JP2002285304A - 高磁束密度を有するFe基非晶質合金薄帯 - Google Patents
高磁束密度を有するFe基非晶質合金薄帯Info
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Abstract
いても、高磁束密度を維持しながら交流における優れた
軟磁気特性を有することを可能にするFe基非晶質合金
薄帯を提供することを目的とする。 【解決手段】 Fe、Si、B、C、Pの主要元素およ
び不可避不純物で構成される非晶質合金薄帯であって、
組成が原子%で82<Fe≦90、2≦Si<4、5<B≦1
6、0.02≦C≦4 、0.2≦P≦12であることを特徴とする
高磁束密度を有するFe基非晶質合金薄帯であって、焼
鈍後のBsが1.74T以上であり、さらに、B80が1.5T超
を有し、0.12W/kg以下の低鉄損を有することを特徴
とするFe基非晶質合金薄帯。
Description
周波トランスなどの鉄心に用いられる非晶質合金薄帯に
関するものである。
て、連続的に薄帯や線を製造する方法として、遠心急冷
法、単ロ−ル法、双ロ−ル法、などが知られている。こ
れらの方法は、高速回転する金属製ドラムの内周面また
は外周面に溶融金属をオリフィスなどから噴出させるこ
とによって、急速に溶融金属を凝固させて薄帯や線を製
造するものである。さらに、合金組成を適正に選ぶこと
によって、液体金属に類似した非晶質合金を得ることが
でき、磁気的性質あるいは機械的性質に優れた材料を製
造することができる。
くの用途において、工業材料として有望視されている。
その中でも、電力トランスや高周波トランスなどの鉄心
材料の用途としては、鉄損が低く、かつ、飽和磁束密度
や透磁率が高いこと、などの理由からFe系非晶質合金
薄帯、例えば、Fe-Si-B系が採用されている。しか
し、Fe-Si-B系非晶質合金薄帯は、珪素鋼板と比較
して鉄損は優れているが、飽和磁束密度Bsは劣ってい
る。この理由は、飽和磁束密度を大きくすることを目的
としてFeの含有割合を増加させると非晶質形成能が低
下し、非晶質合金薄帯を安定して製造することが困難に
なってしまうためである。飽和磁束密度を大きくするこ
とが可能であるならば、鉄心の小型化が可能になり、さ
らに、トランスなどの鉄心の設計自由度が増えるため大
きなメリットが出てくる。このような要求に対し従来よ
り以下に記述する技術が提案されている。
eaSibBcCd)100-XSnX、原子%でa=0.80〜0.8
6、b=0.01〜0.12、c=0.06〜0.16、d=0.001〜0.04、ただ
し、a+b+c+d=1、X=0.05〜1.0なる組成を有する非晶質合
金薄帯が開示されている。この技術は、Snの添加によ
って高Fe領域でも非晶質形成能を高めたことである
が、得られた飽和磁束密度は1.73Tが限界である。
CobSicBdMx、原子%で60≦a≦83、3≦b≦20、か
つ、80≦a+b≦86、1≦c≦10、11≦d≦16、XがSnの場
合には0.1≦X≦1.0、XがCuの場合には0.1≦X≦2.0、X
がSの場合には0.01≦X≦0.07で、かつ、a+b+c+d+X=10
0、なる組成を有する非晶質合金薄帯が開示されてい
る。この技術では、大きな飽和磁束密度が得られている
が、この高磁束密度はCo添加によって得られたもので
ある。しかし、Coは非常に高価な元素であり、一部の
高級用途にはこのようなCo含有Fe基非晶質合金薄帯
が使用されているが、素材コストが増加してしまうとい
う欠点を有している。
BYSiZMna、原子%でX=80超〜83、Y=6〜11、Z=8〜1
3、a=0.5〜3、なる組成を有する非晶質合金薄帯が開示
されている。この技術は、Mn添加によって絶縁皮膜処
理性を高めたことであるが、磁束密度は1.7Tまでは到
達し得ないレベルである。このように、従来技術では、
低コストで大きな飽和磁束密度を有する実用的なFe基
非晶質合金薄帯は製造しえなかったものである。
基非晶質合金薄帯において、飽和磁束密度を大きくする
ことを目的としてFeの含有割合を増やした場合、非晶
質形成能が低下して部分的に結晶化が生じてしまうため
に、鋳造ままの状態、あるいは、焼鈍後の状態におい
て、安定して非晶質合金薄帯を得ることは困難であっ
た。
ことによって、Feの含有割合が高い組成範囲において
も、非晶質合金薄帯を安定的に鋳造することを可能に
し、さらに、焼鈍においても、より低温での焼鈍を可能
にすることによって、高磁束密度を維持しながら、交流
における優れた軟磁気特性を有するFe基非晶質合金薄
帯を提供することを目的とする。
で高飽和磁束密度を主眼において、先ず、Fe基非晶質
合金薄帯の高Fe組成領域においても急冷直後の薄帯が
非晶質化し易い成分を種々探索し、さらに、それらの中
で薄帯中の歪みが十分に緩和される焼鈍後においてもそ
の非晶質状態が安定に維持される成分範囲を特定できた
結果、成し得たものであって、Fe、Si、B、および
Cの限られた組成範囲において特定範囲のPを添加する
ことによって達成されたものである。これらの特徴を備
える本発明の要旨は、以下の通りである。 (1)Fe、Si、B、C、Pの主要元素および不可避
不純物で構成される非晶質合金薄帯であって、組成が原
子%で86<Fe≦90、2≦Si<4、5<B≦16、0.02≦
C≦4 、0.2≦P≦12であることを特徴とする高磁束密
度を有するFe基非晶質合金薄帯。 (2)前記Feの組成が、原子%で86<Fe≦88である
ことを特徴とする前項1記載の高磁束密度を有するFe
基非晶質合金薄帯。 (3)前項1または2記載の薄帯であって、焼鈍後のB
sが1.74T以上であることを特徴とする高磁束密度を有
するFe基非晶質合金薄帯。 (4)前項1、2または3記載の薄帯であって、焼鈍後
のB80が1.5T超を有することを特徴とする高磁束密度
を有するFe基非晶質合金薄帯。 (5)前項4記載の高磁束密度を有するFe基非晶質合
金薄帯であって、さらに、焼鈍後の鉄損が0.12W/kg
以下であることを特徴とする高磁束密度を有するFe基
非晶質合金薄帯。 (6) Fe、Si、B、C、Pの主要元素および不可
避不純物で構成される非晶質合金薄帯であって、組成が
原子%で82<Fe≦90、2≦Si<4、5<B≦16、0.02
≦C≦4 、0.2≦P≦12であり、焼鈍後のBsが1.74T以
上であることを特徴とする高磁束密度を有するFe基非
晶質合金薄帯。
e、Si、BおよびCの限られた組成範囲において特定
範囲のPを添加することにより、Feの含有可能な割合
を大幅に向上させ、その結果、飽和磁束密度Bs、およ
び80A/mの磁場を印加した時の磁束密度B80を従来で
は成し得なかった値にまで高めることができたことにあ
る。さらに、高磁束密度と同時に優れた軟磁気特性の実
現も可能としたことにある。ここで言う優れた軟磁気特
性とは、周波数50Hz、磁束密度1.3Tでの単板測定による
鉄損が0.12W/kg以下であることである。
その薄帯を使用してトランスを作製した場合、高磁束密
度設計が可能になるため、高Bs非晶質合金薄帯の優れ
た性能がトランスに反映させることができる。B80は言
うなれば磁化率、あるいは透磁率などと同様に磁化のし
易さを表わすものであるが、1.5T超であればBsが高く
なった効果をトランスに反映させることができる。さら
に、周波数50Hz、磁束密度1.3Tでの単板測定による鉄損
が0.12W/kg以下であれば、非晶質合金薄帯としての
優れた性能が得られる。
する場合、あるいは、鉄損を優先する場合の両者が考え
られるため、高磁束密度と低鉄損が全て重なる必要はな
いが、両者が同時に得られれば非晶質合金薄帯の性能を
最大限にトランスの性能に反映させることができる。こ
こで、組成の限定理由について説明するが、本発明の最
も特徴とするものは、2≦Si<4原子%の低Siの範
囲において、Pを添加したことにある。以下に、各元素
の組成範囲の限定理由を説明する。
囲にする。なぜならば、Feが82原子%以下の場合に
は鉄心の小型化などへ反映される十分な磁束密度が得ら
れなくなり、90原子%超の場合には非晶質形成が困難
になって良好な磁気特性が得られなくなるからである。
好ましくはFeを86原子%超、90原子%以下にすれ
ば、1.74T以上のBsを安定して得ることができるよう
になる。さらに好ましくは、Feを86原子%超、88
原子%以下にすることによって、さらに安定した非晶質
化が可能となり、1.74T以上のBsを安定して得ること
ができるようになる。Fe量を前記した範囲に規定する
ことによって、1.5T超のB80が安定して得られるよう
になる。
に限定する。Siが2原子%未満の場合には、非晶質が
安定して形成され難くなり、また、Siが4原子%以上
の範囲では本願発明の特徴であるP添加による高Fe領
域での優れた磁気特性が得られなくなるからである。B
は5原子%超、16原子%以下の範囲にする。Bが5原
子%以下では非晶質が安定して形成され難くなり、16
原子%超としても更なる非晶質形成能の向上は認められ
なくなるからである。P添加による高Fe領域での優れ
た磁気特性をより有効に発現させるためには、Bを14
原子%未満にする。すなわち、Bが5原子%超、14原
子%未満の範囲において、磁気特性のばらつきがより少
ない優れた非晶質薄帯が得られる。
る。Cを含有させることによって、溶湯と冷却基板の濡
性が向上して良好な薄帯を形成させることができる。C
が0.02原子%未満の場合はこの効果が得られない。
また、Cを4原子%超含有させてもこの効果の更なる向
上は認められない。したがって、0.02原子%以上4
原子%以下の範囲に限定した。
明者らは、既に、特開平9-202946号公報において、0.
008質量%以上、0.1質量%(0.16原子%)以
下のPは、MnとSの許容含有量を増加させて安価な鉄
源の使用を可能にする効果があることを見出している
が、本発明は、高Fe領域において、高磁束密度を維持
しながら交流における優れた軟磁気特性を有する薄帯を
製造することを目的として、P添加量、およびFe、S
i、B、C量を種々変化させた実験を積み重ねた結果成
し得た発明である。Pは0.2原子%以上、12原子%
以下の範囲で含有させる。なぜならば、Pが0.2原子
%未満では、高磁束密度を維持した状態で優れた軟磁気
特性を得るためのアニ−ル条件が存在しなくなり、ま
た、Pを12原子%超含有させても、Pのそれ以上の効
果が得られないばかりか磁束密度が低下してしまうから
である。Pが1原子%以上12原子%以下であれば、P
の効果によって磁束密度のばらつきがより一層抑制で
き、さらに、好ましくは、Pが1原子%以上10原子%
以下であれば磁束密度の低下も押さえられ、より一層P
の効果を発現させることが可能になる。
2946号公報に示されているレベルのMn、S、等の元素
は含有しても特段の問題は生じない。組成の特定に関し
て重要なことは、本発明におけるPの効果は、Fe、S
i、B、C系の限定された組成範囲に所定量のPを添加
することによって、特に、2≦Si<4原子%の低Si
の範囲において初めてPの効果が発現されることであ
る。
をトランス用鉄心の素材として用いることによって、高
磁束密度設計が可能になるため、トランスの小型化、高
性能化を達成することが可能になる。本発明のFe基非
晶質合金薄帯は、所定の合金成分を溶解し、溶湯を移動
している冷却基板上にスロットノズルを通して噴出させ
て、該合金を急冷凝固させる方法、例えば、単ロ−ル
法、双ロ−ル法によって製造することができる。単ロ−
ル装置にはドラムの内壁を使う遠心急冷装置、エンドレ
スタイプのベルトを使う装置、およびこれらの改良型で
ある補助ロ−ルを付属させたもの、減圧下あるいは真空
中、または不活性ガス中での鋳造装置も含まれる。本発
明では、薄帯の板厚、板幅、などの寸法は特に規定され
ないが、薄帯の板厚は、例えば、10μm以上100μ
m以下が好ましい。板幅は20mm以上が好ましい。
料とした製鉄プロセスで生産される一部の鋼種を鉄源に
使用することが可能である。合金組成としては、例え
ば、Fe83.5Si3B12C1P0.5、Fe84.1Si2.5B
11.4C1P1、Fe86.5Si2.2B6 .8C0.5P4、Fe87S
i2.1B5.6C0.3P5、Fe87.3Si2.1B5.5C
0.3P4.8、等である。
る。 (実施例1)原子%で、FeaSibBcCdPeおよび0.2
原子%のMn、S等の不純物を含む組成の合金を使用し
た。ただし、a+b+c+d+e=99.8である。表1に示した各組
成の合金を単ロ−ル法で鋳造し、非晶質化できたかどう
かを調べた。
ルツボ中で高周波溶解し、ルツボ先端に取り付けた開口
形状が0.4mm×25mmの矩形状スロットノズルを
通じてCu合金製冷却ロ−ルの上に溶湯を噴出した。冷
却ロ−ルの直径は580mm、回転数は800rpmで
ある。この鋳造によって、厚さ約25μm、幅約25m
mの薄帯が得られた。次に、鋳造した薄帯の自由面(ロ
−ルに接触しない面)、ロ−ル面(ロ−ルに接触する
面)をX線回折法によって回折プロファイルを測定し
た。回折プルファイルがブロ−ド化して非晶質状態にな
った場合には、○、鋭い結晶化ピ−クが現れた場合には
×、それらの中間的状態の場合には△とした。結果を表
1に示す。
したが、No.7およびNo.8では一部結晶相が混じ
っていると見られる部位が僅かながら存在した。Feが
90原子%超のNo.9ではもはや非晶質化することは困
難となった。ただし、No.1の薄帯は実施例2で示す
ように磁束密度が本発明範囲に達していない。Pを含有
しないNo.10〜No.12では、非晶質化は困難な
状況であり、No.12に至っては連続した薄帯にする
ことができなかった。
BとPを変えた場合であるが、BとPが本発明範囲に入
っているNo.13とNo.14では非晶質化している
が、Bが5原子%以下であるNo.15〜No.17で
は非晶質化することができなかった。No.18〜N
o.21はSi量を変えた場合であるが、Si量が2原
子%未満であるNo.18では非晶質形成が一部不安定
になったが、No.19〜No.21では非晶質化し
た。ただし、No.21では実施例2で示すように鉄損
が本発明範囲まで低下していない。
組成を用いることによって、従来では成し得なかった高
Fe領域での非晶質化が可能になることがわかる。 (実施例2)実施例1で鋳造した薄帯の中で非晶質化した
薄帯をそれぞれ120mmの長さに切断し、260℃〜
400℃の温度範囲において20℃間隔の各温度で窒素
雰囲気中で1時間、磁場中で焼鈍した後、SST(単板
磁気測定器)を用いて交流磁気特性を評価した。評価項
目は、測定の最大印加磁場が80A/mの時の最大磁束密
度B80、および最大磁束密度が1.3Tにおける鉄損であ
る。なお、測定周波数は50Hzである。また、VSMを
用いて、飽和磁束密度Bsを測定した。
℃〜400℃で焼鈍した中で最も軟磁気特性が優れた特
性値を示してある。ただし、No.7、No.8、およ
びNo.18では一部非晶質化が不完全であった部位が
存在したため、その部位を磁気特性の評価から外し、非
晶質化した部位での評価を実施した。
%以下の範囲であるNo.2〜No.14において、1.
74T以上のBsと1.5T以上のB80が得られ、さらに、鉄
損も0.12W/kg以下の優れたものとなることが分か
る。Feが82原子%以下のNo.1では高Bs材は得ら
れない。
場合についてみると、 Si量が2原子%未満であるN
o.18では磁束密度が本発明範囲に達していない。S
i量が4原子%以上であるNo.21では鉄損が本発明
の範囲まで低下していない。以上の例からわかるよう
に、本発明範囲の組成を用いることによって、従来では
成し得なかった高Fe領域での非晶質化が可能になると
ともに、優れた軟磁気特性が達成できることがわかる。
合金薄帯を用いて鉄心に巻回した巻鉄心、または、該薄
帯の打ち抜き片を積層した積鉄心を作製する場合、高磁
束密度を維持しながら交流における優れた軟磁気特性を
有することが可能になったため、トランスの小型化、高
性能化、および、その設計自由度が増す大きなメリット
が生じる。
7)
Claims (6)
- 【請求項1】 Fe、Si、B、C、Pの主要元素およ
び不可避不純物で構成される非晶質合金薄帯であって、
組成が原子%で86<Fe≦90、2≦Si<4、5<B≦1
6、0.02≦C≦4 、0.2≦P≦12であることを特徴とする
高磁束密度を有するFe基非晶質合金薄帯。 - 【請求項2】 前記Feの組成が、原子%で86<Fe≦
88であることを特徴とする請求項1記載の高磁束密度を
有するFe基非晶質合金薄帯。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の薄帯であって、
焼鈍後のBsが1.74T以上であることを特徴とする高磁
束密度を有するFe基非晶質合金薄帯。 - 【請求項4】 請求項1、2または3記載の薄帯であっ
て、焼鈍後のB80が1.5T超を有することを特徴とする
高磁束密度を有するFe基非晶質合金薄帯。 - 【請求項5】 請求項4記載の高磁束密度を有するFe
基非晶質合金薄帯であって、さらに、焼鈍後の鉄損が0.
12W/kg以下であることを特徴とする高磁束密度を有
するFe基非晶質合金薄帯。 - 【請求項6】 Fe、Si、B、C、Pの主要元素およ
び不可避不純物で構成される非晶質合金薄帯であって、
組成が原子%で82<Fe≦90、2≦Si<4、5<B≦1
6、0.02≦C≦4 、0.2≦P≦12であり、焼鈍後のBsが
1.74T以上であることを特徴とする高磁束密度を有する
Fe基非晶質合金薄帯。
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