JP2002280743A

JP2002280743A - 多層配線基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2002280743A
Application number: JP2001080449A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yoshida; 貴司吉田; Michinobu Hidaka; 理伸日高; Hiroshi Hirate; 洋平手
Original assignee: Toyota Industries Corp
Current assignee: Toyota Industries Corp
Priority date: 2001-03-21
Filing date: 2001-03-21
Publication date: 2002-09-27

Abstract

(57)【要約】【課題】ビアホールと金属配線層との接続性を向上させ
ることができる多層配線基板を提供する。【解決手段】絶縁層（２０ａ、３０ａ）と、この絶縁層
の一方側に配設された第１金属配線層（１０ｂ、１０
ｃ）と、略有底円錐状のビアホール用下孔（９１ａ、９
２ａ、９３ａ）に導電材を充填して形成されたビアホー
ル（９１、９２、９３）と、このビアホールに接続され
て第１金属配線層と導通可能に絶縁層の他方側に配設さ
れる第２金属配線層２０ｂ、３０ｂと、からなり、前記
ビアホール用下孔は、アスペクト比が１以上であると共
に前記第１金属配線層側で拡径していることを特徴とす
る多層配線基板。ビアホール用下孔が第１金属配線層側
に拡径しているため、ビアホールと第１金属配線層との
接続面積が増えて、両者の接続性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電材が充填され
たビアホールにより金属配線層間が導通可能に接続され
た多層配線基板とその製造方法に関するものである。さ
らに、詳しくは、金属配線層とビアホールとの接続性を
改良した多層配線基板とその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】各種電子機器のコンパクト化の要請によ
り、半導体チップ等の高密度集積化と共に配線基板の小
型化が強く求められている。そして、少ない容積内に数
多くの配線を可能とする多層配線基板の研究・開発が進
められている。このような多層配線基板は、絶縁層を挟
んでその両側に金属配線層（銅等の金属で形成された配
線パターン）を配設して、このような絶縁層と金属配線
層とを順に積層（ビルドアップ）したものである。そし
て、各金属配線層間の導通はビアホールやスルーホール
により行われ、特に２つの金属配線層間の接続（層間接
続）は、ビアホールにより行われている。

【０００３】このビアホールには、内壁面が銅等でめっ
きされた有底筒状のものの他に、特開平７−２９７５５
１号公報等にも開示されているように、無電解めっきや
その後の電解めっきにより内部がめっき銅等の導電材で
充填された構造のものがある。導電材で充填されたビア
ホール（前記公報では、「ビアスタッド」と呼称してい
る。）は、複数のビアホールを垂直方向に連続して接続
することができるため、各金属配線層ごとにビアホール
の位置をずらす必要がなく、設計自由度が向上すると共
に基板面積の縮小化や高密度化を図れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、多層配線基
板の高密度化の要求が厳しくなるにつれ、導電材で充填
されたビアホールが使用されるのは勿論のこと、ビアホ
ール自体がより微細な形状をしていること（特に、ビア
ホール径が小さいこと）が求められるようになってきて
いる。このような微細なビアホールは、レーザ光の照射
により穿設されたビアホール用下孔に、めっき金属等を
充填して形成されることが多い。

【０００５】ここで従来のビアホール用下孔は、テーパ
角がほぼ一定の略円錐状断面（先細状断面）をしてお
り、そこに導電材を充填して形成されたビアホールもや
はり、そのビアホール用下孔の形状に沿って深さ方向に
孔径が小さくなる、先細り形状となっていた。特に、ビ
アホール用下孔の開口部の開孔径に対してビアホール用
下孔の側面部の深さ（絶縁層の厚さ）、すなわちアスペ
クト比が大きくなる程、そのような傾向が一層顕著とな
る。そして、このような形状を前提にビアホールのさら
なる微細化を進めると、ビアホールの底面部側（先端
側）に位置する金属配線層とビアホールとの間の結合面
積が小さくなり過ぎ、両者の接続性が不十分となってし
まい、多層配線基板の信頼性低下や導通不良を招くおそ
れがある。

【０００６】本発明は、このような事情に鑑みて為され
たものである。つまり、微細なビアホール、特に、高ア
スペクト比のビアホールを有する多層配線基板であって
も、ビアホールと金属配線層との接続性を確保して信頼
性を高めることができる多層配線基板を提供することを
目的とする。また、そのような多層配線基板の製造方法
を提供することを目的とする。なお、特開平１１−２６
１２２１号公報には、底面側に拡径したビアホール用下
孔（同公報では、「逆テーパーバイアホール」と呼称し
ている。）が開示されている。この公報によると、底面
側に拡径したビアホール用下孔の場合、その後に施され
るめっきの析出が不十分となり導通不良のビアホールが
形成される原因となるため、底面側に縮径したビアホー
ル用下孔（同公報では、「順テーパーバイアホール」と
呼称している。）が好ましいとしている。

【０００７】しかし、そのような底面側に拡径したビア
ホール用下孔であっても、その後に行うめっき工程を的
確に行うことにより、ビアホールと金属配線層との間で
十分な導通性を確保できる。逆に、その公報が推奨して
いるような底面側に縮径したビアホール用下孔の場合、
そのアスペクト比を高めたときに、前述の接続性が悪化
して、多層配線基板の信頼性を確保することが困難とな
る。また、その公報に記載された実施例から判ることだ
が、その公報で問題としているビアホール用下孔は、絶
縁層の厚さ７５μｍに対して孔径が１５０μｍまたは１
２０μｍ、つまり、アスペクト比が０．５または０．６
２のものである。このような低アスペクト比のビアホー
ル用下孔では、そこに形成されるビアホールと金属配線
層との間の接続性が問題とはならず、そもそも、本発明
とは前提の異なるものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者はこの
課題を解決すべく鋭意研究し、試行錯誤を重ねた結果、
高アスペクト比のビアホールを形成する場合に、そのビ
アホール用下孔の底面部側の孔径を拡径することを思い
つき、本発明の多層配線基板を完成させるに至ったもの
である。（多層配線基板）すなわち、本発明の多層配線基板は、
絶縁層と、該絶縁層の一方側に配設された第１金属配線
層と、該第１金属配線層を底面部とし該絶縁層を側面部
とし該絶縁層の他方側を開孔部とする略有底円錐状のビ
アホール用下孔に導電材を充填して形成されたビアホー
ルと、該ビアホールに接続されて該第１金属配線層と導
通可能に該絶縁層の他方側に配設される第２金属配線層
と、からなる多層配線基板において、前記ビアホール用
下孔は、前記開孔部の開孔径に対する前記側面部の深さ
の比であるアスペクト比が１以上であると共に前記底面
部の孔径が前記第１金属配線層側で拡径していることを
特徴とする。

【０００９】１以上の高アスペクト比のビアホール用下
孔であるにも拘らず、その底面部の孔径を第１金属配線
層側で拡径させたので、そこに導電材を充填して形成さ
れるビアホールと第１金属配線層との間の接続面積が増
えることとなる。よって、その両者間の接続性を確保で
き、多層配線基板の信頼性の向上を図れる。また、これ
により、ビアホールを介して第１金属配線層と第２金属
配線層との間の導通性も確保される。なお、ビアホール
用下孔の開孔部側に位置する第２金属配線層とビアホー
ルとの接続性が確保されるのは従来通りであり、言うま
でもない。ここで、アスペクト比を１以上としたのは、
アスペクト比が１未満なら、ビアホール用下孔の形状を
上述のようにする必要性が乏しいからである。そして、
アスペクト比が１．５以上、さらには２以上という高ア
スペクト比の場合に、本発明は一層有効である。

【００１０】（多層配線基板の製造方法）本発明者は、
前述のビアホール用下孔をレーザ光で穿設することを前
提に、その焦点位置を絶縁層の中間厚さ位置とすること
で前述したようなビアホール用下孔を穿設できることを
試行錯誤の末に見出し、本発明の多層配線基板の製造方
法を完成させるに至った。すなわち、本発明の多層配線
基板の製造方法は、絶縁層の一方側に形成された第１金
属配線層を底面部とし該絶縁層を側面部とし該絶縁層の
他方側を開孔部とする略有底円錐状のビアホール用下孔
を該絶縁層へのレーザ光の照射により穿設する穿設工程
と、該穿設工程により得られたビアホール用下孔に導電
材を充填してビアホールとする充填工程と、を備える多
層配線基板の製造方法において、前記穿設工程は、前記
レーザ光を構成する少なくとも一つの単波長光の焦点を
前記絶縁層の中間厚さ位置に設定してなされ、前記底面
部の孔径が前記第１金属配線層側に拡径した前記ビアホ
ール用下孔を穿設する工程であることを特徴とする。

【００１１】レーザ光を構成する少なくとも一つの単波
長光の焦点を絶縁層の中間厚さ位置に設定し穿設工程を
行うことにより、底面部の孔径が第１金属配線層側に拡
径したビアホール用下孔が得られる理由は必ずしも定か
ではないが、次のように考えることができる。従来の製
造方法でレーザ光による穿設を行う場合、レーザ光の焦
点を絶縁層の他方側（第２金属配線層が配設される側）
の表面付近に設定していた（図２参照）。このため、そ
の表面付近（開孔部付近）では、レーザ光によるエネル
ギー密度が高く、十分な加熱が行われ、所望の開孔径を
もつ孔が穿設される。しかし、その焦点位置から離れる
程、つまり、第１金属配線層のある底面部側に近づく
程、レーザ光が広がり、エネルギー密度（分布）が低下
する。このため、底面部付近では、レーザ光の極中心部
付近しか穿設に十分な加熱がなされず、第１金属配線層
のある底面部側に近づく程、穿設される孔径が小さくな
り、従来の製造方法による限り、テーパ角がほぼ一定で
先細りした略有底円錐状のビアホール用下孔が得られる
のみであった。

【００１２】本発明では、従来の固定的な考えを覆し、
レーザ光の焦点位置をその絶縁層表面から内部に入った
中間厚さ位置に設定することとした（図２参照）。この
ため、ビアホール用下孔の底面部側、つまり第１金属配
線層側でも、従来に比較して十分な加熱がなされるよう
になり、ビアホール用下孔の底面部側の孔径を拡径させ
ることができるようになったと考えられる。ここで、レ
ーザ光の焦点を設定する絶縁層の中間厚さ位置は、絶縁
層の両面間内であれば良く、絶縁層の厚さの中央付近に
限らず、より底面部側としても良い。このような中間厚
さ位置は、所望するビアホール用下孔の形状、絶縁層の
厚さ、材質、アスペクト比等または使用するレーザ光の
種類、ビーム径、出力等により適宜設定されるものであ
り、固定的なものではない。

【００１３】また、本明細書中で「底面部の孔径が拡径
している」とは、その孔径の絶対値を問題としているの
ではなく、ビアホール用下孔を全体的に観たときに、相
対的に底面部の孔径が拡径していれば十分である。ま
た、その拡径の程度は、従来のように、孔径が絶縁層の
厚さ方向に一方的に縮径していなければ良く、必ずし
も、絶縁層の中間厚さ位置から第１金属配線層側に一律
に拡径していることを必要としない。従って、ビアホー
ル用下孔が底面部以外の位置に最も拡径する部分を有
し、底面部の孔径が、その孔径とほぼ同様であったりそ
の部分の孔径よりも多少縮径する場合であっても、従来
の製造方法で形成されるビアホール用下孔と比較して、
底面部の孔径が拡径していれば、本発明の多層配線基板
としては十分である。

【００１４】また、これに関連して、本明細書中の「略
有底円錐状のビアホール用下孔」という表現は、ビアホ
ール用下孔の概略的な形状を示したものに過ぎず、その
テーパ角が一定である必要はない。例えば、途中でテー
パ角が変化したり逆テーパになったりするものでも良
い。さらには、深さ方向（絶縁層の厚さ方向）に対する
垂直断面が整った円状である必要もない。また、「アス
ペクト比」とは、前述の定義通りであるが、以降では、
ビアホール用下孔に沿って形成されたビアホールについ
ても、同様に「アスペクト比」という表現を適宜用いる
こととする。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、多層配線基板およびその製
造方法に係る実施形態を挙げ、本発明を詳細に説明す
る。（１）ビアホール用下孔ビアホール用下孔は、前述のように、導電材の充填され
たビアホールを形成するために、絶縁層に穿設された下
孔であり、第１金属配線層を底面部、絶縁層を側面部、
絶縁層の他方側を開孔部とする略有底円錐状のものであ
る。特に、本発明に係るビアホール用下孔の場合は、そ
のアスペクト比が１以上であって、第１金属配線層側に
拡径したものとなっている。

【００１６】ここで、そのビアホール用下孔の開孔径を
１００μｍ以下とするような多層配線基板の場合に、本
発明はより有効である。開孔径を１００μｍ以下とする
ような微細なビアホール用下孔に導電材を充填してビア
ホールを形成する場合、従来のビアホールでは第１金属
配線層との接続性を確保し難いが、本発明によれば、ビ
アホール用下孔がそのように微細であっても、第１金属
配線層との接続性を十分に確保できるからである特に、
その開孔径が５０μｍ以下、さらには１５〜３０μｍで
ある場合に本発明は一層有効となる。

【００１７】また、前記ビアホール用下孔は、前記絶縁
層へのレーザ光の照射により穿設されたものであると、
好適である。レーザ光の照射によりビアホール用下孔の
穿設が容易となるのは勿論、レーザ光が底面部側にある
第１金属配線層に当って反射し、その反射光が底面部周
辺の絶縁層に吸収される（図２参照）。その結果、底面
部周辺の絶縁層が粗化されたり、または、ビアホール用
下孔の穿設に続く粗化工程等で粗化され易くなったりす
る。このように底面部周辺の絶縁層の粗化が進行する
と、ビアホール用下孔に導電材、特にめっき金属を充填
してビアホールを形成する際に、いわゆるアンカー効果
によって、めっき金属等が孔径の拡径した底面部周辺に
確実に密着、充填され、ビアホールと第１金属配線層と
の間の接続性の向上を一層図れる。

【００１８】なお、このようなビアホール用下孔の底面
部側のアンカー効果は、前述した特開平１１−２６１２
２１号公報に記載されているフォトバイア法では得られ
ない効果である。従って、レーザ光を絶縁層に照射して
穿設し底面部側に拡径したビアホール用下孔に、導電材
を充填してビアホールを形成した多層配線基板は、その
ビアホール用下孔のアスペクト比に拘らず、独立した別
発明となり得るものでもある。

【００１９】（２）穿設工程穿設工程は、略有底円錐状のビアホール用下孔を絶縁層
へのレーザ光の照射により穿設する工程である。特に、
本発明に係る穿設工程では、レーザ光を構成する少なく
とも一つの単波長光の焦点を絶縁層の中間厚さ位置に設
定して為される。ところで、このような穿設工程に使用
されるレーザにも種々のものであるが、通常用いられる
レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＣＯ₂レーザおよびエキ
シマレーザを挙げることができる。

【００２０】そして、前記レーザ光が、単波長光からな
るＹＡＧレーザまたはＣＯ₂レーザであると、焦点位置
の設定が容易となり好適である。もっとも、前記レーザ
光が、収差を生じるエキシマレーザであっても良い。エ
キシマレーザとした場合、複数からなる単波長光の各焦
点を絶縁層の厚さ方向に分布（分散）させて設定するこ
とで、穿設できるビアホール用下孔の形状自由度を増す
ことが可能となる。

【００２１】（３）充填工程充填工程は、ビアホール用下孔に導電材を充填してビア
ホールとする工程である。ビアホール用下孔に充填され
る導電材として、例えば、導電ペーストやめっき銅等の
めっき金属を挙げることができる。もっとも、金属配線
層とする銅箔を銅めっきで形成する場合や銅製の金属配
線層との接続性を考慮して、ビアホール用下孔をめっき
銅で充填することが好ましい。従って、この場合の充填
工程は、（銅）めっき工程となる。めっき工程によりめ
っき金属をビアホール用下孔に充填する場合、無電解め
っき（例えば、無電解銅めっき）のみでめっき金属を充
填することも可能であるが、その析出速度を考慮して、
無電解めっきによる導体化処理後に電解めっき（例え
ば、電解銅めっき）を行うのが好ましい。

【００２２】ところで、本発明に係るビアホール用下孔
の場合、底面部側が拡径しており、特に、ビアホール用
下孔が高アスペクト比である場合やその開孔径が小径で
ある場合、内部に溜った気泡の除去やめっき液の循環等
を促進することが必要となる。気泡の除去として、例え
ば、基板への振動や衝撃の付与、高圧水による脱泡、真
空含浸、アルコール浸漬による脱泡等を行うことができ
る。また、めっき液の循環として、例えば、めっき液の
機械撹拌（プロペラ、振動攪拌）、温度調整による活性
化、散気管の使用による空気攪拌、基板面へのめっき液
噴流等を行うことができる。そして、基板の揺動や超音
波加振等により、ビアホール用下孔へのめっき金属の析
出を促進させることができる。

【００２３】

【実施例】次に、実施例を挙げて、本発明の多層配線基
板およびその製造方法について、より具体的に説明す
る。（１）本発明の実施例である多層配線基板１００を図１
に示す。この多層配線基板１００は、絶縁層１０ａの両
側に配線パターン１０ｂ、１０ｃ（第１金属配線層）の
形成されたコア層１０と、さらにその両側に絶縁層２０
ａ、３０ａと絶縁層２０ａ、３０ａの外層に形成した配
線パターン２０ｂ、３０ｂ（第２金属配線層）とからな
る第２層２０および第３層３０と、配線パターン１０ｂ
と配線パターン２０ｂとを接続するビアホール９１と、
配線パターン１０ｃと配線パターン３０ｂとを接続する
ビアホール９２、９３とからなる。

【００２４】（２）この多層配線基板１００は、以下の
ようにして製造できる。コア層１０は、市販の銅張りガ
ラスエポキシ基板（板厚０．２ｍｍ、銅箔厚０．０３ｍ
ｍ）からなり、配線パターン１０ｂ、１０ｃは、公知の
フォトエッチング法により形成した。また、第２層２０
および第３層３０の絶縁層２０ａ、３０ａは、配線パタ
ーン１０ｂ、１０ｃの上に熱硬化性樹脂（樹脂名：エポ
キシ）を４０〜５０μｍの厚さでコーティングして硬化
させたものである。ビアホール９１、９２、９３は、絶
縁層２０ａ、３０ａに開孔径約φ２０μｍのビアホール
用下孔９１ａ、９２ａ、９３ａを穿設して（穿設工
程）、そのビアホール用下孔９１ａ、９２ａ、９３ａに
銅めっきを施し、めっき銅を充填させたものである（充
填工程）。

【００２５】このときのビアホール用下孔９１ａ、９２
ａ、９３ａのアスペクト比は約２〜２．５であり、配線
パターン１０ｂ、１０ｃ（第１金属配線層）側、つまり
底面部側に拡径した形状となっている。そして、ビアホ
ール９１、９２、９３も、各ビアホール用下孔９１ａ、
９２ａ、９３ａの形状に沿った形状となっている。とこ
ろで、それらのビアホール用下孔９１ａ、９２ａ、９３
ａは、レーザ加工装置（ＣＯ２レーザ：三菱電機（株）
製：ＭＬ−６０５ＧＴＸ）を用いて穿設したものであ
る。この穿設を行うに際し、レーザの焦点を図２に示す
ように、絶縁層２０ａ（３０ａ）の中間厚さ位置に設定
した。具体的には、各絶縁層２０ａ（３０ａ）表面から
３０μｍの深さ位置を焦点として設定した。これに加
え、加工条件を、パルスエネルギ：０．２５ｍＪ、パル
ス幅：５μｓｅｃ、周波数：４０００Ｈｚ、パルス数：
４、マスク径：０．６ｍｍとした。こうして、底面部側
に拡径したビアホール用下孔９１ａ、９２ａ、９３ａが
穿設された。

【００２６】次に、ビアホール用下孔９１ａ、９２ａ、
９３ａへの銅めっきの密着性を向上させるために、多層
配線基板１００を３０体積％のＮａＯＨ水溶液中に浸漬
（８０℃×５分間）して、加工した部分から残留樹脂等
の除去、脱脂および膨潤による表面粗化を行った（下地
処理工程）。この下地処理工程の際、基板を周波数１２
０Ｈｚ、振幅０．５ｍｍで揺動させ、ビアホール用下孔
への処理液の回り込みを促進した。この後、多層配線基
板１００をめっき触媒液（アトテックジャパン社製アク
チベイタ−ネオガント８３４：３５℃）に５分間浸漬
し、ビアホール用下孔９１ａ、９２ａ、９３ａの内壁と
絶縁層２０ａ、３０ａの外表面にＰｄイオンを吸着させ
た。これに続いて、Ｐｄイオンの吸着した多層配線基板
１００をめっき触媒還元液（アトテックジャパン社製リ
デューサ−ネオガントＷＡ：３０℃）に５分間浸漬し、
Ｐｄイオンを還元したＰｄ金属（触媒）をビアホール用
下孔９１ａ、９２ａ、９３ａの内面および絶縁層２０
ａ、３０ａの外表面に付与した（触媒付与工程）。

【００２７】この多層配線基板１００を無電解銅めっき
浴中に浸漬して、ビアホール用下孔９１ａ、９２ａ、９
３ａの内面と絶縁層２０ａ、３０ａの外表面とに銅めっ
きを施して、導体化処理を行った。このとき使用した無
電解銅めっき液は硫酸銅を主成分とする８０℃の溶液で
あり、多層配線基板１００をその溶液中に３時間浸漬し
た。なお、この浸漬中にビアホール用下孔９１ａ、９２
ａ、９３ａにレーザを照射して、めっき銅の析出を促進
させた。このレーザの照射は、０．３ＷのＡｒイオンレ
ーザを３０秒間照射することとした。次に、無電解銅め
っき後に電解銅めっきを行い、ビアホール用下孔９１
ａ、９２ａ、９３ａの充填と共に配線パターン２０ｂ、
３０ｂの基になる銅箔を形成した。このとき使用した電
解銅めっき液は、めっき液１リットル中に硫酸を６０ｇ
と硫酸銅を６０ｇ含む水溶液であり、３０℃において電
流密度を２Ａ／ｄｍ２として、１時間の電解銅めっきを
行った。この電解銅めっき後に、絶縁層２０ａ、３０ａ
上に析出しためっき銅を適宜研磨等して、１０μｍの銅
箔とした。なお、めっき液の循環を促進させるために、
基板表面に７２リットル／分の流量でめっき液を流し
た。これにより、ビアホール用下孔の底まで新しいめっ
き液が回り込むようにした。

【００２８】そして、その銅箔上にフォトエッチング法
を用いて配線パターン２０ｂ、３０ｂを形成して、多層
配線基板１００を完成させた。次に、エキシマレーザを
用いて前述の穿設工程を行った場合を説明する。その以
外の工程は、前述したものと同様である。ビアホール用
下孔９１ａ、９２ａ、９３ａを、エキシマレーザ加工装
置（ＫｒＦエキシマレーザ：住友重機械工業（株）製：
ＩＵＤＥＸ８４８）を用いて穿設した。この穿設を行う
に際し、エキシマレーザを構成する単波長レーザ（波
長：２４８ｎｍ）の焦点を、前述した実施例と同様に図
２に示す中間厚さ位置に設定した。これに加え、加工条
件を、フルエンス（エネルギ密度）：１Ｊ／ｃｍ２、周
波数：２００Ｈｚ、パルス数：１５０、マスク径０．２
ｍｍとして穿設工程を行った。こうして、前述の実施例
と同様に、底面部側に拡径したビアホール用下孔９１
ａ、９２ａ、９３ａを穿設することができた。

【００２９】このような多層配線基板の製造方法は、本
発明に係る特徴部分を除いて、既に種々の方法が既に開
発されている。従って、本発明が対象とするものは、上
述した多層配線基板や製造方法に限られるものではな
い。例えば、上述した多層配線基板は、いわゆるアディ
ティブ法により製造したものであるが、サブトラクティ
ブ法により製造したものでも良い。

【００３０】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、ビアホ
ール用下孔の底面部側が拡径しているため、そこに形成
されるビアホールと底面部側にある第１金属配線層との
間の接続性が向上し、多層配線基板の信頼性が高まる。
また、これと併せて、微細なビアホールを積層すること
で、配線領域の高密度化を図れる。また、本発明の多層
配線基板の製造方法によれば、そのような多層配線基板
を確実に製造することができ、特に、微細なビアホール
用下孔の穿設が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例である多層配線基板を示した模
式断面図である。

【図２】本発明の多層配線基板の製造方法に係る穿設工
程を示めす模式図である。

【符号の説明】

１０両面銅張り絶縁基板１０ｂ、１０ｃ配線パターン（第１
金属配線層）２０ａ、３０ａ絶縁層２０ｂ、３０ｂ配線パターン（第２
金属配線層）９１、９２、９３ビアホール９１ａ、９２ａ、９３ａビアホール用下孔１００多層配線基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者平手洋愛知県刈谷市豊田町２丁目１番地株式会社豊田自動織機製作所内Ｆターム(参考） 5E346 AA06 AA35 AA43 CC04 CC09 CC32 CC55 CC57 DD03 DD25 DD32 DD44 EE33 FF04 FF07 FF15 GG01 GG15 GG17 GG18 GG22 GG27 HH07 HH25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層と、該絶縁層の一方側に配設された
第１金属配線層と、該第１金属配線層を底面部とし該絶
縁層を側面部とし該絶縁層の他方側を開孔部とする略有
底円錐状のビアホール用下孔に導電材を充填して形成さ
れたビアホールと、該ビアホールに接続されて該第１金
属配線層と導通可能に該絶縁層の他方側に配設される第
２金属配線層と、からなる多層配線基板において、前記ビアホール用下孔は、前記開孔部の開孔径に対する
前記側面部の深さの比であるアスペクト比が１以上であ
ると共に前記底面部の孔径が前記第１金属配線層側で拡
径していることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】前記開孔径は、１００μｍ以下である請求
項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】前記ビアホール用下孔は、前記絶縁層への
レーザ光の照射により穿設されたものである請求項１ま
たは２に記載の多層配線基板。
【請求項４】絶縁層の一方側に形成された第１金属配線
層を底面部とし該絶縁層を側面部とし該絶縁層の他方側
を開孔部とする略有底円錐状のビアホール用下孔を該絶
縁層へのレーザ光の照射により穿設する穿設工程と、該
穿設工程により得られたビアホール用下孔に導電材を充
填してビアホールとする充填工程と、を備える多層配線
基板の製造方法において、前記穿設工程は、前記レーザ光を構成する少なくとも一
つの単波長光の焦点を前記絶縁層の中間厚さ位置に設定
してなされ、前記底面部の孔径が前記第１金属配線層側
に拡径した前記ビアホール用下孔を穿設する工程である
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】前記レーザ光は、単波長光からなるＹＡＧ
レーザまたはＣＯ₂レーザである請求項４記載の多層配
線基板の製造方法。
【請求項６】前記レーザ光は、収差を生じるエキシマレ
ーザである請求項４記載の多層配線基板の製造方法。