JP2002261562A - 信号減衰器 - Google Patents
信号減衰器Info
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- JP2002261562A JP2002261562A JP2001055240A JP2001055240A JP2002261562A JP 2002261562 A JP2002261562 A JP 2002261562A JP 2001055240 A JP2001055240 A JP 2001055240A JP 2001055240 A JP2001055240 A JP 2001055240A JP 2002261562 A JP2002261562 A JP 2002261562A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＵ・ＢＳ・ＣＳブースタ等に用いる信号
減衰器の高周波数域における周波数特性を改善する。 【解決手段】 信号減衰器を、伝送信号を減衰する減
衰回路１と、減衰回路１の有効（ＯＮ）又は無効（ＯＦ
Ｆ）を選択するスイッチ２とにより構成する。スイッチ
２には高周波対応でない安価なスライドスイッチを用い
る。減衰回路１を、端子間抵抗素子６と，入力側接地抵
抗素子８と，出力側接地抵抗素子１０とによりπ形に構
成する。端子間抵抗素子６にコンデンサ（端子間容量性
素子）７を並列に接続し、端子間抵抗素子６の入力端に
入力側接地抵抗素子８を介してコイル（入力側接地誘導
性素子）９を接続し、端子間抵抗素子６の出力端に出力
側接地抵抗素子１０を介してコイル（出力側接地誘導性
素子）１１を接続する。
減衰器の高周波数域における周波数特性を改善する。 【解決手段】 信号減衰器を、伝送信号を減衰する減
衰回路１と、減衰回路１の有効（ＯＮ）又は無効（ＯＦ
Ｆ）を選択するスイッチ２とにより構成する。スイッチ
２には高周波対応でない安価なスライドスイッチを用い
る。減衰回路１を、端子間抵抗素子６と，入力側接地抵
抗素子８と，出力側接地抵抗素子１０とによりπ形に構
成する。端子間抵抗素子６にコンデンサ（端子間容量性
素子）７を並列に接続し、端子間抵抗素子６の入力端に
入力側接地抵抗素子８を介してコイル（入力側接地誘導
性素子）９を接続し、端子間抵抗素子６の出力端に出力
側接地抵抗素子１０を介してコイル（出力側接地誘導性
素子）１１を接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号減衰器に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】信号減衰器は、例えばＶＵ・ＢＳ・ＣＳ
ブースタにおいて、アンテナ設置場所の電界強度が適切
でない場合や、１基のアンテナ出力を複数の受信増幅器
に分配する場合などに、伝送信号のレベルを調整するた
めに用いられる。通常、この種の信号減衰器は、図６に
示すように、π形の減衰回路１０１と、この減衰回路１
０１の有効（ＯＮ）又は無効（ＯＦＦ）を選択するスイ
ッチ２とから構成されている。
ブースタにおいて、アンテナ設置場所の電界強度が適切
でない場合や、１基のアンテナ出力を複数の受信増幅器
に分配する場合などに、伝送信号のレベルを調整するた
めに用いられる。通常、この種の信号減衰器は、図６に
示すように、π形の減衰回路１０１と、この減衰回路１
０１の有効（ＯＮ）又は無効（ＯＦＦ）を選択するスイ
ッチ２とから構成されている。
【０００３】しかし、この信号減衰器によると、スイッ
チ２として、図１１に示すような高周波対応でない安価
なスライドスイッチを使用した場合、スイッチ２のイン
ダクタンスや浮遊容量により、ＶＨＦ（３００ＭＨｚ）
以上の高い周波数域での減衰量が、図７に示すように増
大し、所要値の１０ｄＢからずれてしまうことがあっ
た。この周波数特性を改善するため、従来、図８に示す
ように、減衰回路１０１の端子間抵抗素子１０６に補正
用コンデンサ１０７（０．５ｐＦ）を並列に挿入してＵ
ＨＦ（７７０ＭＨｚ）までの高周波数域で実用可能とし
た信号減衰器が提案されている。ここでは、図１０に示
すように、スイッチ２の下に補正用コンデンサ１０７を
配置することで、周辺パターン長を短くして、信号減衰
器への悪影響を排除している。
チ２として、図１１に示すような高周波対応でない安価
なスライドスイッチを使用した場合、スイッチ２のイン
ダクタンスや浮遊容量により、ＶＨＦ（３００ＭＨｚ）
以上の高い周波数域での減衰量が、図７に示すように増
大し、所要値の１０ｄＢからずれてしまうことがあっ
た。この周波数特性を改善するため、従来、図８に示す
ように、減衰回路１０１の端子間抵抗素子１０６に補正
用コンデンサ１０７（０．５ｐＦ）を並列に挿入してＵ
ＨＦ（７７０ＭＨｚ）までの高周波数域で実用可能とし
た信号減衰器が提案されている。ここでは、図１０に示
すように、スイッチ２の下に補正用コンデンサ１０７を
配置することで、周辺パターン長を短くして、信号減衰
器への悪影響を排除している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の信号
減衰器によると、図９に示すように、減衰量がＵＨＦ
（７７０ＭＨｚ）以上の周波数域で所要値からはずれて
しまい、加えてＶＳＷＲも劣化する問題点があった。ま
た図１２及び図１３に示すように、補正用コンデンサ１
０７の容量を０．５ｐＦ〜１．０ｐＦに変更した場合
は、略１．３ＧＨｚまでの周波数域において、減衰量は
所要値近くに改善されるが、ＶＳＷＲがさらに劣化する
不具合があった。したがって、従来の信号減衰器による
と、補正用コンデンサ１０７によって補正できる周波数
域は１．３ＧＨｚまでに限られていた。しかも、回路基
板において、補正用コンデンサ１０７をスイッチ２の下
側に挿入してパターン配線しているため、実装作業が煩
雑になるという問題もあった。
減衰器によると、図９に示すように、減衰量がＵＨＦ
（７７０ＭＨｚ）以上の周波数域で所要値からはずれて
しまい、加えてＶＳＷＲも劣化する問題点があった。ま
た図１２及び図１３に示すように、補正用コンデンサ１
０７の容量を０．５ｐＦ〜１．０ｐＦに変更した場合
は、略１．３ＧＨｚまでの周波数域において、減衰量は
所要値近くに改善されるが、ＶＳＷＲがさらに劣化する
不具合があった。したがって、従来の信号減衰器による
と、補正用コンデンサ１０７によって補正できる周波数
域は１．３ＧＨｚまでに限られていた。しかも、回路基
板において、補正用コンデンサ１０７をスイッチ２の下
側に挿入してパターン配線しているため、実装作業が煩
雑になるという問題もあった。
【０００５】こうした問題に鑑み、本発明の課題は、ス
ライドスイッチ等の安価なスイッチを使用した場合で
も、高周波数域における周波数特性を簡単に改善するこ
とができる信号減衰器を提供することにある。
ライドスイッチ等の安価なスイッチを使用した場合で
も、高周波数域における周波数特性を簡単に改善するこ
とができる信号減衰器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による信
号減衰器は、端子間抵抗素子により伝送信号を減衰する
信号減衰回路と、信号減衰回路を選択するスイッチとを
備えた信号減衰器において、端子間抵抗素子に端子間容
量性素子を並列に接続するとともに、接地抵抗素子を介
して接地誘導性素子を接続して構成される。
号減衰器は、端子間抵抗素子により伝送信号を減衰する
信号減衰回路と、信号減衰回路を選択するスイッチとを
備えた信号減衰器において、端子間抵抗素子に端子間容
量性素子を並列に接続するとともに、接地抵抗素子を介
して接地誘導性素子を接続して構成される。
【０００７】請求項２の発明による信号減衰器は、回路
基板上にスイッチを実装するとともに、スイッチの外側
に端子間抵抗素子、端子間容量性素子、接地抵抗素子及
び接地誘導性素子を配列して構成される。
基板上にスイッチを実装するとともに、スイッチの外側
に端子間抵抗素子、端子間容量性素子、接地抵抗素子及
び接地誘導性素子を配列して構成される。
【０００８】請求項３の発明による信号減衰器は、端子
間抵抗素子の入力端に入力側接地抵抗素子を介して入力
側接地誘導性素子を接続し、端子間抵抗素子の出力端に
出力側接地抵抗素子を介して出力側接地誘導性素子を接
続して構成される。
間抵抗素子の入力端に入力側接地抵抗素子を介して入力
側接地誘導性素子を接続し、端子間抵抗素子の出力端に
出力側接地抵抗素子を介して出力側接地誘導性素子を接
続して構成される。
【０００９】請求項４の発明による信号減衰器は、端子
間抵抗素子の入力端に入力側接地抵抗素子を接続し、端
子間抵抗素子の出力端に出力側接地抵抗素子を接続し、
両接地抵抗素子の接地端を結線し、その結線部に接地誘
導性素子を接続して構成される。
間抵抗素子の入力端に入力側接地抵抗素子を接続し、端
子間抵抗素子の出力端に出力側接地抵抗素子を接続し、
両接地抵抗素子の接地端を結線し、その結線部に接地誘
導性素子を接続して構成される。
【００１０】請求項５の発明による信号減衰器は、複数
の端子間抵抗素子の中間部に接地抵抗素子を接続し、接
地抵抗素子の接地端に接地誘導性素子を接続して構成さ
れる。
の端子間抵抗素子の中間部に接地抵抗素子を接続し、接
地抵抗素子の接地端に接地誘導性素子を接続して構成さ
れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。尚、同一又は類似する構成要素
には各図に同一の符号を付す。図１は本発明に係る信号
減衰器の一実施形態を示す回路図である。この信号減衰
器は、伝送信号を減衰する減衰回路１と、減衰回路１の
有効（ＯＮ）又は無効（ＯＦＦ）を選択するスイッチ２
とを備えている。減衰回路１は端子間抵抗素子６と，入
力側接地抵抗素子８と，出力側接地抵抗素子１０とによ
りπ形に構成されている。
面に基づいて説明する。尚、同一又は類似する構成要素
には各図に同一の符号を付す。図１は本発明に係る信号
減衰器の一実施形態を示す回路図である。この信号減衰
器は、伝送信号を減衰する減衰回路１と、減衰回路１の
有効（ＯＮ）又は無効（ＯＦＦ）を選択するスイッチ２
とを備えている。減衰回路１は端子間抵抗素子６と，入
力側接地抵抗素子８と，出力側接地抵抗素子１０とによ
りπ形に構成されている。
【００１２】端子間抵抗素子６にはコンデンサ（端子間
容量性素子）７が並列に接続されている。端子間抵抗素
子６の入力端には入力側接地抵抗素子８を介してコイル
（入力側接地誘導性素子）９が接続されている。端子間
抵抗素子６の出力端には出力側接地抵抗素子１０を介し
てコイル（出力側接地誘導性素子）１１が接続されてい
る。
容量性素子）７が並列に接続されている。端子間抵抗素
子６の入力端には入力側接地抵抗素子８を介してコイル
（入力側接地誘導性素子）９が接続されている。端子間
抵抗素子６の出力端には出力側接地抵抗素子１０を介し
てコイル（出力側接地誘導性素子）１１が接続されてい
る。
【００１３】スイッチ２には高周波対応でない安価なス
ライドスイッチが用いられている。スイッチ２のレバー
１７をＯＦＦした場合、伝送信号は迂回路３０をとおり
後段回路に出力され、ＯＮした場合、伝送信号は減衰回
路１をとおり後段回路に出力される。
ライドスイッチが用いられている。スイッチ２のレバー
１７をＯＦＦした場合、伝送信号は迂回路３０をとおり
後段回路に出力され、ＯＮした場合、伝送信号は減衰回
路１をとおり後段回路に出力される。
【００１４】上記構成の信号減衰器３によれば、図２に
示すように、１．３ＧＨｚ以上の高周波数域において
も、減衰量を所要値（１０ｄＢ）に維持し、ＶＳＷＲを
１．４以下に抑えて、周波数特性を改善することができ
る。これは、コンデンサ７が伝送信号の高域成分を通過
させることで、減衰量の増加を抑え、コイル９，１１が
コンデンサ７によるインピーダンスの低下を補ってＶＳ
ＷＲの劣化を抑えるからである。
示すように、１．３ＧＨｚ以上の高周波数域において
も、減衰量を所要値（１０ｄＢ）に維持し、ＶＳＷＲを
１．４以下に抑えて、周波数特性を改善することができ
る。これは、コンデンサ７が伝送信号の高域成分を通過
させることで、減衰量の増加を抑え、コイル９，１１が
コンデンサ７によるインピーダンスの低下を補ってＶＳ
ＷＲの劣化を抑えるからである。
【００１５】図３に示すように、信号減衰器３の構成部
品は配線パターン２０を印刷形成した回路基板上に実装
される。スイッチ２には図１１に示すようなスルーホー
ル対応のスライドスイッチが使用され、回路基板のスル
ーホール２１に挿着される。端子間抵抗素子６、接地抵
抗素子８，１０、コンデンサ７には表面実装用チップ部
品が使用され、これらの部品はスイッチ２の外側に配列
されている。コイル９，１１は基板上に印刷形成された
プリントコイルで構成され、これもスイッチ２の外側に
配列されている。この実施形態の信号減衰器３では、コ
イル９，１１がコンデンサ７の周辺パターン長による容
量性分を補ってインピーダンス整合をとるためコンデン
サ７周辺の配線パターンを比較的長く形成でき、スイッ
チ２の外側にコンデンサ７を配置して、その実装作業を
容易に行うことができる。
品は配線パターン２０を印刷形成した回路基板上に実装
される。スイッチ２には図１１に示すようなスルーホー
ル対応のスライドスイッチが使用され、回路基板のスル
ーホール２１に挿着される。端子間抵抗素子６、接地抵
抗素子８，１０、コンデンサ７には表面実装用チップ部
品が使用され、これらの部品はスイッチ２の外側に配列
されている。コイル９，１１は基板上に印刷形成された
プリントコイルで構成され、これもスイッチ２の外側に
配列されている。この実施形態の信号減衰器３では、コ
イル９，１１がコンデンサ７の周辺パターン長による容
量性分を補ってインピーダンス整合をとるためコンデン
サ７周辺の配線パターンを比較的長く形成でき、スイッ
チ２の外側にコンデンサ７を配置して、その実装作業を
容易に行うことができる。
【００１６】図４及び図５は減衰回路１の変更例を示す
ものである。図４に示すπ形減衰回路１においては入力
側接地抵抗素子８と出力側接地抵抗素子１０の両接地端
が結線され、その結線部にコイル１２が接続されてい
る。図５に示すＴ形減衰回路１においては、２つの端子
間抵抗素子１３，１４の中間部に接地抵抗素子１５が接
続され、その接地端にコイル１２が接続されている。い
ずれの回路構成によっても、前記実施形態と同様の作用
効果が得られる。
ものである。図４に示すπ形減衰回路１においては入力
側接地抵抗素子８と出力側接地抵抗素子１０の両接地端
が結線され、その結線部にコイル１２が接続されてい
る。図５に示すＴ形減衰回路１においては、２つの端子
間抵抗素子１３，１４の中間部に接地抵抗素子１５が接
続され、その接地端にコイル１２が接続されている。い
ずれの回路構成によっても、前記実施形態と同様の作用
効果が得られる。
【００１７】尚、本発明は上記実施形態に限定されるも
のではなく、例えば、接地誘導性素子として基板上に実
装されるチップ部品を用いたり、減衰回路を複数段直列
に接続して信号減衰器を構成するなど、本発明の趣旨を
逸脱しない範囲で各部の形状並びに構成を適宜に変更し
て実施することも可能である。
のではなく、例えば、接地誘導性素子として基板上に実
装されるチップ部品を用いたり、減衰回路を複数段直列
に接続して信号減衰器を構成するなど、本発明の趣旨を
逸脱しない範囲で各部の形状並びに構成を適宜に変更し
て実施することも可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の信号減衰
器によれば、減衰回路の端子間抵抗素子に接地抵抗素子
を介して接地誘導性素子を接続したので、安価なスイッ
チを使用した場合でも、高周波数域での減衰量を所要値
に保つとともにＶＳＷＲの劣化を抑えて、使用周波数全
域にわたり周波数特性を改善することができる。特に請
求項２の発明によれば、スイッチの外側において回路基
板上に端子間容量性素子を配置することができ、実装作
業性を向上することができる。
器によれば、減衰回路の端子間抵抗素子に接地抵抗素子
を介して接地誘導性素子を接続したので、安価なスイッ
チを使用した場合でも、高周波数域での減衰量を所要値
に保つとともにＶＳＷＲの劣化を抑えて、使用周波数全
域にわたり周波数特性を改善することができる。特に請
求項２の発明によれば、スイッチの外側において回路基
板上に端子間容量性素子を配置することができ、実装作
業性を向上することができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す信号減衰器の回路図
である。
である。
【図２】図１の信号減衰器の周波数特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図３】図１の信号減衰器の基板組付形態を示す実装図
である。
である。
【図４】減衰回路の変更例を示す回路図である。
【図５】減衰回路の別の変更例を示す回路図である。
【図６】従来の信号減衰器を示す回路図である。
【図７】図６の信号減衰器の周波数特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図８】別の従来例を示す減衰回路の回路図である。
【図９】図８の減衰回路を用いた信号減衰器の周波数特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図１０】図８の減衰回路の基板組付形態を示す実装図
である。
である。
【図１１】スライドスイッチの外観図である。
【図１２】図８の減衰回路の補正用コンデンサを変更し
た時のＶＳＷＲを示すグラフである。
た時のＶＳＷＲを示すグラフである。
【図１３】図８の減衰回路の補正用コンデンサを変更し
た時の減衰量を示すグラフである。
た時の減衰量を示すグラフである。
１・・減衰回路、２・・スイッチ、６，１３，１４・・
端子間抵抗素子、７・・コンデンサ、８・・入力側接地
抵抗素子、９，１１，１２・・コイル、１０・・出力側
接地抵抗素子、１５・・接地抵抗素子。
端子間抵抗素子、７・・コンデンサ、８・・入力側接地
抵抗素子、９，１１，１２・・コイル、１０・・出力側
接地抵抗素子、１５・・接地抵抗素子。
Claims (5)
- 【請求項１】 端子間抵抗素子により伝送信号を減衰す
る信号減衰回路と、信号減衰回路を選択するスイッチと
を備えた信号減衰器において、端子間抵抗素子に端子間
容量性素子を並列に接続するとともに、接地抵抗素子を
介して接地誘導性素子を接続したことを特徴とする信号
減衰器。 - 【請求項２】 回路基板上にスイッチを実装するととも
に、スイッチの外側に端子間抵抗素子、端子間容量性素
子、接地抵抗素子及び接地誘導性素子を配列した請求項
１記載の信号減衰器。 - 【請求項３】 端子間抵抗素子の入力端に入力側接地抵
抗素子を介して入力側接地誘導性素子を接続し、端子間
抵抗素子の出力端に出力側接地抵抗素子を介して出力側
接地誘導性素子を接続した請求項１又は２記載の信号減
衰器。 - 【請求項４】 端子間抵抗素子の入力端に入力側接地抵
抗素子を接続し、端子間抵抗素子の出力端に出力側接地
抵抗素子を接続し、両接地抵抗素子の接地端を結線し、
その結線部に接地誘導性素子を接続した請求項１又は２
記載の信号減衰器。 - 【請求項５】 複数の端子間抵抗素子の中間部に接地抵
抗素子を接続し、接地抵抗素子の接地端に接地誘導性素
子を接続した請求項１又は２記載の信号減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001055240A JP2002261562A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 信号減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001055240A JP2002261562A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 信号減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261562A true JP2002261562A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18915449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001055240A Pending JP2002261562A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 信号減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002261562A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008136158A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-06-12 | Tdk Corp | 擬似線路回路 |
| WO2012146952A1 (en) | 2011-04-29 | 2012-11-01 | Terra, Uab | Radio-frequency circuit assembly |
| JP2013058862A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Dx Antenna Co Ltd | ブースター |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0251417U (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | ||
| JPH04165706A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-11 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | アッテネータの周波数特性調整方法 |
| JPH11122066A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 等化フィルタ、波形等化制御方法及びインダクタ作成方法 |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001055240A patent/JP2002261562A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH04165706A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-11 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | アッテネータの周波数特性調整方法 |
| JPH11122066A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 等化フィルタ、波形等化制御方法及びインダクタ作成方法 |
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| JP2008136158A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-06-12 | Tdk Corp | 擬似線路回路 |
| WO2012146952A1 (en) | 2011-04-29 | 2012-11-01 | Terra, Uab | Radio-frequency circuit assembly |
| JP2013058862A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Dx Antenna Co Ltd | ブースター |
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