JP2002270900A - 発光ダイオード - Google Patents
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- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｔ字状の発光ダイオードをＰＣＢ上に表面実
装する場合に、発光ダイオードのベース部の上面とＰＣ
Ｂの裏面との密着性を増し、その間に塗布される半田が
確実に働くようにすると共に、ＰＣＢ上での発光ダイオ
ードの直立性を保つことである。 【解決手段】 一対の外部接続用電極３４，３５が設け
られたベース部３２ａ，３２ｂと、このベース部３２
ａ，３２ｂの略中央部から立ち上がる本体部３３とで略
Ｔ字状に形成され、前記本体部３３には発光ダイオード
素子４５が設けられ、この発光ダイオード素子４５と前
記外部接続用電極３４，３５とが電気的に接続されると
共に発光ダイオード素子４５が樹脂封止体４７によって
封止され、且つベース部３２ａ，３２ｂの上面に形成さ
れた外部接続用電極３４，３５の外側部の角に凹み部４
０ａ，４０ｂを設けた。
装する場合に、発光ダイオードのベース部の上面とＰＣ
Ｂの裏面との密着性を増し、その間に塗布される半田が
確実に働くようにすると共に、ＰＣＢ上での発光ダイオ
ードの直立性を保つことである。 【解決手段】 一対の外部接続用電極３４，３５が設け
られたベース部３２ａ，３２ｂと、このベース部３２
ａ，３２ｂの略中央部から立ち上がる本体部３３とで略
Ｔ字状に形成され、前記本体部３３には発光ダイオード
素子４５が設けられ、この発光ダイオード素子４５と前
記外部接続用電極３４，３５とが電気的に接続されると
共に発光ダイオード素子４５が樹脂封止体４７によって
封止され、且つベース部３２ａ，３２ｂの上面に形成さ
れた外部接続用電極３４，３５の外側部の角に凹み部４
０ａ，４０ｂを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードに
係り、特にＴ字状に形成された側面発光タイプの発光ダ
イオードに関するものである。
係り、特にＴ字状に形成された側面発光タイプの発光ダ
イオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯電話に代表される小型電子機
器の液晶表示では、バックライト用の光源としてチップ
型の発光ダイオードが利用されることが多い。このチッ
プ型発光ダイオード１は、例えば図１０に示したよう
に、ガラスエポキシ基板２（以下、ガラエポ基板とい
う）の上面に一対の電極３，４をパターン形成し、一方
の電極３の上に導電性接着剤（図示せず）を用いて発光
ダイオード素子６を固着すると共に、発光ダイオード素
子６の上面電極と前記他方の電極４とをボンディングワ
イヤ７で接続し、このボンディングワイヤ７及び発光ダ
イオード素子６を透明樹脂体８によって封止した構造で
あり、プリント配線基板（以下ＰＣＢという）に表面実
装されるタイプである。
器の液晶表示では、バックライト用の光源としてチップ
型の発光ダイオードが利用されることが多い。このチッ
プ型発光ダイオード１は、例えば図１０に示したよう
に、ガラスエポキシ基板２（以下、ガラエポ基板とい
う）の上面に一対の電極３，４をパターン形成し、一方
の電極３の上に導電性接着剤（図示せず）を用いて発光
ダイオード素子６を固着すると共に、発光ダイオード素
子６の上面電極と前記他方の電極４とをボンディングワ
イヤ７で接続し、このボンディングワイヤ７及び発光ダ
イオード素子６を透明樹脂体８によって封止した構造で
あり、プリント配線基板（以下ＰＣＢという）に表面実
装されるタイプである。
【０００３】上記のチップ型発光ダイオード１を液晶表
示のバックライト用の光源として利用する場合、例えば
図１１に示すように、チップ型発光ダイオード１をＰＣ
Ｂ９の裏面側に配置し、ガラエポ基板２の上記電極３，
４を半田１０で固定すると共に、ＰＣＢ９に開設した孔
１１の中にチップ型発光ダイオード１の透明樹脂体８を
差し込む方法が取られている。発光ダイオード素子６か
ら上方向に発光した光は、ＰＣＢ９の上面側に配置した
導光板１３の端部の反射面１４に当たって略直角方向に
屈折され、導光板１３内に真っ直ぐ導かれることで、液
晶表示の裏面側を照射する。
示のバックライト用の光源として利用する場合、例えば
図１１に示すように、チップ型発光ダイオード１をＰＣ
Ｂ９の裏面側に配置し、ガラエポ基板２の上記電極３，
４を半田１０で固定すると共に、ＰＣＢ９に開設した孔
１１の中にチップ型発光ダイオード１の透明樹脂体８を
差し込む方法が取られている。発光ダイオード素子６か
ら上方向に発光した光は、ＰＣＢ９の上面側に配置した
導光板１３の端部の反射面１４に当たって略直角方向に
屈折され、導光板１３内に真っ直ぐ導かれることで、液
晶表示の裏面側を照射する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
チップ型発光ダイオード１にあっては、反射面１４で直
角方向に屈曲した光だけが導光板１３内に導かれること
から、発光ダイオード素子６で発光しても有効に利用さ
れない光が多く存在すると共に、反射面１４でも光の損
失が生じてしまうといった問題があった。
チップ型発光ダイオード１にあっては、反射面１４で直
角方向に屈曲した光だけが導光板１３内に導かれること
から、発光ダイオード素子６で発光しても有効に利用さ
れない光が多く存在すると共に、反射面１４でも光の損
失が生じてしまうといった問題があった。
【０００５】そこで、本件出願人は、上記の問題を解決
するために、特願２０００−２７８０８７号において、
図１２及び図１３に示すようなＴ字状の発光ダイオード
１６を提案した。このＴ字状の発光ダイオード１６は、
左右のベース部１７ａ，１７ｂと、このベース部１７
ａ，１７ｂの中央から立ち上がる本体部１８とで略Ｔ字
状に形成され、ベース部１７ａ，１７ｂの上面をＰＣＢ
１９の裏面に固定すると共に、本体部１８をＰＣＢ１９
に設けた円孔２０から上面側に貫通させたものである。
このような構成からなる発光ダイオード１６では、発光
部２１がＰＣＢ１９の上面側で横方向に発光するので、
その発光した光をそのまま導光板１４の端部に導くこと
ができ、光損失が少なくて済むといった効果がある。
するために、特願２０００−２７８０８７号において、
図１２及び図１３に示すようなＴ字状の発光ダイオード
１６を提案した。このＴ字状の発光ダイオード１６は、
左右のベース部１７ａ，１７ｂと、このベース部１７
ａ，１７ｂの中央から立ち上がる本体部１８とで略Ｔ字
状に形成され、ベース部１７ａ，１７ｂの上面をＰＣＢ
１９の裏面に固定すると共に、本体部１８をＰＣＢ１９
に設けた円孔２０から上面側に貫通させたものである。
このような構成からなる発光ダイオード１６では、発光
部２１がＰＣＢ１９の上面側で横方向に発光するので、
その発光した光をそのまま導光板１４の端部に導くこと
ができ、光損失が少なくて済むといった効果がある。
【０００６】ところで、上記提案したＴ字状の発光ダイ
オード１６にあっては、集合回路基板上に成形した多数
の発光ダイオードの集合体をＸ，Ｙ方向にダイシングす
る工程で、ベース部１７ａ，１７ｂの上面に形成された
外部接続用電極２２ａ，２２ｂの外側部が切断面となる
ことから、該切断面に上方へ向かうバリ２３が発生して
しまう。そのために、ＰＣＢ１９に発光ダイオード１６
を実装する際、上記バリ２３がベース部１７ａ，１７ｂ
の上面とＰＣＢ１９の裏面との間の密着性を低下させて
しまい、両者の間に塗布した半田が十分に働かないおそ
れがある他、発光ダイオード１６の直立性も保たれない
おそれがあった。
オード１６にあっては、集合回路基板上に成形した多数
の発光ダイオードの集合体をＸ，Ｙ方向にダイシングす
る工程で、ベース部１７ａ，１７ｂの上面に形成された
外部接続用電極２２ａ，２２ｂの外側部が切断面となる
ことから、該切断面に上方へ向かうバリ２３が発生して
しまう。そのために、ＰＣＢ１９に発光ダイオード１６
を実装する際、上記バリ２３がベース部１７ａ，１７ｂ
の上面とＰＣＢ１９の裏面との間の密着性を低下させて
しまい、両者の間に塗布した半田が十分に働かないおそ
れがある他、発光ダイオード１６の直立性も保たれない
おそれがあった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、Ｔ字状の発光ダ
イオードをＰＣＢ上に表面実装する場合に、発光ダイオ
ードのベース部の上面とＰＣＢの裏面との密着性を増
し、その間に塗布される半田が確実に働くようにすると
共に、ＰＣＢ上での発光ダイオードの直立性を保つこと
である。
イオードをＰＣＢ上に表面実装する場合に、発光ダイオ
ードのベース部の上面とＰＣＢの裏面との密着性を増
し、その間に塗布される半田が確実に働くようにすると
共に、ＰＣＢ上での発光ダイオードの直立性を保つこと
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に係る発光ダイオードは、一対の
外部接続用電極が設けられたベース部と、このベース部
の略中央部から立ち上がる本体部とで略Ｔ字状に形成さ
れ、前記本体部には発光部が設けられ、この発光部と前
記外部接続用電極とが電気的に接続されると共に発光部
が樹脂封止され、且つベース部の上面に形成された外部
接続用電極の外側部の角を凹ませることを特徴とする。
に、本発明の請求項１に係る発光ダイオードは、一対の
外部接続用電極が設けられたベース部と、このベース部
の略中央部から立ち上がる本体部とで略Ｔ字状に形成さ
れ、前記本体部には発光部が設けられ、この発光部と前
記外部接続用電極とが電気的に接続されると共に発光部
が樹脂封止され、且つベース部の上面に形成された外部
接続用電極の外側部の角を凹ませることを特徴とする。
【０００９】この発明によれば、発光ダイオードを略Ｔ
字状に形成したので、発光ダイオードをＰＣＢの裏面側
で固定した場合でも発光ダイオードの発光部を表面側に
露出させて側面発光することができる。その結果、液晶
表示のバックライト用の光源として使用した場合には、
従来のような光の反射を利用することなく発光部で発光
した光の多くを導光板内に導けることになる。また、ベ
ース部の上面に形成した外部接続用電極の外側部の角が
凹んでいるので、ダイシング工程によって発生するバリ
の影響を受けずに済む。即ち、集合回路基板上に成形し
た多数の発光ダイオードの集合体をＸ，Ｙ方向にダイシ
ングする際、切断面に発生するバリは上記の凹みにでき
る為に、発光ダイオードのベース部の上面をＰＣＢの裏
面に固着する時にバリがＰＣＢの裏面に当たるといった
ことがなく、ベース部の上面をＰＣＢの裏面に密着させ
た状態で半田固定することができる。さらに、凹みに半
田を溜めることもできるので、発光ダイオードの固着効
果が一段と上がることにもなる。
字状に形成したので、発光ダイオードをＰＣＢの裏面側
で固定した場合でも発光ダイオードの発光部を表面側に
露出させて側面発光することができる。その結果、液晶
表示のバックライト用の光源として使用した場合には、
従来のような光の反射を利用することなく発光部で発光
した光の多くを導光板内に導けることになる。また、ベ
ース部の上面に形成した外部接続用電極の外側部の角が
凹んでいるので、ダイシング工程によって発生するバリ
の影響を受けずに済む。即ち、集合回路基板上に成形し
た多数の発光ダイオードの集合体をＸ，Ｙ方向にダイシ
ングする際、切断面に発生するバリは上記の凹みにでき
る為に、発光ダイオードのベース部の上面をＰＣＢの裏
面に固着する時にバリがＰＣＢの裏面に当たるといった
ことがなく、ベース部の上面をＰＣＢの裏面に密着させ
た状態で半田固定することができる。さらに、凹みに半
田を溜めることもできるので、発光ダイオードの固着効
果が一段と上がることにもなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図
１及び図２に示した発光ダイオードにおいて、図１はＰ
ＣＢとの関係を示す発光ダイオード全体の外観図、図２
は前記図１における発光ダイオードの正面図である。
に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図
１及び図２に示した発光ダイオードにおいて、図１はＰ
ＣＢとの関係を示す発光ダイオード全体の外観図、図２
は前記図１における発光ダイオードの正面図である。
【００１１】図１及び図２に示されるように、この実施
形態に係る発光ダイオード３０は、ガラエポ基板やＢＴ
レジン（Bismaleimide Triazine Resin）基板などを材
料とし、ＰＣＢ３１の裏面側に固着される横長のベース
部３２ａ，３２ｂと、このベース部３２ａ，３２ｂの略
中央部分から立ち上がる本体部３３とで略Ｔ字状に形成
される。ベース部３２ａ，３２ｂの上面にはそれぞれの
外部接続用電極３４，３５が全面に形成されているが、
この外部接続用電極３４，３５の外側部の角に湾曲状の
凹み部４０ａ，４０ｂが形成されている。この凹み部４
０ａ，４０ｂは発光ダイオード３０の成形工程の中で形
成され、その内面にもメッキが施されて外部接続用電極
３４，３５の一部を構成している。後述するダイシング
工程では凹み部４０ａ，４０ｂの外側端で切断されるこ
とから、該外側端に上方に向かうバリ４１が発生する。
しかし、このバリ４１の発生する位置は凹み部４０ａ，
４０ｂの最下位であることから、バリ４１が凹み部４０
ａ，４０ｂからはみ出して外部接続用電極３４，３５の
一般面まで突出することはない。なお、一方のベース部
３２ａの前面側及び裏面側には発光ダイオード３０の極
性を示すカソードマーク４２が印刷されている。
形態に係る発光ダイオード３０は、ガラエポ基板やＢＴ
レジン（Bismaleimide Triazine Resin）基板などを材
料とし、ＰＣＢ３１の裏面側に固着される横長のベース
部３２ａ，３２ｂと、このベース部３２ａ，３２ｂの略
中央部分から立ち上がる本体部３３とで略Ｔ字状に形成
される。ベース部３２ａ，３２ｂの上面にはそれぞれの
外部接続用電極３４，３５が全面に形成されているが、
この外部接続用電極３４，３５の外側部の角に湾曲状の
凹み部４０ａ，４０ｂが形成されている。この凹み部４
０ａ，４０ｂは発光ダイオード３０の成形工程の中で形
成され、その内面にもメッキが施されて外部接続用電極
３４，３５の一部を構成している。後述するダイシング
工程では凹み部４０ａ，４０ｂの外側端で切断されるこ
とから、該外側端に上方に向かうバリ４１が発生する。
しかし、このバリ４１の発生する位置は凹み部４０ａ，
４０ｂの最下位であることから、バリ４１が凹み部４０
ａ，４０ｂからはみ出して外部接続用電極３４，３５の
一般面まで突出することはない。なお、一方のベース部
３２ａの前面側及び裏面側には発光ダイオード３０の極
性を示すカソードマーク４２が印刷されている。
【００１２】一方、前記ベース部３２ａ，３２ｂの略中
央部分から立ち上がる本体部３３は直方体形状をしてお
り、その左右側面には前記外部接続用電極３４，３５か
ら連続して一体に延びる側面電極３６，３７が形成され
ている。また、左右の側面電極３６，３７からは、本体
部３３の前面側にカソード電極３８とアノード電極３９
が延びており、結果的にこれらカソード電極３８及びア
ノード電極３９が前記側面電極３６，３７を介して外部
接続用電極３４，３５にそれぞれ接続されることにな
る。
央部分から立ち上がる本体部３３は直方体形状をしてお
り、その左右側面には前記外部接続用電極３４，３５か
ら連続して一体に延びる側面電極３６，３７が形成され
ている。また、左右の側面電極３６，３７からは、本体
部３３の前面側にカソード電極３８とアノード電極３９
が延びており、結果的にこれらカソード電極３８及びア
ノード電極３９が前記側面電極３６，３７を介して外部
接続用電極３４，３５にそれぞれ接続されることにな
る。
【００１３】前記本体部３３の前面側には先に提案した
発光ダイオード（特願２０００−２７８０８７号）と同
様の発光部が形成される。即ち、前記カソード電極３８
の上面には発光ダイオード素子４５が載置され、その下
面電極が導電性接着剤（図示せず）を介して固着されて
いる。また、発光ダイオード素子４５の上面電極はアノ
ード電極３９にボンディングワイヤ４６で接続されてい
る。そのため、外部接続用電極３４，３５からカソード
電極３８及びアノード電極３９を介して発光ダイオード
素子４５に電流が供給され、発光ダイオード素子４５の
上面から全方向に向けて発光される。なお、上記発光ダ
イオード素子４５の種類や発光色は何ら限定されるもの
ではない。
発光ダイオード（特願２０００−２７８０８７号）と同
様の発光部が形成される。即ち、前記カソード電極３８
の上面には発光ダイオード素子４５が載置され、その下
面電極が導電性接着剤（図示せず）を介して固着されて
いる。また、発光ダイオード素子４５の上面電極はアノ
ード電極３９にボンディングワイヤ４６で接続されてい
る。そのため、外部接続用電極３４，３５からカソード
電極３８及びアノード電極３９を介して発光ダイオード
素子４５に電流が供給され、発光ダイオード素子４５の
上面から全方向に向けて発光される。なお、上記発光ダ
イオード素子４５の種類や発光色は何ら限定されるもの
ではない。
【００１４】前記発光ダイオード素子４５及びボンディ
ングワイヤ４６は、本体部３３の前面側に設けられた樹
脂封止体４７によって被覆されている。この樹脂封止体
４７は、本体部３３の前面側にブロック状に形成される
もので、前述の発光ダイオード素子４５及びボンディン
グワイヤ４６の他、カソード電極３８及びアノード電極
３９を被覆している。樹脂封止体４７の材料には例えば
透光性を有するエポキシ系樹脂が用いられる。
ングワイヤ４６は、本体部３３の前面側に設けられた樹
脂封止体４７によって被覆されている。この樹脂封止体
４７は、本体部３３の前面側にブロック状に形成される
もので、前述の発光ダイオード素子４５及びボンディン
グワイヤ４６の他、カソード電極３８及びアノード電極
３９を被覆している。樹脂封止体４７の材料には例えば
透光性を有するエポキシ系樹脂が用いられる。
【００１５】上記のように樹脂封止体４７によって保護
された発光ダイオード３０は、図１及び図２に示したよ
うに、ＰＣＢ３１に開設された円孔４３に本体部３３を
裏面側から貫通させ、円孔４３の裏面周縁にベース部３
２ａ，３２ｂの上面を密着させる。この時、ベース部３
２ａ，３２ｂの上面に形成された外部接続用電極３４，
３５の外側部には凹み部４０ａ，４０ｂが形成されてい
るので、仮に凹み部４０ａ，４０ｂの外側端に上方に向
かうバリ４１が発生していたとしても、バリ４１が凹み
部４０ａ，４０ｂからはみ出して上方に突出することは
ない。その結果、円孔４３の裏面にベース部３２ａ，３
２ｂの上面を隙間なくぴったりと密着させることができ
る。そして、外部接続用電極３４，３５とＰＣＢ３１の
裏面に形成されたプリント配線４９ａ，４９ｂとの間に
塗布した半田（図示せず）による両者の固着が確実とな
り、両者間で確実な導通が図られる。また、上記接着工
程ではベース部３２ａ，３２ｂの外部接続用電極３４，
３５に半田を薄く塗布し、リフロを通す時に半田を溶融
させてＰＣＢ３１の裏面に接着するので、両者は薄い半
田膜を介して固着されているだけであるが、半田が溶融
する際に凹み部４０ａ，４０ｂに半田を溜めることで、
この溜り半田５２が両者の接着に寄与して半田による固
定が確実となる。
された発光ダイオード３０は、図１及び図２に示したよ
うに、ＰＣＢ３１に開設された円孔４３に本体部３３を
裏面側から貫通させ、円孔４３の裏面周縁にベース部３
２ａ，３２ｂの上面を密着させる。この時、ベース部３
２ａ，３２ｂの上面に形成された外部接続用電極３４，
３５の外側部には凹み部４０ａ，４０ｂが形成されてい
るので、仮に凹み部４０ａ，４０ｂの外側端に上方に向
かうバリ４１が発生していたとしても、バリ４１が凹み
部４０ａ，４０ｂからはみ出して上方に突出することは
ない。その結果、円孔４３の裏面にベース部３２ａ，３
２ｂの上面を隙間なくぴったりと密着させることができ
る。そして、外部接続用電極３４，３５とＰＣＢ３１の
裏面に形成されたプリント配線４９ａ，４９ｂとの間に
塗布した半田（図示せず）による両者の固着が確実とな
り、両者間で確実な導通が図られる。また、上記接着工
程ではベース部３２ａ，３２ｂの外部接続用電極３４，
３５に半田を薄く塗布し、リフロを通す時に半田を溶融
させてＰＣＢ３１の裏面に接着するので、両者は薄い半
田膜を介して固着されているだけであるが、半田が溶融
する際に凹み部４０ａ，４０ｂに半田を溜めることで、
この溜り半田５２が両者の接着に寄与して半田による固
定が確実となる。
【００１６】上記のようにしてＰＣＢ３１に固定された
発光ダイオード３０は、発光ダイオード素子４５が横向
きの状態でＰＣＢ３１の表面に露出することになる。そ
れ故、これを液晶表示のバックライト用の光源として利
用する場合は、図３に示したように、ＰＣＢ３１の表面
側に配設された導光板５０の側端面５１の近傍に発光ダ
イオード素子４５を設定し、側端面５１に対向させる。
発光ダイオード素子４５からは強い光が横方向に向けて
発光されるが、その発光方向と導光板５０の導光方向と
が略一致するので、導光板５０の側端面５１に入射され
た光は屈曲することなく、そのまま水平方向に真っ直ぐ
に導かれる。このような方法では、導光板５０への入射
光量が増加すると共に、従来のような反射面を利用した
光の屈曲がないので、光の損失が極めて少なくなる。
発光ダイオード３０は、発光ダイオード素子４５が横向
きの状態でＰＣＢ３１の表面に露出することになる。そ
れ故、これを液晶表示のバックライト用の光源として利
用する場合は、図３に示したように、ＰＣＢ３１の表面
側に配設された導光板５０の側端面５１の近傍に発光ダ
イオード素子４５を設定し、側端面５１に対向させる。
発光ダイオード素子４５からは強い光が横方向に向けて
発光されるが、その発光方向と導光板５０の導光方向と
が略一致するので、導光板５０の側端面５１に入射され
た光は屈曲することなく、そのまま水平方向に真っ直ぐ
に導かれる。このような方法では、導光板５０への入射
光量が増加すると共に、従来のような反射面を利用した
光の屈曲がないので、光の損失が極めて少なくなる。
【００１７】次に、上記構成からなる表面実装型の発光
ダイオード３０の製造工程を説明する。図４は本発明に
係る製造方法の全工程を示したもの、図５〜図９は個々
の製造工程を順に示したものである。先ず、図４及び図
５に示したように、両面に銅箔が形成されたガラエポ基
板５３にルーター（図示せず）を用いて四角孔５４を開
設した後、この四角孔５４の短辺側の中央部に前記と同
じルーターを用いて半円状の凹み部４０を形成する（第
１工程）。高圧洗浄によって切り子除去などを行なった
後、四角孔５４の内周面に銅メッキを施し、ガラエポ基
板５３の表面側と裏面側のとの導通性を確保する。な
お、この時に凹み部４０の内周面も一緒に銅メッキが施
される（第２工程）。
ダイオード３０の製造工程を説明する。図４は本発明に
係る製造方法の全工程を示したもの、図５〜図９は個々
の製造工程を順に示したものである。先ず、図４及び図
５に示したように、両面に銅箔が形成されたガラエポ基
板５３にルーター（図示せず）を用いて四角孔５４を開
設した後、この四角孔５４の短辺側の中央部に前記と同
じルーターを用いて半円状の凹み部４０を形成する（第
１工程）。高圧洗浄によって切り子除去などを行なった
後、四角孔５４の内周面に銅メッキを施し、ガラエポ基
板５３の表面側と裏面側のとの導通性を確保する。な
お、この時に凹み部４０の内周面も一緒に銅メッキが施
される（第２工程）。
【００１８】次に、ガラエポ基板５３の両面に電極パタ
ーンのマスクとなる保護膜を被せ、図６に示すように、
エッチングによって前述の外部接続用電極３４，３５、
カソード電極３８及びアノード電極３９をパターン形成
し、多数の発光ダイオードを集合させた集合回路基板５
５を形成する（第３工程）。電極パターンはエッチング
以外に金属蒸着によっても形成することができる。
ーンのマスクとなる保護膜を被せ、図６に示すように、
エッチングによって前述の外部接続用電極３４，３５、
カソード電極３８及びアノード電極３９をパターン形成
し、多数の発光ダイオードを集合させた集合回路基板５
５を形成する（第３工程）。電極パターンはエッチング
以外に金属蒸着によっても形成することができる。
【００１９】次いで、図４及び図７に示したように、前
記形成されたカソード電極３８の上に導電性接着剤を介
して発光ダイオード素子４５を接着固定すると共に、発
光ダイオード素子４５の上面から延びるボンディングワ
イヤ４６の先端をアノード電極３９に接合する（第４工
程）。
記形成されたカソード電極３８の上に導電性接着剤を介
して発光ダイオード素子４５を接着固定すると共に、発
光ダイオード素子４５の上面から延びるボンディングワ
イヤ４６の先端をアノード電極３９に接合する（第４工
程）。
【００２０】次に、図４及び図８に示したように、前記
集合回路基板５５の上に金型５６を被せる。この金型５
６は、発光ダイオード素子４５及びボンディングワイヤ
４６の配設部分に対応して凹所５７が形成されたもので
あり、集合回路基板５５上に被せた時に外部接続用電極
３４，３５及び四角孔５４の上方を被覆する。このよう
にして被せた金型５６の凹所５７に無色透明のエポキシ
樹脂５８を充填し、発光ダイオード素子４５及びボンデ
ィングワイヤ４６を樹脂封止する。充填されたエポキシ
樹脂５８は硬化処理工程を経て硬化する（第５工程）。
集合回路基板５５の上に金型５６を被せる。この金型５
６は、発光ダイオード素子４５及びボンディングワイヤ
４６の配設部分に対応して凹所５７が形成されたもので
あり、集合回路基板５５上に被せた時に外部接続用電極
３４，３５及び四角孔５４の上方を被覆する。このよう
にして被せた金型５６の凹所５７に無色透明のエポキシ
樹脂５８を充填し、発光ダイオード素子４５及びボンデ
ィングワイヤ４６を樹脂封止する。充填されたエポキシ
樹脂５８は硬化処理工程を経て硬化する（第５工程）。
【００２１】最後の工程では、図４及び図９に示したよ
うに、先ず前記の金型５６を取り外す。この時、先の工
程で凹所５７に充填したエポキシ樹脂５８が硬化してす
だれ状の樹脂封止体４７を形成し、この樹脂封止体４７
によって発光ダイオード素子４５及びボンディングワイ
ヤ４６が封止される。次いで、集合回路基板５５上に想
定されたＸ軸（Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ）とＹ軸（Ｙ１，Ｙ
２，…Ｙｎ）方向に沿って集合回路基板５５をダイシン
グし、チップ形状の発光ダイオードごとに分割する（第
６工程）。Ｙ軸上の切断面は、上記第１工程で四角孔５
４の短辺の中央部に形成された半円状の凹み部４０の真
ん中である。上述した一連の工程を経て、図１に示した
ようなＴ字状の発光ダイオード３０が完成する。
うに、先ず前記の金型５６を取り外す。この時、先の工
程で凹所５７に充填したエポキシ樹脂５８が硬化してす
だれ状の樹脂封止体４７を形成し、この樹脂封止体４７
によって発光ダイオード素子４５及びボンディングワイ
ヤ４６が封止される。次いで、集合回路基板５５上に想
定されたＸ軸（Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ）とＹ軸（Ｙ１，Ｙ
２，…Ｙｎ）方向に沿って集合回路基板５５をダイシン
グし、チップ形状の発光ダイオードごとに分割する（第
６工程）。Ｙ軸上の切断面は、上記第１工程で四角孔５
４の短辺の中央部に形成された半円状の凹み部４０の真
ん中である。上述した一連の工程を経て、図１に示した
ようなＴ字状の発光ダイオード３０が完成する。
【００２２】なお、本発明における凹み部４０の形状
は、上記の実施形態のものに限定されないのは勿論であ
り、外部接続用電極３４，３５の外側部の角を凹ませる
形状であればよい。また、上記の実施形態では本発明の
発光ダイオード３０を液晶表示のバックライト用の光源
として利用した場合について説明したが、これ以外にも
利用できることは勿論である。
は、上記の実施形態のものに限定されないのは勿論であ
り、外部接続用電極３４，３５の外側部の角を凹ませる
形状であればよい。また、上記の実施形態では本発明の
発光ダイオード３０を液晶表示のバックライト用の光源
として利用した場合について説明したが、これ以外にも
利用できることは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＴ字
状の発光ダイオードによれば、ベース部の外側部の角を
凹ませ、ダイシング工程の際に発生するバリをこの凹み
の中に抑えてしまったので、発光ダイオードをＰＣＢに
表面実装する場合に前記のバリによる固着不良等を回避
することができる。即ち、発光ダイオードのベース部の
上面とＰＣＢの裏面との間にはバリが介在しないので両
者間の密着性が増し、その間に塗布された半田が確実に
働くようになると共に、発光ダイオードの直立性を保つ
ことができた。
状の発光ダイオードによれば、ベース部の外側部の角を
凹ませ、ダイシング工程の際に発生するバリをこの凹み
の中に抑えてしまったので、発光ダイオードをＰＣＢに
表面実装する場合に前記のバリによる固着不良等を回避
することができる。即ち、発光ダイオードのベース部の
上面とＰＣＢの裏面との間にはバリが介在しないので両
者間の密着性が増し、その間に塗布された半田が確実に
働くようになると共に、発光ダイオードの直立性を保つ
ことができた。
【図１】本発明に係る発光ダイオードの一実施形態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】上記発光ダイオードをＰＣＢに実装した時の正
面図である。
面図である。
【図３】上記図２におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であ
る。
る。
【図４】上記発光ダイオードの製造工程図である。
【図５】ガラエポ基板に四角孔と凹み部を形成する際の
工程図である。
工程図である。
【図６】ガラエポ基板上に電極パターンをエッチングし
て集合回路基板を形成する際の工程図である。
て集合回路基板を形成する際の工程図である。
【図７】集合回路基板上に発光ダイオード素子を搭載す
る際の工程図である。
る際の工程図である。
【図８】発光ダイオード素子とボンディングワイヤを樹
脂封止する際の工程図である。
脂封止する際の工程図である。
【図９】樹脂封止された集合回路基板をＸ，Ｙ軸方向に
分割する際の工程図である。
分割する際の工程図である。
【図１０】従来における発光ダイードの断面図である。
【図１１】従来の発光ダイオードをバックライト用の光
源として利用する場合の断面図である。
源として利用する場合の断面図である。
【図１２】先に提案したＴ字状発光ダイオードの斜視図
である。
である。
【図１３】Ｔ字状発光ダイオードをＰＣＢに実装したと
きの正面図である。
きの正面図である。
３０ 発光ダイオード ３１ ＰＣＢ ３２ａ，３２ｂ ベース部 ３３ 本体部 ３４，３５ 外部接続用電極 ４０ａ，４０ｂ 凹み部 ４１ バリ ４５ 発光ダイオード素子（発光部） ４７ 樹脂封止体
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の外部接続用電極が設けられたベー
ス部と、このベース部の略中央部から立ち上がる本体部
とで略Ｔ字状に形成され、前記本体部には発光部が設け
られ、この発光部と前記外部接続用電極とが電気的に接
続されると共に発光部が樹脂封止され、且つベース部の
上面に形成された外部接続用電極の外側部の角を凹ませ
ることを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001066855A JP4643843B2 (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001066855A JP4643843B2 (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270900A true JP2002270900A (ja) | 2002-09-20 |
| JP4643843B2 JP4643843B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=18925294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001066855A Expired - Fee Related JP4643843B2 (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4643843B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108786A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Luminous diode |
| JP2000196000A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Rohm Co Ltd | チップ電子部品及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-03-09 JP JP2001066855A patent/JP4643843B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|
| JP4643843B2 (ja) | 2011-03-02 |
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