JP2002269828A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射率が高く、高速成膜が可能で、しかも良
好なジッターと信頼性の高い繰り返し書き換え特性を有
した光記録媒体を提供すること。 【解決手段】 基板上に積層した下部誘電体保護層、相
変化型記録層、上部誘電体保護層及び反射放熱層を有す
る相変化型光情報記録媒体において、該反射放熱層が、
Ａｇに０．５〜１０原子％のＣｕを含有した合金からな
ることを特徴とする光情報記録媒体、基板上に積層した
下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部誘電体保護層
及び反射放熱層を有する相変化型光情報記録媒体におい
て、該反射放熱層が、Ａｇに０．５〜３原子％のＰｄ及
び０．５〜４原子％のＮｉを含有した合金であって、Ｐ
ｄとＮｉの合計が５原子％以下であるものからなること
を特徴とする光情報記録媒体及び基板上に積層した反射
放熱層、下部誘電体保護層、相変化型記録層及び上部誘
電体保護層を有する膜再生性相変化型光情報記録媒体に
おいて、該相変化型記録層が、Ｓｂ_３Ｔｅ準安定層を基
盤とする材料からなることを特徴とする光情報記録媒
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、さらに詳しくは、特に、銀合金を用いた反射放熱
層を有する光情報記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光情報記録媒体の光反射層としては、
金、又はアルミニウム合金が広く用いられている。ま
た、銀合金も近年用いられるようになってきた。金は化
学的に安定で反射率も高く、熱伝導率も高いため、ＣＤ
−Ｒ等に用いられている。しかし、金は高価である。

【０００３】アルミニウム合金は、安価で比較的高い反
射率を有することから、ＣＤ、ＤＶＤをはじめ、ＭＯや
ＣＤ−ＲＷ等の記録系の光ディスクにも広く用いられて
いる。銀は、金と同様に、反射率や熱伝導率が大きいた
め、すべての光ディスクに有用なものと考えられる。ま
た、金に比べれば安価である。

【０００４】銀は、成膜法として一般的なスパッタリン
グによる成膜レートがアルミニウムの約３倍早く、高速
で成膜できるという利点がある。しかし、化学的安定性
に劣り、光ディスクの信頼性に欠けるものである。これ
を解決するために、高価なＰｄの添加が行われている。

【０００５】また、銀は結晶が変化しやすく、成膜後の
初期化や印刷工程における加熱、加圧等により、熱伝導
率が変化する。このことは、メディアの記録特性が安定
でないことを意味する。

【０００６】銀は、金と同等の反射率や金以上の熱伝導
率を有するために、再生専用型、記録型を問わず、銀反
射層を用いた光ディスクでは、優れた初期特性を得るこ
とができる。しかし、銀は化学的に安定でなく、隣接す
る層からの各種の物質の影響や環境から、取り込まれる
水分等の影響により特性が変化する。これは、光情報記
録媒体を長期に使用した場合に、反射率が低下して再生
できなくなることや、再生時のエラー発生が多くなると
いう問題を引き起こす。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
現況に鑑み、反射率が高く、高速成膜が可能で、しかも
良好なジッターと信頼性の高い繰り返し書き換え特性を
有した光記録媒体を提供することをその課題とするもの
である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、反射放熱層と相変化型記録層に着目
して鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに到っ
た。

【０００９】すなわち、本発明によれば、第一に、基板
上に積層した下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部
誘電体保護層及び反射放熱層を有する相変化型光情報記
録媒体において、該反射放熱層が、Ａｇに０．５〜１０
原子％のＣｕを含有した合金からなることを特徴とする
光情報記録媒体が提供される。

【００１０】この第１の発明には、該相変化型記録層
が、Ｓｂ_３Ｔｅ準安定層を基盤とする材料である光情報
記録媒体、該上部誘電体保護層が、ＧｅＣｒの窒化物又
はＳｉＣである光情報記録媒体及び該下部誘電体保護層
が、２層からなり、基板側がＺｎＳ−Ｎｂ_２Ｏ_５、記録
層側がＧｅＣｒの窒化物である光情報記録媒体が含まれ
る。

【００１１】本発明によれば、第２に、基板上に積層し
た下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部誘電体保護
層及び反射放熱層を有する相変化型光情報記録媒体にお
いて、該反射放熱層が、Ａｇに０．５〜３原子％のＰｄ
及び０．５〜４原子％のＮｉを含有した合金であって、
ＰｄとＮｉの合計が５原子％以下であるものからなるこ
とを特徴とする光情報記録媒体が提供される。

【００１２】この第２発明には、該相変化型記録層が、
Ｓｂ_３Ｔｅ準安定層を基盤とする材料である光情報記録
媒体が含まれる。

【００１３】また、本発明によれば、第３に、基板上に
積層した反射放熱層、下部誘電体保護層、相変化型記録
層及び上部誘電体保護層を有する膜再生性相変化型光情
報記録媒体において、該相変化型記録層が、Ｓｂ_３Ｔｅ
準安定層を基盤とする材料からなることを特徴とする光
情報記録媒体が提供される。

【００１４】この第３の発明には、該反射放熱層が、Ａ
ｇに０．５〜３原子％のＰｄ及び０．５〜４原子％のＮ
ｉを含有した合金であって、ＰｄとＮｉの合計が５原子
％以下である光情報記録媒体が含まれる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明においては、銀の高反射
率、高熱伝導率及び高速成膜等の特質を保ち、かつ化学
的安定性を改善する安価な合金系として、銀−銅合金に
より相変化型光情報記録媒体（以下、単に記録媒体とい
うことがある）の反射放熱層を構成する。このような構
成とすることにより、反射放熱層の化学的安定性を向上
することができる。さらに、相変化型光ディスクの保護
層として、一般的なＺｎＳ−ＳｉＯ_２は硫黄を含むた
め、この硫黄がＡｇを硫化劣化させるので、反射放熱層
と接する上部保護層には、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２を用いない
こととし、上部保護層には、ＧｅＣｒＮｘ、ＧｅＡｌＮ
ｘ、ＧｅＳｉＮｘ等の窒化ゲルマニウム系材料又はＳｉ
Ｃを用いるものである。

【００１６】銀−銅合金は、化学的安定性に優れてお
り、かつ安価である。しかし、銀−パラジウム系合金に
比べれば安定性に劣るので、反射放熱層と接する上部保
護層には、硫黄を含むものは使用しない。記録層が、Ｓ
ｂ_３Ｔｅ基を基本とする相変化型記録の場合、記録時の
非晶質化、消去時の結晶化と共に一旦溶融モードに入
る。したがって、記録膜が一旦、溶けやすくするために
熱をため、その後、急冷することが求められる。このこ
とから、上部保護層はある一定時間熱を遮断し、その
後、急激に冷やすことが求められる。

【００１７】上部保護層は、低熱伝導、反射放熱層は、
高熱伝導が求められる。記録層がＧｅ_２Ｓｄ_２Ｔｅ_５を
ベースとする化合物組成の場合、消去するための結晶化
過程は固相で行われるため、平均記録温度はやや低くな
る。反射放熱層の熱伝導が単純に大きければいいという
ものではない。したがって、本発明の熱設計の指針は、
Ｓｂ_３Ｔｅ基記録層に限られるものである。

【００１８】ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、熱伝導率が小さく、
記録時に熱が拡散しすぎないために低いジッターでマー
クを書き込むことができる。また、隣接トラックへの熱
にじみが小さく、クロスライトが生じにくい長所があ
る。そこで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２の低熱伝導率との長所を
有し、かつ低熱伝導率を有する材料を探索して、ＧｅＣ
ｒＮｘを得たのである。

【００１９】薄膜の熱伝導を測定することは困難である
が、同じ膜厚に固定し、上部保護層材料を各種振って、
ディスクの記録感度を調べることにより、で熱伝導の順
位をつけることは可能である。これによれば、ＺｎＳ−
ＳｉＯ_２とＧｅＣｒＮｘは同等、ＳｉＣは、それよりも
熱伝導が大きかった。

【００２０】他に、ＳｉＮｘやＳｉＯ_２等も、熱伝導は
大きかった。ＧｅＣｒＮｘは、窒化ゲルマニウムと窒化
クロムの混合体であるが、光ディスクに用いるのに充分
な程度に透明であり、熱伝導も小さい。そのため、上部
保護層をＧｅＣｒＮｘに置き換えても、初期記録再生特
性はＺｎＳ−ＳｉＯ_２のときと変わらない。なお、Ｇｅ
は高価なため、ＳｉＣを用いることもできる。ただし、
ＳｉＣの熱伝導は、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２よりは数倍大き
い。このため、ディスクの記録感度は多少劣化する。

【００２１】以下に、本発明の光情報記録媒体について
図面に基づいて説明する。図１は、本発明の光情報記録
媒体の実施形態の一つである相変化型書き換え可能光デ
ィスクの構造を示す断面図である。基板１の上に、下部
誘電体保護層２、相変化型記録層３、上部誘電体保護層
４、反射放熱層５、樹脂保護層６が積層されている。な
お、ＤＶＤ系の光ディスクでは、これが２枚貼り合わさ
れた構造となる。

【００２２】下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部
誘電体保護、反射放熱層は、一般的にスパッタリング法
で真空中で連続成膜される。成膜方法は、イオンプレー
ティング、真空蒸着等も考えられるが、コスト、成膜の
制御性のよさ等から、マグネトロンスパッタリング法に
よる作成が好ましい。基板１は、記録再生用の光が透過
する透明な物質であり、一般的には、ポリカーボネート
樹脂やガラスが用いられる。基板厚さは、ＣＤ系では
１．２ｍｍ、ＤＶＤ系では０．６ｍｍである。特殊なデ
ィスクでは、これに限らない。また、基板にはアドレス
情報を記録したり、トラッキングサーボのために、凹凸
のピットやグルーブが形成される。

【００２３】下部誘電体保護層２は、通常、スパッタリ
ング法で形成され、相変化型ディスクの場合は、ＺｎＳ
−ＳｉＯ_２が一般的である。光学的に透明で、記録膜を
水分やガスから遮断する能力が求められる。膜厚は、４
０〜２５０ｍｍが一般的である。ＣＤ系では４０〜９０
ｍｍ、ＤＶＤ系では５０〜１００ｎｍである。光学的な
光閉じ込めと基板への熱遮断及び記録膜へのガスや水分
の遮断の３要素から、膜厚は決定される。したがって、
記録再生の光波長が変われば膜厚は変動する。

【００２４】一般的には、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２単層で構成
される。しかし、記録層の隣接領域に特に熱遮断の性質
がある層を置き、その熱遮断層と基板の間にスパッタ率
が大きい膜を用いると、ディスクの成膜がより高速に行
うことができる。そこで、ＺｎＳ−Ｎｂ_２Ｏ_５などのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ_２と性質が近似していて直流スパッタでき
る材料を用いることが好ましい。

【００２５】相変化型記録層３は、記録時の熱によって
光学定数が変化して記録マークを形成する物質であり、
上記のように溶融消去型相変化材料のうち、融点が低
く、記録感度の良好な、Ｓｂ_３Ｔｅベースの材料を用い
る。代表的なものは、ＣＤ−ＲＷ等に実用化されている
ＡｇＩｎＳｂＴｅであり、その他、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、
ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＩｎＳｂＴｅ等がある。こ
れらのカルコゲナイド化合物の場合は、結晶と非晶質状
態で記録、未記録の違いを作り、再生する。

【００２６】膜厚は５〜１００ｎｍ程度とするが、１０
〜３０ｎｍが好ましい。これは、あまり厚いと記録時の
熱干渉が大きくなり、小さなマークの大きさのばらつき
が大きくなって、信号の時間軸揺らぎが大きくなってエ
ラー率が大きくなるからである。また、１０ｎｍ程度よ
り薄いと、再生光での弱い熱でも、記録マークが熱揺ら
ぎを引き起こして、消去されやすくなるので好ましくな
い。

【００２７】上部誘電体保護層４は、熱遮断するため、
膜厚は１０〜１００ｎｍ程度である。記録時の熱を記録
層から速やかに反射放熱層へ流すため、１０〜３０ｎｍ
付近の厚さにするのが好ましい。記録密度や繰り返し書
き換えを重視しない場合は、この第２誘電体保護層を厚
くしてもよい。この場合、記録感度が良くなる。また、
記録マークと消去部の反射率がほぼ同等で位相差が大き
く、消し残りの生じにくい位相差再生メディアを作るこ
とができる。

【００２８】本発明の記録媒体は、反射放熱層が銀系材
料であり、合金化させて耐食性を向上させてはいるが、
Ａｌ系ほどには強くない。したがって、上部誘電体保護
層には硫黄を含まないＧｅＮｘを基準に、窒化クロムを
加えたＧｅＣｒＮｘのような窒化ゲルマニウム系材料や
ＳｉＣのような炭化物が好ましい。これらは繰り返し書
き換えでの劣化が小さいものであった。酸化物はＳｉＯ
_２、ＴａＯｘなどを検討したが、繰り返し書き換えでの
劣化が速く、良好なディスクは得られなかった。反射放
熱層５は、通常スパッタリング法で形成され、銀に銅
０．５〜１０原子％を含有した銀−銅合金よりなる。膜
厚は、反射率の面では５０ｎｍ程度あれば十分である
が、放熱の面からはこれより厚い方が良く、８０〜２５
０ｎｍ程度が好ましい。厚すぎると、生産上、タクトが
長くなるので好ましくない。

【００２９】反射率、放熱の面からは純銀が最良であ
る。銅は銀の次いで熱伝導の大きな材料であり、銀に加
えても、あまり熱伝導率が下がらない。銀の耐蝕性を向
上させるためには、ＡｌやＩｎ等を添加してもよい。し
かし、反射放熱層の熱伝導率は、ディスクの繰り返し書
き換え回数と密接に関係しており、熱伝導が小さくなる
と、正比例して、繰り返し書き換え回数も小さくなって
いくことが本発明の検討過程で判明した。この傾向は、
記録層に化合物組成のＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５組成の材料を
用いたディスクでは顕著ではない。Ｓｂ_３Ｔｅ基の記録
層を用いたディスクに固有の現象である。Ａｌ、Ｉｎ、
Ｓｂ等の銀の耐蝕性向上のための添加元素は、わずか数
％の添加で銀の熱伝導を小さくしてしまうことが判明し
た。

【００３０】本発明のＡｇ−Ｃｕ合金は、Ｃｕを添加し
てもほとんど熱伝導が下がらない。従来の追記型ＣＤで
あるＣＤ−Ｒ等でも、反射率等に着目してＡｇに対する
ＰｄやＣｕの添加が検討されているが、熱伝導の詳細な
挙動に注目し、極力大きい熱伝導である耐蝕性合金とし
て考えられたものは皆無であった。銅の添加量は、耐蝕
性の面から多すぎると逆に耐蝕性が劣化する。０．１〜
１０原子％くらいが良好で、特に０．５〜３原子％程度
が最適量である。樹脂保護層６はＣＤ系のような単板メ
ディアでは、成膜された膜を保護するために設けられて
いる。ＤＶＤ系では、保護のためと２枚貼り合せるため
の接着層としての機能を兼ねている。一般的に、有機系
の紫外線硬化性樹脂等が用いられる。厚さは１〜１００
μｍ程度が一般的であり、スピンコート法により塗布さ
れる。スプレー式、ロールコート式でも差し支えない。
樹脂フィルムをロールで貼ることもできる。

【００３１】この相変化型光ディスクでは、基板１側か
ら記録用の光を照射して、相変化記録層３を相変化させ
て、光学定数を変えて情報信号を記録する。そして、記
録時より弱い再生光をあて、記録層の光学定数変化を光
の反射率変化として再生する。反射放熱層の成膜時間
は、アルミニウム合金を同じ厚さに成膜するのに比べ、
約１／３で足りた。これは、ディスク製造上のタクトタ
イム短縮に大きく効果的であり、コスト低減につながっ
た。さらに、本発明の銀合金を用いたディスクは、純銀
反射膜のディスクに比べて銀の耐腐食性が良好であるた
めに、信頼性と耐久性が改善されている。高温高質下で
の保存試験を行ったときのエラー率の増加が抑えられ
た。

【００３２】銀−パラジウム合金は、化学的安定性に優
れているものである。しかし、相変化ディスクで一般的
なＺｎＳ−ＳｉＯ_２保護層に由来する硫黄との反応を完
全に防ぐには、３原子％以上の添加が必要である。とこ
ろが、Ａｇに多くの添加物を入れると、Ａｇの特徴であ
る高い熱伝導が失われる。本発明では、パラジウムとニ
ッケルとを同時に添加することにより、して添加元素の
総量を押さえることができた。良好な耐硫化性を持た
せ、かつ熱伝導率を純Ａｇには劣るものの、Ａｌよりは
大きくできた。また、結晶性に由来すると思われるが、
特開２０００−１０９９４３号公報に示されているＡｇ
ＰｄＣｕ合金に比べて、熱伝導も大きくできる。

【００３３】記録層が、Ｓｂ_３Ｔｅ基を基本とする相変
化型記録の場合、記録時の非晶質化、消去時の結晶化と
共に一旦、溶融モードに入る。したがって、記録膜が一
旦溶けやすくするため、熱をため、その後、急冷するこ
とが求められる。このことから、上部保護層は、ある一
定時間、熱を遮断し、その後、急激に冷やすことが求め
られる。上部保護層は低熱伝導、反射放熱層は高熱伝導
が求められる。

【００３４】記録層が、Ｇｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５をベースと
する化合物組成の場合、消去するための結晶化過程は固
相で行われるため、平均記録温度はやや低くなる。反射
放熱層の熱伝導が単純に大きければいいというものでは
ない。したがって、本発明の熱設計の指針は、Ｓｂ_３Ｔ
ｅ基記録層に限られるものである。実際、下記する実施
例４の構成で、記録層を化合物組成のＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ
_５とすると、ジッターは１２％以下とすることができな
い。反射層をＡｌＴｉにすると、約１０％のジッターが
得られる。

【００３５】ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は熱伝導率が小さく、記
録時に熱が拡散しすぎないために、低いジッターでマー
クを書き込むことができる。また、隣接トラックへの熱
にじみが小さく、クロスライトが生じにくい長所があ
る。このため、容易には他の材料には変更できず、その
意味から硫化しないＡｇ反射放熱層はきわめて有効であ
る。また 記録面側から記録再生するタイプの光ディス
クでは、基板の直上に反射放熱層を形成する。したがっ
て、プラスチック基板から、水分や成形ときの離型剤等
に由来する腐食性の物質に侵されないことが要求され
る。純Ａｇは、化学的安定性に乏しいために問題がある
が、本発明の合金は、化学的安定性が向上するため、特
に対策しない基板、プロセスにおいてＡｇ合金反射膜を
用いることができる。

【００３６】以下に、本発明の光情報記録媒体について
図面に基づいて説明する。図２、３は本発明の光情報記
録媒体の実施形態の一つである相変化型書き換え可能光
ディスクの構造を示す断面図である。図２は、基板側か
ら再生するもの、図３は、膜面側から再生するものを示
す。

【００３７】基板１の上に、下部誘電体保護層２、相変
化型記録層３、上部誘電体保護層４、反射放熱層５及び
樹脂保護層６が積層されている。なお、ＤＶＤ系の光デ
ィスクでは、これが２枚貼り合わされた構造になる。

【００３８】下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部
誘電体保護、反射放熱層は、一般的にスパッタリング法
で真空中で連続成膜される。成膜方法は、イオンプレー
ティング、真空蒸着等も考えられるが、コスト、成膜の
制御性等からマグネトロンスパッタリング法により作成
することが好ましい。

【００３９】基板１は、記録再生用の光が透過する透明
な物質であり、一般的にはポリカーボネート樹脂やガラ
スが用いられる。基板厚さは、ＣＤ系では１．２ｍｍ、
ＤＶＤ系では０．６ｍｍである。特殊なディスクではこ
れに限らない。また、基板には、アドレス情報を記録し
たり、トラッキングサーボのために、凹凸のピットやグ
ルーブが形成される。

【００４０】下部誘電体保護層２は、通常、スパッタリ
ング法で形成され、相変化型ディスクの場合は、ＺｎＳ
−ＳｉＯ_２やＴａＯｘが一般的である。光学的に透明
で、記録膜を水分やガスから遮断する能力が求められ
る。膜厚は、４０〜２５０ｎｍが一般的である。ＣＤ系
では４０〜９０ｎｍ、ＤＶＤ系では５０ｎｍから１００
ｎｍが一般的である。光学的な光閉じ込め、基板への熱
遮断及び記録膜へのガスや水分の遮断の３要素から、膜
厚は決定される。したがって、記録再生の光波長が変わ
れば膜厚は変動する。

【００４１】一般的には、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２単層で構成
される。相変化型記録層３は、記録時の熱によって光学
定数が変化して、記録マークを形成する物質で、上記の
ように溶融消去型相変化材料のうち、融点が低く、記録
感度の良好なＳｂ_３Ｔｅベースの材料を用いる。代表的
なものは、ＣＤ−ＲＷ等に実用化されているＡｇＩｎＳ
ｂＴｅであり、その他、ＧｅＩｎＳｂＴｅ，ＧｅＧａＳ
ｂＴｅ，ＧｅＢｉＩｎＳｂＴｅ等がある。

【００４２】これらのカルコゲナイド化合物の場合は、
結晶と非晶質状態で記録、未記録の違いを作り、再生す
る。膜厚は、５〜１００ｎｍ程度を用いるが１０〜３０
ｎｍが好ましい。これは、あまり厚いと、記録時の熱干
渉が大きくなり、小さなマークの大きさのばらつきが大
きくなり、信号の時間軸揺らぎが大きくなって、エラー
率が大きくなるからである。また、１０ｎｍ程度より薄
いと、再生光での弱い熱でも記録マークが熱揺らぎを引
き起こして消去されやすくなるので好ましくない。

【００４３】上部誘電体保護層４は、熱遮断するため、
膜厚は１０〜１００ｎｍ程度である。記録時の熱を記録
層から速やかに反射放熱層へ流すため、１０〜３０ｎｍ
付近の厚さにするのが好ましい。記録密度や繰り返し書
き換えを余り重視しない場合は、この第２誘電体保護層
を厚くしてもよい。この場合、記録感度が良好となる。
また、記録マークと消去部の反射率がほぼ同等で位相差
が大きく、消し残りの生じにくい位相差再生メディアを
作ることができる。

【００４４】本案の記録媒体は、反射放熱層が銀系材料
であり、合金化させて耐食性を向上させてはいるが、Ａ
ｌ系ほどには強くない。したがって、上部誘電体保護層
には、硫黄を含まないＧｅＮｘを基準に窒化クロムを加
えたＧｅＣｒＮｘのような窒化ゲルマニウム系材料や、
ＳｉＣのような炭化物を用いるとさらに好ましい。これ
らは繰り返し書き換えでの劣化が小さいものであった。
酸化物は、ＳｉＯ_２、ＴａＯｘ等を検討したが、繰り返
し書き換えでの劣化が速く、良好なディスクは得られな
かった。

【００４５】反射放熱層５は、通常、スパッタリング法
で形成され、銀にパラジウム０．５〜２．０原子％、ニ
ッケル０．５〜３．０原子％含有した銀−パラジウム−
ニッケル合金よりなる。膜厚は、反射率の面では５０ｎ
ｍ程度あれば十分であるが、放熱の面からは、これより
厚い方がよく、８０〜２５０ｎｍ程度が一般的である。
厚すぎるのは生産上、タクトが長くなるので好ましくな
い。

【００４６】反射率、放熱の面からは、純銀が最良であ
る。しかし、ニッケルは、銀に加えたとしてもあまり熱
伝導率が下がらない。銀の耐蝕性を向上するためには、
Ｗ，Ｚｒ等の高融点金属をはじめ、ＡｌやＩｎな等、他
に効果のある材料は多い。しかし、反射放熱層の熱伝導
率は、ディスクの繰り返し書き換え回数と密接に関係し
ており、熱伝導が小さくなると、正比例して繰り返し書
き換え回数も小さくなっていくことが本発明の検討過程
で判明した。この傾向は、記録層に化合物組成のＧｅ_２
Ｓｂ_２Ｔｅ_５組成の材料を用いたディスクでは顕著では
ない。Ｓｂ_３Ｔｅ基の記録層を用いたディスクに固有の
現象である。

【００４７】Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｂ等の銀の耐蝕性向上の添
加元素は、わずか、数％の添加で銀の熱伝導を小さくし
てしまう。その他、ＷやＺｒ等の高融点金属の添加も、
耐硫化特性向上には効果的であると言われているが、熱
伝導が著しく劣化した。ＺｒやＷを１原子％添加しただ
けで、Ａｌ合金にも劣る結果となった。

【００４８】従来の追記型ＣＤであるＣＤ−Ｒ等でも、
反射率等に着目してＡｇに対するＰｄやＣｕの添加を検
討したが、熱伝導の詳細な挙動に注目し、極力大きい熱
伝導である耐蝕性合金として考えられたものは皆無であ
った。

【００４９】このように、添加量の上限は熱伝導の低下
具合で決まってくるので添加元素を決めれば上限は決定
される。本発明のパラジウムとニッケルであれば、合計
で５原子％が上限であった。これ以上の添加は、記録特
性がＡｌ合金と近くなり、オーバーライト回数が劣化す
る。記録特性は、添加物を少なくするほど向上するが、
添加物が２から３原子％以下になれば顕著な差はなくな
る。耐蝕性の面で、添加物５原子％の範囲内で効果的な
パラジウム、ニッケルの組み合わせを探索し、本発明で
は、表１のような組み合わせを試した。

【００５０】パラジウムは、銀に比較的固溶しやすい。
また、ニッケルは、銀と固溶しないため、銀の結晶間の
粒界に優先的に析出して存在するようである。このため
に、パラジウムは硫化そのものを防ぎ、ニッケルは、粒
界に異種元素が存在することにより、銀原子の移動しや
すさを低下させて結晶粒の変化を防ぎ、銀合金膜の熱伝
導が経時変化して低下していくのを防ぐことができる。
銀に固溶するものとしては、金もパラジウム同様であ
る。しかし、耐硫化性を向上させる能力はパラジウムの
方が大きいことから、本発明では、パラジウムを添加し
た合金としたのである。

【００５１】さらに、同一添加量に対して、ニッケル
は、銅より熱伝導低下の割合が小さい。これは、添加に
よるＡｇの結晶性を変化させる割合が小さいからと考え
ている。成膜条件にもよるが、粒界に非晶質様の相がで
きることがある。ニッケルの方が銅に比べてこの非晶質
化が起きにくいと考えられる。

【００５２】このように、銀に固溶する元素と、粒界に
優先析出する元素を同時に添加することにより、それぞ
れを単独で添加するよりも、少量で耐硫化性を向上させ
つつ、添加量が少ないために熱伝導が純Ａｇに比べてあ
まり下がらず、かつ結晶粒の変化を防ぎ、経時変化での
熱伝導低下が起こりにくいＡｇ合金膜を得る結果になっ
ている。

【００５３】ＤＶＤ＋ＲＷ規格の基板に記録膜をスパッ
タし、表１にあるように、反射層の組成のみを変えた。
このメディアに紫外線硬化性樹脂をオーバーコートし、
レーザー光で初期化を行って保存試験をした。反射光を
６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップで再生し、バ
ースト的な反射光のドロップアウトを観察した。長さ１
０μｍ以上のドロップアウトが初期の２倍以上になった
ものをＮＧと判定した。評価は、中周付近、半径４０〜
４２ｍｍの２ｍｍとした。加速条件は、８０℃、８５％
湿度、５００時間である。

【００５４】樹脂保護層６は、ＣＤ系のような単板メデ
ィアでは、成膜された膜を保護するために設けられてい
る。ＤＶＤ系では、保護のためと、２枚貼り合せるため
の接着層としての機能を兼ねている。一般的に、有機系
の紫外線硬化性樹脂等が用いられる。厚さは、１〜１０
０μｍ程度が一般的であり、スピンコート法で塗布され
る。スプレー式、ロールコート式でも差し支えない。樹
脂フィルムをロールで貼ることもある。

【００５５】この相変化型光ディスクでは、基板１側か
ら記録用の光を照射して、相変化記録層３を相変化さ
せ、光学定数を変えて情報信号を記録する。そして、記
録時より弱い再生光をあて、記録層の光学定数変化を光
の反射率変化として再生する。反射放熱層の成膜時間
は、アルミニウム合金を同じ厚さ成膜するのに比べ、約
１／３で足りた。これは、ディスク製造上のタクトタイ
ム短縮に大きく効果的であり、コスト低減につながっ
た。さらに、本発明の銀合金を用いたディスクは、純銀
反射膜のディスクに比べて銀の耐腐食性が良好であるた
めに、信頼性と耐久性が改善されている。高温高質下で
の保存試験を行ったときのエラー率の増加が抑えられ
た。

【００５６】

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳し
く説明するが、これら実施例によって本発明はなんら限
定されるものではない。

【００５７】実施例１ 直径１２０ｍｍ、板厚０．６ｍｍ、ピッチ０．７４μｍ
の螺旋状のグルーブが形成されたポリカーボネート基板
を用い、相変化型光ディスクを作製した。下部誘電体保
護層は、ＺｎＳ−Ｎｂ_２Ｏ_５（１５重量％）５５ｎｍ、
ＧｅＣｒＮｘ１０ｎｍ、記録層は、Ａｇ３Ｉｎ５Ｓｂ６
０Ｔｅ３０Ｇｅ２（原子％）１５ｎｍ、第２誘電体保護
層は、ＧｅＣｒＮｘ２０ｎｍ、反射放熱層は、Ａｇ−２
原子％Ｃｕ合金１５０ｎｍである。

【００５８】成膜は、すべてアネルバ製インラインスパ
ッタリング装置ＩＬＣ−３１０５を用いてスパッタリン
グ法により行った。ガス圧力は２ｍＴｏｒｒである。反
射放熱層の組成は、予めこの組成で作成した合金ターゲ
ットを用いた。ＧｅＣｒＮｘについては、Ｇｅ−２０重
量％Ｃｒ合金ターゲットを用いて、Ａｒ３０ｓｃｃｍ、
窒素１０ｓｃｃｍ混合ガス中で、高周波により反応性ス
パッタリングをして成膜した。

【００５９】スパッタの後、紫外線硬化性樹脂（大日本
インキ製ＳＤ３０１）をスピンコートし、紫外線で硬化
させた。その後、膜のないクリヤ盤と粘着シートで貼り
合せた。紫外線硬化性樹脂と貼り合せシートの合計厚さ
は約５０μｍであった。このディスクをレーザー光によ
り溶融結晶化させて、初期化した。６６０ｎｍＮＡ０．
６５の光ピックアップを有するドライブで記録再生し
た。記録線速度は、３．５ｍ／ｓランダムなデジタル信
号をＥＦＭ＋変調し、０．２６７μｍ／ｂｉｔの記録密
度で記録した。記録ピークパワー１２ｍＷ、消去パワー
６．８ｍＷ、ボトムパワー０．１ｍＷ、再生パワー０．
７ｍＷを用いた。

【００６０】記録パルスは、ＤＶＤ＋ＲＷ規格で規定さ
れているものを用いた。このディスクの特性は、初回記
録後のジッター、（σ／Ｔｗ）は７％であった。また、
１０００回の繰り返し書き換え後は８％であった。この
ディスクの半径３０ｍｍの位置に１０トラック、１００
０回繰り返し書き換えをした。その後、８０℃８５％Ｒ
Ｈの環境に５００時間放置して、再度ジッターを測定し
た。初期８％に対し、真中３トラックの平均８．５％で
あって、劣化は小さかった。目視で、この保存試験後の
ディスクをランプにかざしてピンホールの発生状況を観
察したが、ピンホールは発生していなかった。

【００６１】実施例２ 直径１２０ｍｍ、板厚０．６ｍｍ、ピッチ０．７４μｍ
の螺旋状のグルーブが形成されたポリカーボネート基板
を用い、相変化型光ディスクを作製した。下部誘電体保
護層は、ＺｎＳ−Ｎｂ_２Ｏ_５（１５重量％）５５ｎｍ、
ＧｅＡｌＮｘ１０ｎｍ、記録層は、Ｇｅ３Ｉｎ５Ｓｂ６
２Ｔｅ３０（原子％）１５ｎｍ、第２誘電体保護層は、
ＧｅＡｌＮｘ１６ｎｍ、反射放熱層は、Ａｇ−２原子％
Ｃｕ合金１５０ｎｍである。

【００６２】成膜は、すべてアネルバ製インラインスパ
ッタリング装置ＩＬＣ−３１０５を用いてスパッタリン
グ法により行った。ガス圧力は３ｍＴｏｒｒである。反
射放熱層の組成は予めこの組成で作成した合金ターゲッ
トを用いた。ＧｅＡｌＮｘについては、Ｇｅ−２０重量
％Ａｌ合金ターゲットを用いて、Ａｒ２５ｓｃｃｍ、窒
素１５ｓｃｃｍ混合ガス中で、直流により反応性スパッ
タリングをして成膜した。スパッタの後、紫外線硬化性
樹脂（大日本インキ製ＳＤ３０１）をスピンコートし、
紫外線で硬化させた。その後、同様のプロセスで作成し
た別のディスクと記録面同士を粘着シートで貼り合せ
た。紫外線硬化性樹脂と貼り合せシートの合計厚さは約
５０μｍであった。このディスクをレーザー光で溶融結
晶化させて、初期化した。

【００６３】６６０ｎｍＮＡ０．６５の光ピックアップ
を有するドライブで記録再生した。記録線速度は３．５
ｍ／ｓランダムなデジタル信号をＥＦＭ＋変調し、０．
２６７μｍ／ｂｉｔの記録密度で記録した。記録ピーク
パワー１３ｍＷ、消去パワー７．０ｍＷ、ボトムパワー
０．１ｍＷ、再生パワー０．７ｍＷを用いた。

【００６４】記録パルスは、ＤＶＤ＋ＲＷ規格で規定さ
れているものを用いた。このディスクの特性は、初回記
録後のジッター、（σ／Ｔｗ）は６．５％であった。ま
た、１０００回の繰り返し書き換え後は７．８％であっ
た。このディスクの半径３０ｍｍの位置に１０トラッ
ク、１０００回繰り返し書き換えをした。その後、８０
℃８５％ＲＨの環境に５００時間放置して、再度ジッタ
ーを測定した。初期７．８％に対し、真中３トラックの
平均８．２％であって、劣化は小さかった。目視で、こ
の保存試験後のディスクをランプにかざしてピンホール
の発生状況を観察したが、ピンホールは発生していなか
った。

【００６５】実施例３ 直径１２０ｍｍ、板厚０．６ｍｍ、ピッチ０．７４μｍ
の螺旋状のグルーブが形成されたポリカーボネート基板
を用い、相変化型光ディスクを作製した。下部誘電体保
護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（２０原子％）７５ｎｍ、記
録層は、Ａｇ３Ｉｎ６Ｓｂ６０Ｔｅ３０Ｇｅ２（原子
％）１５ｎｍ、第２誘電体保護層は、ＳｉＣ１４ｎｍ、
反射放熱層は、Ａｇ−２原子％Ｃｕ合金１５０ｎｍであ
る。

【００６６】成膜は、すべてアネルバ製インラインスパ
ッタリング装置ＩＬＣ−３１０５を用いてスパッタリン
グ法で行った。ガス圧力は３ｍＴｏｏｒｒである。反射
放熱層の組成は予めこの組成で作成した合金ターゲット
を用いた。スパッタの後、紫外線硬化性樹脂（大日本イ
ンキ製ＳＤ３０１）をスピンコートし、紫外線で硬化さ
せた。その後、同様のプロセスで作成した別のディスク
と記録面同士を粘着シートで貼り合せた。紫外線硬化性
樹脂と貼り合せシートの合計厚さは約５０μｍであっ
た。

【００６７】このディスクをレーザー光で溶融結晶化さ
せて、初期化した。６６０ｎｍＮＡ０．６５の光ピック
アップを有するドライブで記録再生した。記録線速度
は、３．５ｍ／ｓランダムなデジタル信号をＥＦＭ＋変
調し、０．２６７μｍ／ｂｉｔの記録密度で記録した。
記録ピークパワー１５ｍＷ、消去パワー８．０ｍＷ、ボ
トムパワー０．１ｍＷ、再生パワー０．７ｍＷを用い
た。記録パルスは、ＤＶＤ＋ＲＷ規格で規定されている
ものを用いた。このディスクの特性は、初回記録後のジ
ッター、（σ／Ｔｗ）は７．２％であった。また、１０
００回の繰り返し書き換え後は７．７％であった。この
ディスクの半径３０ｍｍの位置に１０トラック、１００
０回繰り返し書き換えをした。

【００６８】その後、８０℃８５％ＲＨの環境に５００
時間放置して、再度ジッターを測定した。初期７．７％
に対し、真中３トラックの平均８．２％であって、劣化
は小さかった。目視で、この保存試験後のディスクをラ
ンプにかざしてピンホールの発生状況を観察したが、ピ
ンホールは発生していなかった。

【００６９】比較例１ 実施例１同様の相変化型ディスクとし、反射放熱層を純
Ａｇとした。記録再生、保存試験も実施例１と同様に行
った。初期のジッタ、繰り返し記録での劣化の様子はほ
ぼ同等であった。１０００回書き換えたトラックの保存
試験後のジッターは、９．４％になっており、Ａｇ−Ｃ
ｕ合金のときより劣化が大きかった。目視によるピンホ
ール観察で、ピンホールが認められた。ディスク全面に
数１０μｍのピンホールが多数発生していた。

【００７０】比較例２ 実施例１同様の相変化型ディスクとし、反射放熱層をＡ
ｇ−４０原子％Ｃｕとした。記録再生、保存試験も実施
例１と同様に行った。初期のジッタ、繰り返し記録での
劣化の様子はほぼ同等であった。１０００回書き換えた
トラックの保存試験後のジッターは、１３％になってお
り、Ａｇ−２原子％Ｃｕ合金の時より劣化が大きかっ
た。ドロップアウトがやや観察された。目視によるピン
ホール観察では、ピンホールは認められなかった。

【００７１】比較例３ 実施例１同様の相変化型ディスクとし、上部保護層をＺ
ｎＳ−ＳｉＯ_２とした。記録再生、保存試験も実施例１
と同様に行った。初期のジッタ、繰り返し記録での劣化
の様子はほぼ同等であった。１０００回書き換えたトラ
ックの保存試験後では信号に多数のドロップアウトが発
生していた。バーストエラーになっている。目視による
ピンホール観察では、ピンホールは認められなかった。
しかし、光学顕微鏡で反射層側を観察すると、多数の黒
点が観察された。これは、Ａｇの硫化物と推定され、こ
れがエラーの原因と考えられる。

【００７２】実施例４ 直径１２０ｍｍ、板厚０．６ｍｍ、ピッチ０．７４μｍ
の螺旋状のグルーブが形成されたポリカーボネート基板
を用い、相変化型光ディスクを制作した。下部誘電体保
護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２６５ｎｍ、記録層は、Ａｇ３
Ｉｎ５Ｓｂ６０Ｔｅ３０Ｇｅ２（原子％）１５ｎｍ、第
２誘電体保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２２０ｎｍ、反射放
熱層は、Ａｇ合金１５０ｎｍである。銀合金組成は表１
に示した。添加元素の合計は５原子％以下である。

【００７３】成膜はすべてアネルバ製インラインスパッ
タリング装置ＩＬＣ−３１０５を用いてスパッタリング
法で行った。ガス圧力は２ｍＴｏｒｒである。反射放熱
層の組成は予めこの組成で作成した合金ターゲットを用
いた。スパッタの後、紫外線硬化性樹脂（大日本インキ
製ＳＤ３０１）をスピンコートし、紫外線で硬化させ
た。その後、膜のないクリヤ盤と粘着シートで貼り合せ
た。紫外線硬化性樹脂と貼り合せシートの合計厚さは約
５０μｍであった。このディスクをレーザー光で溶融結
晶化させて、初期化した。

【００７４】６６０ｎｍＮＡ０．６５の光ピックアップ
を有するドライブで記録再生した。記録線速度は３．５
ｍ／ｓランダムなデジタル信号をＥＦＭ＋変調し、０．
２６７μｍ／ｂｉｔの記録密度で記録した。記録ピーク
パワー１２ｍＷ、消去パワー６．８ｍＷ、ボトムパワー
０．１ｍＷ、再生パワー０．７ｍＷを用いた。記録パル
スは、ＤＶＤ＋ＲＷ規格で規定されているものを用い
た。これらのディスクの特性は初回記録後のジッター、
（σ／Ｔｗ）は９％以下であった。

【００７５】このディスクを高温高質環境下で加速劣化
させた。加速条件は、８０℃、８５％湿度、５００時間
である。反射光を６６０ｎｍＮＡ０．６５のピックアッ
プで再生し、バースト的な反射光のドロップアウトを観
察した。長さ１０μｍ以上のドロップアウトが初期の２
倍以上になったものをＮＧと判定した。評価は、中周付
近半径４０〜４２ｍｍの２ｍｍとした。表１に示すよう
に、劣化が少ないメディアが得られた。

【００７６】実施例５〜１０ 直径１２０ｍｍ、板厚１．１ｍｍ、グルーブピッチ０．
８μｍの螺旋状のランド、グルーブが形成されたポリカ
ーボネート基板を用い、相変化型光ディスクを作製し
た。基板上に、反射放熱層は、Ａｇ−１原子％Ｐｄ−１
原子％Ｎｉ合金６０ｎｍ、下部誘電体保護層は、ＺｎＳ
−ＳｉＯ_２７ｎｍ、記録層は、Ｇｅ４Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔ
ｅ２３原子％１０ｎｍ、上部誘電体保護層は、ＺｎＳ−
ＳｉＯ_２３０ｎｍである。なお、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２はＳ
ｉＯ_２２０ｍｏｌ％である。

【００７７】成膜は、すべてアネルバ製インラインスパ
ッタリング装置ＩＬＣ−３１０５を用いてスパッタリン
グ法で行った。ガス圧力は ３ｍＴｏｒｒである。反射
放熱層の組成は予めこの組成で作成した合金ターゲット
を用いた。スパッタの後、粘着剤を塗布した厚み７０μ
ｍの透明シートを貼り、ディスクとした。このディスク
をレーザー光で溶融結晶化させて、初期化した。４０５
ｎｍＮＡ０．８５の光ピックアップを有するドライブで
記録再生した。

【００７８】記録線速度は、５．４ｍ／ｓランダムなデ
ジタル信号をＥＦＭ＋変調し、０．２μｍ／ｂｉｔの記
録密度で記録した。記録ピークパワー５．５ｍＷ、消去
パワー２．３ｍＷ、再生パワー０．３ｍＷを用いた。記
録パルスは、ＤＶＤ＋ＲＷ規格で規定されているものを
用いた。

【００７９】このディスクの特性は、初回記録後のジッ
ター、（σ／Ｔｗ）は６．０％であった。また、１００
０回の繰り返し書き換え後は７．０％であった。実施例
４同様な加速試験を行い、反射層に起因するバースト劣
化は発生していないことを確認した。

【００８０】比較例４〜８ 実施例４同様の相変化型ディスクとし、反射放熱層組成
を変えて、記録再生、保存試験も実施例４と同様に行っ
た。パラジウムの全く存在しない比較例４は、保存特性
が悪かった。硫化を防ぐには、ニッケルのみでは不足す
ることを示している。

【００８１】比較例５，６は、添加元素が５％を越える
と、反射層の熱伝導が不足して、記録特性が悪いことを
示す。特に比較例７は、Ａｇ合金層の比抵抗が５×１０
^−５ΩｃｍとＡｌ−０．６原子％Ｔｉの１×１０^−５Ω
ｃｍよりも大きかった。金属では、熱伝導は、比抵抗と
逆比例しているから、この例では、熱伝導がＡｌＴｉよ
りも悪いと考えられる。以上の条件と結果を表１に示
す。

【００８２】

【表１】 基板の膜構成は、基板／ＺｎＳ−ＳｉＯ_２６５ｎｍ／Ａ
ｇＩｎＳｂＴｅＧｅ１５ｎｍ／ＺｎＳ−ＳｉＯ_２２０ｎ
ｍ／Ａｇ合金１５０ｎｍである。保存試験は、８０℃、
８５％ＲＨ１００時間で、１０μｍ以上のバースト劣化
が２倍以上になった場合を×とした。記録特性は、６６
０ｎｍＮＡ０．６５のヘッドで３．５ｍ／ｓ０．２６７
μｍ／ｂｉｔのＥＦＭ＋信号を記録再生してデータとク
ロックのジッターが９％以上であるものを×とした。

【００８３】

【発明の効果】本発明によれば、反射率が高く、高速成
膜が可能で、しかも良好なジッターと信頼性の高い繰り
返し書き換え特性を有した光記録媒体が提供され、光情
報記録媒体分野に寄与するところはきわめて大きいもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の実施形態の一つであ
る相変化型光ディスクの断面図である。

【図２】本発明の光情報記録媒体の実施形態の一つであ
る相変化型光ディスクにおいて、基板側から再生するも
のを示す図である。

【図３】本発明の光情報記録媒体の実施形態の一つであ
る相変化型光ディスクにおいて、膜面側から再生するも
のを示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下部誘電体保護層 ３ 相変化型記録層 ４ 上部誘電体保護層 ５ Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｉ反射放熱層 ６ 樹脂保護層 ７ 基板 ８ 基板 ９ Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｉ反射放熱層 １０ 下部誘電体保護層 １１ 相変化記録層 １２ 上部誘電体保護層 １３ 粘着樹脂接着層 １４ 透明シート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｎ ５３５ ５３５Ｈ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA44 FA12 FA14 FA23 FA24 FA25 FA27 FB09 FB12 5D029 JA01 JC18 LA13 LA16 LA17 LB11 MA27

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に積層した下部誘電体保護層、相
   変化型記録層、上部誘電体保護層及び反射放熱層を有す
   る相変化型光情報記録媒体において、該反射放熱層が、
   Ａｇに０．５〜１０原子％のＣｕを含有した合金からな
   ることを特徴とする光情報記録媒体。
2. 【請求項２】 該相変化型記録層が、Ｓｂ_３Ｔｅ準安定
   層を基盤とする材料である請求項１に記載の光情報記録
   媒体。
3. 【請求項３】 該上部誘電体保護層が、ＧｅＣｒの窒化
   物又はＳｉＣである請求項１又は２に記載の光情報記録
   媒体。
4. 【請求項４】 該下部誘電体保護層が、２層からなり、
   基板側がＺｎＳ−Ｎｂ_２Ｏ_５、記録層側がＧｅＣｒの窒
   化物である請求項１〜３のいずれかに記載の光情報記録
   媒体。
5. 【請求項５】 基板上に積層した下部誘電体保護層、相
   変化型記録層、上部誘電体保護層及び反射放熱層を有す
   る相変化型光情報記録媒体において、該反射放熱層が、
   Ａｇに０．５〜３原子％のＰｄ及び０．５〜４原子％の
   Ｎｉを含有した合金であって、ＰｄとＮｉの合計が５原
   子％以下であるものからなることを特徴とする光情報記
   録媒体。
6. 【請求項６】 該相変化型記録層が、Ｓｂ_３Ｔｅ準安定
   層を基盤とする材料である請求項５に記載の光情報記録
   媒体。
7. 【請求項７】 基板上に積層した反射放熱層、下部誘電
   体保護層、相変化型記録層及び上部誘電体保護層を有す
   る膜再生性相変化型光情報記録媒体において、該相変化
   型記録層が、Ｓｂ_３Ｔｅ準安定層を基盤とする材料から
   なることを特徴とする光情報記録媒体。
8. 【請求項８】 該反射放熱層が、Ａｇに０．５〜３原子
   ％のＰｄ及び０．５〜４原子％のＮｉを含有した合金で
   あって、ＰｄとＮｉの合計が５原子％以下である請求項
   ７に記載の光情報記録媒体。