KR20070066937A - Ｘ선 검출기의 제조 방법과 ｘ선 검출기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 X선 검출기의 제조 방법과 X선 검출기에 관한 것으로서, 광전 변환 기판(2)의 광전 변환소자(8)를 설치한 표면에 제 1 보호층(31)을 형성하고 나서 신틸레이터층(32)을 형성하고, 신틸레이터층(32)과의 접촉에 의한 광전변환소자(8)의 열화를 방지한다. 신틸레이터층(32)의 표면을 덮는 제 2 보호층(33)을 형성하고, 제 1 보호층(31)의 주변부(31a)와 제 2 보호층(33)의 주변부(33a)에 밀착시키고, 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(33)과의 사이에 신틸레이터층(32)을 밀폐하고, 대기중의 수분에 의한 신틸레이터층(32)의 열화를 방지한다. 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(33)을 동일한 물질로 형성하고, 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(33)과의 접합면의 계면에서의 결합 강도의 열화나 열팽창 계수차에 의한 응력을 저감하고, 신틸레이터층(32)의 밀폐 상태를 유지하는 것을 특징으로 한다.
Description
상세한 설명과 관련되며 일부를 구성하고 있는 첨부한 도면은 본 발명의 실시예를 나타내고, 하기의 일반적인 설명과 실시예의 상세한 설명과 함께 본 발명의 특징을 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태를 나타내는 X선 검출기의 단면도,
도 2는 상기 X선 검출기의 일부를 확대한 단면도,
도 3은 상기 X선 검출기를 개략적으로 도시한 정면도,
도 4a는 상기 X선 검출기의 제조 방법을 도시한 단면도,
도 4b는 상기 X선 검출기의 제조 방법을 도시한 단면도,
도 4c는 상기 X선 검출기의 제조 방법을 도시한 단면도,
도 4d는 상기 X선 검출기의 제조 방법을 도시한 단면도,
도 4e는 상기 X선 검출기의 제조 방법을 도시한 단면도,
도 4f는 상기 X선 검출기의 제조 방법을 도시한 단면도,
도 4g는 상기 X선 검출기의 제조 방법을 도시한 단면도,
도 4h는 상기 X선 검출기의 제조 방법을 도시한 단면도, 및
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태를 나타내는 X선 검출기의 일부를 확대한 단 면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
2 : 광전 변환 기판 3 : 지지 기판
27 : 전기 접속부 31 : 제 1 보호층
32 : 신틸레이터층 33 : 제 2 보호층
41 : 반사층 42 : 절연층
본원은 그 전체 내용이 참조로서 여기에 관련되며 2005년 12월 22일에 출원된 일본 특허 출원 제2005-369494호에 기초하고 그 우선권을 주장하는 것이다.
본 발명은 X선을 검출하는 X선 검출기의 제조 방법과 X선 검출기에 관한 것이다.
신세대의 X선 진단용 화상 검출기로서, 액티브매트릭스(active matrix)를 이용한 평면형 X선 검출기가 주목받고 있다. 상기 X선 검출기에서는 X선을 조사함으로써 X선 촬영상 또는 리얼타임의 X선 화상이 디지털 신호로서 출력된다. 상기 X선 검출기는 고정 검출기이므로 화질 성능이나 안정성면에서도 매우 기대가 크고, 연구 개발이 많이 진행되고 있다.
실용화의 최초 용도로서, 비교적 큰 선량으로 정지(靜止) 화상을 수집하는 흉부 또는 일반 촬영용으로 개발되어 최근 상품화되어 있다. 보다 고성능이고, 투 시선량하에서 매초 30프레임 이상의 리얼타임 동화상을 실현시킬 필요가 있는 순환기, 소화기 분야로의 응용에 대해서도 가까운 장래에 상품화가 예상된다. 이 동화상 용도에 대해서는 S/N비의 개선이나 미소(微小) 신호의 리얼타임 처리 기술 등이 중요한 개발 항목으로 되어 있다.
그런데, X선 검출기는 직접 방식과 간접 방식의 2 가지 방식으로 크게 구분된다. 직접 방식은 X선을 a-Se 등의 광도전막에 의해 직접 전하 신호로 변환하고, 전하 축적용 커패시터로 인도하는 방식이며, X선에 의해 발생한 광도전 전하를 고전계에 의해 직접적으로 전하 축적용 커패시터로 유도하므로 대략 액티브매트릭스의 화소 전극의 피치로 규정되는 해상도 특성이 얻어진다. 한편, 간접 방식은 신틸레이터(scintillator)층에 의해 X선을 일단 가시광으로 변환하고, 가시광을 a-Si포토다이오드나 CCD 등의 광전 변환 소자에 의해 신호 전하로 변환하여 전하 축적용 커패시터로 인도하는 방식이므로, 신틸레이터층으로부터의 가시광이 포토다이오드나 CCD에 도달하기까지의 광학적인 확산 및 산란에 의해 해상도 특성의 열화가 발생한다.
통상, 간접 방식의 X선 검출기에서는 구조상, 신틸레이터층의 특성이 중요해지고, 입사한 X선에 대한 출력 신호 강도를 향상시키기 위해, 예를 들면 신틸레이터층에는 요드화 세슘(CsI) 등의 할로겐 화합물이나 가돌리늄(gadolinium) 황산화물(GOS) 등의 산화물계 화합물 등으로 구성되는 고휘도 형광 물질이 이용되고 있는 경우가 많다. 또한, 일반적으로 고밀도의 신틸레이터층은 진공 증착법, 스퍼터링법, CVD법 등의 기상성장법에 의해 복수의 광전 변환 소자가 형성된 회로기판상에 동일하게 형성되어 있는 것이 많다.
그러나, 신틸레이터층은 고휘도 형광물질인 CsI 등의 할로겐 화합물을 이용한 경우, 요드 등의 할로겐 원소의 반응성이 높으므로, 신틸레이터층과 접촉하는 광전 변환 소자 중의 양성 원소 등과 반응하여 부식이 발생하고, 대기중의 수분과 반응하여 신틸레이터층이 조해(潮海)되므로 X선 검출기의 제특성 및 신뢰성의 열화나 생산성의 저하 및 생산 비용 증가가 발생된다.
따라서, 간접 방식의 X선 검출기에서는 균일한 신틸레이터층을 형성하는 것을 목적으로 하고 있지만, 회로 기판의 광전 변환 소자가 배열된 표면에 폴리이미드의 투명층을 형성하고, 이 투명층상에 신틸레이터층을 형성함으로써 신틸레이터층에 의한 부식도 방지하고 있다. 또한, 신틸레이터층을 덮어 밀봉하는 폴리파라크실일렌의 보호층을 형성하고, 대기중의 수분에 의한 신틸레이터층의 조해에 대해 보호하고 있다(예를 들면, 일본 공개특허공보 제2002-48872호(제 3 페이지, 도 1 내지 도 3).
그러나, 신틸레이터층을 덮는 보호층의 주변부는 물질이 다른 회로 기판 등에 접합되므로, 보호층과 다른 물질의 부재와의 계면에서의 접합 강도가 열화되기 쉽고, 또한 보호층과 다른 물질의 부재와의 열팽창계수 차에 의해 응력이 발생하는 등에 기인하여 보호층이 박리되고, 신틸레이터층의 밀봉성이 손상되는 문제가 있다.
본 발명은 신틸레이터층을 확실히 보호할 수 있는 X선 검출기의 제조 방법과 X선 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 X선 검출기의 제조 방법은 광전 변환 기판의 광전 변환소자가 설치된 표면에 제 1 보호층을 형성하고, 상기 제 1 보호층의 표면에 신틸레이터층을 형성하고, 상기 신틸레이터층의 표면을 덮고, 또한 주변부를 상기 제 1 보호층의 주변부에 밀착시켜 상기 제 1 보호층과의 사이에 상기 신틸레이터층을 밀폐하도록 상기 제 1 보호층과 동일한 물질의 제 2 보호층을 형성하는 것이다.
본 발명의 X선 검출기는 표면에 광전 변환 소자가 설치된 광전 변환 기판과, 상기 광전 변환 기판의 표면에 형성된 제 1 보호층과, 상기 제 1 보호층의 표면에 형성된 신틸레이터층과, 상기 제 1 보호층과 동일한 물질로 형성되고, 상기 신틸레이터층의 표면을 덮고, 또한 주변부가 상기 제 1 보호층의 주변부에 밀착하여 상기 제 1 보호층과의 사이에 상기 신틸레이터층을 밀폐하는 제 2 보호층을 구비하고 있다.
본 발명에 의하면 광전 변환 기판의 복수의 광전 변환소자가 배열된 표면에 제 1 보호층을 형성하고 나서 상기 제 1 보호층의 표면에 신틸레이터층을 형성함으로써 신틸레이터층과의 접촉에 의한 광전 변환 소자의 부식을 방지할 수 있고, 또한, 신틸레이터층의 표면을 덮고, 또한 주변부를 제 1 보호층의 주변부에 밀착시켜 제 1 보호층과의 사이에 신틸레이터층을 밀폐하는 제 2 보호층을 형성함으로써 대기중의 수분에 의한 신틸레이터층의 조해를 방지할 수 있고, 또한, 제 1 보호층과 제 2 보호층이 동일한 물질이며, 제 1 보호층과 제 2 보호층과의 접합면의 계면에 서의 결합 강도의 열화나 열팽창 계수 차에 의한 응력을 저감할 수 있고, 신틸레이터층의 밀폐 상태를 확실히 유지할 수 있으며, 신틸레이터층을 확실히 보호할 수 있다.
본 발명의 개선점이 아래의 명세서에 설명될 것이고, 일부는 명세서로부터 명백하거나 본 발명의 실시에 의해 알려지게 될 것이다. 본 발명의 개선점은 이하에서 특별히 지적된 수단과 조합에 의해 실현되고 이루어질 것이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 내지 도 3 및 도 4a 내지 도 4h에 제 1 실시형태를 나타낸다.
도 1 내지 도 3에 있어서, 도면부호 '1'은 X선 검출기를 도시하고 있다. 상기 X선 검출기(1)는 간접 방식의 X선 평면 화상 검출기이다. 상기 X선 검출기(1)는 가시광을 전기신호로 변환하는 액티브매트릭스 광전 변환 기판인 광전 변환 기판(2)을 구비하고 있다.
광전 변환 기판(2)은 직사각형 평판 형상의 투광성을 가진 유리 등으로 형성된 절연기판으로서의 지지기판(3)을 구비하고 있다. 상기 지지기판(3)의 표면에는 이차원적으로 매트릭스상으로 복수의 화소(4)가 배열되고, 각 화소(4)마다 스위칭소자로서의 박막 트랜지스터(TFT)(5), 전하 축적용 커패시터(6), 화소전극(7), 및 포토다이오드 등의 광전 변환 소자(8)가 형성되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 지지 기판(3)상에는 이 지지기판(3)의 행방향을 따르는 복수의 제어 라인으로서의 제어 전극(11)이 배선되어 있다. 이들 복수의 제어 전극(11)은 지지 기판(3)상의 각 화소(4)사이에 위치하고, 이 지지기판(3)의 열방향으로 이간(離間)되어 설치되어 있다. 이들 제어 전극(11)에는 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극(12)이 전기적으로 접속되어 있다.
지지기판(3)상에는 이 지지기판(3)의 열 방향을 따르는 복수의 판독 전극(13)이 배선되어 있다. 이들 복수의 판독 전극(13)은 지지기판(3)상의 각 화소(4)사이에 위치하고, 이 지지기판(3)의 행방향으로 이간되어 설치되어 있다. 그리고, 이들 복수의 판독 전극(13)에는 박막 트랜지스터(5)의 소스 전극(14)이 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이 박막 트랜지스터(5)의 드레인 전극(15)은 전하 축적용 커패시터(6) 및 화소전극(7)에 각각 전기적으로 접속되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극(12)은 지지기판(3)상에 섬형상으로 형성되어 있다. 이 게이트 전극(12)을 포함하는 지기기판(3)상에는 절연막(21)이 적층되어 형성되어 있다. 상기 절연막(2)은 각 게이트전극(12)을 덮고 있다. 또한, 상기 절연막(21)상에는 섬형상의 복수의 반절연막(22)이 적층되어 형성되어 있다. 이들 반절연막(22)은 반도체로 구성되어 있고, 박막 트랜지스터(5)의 채널 영역으로서 기능한다. 그리고, 이들 각 반절연막(22)은 각 게이트 전극(12)에 대향하여 설치되어 있고, 이들 각 게이트전극(12)을 덮고 있다. 즉, 이들 각 반절연막(22)은 각 게이트 전극(12)상에 절연막(21)을 통해 설치되어 있다.
반절연막(22)을 포함하는 절연막(21)상에는 섬형상의 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)이 각각 형성되어 있다. 이들 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)은 서로 절연되어 전기적으로 접속되어 있지 않다. 또한, 이들 소스 전극(14) 및 드레 인 전극(15)은 게이트 전극(12)상의 양측에 설치되어 있고, 이들 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)의 일 단부가 반절연막(22)상에 적층되어 있다.
각 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극(12)은 도 3에 도시한 바와 같이, 같은 행에 위치하는 다른 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극(12)과 함께 공통의 제어 전극(11)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이들 각 박막 트랜지스터(5)의 소스 전극(14)은 같은 열에 위치하는 다른 박막 트랜지스터(5)의 소스 전극(14)과 함께 공통의 판독 전극(13)에 전기적으로 접속되어 있다.
전하 축적용 커패시터(6)는 지지기판(3)상에 형성된 섬형상의 하부 전극(23)을 구비하고 있다. 상기 하부 전극(23)을 지지기판(3)상에는 절연막(21)이 적층되어 형성되어 있다. 상기 절연막(21)은 각 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극(12)위로부터 각 하부 전극(23)위까지 연장되어 있다. 또한, 상기 절연막(21)상에는 섬형상의 상부 전극(24)이 적층되어 형성되어 있다. 상기 상부 전극(24)은 하부 전극(23)에 대향하여 설치되어 있고, 이들 각 하부 전극(23)을 덮고 있다. 즉, 이들 각 상부 전극(24)은 각 하부 전극(23)상에 절연막(21)을 통해 설치되어 있다. 그리고, 상기 상부 전극(24)을 포함하는 절연막(21)상에는 드레인 전극(15)이 적층되어 형성되어 있다. 상기 드레인 전극(15)은 타단부가 상부 전극(24)상에 적층되고, 상기 상부 전극(24)에 전기적으로 접속되어 있다.
각 박막 트랜지스터(5)의 반절연막(22), 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)과, 각 전하 축적용 커패시터(6)의 상부 전극(24)의 각각을 포함하는 절연막(21)상 에는 절연층(25)이 적층되어 형성되어 있다. 상기 절연층(24)은 산화규소(SiO2) 등으로 형성되어 있고, 각 화소 전극(7)을 둘러싸도록 형성되어 있다.
상기 절연층(25)의 일부에는 박막 트랜지스터(5)의 드레인 전극(15)에 연통한 컨택트홀로서의 스루홀(through hole)(26)이 개구 형성되어 있다. 상기 스루홀(26)을 포함하는 절연층(25)상에는 섬형상의 화소 전극(7)이 적층되어 형성되어 있다. 상기 화소 전극(7)은 스루홀(26)에서 박막 트랜지스터(5)의 드레인 전극(15)에 전기적으로 접속되어 있다.
각 화소 전극(7)상에는 가시광을 전기 신호로 변환하는 포토다이오드 등의 광전변환소자(8)가 적층되어 형성되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 광전 변환 기판(2)의 표면 주변부에는 제어 전극(11)이나 판독 전극(13)이 접속된 TAB 패드나 본딩 패드 등의 전기 접속부(27)가 형성되어 있다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 광전 변환 기판(2)의 광전 변환 소자(8)가 형성된 표면에 제 1 보호층(31)이 적층되어 형성되고, 상기 제 1 보호층(31)의 표면에 X선을 가시광을 변환하는 신틸레이터층(32)이 형성되고, 상기 신틸레이터층(32)의 표면을 포함하는 외표면 전체를 덮고 제 2 보호층(33)이 적층되어 형성되어 있다. 제 2 보호층(33)의 주변부(33a)는 제 1 보호층(31)의 주변부(31a)에 밀착되고, 이들 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(33)과의 사이에 신틸레이터층(32)을 완전히 밀폐하고 있다.
제 1 보호층(31) 및 제 2 보호층(33)은 절연성, 수증기 차단성, 및 신틸레이터층(32)의 발광에 대한 광투과성을 가진 물질로서, 예를 들면 폴리파라크실일렌을 주 성분으로 하는 유기물이나, 탄소 결정을 주 성분으로 하는 무기물 등의 같은 물질이 이용되고 있다. 그리고, 제 1 보호층(31) 및 제 2 보호층(33)은 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법 등의 기상 성장법에 의해 형성되어 있고, 특히 형상 일치성이 높은 피막 형성이 가능한 CVD법이 바람직하다.
신틸레이터층(32)은 증착법, 일렉트로빔법 또는 스퍼터법 등의 방법으로 고휘도 형광 물질인 요드화 세슘(CsI) 등의 할로겐 화합물이나 가돌리늄 황산화물(GOS) 등의 산화물계 화합물 등의 형광체를 퇴적시켜 성막된 기둥 형상 결정 구조로 형성되어 있다.
또한, 신틸레이터층(32)상에는 신틸레이터층(32)으로 변환된 가시광의 이용 효율을 높이기 위한 반사층(41)이 적층되어 형성되고, 상기 반사층(41)상에는 절연층(42)이 적층되어 형성되며, 상기 절연층(42)상에는 화소(4) 사이를 차폐하는 격자 형상의 X선 그리드(43)가 형성되어 있다.
계속해서, 본 실시 형태의 작용에 대해 설명한다.
우선, X선 검출기(1)의 신틸레이터층(32)으로 입사된 X선(51)은 이 신틸레이터층(32)에서 가시광(52)으로 변환된다.
이 가시광(52)은 광전 변환 기판(2)의 광전 변환 소자(8)에 도달하여 전기신호로 변환된다. 광전환 변환 소자(8)로 변환된 전기 신호는 화소 전극(7)에 흐르고, 화소 전극(7)에 접속된 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극(12)이 구동 상태가 되므로 화소 전극(7)에 접속된 전하 축적용 커패시터(6)로 이동하여 유지되어 축적된다.
이 때, 제어 전극(11)중 1개를 구동 상태로 하면, 이 구동 상태가 된 제어 전극(11)에 접속된 1 행의 박막 트랜지스터(5)가 구동 상태가 된다.
그리고, 이 구동 상태가 된 각각의 박막 트랜지스터(5)에 접속된 전하 축적용 커패시터(6)에 축적된 전기 신호가 판독 전극(13)으로 출력된다.
이 결과, X선 화상의 특정 자리의 화소(4)에 대응하는 신호가 출력되므로, 제어 전극(11)의 구동 제어에 의해 모든 X선 화상의 화소(4)에 대응하는 신호를 출력할 수 있고, 상기 출력 신호를 디지털 화상 신호로 변환한다.
계속해서, X선 검출기(1)의 제조 방법에 대해 도 4a 내지 도 4h의 순으로 참조하여 설명한다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 표면에 복수의 광전 변환 소자(8)를 구비한 광전 변환 기판(2)을 형성한다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 광전 변환 기판(2)의 표면 전체에 진공 증착법, 스퍼터링법, CVD법 등의 기상 성장법으로 폴리파라크실일렌을 주 성분으로 하는 유기물이나 탄소 결정을 주 성분으로 하는 무기물 등의 물질의 제 1 보호층(31)을 형성한다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 제 1 보호층(31)의 표면의 내측 소정 영역에 증착법, 일렉트로빔법 또는 스퍼터링법 등의 방법으로 고휘도 형광 물질인 요드화 세슘(CsI) 등의 할로겐 화합물이나 가돌리늄 황산화물(GOS) 등의 산화물계 화합물 등 의 형광체를 퇴적시켜 성막하는 기둥 형상 결정 구조의 신틸레이터층(32)을 형성한다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 신틸레이터층(32) 및 광전 변환 기판(2)을 포함하여 표면 전체를 덮는, 또한 제 1 보호층(31)과 동일한 방법으로 또 동일한 물질의 제 2 보호층(33)을 형성한다. 이에 의해 제 2 보호층(33)의 주변부(33a)가 제 1 보호층(31)의 주변부(31a)에 밀착하고, 이들 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(33)과의 사이에 신틸레이터층(32)을 완전히 밀폐한다.
도 4e, 도 4f, 도 4g에 도시한 바와 같이, 제 2 보호층(33)의 표면에 신틸레이터층(32)의 영역에 대응하여 반사층(41), 절연층(42), 및 X선 그리드(43)를 차례로 형성한다.
도 4h에 도시한 바와 같이, 광전 변환 기판(2)의 전극 접속부(27)를 덮고 있는 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(33)을 제거함으로써 X선 검출기(1)를 제조할 수 있다.
이와 같이 구성된 X선 검출기(1)에서는 광전 변환 기판(2)의 복수의 광전 변환 소자(8)가 배열된 표면에 제 1 보호층(31)을 형성하고 난 후, 상기 제 1 보호층(31)의 표면에 신틸레이터층(32)을 형성함으로써, 신틸레이터층(32)에 고휘도 형광 물질인 CsI 등의 할로겐 화합물을 이용한 경우에도 신틸레이터층(32)과의 접촉에 의한 광전 변환 소자(8)의 부식을 방지할 수 있다.
또한, 신틸레이터층(32)의 표면을 덮고, 또한 주변부(33a)를 제 1 보호층(31)의 주변부(31a)에 밀착시켜 제 1 보호층(31)과의 사이에 신틸레이터층(32)을 밀폐하는 제 2 보호층(33)을 형성함으로써 대기중의 수분에 의한 신틸레이터층(32)의 조해를 방지할 수 있고, 신틸레이터층(32)의 특성 열화의 방지와 신뢰성의 향상이 가능하다.
또한, 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(33)이 동일한 물질로 구성되어 있으므로, 그 물질이 다른 경우에 대해 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(33)과의 접합면의 계면에서의 결합 강도의 열화나 열팽창계수 차에 의한 응력을 저감할 수 있고, 신틸레이터층(32)의 밀폐 상태를 확실히 유지할 수 있으며, 신틸레이터층(32)을 확실히 보호할 수 있다.
또한, X선 검출기(1)의 제조 과정에 있어서, 광전 변환 기판(2)의 표면에 제 1 보호층(31)이 형성되므로 광전 변환 기판(2)의 표면의 평탄화나 광전 변환 기판(2)의 주변부에 배치되는 전기 접속부(27)의 보호가 가능해지므로, 광전 변환 기판(2)의 표면에 요철에 기인하는 신틸레이터층(32)의 품질 불량이나 광전 변환 기판(2)의 치공구류와의 접촉 및 반송시 등에 발생하는 전기 접속부(27)의 파손 등의 방지가 가능해지고, X선 검출기(1)의 생산성 향상 및 생산 비용의 저감도 가능하다.
그리고, 예를 들면 신틸레이터층(32)의 고휘도 형광 물질:CsI(Tl Dope), 신틸레이터층(32)의 형성 방법: 진공 증착법, 제 1 보호층(31) 및 제 2 보호층(33)의 구성 물질: 폴리파라크실일렌, 제 1 보호층(31) 및 제 2 보호층(33)의 형성 방법: CVD법, 제 1 보호층(31)의 막두께: 5000Å, 제 2 보호층(33)의 막두께:5㎛로 한 X선 검출기(1)의 경우, 신틸레이터층(32)이 절연성 및 수증기 차단성을 갖고, 또한 신틸레이터층(32)의 발광에 대한 투과성을 가진다. 동일한 유기물로 구성되는 보호층(31, 33)에 의해 신틸레이터층(32)이 밀폐된 구조가 되므로, 신틸레이터층(32)의 특성 열화의 방지와 신뢰성의 향상, 및 생산성 향상과 생산 비용 저감이 가능하다.
또한, 도 5에 제 2 실시형태를 도시한다.
신틸레이터층(32)의 표면에 반사층(41)을 형성한 후, 상기 반사층(41)을 포함하여 신틸레이터층(32)을 덮도록 제 2 보호층(33)을 형성한다.
이 구성의 X선 검출기(1)의 경우에도 제 1 실시형태의 X선 검출기(1)와 동일한 작용 효과가 얻어진다.
또한, 광전 변환 기판(2)상에는 화소(4)를 이차원적으로 매트릭스상으로 형성했지만, 일차원적으로 형성해도 좋다.
부가적인 개선점과 변경이 해당 기술분야에서 발생될 수 있다. 그러므로, 본 발명은 폭넓은 측면에서 여기에 도시되고, 설명된 구체적인 상세한 설명과 각 실시예에 제한되지 않는다. 따라서, 부가된 청구범위와 그 균등물에 의해 정의된 바와 같은 일반적인 발명의 개념의 진의와 범위에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경이 만들어질 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 신틸레이터층을 확실히 밀폐하여 신틸레이터층의 특성 열화를 방지하고, X선 검출기의 신뢰성을 향상시키고 생산성을 향상시키며 생산 비용을 저감할 수 있다.
Claims (6)
- 광전 변환 기판(2)의 광전 변환소자(8)가 설치된 표면에 제 1 보호층(31)을 형성하는 단계,상기 제 1 보호층(31)의 표면에 신틸레이터층(32)을 형성하는 단계,상기 신틸레이터층(32)의 표면을 덮고, 또한 주변부를 상기 제 1 보호층(31)의 주변부에 밀착시켜 상기 제 1 보호층(31)과의 사이에 상기 신틸레이터층(32)을 밀폐하도록 상기 제 1 보호층(31)과 동일한 물질의 제 2 보호층(33)을 형성하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 X선 검출기의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호층(31) 및 제 2 보호층(33)의 물질은 폴리파라크실일렌을 주 성분으로 하는 유기물로 하는 것을 특징으로 하는 X선 검출기의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호층(31) 및 제 2 보호층(33)의 물질은 탄소 결정을 주 성분으로 하는 무기물로 하는 것을 특징으로 하는 X선 검출기의 제조 방법.
- 표면에 광전 변환 소자(8)가 설치된 광전 변환 기판(2),상기 광전 변환 기판(2)의 표면에 형성된 제 1 보호층(31),상기 제 1 보호층(31)의 표면에 형성된 신틸레이터층(32), 및상기 제 1 보호층(31)과 동일한 물질로 형성되고, 상기 신틸레이터층(32)의 표면을 덮고, 또한 주변부(33a)가 상기 제 1 보호층(31)의 주변부에 밀착하여 상기 제 1 보호층(31)과의 사이에 상기 신틸레이터층(32)을 밀폐하는 제 2 보호층(33)을 구비하는 것을 특징으로 하는 X선 검출기.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 보호층(31) 및 제 2 보호층(33)의 물질은 폴라파라크시릴렌을 주 성분으로 하는 유기물인 것을 특징으로 하는 X선 검출기.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 보호층(31) 및 제 2 보호층(33)의 물질은 탄소 결정을 주 성분으로 하는 무기물인 것을 특징으로 하는 X선 검출기.
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