていない領域
Ｘ３（Ｘ４）と、半導体膜３が形成されている領域Ｙ３
（Ｙ４）とにおける絶縁性樹脂６の厚みの差を、アクテ
ィブマトリクス基板２の反りや強度面の劣化の原因とな
る程度の内部応力を絶縁性樹脂６内に発生させない程度
に小さいものとすることができる。
更することにより、半導体膜３が形成されていない領域
Ｘ３（Ｘ４）と、半導体膜３が形成されている領域Ｙ３
（Ｙ４）とにおける絶縁性樹脂６の厚みの差を、アクテ
ィブマトリクス基板２の反りや強度面の劣化の原因とな
る程度の内部応力を絶縁性樹脂６内に発生させない程度
に小さいものとすることができる。
【０１５５】それゆえ、絶縁性樹脂６内部に発生する応
力を低減することができ、アクティブマトリクス基板２
の反りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イ
メージセンサ１の耐性が向上する。よって、強度面での
信頼性に優れたフラットパネル型イメージセンサ１を提
供することができる。
力を低減することができ、アクティブマトリクス基板２
の反りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イ
メージセンサ１の耐性が向上する。よって、強度面での
信頼性に優れたフラットパネル型イメージセンサ１を提
供することができる。
【０１５６】なお、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、アクティブマトリクス基板と、上記アクティ
ブマトリクス基板上に形成される半導体膜と、上記半導
体膜上に形成されるバイアス電極と、上記半導体膜を囲
むように上記アクティブマトリクス基板上に形成される
スペーサと、上記半導体膜上に形成されるとともに上記
スペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記スペーサ
を介して上記アクティブマトリクス基板と対向し、上記
絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板とを備える
フラットパネル型イメージセンサにおいて、上記保護基
板に、上記保護基板の上記半導体膜と対向しない領域に
おいて、上記絶縁性樹脂の厚みを変更するための段差が
形成されている構成であってもよい。
センサは、アクティブマトリクス基板と、上記アクティ
ブマトリクス基板上に形成される半導体膜と、上記半導
体膜上に形成されるバイアス電極と、上記半導体膜を囲
むように上記アクティブマトリクス基板上に形成される
スペーサと、上記半導体膜上に形成されるとともに上記
スペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記スペーサ
を介して上記アクティブマトリクス基板と対向し、上記
絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板とを備える
フラットパネル型イメージセンサにおいて、上記保護基
板に、上記保護基板の上記半導体膜と対向しない領域に
おいて、上記絶縁性樹脂の厚みを変更するための段差が
形成されている構成であってもよい。
【０１５７】〔実施の形態３〕本発明の他の実施の形態
について図１０および図１１に基づいて説明すれば、以
下のとおりである。なお、説明の便宜上、上記の実施の
形態１または実施の形態２の図面に示した部材と同一の
機能を有する部材については、同一の符号を付し、その
説明を省略する。
について図１０および図１１に基づいて説明すれば、以
下のとおりである。なお、説明の便宜上、上記の実施の
形態１または実施の形態２の図面に示した部材と同一の
機能を有する部材については、同一の符号を付し、その
説明を省略する。
【０１５８】図１０に示すように、本実施の形態のフラ
ットパネル型イメージセンサ３１は、アクティブマトリ
クス基板２と、半導体膜３と、バイアス電極４とを備え
ている。アクティブマトリクス基板２、半導体膜３、お
よびバイアス電極４は実施の形態１と同様のものを用い
ることができる。
ットパネル型イメージセンサ３１は、アクティブマトリ
クス基板２と、半導体膜３と、バイアス電極４とを備え
ている。アクティブマトリクス基板２、半導体膜３、お
よびバイアス電極４は実施の形態１と同様のものを用い
ることができる。
【０１５９】さらに、本実施の形態のフラットパネル型
イメージセンサ３１は、同図中領域Ｘ６で示すアクティ
ブマトリクス基板２における半導体膜３が形成されてい
ない領域の全領域を覆うように設けられるスペーサ７ａ
を備える。また、スペーサ７ａは、半導体膜３を囲むよ
うな後述する長方形枠状、例えば正方形枠状に形成さ
れ、半導体膜３の厚さよりも大きな厚さを有する。
イメージセンサ３１は、同図中領域Ｘ６で示すアクティ
ブマトリクス基板２における半導体膜３が形成されてい
ない領域の全領域を覆うように設けられるスペーサ７ａ
を備える。また、スペーサ７ａは、半導体膜３を囲むよ
うな後述する長方形枠状、例えば正方形枠状に形成さ
れ、半導体膜３の厚さよりも大きな厚さを有する。
【０１６０】なお、例えば半導体膜３のアクティブマト
リクス基板２に対する位置精度や、半導体膜３の端縁部
のテーパー形状の寸法のバラツキが無視できない場合に
は、その分を打ち消すため、スペーサ７ａと半導体膜３
との隙間を若干あけることにより、アクティブマトリク
ス基板２上において半導体膜３が形成されていない領域
とスペーサ７ａが形成される領域とが略等しいようにす
ればよい。この場合、スペーサ７ａと半導体膜３との間
隔は、５ｍｍ以内に設定されることが望ましい。
リクス基板２に対する位置精度や、半導体膜３の端縁部
のテーパー形状の寸法のバラツキが無視できない場合に
は、その分を打ち消すため、スペーサ７ａと半導体膜３
との隙間を若干あけることにより、アクティブマトリク
ス基板２上において半導体膜３が形成されていない領域
とスペーサ７ａが形成される領域とが略等しいようにす
ればよい。この場合、スペーサ７ａと半導体膜３との間
隔は、５ｍｍ以内に設定されることが望ましい。
【０１６１】また、ここでは、上記の実施の形態１と同
様、バイアス電極４の厚さは半導体膜３の厚さに比べて
１／１０００以下と非常に小さいので、便宜上バイアス
電極４の厚さを無視して、スペーサ７ａの厚さを半導体
膜３の厚さよりも大きなものとしている。しかし、半導
体膜３の厚さに対してバイアス電極４の厚さが比較的大
きくて、バイアス電極４の厚さの影響が無視できない場
合には、バイアス電極４の厚さを考慮して、スペーサ７
ａの厚さを、半導体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さ
との和よりも大きな厚さとすることがより好ましい。
様、バイアス電極４の厚さは半導体膜３の厚さに比べて
１／１０００以下と非常に小さいので、便宜上バイアス
電極４の厚さを無視して、スペーサ７ａの厚さを半導体
膜３の厚さよりも大きなものとしている。しかし、半導
体膜３の厚さに対してバイアス電極４の厚さが比較的大
きくて、バイアス電極４の厚さの影響が無視できない場
合には、バイアス電極４の厚さを考慮して、スペーサ７
ａの厚さを、半導体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さ
との和よりも大きな厚さとすることがより好ましい。
【０１６２】なお、図１１に示すように、スペーサ７ａ
は、半導体膜３を嵌め込むような長方形枠状、例えば正
方形枠状に形成される。
は、半導体膜３を嵌め込むような長方形枠状、例えば正
方形枠状に形成される。
【０１６３】スペーサ７ａの材料としては、セラミッ
ク、ガラス、絶縁性の優れた樹脂等を使用することがで
き、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素系樹脂、
エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂材料等を使用
できる。
ク、ガラス、絶縁性の優れた樹脂等を使用することがで
き、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素系樹脂、
エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂材料等を使用
できる。
【０１６４】また、図１０に示すように、フラットパネ
ル型イメージセンサ３１は、アクティブマトリクス基板
２に対向するように配置され、スペーサ７ａを介してア
クティブマトリクス基板２との間隔が一定に保たれた保
護基板８を備える。保護基板８は上記実施の形態１にお
けるものと同一のものを用いることができる。
ル型イメージセンサ３１は、アクティブマトリクス基板
２に対向するように配置され、スペーサ７ａを介してア
クティブマトリクス基板２との間隔が一定に保たれた保
護基板８を備える。保護基板８は上記実施の形態１にお
けるものと同一のものを用いることができる。
【０１６５】更に、フラットパネル型イメージセンサ３
１は、アクティブマトリクス基板２と保護基板８との間
を充填すると共に、スペーサ７ａにより封止される絶縁
性樹脂６を備える。絶縁性樹脂６は、半導体膜３が表面
に形成されたアクティブマトリクス基板２と保護基板８
との間隙を隙間無く充填できるように、充填前は液状
で、充填後に固化する硬化性樹脂を用いる。絶縁性樹脂
６は、上記実施の形態１または実施の形態２におけるも
のと同一のものを用いることができる。
１は、アクティブマトリクス基板２と保護基板８との間
を充填すると共に、スペーサ７ａにより封止される絶縁
性樹脂６を備える。絶縁性樹脂６は、半導体膜３が表面
に形成されたアクティブマトリクス基板２と保護基板８
との間隙を隙間無く充填できるように、充填前は液状
で、充填後に固化する硬化性樹脂を用いる。絶縁性樹脂
６は、上記実施の形態１または実施の形態２におけるも
のと同一のものを用いることができる。
【０１６６】上記の構成により、図１０において領域Ｘ
６で示す、アクティブマトリクス基板２上において半導
体膜３が形成されていない領域の上部には、絶縁性樹脂
６がほとんど充填されず、図１０において領域Ｙ６で示
す、アクティブマトリクス基板２上において半導体膜３
が形成されている領域だけに絶縁性樹脂６が存在する構
成となる。
６で示す、アクティブマトリクス基板２上において半導
体膜３が形成されていない領域の上部には、絶縁性樹脂
６がほとんど充填されず、図１０において領域Ｙ６で示
す、アクティブマトリクス基板２上において半導体膜３
が形成されている領域だけに絶縁性樹脂６が存在する構
成となる。
【０１６７】また、バイアス電極４に電圧を印加するた
めのリード線は、保護基板８の一部に孔を空けるか、保
護基板８のコーナー部分をカットしておくことでバイア
ス電極４の一部を露出させ、その部分から引き出せばよ
い。
めのリード線は、保護基板８の一部に孔を空けるか、保
護基板８のコーナー部分をカットしておくことでバイア
ス電極４の一部を露出させ、その部分から引き出せばよ
い。
【０１６８】また、必要に応じて、スペーサ７ａとアク
ティブマトリクス基板２との間や、スペーサ７ａと保護
基板８との間に隙間が生じる場合は、その隙間をシリコ
ン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止することもでき
る。
ティブマトリクス基板２との間や、スペーサ７ａと保護
基板８との間に隙間が生じる場合は、その隙間をシリコ
ン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止することもでき
る。
【０１６９】次に、上記構成の本実施の形態のフラット
パネル型イメージセンサ３１を製造する方法の一例につ
いて説明する。
パネル型イメージセンサ３１を製造する方法の一例につ
いて説明する。
【０１７０】先ず、複数の画素を表面にＸＹマトリクス
状に配し、アクティブマトリクス基板２を形成する（Ｓ
２１）。次に、アクティブマトリクス基板２上に半導体
膜３を形成し、該半導体膜３上の略全面にバイアス電極
４を形成する（Ｓ２２）。Ｓ２１のステップは、上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ１と実質的に同一のステップであり、Ｓ
２２は上記実施の形態１のフラットパネル型イメージセ
ンサ１の製造方法におけるＳ２と実質的に同一のステッ
プである。
状に配し、アクティブマトリクス基板２を形成する（Ｓ
２１）。次に、アクティブマトリクス基板２上に半導体
膜３を形成し、該半導体膜３上の略全面にバイアス電極
４を形成する（Ｓ２２）。Ｓ２１のステップは、上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ１と実質的に同一のステップであり、Ｓ
２２は上記実施の形態１のフラットパネル型イメージセ
ンサ１の製造方法におけるＳ２と実質的に同一のステッ
プである。
【０１７１】次に、スペーサ７ａを、半導体膜３の周囲
に設け、アクティブマトリクス基板２上に接着剤により
固定する（Ｓ２３）。この際、スペーサ７ａは、アクテ
ィブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成され
ていない領域Ｘ６上に形成される。なお、スペーサ７ａ
は、上記のように絶縁性の優れた絶縁性の樹脂材料を、
アクティブマトリクス基板２上に固定する前に所定形状
に硬化したものを用いる。また、スペーサ７ａとアクテ
ィブマトリクス基板２との間に隙間が生じる場合は、該
隙間をシリコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止す
る。Ｓ２３は上記実施の形態１のフラットパネル型イメ
ージセンサ１の製造方法におけるＳ４と実質的に同一の
ステップである。
に設け、アクティブマトリクス基板２上に接着剤により
固定する（Ｓ２３）。この際、スペーサ７ａは、アクテ
ィブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成され
ていない領域Ｘ６上に形成される。なお、スペーサ７ａ
は、上記のように絶縁性の優れた絶縁性の樹脂材料を、
アクティブマトリクス基板２上に固定する前に所定形状
に硬化したものを用いる。また、スペーサ７ａとアクテ
ィブマトリクス基板２との間に隙間が生じる場合は、該
隙間をシリコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂で封止す
る。Ｓ２３は上記実施の形態１のフラットパネル型イメ
ージセンサ１の製造方法におけるＳ４と実質的に同一の
ステップである。
【０１７２】次に、絶縁性樹脂６を、バイアス電極４が
表面に形成された半導体膜３を覆うようにスペーサ７ａ
により封止しつつ充填する（Ｓ２４）。Ｓ２４は上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ５と実質的に同一のステップである。
表面に形成された半導体膜３を覆うようにスペーサ７ａ
により封止しつつ充填する（Ｓ２４）。Ｓ２４は上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ５と実質的に同一のステップである。
【０１７３】次に、絶縁性樹脂６およびスペーサ７ａを
覆うように、保護基板８を設ける（Ｓ２５）。なお、気
泡を巻き込む恐れがある場合は、大気圧から減圧された
環境下、例えば真空環境下で行えばよい。また、スペー
サ７ａと保護基板８との間に隙間が生じる場合は、必要
に応じて該隙間をシリコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂
で封止する。Ｓ２５は上記実施の形態１のフラットパネ
ル型イメージセンサ１の製造方法におけるＳ６と実質的
に同一のステップである。
覆うように、保護基板８を設ける（Ｓ２５）。なお、気
泡を巻き込む恐れがある場合は、大気圧から減圧された
環境下、例えば真空環境下で行えばよい。また、スペー
サ７ａと保護基板８との間に隙間が生じる場合は、必要
に応じて該隙間をシリコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂
で封止する。Ｓ２５は上記実施の形態１のフラットパネ
ル型イメージセンサ１の製造方法におけるＳ６と実質的
に同一のステップである。
【０１７４】上記Ｓ２４の前に、上記Ｓ２５を行うこと
も可能である。すなわち、保護基板８をスペーサ７ａに
接着固定した後に、絶縁性樹脂６を充填することも可能
である。この場合、スペーサ７ａまたは保護基板８に絶
縁性樹脂６を注入するための図示しない注入孔と、図示
しない脱気孔とを設ける。これにより、絶縁性樹脂６は
注入孔から充填されるとともに、絶縁性樹脂６の充填に
より生ずる気泡は脱気孔から排出される。なお、絶縁性
樹脂６の充填終了後、上記の注入孔および脱気孔は接着
剤等により封止される。
も可能である。すなわち、保護基板８をスペーサ７ａに
接着固定した後に、絶縁性樹脂６を充填することも可能
である。この場合、スペーサ７ａまたは保護基板８に絶
縁性樹脂６を注入するための図示しない注入孔と、図示
しない脱気孔とを設ける。これにより、絶縁性樹脂６は
注入孔から充填されるとともに、絶縁性樹脂６の充填に
より生ずる気泡は脱気孔から排出される。なお、絶縁性
樹脂６の充填終了後、上記の注入孔および脱気孔は接着
剤等により封止される。
【０１７５】その後、絶縁性樹脂６を、熱硬化方法、光
硬化方法等により硬化する（Ｓ２６）。Ｓ２６は上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ７と実質的に同一のステップである。
硬化方法等により硬化する（Ｓ２６）。Ｓ２６は上記実
施の形態１のフラットパネル型イメージセンサ１の製造
方法におけるＳ７と実質的に同一のステップである。
【０１７６】上記Ｓ２１〜Ｓ２６のステップを踏むこと
により本実施の形態にかかるフラットパネル型イメージ
センサ３１を得ることができる。
により本実施の形態にかかるフラットパネル型イメージ
センサ３１を得ることができる。
【０１７７】このように、本実施の形態のフラットパネ
ル型イメージセンサ３１は、アクティブマトリクス基板
２上の半導体膜３が形成されていない領域Ｘ６上にはス
ペーサ７ａが形成されており、更に該スペーサ７ａは半
導体膜３よりも厚い厚さを有している。
ル型イメージセンサ３１は、アクティブマトリクス基板
２上の半導体膜３が形成されていない領域Ｘ６上にはス
ペーサ７ａが形成されており、更に該スペーサ７ａは半
導体膜３よりも厚い厚さを有している。
【０１７８】これにより、半導体膜３の上側の、スペー
サ７ａにより周囲を囲まれるとともに保護基板８により
上側を閉じられた空間のみに絶縁性樹脂６を充填させる
ことができ、アクティブマトリクス基板２上の半導体膜
３が形成されていない領域Ｘ６上には、絶縁性樹脂６を
形成することがない。
サ７ａにより周囲を囲まれるとともに保護基板８により
上側を閉じられた空間のみに絶縁性樹脂６を充填させる
ことができ、アクティブマトリクス基板２上の半導体膜
３が形成されていない領域Ｘ６上には、絶縁性樹脂６を
形成することがない。
【０１７９】その結果、半導体膜３上にのみ絶縁性樹脂
６を形成することができる。したがって、アクティブマ
トリクス基板２上において半導体膜３が形成されている
領域Ｘ６と半導体膜３が形成されていない領域Ｙ６との
境目における絶縁性樹脂６の厚さの差は発生しないの
で、従来この境目で発生していた内部応力も発生しな
い。
６を形成することができる。したがって、アクティブマ
トリクス基板２上において半導体膜３が形成されている
領域Ｘ６と半導体膜３が形成されていない領域Ｙ６との
境目における絶縁性樹脂６の厚さの差は発生しないの
で、従来この境目で発生していた内部応力も発生しな
い。
【０１８０】よって、強度面での信頼性に優れたフラッ
トパネル型イメージセンサ３１を得ることができる。
トパネル型イメージセンサ３１を得ることができる。
【０１８１】また、本実施の形態のフラットパネル型イ
メージセンサ３１は、以上のように、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、スペーサ７ａが、
半導体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さとの和よりも
厚く形成されているものであってもよい。
メージセンサ３１は、以上のように、上記構成のフラッ
トパネル型イメージセンサにおいて、スペーサ７ａが、
半導体膜３の厚さとバイアス電極４の厚さとの和よりも
厚く形成されているものであってもよい。
【０１８２】上記の構成によれば、バイアス電極４の上
側の、スペーサ７ａにより周囲を囲まれるとともに保護
基板８により上側を閉じられた空間にのみ絶縁性樹脂６
を充填させることができ、アクティブマトリクス基板２
上の半導体膜３が形成されていない領域Ｘ６には、絶縁
性樹脂６は形成されない。
側の、スペーサ７ａにより周囲を囲まれるとともに保護
基板８により上側を閉じられた空間にのみ絶縁性樹脂６
を充填させることができ、アクティブマトリクス基板２
上の半導体膜３が形成されていない領域Ｘ６には、絶縁
性樹脂６は形成されない。
【０１８３】その結果、バイアス電極４上にのみ絶縁性
樹脂６を形成することができる。したがって、アクティ
ブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成されて
いる領域Ｙ６と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ６
との境目における絶縁性樹脂６の厚さの差は発生しない
ので、従来この境目で発生していた内部応力も発生しな
い。
樹脂６を形成することができる。したがって、アクティ
ブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成されて
いる領域Ｙ６と半導体膜３が形成されていない領域Ｘ６
との境目における絶縁性樹脂６の厚さの差は発生しない
ので、従来この境目で発生していた内部応力も発生しな
い。
【０１８４】よって、強度面での信頼性に優れたフラッ
トパネル型イメージセンサ３１を得ることができる。
トパネル型イメージセンサ３１を得ることができる。
【０１８５】
【発明の効果】本発明のフラットパネル型イメージセン
サは、以上のように、上記半導体膜上に形成されている
上記絶縁性樹脂の厚さと、上記アクティブマトリクス基
板上において上記半導体膜および上記第１のスペーサが
形成されていない周辺領域上に形成されている上記絶縁
性樹脂の厚さとが等しい構成である。
サは、以上のように、上記半導体膜上に形成されている
上記絶縁性樹脂の厚さと、上記アクティブマトリクス基
板上において上記半導体膜および上記第１のスペーサが
形成されていない周辺領域上に形成されている上記絶縁
性樹脂の厚さとが等しい構成である。
【０１８６】それゆえ、本発明のフラットパネル型イメ
ージセンサにおいては、絶縁性樹脂内部に発生する応力
を低減することができ、アクティブマトリクス基板の反
りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメー
ジセンサの耐性が向上する。よって、強度面での信頼性
に優れたフラットパネル型イメージセンサを提供するこ
とができるという効果を奏する。
ージセンサにおいては、絶縁性樹脂内部に発生する応力
を低減することができ、アクティブマトリクス基板の反
りを未然に防ぎ、衝撃に対するフラットパネル型イメー
ジセンサの耐性が向上する。よって、強度面での信頼性
に優れたフラットパネル型イメージセンサを提供するこ
とができるという効果を奏する。
【０１８７】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記第１のスペーサは、上記
半導体膜の周囲を該半導体膜と間隔をおいて囲むように
形成されている構成である。
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記第１のスペーサは、上記
半導体膜の周囲を該半導体膜と間隔をおいて囲むように
形成されている構成である。
【０１８８】それゆえ、上記の構成による効果に加え
て、強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメー
ジセンサをより簡易に提供することができるという効果
を奏する。
て、強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメー
ジセンサをより簡易に提供することができるという効果
を奏する。
【０１８９】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記アクティブマトリクス基
板上において上記半導体膜および上記第１のスペーサが
形成されていない全領域上に設けられるとともに、上記
半導体膜の厚さと等しい厚さを有する第２のスペーサを
備える一方で、上記絶縁性樹脂は上記第２のスペーサ上
と上記半導体膜上とに形成されている構成である。
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記アクティブマトリクス基
板上において上記半導体膜および上記第１のスペーサが
形成されていない全領域上に設けられるとともに、上記
半導体膜の厚さと等しい厚さを有する第２のスペーサを
備える一方で、上記絶縁性樹脂は上記第２のスペーサ上
と上記半導体膜上とに形成されている構成である。
【０１９０】それゆえ、上記の構成による効果に加え
て、強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを容易に得ることができるという効果を奏す
る。
て、強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを容易に得ることができるという効果を奏す
る。
【０１９１】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記アクティブマトリクス基
板上において上記半導体膜および上記第１のスペーサが
形成されていない全領域上に設けられるとともに、上記
半導体膜の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和と等し
い厚さを有する第２のスペーサを備える一方で、上記絶
縁性樹脂は上記第２のスペーサ上と上記半導体膜上とに
形成されている構成である。
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記アクティブマトリクス基
板上において上記半導体膜および上記第１のスペーサが
形成されていない全領域上に設けられるとともに、上記
半導体膜の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和と等し
い厚さを有する第２のスペーサを備える一方で、上記絶
縁性樹脂は上記第２のスペーサ上と上記半導体膜上とに
形成されている構成である。
【０１９２】それゆえ、上記の構成による効果に加え
て、強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イ
メージセンサを得ることができるという効果を奏する。
て、強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イ
メージセンサを得ることができるという効果を奏する。
【０１９３】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、保護基板に、上記半導体膜の
厚さと等しい寸法の深さを有する凹部が形成されている
構成である。
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、保護基板に、上記半導体膜の
厚さと等しい寸法の深さを有する凹部が形成されている
構成である。
【０１９４】それゆえ、上記の構成による効果に加え
て、強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを容易に得ることができるという効果を奏す
る。
て、強度面での信頼性に優れたフラットパネル型イメー
ジセンサを容易に得ることができるという効果を奏す
る。
【０１９５】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記保護基板に、上記保護基
板の上記半導体膜と対向する領域の全域に上記半導体膜
の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和と等しい寸法の
深さを有する凹部が形成されている構成である。
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記保護基板に、上記保護基
板の上記半導体膜と対向する領域の全域に上記半導体膜
の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和と等しい寸法の
深さを有する凹部が形成されている構成である。
【０１９６】それゆえ、上記の構成による効果に加え
て、強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イ
メージセンサを得ることができるという効果を奏する。
て、強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イ
メージセンサを得ることができるという効果を奏する。
【０１９７】本発明のフラットパネル型イメージセンサ
は、上記スペーサが、上記アクティブマトリクス基板に
おける上記半導体膜が形成されていない領域の全領域を
覆うとともに上記半導体膜よりも厚く形成されている構
成である。
は、上記スペーサが、上記アクティブマトリクス基板に
おける上記半導体膜が形成されていない領域の全領域を
覆うとともに上記半導体膜よりも厚く形成されている構
成である。
【０１９８】それゆえ、半導体膜上にのみ絶縁性樹脂を
形成することができる。したがって、アクティブマトリ
クス基板上において半導体膜が形成されている領域と半
導体膜が形成されていない領域との境目における絶縁性
樹脂の厚さの差は発生しないので、従来この境目で発生
していた内部応力も発生せず、強度面での信頼性に優れ
たフラットパネル型イメージセンサを得ることができる
という効果を奏する。
形成することができる。したがって、アクティブマトリ
クス基板上において半導体膜が形成されている領域と半
導体膜が形成されていない領域との境目における絶縁性
樹脂の厚さの差は発生しないので、従来この境目で発生
していた内部応力も発生せず、強度面での信頼性に優れ
たフラットパネル型イメージセンサを得ることができる
という効果を奏する。
【０１９９】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記スペーサが、上記半導体
膜の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和よりも厚く形
成されている構成である。
センサは、以上のように、上記構成のフラットパネル型
イメージセンサにおいて、上記スペーサが、上記半導体
膜の厚さと上記バイアス電極の厚さとの和よりも厚く形
成されている構成である。
【０２００】それゆえ、上記の構成による効果に加え
て、強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イ
メージセンサを得ることができるという効果を奏する。
て、強度面での信頼性により優れたフラットパネル型イ
メージセンサを得ることができるという効果を奏する。
【０２０１】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、アクティブマトリクス基板上において、上記
半導体膜および上記第１のスペーサが形成されていない
全領域上に、第２のスペーサが形成されている構成であ
る。
センサは、アクティブマトリクス基板上において、上記
半導体膜および上記第１のスペーサが形成されていない
全領域上に、第２のスペーサが形成されている構成であ
る。
【０２０２】上記の構成によれば、第２のスペーサの厚
みを変更することにより、アクティブマトリクス基板上
において半導体膜が形成されていない領域と、半導体膜
が形成されている領域とにおける絶縁性樹脂の厚みの差
を、アクティブマトリクス基板の反りや強度面の劣化の
原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂内に発生させな
い程度に小さいものとすることができる。
みを変更することにより、アクティブマトリクス基板上
において半導体膜が形成されていない領域と、半導体膜
が形成されている領域とにおける絶縁性樹脂の厚みの差
を、アクティブマトリクス基板の反りや強度面の劣化の
原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂内に発生させな
い程度に小さいものとすることができる。
【０２０３】それゆえ、強度面での信頼性に優れたフラ
ットパネル型イメージセンサを提供することができると
いう効果を奏する。
ットパネル型イメージセンサを提供することができると
いう効果を奏する。
【０２０４】また、本発明のフラットパネル型イメージ
センサは、上記保護基板に、上記保護基板の半導体膜と
対向する領域の全域に凹部が形成されている構成であ
る。
センサは、上記保護基板に、上記保護基板の半導体膜と
対向する領域の全域に凹部が形成されている構成であ
る。
【０２０５】上記の構成によれば、凹部の深さを変更す
ることにより、半導体膜が形成されていない領域と、半
導体膜が形成されている領域とにおける絶縁性樹脂の厚
みの差を、アクティブマトリクス基板の反りや強度面の
劣化の原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂内に発生
させない程度に小さいものとすることができる。
ることにより、半導体膜が形成されていない領域と、半
導体膜が形成されている領域とにおける絶縁性樹脂の厚
みの差を、アクティブマトリクス基板の反りや強度面の
劣化の原因となる程度の内部応力を絶縁性樹脂内に発生
させない程度に小さいものとすることができる。
【０２０６】それゆえ、強度面での信頼性に優れたフラ
ットパネル型イメージセンサを提供することができると
いう効果を奏する。
ットパネル型イメージセンサを提供することができると
いう効果を奏する。
【図１】本発明におけるフラットパネル型イメージセン
サの一構成例にかかる概略の構成を示す断面図である。
サの一構成例にかかる概略の構成を示す断面図である。
【図２】図１のフラットパネル型イメージセンサのＡ−
Ａ線矢視断面図である。
Ａ線矢視断面図である。
【図３】本発明におけるフラットパネル型イメージセン
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
【図４】本発明におけるフラットパネル型イメージセン
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
【図５】本発明におけるフラットパネル型イメージセン
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
【図６】本発明におけるフラットパネル型イメージセン
サのさらに他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図
である。
サのさらに他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図
である。
【図７】図５・図６のフラットパネル型イメージセンサ
のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図８】本発明におけるフラットパネル型イメージセン
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
【図９】本発明におけるフラットパネル型イメージセン
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
サの他の構成例にかかる概略の構成を示す断面図であ
る。
【図１０】本発明におけるフラットパネル型イメージセ
ンサのさらに他の構成例にかかる概略の構成を示す断面
図である。
ンサのさらに他の構成例にかかる概略の構成を示す断面
図である。
【図１１】図１０のフラットパネル型イメージセンサの
Ｃ−Ｃ線矢視断面図である。
Ｃ−Ｃ線矢視断面図である。
【図１２】従来のフラットパネル型イメージセンサの構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図１３】図１２のフラットパネル型イメージセンサの
Ｚ部分の構成を拡大して示す斜視図である。
Ｚ部分の構成を拡大して示す斜視図である。
【図１４】従来のフラットパネル型イメージセンサの概
略の構成を示す断面図である。
略の構成を示す断面図である。
１ フラットパネル型イメージセンサ ２ アクティブマトリクス基板 ３ 半導体膜 ４ バイアス電極 ５ 内側スペーサ（第２のスペーサ） ６ 絶縁性樹脂 ７ 外側スペーサ（第１のスペーサ） ７ａ スペーサ ８ 保護基板 ８ａ 保護基板 ８ｂ 凹部 ８ｃ 凸部 ２１ フラットパネル型イメージセンサ ３１ フラットパネル型イメージセンサ
Claims (10)
- 【請求項１】アクティブマトリクス基板と、上記アクテ
ィブマトリクス基板上に形成される半導体膜と、上記半
導体膜上に形成されるバイアス電極と、上記半導体膜の
周囲を囲むように上記アクティブマトリクス基板上に形
成される第１のスペーサと、上記半導体膜と上記バイア
ス電極と上記アクティブマトリクス基板との表面上に形
成されるとともに上記第１のスペーサにより封止される
絶縁性樹脂と、上記第１のスペーサを介して上記アクテ
ィブマトリクス基板と対向し、上記絶縁性樹脂を覆うよ
うに配置される保護基板とを備えるフラットパネル型イ
メージセンサにおいて、 上記半導体膜上に形成されている上記絶縁性樹脂の厚さ
と、上記アクティブマトリクス基板上において上記半導
体膜および上記第１のスペーサが形成されていない周辺
領域上に形成されている上記絶縁性樹脂の厚さとが等し
いことを特徴とするフラットパネル型イメージセンサ。 - 【請求項２】上記第１のスペーサは、上記半導体膜の周
囲を該半導体膜と間隔をおいて囲むように形成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載のフラットパネル型
イメージセンサ。 - 【請求項３】上記アクティブマトリクス基板上において
上記半導体膜および上記第１のスペーサが形成されてい
ない全領域上に設けられるとともに、上記半導体膜の厚
さと等しい厚さを有する第２のスペーサを備える一方
で、上記絶縁性樹脂は上記第２のスペーサ上と上記半導
体膜上とに形成されていることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のフラットパネル型イメージセンサ。 - 【請求項４】上記アクティブマトリクス基板上において
上記半導体膜および上記第１のスペーサが形成されてい
ない全領域上に設けられるとともに、上記半導体膜の厚
さと上記バイアス電極の厚さとの和と等しい厚さを有す
る第２のスペーサを備える一方で、上記絶縁性樹脂は上
記第２のスペーサ上と上記半導体膜上とに形成されてい
ることを特徴とする請求項１または２に記載のフラット
パネル型イメージセンサ。 - 【請求項５】上記保護基板に、上記保護基板の上記半導
体膜と対向する領域の全域に上記半導体膜の厚さと等し
い寸法の深さを有する凹部が形成されていることを特徴
とする請求項１または２に記載のフラットパネル型イメ
ージセンサ。 - 【請求項６】上記保護基板に、上記保護基板の上記半導
体膜と対向する領域の全域に上記半導体膜の厚さと上記
バイアス電極の厚さとの和と等しい寸法の深さを有する
凹部が形成されていることを特徴とする請求項１または
２に記載のフラットパネル型イメージセンサ。 - 【請求項７】アクティブマトリクス基板と、上記アクテ
ィブマトリクス基板上に形成される半導体膜と、上記半
導体膜上に形成されるバイアス電極と、上記半導体膜を
囲むように上記アクティブマトリクス基板上に形成され
るスペーサと、上記半導体膜上に形成されるとともに上
記スペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記スペー
サを介して上記アクティブマトリクス基板と対向し、上
記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板とを備え
るフラットパネル型イメージセンサにおいて、 上記スペーサが、上記アクティブマトリクス基板におけ
る上記半導体膜が形成されていない領域の全領域を覆う
とともに上記半導体膜よりも厚く形成されていることを
特徴とするフラットパネル型イメージセンサ。 - 【請求項８】上記スペーサが、上記半導体膜の厚さと上
記バイアス電極の厚さとの和よりも厚く形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載のフラットパネル型イ
メージセンサ。 - 【請求項９】アクティブマトリクス基板と、上記アクテ
ィブマトリクス基板上に形成される半導体膜と、上記半
導体膜上に形成されるバイアス電極と、上記半導体膜の
周囲を該半導体膜と間隔をおいて囲むように上記アクテ
ィブマトリクス基板上に形成される第１のスペーサと、
上記半導体膜と上記バイアス電極と上記アクティブマト
リクス基板との表面上に形成されるとともに上記第１の
スペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記第１のス
ペーサを介して上記アクティブマトリクス基板と対向
し、上記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板と
を備えるフラットパネル型イメージセンサにおいて、 上記アクティブマトリクス基板上において、上記半導体
膜および上記第１のスペーサが形成されていない全領域
上に、第２のスペーサが形成されていることを特徴とす
るフラットパネル型イメージセンサ。 - 【請求項１０】アクティブマトリクス基板と、上記アク
ティブマトリクス基板上に形成される半導体膜と、上記
半導体膜上に形成されるバイアス電極と、上記半導体膜
の周囲を該半導体膜と間隔をおいて囲むように上記アク
ティブマトリクス基板上に形成される第１のスペーサ
と、上記半導体膜と上記バイアス電極と上記アクティブ
マトリクス基板との表面上に形成されるとともに上記第
１のスペーサにより封止される絶縁性樹脂と、上記第１
のスペーサを介して上記アクティブマトリクス基板と対
向し、上記絶縁性樹脂を覆うように配置される保護基板
とを備えるフラットパネル型イメージセンサにおいて、 上記保護基板に、上記保護基板の半導体膜と対向する領
域の全域に凹部が形成されていることを特徴とするフラ
ットパネル型イメージセンサ。
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| JP2001-10867 | 2001-01-18 | ||
| JP2001306959A JP4004761B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-10-02 | フラットパネル型イメージセンサ |
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|---|---|
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ID=26607931
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