JP2002100812A - 側面発光２チップ半導体発光装置 - Google Patents
側面発光２チップ半導体発光装置Info
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 側面発光２チップ半導体発光装置１０は基板
１２を含み、基板１２の一方主面１２ａにはリード１８
ａおよび１８ｂが形成され、他方主面１２ｂにはリード
１８ｃおよび１８ｄが形成される。リード１８ａおよび
リード１８ｃは、基板１２の側面１２ｃで連結され、リ
ード１８ｂおよびリード１８ｄは、側面１２ｃまで延び
て形成される。このように、ボンディングパターンを基
板１２の両面に形成するので、基板を小さくすることが
できる。また、基板１２の両面には異なる色を発光する
ＬＥＤチップ２０ａおよび２０ｂがボンディングされて
おり、外部接続電極２４ａと外部接続電極２４ｂとの間
および外部接続電極２４ａと外部接続電極２４ｃとの間
の少なくとも一方に電圧を印加することにより、選択的
に異なる色を発光することができ、また混色を発光する
ことができる。 【効果】 基板を小さくできるので、装置本体を小型化
できる。
１２を含み、基板１２の一方主面１２ａにはリード１８
ａおよび１８ｂが形成され、他方主面１２ｂにはリード
１８ｃおよび１８ｄが形成される。リード１８ａおよび
リード１８ｃは、基板１２の側面１２ｃで連結され、リ
ード１８ｂおよびリード１８ｄは、側面１２ｃまで延び
て形成される。このように、ボンディングパターンを基
板１２の両面に形成するので、基板を小さくすることが
できる。また、基板１２の両面には異なる色を発光する
ＬＥＤチップ２０ａおよび２０ｂがボンディングされて
おり、外部接続電極２４ａと外部接続電極２４ｂとの間
および外部接続電極２４ａと外部接続電極２４ｃとの間
の少なくとも一方に電圧を印加することにより、選択的
に異なる色を発光することができ、また混色を発光する
ことができる。 【効果】 基板を小さくできるので、装置本体を小型化
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は側面発光２チップ半導
体発光装置に関し、特にたとえば携帯電話機などの電子
機器に設けられるディスプレイのバックライトに適用さ
れる、側面発光２チップ半導体発光装置に関する。
体発光装置に関し、特にたとえば携帯電話機などの電子
機器に設けられるディスプレイのバックライトに適用さ
れる、側面発光２チップ半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の側面発光半導体発光装置では、１
つの半導体発光素子（ＬＥＤチップ）が基板上にボンデ
ィングされた上面発光型の半導体発光装置を横向きにし
て、側面発光型として使用していた。
つの半導体発光素子（ＬＥＤチップ）が基板上にボンデ
ィングされた上面発光型の半導体発光装置を横向きにし
て、側面発光型として使用していた。
【０００３】また、導光板を横方向から照射するエッジ
ライト式の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）バックライトに
おいて、電子機器（特に携帯電話機）では、多色化の要
請がある。
ライト式の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）バックライトに
おいて、電子機器（特に携帯電話機）では、多色化の要
請がある。
【０００４】このため、図４に示すような側面発光２チ
ップ半導体発光装置１が提案されている。この側面発光
２チップ半導体発光装置１は基板２を含み、基板２の表
面にはボンディングパターン３が設けられる。このボン
ディングパターン３には、２つの半導体発光素子（ＬＥ
Ｄチップ）４ａおよび４ｂがボンディングされている。
また、基板２には、液晶ポリマのような不透光性および
反射性を有する樹脂で形成されたリフレクタ（反射ケー
ス）５が接着される。そして、基板２と反射ケース５と
の間には、ＬＥＤチップ４ａおよび４ｂを覆うように、
エポキシ樹脂のような透光性樹脂６が充填されている。
たとえば、この側面発光２チップ半導体発光装置１で
は、異なる色のＬＥＤチップ４ａおよび４ｂをボンディ
ングすることにより、個別に発光させたり、同時に発光
させて混色を照射するようにしていた。
ップ半導体発光装置１が提案されている。この側面発光
２チップ半導体発光装置１は基板２を含み、基板２の表
面にはボンディングパターン３が設けられる。このボン
ディングパターン３には、２つの半導体発光素子（ＬＥ
Ｄチップ）４ａおよび４ｂがボンディングされている。
また、基板２には、液晶ポリマのような不透光性および
反射性を有する樹脂で形成されたリフレクタ（反射ケー
ス）５が接着される。そして、基板２と反射ケース５と
の間には、ＬＥＤチップ４ａおよび４ｂを覆うように、
エポキシ樹脂のような透光性樹脂６が充填されている。
たとえば、この側面発光２チップ半導体発光装置１で
は、異なる色のＬＥＤチップ４ａおよび４ｂをボンディ
ングすることにより、個別に発光させたり、同時に発光
させて混色を照射するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来技術
では、同一平面すなわち基板２の一方の面に２つのＬＥ
Ｄチップ４ａおよび４ｂをボンディングするため、ボン
ディングパターン３の設計上の問題で基板２を大きくす
る必要があり、装置自体が大きくなってしまっていた。
つまり、このような側面発光２チップ半導体発光装置１
を実装する電子機器が大きくなってしまい、近年の小型
化あるいは薄型化に逆行してしまっていた。
では、同一平面すなわち基板２の一方の面に２つのＬＥ
Ｄチップ４ａおよび４ｂをボンディングするため、ボン
ディングパターン３の設計上の問題で基板２を大きくす
る必要があり、装置自体が大きくなってしまっていた。
つまり、このような側面発光２チップ半導体発光装置１
を実装する電子機器が大きくなってしまい、近年の小型
化あるいは薄型化に逆行してしまっていた。
【０００６】これを回避するため、図５に示すように、
１つのＬＥＤチップをボンディングした側面発光半導体
発光装置１１ａおよび１１ｂを個別に製造し、それらを
非導電性の接着材（図示せず）で貼り合わせて、側面発
光２チップ半導体発光装置を形成することも考えられ
る。しかし、側面発光半導体装置１１ａおよび１１ｂの
それぞれは、透光性樹脂１３ａおよび１３ｂが熱硬化す
るときに収縮するため、基板１５ａおよび基板１５ｂに
固有の反りが発生してしまう。このため、貼り合わせる
のが困難であった。また、側面発光半導体発光装置１１
ａおよび１１ｂを個別に製造するため、形成された側面
発光２チップ半導体発光装置には４つの外部接続電極
（図示せず）が設けられ、この側面発光２チップ半導体
発光装置を実装する電子機器の回路基板にも４つの電極
（端子）を設ける必要もあった。
１つのＬＥＤチップをボンディングした側面発光半導体
発光装置１１ａおよび１１ｂを個別に製造し、それらを
非導電性の接着材（図示せず）で貼り合わせて、側面発
光２チップ半導体発光装置を形成することも考えられ
る。しかし、側面発光半導体装置１１ａおよび１１ｂの
それぞれは、透光性樹脂１３ａおよび１３ｂが熱硬化す
るときに収縮するため、基板１５ａおよび基板１５ｂに
固有の反りが発生してしまう。このため、貼り合わせる
のが困難であった。また、側面発光半導体発光装置１１
ａおよび１１ｂを個別に製造するため、形成された側面
発光２チップ半導体発光装置には４つの外部接続電極
（図示せず）が設けられ、この側面発光２チップ半導体
発光装置を実装する電子機器の回路基板にも４つの電極
（端子）を設ける必要もあった。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化できる、側面発光２チップ半導体発光装置を提供す
ることである。
型化できる、側面発光２チップ半導体発光装置を提供す
ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、両主面にボ
ンディングパターンを有し、かつ側面に各ボンディング
パターンと接続される外部接続電極を有する基板、基板
の一方主面にボンディングされる第１チップ、基板の他
方主面にボンディングされる第２チップ、および外部接
続電極を露出させるように基板の両主面を覆い、かつ第
１チップおよび第２チップの発光面側に開口を有する反
射ケースを備える、側面発光２チップ半導体発光装置で
ある。
ンディングパターンを有し、かつ側面に各ボンディング
パターンと接続される外部接続電極を有する基板、基板
の一方主面にボンディングされる第１チップ、基板の他
方主面にボンディングされる第２チップ、および外部接
続電極を露出させるように基板の両主面を覆い、かつ第
１チップおよび第２チップの発光面側に開口を有する反
射ケースを備える、側面発光２チップ半導体発光装置で
ある。
【０００９】
【作用】この発明の側面発光２チップ半導体発光装置で
は、基板の両主面にボンディングパターンが形成され
る。また、基板の側面には、各ボンディングパターンと
接続される外部接続電極が形成される。したがって、た
とえば、第１チップは基板の一方主面にボンディングさ
れ、第２チップは基板の他方主面にボンディングされ、
第１チップと第２チップとの一方の電極（カソード）が
コモンになっている。このように、基板の両主面にチッ
プ毎のボンディングパターンを形成するので、基板の一
方の面に２つのチップについてのボンディングパターン
を形成するよりも、基板を小さくすることができる。ま
た、この側面発光２チップ半導体発光装置では、外部接
続電極を露出し、かつ基板の両主面を覆うように、反射
ケースが基板に接着される。この反射ケースは、第１チ
ップおよび第２チップの発光面側に開口が形成される。
さらに、反射ケースと基板との間には、エポキシ樹脂の
ような透光性樹脂が充填されている。この側面発光２チ
ップ半導体発光装置では、異なる色の光を発する第１チ
ップおよび第２チップをボンディングするので、選択的
に個別に発光させることができ、また同時に発光させ混
色を発光させることができる。
は、基板の両主面にボンディングパターンが形成され
る。また、基板の側面には、各ボンディングパターンと
接続される外部接続電極が形成される。したがって、た
とえば、第１チップは基板の一方主面にボンディングさ
れ、第２チップは基板の他方主面にボンディングされ、
第１チップと第２チップとの一方の電極（カソード）が
コモンになっている。このように、基板の両主面にチッ
プ毎のボンディングパターンを形成するので、基板の一
方の面に２つのチップについてのボンディングパターン
を形成するよりも、基板を小さくすることができる。ま
た、この側面発光２チップ半導体発光装置では、外部接
続電極を露出し、かつ基板の両主面を覆うように、反射
ケースが基板に接着される。この反射ケースは、第１チ
ップおよび第２チップの発光面側に開口が形成される。
さらに、反射ケースと基板との間には、エポキシ樹脂の
ような透光性樹脂が充填されている。この側面発光２チ
ップ半導体発光装置では、異なる色の光を発する第１チ
ップおよび第２チップをボンディングするので、選択的
に個別に発光させることができ、また同時に発光させ混
色を発光させることができる。
【００１０】なお、反射ケースから露出する外部接続電
極を用いて、この側面発光２チップ半導体発光装置が電
子機器の回路基板上に接続される。
極を用いて、この側面発光２チップ半導体発光装置が電
子機器の回路基板上に接続される。
【００１１】たとえば、ボンディングパターンには、ダ
イボンディングパターンおよびワイヤボンディングパタ
ーンが含まれる。第１チップをダイボンディングするダ
イボンディングパターンと第２チップをダイボンディン
グするダイボンディングパターンとは基板の側面で連結
され、連続的に形成されている。つまり、第１チップお
よび第２チップのカソードがコモンになっている。ま
た、第１チップをワイヤボンディングするワイヤボンデ
ィングパターンおよび第２チップをワイヤボンディング
するワイヤボンディングパターンは個別に基板の側面ま
で延びて形成される。つまり、この側面発光２チップ半
導体発光装置では、ダイボンディングパターンの連結部
分と２つのワイヤボンディングパターンの延長部とによ
って、３つの外部接続電極が設けられている。したがっ
て、個別に製造した２つの側面発光半導体発光装置を貼
り合わせた場合に比べて、電極（端子）数を減らすこと
ができる。
イボンディングパターンおよびワイヤボンディングパタ
ーンが含まれる。第１チップをダイボンディングするダ
イボンディングパターンと第２チップをダイボンディン
グするダイボンディングパターンとは基板の側面で連結
され、連続的に形成されている。つまり、第１チップお
よび第２チップのカソードがコモンになっている。ま
た、第１チップをワイヤボンディングするワイヤボンデ
ィングパターンおよび第２チップをワイヤボンディング
するワイヤボンディングパターンは個別に基板の側面ま
で延びて形成される。つまり、この側面発光２チップ半
導体発光装置では、ダイボンディングパターンの連結部
分と２つのワイヤボンディングパターンの延長部とによ
って、３つの外部接続電極が設けられている。したがっ
て、個別に製造した２つの側面発光半導体発光装置を貼
り合わせた場合に比べて、電極（端子）数を減らすこと
ができる。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、基板を小さくするこ
とができるので、装置本体を小型化することができる。
また、２つの装置を貼り合わせるなどの面倒な工程が必
要でないので、簡単に製造することができる。
とができるので、装置本体を小型化することができる。
また、２つの装置を貼り合わせるなどの面倒な工程が必
要でないので、簡単に製造することができる。
【００１３】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１４】
【実施例】図１を参照して、この実施例の側面発光２チ
ップ半導体発光装置（以下、単に「発光装置」とい
う。）１０は、たとえばガラスエポキシなどで形成され
た絶縁性基板（以下、単に「基板」という。）１２を含
む。基板１２の両主面には、液晶ポリマのような不透光
性および反射性を有する樹脂で形成されたリフレクタ
（反射ケース）１４ａおよび１４ｂが設けられる。ま
た、基板１２と反射ケース１４ａとの間には、エポキシ
樹脂のような透光性樹脂１６ａが充填され、同様に、基
板１２と反射ケース１４ｂとの間には透光性樹脂１６ｂ
が充填されている。つまり、後述する半導体発光素子
（ＬＥＤチップ）２０ａおよび２０ｂが封止されてい
る。
ップ半導体発光装置（以下、単に「発光装置」とい
う。）１０は、たとえばガラスエポキシなどで形成され
た絶縁性基板（以下、単に「基板」という。）１２を含
む。基板１２の両主面には、液晶ポリマのような不透光
性および反射性を有する樹脂で形成されたリフレクタ
（反射ケース）１４ａおよび１４ｂが設けられる。ま
た、基板１２と反射ケース１４ａとの間には、エポキシ
樹脂のような透光性樹脂１６ａが充填され、同様に、基
板１２と反射ケース１４ｂとの間には透光性樹脂１６ｂ
が充填されている。つまり、後述する半導体発光素子
（ＬＥＤチップ）２０ａおよび２０ｂが封止されてい
る。
【００１５】なお、反射ケース１４ａおよび１４ｂは、
後述する外部接続電極２４ａ〜２４ｃを露出するよう
に、基板１２上に設けられる。
後述する外部接続電極２４ａ〜２４ｃを露出するよう
に、基板１２上に設けられる。
【００１６】図２（Ａ）に示すように、基板１２の一方
主面１２ａには、ボンディングパターンとしてのダイボ
ンディングパターン（リード）１８ａおよびワイヤボン
ディングパターン（リード）１８ｂが形成され、リード
１８ａにはたとえば黄緑色を発光するＬＥＤチップ２０
ａが銀ペーストのようなＤＢペースト（図示せず）でダ
イボンディングされている。また、リード１８ｂとＬＥ
Ｄチップ２０ｂとが金線のようなボンディングワイヤ２
２ａで電気的に接続されている。
主面１２ａには、ボンディングパターンとしてのダイボ
ンディングパターン（リード）１８ａおよびワイヤボン
ディングパターン（リード）１８ｂが形成され、リード
１８ａにはたとえば黄緑色を発光するＬＥＤチップ２０
ａが銀ペーストのようなＤＢペースト（図示せず）でダ
イボンディングされている。また、リード１８ｂとＬＥ
Ｄチップ２０ｂとが金線のようなボンディングワイヤ２
２ａで電気的に接続されている。
【００１７】また、図２（Ｂ）に示すように、基板１２
の他方主面１２ｂには、一方主面１２ａ側と同様に、リ
ード１８ｃおよび１８ｄが形成され、リード１８ｃには
たとえば赤色を発光するＬＥＤチップ２０ｂがＤＢペー
ストでダイボンディングされている。また、リード１８
ｂとＬＥＤチップ２０ｂとがボンディングワイヤ２２ｂ
で電気的に接続されている。
の他方主面１２ｂには、一方主面１２ａ側と同様に、リ
ード１８ｃおよび１８ｄが形成され、リード１８ｃには
たとえば赤色を発光するＬＥＤチップ２０ｂがＤＢペー
ストでダイボンディングされている。また、リード１８
ｂとＬＥＤチップ２０ｂとがボンディングワイヤ２２ｂ
で電気的に接続されている。
【００１８】さらに、図１の発光装置１０を底面図であ
る図３に示すように、リード１８ａは他方主面１２ｂに
形成されたリード１８ｃと基板１２ａの側面１２ｃを介
して連続的に形成されている。つまり、ＬＥＤチップ２
０ａおよび２０ｂがカソードコモンになっている。
る図３に示すように、リード１８ａは他方主面１２ｂに
形成されたリード１８ｃと基板１２ａの側面１２ｃを介
して連続的に形成されている。つまり、ＬＥＤチップ２
０ａおよび２０ｂがカソードコモンになっている。
【００１９】なお、図２および図３では、リード１８ａ
〜１８ｄは、厚みを設けて示しているが、実際には薄膜
状に形成される。
〜１８ｄは、厚みを設けて示しているが、実際には薄膜
状に形成される。
【００２０】また、図３では、発光装置１０内部を分か
り易く説明するために、反射ケース１４ａおよび１４ｂ
の外形を一点鎖線で示し、透光性樹脂１６ａおよび１６
ｂは省略してある。
り易く説明するために、反射ケース１４ａおよび１４ｂ
の外形を一点鎖線で示し、透光性樹脂１６ａおよび１６
ｂは省略してある。
【００２１】また、図２ (Ａ）、（Ｂ）および図３に示
す、リード１８ａとリード１８ｃとが連結される側面１
２ｃの部分（連結部）は、外部接続電極２４ａとして働
く。同様に、リード１８ｂおよびリード１８ｃのそれぞ
れは、側面１２ｃまで個別に延びて形成されており、そ
れぞれの延長部は外部接続電極２４ｂおよび２４ｃとし
て働く。
す、リード１８ａとリード１８ｃとが連結される側面１
２ｃの部分（連結部）は、外部接続電極２４ａとして働
く。同様に、リード１８ｂおよびリード１８ｃのそれぞ
れは、側面１２ｃまで個別に延びて形成されており、そ
れぞれの延長部は外部接続電極２４ｂおよび２４ｃとし
て働く。
【００２２】つまり、上述したように、外部接続電極２
４ａ〜２４ｃは、反射ケース１４ａおよび１４ｂから露
出され、かつ基板１２の側面１２ｃ（発光装置１０の底
面）に設けられており、したがって、この外部接続電極
２４ａ〜２４ｃを用いて、発光装置１０本体を携帯電話
機やマザーボードのような電子機器の回路基板（プリン
ト基板）に接続（実装）することができる。
４ａ〜２４ｃは、反射ケース１４ａおよび１４ｂから露
出され、かつ基板１２の側面１２ｃ（発光装置１０の底
面）に設けられており、したがって、この外部接続電極
２４ａ〜２４ｃを用いて、発光装置１０本体を携帯電話
機やマザーボードのような電子機器の回路基板（プリン
ト基板）に接続（実装）することができる。
【００２３】図１に戻って、この発光装置１０では、反
射ケース１４ａおよび１４ｂは一方側面に開口２６ａお
よび２６ｂを有するため、その開口２６ａおよび２６ｂ
が発光装置１０の発光面１０ａおよび１０ｂとなる。
射ケース１４ａおよび１４ｂは一方側面に開口２６ａお
よび２６ｂを有するため、その開口２６ａおよび２６ｂ
が発光装置１０の発光面１０ａおよび１０ｂとなる。
【００２４】たとえば、外部接続電極２４ａと外部接続
電極２４ｂとの間に電圧を印加すると、ＬＥＤチップ２
０ａから黄緑色の光が出射され、発光面１０ａを介して
発光装置１０の外部に照射される。また、外部接続電極
２４ａと外部接続電極２４ｃとの間に電圧を印加する
と、ＬＥＤチップ２０ｂから赤色の光が出射され、発光
面１０ｂを介して発光装置１０の外部に照射される。さ
らに、外部接続電極２４ａと外部接続電極２４ｂとの間
および外部接続電極２４ａと外部接続電極２４ｃとの間
の両方に電圧を印加すると、ＬＥＤチップ２０ａおよび
２０ｂが発光する。したがって、黄緑色の光と赤色の光
とが混ぜ合わさり、その混色の光が照射される。
電極２４ｂとの間に電圧を印加すると、ＬＥＤチップ２
０ａから黄緑色の光が出射され、発光面１０ａを介して
発光装置１０の外部に照射される。また、外部接続電極
２４ａと外部接続電極２４ｃとの間に電圧を印加する
と、ＬＥＤチップ２０ｂから赤色の光が出射され、発光
面１０ｂを介して発光装置１０の外部に照射される。さ
らに、外部接続電極２４ａと外部接続電極２４ｂとの間
および外部接続電極２４ａと外部接続電極２４ｃとの間
の両方に電圧を印加すると、ＬＥＤチップ２０ａおよび
２０ｂが発光する。したがって、黄緑色の光と赤色の光
とが混ぜ合わさり、その混色の光が照射される。
【００２５】このように、ＬＥＤチップ２０ａおよびＬ
ＥＤチップ２０ｂを選択的に発光させることにより、３
色の光を照射することができる。
ＥＤチップ２０ｂを選択的に発光させることにより、３
色の光を照射することができる。
【００２６】なお、ＬＥＤチップ２０ａおよびＬＥＤチ
ップ２０ｂから発光面１０ａまたは１０ｂ以外の方向に
出射される光は、反射ケース１４ａおよび１４ｂの内面
で反射され、発光面１０ａまたは１０ｂを介して発光装
置１０の外部に照射される。したがって、発光効率を低
下させることなく、所望の発光方向に光を照射させるこ
とができる。
ップ２０ｂから発光面１０ａまたは１０ｂ以外の方向に
出射される光は、反射ケース１４ａおよび１４ｂの内面
で反射され、発光面１０ａまたは１０ｂを介して発光装
置１０の外部に照射される。したがって、発光効率を低
下させることなく、所望の発光方向に光を照射させるこ
とができる。
【００２７】また、この実施例では、反射ケース１４ａ
および１４ｂの内面形状は特に示していないが、その内
面形状を直方体にした場合には、内面の直角部分で反射
される光にエッジが発生してしまうため、内面形状を滑
らかな曲面で形成して、均一な光を発光するのが望まし
い。たとえば、開口２６ａおよび２６ｂを半円形状に形
成し、その半円形状の径が開口２６ａおよび２６ｂ側か
らその反対面側に向かうに従って連続的に小さくなるよ
うに、反射ケース１４ａおよび１４ｂを形成すればよ
い。
および１４ｂの内面形状は特に示していないが、その内
面形状を直方体にした場合には、内面の直角部分で反射
される光にエッジが発生してしまうため、内面形状を滑
らかな曲面で形成して、均一な光を発光するのが望まし
い。たとえば、開口２６ａおよび２６ｂを半円形状に形
成し、その半円形状の径が開口２６ａおよび２６ｂ側か
らその反対面側に向かうに従って連続的に小さくなるよ
うに、反射ケース１４ａおよび１４ｂを形成すればよ
い。
【００２８】この実施例によれば、２つのＬＥＤチップ
をボンディングするためのボンディングパターンを１つ
の基板の両主面に形成するので、基板面積を小さくする
ことができる。したがって、発光装置本体を小型化する
ことができる。
をボンディングするためのボンディングパターンを１つ
の基板の両主面に形成するので、基板面積を小さくする
ことができる。したがって、発光装置本体を小型化する
ことができる。
【００２９】また、図５で示した従来の発光装置のよう
に、１つのＬＥＤチップがボンディングされた発光装置
を２つ貼り合わせるなどの面倒な工程が必要ないので、
容易に製造することができる。
に、１つのＬＥＤチップがボンディングされた発光装置
を２つ貼り合わせるなどの面倒な工程が必要ないので、
容易に製造することができる。
【００３０】さらに、２つのＬＥＤチップをカソードコ
モンにするので、外部接続電極の個数を少なくすること
ができる。したがって、実装する回路基板側の電極（端
子）数も少なくすることができる。
モンにするので、外部接続電極の個数を少なくすること
ができる。したがって、実装する回路基板側の電極（端
子）数も少なくすることができる。
【００３１】なお、この実施例では、黄緑色発光のＬＥ
Ｄチップ２０ａと赤色発光のＬＥＤチップ２０ｂとをボ
ンディングした場合について示したが、任意に選択した
異なる色を発光する２つのＬＥＤチップをボンディング
できることは言うまでもない。
Ｄチップ２０ａと赤色発光のＬＥＤチップ２０ｂとをボ
ンディングした場合について示したが、任意に選択した
異なる色を発光する２つのＬＥＤチップをボンディング
できることは言うまでもない。
【００３２】また、この実施例では、製造工程について
は示していないが、透光性樹脂１６ａおよび１６ｂは同
時にモールド（注入）されるため、熱硬化による収縮が
基板１２の一方主面１２ａ側と他方主面１２ｂ側とで不
均一になることはない。つまり、基板１２に反りが生じ
ないので、反射ケース１４ａおよび１４ｂが外れてしま
うような不具合が発生することはない。
は示していないが、透光性樹脂１６ａおよび１６ｂは同
時にモールド（注入）されるため、熱硬化による収縮が
基板１２の一方主面１２ａ側と他方主面１２ｂ側とで不
均一になることはない。つまり、基板１２に反りが生じ
ないので、反射ケース１４ａおよび１４ｂが外れてしま
うような不具合が発生することはない。
【００３３】さらに、この実施例では、カソードコモン
にするようにしたが、アノードコモンにするようにして
もよい。
にするようにしたが、アノードコモンにするようにして
もよい。
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例に示す基板およびＬＥＤチップを示
す図解図である。
す図解図である。
【図３】図１実施例に示す基板およびＬＥＤチップを示
す図解図である。
す図解図である。
【図４】従来の側面発光２チップ半導体発光装置の一例
を示す図解図である。
を示す図解図である。
【図５】従来の側面発光２チップ半導体発光装置の他の
一例を示す図解図である。
一例を示す図解図である。
１０ …発光装置 １０ａ，１０ｂ …発光面 １２ …基板 １４ …反射ケース １６ …透光性樹脂 ２０ａ，２０ｂ …ＬＥＤチップ ２２ａ，２２ｂ …ボンディングワイヤ ２４ａ，２４ｂ，２４ｃ …外部接続電極 ２６ａ，２６ｂ …開口
Claims (2)
- 【請求項１】両主面にボンディングパターンを有し、か
つ側面に各ボンディングパターンと接続される外部接続
電極を有する基板、 前記基板の一方主面にボンディングされる第１チップ、 前記基板の他方主面にボンディングされる第２チップ、
および前記外部接続電極を露出させるように前記基板の
前記両主面を覆い、かつ前記第１チップおよび前記第２
チップの発光面側に開口を有する反射ケースを備える、
側面発光２チップ半導体発光装置。 - 【請求項２】前記ボンディングパターンはダイボンディ
ングパターンおよびワイヤボンディングパターンを含
み、 前記第１チップがダイボンディングされるダイボンディ
ングパターンと前記第２チップがダイボンディングされ
るダイボンディングパターンとは前記基板の側面で連結
され、 前記第１チップがワイヤボンディングされるワイヤボン
ディングパターンおよび前記第２チップがワイヤボンデ
ィングされるワイヤボンディングパターンは個別に前記
基板の側面まで延びて形成され、 前記外部接続電極は前記基板の側面に形成された前記ダ
イボンディングパターンの連結部および前記ワイヤボン
ディングパターンの延長部を含む、請求項１記載の側面
発光２チップ半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000286457A JP2002100812A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 側面発光２チップ半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000286457A JP2002100812A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 側面発光２チップ半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100812A true JP2002100812A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18770376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000286457A Withdrawn JP2002100812A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 側面発光２チップ半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002100812A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007507115A (ja) * | 2003-10-01 | 2007-03-22 | エナートロン， インコーポレイテッド | Ｌｅｄ光エンジン用の方法および装置 |
| JP2009231785A (ja) * | 2007-04-16 | 2009-10-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び発光体 |
| KR20110109385A (ko) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 양방향 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP2016086053A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | スタンレー電気株式会社 | Ｌｅｄランプ及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-09-21 JP JP2000286457A patent/JP2002100812A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007507115A (ja) * | 2003-10-01 | 2007-03-22 | エナートロン， インコーポレイテッド | Ｌｅｄ光エンジン用の方法および装置 |
| JP2009231785A (ja) * | 2007-04-16 | 2009-10-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び発光体 |
| KR20110109385A (ko) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 양방향 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101646264B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2016-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 양방향 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP2016086053A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | スタンレー電気株式会社 | Ｌｅｄランプ及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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