JP2002277505A - Dc特性測定用電源装置及び半導体試験装置 - Google Patents

Dc特性測定用電源装置及び半導体試験装置

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JP2002277505A
JP2002277505A JP2001080017A JP2001080017A JP2002277505A JP 2002277505 A JP2002277505 A JP 2002277505A JP 2001080017 A JP2001080017 A JP 2001080017A JP 2001080017 A JP2001080017 A JP 2001080017A JP 2002277505 A JP2002277505 A JP 2002277505A
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load
power supply
voltage
clamp
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JP2001080017A
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Norihiko Sekiya
則彦 関屋
Kenji Obara
賢二 小原
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Advantest Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】電流制限機能を備えるDC特性測定用電源装置
において、瞬間的な負荷条件の過渡期間における過電流
量を大幅に低減可能とする。 【解決手段】DC特性測定用電源装置の出力段に備える
駆動用のバッファと負荷装置との間に直列に挿入され
て、負荷電流を検出する電流検出手段R5を具備し、電
流検出手段で検出される負荷電流検出信号を受けて、負
荷電流が所定の制限電流以上を検出したときに、負荷電
流を制限するクランプ信号を発生する電流クランプ手段
100を具備し、電流クランプ手段により演算増幅器の
入力端をクランプ制御して電流制限を行う第1のクラン
プ手段D10を具備し、電流クランプ手段によりDC特
性測定用電源装置の出力段に備える駆動用のバッファの
入力端の電圧信号をクランプして電流制限を行う第2の
クランプ手段D20を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、負荷へ流れる電
流を制限する電流制限機能を備えるDC特性測定用電源
装置に関する。特に、半導体試験装置に適用され、被試
験デバイス(DUT)へ所定の定電圧を供給する、電流
制限機能を備えるDC特性測定用電源装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体試験装置にはデバイスのDC特性
を測定するユニットとして、複数チャンネルのDC特性
測定用電源装置を備えている。例えば、DC特性測定用
電源装置の具体例としては電圧印加電流測定装置(VS
IM)がある。これは、DUTのICピンに割り込んで
所望の電圧を印加して、そのときの負荷電流を高精度に
測定できる。更に、DC特性測定時に過度な負荷電流と
ならないように電流制限機能を備えている。
【0003】図1は半導体試験装置に適用される1チャ
ンネルのDC特性測定用電源装置とDUTとの接続関係
を示す原理構成図である。ここで、半導体試験装置は公
知であり技術的に良く知られている為、本願に係る要部
を除き、その他の信号や構成要素、及びその詳細説明に
ついては省略する。
【0004】DC特性測定用電源装置とDUTのICピ
ンとの間には、例えば5メートル程度の比較的長い2芯
シールド型のステーションケーブルCB1で接続されて
いる。この長いケーブルによって、本願にとって無視す
ることの出来ない程度の等価インダクタンスLf、Ls
や、等価容量Cf、Cs、Csfを有している。尚、ス
テーションケーブルCB1は一例であって、本願におい
ては、このステーションケーブルCB1は必須構成要素
ではない。
【0005】本願に係るDC特性測定用電源装置の要部
構成要素は、図1に示すように、DAコンバータ11
と、演算増幅器A2と、電流バッファA1と、クランプ
ダイオードD10と、電流クランプ部100bと、電流
測定部用検出部220と、電流測定部200と、バッフ
ァアンプA3、A4と、抵抗R1、R2、R4と、電流
検出抵抗R5と、コンデンサC2、C3、C4とを備え
る。DC特性測定用電源装置の出力端としては、フォー
ス端F1と、センス端S1と、ガード端G1と、アース
端GND1がある。フォース端F1はフォース線路CB
fを介してDUT端へ接続されている。センス端S1は
センス線路CBsを介してDUT端若しくはDUT端の
近くに接続されている。ガード端G1はフォース線路C
Bfとセンス線路CBsを電磁シールドしているシール
ド線路CBgに接続されている。
【0006】DAコンバータ11は、外部からの設定デ
ータD11を受けて、対応する直流基準電圧V1を発生
する。これを抵抗R1とコンデンサC4を介して演算増
幅器A2の正入力端へ供給する。これに基づき、DUT
端へ供給されるDUT端電圧Vdが規定される。
【0007】演算増幅器A2は、高精度で高速の演算増
幅器であって、DUT端電圧Vdが規定された一定の直
流電圧となるように帰還制御している。即ち、DUT端
のDUT端電圧Vdが、演算増幅器A2の正入力端の基
準の入力端電圧V2と同一になるように増幅出力電圧V
4を発生する。この為には、独立したセンス専用のセン
ス線路CBsを使用し、発振することが無いように所定
の帰還時定数となる抵抗R2、R4とコンデンサC2、
C3とを介して演算増幅器A2の負入力端へ供給してい
る。尚、増幅出力電圧V4の電圧範囲としては、±20
V程度まで適用でき、DUT端での電圧発生精度は、例
えば1ミリボルト前後が要求される。
【0008】電流バッファA1は、DC特性測定用電源
装置の出力段に備える駆動用のバッファである。ここで
は1:1の電圧増幅率でバッファ出力する高電流のバッ
ファアンプであって、上記増幅出力電圧V4を受けて所
定に電流増幅したバッファ出力電圧V6を出力する。電
流検出抵抗R5は、規定以上の過電流を保護する為に、
負荷電流であるICピンへ流れる電流検出用の低抵抗、
例えば1Ωが使用され、負荷とは直列に挿入接続されて
いる。この抵抗の両端のバッファ出力電圧V6と負荷側
電圧V7を電流クランプ部100bへ供給する。
【0009】電流クランプ部100bは、負荷電流量が
所定の正負の制限電流以上になったらクランプダイオー
ドD10を能動状態に制御して、演算増幅器A2の正入
力端の入力端電圧V2を制御する。この結果として、所
定の制限電流に制限する電流クランプ機能が実現され
る。尚、演算増幅器A2の正入力端には、クランプのO
N/OFFに伴う過渡的なスパイクノイズの発生が除去
されるような容量のコンデンサC4を付与している。
【0010】クランプダイオードD10は、電流クラン
プ部100bと共に使用されて、電流制限が働くような
ときに、一方のダイオードが能動状態になる結果、演算
増幅器A2の基準の入力端電圧V2を0ボルト方向へ降
下させるものである。
【0011】ここで、電流クランプ部100bの内部原
理構成例を図2に示して説明する。本願に係る電流クラ
ンプ部100bの構成要素としては、分圧抵抗R11、
R12、R21〜R24と、演算増幅器A21、A22
とを備える。図2において、外部に備える可変バイアス
電源B1、B2は、複数チャンネルのDC特性測定用電
源装置へ、所定の制限電流値に対応するオフセット電圧
を供給する共有装置である。これら可変バイアス電源
は、外部からの設定制御により出力するオフセット負電
圧BV1と、オフセット正電圧BV2を所望に制御する
ことで、制限電流値を可変とすることができる。尚、制
限電流値が一点で良い場合には、固定のバイアス電圧を
供給する構成としても良い。一方のオフセット負電圧B
V1は、分圧抵抗R21、R22を介して演算増幅器A
21の正入力端を、相対的に負の差電圧状態にバイアス
する。他方のオフセット正電圧BV2は、分圧抵抗R2
3、R24を介して演算増幅器A22の正入力端を相対
的に正の差電圧状態にバイアスする。これによれば、第
1に、ICピンへの負荷電流が通常の状態では、各演算
増幅器A21、A22の差動の入力ではオフセット状態
にバイアスされているために、クランプダイオードD1
0は共に非能動状態にある。第2に、ICピンへの負荷
電流が過電流の状態では、差動の入力がオフセットを越
えて逆転するために、何れか一方の演算増幅器の出力状
態が反転して対応するクランプダイオードD10が能動
状態になる。この結果、図1に示す演算増幅器A2の基
準の入力端電圧V2が0ボルト方向へ降下させる結果、
電流制限機能が実現される。
【0012】図1に戻り、電流測定部用検出部220
は、負荷とは直列に挿入接続されていて、負荷電流に比
例した負荷電流検出信号220sを検出して電流測定部
200へ供給する。この内部構成の原理構成例を図3に
示す。図3では2種類のレンジ切替機能を備える例であ
る。測定用抵抗R91の抵抗値は数Ωであり、測定用抵
抗R92は数キロΩであり、これら抵抗に対してコンデ
ンサC91、C92、及びリレーS91、S92が並接
されている。但し、実際の回路はリレーのON抵抗が無
視できないので、異なる回路手段で実現されている。電
流測定部200は、負荷電流を所定の測定精度で測定す
るものである。この要素は、本願に直接関係しないの
で、詳細説明は省略する。尚、本願においては、電流測
定部200と電流測定部用検出部220とは必須構成要
素ではない。
【0013】図1に戻り、バッファアンプA3は、セン
ス線路CBsを介してDUT端電圧Vdを高インピーダ
ンスで受けて、バッファしたセンス電圧V11を出力す
る。バッファアンプA4は、上記センス電圧V11を受
けて、バッファしたガード電圧V12を出力して、シー
ルド線路CBgを駆動する。尚、本願においては、この
バッファアンプA4及びシールド線路CBgは必須構成
要素ではない。抵抗R2、R4と、コンデンサC2、C
3は、帰還ループ条件部70である。これは、演算増幅
器A2の負入力端へ帰還する帰還ループにおいて、演算
増幅器A2の一次遅れと、電流バッファA1の二次遅れ
と、ステーションケーブルCB1の位相回転、その他を
考慮して安定に帰還動作可能な帰還条件とする必要があ
る。即ち、如何なる負荷条件、例えば負荷のショート/
オープン等の過渡的な条件、においても発振しないよう
な帰還条件とし、且つDUT端電圧Vdにおけるスルー
レートが最も高速にセットリングできるような帰還条件
に抵抗値と容量値が設定されている。
【0014】次に、上記構成におけるDUT端電圧Vd
での応答特性を図6(a)と図7(a)とを参照して説
明する。ここで、接続されているDUTが出力ピンと仮
定し、その出力電圧が5vの場合とする。また、電流ク
ランプ部100bで設定されている制限電流値は0.1
Aの場合と仮定し、DUTの出力ピン、例えばDUT内
部のCMOSドライバ回路の出力端のシンク/ソース駆
動能力は制限電流値以下と規定されているものとする。
このとき、図6(a)は出力ピンCMOSドライバの駆
動が開放/短絡/開放(ハイ/ロウ/ハイ)の動作シー
ケンス例に対する電圧の応答特性である。図7(a)は
出力ピンが開放/短絡(ハイ/ロウ)の動作シーケンス
例における電圧の応答特性と、負荷電流の応答特性であ
る。
【0015】これによれば、5vの開放状態から短絡状
態へ遷移して、0v付近に安定電圧に収束するまでのセ
ットリング時間Ts1は、帰還ループに基づくスルーレ
ートとアンダーシュートとオーバーシュートとに伴っ
て、約20μ秒を要している。更に、過渡的な負荷電流
が図7A地点では、例えば3A近く流れてしまい、図7
B地点では、例えば−1A近く流れてしまう難点があ
る。即ち、帰還ループの遅れと、演算増幅器A2の一次
遅れと、電流バッファA1の二次遅れ等に伴って、過渡
的な負荷変動には応答できない結果、瞬間的な期間では
あるものの制限電流を大幅に越えた電流がICピンに流
れることとなる。DUTの出力ピンのシンク/ソース駆
動能力は制限電流値以下であるからして、数十倍にも及
ぶ過大なシンク/ソース電流となることは、DUTの出
力ピンの内部回路を劣化させる可能性があり、この点で
好ましくない。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上述説明したように従
来構成においては、瞬間的な期間ではあるものの制限電
流を大幅に越えた電流がICピンに流れることとなる。
これに伴って、DUTの出力ピンの内部回路が過電流に
対する耐性を備えるDUTの場合には支障とはならない
が、耐性を備えていない出力ピンに対しては当該内部回
路を劣化させる可能性がある。このようなDUTに対し
ては、上記DUTの出力ピンの駆動タイミングが上記不
具合とならないように考慮した、DC特性測定に係るデ
バイス試験プログラムを作成する必要となり、プログラ
ム作成上の大きな制約となってくる難点がある。更に、
前記に対応するデバイス試験プログラムを適用すると、
DUT出力の遷移前後のタイミングで、発生する電圧を
0vに制御する必要が生じ、これに伴いデバイス試験の
スループットが低下してくる難点も生じる。これらの点
からして従来技術においては、好ましくなく実用上の難
点がある。そこで、本発明が解決しようとする課題は、
電流制限機能を備えるDC特性測定用電源装置におい
て、瞬間的な負荷条件の過渡期間における過電流量を大
幅に低減可能とするDC特性測定用電源装置、及びこれ
を適用する半導体試験装置を提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】第1の解決手段を示す。
上記課題を解決するために、負荷装置(例えば被試験デ
バイス)へ所定の定電圧を供給し、負荷装置へ流れる負
荷電流を所定電流以下に電流制限する電流制限機能を備
えるDC特性測定用電源装置であって、負荷装置へ負荷
電流を供給するフォース線路CBfを具備し、負荷装置
端の電圧信号(例えばDUT端電圧Vd)を検出(セン
シング)して、DC特性測定用電源装置への帰還信号用
とする専用のセンス線路CBsを具備し、上記センス線
路CBsにより上記DC特性測定用電源装置の内部に備
える定電圧制御用の演算増幅器A2の負入力端と負荷装
置端との間に挿入されて、負荷装置端の電圧制御が安定
に制御され、且つ所定のセットリング特性となる帰還条
件(例えば帰還ループ条件部80)を具備し、上記DC
特性測定用電源装置の出力段に備える駆動用のバッファ
(例えば電流バッファA1)と負荷装置との間に直列に
挿入されて、負荷電流を検出する電流検出手段(例えば
電流検出抵抗R5)を具備し、上記電流検出手段で検出
される負荷電流検出信号220sを受けて、負荷電流が
所定の制限電流以上を検出したときに、負荷電流を制限
するクランプ信号を発生する電流クランプ手段(例えば
電流クランプ部100b)を具備し、上記電流クランプ
手段により上記演算増幅器A2の入力端をクランプ制御
して電流制限を行う第1のクランプ手段(例えばクラン
プダイオードD10)を具備し、上記電流クランプ手段
により上記DC特性測定用電源装置の出力段に備える駆
動用のバッファ(例えば電流バッファA1)の入力端の
電圧信号をクランプして電流制限を行う第2のクランプ
手段(例えばクランプダイオードD20)を具備し、以
上を具備して負荷装置の急峻な負荷電流の変動(例えば
負荷の短絡/開放や負荷のON/OFFスイッチング動
作)に対して短時間に電流制限できる、ことを特徴とす
るDC特性測定用電源装置である。上記発明によれば、
電流制限機能を備えるDC特性測定用電源装置におい
て、瞬間的な負荷条件の過渡期間における過電流量を大
幅に低減可能とするDC特性測定用電源装置が実現でき
る。
【0018】次に、第2の解決手段を示す。ここで第4
図、は、本発明に係る解決手段を示している。上記課題
を解決するために、負荷装置(例えば被試験デバイス)
へ所定の定電圧を供給し、負荷装置へ流れる負荷電流を
所定電流以下に電流制限する電流制限機能を備えるDC
特性測定用電源装置であって、負荷装置へ負荷電流を供
給するフォース線路CBfを具備し、負荷装置端の電圧
信号(例えばDUT端電圧Vd)をセンシングして、D
C特性測定用電源装置への帰還信号用とする専用のセン
ス線路CBsを具備し、外部から出力電圧の設定データ
D11を受けて、DC特性測定用電源装置から出力する
所定の定電圧となる基準の直流基準電圧V1を発生する
DAコンバータ11を具備し、負荷装置端からの電圧信
号を所定の帰還ループ条件の回路(例えば帰還ループ条
件部80)を介して受けた帰還信号V3と、上記直流基
準電圧V1とを受けて、これに基づいて負荷装置端にお
ける電圧が所定の定電圧状態に制御する演算増幅器A2
を具備し、上記演算増幅器A2の出力電圧を受けて電流
バッファしたバッファ出力電圧V6を出力する電流バッ
ファA1を具備し、上記電流バッファA1の出力端に直
列に挿入して負荷電流を検出する電流検出抵抗R5を具
備し、上記電流検出抵抗R5で検出される負荷電流検出
信号220sを受けて、負荷電流が所定の制限電流以上
を検出したときに、負荷電流を制限するクランプ信号を
発生する電流クランプ部100bを具備し、上記クラン
プ信号に基づき上記演算増幅器A2の上記直流基準電圧
V1を入力する正入力端の電圧をクランプ制御する第1
のクランプダイオードD10を具備し、上記クランプ信
号に基づき上記電流バッファA1の入力端の電圧をクラ
ンプ制御する第2のクランプダイオードD20を具備
し、以上を具備して負荷装置の急峻な負荷電流の変動
(例えば負荷の短絡/開放や負荷のON/OFFスイッ
チング動作)に対して短時間に電流制限できる、ことを
特徴とするDC特性測定用電源装置がある。
【0019】次に、第3の解決手段を示す。上述電流ク
ランプ部100bに対して負荷電流を制限する制限値を
可変設定可能とする可変バイアス電源B1、B2を外部
に備える、ことを特徴とする上述DC特性測定用電源装
置がある。
【0020】次に、第4の解決手段を示す。上述DC特
性測定用電源装置の出力端に直列に挿入して負荷装置の
負荷電流を所定に測定する負荷電流測定装置(例えば電
流測定部用検出部220と電流測定部200)を更に備
える、ことを特徴とする上述DC特性測定用電源装置が
ある。
【0021】次に、第5の解決手段を示す。上述DC特
性測定用電源装置と負荷装置との間に接続される上記フ
ォース線路CBfと上記センス線路CBsに対して、両
線路を電磁シールドしたシールドケーブル(例えばステ
ーションケーブルCB1)を適用して接続する、ことを
特徴とする上述DC特性測定用電源装置がある。
【0022】次に、第6の解決手段を示す。上述シール
ドケーブルのシールド線路CBgに対して、上記センス
線路CBsの電圧信号を受けてバッファアンプA4でバ
ッファ増幅した電圧信号を供給する構成を更に備える、
ことを特徴とする上述DC特性測定用電源装置がある。
【0023】次に、第7の解決手段を示す。上述DC特
性測定用電源装置を半導体試験装置に備える、被試験デ
バイスのICピンに接続してDC特性の試験に使用する
電圧印加電流測定装置(VSIM)に適用する、ことを
特徴とする上述半導体試験装置がある。これにより、D
C特性測定に係るデバイス試験実施時において、DUT
のICピンに接続されている出力回路部に与えるストレ
スを大幅に低減できる。
【0024】尚、本願発明手段は、所望により、上記解
決手段における各要素手段を適宜組み合わせて、実用可
能な他の構成手段としても良い。また、上記各要素に付
与されている符号は、発明の実施の形態等に示されてい
る符号に対応するものの、これに限定するものではな
く、実用可能な他の均等物を適用した構成手段としても
良い。
【0025】
【発明の実施の形態】以下に本発明を適用した実施の形
態の一例を図面を参照しながら説明する。また、以下の
実施の形態の説明内容によって特許請求の範囲を限定す
るものではないし、更に、実施の形態で説明されている
要素や接続関係が解決手段に必須であるとは限らない。
更に、実施の形態で説明されている要素や接続関係の形
容/形態は、一例でありその形容/形態内容のみに限定
するものではない。
【0026】本発明について、図4と図5と図6と図7
とを参照して以下に説明する。尚、従来構成に対応する
要素は同一符号を付し、また重複する部位の説明は省略
する。
【0027】本発明のDC特性測定用電源装置の要部構
成要素は、図4に示すように、従来構成に対して、クラ
ンプダイオードD20と、抵抗R3とを追加し、電流ク
ランプ部100と、帰還ループ条件部80とを変更して
いる。尚、その他の要素は、従来と同一であるからして
説明を要しない。
【0028】電流クランプ部100は、図5に示す原理
構成図のように、図2の原理構成図と同一とした例であ
る。但し、2つのクランプダイオードD10、D20が
駆動できるように構成する。
【0029】クランプダイオードD20は、正負の電圧
を所定にクランプするダイオードであって、電流バッフ
ァA1の入力端の入力端電圧V5が所定に電流制限され
るように制御する。抵抗R3は上記クランプダイオード
D20が能動状態のときに、増幅出力電圧V4を電圧ド
ロップさせる為の数キロΩの抵抗である。このクランプ
ダイオードD20によれば、第1に、電流クランプがか
かるときに入力端電圧V2、V5の両クランプ・コント
ロール電位をクランプダイオードD10、D20の両方
のクランプダイオードでクランプ制御することになる。
電流クランプ時には、入力端電圧V2、V5の電位を同
時にコントロールするが、クランプ制御の支配項として
は電流バッファA1の入力端電圧V5である。従って、
支配項の電流バッファA1による制御は1次遅れの制御
動作であり、この結果、高速応答させても安定動作可能
となる利点が得られる。尚、従来構成の場合では、演算
増幅器A2の入力端電圧V2を制御していたので2次遅
れ状態にあった。この為、クランプ動作時の帰還ループ
系を安定動作させる為には低速な応答特性とせざるを得
なかった。
【0030】第2に、クランプが解除された時には、や
はり、入力端電圧V2、V5のクランプ・コントロール
電位は同時に開放される。この時、入力端電圧V2は、
抵抗R1とコンデンサC4との時定数によって定まるス
ルーレートで、出力電圧が立ち上がる。この結果無用な
スパイク電圧が発生しない利点が得られる。即ち、クラ
ンプ解除時の支配項は演算増幅器A2となり安定して動
作する。もしも、入力端電圧V2がクランプダイオード
D10でクランプされていないと、演算増幅器A2の出
力が飽和状態になっている場合があり、これに伴って、
入力端電圧V5のクランプ電位を開放した瞬間にスパイ
ク状の過電圧が供給されて、DUT端電圧Vdにはスパ
イク電圧が生じてしまう。コンデンサC4とクランプダ
イオードD10とは前記スパイク電圧の発生を回避する
作用を備えている。
【0031】帰還ループ条件部80の内部構成は、コン
デンサC1を抵抗R4に並接して追加し、更に、抵抗R
1、R2、R4の抵抗値と、コンデンサC1、C2、C
3、C4の容量値を変更して帰還ループ条件を1μ秒程
度で高速応答できるように変更している。ここで、高速
な応答条件にできる理由は、上記クランプダイオードD
20を備えることに伴って、電流制限の制御動作が、電
流バッファA1による一次遅れのみで済むように改善さ
れたことに因る。これに伴って、発振等の不安定動作を
すること無く、高速に応答できるような抵抗値と容量値
とに変更することが可能となった。
【0032】これによれば、電流バッファA1の入力端
をクランプ制御することに伴って、電流バッファA1に
より一次遅れのみで済む結果、帰還条件を高速応答させ
ることが可能となる。この結果、図6(b)に示すよう
に、安定電圧に収束するまでのセットリング時間Ts2
は、高速の帰還ループが可能となることによりスルーレ
ートとアンダーシュートとオーバーシュートの期間が大
幅に時間短縮されて、例えば、約2μ秒で収束可能とな
り、優れた特性改善を計ることができる。更に、図7
(b)に示すように、過渡的な負荷電流は図7C地点で
は、例えば0.9A程度に低減され、図7D地点では、
例えば−0.3A程度に低減される結果、優れた特性改
善を計ることができる。本発明では、従来に対して時間
が約1/10であり、電流が約1/3であるからして、
時間と電流とを乗算したエネルギー量は、約1/30と
なり、大幅にDUTへ与えるストレスが低減されている
ことが判る。これら特性改善が得られることは、DUT
の出力ピンの内部回路の過大なシンク/ソース電流が大
幅に低減可能となる結果、DUTの内部回路へのストレ
スや劣化を実用的に低減できることとなる。従って、D
C特性測定用電源装置を適用してDUTのDC特性を試
験実施する場合に、より安全にデバイス試験が行えるよ
うになる。更に、試験可能なデバイスの適用品種が拡大
できる利点も得られる。
【0033】尚、本発明の技術的思想は、上述実施の形
態の具体構成例、接続形態例に限定されるものではな
い。更に、本発明の技術的思想に基づき、上述実施の形
態を適宜変形して広汎に応用してもよい。例えば、上述
実施例では、DC特性測定用電源装置の出力段の駆動用
のバッファとして、1:1の電圧増幅率でバッファ出力
する電流バッファA1とした具体例であったが、この代
わりに、所定増幅倍率で電流バッファ可能なバッファア
ンプに対しても、上述と同様にして適用することで実現
可能である。
【0034】
【発明の効果】本発明は、上述の説明内容からして、下
記に記載される効果を奏する。上述説明したように本発
明によれば、DC特性測定用電源装置の出力段の駆動用
のバッファに対して電流クランプする制御手段を追加し
て備える構成としたことにより、一次遅れのみでの電流
クランプ制御が可能となる結果、帰還ループの時定数を
高速にすることが可能となる。この結果、特に負荷の急
激な負荷変動に対して、より良好に電流制限することが
可能となる大きな利点が得られる。時間と電流とを乗算
したエネルギー量は、従来比で、例えば1/30程度に
激減できる結果、DUTへ与えるストレスが大幅に低減
されている。従って、DC特性測定用電源装置を適用し
てDUTのDC特性を試験実施する場合に、DUTの内
部回路によるシンク電流/ソース電流に対して瞬間的に
過大な電流ストレスを与えることが大幅に低減可能とな
る。また、これに伴い、DC特性測定用電源装置を適用
可能なデバイスの適用品種が拡大できる利点も得られ
る。従って、本発明の技術的効果は大であり、産業上の
経済効果も大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の、半導体試験装置に適用される1チャン
ネルのDC特性測定用電源装置とDUTとの接続関係を
示す原理構成図。
【図2】従来の、電流クランプ部の内部原理構成例。
【図3】電流測定部用検出部の内部原理構成例。
【図4】本発明の、1チャンネルのDC特性測定用電源
装置とDUTとの接続関係を示す原理構成図。
【図5】本発明の、電流クランプ部の内部原理構成例。
【図6】DUT端における電圧の応答特性例の、従来と
本発明の対比説明図。
【図7】DUT端における電圧の応答特性例と負荷電流
の応答特性例の、従来と本発明の対比説明図。
【符号の説明】
A1 電流バッファ B1,B2 可変バイアス電源 C1,C2,C3,C4,C91,C92 コンデンサ CB1 ステーションケーブル R1,R2,R3,R4 抵抗 A2,A21,A22 演算増幅器 A3,A4 バッファアンプ R5 電流検出抵抗 D10,D20 クランプダイオード 11 DAコンバータ R11,R12,R21,R22,R23,R24 分
圧抵抗 70,80 帰還ループ条件部 R91,R92 測定用抵抗 S91,S92 リレー 100,100b 電流クランプ部 200 電流測定部 220 電流測定部用検出部 CBf フォース線路 CBg シールド線路 CBs センス線路 DUT 被試験デバイス

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 負荷装置へ所定の定電圧を供給し、負荷
    装置へ流れる負荷電流を所定電流以下に電流制限する電
    流制限機能を備えるDC特性測定用電源装置であって、 負荷装置へ負荷電流を供給するフォース線路と、 負荷装置端の電圧信号を検出(センシング)して、DC
    特性測定用電源装置への帰還信号用とする専用のセンス
    線路と、 該センス線路により該DC特性測定用電源装置の内部に
    備える定電圧制御用の演算増幅器の負入力端と負荷装置
    端との間に挿入されて、負荷装置端の電圧制御が安定に
    制御され、且つ所定のセットリング特性となる帰還条件
    と、 該DC特性測定用電源装置の出力段に備える駆動用のバ
    ッファと負荷装置との間に直列に挿入されて、負荷電流
    を検出する電流検出手段と、 該電流検出手段で検出される負荷電流検出信号を受け
    て、負荷電流が所定の制限電流以上を検出したときに、
    負荷電流を制限するクランプ信号を発生する電流クラン
    プ手段と、 該電流クランプ手段により該演算増幅器の入力端をクラ
    ンプ制御して電流制限を行う第1のクランプ手段と、 該電流クランプ手段により該DC特性測定用電源装置の
    出力段に備える駆動用のバッファの入力端の電圧信号を
    クランプして電流制限を行う第2のクランプ手段と、 を具備して負荷装置の急峻な負荷電流の変動に対して短
    時間に電流制限できる、ことを特徴とするDC特性測定
    用電源装置。
  2. 【請求項2】 負荷装置へ所定の定電圧を供給し、負荷
    装置へ流れる負荷電流を所定電流以下に電流制限する電
    流制限機能を備えるDC特性測定用電源装置であって、 負荷装置へ負荷電流を供給するフォース線路と、 負荷装置端の電圧信号をセンシングして、DC特性測定
    用電源装置への帰還信号用とする専用のセンス線路と、 外部から出力電圧の設定データを受けて、DC特性測定
    用電源装置から出力する所定の定電圧となる基準の直流
    基準電圧を発生するDAコンバータと、 負荷装置端からの電圧信号を所定の帰還ループ条件の回
    路を介して受けた帰還信号と、該直流基準電圧とを受け
    て、これに基づいて負荷装置端における電圧が所定の定
    電圧状態に制御する演算増幅器と、 該演算増幅器の出力電圧を受けて電流バッファしたバッ
    ファ出力電圧を出力する電流バッファと、 該電流バッファの出力端に直列に挿入して負荷電流を検
    出する電流検出抵抗と、 該電流検出抵抗で検出される負荷電流検出信号を受け
    て、負荷電流が所定の制限電流以上を検出したときに、
    負荷電流を制限するクランプ信号を発生する電流クラン
    プ部と、 該クランプ信号に基づき該演算増幅器の該直流基準電圧
    を入力する正入力端の電圧をクランプ制御する第1のク
    ランプダイオードと、 該クランプ信号に基づき該電流バッファの入力端の電圧
    をクランプ制御する第2のクランプダイオードと、 を具備して負荷装置の急峻な負荷電流の変動に対して短
    時間に電流制限できる、ことを特徴とするDC特性測定
    用電源装置。
  3. 【請求項3】 該電流クランプ部に対して負荷電流を制
    限する制限値を可変設定可能とする可変バイアス電源を
    外部に備える、ことを特徴とする請求項2記載のDC特
    性測定用電源装置。
  4. 【請求項4】 該DC特性測定用電源装置の出力端に直
    列に挿入して負荷装置の負荷電流を所定に測定する負荷
    電流測定装置を更に備える、ことを特徴とする請求項1
    又は2記載のDC特性測定用電源装置。
  5. 【請求項5】 該DC特性測定用電源装置と負荷装置と
    の間に接続される該フォース線路と該センス線路に対し
    て、両線路を電磁シールドしたシールドケーブルを適用
    して接続する、ことを特徴とする請求項1又は2記載の
    DC特性測定用電源装置。
  6. 【請求項6】 該シールドケーブルのシールド線路に対
    して、該センス線路の電圧信号を受けてバッファ増幅し
    た電圧信号を供給する構成を更に備える、ことを特徴と
    する請求項5記載のDC特性測定用電源装置。
  7. 【請求項7】 該DC特性測定用電源装置を半導体試験
    装置に備える、被試験デバイスのICピンに接続してD
    C特性の試験に使用する電圧印加電流測定装置に適用す
    る、ことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体試験
    装置。
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