JP2005203824A - 高周波カプラ - Google Patents

Abstract

【課題】複数の周波数についてアイソレーションを高くすることができる高周波カプラを提供する。
【解決手段】第１、第２の主線路ＭＬ１，ＭＬ２がそれぞれ、副線路ＳＬと容量結合し、副線路ＳＬにキャパシタが接続される。第１、第２の主線路ＭＬ１，ＭＬ２それぞれに高周波信号を通電したときに、副線路ＳＬにその信号の一部が誘起され、副線路ＳＬで第１、第２の主線路の高周波信号ＭＬ１，ＭＬ２をモニタできる。副線路に接続されるキャパシタによって高周波カプラの周波数特性を調節し、第１、第２の主線路ＭＬ１，ＭＬ２を通過する２つの周波数の信号の双方に対してアイソレーションを高くすることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば、携帯電話機、無線ＬＡＮ等の無線機器の回路部品として用いられる高周波カプラに関する。

無線通信等に利用する高周波信号をモニタするために高周波カプラが用いられる。高周波カプラによって高周波信号の一部を分岐して、例えば、増幅器の利得を調節することで高周波信号の出力を一定に保つことができる。
高周波カプラは、高周波信号を入出力する端子に加えて高周波信号をモニタするための２つの端子を有する。この一方の端子がモニタ用の出力端子であり、他方の端子は終端抵抗に接続される。
高周波カプラは、終端抵抗側の端子への出力を低減すること、即ち、アイソレーションを高めることが無線機器の消費電力低減のために要望される。このためインピーダンス整合回路を用いて高周波カプラのアイソレーションを高める技術が開示されている（特許文献１参照）。
特開２００２−２８０８１２号公報

ここで、無線機器が通信に複数の周波数を用い、高周波カプラがこの複数の周波数の信号をモニタする場合がある。この場合には、これら複数の周波数の双方に対して、高周波カプラのアイソレーションを高くする必要がある。
上記に鑑み、本発明は複数の周波数についてアイソレーションを高くすることができる高周波カプラを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る高周波カプラは、第１、第２の主線路を有する第１の基板と、前記第１、第２の主線路の双方と容量結合する副線路を有する第２の基板と、前記副線路と電気的に接続される第１の平板電極を有する第３の基板と、前記第３の基板を夾んで配置される第４，第５の基板であって、前記第１の平板電極と対応して配置され、かつ互いに電気的に接続される第２，第３の平板電極をそれぞれ有する第４，第５の基板と、を具備することを特徴とする。
第１、第２の主線路それぞれに高周波信号を通電したときに、これらと容量結合する副線路にその信号の一部が誘起されることから、副線路を用いて第１、第２の主線路の高周波信号をモニタすることができる。この副線路に接続される第１の電極は第２，第３の電極に夾まれていることから、これらの電極はキャパシタとして機能する。このキャパシタによって高周波カプラの周波数特性を調節し、第１、第２の主線路を通過する２つの周波数の信号の双方に対してアイソレーションを高くすることができる。

ここで、前記第３の基板が、前記第１の平板電極と接続された線路をさらに有してもよい。
線路がインダクタとして機能する。インダクタを有することから高周波カプラの周波数特性の調節がより容易となり、２つの周波数の双方に対してアイソレーションを高くすることができる。

本発明によれば複数の周波数についてアイソレーションを高くすることができる高周波カプラを提供できる。

図１は本発明の一実施形態に係る高周波カプラ１０の回路構成を表す図である。
図１に示すように高周波カプラ１０は、２つの主線路ＭＬ１、ＭＬ２、副線路ＳＬ、インダクタ（インダクタンス素子）Ｌ、キャパシタ（コンデンサ：容量素子）Ｃを備え、２つの主線路ＭＬ１、ＭＬ２をそれぞれ通過する異なる周波数の信号（高周波信号）を副線路ＳＬによってモニタすることができる。

２つの主線路ＭＬ１、ＭＬ２は、それぞれ端子Ｐ１，Ｐ２（入力端子Ｐ１、出力端子Ｐ２）、Ｐ３，Ｐ４（入力端子Ｐ３、出力端子Ｐ４）を備え、これらから高周波信号を入出力する。
この主線路ＭＬ１、ＭＬ２への信号の入出力はいずれか一方のみ（片方で信号が入出力されているときは、他方は信号の入出力が行わない）であるのが通例である。但し、場合により、主線路ＭＬ１、ＭＬ２への信号の入出力が同時に行われても差し支えない。この場合には、副線路ＳＬに分岐された２つの周波数の信号を何らかの手段（例えば、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ）で分離して、それぞれの信号を別個にモニタすることができる。

副線路ＳＬは、２つの主線路ＭＬ１、ＭＬ２の双方と容量結合し（容量：Ｃ１，Ｃ２）、２つの主線路ＭＬ１、ＭＬ２をそれぞれ通過する高周波信号から分岐された信号が通過する。副線路ＳＬは２つの端子Ｐ５，Ｐ６を備え、端子Ｐ５に所定の終端抵抗ＲＬ（例えば、抵抗値５０Ω）を接続し、端子Ｐ６からモニタ用の信号を出力する。即ち、端子Ｐ５、Ｐ６はそれぞれ終端抵抗端子およびモニタ用出力端子である。なお、終端抵抗ＲＬは高周波カプラ１０に接続された回路部品であり、高周波カプラ１０の構成要素そのものではない。

副線路ＳＬにインダクタＬ、キャパシタＣが接続され、ＬＣ共振回路を構成している。このため、高周波カプラ１０の周波数特性を調節し、主線路ＭＬ１，ＭＬ２を通過する高周波信号の２つの周波数の双方について、アイソレーションを高くすることができる。アイソレーションは、例えば、入力端子Ｐ１から入力される信号強度Ｗ１に対する終端抵抗端子Ｐ５から出力される信号強度Ｗ５の比（Ｗ５／Ｗ１）、入力端子Ｐ３から入力される信号強度Ｗ３に対する終端抵抗端子Ｐ５から出力される信号強度Ｗ５の比（Ｗ５／Ｗ３）で表される。この信号強度比Ｗ５／Ｗ１、Ｗ５／Ｗ３が小さいことは、アイソレーションが高いことを意味し、終端抵抗ＲＬによって消費される電力を小さくすることができる。なお、キャパシタＣは、接地されたグランド端子Ｇに接続される。

２つの周波数においてアイソレーションを高くするには、ＬＣ共振回路のパラメータを調節して、この２つの周波数またはその間に信号強度比Ｗ５／Ｗ１、Ｗ５／Ｗ３が小さい領域（谷型の領域）が位置するようにすればよい。このようにすると、２つの周波数の双方でアイソレーションを高くすることが可能となる。
アイソレーション特性は、図１でのインダクタＬ、キャパシタＣを入れ替えてもほぼ同様である。また、アイソレーション特性の調節は、必ずしもインダクタＬ、キャパシタＣの双方が必要な訳ではなく、キャパシタＣのみを用いて行うことも可能である。
なお、高周波カプラ１０のアイソレーション特性の詳細は後述する。

図２は、高周波カプラ１０の外観を表す図である。
高周波カプラ１０は、基板２１〜２６を重ね合わせて構成される。基板２１〜２６に、例えば、ガラスセラミック（誘電率εｒ＝７．９、ｔanδ＝４．８×１０^-3）からなる２０１２（２．０mm×１．２５mm）タイプの基板を用い、厚膜印刷により銀ペースト等を印刷した電極パターンが形成される。これらの基板２１〜２６を高さ０．７５ｍｍ程度に積層することで高周波カプラ１０が構成される。
なお、基板２１〜２６は、ガラスセラミック以外のセラミック素材であっても良い。

各基板２１〜２６の側辺には所定の端子となる切欠部１１〜１８が形成されている。この切欠部１１〜１８は、積層時に基板２１〜２６の積層方向で一致し、積層方向に延びる溝部を構成する。この溝部に銀ペーストを印刷することで、入力端子Ｐ１、Ｐ３、出力端子Ｐ２、Ｐ４、終端抵抗端子Ｐ５、モニタ出力端子Ｐ６、およびグランド端子Ｇが形成される。

図３は、高周波カプラ１０を構成する基板２１〜２６を分離した状態を表す分解斜視図である。
基板２１は、接地（アース）用の平板電極２１１および接続電極２１２の電極パターンを有する。
基板２２は、キャパシタ用の平板電極２２１およびインダクタとしての線路２２２の電極パターンを有する。
基板２３は、接地（アース）用の平板電極２３１および接続電極２３２の電極パターンを有する。
基板２４は、主線路ＭＬ１、ＭＬ２の電極パターンを有する。主線路ＭＬ２が折れ曲がっているのは基板２５の面積を広げずに、主線路ＭＬ２の線路長を確保するためである。
基板２５は、副線路ＳＬの電極パターンを有する。副線路ＳＬが折れ曲がっているのは基板２５の面積を広げずに、副線路ＳＬの線路長および主線路ＭＬ１と重なる領域２４１を確保するためである。
基板２６は、特段のパターンを有せず、主として基板２５を保護するためのものである。

前述のように、切欠部１１〜１７の銀ペーストを介して、基板２１〜２６に形成されたパターン同士が電気的に接続される。即ち、基板２２の線路２２２と基板２５の副線路ＳＬのモニタ出力端子Ｐ６が接続される。また、基板２１，２３の接続電極２１２，２３２がグランド端子Ｇに接続される。

主線路ＭＬ１，ＭＬ２の線路長は、これを通過する信号（それぞれの周波数が２．４ＧHz、５．０ＧHz）の１／４波長（誘電率εｒ＝７．９）に設定される。
主線路ＭＬおよび副線路ＳＬの線幅は、例えば１００μｍに設定される。

主線路ＭＬ１，ＭＬ２は、副線路ＳＬと基板２５を介して積層方向に重なって位置する。この結果、主線路ＭＬ１，ＭＬ２はそれぞれ副線路ＳＬと容量結合する。
具体的には、主線路ＭＬ１と副線路ＳＬとは、互いに領域２４１，２５１で上下に重なり、この線路の重なり部分が容量結合する。即ち、主線路ＭＬ１と副線路ＳＬの重なり部分およびその中間の基板２５がキャパシタＣ１として機能する。
また、主線路ＭＬ２と副線路ＳＬとは、互いに領域２４２，２５２で上下に重なり、この導体パターンの重なり部分が容量結合する。即ち、主線路ＭＬ２と副線路ＳＬの重なり部分およびその中間の基板２５がキャパシタＣ２として機能する。

基板２２の平板電極２２１および線路２２２は、接地端子Ｇと電気的に接続された基板２１，２３の平板電極２１１，２３１で挟まれている。この結果、平板電極２２１、基板２２，２３、および平板電極２１１，２３１はキャパシタを構成する。即ち、平板電極２２１は、基板２２、平板電極２１１との間で第１のキャパシタＣ０１を基板２３、平板電極２３１との間で第２のキャパシタＣ０２を形成する。そして、これら第１、第２のキャパシタが並列に接続されることで全体として１つのキャパシタＣとして機能することになる（Ｃ＝Ｃ０１＋Ｃ０２）。このように上下にキャパシタを構成したのは、平板電極２２１の面積を大きくすることなく全体の容量Ｃを大きくするためである。
線路２２２は、インダクタＬとして機能する。

以上の結果、基板２１，２２，２３は、全体としてインダクタＬとキャパシタＣとが直列に接続されたＬＣ共振回路を構成する。
なお、接地端子Ｇを接地（アース）することで、平板電極２２１および線路２２２は、外界、例えば他の電極パターンから電気的にシールド（遮蔽）され、高周波カプラ１０の動作の安定化が図られる。

（比較例）
図４は、比較例たる高周波カプラ１１０を構成する基板２１〜２６を分離した状態を表す分解斜視図である。
この比較例では基板２２上に特段の導体パターンは形成されていない。即ち、高周波カプラ１１０は図１に示した回路からインダクタＬおよびキャパシタＣを除去した構成をしている。
高周波カプラ１０と同様に、高周波カプラ１１０は副線路ＳＬによって主線路ＭＬ１，ＭＬ２に流れる高周波信号をモニタすることができる。
後述のように、インダクタＬおよびキャパシタＣがないことから、高周波カプラ１１０は高周波カプラ１０とアイソレーション特性が相違する。

（高周波カプラの特性）
図５、６は、本実施形態に係る高周波カプラ１０のアイソレーション（ＩＳＯ）の周波数特性の一例を表したグラフである。
図５のグラフは、入力端子Ｐ１での高周波信号の信号強度Ｗ１と終端抵抗端子Ｐ５から出力される信号強度Ｗ５の比（Ｗ５／Ｗ１）の周波数による変化を表す。横軸が高周波信号の周波数ｆ［ＧＨｚ］、縦軸が信号強度比（Ｗ５／Ｗ１）［ｄＢ］に対応する。この信号強度比（Ｗ５／Ｗ１）が入力端子Ｐ１でのアイソレーションを表す。
図６のグラフは、入力端子Ｐ３での高周波信号の信号強度Ｗ３と終端抵抗端子Ｐ５から出力される信号強度Ｗ５の比（Ｗ５／Ｗ３）の周波数による変化を表す。横軸が高周波信号の周波数ｆ［ＧＨｚ］、縦軸が信号強度比（Ｗ５／Ｗ３）［ｄＢ］に対応する。この信号強度比（Ｗ５／Ｗ３）が入力端子Ｐ３でのアイソレーションを表す。

図７、８は、比較例に係る高周波カプラ１１０のアイソレーション（ＩＳＯ）の周波数特性の一例を表したグラフである。図７，８はそれぞれ、図５，６に対応し、入力端子Ｐ１，Ｐ３でのアイソレーションを表す。

図５から示されるように、高周波カプラ１０での入力端子Ｐ１について周波数２．４ＧＨｚと５．０ＧＨｚとの間（３．０ＧＨｚ付近）にノッチ（信号強度比Ｗ５／Ｗ１が谷状に低くなっている領域）が生じている。また、図６から示されるように、高周波カプラ１０での入力端子Ｐ３について周波数５．０ＧＨｚ付近にノッチ（信号強度比Ｗ５／Ｗ３が谷状に低くなっている領域）が生じている。
これに対して、図７，８に示されるように、高周波カプラ１１０では入力端子Ｐ１、Ｐ３のいずれについても周波数２．４ＧＨｚと５．０ＧＨｚとの間で信号強度比が単調に増加している。

高周波カプラ１０では入力端子Ｐ１で周波数２．４ＧＨｚおよび入力端子Ｐ３で周波数５．０ＧＨｚそれぞれにおいて、信号強度比Ｗ５／Ｗ１，Ｗ５／Ｗ３が−３６ｄＢおよび−４７ｄＢである（図５，６参照）。これに対して、高周波カプラ１１０では入力端子Ｐ１で周波数２．４ＧＨｚおよび入力端子Ｐ３で周波数５．０ＧＨｚそれぞれにおいて、信号強度比Ｗ５／Ｗ１，Ｗ５／Ｗ３が−２８ｄＢおよび−２６ｄＢと大きくなっている（図７，８参照）。即ち、高周波カプラ１０では高周波カプラ１１０と比較して、２．４ＧＨｚ（入力端子Ｐ１）と５．０ＧＨｚ（入力端子Ｐ３）でのアイソレーションがそれぞれ、８ｄＢ、２１ｄＢ向上している。

このノッチは、高周波カプラ１０がインダクタＬとキャパシタＣを有していることに起因する。キャパシタＣが存在することでアイソレーション特性にノッチが発生する。さらに、インダクタＬが存在することでこのノッチが発生する周波数を調節することが容易となる。
ノッチの位置（周波数）が入力端子Ｐ１，Ｐ３とで異なっているのは、主線路ＭＬ１、ＭＬ２の線路長およびこれらと副線路ＳＬとの容量結合の状態（キャパシタンスＣ１，Ｃ２）の相違に起因するものである。

以上のように、インダクタＬとキャパシタＣによって、主線路ＭＬ１，ＭＬ２を通過する高周波信号の周波数、あるいはその中間にノッチを容易に形成することができる。
このノッチの位置はキャパシタンスＣ１，Ｃ２が相違するため、入力端子Ｐ１，Ｐ３の双方で同一とはならないが、むしろその相違を利用して入力端Ｐ１（周波数２．４ＧＨｚ），Ｐ３（周波数５．０ＧＨｚ）の双方に適した位置（周波数）にノッチを形成することができる。入力端子Ｐ１、Ｐ３それぞれについて、入力信号の周波数（入力端子Ｐ１：２．４ＧＨｚ、入力端子Ｐ３：５．０ＧＨｚ）に信号強度の極小値が位置することがより好ましい。
以上、アイソレーション特性について説明した。

次に、入力端子Ｐ１，Ｐ３に入力した信号強度Ｗ１，Ｗ３とモニタ出力端子Ｐ６に出力される信号強度Ｗ６の比（Ｗ６／Ｗ１、Ｗ６／Ｗ３）、即ち、カップリング（結合度）の周波数特性について説明する。
図９、１０は、本実施形態に係る高周波カプラ１０のカップリング（ＣＰＬ）の周波数特性の一例を表したグラフである。
図９のグラフは、入力端子Ｐ１での高周波信号の信号強度Ｗ１とモニタ用出力端子Ｐ６から出力される信号強度Ｗ６の比（Ｗ６／Ｗ１）の周波数による変化を表す。横軸が高周波信号の周波数ｆ［ＧＨｚ］、縦軸が信号強度比（Ｗ６／Ｗ１）［ｄＢ］に対応する。この信号強度比（Ｗ６／Ｗ１）が入力端子Ｐ１におけるカップリングを表す。
図１０のグラフは、入力端子Ｐ３での高周波信号の信号強度Ｗ３とモニタ用出力端子Ｐ６から出力される信号強度Ｗ６の比（Ｗ６／Ｗ３）の周波数による変化を表す。横軸が高周波信号の周波数ｆ［ＧＨｚ］、縦軸が信号強度比（Ｗ６／Ｗ３）［ｄＢ］に対応する。この信号強度比（Ｗ６／Ｗ３）が入力端子Ｐ３におけるカップリングを表す。

図１１、１２は、比較例に係る高周波カプラ１１０のカップリング（ＣＰＬ））の周波数特性の一例を表したグラフである。図１１，１２はそれぞれ、図９，１０に対応し、入力端子Ｐ１，Ｐ３におけるカップリングを表す。

図９、１０から示されるように、高周波カプラ１０での入力端子Ｐ１、Ｐ３それぞれについて、おおむね特性が単調に変化している（特性の凹みがおおむね生じない）。入力端子Ｐ３では周波数２．７ＧＨｚ付近で特性（信号強度比Ｗ６／Ｗ３）の凹みが多少生じているが、入力端子Ｐ３に入力する信号の周波数５．０ＧＨｚとズレがあるので特に問題とはならない。図１１，１２に示されるように、比較例に係る高周波カプラ１１０では入力端子Ｐ１、Ｐ３のいずれについても周波数２．４ＧＨｚと５．０ＧＨｚとの間で信号強度比が単調に増加している。

高周波カプラ１０では入力端子Ｐ１で周波数２．４ＧＨｚおよび入力端子Ｐ３で周波数５．０ＧＨｚそれぞれにおいて、信号強度比Ｗ６／Ｗ１，Ｗ６／Ｗ３が−２０ｄＢおよび−２２ｄＢである。これに対して、高周波カプラ１１０では入力端子Ｐ１で周波数２．４ＧＨｚおよび入力端子Ｐ３で周波数５．０ＧＨｚそれぞれにおいて、信号強度比Ｗ６／Ｗ１，Ｗ６／Ｗ３が−２１ｄＢおよび−２１ｄＢである。即ち、高周波カプラ１０と高周波カプラ１１０とは、２．４ＧＨｚ（入力端子Ｐ１）と５．０ＧＨｚ（入力端子Ｐ３）でのカップリングがほぼ同様である。

以上をまとめると、インダクタＬ、キャパシタＣによって、主線路ＭＬ１、ＭＬ２双方についてアイソレーション特性にノッチを発生させ、アイソレーション特性を向上できる。この結果、終端抵抗ＲＬによる消費電力を低減することができる。このとき、主線路ＭＬ１、ＭＬ２のそれぞれに適した位置にノッチを発生させ、２つの周波数のそれぞれでアイソレーション特性を良好にすることができる。この調節はインダクタＬ、キャパシタＣの双方をパラメータとして変化させることで、より容易に行える。
しかも、この際にカップリング（結合度）が大きく変化することが無いので、モニタ信号の強度を確保することが可能となる。なお、モニタ信号の強度は、キャパシタＣ１，Ｃ２の容量を変えることで、調節することができる。

（応用例）
図１３は、高周波カプラ１０の応用例として、携帯電話機等の移動体無線機器の無線ユニットの回路構成を示す図である。
図１３に示すように、無線ユニット１００は異なる周波数の電波を送受信するために２つのデュプレクサ（ＤＵＰ）４１，４２等を有している。
デュプレクサ４１，４２はそれぞれ、アンテナ６１，６２を介して受信した電波を受信回路５１，５２側へ振り分けるとともに、送信回路３０から出力された高周波信号をアンテナ６１，６２へと送り出す。

送信回路３０では、信号源３１１，３１２からそれぞれから出力される信号をミキサ３２１，３２２で電圧制御発振器（ＶＣＯ）３３１，３３２からの高周波信号で変調される。変調された信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）３４１，３４２で不要な高周波成分および低周波分を除去した後、パワーアンプ（ＡＭＰ）３５１，３５２で電力増幅される。
パワーアンプ（ＡＭＰ）３５１，３５２からの出力はそれぞれ、高周波カプラ１０を通してローパスフィルタ（ＬＰＦ）３６１，３６２に送られて高調波成分（第２、第３高調波）を除去した後に、デュプレクサ４１，４２に出力される。

パワーアンプ（ＡＭＰ）３５１，３５２それぞれからの出力の一部が高周波カプラ１０により自動利得調整回路（ＡＰＣ）３７に振り分けられ、パワーアンプ３５１，３５２の利得が調整される。この結果、アンテナ６１，６２から放射される高周波出力が一定範囲に保たれる。
以上のように、高周波カプラ１０によって、パワーアンプ３５１，３５２からの信号出力をモニタし、それぞれを調節することができる。

なお、上記は、アンテナ６１，６２からの高周波出力の放射は、その一方のみが行われることを前提としている。即ち、電圧制御発振器３３１，３３２の一方のみが動作するか、その一方の信号が図示しないスイッチ手段によって遮断される。アンテナ６１，６２双方から高周波出力が同時に放射することを容認する場合には、例えば、高周波カプラ１０から出力される信号をフィルタリングしてパワーアンプ３５１，３５２それぞれから出力される周波数の出力に対応するように分離し、そのそれぞれに自動利得調整回路３７を対応させ、パワーアンプ３５１，３５２を制御すればよい。

本発明の一実施形態に係る高周波カプラの回路構成を表す図である。 高周波カプラの外観を表す図である。 高周波カプラを構成する基板を分離した状態を表す分解斜視図である。 比較例たる高周波カプラを構成する基板を分離した状態を表す分解斜視図である。 本発明の一実施形態に係る高周波カプラのアイソレーションの周波数特性の一例を表したグラフである。 本発明の一実施形態に係る高周波カプラのアイソレーションの周波数特性の一例を表したグラフである。 比較例に係る高周波カプラのアイソレーションの周波数特性の一例を表したグラフである。 比較例に係る高周波カプラのアイソレーションの周波数特性の一例を表したグラフである。 本発明の一実施形態に係る高周波カプラのカップリングの周波数特性の一例を表したグラフである。 本発明の一実施形態に係る高周波カプラのカップリングの周波数特性の一例を表したグラフである。 比較例に係る高周波カプラのカップリングンの周波数特性の一例を表したグラフである。 比較例に係る高周波カプラのカップリングの周波数特性を表したグラフである。 高周波カプラの応用例として、携帯電話機等の移動体無線機器の無線ユニットの回路構成を示す図である。

符号の説明

１０…高周波カプラ
２１〜２６…基板
ＭＬ１，ＭＬ２…主線路
ＳＬ…副線路
Ｃ…キャパシタ
Ｌ…インダクタ
ＲＬ…終端抵抗
２１１，２２１，２３１…平板電極
２２２…線路

Claims (2)

1. 第１、第２の主線路を有する第１の基板と、
   前記第１、第２の主線路の双方と容量結合する副線路を有する第２の基板と、
   前記副線路と電気的に接続される第１の平板電極を有する第３の基板と、
   前記第３の基板を夾んで配置される第４，第５の基板であって、前記第１の平板電極と対応して配置され、かつ互いに電気的に接続される第２，第３の平板電極をそれぞれ有する第４，第５の基板と、
   を具備することを特徴とする高周波カプラ。
2. 前記第３の基板が、前記第１の平板電極と接続された線路をさらに有する
   ことを特徴とする請求項１記載の高周波カプラ。

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