JP2002279797A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

Info

Publication number
JP2002279797A
JP2002279797A JP2001075950A JP2001075950A JP2002279797A JP 2002279797 A JP2002279797 A JP 2002279797A JP 2001075950 A JP2001075950 A JP 2001075950A JP 2001075950 A JP2001075950 A JP 2001075950A JP 2002279797 A JP2002279797 A JP 2002279797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
timing
register
data
output data
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001075950A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4630478B2 (ja
Inventor
Osamu Hirabayashi
修 平林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001075950A priority Critical patent/JP4630478B2/ja
Priority to US10/077,898 priority patent/US6931565B2/en
Publication of JP2002279797A publication Critical patent/JP2002279797A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4630478B2 publication Critical patent/JP4630478B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G11C29/50012Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of timing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/48Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/1087Data input latches
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、テスタ装置の測定精度を上回るよ
うな極微小のデータ間スキュー測定を可能とし、複数の
動作サイクルにおけるワーストケースのデータ間スキュ
ーを測定することを課題とする。 【解決手段】 本発明は、2つの異なるタイミングに同
期した入力データの一致/不一致を比較判定し、判定結
果に基づくテスト結果を保持出力するタイミング判定回
路2を備えて構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部クロックに同
期して動作する半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年のマイクロプロセッサの高速化に伴
い、半導体記憶装置、とりわけキャッシュメモリとして
使用される例えばSRAMもますます高速化され、マイ
クロプロセッサとキャッシュメモリとの間での高速なデ
ータ転送はタイミング的にますます厳しいものとなって
いる。このため、記憶装置から出力されるデータに許容
されるデータ間のスキューは、極めて厳しいスペックと
なっていた。
【0003】一方、このような記憶装置の出荷時には、
テスタ装置によって試験を行っているが、近年ではこの
テスタ装置の測定精度よりもさらに厳しいスペックとな
っており、従来のテスタ装置では測定することが困難と
なっていた。
【0004】このような不具合に対する従来の解決策と
して、文献「International Test Conference 2000 Pro
ceedings pp436〜443」では、図10に示すような構成
のデータ間のスキューを測定する回路を記憶装置に搭載
することが提案されている。図10に示す構成におい
て、データ(DQ)、アドレス(A)ならびにコマンド
(CMD)は、記憶装置におけるコア部70のバッファ
回路71を介してクロック信号(CK)に同期してレジ
スタ72に取り込まれて保持され、メモリアレイ73に
与えられる。このようなデータ(及びクロック信号)
は、所定のタイミングのストローブ信号(STRB)に
基づいて同時にレジスタ80に取り込まれる。なお図1
0では、データ(DQ)は簡略して示されているが、実
際にはデータ幅は複数ビットあり、全てのデータ(D
Q)は同様にしてレジスタ80に取り込まれる。また、
これら多数のレジスタ80の値は、記憶装置に搭載され
るバウンダリスキャンテスト回路90(IEEE 11
49.1)を利用して、バウンダリスキャンチェーンか
らシリアルに外部に読み出される。すなわち、レジスタ
80に取り込まれて保持されたデータは、セレクタ91
により選択されてレジスタ92に取り込まれて保持さ
れ、レジスタ92に保持されたデータは、セレクタ91
を介して次段のレジスタ92に順次転送され、バッファ
93を介して外部に出力される。このようなスキャンテ
スト回路を備えることにより、チップ面積の増大を抑制
している。
【0005】図10に示す構成の動作タイミングチャー
トを図11に示す。図11では2つのデータDQ1,D
Q2を一例に示す。図11(a)〜(c)に示すよう
に、順次ストローブ信号をスイープし、レジスタ72に
取り込まれたデータをチェックすることによって、デー
タDQ1,DQ2間のスキューが測定できる。ストロー
ブ信号を少しずつスイープさせる際のステップは、通常
のテスタ装置でも十分小さく設定することが可能である
ので、上記のようなデータ間のスキュー測定を行うこと
が可能となる。また、クロック信号もデータと同様にレ
ジスタに取り込み保持することにより、クロック信号か
らデータが出力されるまでの時間(アクセス時間)を測
定することもできる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したような、
データ間のスキューを測定する従来の測定回路では、以
下のような不具合が生じていた。すなわち、すべてのデ
ータ、例えば図11に示すデータDQ1,DQ2のタイ
ミングは全ての動作サイクルにおいて常に一定ではな
く、各動作サイクルで若干タイミングが異なっている。
しかしながら、上述した従来の測定回路では、一度にあ
る特定の動作サイクルでのスキューしか測定できなかっ
た。従って、複数の動作サイクルに亘る実際の動作全体
で測定を行い、ワーストケースとなる場合の値を測定す
るのは極めて困難であった。
【0007】そこで、本発明は、上記に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、テスタ装置の測
定精度を上回るような極微小のデータ間スキュー測定を
可能とし、複数の動作サイクルにおけるワーストケース
のデータ間スキューを測定できる半導体記憶装置を提供
することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、課題を解決する第1の手段は、外部から供給される
クロック信号に同期して動作する同期型の半導体記憶装
置において、前記記憶装置から出力される出力データを
受けて、第1のタイミングにおける前記出力データと、
前記第1のタイミングとは異なる第2のタイミングにお
ける前記出力データとを比較し、その一致/不一致を判
定する動作を、前記クロック信号に同期した動作サイク
ル毎に繰り返し行うタイミング判定回路を具備すること
を特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態を説明する。
【0010】図1は本発明の一実施形態に係る半導体記
憶装置の概略構成を示す図である。図1において、この
実施形態の記憶装置は、記憶装置のコア部1、本発明の
特徴的な構成要素となるタイミング判定回路2、ならび
にバウンダリスキャンテスト回路3を備えて構成されて
いる。このような構成において、データ(DQ)、アド
レス(A)ならびにコマンド(CMD)は、記憶装置に
おけるコア部1のバッファ回路11を介してクロック信
号(CK)に同期してレジスタ12に取り込まれて保持
され、メモリアレイ13に与えられる。このようなデー
タ(及びクロック信号)は、同時にそれぞれ対応したタ
イミング判定回路2に与えられる。なお図1では、デー
タ(DQ)は簡略して示されているが、実際にはデータ
幅は複数ビットあり、全てのデータ(DQ)は同様にし
てタイミング判定回路2に与えられる。
【0011】タイミング判定回路2の出力は、バウンダ
リスキャンテスト回路3を利用してバウンダリスキャン
チェーンからシリアルに外部に読み出される。すなわ
ち、タイミング判定回路2の出力は、セレクタ31によ
り選択されてレジスタ32に取り込まれて保持される。
レジスタ32に保持されたデータは、セレクタ31を介
して次段のレジスタ32に順次転送され、バッファ33
を介して外部に出力される。
【0012】図2にタイミング判定回路2の詳細な構成
を示す。図2において、タイミング判定回路2は、入力
(IN)を受けるレジスタ21、排他的論理和のゲート
回路22、ゲート回路22の出力を受けるレジスタ2
3、レジスタ23の出力を受けるRS型のフリップフロ
ップ(F/F)24を備えて構成されている。タイミン
グ判定回路2には、第1のタイミングとなる第1のタイ
ミング信号(STRB1)ならびに第2のタイミングと
なる第2のタイミング信号(STRB2)が入力され
る。第1のタイミング信号はレジスタ21のラッチ信号
として与えられ、第2のタイミング信号はレジスタ23
のラッチ信号として与えられる。タイミング判定回路2
に入力されたデータ(又はクロック信号)は、第1のタ
イミング信号に同期してレジスタ21に取り込まれて保
持される。タイミング判定回路2の入力(IN)とレジ
スタ21の出力は、ゲート回路22に与えられて比較さ
れる。比較結果は第2のストローブ信号に同期してレジ
スタ23に取り込まれて保持される。レジスタ23の出
力は、F/F24に入力される。F/F24は電源投入
時にリセット状態となり、レジスタ23の値が一度でも
所定の状態になるとセットされて出力(Q)が反転す
る。
【0013】記憶装置に与えられるデータ(DQ)の出
力波形における、クロック信号(CK)に同期して複数
サイクルに亘り積算した様子は、例えば図3に示すよう
に表される。図3において、データのレベルが変化する
データの遷移点には、ばらつきが生じてある広がりが存
在する。そこで、クロック信号の立ち上がりからデータ
が確定するまでの時間で最も遅いケースの時間をバリッ
ド(Valid)時間とし、クロック信号の立ち上がりから
データが不確定になるまでの時間で最も早いケースの時
間をインバリッド(Invalid)時間とし、上記タイミン
グ判定回路2において、バリッド時間ならびにインバリ
ッド時間の双方を測定する動作を説明する。
【0014】まず、バリッド時間のスキュー測定につい
て、図4のタイミングチャートを参照して説明する。バ
リッド時間を測定する場合には、確実にデータが確定し
ているタイミングに第2のストローブ信号を固定する。
一方、第1のストローブ信号は測定毎にタイミングをシ
フトし、データの遷移点を横切るようにスイープさせ
る。このようなタイミングに対して、タイミング判定回
路2では、第1のストローブ信号のタイミングでレジス
タ21に取り込まれて保持されたデータと、第2のスト
ローブ信号のタイミングのデータがゲート回路22で比
較されて、両者が一致しているか否かが判定される。第
2のストローブ信号のタイミングでは、確実にデータが
確定しているので、第1のストローブ信号のタイミング
において、第2のストローブ信号のタイミングと同じデ
ータ(すなわち正しいデータ)が出力されているか否か
が判定されていることと同じである。したがって、正し
いデータが出力されず比較された両者のデータが不一致
の場合には、フェール(図4にNGで示す)となり、フ
ェール(FAIL)信号がハイレベルとなる。ハイレベルの
フェール信号はF/F24に入力され、フェール信号が
一度でもハイレベルになると、F/F24がセット状態
となり、フェールの測定結果がF/F24から出力され
て、バリッド時間の測定テストにおけるトータルのテス
ト結果が判定されることになる。このような測定を、第
1のストローブ信号を少しずつスイープしながら繰り返
し行い、それぞれのデータの判定結果を調べることによ
り、それぞれのデータ間でのバリッド時間のスキューを
測定することが可能となる。
【0015】次に、インバリッド時間のスキュー測定に
ついて、図5のタイミングチャートを参照して説明す
る。インバリッド時間を測定する場合には、確実にデー
タが確定しているタイミングに第1のストローブ信号を
固定する。一方、第2のストローブ信号は測定毎にタイ
ミングをシフトし、データの遷移点を横切るようにスイ
ープさせる。このようなタイミングに対して、タイミン
グ判定回路2では、第1のストローブ信号のタイミング
でレジスタ21に取り込まれて保持されたデータと、第
2のストローブ信号のタイミングのデータがゲート回路
22で比較されて、両者が一致しているか否かが判定さ
れる。第1のストローブ信号のタイミングでは、確実に
データが確定しているので、第2のストローブ信号のタ
イミングにおいて、第1のストローブ信号のタイミング
と同じデータ(すなわち正しいデータ)が出力されてい
るか否かが判定されていることと同じである。したがっ
て、正しいデータが出力されず比較された両者のデータ
が不一致の場合には、フェール(図5にNGで示す)と
なり、フェール(FAIL)信号がハイレベルとなる。ハイ
レベルのフェール信号はF/F24に入力され、フェー
ル信号が一度でもハイレベルになると、F/F24がセ
ット状態となり、フェールの測定結果がF/F24から
出力されて、インバリッド時間の測定テストにおけるト
ータルのテスト結果が判定されることになる。このよう
な測定を、第2のストローブ信号を少しずつスイープし
ながら繰り返し行い、それぞれのデータの判定結果を調
べることにより、それぞれのデータ間でのインバリッド
時間のスキューを測定することが可能となる。
【0016】このように、上記実施形態においては、テ
スタ装置の測定精度を上回るような極微小のデータ間ス
キューの測定が可能となる。また、第1及び第2のスト
ローブ信号の2つのタイミングにより各サイクルでのデ
ータのタイミングを常にタイミング判定回路2において
判定し、測定のトータルの結果を出力しているので、複
数サイクル中でのデータ間スキューのワースト値を測定
することができる。
【0017】図6はタイミング判定回路2の他の実施形
態に係る構成を示す図である。図6において、この実施
形態のタイミング判定回路2は、入力(IN)を受けて
第1のストローブ信号(STRB1)に同期して取り込
み保持するレジスタ25と、入力(IN)を受けて第2
のストローブ信号(STRB2)に同期して取り込み保
持するレジスタ26と、レジスタ25、26の出力を受
ける排他的論理和のゲート回路27と、第2のストロー
ブ信号を遅延する遅延回路(Delay )28と、ゲート回
路27の出力を受けて遅延回路28の出力に同期して取
り込み保持するレジスタ29と、レジスタ29の出力を
受けるRS型のフリップフロップ(F/F)30を備え
て構成されている。このような構成の特徴とするところ
は、第1及び第2のストローブ信号のタイミングは、先
の実施形態と同様のタイミングとし、先の実施形態に比
べて、ゲート回路27で比較するデータを一旦レジスタ
25,26に取り込み保持する構成を採用しており、測
定動作は先の実施形態と同様である。
【0018】図1に示す実施形態では、インバリッド時
間の測定において、第2のストローブ信号に同期してゲ
ート回路22の出力を取り込み保持する構成を採用して
いるので、それぞれのデータに対応したゲート回路22
に、製造上のスピードのばらつきがあると、同一条件に
おいてそれぞれのデータのインバリッド時間を測定する
ことができなくなり、測定精度を損なうおそれがあっ
た。これに対して、図6に示すこの実施形態の構成で
は、ゲート回路22で比較する双方のデータをレジスタ
25、26に保持しているので、ゲート回路27のスピ
ードのばらつきの影響を受けることなく測定を実施する
ことが可能となる。
【0019】図7はタイミング判定回路の更に他の実施
形態に係る構成を示す図であり、図8は図7に示す構成
におけるバリッド時間の測定時の動作タイミングチャー
トを示す図であり、図9は図7に示す構成におけるイン
バリッド時間の測定時の動作タイミングチャートを示す
図である。
【0020】この実施形態の特徴とするところは、図6
に示す実施形態に比べて、図6のレジスタ25をストロ
ーブ信号(STRB)の立ち上がりエッジに同期したレ
ジスタ41に代え、図6に示すレジスタ26をストロー
ブ信号の立ち下がりエッジに同期したレジスタ42に代
え、図6の遅延回路28をストローブ信号を遅延する遅
延回路43とし、図6のレジスタ29を遅延回路43の
出力の立ち下がりエッジ、すなわち遅延されたストロー
ブ信号の立ち下がりエッジに同期したレジスタ44に代
え、ストローブ信号の立ち上がりエッジを前述した第1
のストローブ信号と同等に機能するものとし、ストロー
ブ信号の立ち下がりエッジを前述した第2のストローブ
信号と同等に機能するものとし、図8ならびに図9に示
すように、1つのストローブ信号で図6に示す実施形態
と同様の測定動作を実現したことにある。したがって、
このような実施形態においては、図6に示す実施形態に
比べて、構成を大型化ならびに複雑化することなく、ス
トローブ信号を削減して同様の効果を得ることができ
る。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
テスタ装置の測定精度を上回るような極微小のデータ間
スキューの測定が可能となる。また、1つ又は2つのタ
イミングにより各サイクルでのデータのタイミングを常
にタイミング判定回路により判定し、トータルのテスト
結果を出力するので、複数サイクル中でのデータ間スキ
ューのワースト値を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置の概
略構成を示す図である。
【図2】タイミング判定回路の構成を示す図である。
【図3】データの遷移点のばらつきの様子を示す図であ
る。
【図4】バリッド時間の測定時のタイミングチャートを
示す図である。
【図5】インバリッド時間の測定時のタイミングチャー
トを示す図である。
【図6】タイミング判定回路の他の構成を示す図であ
る。
【図7】タイミング判定回路の他の構成を示す図であ
る。
【図8】図7に示す構成におけるバリッド時間の測定時
のタイミングチャートを示す図である。
【図9】図7に示す構成におけるインバリッド時間の測
定時のタイミングチャートを示す図である。
【図10】従来のデータ間スキュー測定回路を有する半
導体記憶装置の構成を示す図である。
【図11】図10に示す半導体記憶装置の動作タイミン
グチャートを示す図である。
【符号の説明】
1 記憶装置のコア部 2 タイミング判定回路 3 バウンダリスキャンテスト回路 11,33 バッファ 12,21,23,25,26,29,32,41,4
2,44 レジスタ 13 メモリアレイ 31 セレクタ 22,27 ゲート回路 24,30 フリップフロップ 28,43 遅延回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11C 11/34 341D

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部から供給されるクロック信号に同期
    して動作する同期型の半導体記憶装置において、 前記記憶装置から出力される出力データを受けて、第1
    のタイミングにおける前記出力データと、前記第1のタ
    イミングとは異なる第2のタイミングにおける前記出力
    データとを比較し、その一致/不一致を判定する動作
    を、前記クロック信号に同期した動作サイクル毎に繰り
    返し行うタイミング判定回路を具備することを特徴とす
    る半導体記憶装置。
  2. 【請求項2】 前記タイミング判定回路は、前記第1の
    タイミングにおける前記出力データと、前記第2のタイ
    ミングにおける前記出力データとが一度でも不一致と判
    定された場合には、不一致の判定結果を出力することを
    特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
  3. 【請求項3】 前記タイミング判定回路は、 前記第1のタイミングに同期して前記出力データを取り
    込み保持する第1のレジスタと、 前記第1のレジスタに保持された前記出力データと、前
    記記憶装置に与えられる前記出力データとを比較する論
    理ゲートと、 前記論理ゲートの出力を、前記第2のタイミングに同期
    して取り込み保持する第2のレジスタと、 前記第2のレジスタの出力を受けてセットされ、不一致
    の判定結果を保持出力するフリップフロップ回路と、 を具備することを特徴とする請求項1又は2記載の半導
    体記憶装置。
  4. 【請求項4】 前記タイミング判定回路は、 前記第1のタイミングに同期して前記出力データを取り
    込み保持する第1のレジスタと、 前記第2のタイミングに同期して前記出力データを取り
    込み保持する第2のレジスタと、 前記第2のタイミングを遅延して第3のタイミングを出
    力する遅延回路と、 前記第1のレジスタに保持された前記出力データと、前
    記第2のレジスタに保持された前記出力データとを比較
    する論理ゲートと、 前記論理ゲートの出力を、前記第3のタイミングに同期
    して取り込み保持する第3のレジスタと、 前記第3のレジスタの出力を受けてセットされ、不一致
    の判定結果を保持出力するフリップフロップ回路と、 を具備することを特徴とする請求項1又は2記載の半導
    体記憶装置。
  5. 【請求項5】 前記第1のタイミングは、出力データが
    確定しているタイミングに設定され、前記第2のタイミ
    ングを動作サイクル毎に変えることを特徴とする請求項
    1乃至4記載の半導体記憶装置。
  6. 【請求項6】 前記第2のタイミングは、出力データが
    確定しているタイミングに設定され、前記第1のタイミ
    ングを動作サイクル毎に変えることを特徴とする請求項
    1乃至4記載の半導体記憶装置。
  7. 【請求項7】 前記出力データに代えて前記クロック信
    号を受ける前記タイミング判定回路を具備することを特
    徴とする請求項1乃至6記載の半導体記憶装置。
  8. 【請求項8】 前記タイミング判定回路は、その判定結
    果がバウンダリスキャンテスト回路のシフトレジスタに
    出力されることを特徴とする請求項1乃至7記載の半導
    体記憶装置。
  9. 【請求項9】 前記第1のタイミングは、タイミング信
    号の立ち上がり又は立ち下がりエッジにより生成され、
    前記第2のタイミングは、前記タイミング信号の立ち下
    がり又は立ち上がりエッジにより生成されることを特徴
    とする請求項1乃至8記載の半導体記憶装置。
JP2001075950A 2001-03-16 2001-03-16 半導体記憶装置 Expired - Fee Related JP4630478B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001075950A JP4630478B2 (ja) 2001-03-16 2001-03-16 半導体記憶装置
US10/077,898 US6931565B2 (en) 2001-03-16 2002-02-20 Semiconductor memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001075950A JP4630478B2 (ja) 2001-03-16 2001-03-16 半導体記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002279797A true JP2002279797A (ja) 2002-09-27
JP4630478B2 JP4630478B2 (ja) 2011-02-09

Family

ID=18932958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001075950A Expired - Fee Related JP4630478B2 (ja) 2001-03-16 2001-03-16 半導体記憶装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6931565B2 (ja)
JP (1) JP4630478B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008159149A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Oki Electric Ind Co Ltd テスト回路

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8650470B2 (en) 2003-03-20 2014-02-11 Arm Limited Error recovery within integrated circuit
US8185812B2 (en) * 2003-03-20 2012-05-22 Arm Limited Single event upset error detection within an integrated circuit
FR2869430A1 (fr) * 2004-04-27 2005-10-28 St Microelectronics Sa Controle de l'execution d'un algorithme par un circuit integre
US20060205455A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Rehco, Llc Interactive controller with an integrated display and interface to a second controller with stand-alone display
US8171386B2 (en) * 2008-03-27 2012-05-01 Arm Limited Single event upset error detection within sequential storage circuitry of an integrated circuit
US8161367B2 (en) * 2008-10-07 2012-04-17 Arm Limited Correction of single event upset error within sequential storage circuitry of an integrated circuit
US8493120B2 (en) 2011-03-10 2013-07-23 Arm Limited Storage circuitry and method with increased resilience to single event upsets

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5024816B1 (ja) * 1970-02-20 1975-08-19
US4245212A (en) * 1978-03-13 1981-01-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Serial digital data decoder
DE3379192D1 (en) * 1983-12-19 1989-03-16 Itt Ind Gmbh Deutsche Correction method for symbol errors in video/teletext signals

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008159149A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Oki Electric Ind Co Ltd テスト回路

Also Published As

Publication number Publication date
US20020131308A1 (en) 2002-09-19
US6931565B2 (en) 2005-08-16
JP4630478B2 (ja) 2011-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7721174B2 (en) Full-speed BIST controller for testing embedded synchronous memories
US7292500B2 (en) Reducing read data strobe latency in a memory system
US7007215B2 (en) Test circuit capable of testing embedded memory with reliability
JP4115676B2 (ja) 半導体記憶装置
US7321525B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US6603706B1 (en) Method and apparatus for synchronization of read data in a read data synchronization circuit
JP5579979B2 (ja) 半導体装置、内部信号タイミング回路、及び遅延時間測定方法
US7573778B2 (en) Semiconductor memory device
JP2565657B2 (ja) アレイクロックジェネレータ回路
US6807116B2 (en) Semiconductor circuit device capable of accurately testing embedded memory
JP4301680B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2008293279A (ja) 信号マスキング方法、信号マスキング回路、及び、その回路を搭載した半導体集積回路
JP4630478B2 (ja) 半導体記憶装置
US11823729B2 (en) Command clock gate implementation with chip select signal training indication
JPH11297097A (ja) 半導体記憶装置
US20090303806A1 (en) Synchronous semiconductor memory device
JP2010040092A (ja) 半導体集積回路
JP3368572B2 (ja) 周期発生装置
JP2614413B2 (ja) 集積回路
JP2936807B2 (ja) 集積回路
US20240071436A1 (en) Synchronous Input Buffer Control Using a State Machine
JPH0627785B2 (ja) 半導体集積回路
JP2962238B2 (ja) 論理回路及びその試験方法
JP3165131B2 (ja) 半導体集積回路のテスト方法及びテスト回路
JP2005216353A (ja) メモリ回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050308

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070920

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071002

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071126

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100916

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees