JP2002280812A

JP2002280812A - 高周波カプラ

Info

Publication number: JP2002280812A
Application number: JP2001080844A
Authority: JP
Inventors: Koji Kamafuchi; 幸司釜淵
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2001-03-21
Filing date: 2001-03-21
Publication date: 2002-09-27

Abstract

(57)【要約】【課題】アイソレーション特性を向上し得る高周波カ
プラを提供する。【解決手段】本実施形態に係る高周波カプラ２０で
は、副線路ＳＬの一端側Ｐ４が所定の終端抵抗ＲL に接
続されたときの副線路ＳＬの他端側Ｐ３から見た線路イ
ンピーダンスを所定値５０Ωに整合させる、インピーダ
ンス整合回路（コンデンサＣ11、Ｃ12）を多層基板に内
層する。これにより、副線路ＳＬの他端側Ｐ３に接続さ
れる回路網側のインピーダンスを所定値５０Ωに設定す
ることによって、両者のインピーダンス整合をとること
ができる。そのため、副線路ＳＬに高周波結合した高周
波信号を副線路ＳＬから回路網に無駄なく出力できるの
で、副線路ＳＬの一端側Ｐ４に流れ出る高周波信号を少
なくすることができる。したがって、アイソレーション
特性を向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波カプラに関
し、例えば携帯電話機、簡易型携帯電話機、トランシー
バ等の移動体無線機器の回路部品として用いられる高周
波カプラに関するものある。

【０００２】

【従来の技術】図１０に携帯電話機等の移動体無線機器
の無線ユニットの回路構成を示す。デュプレクサ（ＤＵ
Ｐ）７０は、アンテナ８０を介して受信した電波を受信
回路５０側へ振り分けるとともに、送信回路６０から出
力された高周波信号をアンテナ８０側へ送り出す。送信
回路６０は、信号源６１から出力される信号源を電圧制
御発振器（ＶＣＯ）６３から出力される高周波信号で変
調するミキサ６２と、このミキサ６２の出力中に含まれ
る不要な高周波成分および低周波分を除去するバンドパ
スフィルタ（ＢＰＦ）６４と、このＢＰＦ６４の出力を
電力増幅するパワーアンプ（ＡＭＰ）６５と、このＡＭ
Ｐ６５の出力をローパスフィルタ（ＬＰＦ）６７側に送
るとともに、該出力の一部を自動利得調整回路（ＡＰ
Ｃ）６８側に振り分ける高周波カプラ６６と、高周波カ
プラ６６から送られた出力に基づきＡＭＰ６５の利得を
調整し、アンテナ８０から放射される高周波出力を一定
範囲に保つＡＰＣ６８と、高周波カプラ６６からの出力
中の高調波成分（第２、第３高調波）を除去するＬＰＦ
６７と、からなる。

【０００３】ここで、この高周波カプラ６６の等価回路
を図１１に示す。高周波カプラ６６は、ＡＭＰ６５の出
力を検出するもので、ＡＭＰ６５側からの信号を入力す
るＰ１端子と、ＬＰＦ６７側へ出力するＰ２端子と、検
出した出力をＡＰＣ６８側へ出力するＰ３端子と、５０
Ωの終端抵抗ＲL に接続されるＰ４端子とを有する。Ｐ
１端子とＰ２端子とは主線路ＭＬにて接続されており、
またＰ３端子とＰ４端子とは副線路ＳＬにて接続されて
いる。そして、主線路ＭＬと副線路ＳＬとは、静電容量
Ｃ0 にて高周波的に結合している。

【０００４】このような高周波カプラ６６においては、
入力端子であるＰ１端子から入力された高周波信号のう
ち、終端抵抗ＲL 側のＰ４端子に流れ込む信号を少なく
すること、即ちアイソレーションを高めることが、無線
ユニット全体の消費電力を押さえるうえで重要である。
特に、バッテリ駆動される携帯電話機では、省電力・長
時間使用等の利用者ニーズから重要視されている項目で
あり、一般に、主線路ＭＬおよび副線路ＳＬの長さを使
用周波数帯の１／４波長程度に設定するとその周波数帯
において高いアイソレーションを得ることができるとさ
れている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、携帯電
話機等の移動体無線機器で主に用いられる準マイクロ波
帯の１／４波長は、２５cm〜３cm程度になる。そのた
め、軽薄短小化を趨勢とする携帯電話機等の移動体無線
機器においては、それに用いる回路部品としての高周波
カプラに、１／４波長相当の主線路ＭＬおよび副線路Ｓ
Ｌを内層することは現実的ではない。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、アイソ
レーション特性を向上し得る高周波カプラを提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の高周波カプラでは、主線路とこの主線路
に高周波結合する副線路とを多層基板に内層した高周波
カプラであって、前記副線路の一端側が所定の終端抵抗
に接続されたときの前記副線路の他端側から見た線路イ
ンピーダンスを所定値に整合させる、インピーダンス整
合回路を前記多層基板に内層することを技術的特徴とす
る。

【０００８】また、請求項２の高周波カプラでは、請求
項１において、前記インピーダンス整合回路は、前記副
線路と前記副線路の接地との間に接続されるコンデンサ
であることを技術的特徴とする。

【０００９】請求項１の発明では、副線路の一端側が所
定の終端抵抗に接続されたときの副線路の他端側から見
た線路インピーダンスを所定値に整合させる、インピー
ダンス整合回路を多層基板に内層する。これにより、副
線路の他端側に接続される外部回路網側のインピーダン
スを当該所定値に設定することによって、両者のインピ
ーダンス整合をとることができる。そのため、副線路に
高周波結合した高周波信号を副線路から当該外部回路網
に無駄なく出力できるので、副線路の一端側（終端抵抗
側）に流れ出る高周波信号を少なくすることができる。

【００１０】請求項２の発明では、インピーダンス整合
回路は、副線路と副線路の接地との間に接続されるコン
デンサである。これにより、当該コンデンサの電極板を
多層基板の印刷パターンにより形成することで、多層基
板に容易にコンデンサを内層することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波カプラの一
実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に
係る高周波カプラ２０は、図１０に基づいて説明した高
周波カプラ６６と同様に、携帯電話機等の移動体無線機
器に電子部品として用いられるもので、使用可能な回線
周波数は８００ＭHz〜２．５ＧHzに設定されている。な
お高周波カプラ２０の基本的な機能およびその利用態様
は、既に説明した高周波カプラ６６と同様であるので、
その説明を省略する。

【００１２】まず、高周波カプラ２０の構成を図１〜図
４に基づいて説明する。図１に示すように、高周波カプ
ラ２０は、主線路ＭＬとこの主線路ＭＬに高周波結合す
る副線路ＳＬとを備え、副線路ＳＬの一端（Ｐ４端子）
側が所定（例えば５０Ω）の終端抵抗ＲL に接続された
ときの副線路ＳＬの他端（Ｐ３端子）側から見た線路イ
ンピーダンスを所定値（例えば５０Ω）に整合させる、
インピーダンス整合回路を備えるものである。なお、終
端抵抗ＲL は、高周波カプラ２０を回路部品として用い
る外部回路網側に取り付けられるものであり、高周波カ
プラ２０を構成する回路部品ではないことに留意された
い。

【００１３】主線路ＭＬの線路長は、例えば１．７mmに
設定され、副線路ＳＬの線路長は、例えば８．８mmに設
定されている。つまり、１．８ＧHz帯の１／４波長であ
る１４mm（誘電率εｒ＝７．９）よりも非常に短い線路
長に設定している。また主線路ＭＬおよび副線路ＳＬの
線幅は、例えば１００μｍに設定されている。

【００１４】インピーダンス整合回路は、例えば、副線
路ＳＬと副線路ＳＬの接地Ｇとの間に接続されるコンデ
ンサＣ11、Ｃ12により構成される。コンデンサＣ11は、
副線路ＳＬの他端（Ｐ３端子）側とアースＧとの間に、
またコンデンサＣ12は、副線路ＳＬの一端（Ｐ４端子）
側とアースＧとの間に、それぞれ接続されている。この
コンデンサＣ11、Ｃ12は、ともに０．８ｐＦ〜１．７ｐ
Ｆの静電容量に設定されている。なお、本実施形態の高
周波カプラ２０では、２つのコンデンサＣ11、Ｃ12を設
けているが、副線路ＳＬの一端（Ｐ４端子）側または他
端（Ｐ３端子）側のいずれか一方に設けても良い。

【００１５】図２に示すように、高周波カプラ２０は、
構造的には、例えばガラスセラミック（誘電率εｒ＝
７．９、ｔanδ＝４．８×１０^-3からなる２０１２
（２．０mm×１．２５mm）タイプの基板２２、２４、２
６、２８、３０、３２、３４に厚膜印刷により銀ペース
ト等を印刷してパターンを６層形成し、高さ０．９５mm
程度に積層して構成され、各基板の側辺には所定の端子
となる切欠部を形成している。

【００１６】即ち、図２および図３に示すように、基板
２２、２４、２６、２８、３０、３２、３４を積層した
とき、各基板の切欠部が積層方向に一致することで積層
方向に延びる溝部を構成し、この溝部に銀ペーストを印
刷する（図２に示す格子状ハッチング箇所）ことによっ
て、入力端子（Ｐ１端子）２０ａ、出力端子（Ｐ２端
子）２０ｃ、終端抵抗端子（Ｐ４端子）２０ｄ、検出端
子（Ｐ３端子）２０ｆおよびアース端子（接地Ｇ端子）
２０ｅ、２０ｂを形成している。なお、基板２２、２
４、２６、２８、３０、３２、３４は、ガラスセラミッ
ク以外のセラミック素材であっても良い。

【００１７】図３に示すように、高周波カプラ２０を構
成する各基板は、実装面側から順にアースパターン３４
ａを形成する基板３４が位置し、その上にコンデンサＣ
11、Ｃ12を形成する基板３２、さらに副線路ＳＬを形成
する基板３０、２８、また主線路ＭＬ２４を形成する基
板２６がそれぞれ位置している。そして、その上にアー
スパターン２４ａを形成する基板２４が位置し、最上層
に基板２２が位置する。

【００１８】即ち、上下に形成されるアースパターンに
挟まれるように、パターン２６ａによる主線路ＭＬと、
パターン２８ａ、２８ｂ、３０ａによる副線路ＳＬとが
積層方向に重なって位置するように形成されている。こ
れにより、主線路ＭＬと副線路ＳＬとの間に生じる静電
容量Ｃ0 を介して両者は高周波的に結合している。な
お、パターン２８ａとパターン３０ａとはスルーホール
２８ｃおよびスルーホール３０ｂにより、またパターン
２８ｂとパターン３０ａとはスルーホール２８ｄおよび
スルーホール３０ｃにより（図３に示す黒丸）、それぞ
れ積層方向に層間接続されている（図３に示す黒丸をつ
なぐ破線）。

【００１９】また、副線路ＳＬのパターン３０ａを形成
する基板３０とアースパターン３４ａを形成する基板３
４との間に位置する基板３２には、コンデンサＣ11、Ｃ
12のそれぞれの一方の電極パターン３２ａ、３２ｂを形
成し、他方の電極パターンを基板３４のアースパターン
と兼用してコンデンサを構成している。即ち、コンデン
サＣ11は、基板３２に形成されるパターン３２ａと基板
３４に形成されるパターン３４ａとによって誘電体とし
ての基板３２を挟んで構成され、またコンデンサＣ12
は、基板３２に形成されるパターン３２ｂと基板３４に
形成されるパターン３４ａとにより誘電体としての基板
３２を挟んで構成される。

【００２０】なお、コンデンサＣ11の端子はパターン３
２ａに延設される検出端子２０ｆに、またコンデンサＣ
12の端子はパターン３２ｂに延設される終端抵抗端子２
０ｄに接続されている。これにより、図１に示すよう
に、コンデンサＣ11は副線路ＳＬのＰ３端子に、またコ
ンデンサＣ12は副線路ＳＬのＰ４端子にそれぞれ接続さ
れている。

【００２１】また、コンデンサＣ11、Ｃ12は、副線路Ｓ
Ｌの他端（Ｐ３端子）側にのみ形成しても良い。即ち、
図４に示す変形例の如く、コンデンサＣ10の一方の電極
パターン３２ｃを基板３２に形成し、これによりコンデ
ンサＣ11とコンデンサＣ12とを並列接続した場合に相当
する静電容量を持つコンデンサＣ10を構成しても良い。
これにより、基板３２のパターン構成を簡素にすること
ができる。

【００２２】次に、このように構成した高周波カプラ２
０の伝送特性等を図５〜図９に基づいて説明する。な
お、以下説明する各伝送特性等は、図３に示すパターン
構成による高周波カプラ２０を試作して採取したもので
ある。また比較例に係る高周波カプラは、図３に示す基
板３２およびそれに形成される電極パターン３２ａ、３
２ｂを取り除いたもの、つまり基板２２、２４、２６、
２８、３０、３４を積層して構成したものである。

【００２３】図５および図６は、高周波カプラによる挿
入損失（Ins)、反射損失（Ret)、結合度（Cpl)およびア
イソレーション（Iso)の各特性を測定した結果を示した
もので、図５は本実施形態の高周波カプラ２０によるも
の、図６は比較例の高周波カプラによるものである。

【００２４】なお、両図とも、横軸は周波数を示し、左
端（最低周波数）が０．５ＧHz、右端（最高周波数）が
３．０ＧHzで、０．２５ＧHz／div.である。また、図５
(A)、図６(A) は、最上部が０dBで、挿入損失（Ins)に
ついては最下部は−５dB（０．５dB／div.）で、反射損
失（Ret)については最下部は−５０dB（５dB／div.）で
ある。また図５(B) 、図６(B) は、最上部が０dB、最下
部が−１００dB（１０dB／div.）である。

【００２５】図５(A) に示す特性図は、本実施形態に係
る高周波カプラ２０の挿入損失（Ins)および反射損失
（Ret)を表すものである。即ち、挿入損失（Ins)は、入
力端子（Ｐ１端子）２０ａから入力され出力端子（Ｐ２
端子）２０ｃに出力される特性をネットワークアナライ
ザによるＳ２１で測定したものである。図５(A) から、
本高周波カプラ２０では、１．８５ＧHzを中心に０．１
dB前後に抑えられていることがわかる。また、反射損失
（Ret)は、入力端子（Ｐ１端子）２０ａから入力され同
入力端子（Ｐ１端子）２０ａに戻る特性をネットワーク
アナライザによるＳ１１で測定したものである。図５
(A) から、本高周波カプラ２０では、１．８５ＧHzで２
７dB、全域で２７dB〜３４dBに抑えられていることがわ
かる。

【００２６】これに対し、図６(A) には比較例の高周波
カプラによる同様の特性図が示されており、同図から比
較例の高周波カプラでは、挿入損失は１．８５ＧHzを中
心に０．２dB前後に、また同図から反射損失は１．８５
ＧHzで２５dB、全域で２４dB〜３４dBになっていること
がわかる。したがって、本実施形態に係る高周波カプラ
２０では、比較例による高周波カプラと比較して、挿入
損失および反射損失につき、ほぼ同様の特性を確保して
いることを確認している。

【００２７】次に、図５(B) に示す特性図は、本実施形
態に係る高周波カプラ２０の結合度（Cpl)およびアイソ
レーション（Iso)を表すものである。即ち、結合度（Cp
l)は、入力端子（Ｐ１端子）２０ａから入力され検出端
子（Ｐ３端子）２０ｆから出力される特性をネットワー
クアナライザによるＳ３１で測定したものである。図５
(B) から、本高周波カプラ２０では、１．８５ＧHzで−
２０dB前後、また全域で−１８dB〜−３０dBの結合度が
得られていることがわかる。また、アイソレーション
（Iso)は、入力端子（Ｐ１端子）２０ａから入力され終
端抵抗端子（Ｐ４端子）２０ｄから出力される特性をネ
ットワークアナライザによるＳ４１で測定したものであ
る。図５(B) から、本高周波カプラ２０では、１．８５
ＧHzで４６dB、全域で３２dB〜６０dBのアイソレーショ
ンを確保していることがわかる。

【００２８】これに対し、図６(B) には比較例の高周波
カプラによる同様の特性図が示されており、同図から比
較例の高周波カプラでは、結合度（Cpl)は１．８５ＧHz
で−１９．３dB前後、また全域で−１９dB〜−２９dBの
結合度が得られ、また同図からアイソレーション（Iso)
は１．８５ＧHzで３１dB、全域で２７dB〜３８dBになっ
ていることがわかる。したがって、本実施形態に係る高
周波カプラ２０では、比較例による高周波カプラと比較
して、ほぼ同様の結合度特性を維持しつつ、アイソレー
ションにおいては１５dB以上改善していることを確認し
ている。つまり、上述したインピーダンス整合回路によ
って、副線路ＳＬの線路インピーダンスをほぼ５０Ωに
整合しているため、副線路ＳＬから高周波信号を無駄な
く出力し、副線路ＳＬの終端抵抗端子（Ｐ４端子）に流
れ出る高周波信号を少なくしていることを表している。

【００２９】なお、図７では、本実施形態に係る高周波
カプラ２０のアイソレーション特性と比較例の高周波カ
プラのアイソレーション特性との違いを明確にするた
め、前者を実線、後者を破線によりそれぞれ表してい
る。これにより、本実施形態に係る高周波カプラ２０で
は、比較例のもの（破線）と比べそのアイソレーション
特性（実線）の改善傾向が顕著に現れていることが明確
にわかる。

【００３０】ここで、副線路ＳＬのインピーダンス特性
をスミスチャートに表して説明する。図８(A) は本実施
形態に係る高周波カプラについて測定したもの、図８
(B) は比較例に係る高周波カプラについて測定したもの
である。なお、いずれの測定も終端抵抗端子（Ｐ４端
子）に５０Ωの終端抵抗を接続した状態で行い、検出端
子（Ｐ３端子）から副線路側を見たインピーダンス特性
を０．５ＧHz（start)〜３．０ＧHz（stop）の範囲でネ
ットワークアナライザによりスミスチャート上に表した
ものである。またスミスチャートの上半円部分は誘導性
領域、同下半円部分は容量性領域であり、円の中心は５
０Ωを表している。

【００３１】図８(A) に示すように、本実施形態に係る
高周波カプラ２０は、その副線路ＳＬのインピーダンス
特性が１．８５ＧHzで（４７．５９６−ｊ１．２６３
７）Ωであり、ほぼ５０Ωであることがわかる（同図中
の矢印ＣＨ１）。１．９１ＧHzにおいても（４６．６３
３−ｊ２．２３６３）Ωである（同図中の矢印ＣＨ
２）。これにより、インピーダンス整合回路により、副
線路ＳＬの線路インピーダンスをほぼ５０Ωに整合でき
ていることをこのスミスチャートが表している。

【００３２】一方、図８(B) に示すように、比較例の高
周波カプラでは、その副線路のインピーダンス特性が
１．８５ＧHzで（４７．６５８−ｊ１１．８１４）Ωで
あり、実数成分はほぼ５０Ωであるものの、図８(A) の
特性に比較して容量性側に偏って位置することがわかる
（同図中の矢印ＣＨ１）。また１．９１ＧHzにおいても
（４６．１５４−ｊ１２．１６２）Ωであり、この周波
数においても容量性側に偏って位置している（同図中の
矢印ＣＨ２）。したがって、比較例のものは、本実施形
態に係る高周波カプラ２０に比べて副線路の線路インピ
ーダンスが容量性に偏った傾向を持つため、その分、５
０Ωに対し整合が十分にとれていないといえる。

【００３３】なお、図９には、検出端子（Ｐ３端子）か
ら入力し終端抵抗端子（Ｐ４端子）に出力される副線路
の減衰特性を測定したものが示されており、図９(A) は
本実施形態に係る高周波カプラ２０によるもの、図９
(B) は比較例の高周波カプラによるものである。高周波
カプラ２０では０．２dB、比較例ものでは０．１６dB前
後で両者ともほぼ同様であり、インピーダンス整合回路
を副線路ＳＬに設けてもその影響が減衰特性に表れてい
ないことを、これにより示している。

【００３４】以上説明したように、本実施形態に係る高
周波カプラ２０によると、副線路ＳＬの一端側Ｐ４端子
が所定の終端抵抗ＲL に接続されたときの副線路ＳＬの
他端側Ｐ３端子から見た線路インピーダンスを所定値５
０Ωに整合させる、インピーダンス整合回路（コンデン
サＣ11、Ｃ12）を多層基板に内層する。これにより、副
線路ＳＬの他端側Ｐ３端子に接続される回路網側のイン
ピーダンスを所定値５０Ωに設定することによって、両
者のインピーダンス整合をとることができる。そのた
め、副線路ＳＬに高周波結合した高周波信号を副線路Ｓ
Ｌから当該回路網に無駄なく出力できるので、副線路Ｓ
Ｌの一端側Ｐ４端子に流れ出る高周波信号を少なくする
ことができる。したがって、アイソレーション特性を向
上し得る効果がある。

【００３５】

【発明の効果】請求項１の発明では、副線路の一端側が
所定の終端抵抗に接続されたときの副線路の他端側から
見た線路インピーダンスを所定値に整合させる、インピ
ーダンス整合回路を多層基板に内層する。これにより、
副線路の他端側に接続される外部回路網側のインピーダ
ンスを当該所定値に設定することによって、両者のイン
ピーダンス整合をとることができる。そのため、副線路
に高周波結合した高周波信号を副線路から当該外部回路
網に無駄なく出力できるので、副線路の一端側（終端抵
抗側）に流れ出る高周波信号を少なくすることができ
る。したがって、アイソレーション特性を向上し得る効
果がある。

【００３６】請求項２の発明では、インピーダンス整合
回路は、副線路と副線路の接地との間に接続されるコン
デンサである。これにより、当該コンデンサの電極板を
多層基板の印刷パターンにより形成することで、多層基
板に容易にコンデンサを内層することができる。したが
って、アイソレーション特性を容易に向上し得る効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る高周波カプラの等価
回路を示す回路図である。

【図２】本実施形態に係る高周波カプラの外観を示す斜
視図である。

【図３】本実施形態に係る高周波カプラを構成する多層
基板を各層ごとに展開して示す斜視図である。

【図４】本実施形態に係る高周波カプラの変形例を構成
する多層基板を各層ごとに展開して示す斜視図である。

【図５】本実施形態に係る高周波カプラの各伝送特性を
示す特性図で、図５(A) は、挿入損失特性および反射損
失特性を示し、図５(B) は結合度特性およびアイソレー
ション特性を示すものである。

【図６】比較例に係る高周波カプラの各伝送特性を示す
特性図で、図６(A) は、挿入損失特性および反射損失特
性を示し、図６(B) は結合度特性およびアイソレーショ
ン特性を示すものである。

【図７】本実施形態に係る高周波カプラと比較例に係る
高周波カプラとのアイソレーション特性を比較して示す
特性図である。

【図８】副線路の線路インピーダンス特性を示すスミス
チャートで、図８(A) は本実施形態に係る高周波カプラ
について測定したもの、図８(B) は比較例に係る高周波
カプラについて測定したものである。

【図９】副線路による減衰特性を示す特性図で、図９
(A) は本実施形態に係る高周波カプラについて測定した
もの、図９(B) は比較例に係る高周波カプラについて測
定したものである。

【図１０】高周波カプラを用いる携帯電話機等の回路構
成を示すブロック図である。

【図１１】従来例に係る高周波カプラの等価回路を示す
回路図である。

【符号の説明】

２０高周波カプラ２０ａ、Ｐ１入力端子２０ｂ、２０ｅアース端子２０ｃ、Ｐ４終端抵抗端子２０ｄ、Ｐ３検出端子２２、２４、２６、２８、３０、３２基板（多層
基板）Ｃ10、Ｃ11、Ｃ12 コンデンサＲL 終端抵抗ＭＬ主線路ＳＬ副線路Ｇアース（接地）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主線路とこの主線路に高周波結合する副
線路とを多層基板に内層した高周波カプラであって、前記副線路の一端側が所定の終端抵抗に接続されたとき
の前記副線路の他端側から見た線路インピーダンスを所
定値に整合させる、インピーダンス整合回路を前記多層
基板に内層することを特徴とする高周波カプラ。
【請求項２】前記インピーダンス整合回路は、前記副線路と前記副線路の接地との間に接続されるコン
デンサであることを特徴とする請求項１記載の高周波カ
プラ。