JP2002268086A - 電気光学装置用基板、電気光学装置および投射型液晶装置並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光源からの入射光や戻り光に含まれる斜め光
に起因する光リーク電流の発生を防止することができ、
高コントラスト表示ができる電気光学装置および投射型
液晶装置を提供する。 【解決手段】スイッチング素子３０の上方と下方の少な
くとも一方で、前記スイッチング素子３０の形成位置に
対応する領域に、半導体層１ａに向かって凸状の形状で
ある遮光膜３ａ、１１ａが設けられているものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置用基
板、電気光学装置および投射型液晶装置並びに電子機器
に関し、特に、スイッチング素子の光リーク電流を防止
することができる電気光学装置用基板、電気光学装置お
よび投射型液晶装置並びに電子機器に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶プロジェクタ等の投射型液晶装置に
は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に対
応して液晶パネルを３枚使用する３板式のものと、１枚
の液晶パネルと色生成手段とから構成される単板式のも
のがある。この投射型液晶装置の構成要素である液晶パ
ネルは、例えば、アクティブマトリクス型液晶ライトバ
ルブとその前後に配置される偏光板とから構成されてい
る。この種の液晶ライトバルブは、ガラス基板、石英基
板等の透明な２枚の基板間に液晶が封入されたものであ
り、一方の基板をなす薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor、以下、ＴＦＴと略記する）アレイ基板と、こ
れに対向配置された他方の基板をなす対向基板とを備え
ている。

【０００３】ＴＦＴアレイ基板は、基板本体と、その液
晶層側の表面上に形成された画素電極と、半導体層を有
する画素スイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）
と、この画素スイッチング用ＴＦＴを駆動するためのデ
ータ線や走査線などの信号線と、配向膜とを主体として
構成されている。また、ＴＦＴアレイ基板の半導体層の
下層には、絶縁膜を介して金属などで形成された遮光膜
が配置されている。他方、対向基板は、基板本体と、そ
の液晶層側の表面上に形成された対向電極と、配向膜
と、遮光膜とを主体として構成されている。各基板はこ
のような構成であり、画素電極と対向電極とが対向する
ように配置されたＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に
は、液晶層が形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶ライトバルブにおいては、光源からの入射光や戻り
光に含まれる斜め光によって、光リーク電流が発生し、
コントラスト比の低下などの不都合が生じることが、問
題となっていた。図１１は、従来の液晶ライトバルブに
おける問題点を説明するための模式図であり、問題点を
説明するために必要な部材のみを示した断面図である。
図１１において、符号３０は、ＴＦＴアレイ基板を構成
する画素スイッチング用ＴＦＴを示している。画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、走査線３ａと、走査線３ａか
らの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１
ａ’とソース領域１ｈおよびドレイン領域１ｇとを有す
る半導体層１ａと、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁
する絶縁薄膜２とを備えている。

【０００５】画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層
１ａの下方には、絶縁膜１２を介して形成された遮光膜
１１が配置されている。この遮光膜１１は、ＴＦＴアレ
イ基板の基体本体１０上に設けられ、平坦な表面を有す
るものとされている。そして、この遮光膜１１によっ
て、ＴＦＴアレイ基板の側から入射する戻り光が画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａに侵入するのを
防止している。一方、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の
半導体層１ａの上方には、遮光膜３３が配置されてい
る。この遮光膜３３は、対向基板の基体本体２０上に設
けられ、平坦な表面を有するものとされている。そし
て、この遮光膜３３によって、対向基板の側から入射す
る入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１
ａに侵入するのを防止している。

【０００６】液晶ライトバルブに入射する光源からの入
射光や戻り光は、光源からの照射方向と平行な光だけで
なく、照射方向から１０°程度傾いた斜め光も含んでい
る。例えば、入射光に含まれる斜め光Ｅが、図１１に示
す従来の液晶ライトバルブに入射すると、図１１に示す
ように、斜め光Ｅは、ＴＦＴアレイ基板に設けられた遮
光膜１１と対向基板に設けられた遮光膜３３との間に侵
入する。そして、遮光膜１１と遮光膜３３との間に侵入
した斜め光Ｅは、遮光膜１１、３３や、遮光膜１１と遮
光膜３３との間に設けられている金属膜などに反射して
多重散乱光となり、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に到
達してしまう。また、図１１に示す従来の液晶ライトバ
ルブ内に、戻り光に含まれる斜め光が入射した場合も同
様に、斜め光は、遮光膜１１と遮光膜３３との間に侵入
して多重散乱光となり、画素スイッチング用ＴＦＴ３０
に到達してしまう。このように、ただ単に遮光膜１１、
３３を設けただけでは、充分な遮光がなされたとはいえ
ず、遮光膜１１と遮光膜３３との間に侵入する光（リー
ク光）を防ぐことは困難であった。そして、画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０に到達したリーク光は、画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０の光リーク電流を発生させ、光リー
ク電流によって生じるコントラスト比の低下などの不都
合が発生する原因となる。

【０００７】とくに、近年は、液晶プロジェクタの高精
細化、高輝度化、低価格化に伴う液晶ライトバルブの小
型化に伴って、ライトバルブに入射させる入射光の強度
が強くなってきている。このことにより、斜め光も強く
なり、斜め光に起因する光リーク電流も増大するので、
より一層コントラスト比の低下などの不都合が生じやす
くなってきている。

【０００８】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、光源からの入射光や戻り光に含ま
れる斜め光に起因する光リーク電流の発生を防止するこ
とができ、高コントラスト表示ができる電気光学装置用
基板および電気光学装置および投射型液晶装置を提供す
ることを目的とする。また、上記の高コントラスト表示
ができる電気光学装置を備えた投射型液晶装置および電
子機器を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置は、互いに対向する一対の
基板間に電気光学物質が狭持されてなり、前記一対の基
板のうち一方の基板には、半導体層を有するスイッチン
グ素子が備えられた電気光学装置であって、前記スイッ
チング素子の上方と下方の少なくとも一方で、前記スイ
ッチング素子の形成位置に対応する領域に、前記半導体
層に向かって凸状の形状である遮光膜が設けられている
ことを特徴とする。

【００１０】本発明の電気光学装置においては、前記ス
イッチング素子の上方と下方の少なくとも一方で、前記
スイッチング素子の形成位置に対応する領域に、前記半
導体層に向かって凸状の形状である遮光膜が設けられて
いるので、光源からの入射光や戻り光に含まれる斜め光
が、スイッチング素子に到達するリーク光になるのを防
止することができる。すなわち、本発明の電気光学装置
における遮光膜は、半導体層に向かって凸状の形状であ
るので、電気光学装置内に入射した斜め光を、遮光膜が
設けられている領域の外側に向かって反射させることが
できる。また、電気光学装置内に入射した斜め光が、遮
光膜が設けられている領域内に侵入した場合も、上下遮
光層間で反射し、外側に向かって光が反射される。この
ことにより、電気光学装置内に入射した斜め光が、スイ
ッチング素子に到達するリーク光になるのを防止するこ
とができる。その結果、スイッチング素子の光リーク電
流の発生を防ぐことができ、光リーク電流に起因するコ
ントラスト比の低下などの不都合が生じにくく、高コン
トラスト表示が可能な電気光学装置とすることができ
る。

【００１１】また、上記の電気光学装置においては、前
記遮光膜は、前記スイッチング素子の上方で、前記スイ
ッチング素子の形成位置に対応する領域に設けられ、下
方に向かって凸状の第１遮光膜と、前記スイッチング素
子の下方で、前記スイッチング素子の形成位置に対応す
る領域に設けられ、上方に向かって凸状の第２遮光膜と
からなることが望ましい。

【００１２】このような電気光学装置とすることで、ス
イッチング素子の上方および下方の前記スイッチング素
子の形成位置に対応する領域に、遮光膜がそれぞれ設け
られたものとなるので、電気光学装置内に入射した斜め
光がスイッチング素子に到達するのを、より一層確実に
防止することができる。

【００１３】また、上記の電気光学装置においては、前
記第１遮光膜および前記第２遮光膜は、前記一方の基板
に設けられていることが望ましい。このような電気光学
装置では、第１遮光膜および第２遮光膜が、一方の基板
に設けられているので、第１遮光膜と第２遮光膜とをそ
れぞれ別々の基板に設けた場合と比較して、第１遮光膜
と第２遮光膜との間隔が狭いものとなり、外側に向かっ
てより一層効率よく反射させることが出来るため、斜め
光がスイッチング素子に到達するのをより一層効果的に
防止できる。

【００１４】また、上記の電気光学装置においては、前
記遮光膜の前記半導体層に対向する側の面が、湾曲して
いることが望ましい。このような電気光学装置では、遮
光膜の半導体層に対向する側の面が湾曲しているので、
電気光学装置内に入射した斜め光を、遮光膜が設けられ
ている領域の外側に向かって効率よく反射させることが
できる。また、電気光学装置内に入射した斜め光が、遮
光膜が設けられている領域内に侵入した場合も、上下遮
光層間で反射し、外側に光が反射する。このため、斜め
光がスイッチング素子に到達するのをより一層確実に防
止することができる。

【００１５】また、上記の電気光学装置においては、前
記遮光膜が、断面視台形状とされているものとしてもよ
い。このような電気光学装置では、遮光膜が断面視台形
状とされているので、電気光学装置内に入射して、遮光
膜の斜面に当たった斜め光を、遮光膜が設けられている
領域の外側に向かって効率よく反射させることができ
る。また、電気光学装置内に入射した斜め光が、遮光膜
が設けられている領域内に侵入した場合も、上下遮光層
間で反射し、外側に光が反射する。このため、斜め光が
スイッチング素子に到達するのをより一層確実に防止す
ることができる。また、断面視台形状の遮光膜は、製造
プロセス上形成が容易なものであるので、上記の電気光
学装置とすることにより、斜め光に起因する光リーク電
流の発生を防止することができ、高コントラスト表示が
できる電気光学装置が容易に得られる。

【００１６】また、上記の電気光学装置においては、前
記遮光膜は、下地層上に設けられ、前記下地層は、前記
スイッチング素子の上方と下方の少なくとも一方で、前
記スイッチング素子の形成位置に対応する領域に、前記
半導体層に向かって凸状の形状となるように形成されて
いることが望ましい。このような電気光学装置とするこ
とで、下地層上に遮光層を設けることにより、スイッチ
ング素子の上方と下方の少なくとも一方で、スイッチン
グ素子の形成位置に対応する領域に、半導体層に向かっ
て凸状の形状である遮光膜を設けることができるものと
なるので、一般的な遮光膜の形成方法と同様の方法など
により上記の遮光膜を得ることができ、斜め光に起因す
る光リーク電流の発生を防止することができ、高コント
ラスト表示ができる電気光学装置を容易に得ることがで
きる。

【００１７】また、上記の目的を達成するために、本発
明の電気光学装置用基板は、上記のいずれかの電気光学
装置を構成する一対の基板のうち一方の基板からなる電
気光学装置用基板であって、半導体層を有するスイッチ
ング素子が備えられ、前記スイッチング素子の上方と下
方の少なくとも一方で、前記スイッチング素子の形成位
置に対応する領域に、前記半導体層に向かって凸状の形
状である遮光膜が設けられていることを特徴とする。

【００１８】このような電気光学装置用基板において
は、スイッチング素子の上方と下方の少なくとも一方
で、スイッチング素子の形成位置に対応する領域に、半
導体層に向かって凸状の形状である遮光膜が設けられて
いるので、これを用いた電気光学装置内に光源からの入
射光や戻り光に含まれる斜め光が入射しても、斜め光が
スイッチング素子に到達するリーク光になるのを防止す
ることができる。したがって、本発明の電気光学装置用
基板は、スイッチング素子の光リーク電流の発生を防ぐ
ことができ、光リーク電流に起因するコントラスト比の
低下などの不都合が生じにくく、高コントラスト表示が
可能な電気光学装置を構成することができる。

【００１９】また、上記の電気光学装置用基板において
は、前記遮光膜は、前記スイッチング素子の上方で、前
記スイッチング素子の形成位置に対応する領域に設けら
れ、下方に向かって凸状の第１遮光膜と、前記スイッチ
ング素子の下方で、前記スイッチング素子の形成位置に
対応する領域に設けられ、上方に向かって凸状の第２遮
光膜とからなることを特徴とするものとすることが望ま
しい。

【００２０】このような電気光学装置用基板とすること
で、スイッチング素子の上方および下方の前記スイッチ
ング素子の形成位置に対応する領域に、遮光膜がそれぞ
れ設けられたものとなるので、これを用いた電気光学装
置とした場合に、電気光学装置内に入射した斜め光が、
外側に向かってより一層効率よく反射させることがで
き、斜め光がスイッチング素子に到達するのをより一層
確実に防止することができる。また、上記の電気光学装
置用基板には、第１遮光膜および第２遮光膜が設けられ
ているので、第１遮光膜と第２遮光膜との間隔が狭い電
気光学装置を構成することができるものとなる。したが
って、これを用いた電気光学装置とした場合に、電気光
学装置内に入射した斜め光が、第１遮光膜と前記第２遮
光膜との間に侵入しにくくいものとなり、また、電気光
学装置内に入射した斜め光が、遮光膜が設けられている
領域内に侵入した場合も、上下遮光層間で反射し、外側
に光が反射されるため、斜め光がスイッチング素子に到
達することを一層効果的に防止することができる。

【００２１】また、本発明の投射型表示装置は、上記の
電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、光源
と、該光源から出射された光を変調する前記電気光学装
置と、該電気光学装置により変調された光を投射面に拡
大投影する拡大投影光学系とを有することを特徴とす
る。このような投射型表示装置は、上記の電気光学装置
を備えたものであるので、高コントラスト表示ができる
投射型表示装置とすることができる。

【００２２】また、本発明の電子機器は、上記の電気光
学装置を備えたことを特徴とする。このような電子機器
とすることにより、高コントラスト表示ができる電子機
器とすることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】［第１の実施形態の液晶装置の構
成］本発明の第１の実施形態の液晶装置の構成につい
て、図１から図３を参照して以下説明する。図１は、デ
ータ線、走査線、容量線、画素電極等が形成されたＴＦ
Ｔアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であ
る。図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。図３は、図
１に示すデータ線を横断する方向に切断したときの概略
を示した図１のＢ−Ｂ’断面図であり、液晶装置内に斜
め光が入射した状況を説明するための模式図である。な
お、図１〜図３においては、各層や各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮
尺を異ならしめてある。また、図２においては、液晶装
置の断面構造を理解しやすくするために、遮光膜の断面
形状を平坦なものとして示してある。また、図３におい
ては、液晶装置内に斜め光が入射した状況を説明する際
に必要な部材のみを示し、その他の各部材等は省略して
示してある。

【００２４】図１および図２に示すように、液晶装置の
ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の透明な画素電極９
ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するスイッチ
ング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０とがマト
リクス状に複数形成され、画素電極９ａの縦横の境界に
各々沿って画像信号を供給するデータ線６ａ、走査線３
ａおよび容量線３ｂが設けられている。データ線６ａ
は、コンタクトホール５ａおよびコンタクトホール５ｂ
を介して、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のソース領域
１ｄに電気的に接続されており、画素電極９ａは、コン
タクトホール８ａおよびコンタクトホール８ｂを介し
て、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレイン領域１ｅ
に電気的に接続されている。そして、画素スイッチング
用ＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、デー
タ線６ａから供給される画像信号を所定のタイミングで
書き込むようにされている。また、ポリシリコン膜から
なる半導体層１ａのうち、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０のチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが
配置され、所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に
走査信号を印加するように構成されている。

【００２５】断面構造を見ると、図２に示すように、こ
の液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一方
の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置
される他方の基板をなす対向基板２０とを備えている。
ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対
向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなるも
のである。

【００２６】ＴＦＴアレイ基板１０には、例えばＩＴＯ
膜等の透明導電性膜からなる画素電極９ａが設けられ、
ＴＦＴアレイ基板１０上の各画素電極９ａに隣接する位
置には、画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられてい
る。画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightl
y Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該
走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導
体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層
１ａとを絶縁する絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層
１ａの低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域
１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄおよび高濃
度ドレイン領域１ｅを備えている。

【００２７】また、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基
板１０上には、溝１０ａが設けられ、溝１０ａの内側の
半導体層１ａの下方に位置する領域には、図３に示すよ
うに、断面視台形状の下地層１０ｃが半導体層１ａに向
かって凸状の形状となるように設けられている。下地層
１０ｃは、例えばＳｉＯ₂、ＳｉＮなどにより形成され
ている。また、下地層１０ｃの上には、図３に示すよう
に、断面視台形状の遮光膜１１ａ（特許請求の範囲にお
ける「遮光膜」に相当する。）が、半導体層１ａに向か
って凸状の形状となるように配置されている。

【００２８】この遮光膜１１ａは、例えば、ＴＦＴアレ
イ基板１０上の半導体層１ａの下方に位置する領域に、
下地層１０ｃとなる下地膜を設け、これをパターニング
したのちエッチングすることにより、断面視台形状であ
り半導体層１ａに向かって凸状の形状となるように下地
層１０ｃを形成し、この下地層１０ｃ上に金属などをス
パッタする方法などにより設けられたものである。遮光
膜１１ａを設ける際に、下地膜のエッチングを等方性エ
ッチングする方法により行うと、サイドエッチングが生
じる分エッチング面にテーパーが付くので、下地層１０
ｃが台形状に形成される。遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレ
イ基板の側から入射する戻り光が、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０の半導体層１ａに侵入するのを防止してい
る。

【００２９】そして、この遮光膜１１ａ上を含むＴＦＴ
アレイ基板１０上には、図２および図３に示すように、
絶縁膜１２を介して半導体層１ａが配置されている。絶
縁膜１２上の半導体層１ａが配置される領域は、化学的
機械的研磨法（Ｃhemical Ｍecanical Ｐolishing（Ｃ
ＭＰ））などにより平坦化して、遮光膜１１ａ分の高さ
を相殺しておくことが望ましい。

【００３０】また、図２に示すように、半導体層１ａ上
に設けられた絶縁薄膜２上、走査線３ａ上を含むＴＦＴ
アレイ基板１０上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じる
コンタクトホール５ａおよび高濃度ドレイン領域１ｅへ
通じるコンタクトホール８ａが各々形成された第１層間
絶縁膜４が形成され、第１層間絶縁膜４上には、バリア
層１４および誘電体層１５を介して、図３に示す遮光膜
を兼ねる容量線３ｂ（特許請求の範囲における「遮光
膜」に相当する。）が設けられている。

【００３１】容量線３ｂは、図１および図２に示すよう
に、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ、走査線３
ａ、容量線３ｂ、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成
領域に対向する領域、すなわち各画素の非表示領域に設
けられ、隣接する画素間を遮光している。また、容量線
３ｂは、図３に示すように、断面視台形状であり、半導
体層１ａに向かって凸状の形状とされているとともに、
高い遮光性を有するものとするために、２層構造とされ
ている。

【００３２】この遮光膜を兼ねる容量線３ｂは、例え
ば、第１層間絶縁膜４をパターニングしてエッチングす
ることにより、第１層間絶縁膜４上の半導体層１ａの上
方に位置する領域に、断面視台形状であり半導体層１ａ
に向かって凸状の形状となるように凹部を形成し、第１
層間絶縁膜４の凹部が設けられた部分を下地層として、
バリア層１４および誘電体層１５を形成したのち金属な
どをスパッタする方法などにより設けられたものであ
る。遮光膜を兼ねる容量線３ｂを設ける際に、第１層間
絶縁膜４のエッチングを等方性エッチングする方法によ
り行うと、サイドエッチングが生じる分エッチング面に
テーパーが付くので、下地層が台形状に形成される。そ
して、容量線３ｂにより、対向基板２０の側からの入射
光が、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａの
チャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域領域１ｂ、低濃
度ドレイン領域１ｃに侵入するのを防止している。

【００３３】遮光膜を兼ねる容量線３ｂ上には、コンタ
クトホール５ｂおよびコンタクトホール８ｂが形成され
た第２層間絶縁膜７が形成され、第２層間絶縁膜７の上
には、データ線６ａが形成されている。さらに、データ
線６ａ上および第２層間絶縁膜７上には、コンタクトホ
ール８ｂが形成された第３層間絶縁膜１７が形成され、
第３層間絶縁膜１７上には、画素電極９ａが形成されて
いる。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜７を貫
通するコンタクトホール５ｂと第１層間絶縁膜４を貫通
するコンタクトホール５ａとを介して、高濃度ソース領
域１ｄに電気的に接続されている。また、画素電極９ａ
は、第３層間絶縁膜１７および第２層間絶縁膜７を貫通
するコンタクトホール８ｂと第１層間絶縁膜４を貫通す
るコンタクトホール８ａとを介して、高濃度ドレイン領
域１ｅに電気的に接続されている。

【００３４】画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好まし
くは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領
域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの
打ち込みを行わないオフセット構造を採っても良いし、
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち
込み、自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を
形成するセルフアライン型のＴＦＴであっても良い。ま
た、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の
走査線３ａの一部からなるゲート電極をソース・ドレイ
ン領域間に１個のみ配置したシングルゲート構造とした
が、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよ
い。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加さ
れるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲ
ート）あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれ
ば、チャネルとソース・ドレイン領域接合部のリーク電
流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造ある
いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減で
き、安定したスイッチング素子を得ることができる。

【００３５】また、ＴＦＴアレイ基板１０の画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０、データ線６ａおよび走査線３ａの
形成領域にあたる第３層間絶縁膜１７上および画素電極
９ａ上には、配向膜１６が設けられている。

【００３６】他方、対向基板２０上には、その全面にわ
たって対向電極（共通電極）２１が設けられている。対
向電極２１もＴＦＴアレイ基板１０の画素電極９ａと同
様、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。ま
た、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６と対向する位
置にあたる対向基板２０の対向電極２１上には、配向膜
２２が設けられている。

【００３７】これらＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０は、画素電極９ａと対向電極２１とが対向するように
配置され、これら基板１０、２０とシール材により囲ま
れた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。

【００３８】このような液晶装置においては、遮光膜１
１ａと遮光膜を兼ねる容量線３ｂとが設けられているの
で、光源からの入射光や戻り光に含まれる斜め光が、画
素スイッチング用ＴＦＴ３０に到達するリーク光になる
のを防止することができる。すなわち、上記の液晶装置
における遮光膜１１ａおよび容量線３ｂは、半導体層１
ａに向かって凸状の形状であるので、液晶装置内に入射
した斜め光を、遮光膜１１ａおよび容量線３ｂが設けら
れている領域の外側に向かって反射させることができ
る。

【００３９】ここで、上記の液晶装置内に斜め光が入射
した状況を図３を参照して説明する。例えば、入射光に
含まれる斜め光Ｆが上記の液晶装置内に入射した場合に
は、図３に示すように、斜め光Ｆは、ＴＦＴアレイ基板
１０に設けられた遮光膜１１ａによって、外側に向かっ
て反射する。また、戻り光に含まれる斜め光が上記の液
晶装置内に入射した場合には、斜め光は、容量線３ｂに
よって、外側に向かって反射する。また、電気光学装置
内に入射した斜め光Ｆ'においても、遮光膜が設けられ
ている領域内に侵入した場合も、ＴＦＴアレイ基板１０
に設けられた遮光膜１１ａと容量線３ｂとの間で反射
し、外側に光が反射される。このことにより、入射光や
戻り光に含まれる斜め光が、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０に到達するのを防止することができる。その結果、
画素スイッチング用ＴＦＴ３０の光リーク電流の発生を
防ぐことができ、光リーク電流に起因するコントラスト
比の低下などの不都合が生じにくく、高コントラスト表
示が可能な液晶装置とすることができる。

【００４０】また、上記の液晶装置においては、画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０の上方および下方の画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０の形成位置に対応する領域に、遮光
膜がそれぞれ設けられたものであるので、例えば、遮光
膜１１ａと容量線３ｂのいずれか一方のみを設けた場合
と比較して、斜め光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０に
到達するのをより一層確実に防止することができる。し
かも、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の上方および下方
に設けられた遮光膜１１ａと遮光膜を兼ねる容量線３ｂ
とからなる２枚の遮光膜は、いずれもＴＦＴアレイ基板
１０上に設けられているので、例えば、画素スイッチン
グ用ＴＦＴ３０の上方に設けられた遮光膜を対向基板２
０上に設けた場合と比較して、２枚の遮光膜間の間隔が
狭いものとなり、液晶装置内に入射した斜め光が、２枚
の遮光膜間に侵入しにくく、また、電気光学装置内に入
射した斜め光が、遮光膜が設けられている領域内に侵入
した場合も、上方および下方に設けられた遮光膜１１ａ
と遮光膜を兼ねる容量線３ｂとからなる２枚の遮光膜間
で反射し、外側に光が反射されるため、斜め光が画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０に到達するのをより一層効果的
に防止できる。

【００４１】また、遮光膜１１ａおよび容量線３ｂは、
断面視台形状とされているので、液晶装置内に入射した
斜め光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０に到達するのを
より一層効果的に防止できる。しかも、断面視台形状の
遮光膜は、例えば、遮光膜の下方に設けられる絶縁膜
を、パターニングしてエッチングすることにより断面視
台形状の下地層とし、その上方に金属などをスパッタす
る方法などにより得られるものであり形成が容易である
ので、上記の液晶装置とすることにより、斜め光に起因
する光リーク電流の発生を防止することができ、高コン
トラスト表示ができる優れた液晶装置が容易に得られ
る。

【００４２】また、下地層１０ｃは、画素スイッチング
用ＴＦＴ３０下方の画素スイッチング用ＴＦＴ３０形成
位置に対応する領域に、下地層となる第１層間絶縁膜４
は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０上方の画素スイッチ
ング用ＴＦＴ３０形成位置に対応する領域に、半導体層
１ａに向かって凸状の形状となるように形成されている
ので、下地層１０ｃ上および第１層間絶縁膜４上に遮光
層を設けることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０
の上方と下方の画素スイッチング用ＴＦＴ３０形成位置
に対応する領域に、半導体層１ａに向かって凸状の形状
である遮光膜１１ａおよび容量線３ｂを設けることがで
き、一般的な遮光膜の形成方法と同様の方法などにより
遮光膜１１ａおよび容量線３ｂを得ることができる。

【００４３】また、このような液晶装置においては、容
量線３ｂが遮光膜を兼ねるものであるので、遮光膜を設
ける工程を簡略化することができる。

【００４４】なお、上記実施形態の液晶装置において
は、対向基板２０上に、コントラスト比の向上、色材の
混色防止などの機能、いわゆるブラックマトリクスとし
ての機能を有する遮光膜を設けてもよい。また、上記実
施形態の液晶装置においては、画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ３０の上方に設けられている遮光膜を対向基板２０上
に設ける構成としてもよい。また、上記実施形態の液晶
装置においては、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の上方
に設けられている遮光膜を、遮光膜を兼ねる容量線３ｂ
からなるものとしたが、容量線３ｂとバリア層１４とか
らなるものや、容量線３ｂとバリア層１４と誘電体層１
５とからなるものとしてもよいし、容量線３ｂとは別の
膜からなるものとしてもよい。

【００４５】また、上記実施形態の液晶装置において
は、遮光膜１１ａは、下地層１０ｃ上に形成する以外
に、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の基体本体をエッチ
ング加工するなどして凸部を形成して、その凸部上に形
成してもよい。また、上記実施形態の液晶装置において
は、遮光膜１１ａは、データ線６ａを横断する方向に切
断したときに断面視台形状であり、半導体層１ａに向か
って凸状の形状となっているが、走査線３ａを横断する
方向に切断したときにも断面視台形状であり、半導体層
１ａに向かって凸状の形状となっているものとしてもよ
い。

【００４６】また、上記実施形態の液晶装置において
は、本発明をＴＦＴ素子に代表される３端子型素子を用
いるアクティブマトリクス型の液晶装置とその製造方法
に適用した場合について説明したが、ＴＦＤ素子に代表
される２端子型素子を用いるアクティブマトリクス型の
液晶装置およびその製造方法にも適用できる。

【００４７】［第２の実施形態の液晶装置の構成］本実
施形態の液晶装置が、上記の第１の実施形態の液晶装置
と異なるところは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０上方
の画素スイッチング用ＴＦＴ３０形成位置に対応する領
域に設けられた遮光膜を兼ねる容量線の形状のみであ
る。図４は、本発明の電気光学装置の一例である液晶パ
ネルの他の例の一部を示した概略断面図である。図４に
示す液晶装置においては、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０上方の画素スイッチング用ＴＦＴ３０形成位置に対応
する領域に設けられた遮光膜である容量線３ｃの半導体
層１ａに対向する側の面が、湾曲している。

【００４８】このような液晶装置では、遮光膜を兼ねる
容量線３ｃの半導体層１ａに対向する側の面が湾曲して
いるので、液晶装置内に入射した斜め光を、外側に向か
ってより一層効率よく反射させることができる。例え
ば、入射光に含まれる斜め光が液晶装置内に入射した場
合には、斜め光は、第１の実施形態の液晶装置と同様
に、遮光膜１１ａによって、外側に向かって反射する。
また、図４に示すように、戻り光に含まれる斜め光Ｇが
液晶装置内に入射した場合には、斜め光Ｇは、遮光膜を
兼ねる容量線３ｃによって、外側に向かって反射する。
また、電気光学装置内に入射した斜め光Ｆ'において
も、遮光膜が設けられている領域内に侵入した場合も、
ＴＦＴアレイ基板１０に設けられた遮光膜１１ａと容量
線３ｃとの間で反射し、外側に光がでていく。このこと
により、斜め光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０に到達
するのをより一層確実に防止することができる。

【００４９】［第３の実施形態の液晶装置の構成］本実
施形態の液晶装置が、上記の第２の実施形態の液晶装置
と異なるところは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０下方
の画素スイッチング用ＴＦＴ３０形成位置に対応する領
域に設けられた遮光膜の形状のみである。図５は、本発
明の電気光学装置の一例である液晶パネルの他の例の一
部を示した概略断面図である。図５に示す液晶装置にお
いては、画素スイッチング用ＴＦＴ３０下方の画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０形成位置に対応する領域に設けら
れた遮光膜１１ｂの半導体層１ａに対向する側の面が、
湾曲している。

【００５０】このような液晶装置では、遮光膜１１ｂの
半導体層１ａに対向する側の面も湾曲しているので、液
晶装置内に入射した斜め光を、外側に向かってより一層
効率よく反射させることができる。例えば、図５に示す
ように、入射光に含まれる斜め光Ｈが液晶装置内に入射
した場合には、斜め光Ｈは、遮光膜１１ｂによって、外
側に向かって反射する。また、戻り光に含まれる斜め光
Ｇが液晶装置内に入射した場合には、斜め光Ｇは、第２
の実施形態の液晶装置と同様に遮光膜を兼ねる容量線３
ｃによって、外側に向かって反射する。また、電気光学
装置内に入射した斜め光Ｈ'においても、遮光膜が設け
られている領域内に侵入した場合も、ＴＦＴアレイ基板
１０に設けられた遮光膜１１ｂと容量線３ｃとの間で反
射し、外側に光がでていく。このことにより、斜め光が
画素スイッチング用ＴＦＴ３０に到達するのをより一層
確実に防止することができる。

【００５１】［液晶装置の全体構成］次に、上記構成の
液晶装置の全体構成を図６を参照して説明する。なお、
図６（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成さ
れた各構成要素とともに対向基板２０の側から見た平面
図であり、図６（ｂ）は、対向基板２０を含めて示す図
６（ａ）のＨ−Ｈ’断面図である。なお、図６では、配
向膜の記載は省略されている。

【００５２】図６（ａ）において、ＴＦＴアレイ基板１
０の上には、シール材５１がその縁に沿って設けられて
おり、その内側に並行して、額縁としての遮光膜５３が
設けられている。シール材５１の外側の領域には、デー
タ線駆動回路１０１および外部回路接続端子１０２がＴ
ＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走
査線駆動回路１０４がこの一辺に隣接する２辺に沿って
設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延
が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片
側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線
駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列
してもよい。例えば、奇数列のデータ線６ａは画像表示
領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路か
ら画像信号を供給し、偶数列のデータ線は上記画像表示
領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路
から画像信号を供給するようにしてもよい。このように
データ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ
線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複
雑な回路を構成することが可能となる。さらに、ＴＦＴ
アレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に
設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数
の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の
コーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレ
イ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるた
めの導通材１０６が設けられている。そして、図６
（ｂ）に示すように、図６（ａ）に示したシール材５１
とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５１
によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【００５３】以上、図１から図６を参照して説明した液
晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に、さらに
製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査
するための検査回路等を形成してもよい。また、データ
線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴ
アレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ
（Tape Automated Bonding)基板上に実装された駆動用
ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた
異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続
するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が
入射する側およびＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射
する側には各々、例えば、ＴＮ（TwistedNematic)モー
ド、ＶＡ（Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Pol
ymer Dipersed Liquid Crystal)モード等の動作モード
や、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモ
ードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏
光手段などが所定の方向で配置される。

【００５４】また、上記の液晶装置においては、例えば
カラー液晶プロジェクタ（投射型表示装置）に適用する
ことができる。その場合、対向基板２０上に１画素に１
個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。こ
のようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、
明るい液晶装置が実現できる。さらにまた、対向基板２
０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積するこ
とで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイク
ロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイッ
クフィルタ付対向基板によれば、より明るいカラー液晶
装置が実現できる。

【００５５】［電子機器］上記実施形態の液晶装置を備
えた電子機器の例について説明する。図７は、本発明の
投射型表示装置の一例を示した概略構成図である。図７
において、投射型表示装置１１００は、上述した液晶装
置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９
６２Ｇおよび９６２Ｂとして用いた投射型液晶装置の光
学系の概略構成図を示す。本例の投射型表示装置の光学
系には、光源装置９２０と、均一照明光学系９２３が採
用されている。そして、投射型表示装置は、この均一照
明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離
光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手
段としての３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９
２５Ｂと、変調された後の色光束を再合成する色合成手
段としての色合成プリズム９１０と、合成された光束を
投射面１００の表面に拡大投射する投射手段としての投
射レンズユニット９０６を備えている。また、青色光束
Ｂを対応するライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７
をも備えている。

【００５６】均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板
９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射
ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が
直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３
の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリク
ス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源
装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２
１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。
そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の
矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２
５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。したがって、均一照
明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が
出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合
でも、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５
Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。

【００５７】各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイク
ロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー
９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青
緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに
含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射
され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向か
う。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の
反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出
射部９４４から色合成プリズム９１０の側に出射され
る。次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２におい
て、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射
された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが
直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合
成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラ
ー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部
９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、
均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系
９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４
６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。

【００５８】色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、
Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光
レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、
各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これら
の集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。
このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライ
トバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色
光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これら
の液晶装置は、図示しない駆動手段によって画像情報に
応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通
過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、
導光系９２７を介して対応するライトバルブ９２５Ｂに
導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が
施される。なお、本例のライトバルブ９２５Ｒ、９２５
Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段９６０
Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、
９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された液晶装
置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶ライト
バルブである。

【００５９】導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４
６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射
ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの
反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライト
バルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３と
から構成されている。集光レンズ９４６から出射された
青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂ
に導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、
光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９
６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したが
って、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導
光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制す
ることができる。各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、
９２５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色
合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そ
して、この色合成プリズム９１０によって合成された光
が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある
投射面１００の表面に拡大投射されるようになってい
る。

【００６０】このような投射型表示装置は、本発明の実
施形態の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂが備え
られているものであるので、高コントラスト表示ができ
る投射型表示装置とすることができる。

【００６１】図８は、携帯電話の一例を示した斜視図で
ある。図８において、符号１０００は携帯電話本体を示
し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表
示部を示している。

【００６２】図９は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図９において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用いた液
晶表示部を示している。

【００６３】図１０は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶
表示部を示している。

【００６４】図８〜図１０に示す電子機器は、上記実施
の形態の液晶装置を用いた液晶表示部を備えているの
で、高コントラスト表示ができる表示部を有する電子機
器を実現することができる。なお、本発明の技術範囲は
上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣
旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが
可能である。

【００６５】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
電気光学装置および電気光学装置用基板においては、前
記スイッチング素子の上方と下方の少なくとも一方で、
前記スイッチング素子の形成位置に対応する領域に、前
記半導体層に向かって凸状の形状である遮光膜が設けら
れているので、光源からの入射光や戻り光に含まれる斜
め光が、スイッチング素子に到達するリーク光になるの
を防止することができる。その結果、スイッチング素子
の光リーク電流の発生を防ぐことができ、光リーク電流
に起因するコントラスト比の低下などの不都合が生じに
くく、高コントラスト表示が可能な電気光学装置および
電気光学装置用基板とすることができる。そして、本発
明の電気光学装置を備えたものとすることにより、高コ
ントラスト表示ができる表示品位の高い投射型表示装置
および電子機器を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 データ線、走査線、容量線、画素電極等が形
成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の
平面図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ’断面図である。

【図３】 図１のＢ−Ｂ’断面図であり、液晶装置内に
斜め光が入射した状況を説明するための模式図である。

【図４】 本発明の電気光学装置の一例である液晶パネ
ルの他の例の一部を示した概略断面図である。

【図５】 本発明の電気光学装置の一例である液晶パネ
ルの他の例の一部を示した概略断面図である。

【図６】 図６（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板をその上に
形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平
面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＨ−Ｈ’断面
図である。

【図７】 本発明の投射型表示装置の一例を示した概略
構成図である。

【図８】 本発明の電子機器の一例を示した斜視図であ
る。

【図９】 本発明の電子機器の他の例を示した斜視図で
ある。

【図１０】 本発明の電子機器の他の例を示した斜視図
である。

【図１１】 従来の液晶ライトバルブにおける問題点を
説明するための模式図であり、問題点を説明するために
必要な部材のみを示した断面図である。

【符号の説明】

３ａ 走査線 ３ｂ、３ｃ 容量線 ６ａ データ線 ９ａ 画素電極 １０ ＴＦＴアレイ基板 １６，２２ 配向膜 ２０ 対向基板 ２１ 対向電極 ３０ 画素スイッチング用ＴＦＴ ５０ 液晶層 １１ａ、１１ｂ 遮光膜

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９Ｃ Ｆターム(参考） 2H088 EA13 EA15 HA06 HA08 HA12 HA13 HA14 HA21 HA24 HA28 MA02 MA20 2H091 GA13 LA03 LA17 LA30 MA07 2H092 GA59 JA24 JB51 NA01 PA06 PA09 RA05 5C094 AA06 AA16 AA25 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 ED15

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板間に電気光学
   物質が狭持されてなり、前記一対の基板のうち一方の基
   板には、半導体層を有するスイッチング素子が備えられ
   た電気光学装置であって、 前記スイッチング素子の上方と下方の少なくとも一方
   で、前記スイッチング素子の形成位置に対応する領域
   に、前記半導体層に向かって凸状の形状である遮光膜が
   設けられていることを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記遮光膜は、前記スイッチング素子の
   上方で、前記スイッチング素子の形成位置に対応する領
   域に設けられ、下方に向かって凸状の第１遮光膜と、 前記スイッチング素子の下方で、前記スイッチング素子
   の形成位置に対応する領域に設けられ、上方に向かって
   凸状の第２遮光膜とからなることを特徴とする請求項１
   に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記第１遮光膜および前記第２遮光膜
   は、前記一方の基板に設けられていることを特徴とする
   請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記遮光膜の前記半導体層に対向する側
   の面が、湾曲していることを特徴とする請求項１ないし
   請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記遮光膜が、断面視台形状とされてい
   ることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか
   一項に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記遮光膜は、下地層上に設けられ、 前記下地層は、前記スイッチング素子の上方と下方の少
   なくとも一方で、前記スイッチング素子の形成位置に対
   応する領域に、前記半導体層に向かって凸状の形状とな
   るように形成されていることを特徴とする請求項１ない
   し請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし請求項６のいずれか一項
   に記載の電気光学装置を構成する一対の基板のうち一方
   の基板からなる電気光学装置用基板であって、 半導体層を有するスイッチング素子が備えられ、 前記スイッチング素子の上方と下方の少なくとも一方
   で、前記スイッチング素子の形成位置に対応する領域
   に、前記半導体層に向かって凸状の形状である遮光膜が
   設けられていることを特徴とする電気光学装置用基板。
8. 【請求項８】 前記遮光膜は、前記スイッチング素子の
   上方で、前記スイッチング素子の形成位置に対応する領
   域に設けられ、下方に向かって凸状の第１遮光膜と、 前記スイッチング素子の下方で、前記スイッチング素子
   の形成位置に対応する領域に設けられ、上方に向かって
   凸状の第２遮光膜とからなることを特徴とする請求項７
   に記載の電気光学装置用基板。
9. 【請求項９】 請求項１ないし請求項６のいずれか一項
   に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であっ
   て、 光源と、該光源から出射された光を変調する前記電気光
   学装置と、該電気光学装置により変調された光を投射面
   に拡大投影する拡大投影光学系とを有することを特徴と
   する投射型表示装置。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし請求項６のいずれか一
    項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子
    機器。