JP2002261069A - 電子部材洗浄液及び電子部材洗浄方法 - Google Patents

電子部材洗浄液及び電子部材洗浄方法

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JP2002261069A
JP2002261069A JP2001055364A JP2001055364A JP2002261069A JP 2002261069 A JP2002261069 A JP 2002261069A JP 2001055364 A JP2001055364 A JP 2001055364A JP 2001055364 A JP2001055364 A JP 2001055364A JP 2002261069 A JP2002261069 A JP 2002261069A
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surfactant
concentration
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hydrogen fluoride
cleaning
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JP2001055364A
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English (en)
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Min Choi Gun
グン・ミン・チョイ
Pipia Francisco
フランシスコ・ピピア
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Ikunori Yokoi
生憲 横井
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Original Assignee
UCT Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 Si, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir , Ta, Fe,
Cuもしくはこれらの化合物の単一もしくは複数の金属材
料からなる微細構造を含むシリコン基板表面に対して損
傷を与えることなく、金属、有機物、微粒子などの汚染
物を除去する。 【解決手段】 Si, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir , Ta,
Fe, Cuもしくはこれらの化合物の単一もしくは複数の金
属材料からなる微細構造を含むシリコン基板表面を洗浄
対象とし、弗化水素と界面活性剤と過酸化水素とを含
み、弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下、界面活
性剤の濃度が50mg/l以上500mg/l以下、過酸化水素の濃
度が0.01wt%以上5wt%以下である電子部材洗浄液で洗浄
後、オゾン濃度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面の洗浄工
程で使用される電子部材洗浄液及び洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセスは通常、デバイス構造を
形成するフローにおいて前工程と後工程に区分される。
前工程はシリコン基板内にトランジスタなどの素子を作
り込む基板工程を示し、後工程はその基板上に電気配線
を施す配線工程を示す。また、後工程（配線工程）で
は、デバイスの高密度、高集積化に伴い多層配線構造が
多用されており、その電気配線を構成する金属材料もS
i, W, Alもしくはこれらの化合物の単一もしくは複数の
金属材料からSi, W, Al, Cu等もしくはこれらの化合物
の単一もしくは複数へと複雑化している。このような複
数の金属材料からなる多層配線上のゴミを除去するため
にウェット洗浄行われるが、従来の過酸化水素(H2O2)ベ
ースにしたSPM(H2SO4/H2O2/H2O), SC-1(NH4OH/H2O2/H
2O), SC-2(HCl/H2O2/H2O)では多層配線を構成している
金属材料がエッチングされてしまう。そのため、デバイ
スの性能低下をと製品の歩留まりの低下を引き起こす。
【０００３】本発明者らは、従来の過酸化水素をベース
にしたSPM, SC-1, SC-2からなるRCA洗浄に代わり、超純
水のオゾンまたは水素を添加した機能水をベースとした
基板の洗浄方法を発明している。特に水素を超純水に添
加し、さらにアンモニアを添加した弱アルカリ水素水は
超音波を併用することで、SC-1洗浄以上のゴミ除去効果
を示す。また、強アルカリなSC-1に比べて弱アルカリ水
素水は9.2から10とpHが低いため、金属材料がエッチン
グされいくい。しかし、後工程の洗浄では適用できな
い。何故なら、超音波が金属材料を損傷させるからであ
る。
【０００４】さらに、金属基板上の洗浄はエッチングを
考慮して各金属膜ごとに水酸化テトラメチルアンモニウ
ム（ＴＭＡＨ）もしくはシュウ酸等の有機溶媒の洗浄液
を用いている。これに伴い、各洗浄槽とリンス槽が必要
となるために洗浄装置が大型化し、薬液及び水使用量も
多くなっているのが現状である。
【０００５】一般に金属材料上のゴミ除去は、図１０に
示すようにその材料の若干のエッチングもしくは超音波
併用によるによるゴミの金属材料表面からの離脱と、そ
れらの材料固有の電気的反発によるゴミの再付着防止か
らなると考えられている。しかし、半導体デバイスの超
微細化、高集積化に伴い超音波の併用によるゴミの金属
材料表面からの離脱は、金属材料を損傷させるため使用
できない。よって、これからの洗浄工程には超音波を必
要とせず、どの金属材料にも適用できる薬液及び水使用
量の少ない環境対応型洗浄技術が求められる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板表面、
特にSi, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir ,Ta, Cu, Pb, Sr,
Bi, Ni, Zr, Hfもしくはこれらの化合物の単一もしくは
複数の金属材料からなる微細構造を含む半導体基板表面
に対して損傷を与えることなく、金属、有機物、微粒子
などの汚染物を除去できる電子部材洗浄液及び電子部材
洗浄方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００８】第１の発明の電子部材洗浄液は、弗化水素
と界面活性剤とを含み、前記弗化水素の濃度が0.05wt%
以上0.5wt%以下であることを特徴とする。
【０００９】第２の本発明の電子部材洗浄液は、弗化水
素と界面活性剤とを含み、前記弗化水素の濃度が0.05wt
%以上0.5wt%以下、界面活性剤の濃度が50mg/l以上500mg
/l以下であることを特徴とする。
【００１０】第３の発明の電子部材洗浄液は、弗化水素
と界面活性剤と過酸化水素とを含み、前記弗化水素の濃
度が0.05wt%以上0.5wt%以下であることを特徴とする。
【００１１】第４の発明の電子部材洗浄液は、弗化水素
と界面活性剤と過酸化水素とを含み、前記弗化水素の濃
度が0.05wt%以上0.5wt%以下、前記界面活性剤の濃度が5
0mg/l以上500mg/l以下であることを特徴とする。
【００１２】第５の発明の電子部材洗浄液は、弗化水素
と界面活性剤と過酸化水素とを含み、前記弗化水素の濃
度が0.05wt%以上0.5wt%以下、前記界面活性剤の濃度が5
0mg/l以上500mg/l以下、前記過酸化水素の濃度が0.01wt
%以上5wt%以下であることを特徴とする。
【００１３】ここで、前記第１〜第５の発明の電子部材
洗浄液はSi, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir ,Ta, Cu, Pb,
Sr, Bi, Ni, Zr, Hfもしくはこれらの化合物の単一も
しくは複数の金属材料からなる微細構造を含む半導体基
板表面の洗浄工程で使用することが好適である。
【００１４】第６の発明の電子部材洗浄液は、弗化水素
と界面活性剤とを含み、微細構造が形成された半導体基
板表面を洗浄対象とすることを特徴とする。
【００１５】第７の発明の電子部材洗浄液は、弗化水素
と界面活性剤と過酸化水素とを含み、微細構造が形成さ
れた半導体基板表面を洗浄対象とすることを特徴とす
る。
【００１６】ここで、前記第６，第７の発明の電子部材
洗浄液は、Si, W, Al, Ti, Co, Ru,Pt, Ir ,Ta, Cu, P
b, Sr, Bi, Ni, Zr, Hfもしくはこれらの化合物の単一
もしくは複数の金属材料からなるものを含む前記微細構
造が形成されてなる基板表面に用いて好適である。
【００１７】また、前記第１〜第７の発明の電子部材洗
浄液においては、前記界面活性剤がカチオン系からなる
ものであることが好ましい。
【００１８】また、前記第１〜第７の発明の電子部材洗
浄液においては、前記界面活性剤がアニオン系からなる
ものであることが好ましい。
【００１９】第８の発明の電子部材洗浄方法は、弗化水
素と界面活性剤とを含み、弗化水素の濃度が0.05wt%以
上0.5wt%以下である電子部材洗浄液で洗浄後、オゾン濃
度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄することを特徴と
する。
【００２０】第９の発明の電子部材洗浄方法は、弗化水
素と界面活性剤とを含み、弗化水素の濃度が0.05wt%以
上0.5wt%以下、界面活性剤の濃度が50mg/l以上500mg/l
以下である電子部材洗浄液で洗浄後、オゾン濃度が1mg/
l以上であるオゾン水で洗浄する。
【００２１】第１０の発明の電子部材洗浄方法は、弗化
水素と界面活性剤と過酸化水素とを含み、弗化水素の濃
度が0.05wt%以上0.5wt%以下である電子部材洗浄液で洗
浄後、オゾン濃度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄す
ることを特徴とする。
【００２２】第１１の発明の電子部材洗浄方法は、弗化
水素と界面活性剤と過酸化水素とを含み、弗化水素の濃
度が0.05wt%以上0.5wt%以下、界面活性剤の濃度が50mg/
l以上500mg/l以下である電子部材洗浄液で洗浄後、オゾ
ン濃度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄することを特
徴とする。
【００２３】第１２の発明の電子部材洗浄方法は、弗化
水素と界面活性剤と過酸化水素とを含み、弗化水素の濃
度が0.05wt%以上0.5wt%以下、界面活性剤の濃度が50mg/
l以上500mg/l以下、過酸化水素の濃度が0.01wt%以上5wt
%以下である電子部材洗浄液で洗浄後、オゾン濃度が1mg
/l以上であるオゾン水で洗浄することを特徴とする。
【００２４】ここで、前記第８〜第１２の発明の電子部
材洗浄方法では、Si, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir ,Ta,
Cu, Pb, Sr, Bi, Ni, Zr, Hfもしくはこれらの化合物
の単一もしくは複数の金属材料からなる微細構造を含む
半導体基板表面を洗浄対象とすることが好適である。
【００２５】第１３の発明の電子部材洗浄方法は、微細
構造が形成された半導体基板表面を洗浄対象とし、弗化
水素と界面活性剤とを含む電子部材洗浄液で洗浄後、オ
ゾン濃度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄することを
特徴とする。
【００２６】第１４の発明の電子部材洗浄方法は、微細
構造が形成された半導体基板表面を洗浄対象とし、弗化
水素と界面活性剤と過酸化水素とを含む電子部材洗浄液
で洗浄後、オゾン水で洗浄することを特徴とする。
【００２７】ここで、前記第１３，第１４の発明の電子
部材洗浄方法は、Si, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir ,Ta,
Cu, Pb, Sr, Bi, Ni, Zr, Hfもしくはこれらの化合物
の単一もしくは複数の金属材料からなる前記微細構造を
含む基板表面を洗浄対象とすることが好適である。
【００２８】また、前記第８〜第１４の発明の電子部材
洗浄方法では、前記界面活性剤としてカチオン系からな
るものを用いることが好ましい。
【００２９】また、前記第８〜第１４の発明の電子部材
洗浄方法では、前記界面活性剤としてアニオン系からな
るものを用いることが好ましい。
【００３０】
【作用】本発明により、基板表面、特にSi, W, Al, Ti,
Co, Ru, Pt, Ir ,Ta, Cu, Pb,Sr, Bi, Ni, Zr, Hfもし
くはこれらの化合物の単一もしくは複数の金属材料から
なる微細構造を含む半導体基板表面に対して損傷を与え
ることなく、金属、有機物、微粒子などの汚染物を除去
できる。また、電子部材洗浄水で洗浄後、オゾン水で洗
浄することで前記基板表面に残存する界面活性剤を完全
に除去することができるため、有機物による汚染は一切
心配ない。また、従来の洗浄工程に比べステップ数が大
幅に削減されること、薬液及び水使用量を大幅に削減で
きることから、環境に十分配慮した洗浄プロセスであ
る。
【００３１】
【発明の実施の形態】本実施形態では、Si, W, Al, Ti,
Co, Ru, Pt, Ir ,Ta, Cu, Pb, Sr, Bi, Ni,Zr, Hfもし
くはこれらの化合物の単一もしくは複数の金属材料から
なる微細構造、例えば各種配線層等が形成されてなるシ
リコン基板表面を洗浄対象とする。
【００３２】なお、各実験例において、微粒子評価では
ウエハ表面異物検査装置（ケーエルエー・テンコール社
製）を用いて測定し、金属汚染物評価では全反射蛍光Ｘ
線測定装置（テクノス社製）を用いて測定し、有機物汚
染評価ではフーリエ変換型赤外分光測定装置（バイオラ
ッド社製）を用いて測定した。
【００３３】本実施形態の電子部材洗浄液は、少なくと
も弗化水素と界面活性剤、望ましくはこれらに加え過酸
化水素を更に含む洗浄液であり、弗化水素の濃度を0.05
wt%以上0.5wt%以下、界面活性剤の濃度を50mg/l以上500
mg/l以下、過酸化水素の濃度を0.01wt%以上5wt%以下と
することが好適である。
【００３４】ここで、弗化水素の濃度が0.05wt%を下回
ると洗浄効果（粒子（有機物）除去効果）が不十分とな
るおそれがあり、0.5wt%を上回るとエッチング速度が大
きくなって制御が困難となることが懸念される。本実施
形態では、弗化水素の濃度を上記の範囲内の値とするこ
とで、再現性良く有機物を除去することができる。
【００３５】また、界面活性剤の濃度が50mg/lを下回る
と洗浄効果が不十分となるおそれがあり、500mg/l を上
回ると洗浄効果の劣化及び排水処理上の問題を招来する
ことが懸念される。本実施形態では、界面活性剤の濃度
を上記の範囲内の値とすることで、再現性良く有機物を
除去することができる。この界面活性剤の具体例として
は、カチオン系またはアニオン系のものが望ましい。
【００３６】また、過酸化水素の濃度が0.01wt%を下回
ると十分なスライトエッチング効果が得られないおそれ
があり、5wt%を上回るとエッチング速度が大きくなり過
ぎることが懸念される。本実施形態では、過酸化水素の
濃度を上記の範囲内の値とすることで、スライトエッチ
ング効果とリフトオフとのバランスに優れ、再現性良く
有機物を除去することができる。
【００３７】本実施形態の電子部材洗浄液及びオゾン水
で用いる超純水の製造方法には特に制限はなく、例えば
脱イオン水、蒸留水などの一次純水を逆浸透膜、限外ろ
過膜、精密ろ過膜、イオン吸着膜などを用いて処理する
ことによって得ることができる。
【００３８】特に、本発明で用いる超純水は25℃におけ
る比抵抗率が18.0MΩ・cm以上であること、全有機体炭素
量が10μg/l以下であること、銅及び鉄などの金属成分
がそれぞれ0.02μg/l以下であること、0.05μm以上の微
粒子が１０個/l以下であることが好ましい。
【００３９】そして本実施形態では、上述の電子部材洗
浄液を用いて行う洗浄方法を開示する。ここでは、上述
の電子部材洗浄液により、洗浄対象を洗浄した後、オゾ
ン濃度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄する。オゾン
濃度が1mg/lを下回ると処理時間の増大化を招くことが
懸念される。オゾン水中のオゾンは自己分解し易く、洗
浄効果への影響が大きい。本実施形態では、過酸化水素
の濃度を上記の範囲内の値とすることで、再現性良く有
機物を除去することができる。
【００４０】−実験例− 以下、本発明の奏する洗浄効果について、比較例との比
較に基づいて調べた各実験例を説明する。
【００４１】（実験例１）図１は、比較例として、SC-1
洗浄の微粒子除去効果の温度依存性を示したものであ
る。0.2μm以上のSiO2もしくはAl2O3もしくはSi3N4微粒
子を強制汚染させた6インチ汚染ウェーハ（微粒子数：2
000個）をNH4OH：H2O2：H2O=1:40:20からなるSC-1溶液
で5分間浸漬している。SC-1洗浄では、処理温度を８０
℃以上とすれば、殆どの微細構造表面に対して優れた微
粒子除去効果が得られることがわかる。
【００４２】（実験例２）図２は、比較例として、SC-1
洗浄のエッチング速度の温度依存性を示したものであ
る。NH4OH：H2O2：H2O=1:40:20からなるSC-1溶液で5分
間浸漬している。如何なる材質の膜に対してもSC-1溶液
温度の増加とともにエッチング速度が増加し、実験例１
の結果から微粒子除去効果を向上させるために処理温度
を８０℃以上とすると、エッチング速度は過度の増加を
来たすことがわかる。
【００４３】（実験例３）図３は、比較例として、SC-1
洗浄で超音波を併用したときのパターンへの影響を示し
たものである。熱酸化膜を介してＴＥＯＳ膜のパターン
が形成されてなるシリコン基板を洗浄対象として、NH4O
H：H2O2：H2O=1:40:20からなるSC-1溶液に1MHzの超音波
を併用して5分間浸漬している。SEM観察の結果、ライン
幅、Ａ／Ｒの異なる何れのパターンも損傷を受けている
ことがわかる。
【００４４】（実験例４）図４は、本発明の一例とし
て、100mg/lのアニオン系界面活性剤を含むフッ酸溶液
の微粒子除去の弗化水素濃度依存性を示したものであ
る。ここで、浸漬時間は5分である。ＴＥＯＳ膜上の150
0個／6インチウェーハのAl 2O3、SiO2、及びSi3N4の微粒
子は、弗化水素600mg/l以上で0.2μm以上の微粒子がほ
ぼ完全に除去できる。また、弗化水素600mg/lではＴＥ
ＯＳ膜が200nm（20Å）しかエッチングされず、プロセ
ス上問題がない。
【００４５】（実験例５）図５は、本発明の一例とし
て、100mg/lのアニオン界面活性剤の含む汚染液に10分
間浸漬したAl膜表面に付着した界面活性剤の除去効果を
示したものである。5mg/lのオゾン水で10分間洗浄する
ことにより、汚染前と同じ表面状態にまで有機物が除去
できることがわかる。
【００４６】（実験例６）図６は、フッ酸溶液中におけ
る弗化水素の濃度と各種金属配線のエッチング速度との
関係を示したものである。なお、洗浄時間は5分であ
る。このように、各金属材料毎に異なる濃度依存性が見
られる。
【００４７】（実験例７）図７は0.1%のフッ酸溶液中に
おける過酸化水素の濃度と各種金属配線のエッチング速
度との関係を示したものである。なお、洗浄時間は5分
である。このように、各金属材料毎に過酸化水素の異な
る濃度依存性が見られる。
【００４８】（実験例８）図８は100mg/lのアニオン界
面活性剤を含むフッ酸溶液中の弗化水素の濃度と各種金
属配線のエッチング速度との関係を示したものである。
なお、洗浄時間は5分である。このように、アニオン界
面活性剤を電子部材洗浄液に適宜添加することにより、
エッチング速度を調節することができる。
【００４９】（実験例９）図９は0.1%のフッ酸溶液によ
るＴＥＯＳ膜上の金属汚染物の除去効果を示したもので
ある。5分間の洗浄によりＴＥＯＳ膜上のFe, Cu, Agは
検出下限値まで除去可能であることがわかる。
【００５０】前記各実験例から明らかなように、本発明
の電子部材洗浄液を用いた洗浄方法によれば、従来のSC
-1洗浄法等に比べ、基板表面の微細構造を損傷を招来す
る超音波等を用いることなく、十分な洗浄効果を得るこ
とがわかる。
【００５１】半導体産業では、半導体メモリのワードラ
インやビットラインでは更なる処理速度の向上を、ＤＲ
ＡＭやＦｅＲＡＭ等のキャパシタでは記憶容量の向上を
図るために次世代の微細構造材料が検討されている。本
発明を用いれば、以下の表１に示すように、これら次世
代の微細構造材料の洗浄に十分対応することが可能とな
る。
【００５２】具体的には、ワードラインは従来では例え
ばリン（Ｐ）を添加したポリシリコン、又はこれをWSi2
等でポリサイド化したものが用いられているが、W/WN/
WSi2 , Ti/TiN/ TiSi2, Co/CoSi2等でワードラインを構
成した場合の洗浄に好適である。
【００５３】更に、ビットラインは従来では例えばリン
（Ｐ）を添加したポリシリコンが用いられているが、W/
WN等でビットラインを構成した場合の洗浄に好適であ
る。
【００５４】また、例えばＤＲＡＭやＦｅＲＡＭ等のキ
ャパシタにおいて、電荷蓄積電極は従来では例えばリン
（Ｐ）を添加したポリシリコンが用いられているが、T
i, TiN, Ru, Pt, Ir, TiAlN, TaAlN, WN等で電荷蓄積電
極を構成した場合の洗浄に好適である。一方、キャパシ
タの誘電体膜は従来では例えばN/Oが用いられている
が、ＤＲＡＭではTa2O5, STO, BST等、ＦｅＲＡＭではS
BT, PZT等で誘電体膜を構成した場合の洗浄に好適であ
る。
【００５５】更に、金属配線層は従来ではAl, W（又は
その合金）が用いられているが、これらの材料のみなら
ず、Cu等で金属配線層を構成した場合の洗浄に好適であ
る。
【００５６】
【表１】
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、基板表面、特にSi, W,
Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir ,Ta, Cu, Pb, Sr, Bi, Ni, Z
r, Hfもしくはこれらの化合物の単一もしくは複数の金
属材料からなる微細構造を含む半導体基板表面に損傷を
与えることなく、金属、有機物、微粒子などの汚染物を
除去できる電子部材洗浄水及び洗浄方法が実現する。し
かも工程数が簡略化されるため、短時間で処理すること
が可能である。また、室温工程なため洗浄効果を安定し
て得ることができる。さらに、薬液及び水使用量を大幅
に削減と洗浄装置のコンパクト化が図られるため、電子
部材の低価格化を実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】SC-1洗浄の微粒子除去効果の温度依存性を示し
た特性図である。
【図２】SC-1洗浄のエッチング速度の温度依存性を示し
た特性図である。
【図３】SC-1洗浄で超音波を併用したときのパターンへ
の影響を示した顕微鏡写真である。
【図４】100mg/lのアニオン系界面活性剤を含むフッ酸
溶液の微粒子除去の弗化水素濃度依存性を示した特性図
である。
【図５】100mg/lのアニオン界面活性剤の含む汚染液に1
0分間浸漬したAl膜表面に付着した界面活性剤の除去効
果を示した特性図である。
【図６】フッ酸溶液中における弗化水素の濃度と各種金
属配線のエッチング速度との関係を示した特性図であ
る。
【図７】0.1%のフッ酸溶液中における過酸化水素の濃度
と各種金属配線のエッチング速度との関係を示した特性
図である。
【図８】100mg/lのアニオン界面活性剤を含むフッ酸溶
液中の弗化水素の濃度と各種金属配線のエッチング速度
との関係を示した特性図である。
【図９】0.1%のフッ酸溶液によるＴＥＯＳ膜上の金属汚
染物の除去効果を示した特性図である。
【図１０】金属材料表面からゴミ（粒子）が除去される
メカニズムを説明するための模式図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 17/08 Ｃ１１Ｄ 17/08 (72)発明者 フランシスコ・ピピア 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉（無番地) 東北大学内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 (72)発明者 横井 生憲 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉（無番地) 東北大学内 Ｆターム(参考） 4H003 AB01 AE01 DA09 DA15 EA05 EA31 ED02 EE03 EE04

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 弗化水素と界面活性剤とを含み、前記弗
    化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下であることを特
    徴とする電子部材洗浄液。
  2. 【請求項２】 弗化水素と界面活性剤とを含み、前記弗
    化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下、界面活性剤の
    濃度が50mg/l以上500mg/l以下であることを特徴とする
    電子部材洗浄液。
  3. 【請求項３】 弗化水素と界面活性剤と過酸化水素とを
    含み、前記弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下で
    あることを特徴とする電子部材洗浄液。
  4. 【請求項４】 弗化水素と界面活性剤と過酸化水素とを
    含み、前記弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下、
    前記界面活性剤の濃度が50mg/l以上500mg/l以下である
    ことを特徴とする電子部材洗浄液。
  5. 【請求項５】 弗化水素と界面活性剤と過酸化水素とを
    含み、前記弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下、
    前記界面活性剤の濃度が50mg/l以上500mg/l以下、前記
    過酸化水素の濃度が0.01wt%以上5wt%以下であることを
    特徴とする電子部材洗浄液。
  6. 【請求項６】 Si, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir ,Ta, C
    u, Pb, Sr, Bi, Ni,Zr, Hfもしくはこれらの化合物の単
    一もしくは複数の金属材料からなる微細構造を含む半導
    体基板表面の洗浄工程で使用することを特徴とする請求
    項１〜５のいずれか１項に記載の電子部材洗浄液。
  7. 【請求項７】 弗化水素と界面活性剤とを含み、微細構
    造が形成された半導体基板表面を洗浄対象とすることを
    特徴とする電子部材洗浄液。
  8. 【請求項８】 弗化水素と界面活性剤と過酸化水素とを
    含み、微細構造が形成された半導体基板表面を洗浄対象
    とすることを特徴とする電子部材洗浄液。
  9. 【請求項９】 前記微細構造がSi, W, Al, Ti, Co, Ru,
    Pt, Ir ,Ta, Cu, Pb, Sr, Bi, Ni, Zr, Hfもしくはこ
    れらの化合物の単一もしくは複数の金属材料からなるも
    のを含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の電子
    部材洗浄液。
  10. 【請求項１０】 前記界面活性剤がカチオン系からなる
    ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の
    電子部材洗浄液。
  11. 【請求項１１】 前記界面活性剤がアニオン系からなる
    ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の
    電子部材洗浄液。
  12. 【請求項１２】 弗化水素と界面活性剤とを含み、弗化
    水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下である電子部材洗
    浄液で洗浄後、オゾン濃度が1mg/l以上であるオゾン水
    で洗浄することを特徴とする電子部材洗浄方法。
  13. 【請求項１３】 弗化水素と界面活性剤とを含み、弗化
    水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下、界面活性剤の濃
    度が50mg/l以上500mg/l以下である電子部材洗浄液で洗
    浄後、オゾン濃度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄す
    ることを特徴とする電子部材洗浄方法。
  14. 【請求項１４】 弗化水素と界面活性剤と過酸化水素と
    を含み、弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下であ
    る電子部材洗浄液で洗浄後、オゾン濃度が1mg/l以上で
    あるオゾン水で洗浄することを特徴とする電子部材洗浄
    方法。
  15. 【請求項１５】 弗化水素と界面活性剤と過酸化水素と
    を含み、弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下、界
    面活性剤の濃度が50mg/l以上500mg/l以下である電子部
    材洗浄液で洗浄後、オゾン濃度が1mg/l以上であるオゾ
    ン水で洗浄することを特徴とする電子部材洗浄方法。
  16. 【請求項１６】 弗化水素と界面活性剤と過酸化水素と
    を含み、弗化水素の濃度が0.05wt%以上0.5wt%以下、界
    面活性剤の濃度が50mg/l以上500mg/l以下、過酸化水素
    の濃度が0.01wt%以上5wt%以下である電子部材洗浄液で
    洗浄後、オゾン濃度が1mg/l以上であるオゾン水で洗浄
    することを特徴とする電子部材洗浄方法。
  17. 【請求項１７】 Si, W, Al, Ti, Co, Ru, Pt, Ir ,Ta,
    Cu, Pb, Sr, Bi, Ni, Zr, Hfもしくはこれらの化合物
    の単一もしくは複数の金属材料からなる微細構造を含む
    半導体基板表面を洗浄対象とすることを特徴とする請求
    項１２〜１６のいずれか１項に記載の電子部材洗浄方
    法。
  18. 【請求項１８】 微細構造が形成された半導体基板表面
    を洗浄対象とし、弗化水素と界面活性剤とを含む電子部
    材洗浄液で洗浄後、オゾン濃度が1mg/l以上であるオゾ
    ン水で洗浄することを特徴とする電子部材洗浄方法。
  19. 【請求項１９】 微細構造が形成された半導体基板表面
    を洗浄対象とし、弗化水素と界面活性剤と過酸化水素と
    を含む電子部材洗浄液で洗浄後、オゾン水で洗浄するこ
    とを特徴とする電子部材洗浄方法。
  20. 【請求項２０】 前記微細構造がSi, W, Al, Ti, Co, R
    u, Pt, Ir ,Ta, Cu,Pb, Sr, Bi, Ni, Zr, Hfもしくはこ
    れらの化合物の単一もしくは複数の金属材料からなるも
    のを含むことを特徴とする請求項１８又は１９に記載の
    電子部材洗浄方法。
  21. 【請求項２１】 前記界面活性剤がカチオン系からなる
    ことを特徴とする請求項１２〜２０のいずれか１項に記
    載の電子部材洗浄方法。
  22. 【請求項２２】 前記界面活性剤がアニオン系からなる
    ことを特徴とする請求項１２〜２０のいずれか１項に記
    載の電子部材洗浄方法。
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