TWI790345B - 基板的處理方法、半導體裝置的製造方法、基板處理用套組 - Google Patents

基板的處理方法、半導體裝置的製造方法、基板處理用套組 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種能夠抑制處理後的基板表面上的鈰殘留， 並且能夠以高效去除基板上的過渡金屬含有物之基板的處理方法，包括：製程A，對具有過渡金屬含有物之基板，使用包含鈰化合物和選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑之藥液來去除基板上的過渡金屬含有物；及製程B，在製程A之後，使用選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上的沖洗液，對在製程A中獲得之基板進行沖洗處理。

Description

基板的處理方法、半導體裝置的製造方法、基板 處理用套組
本發明關於一種基板的處理方法、半導體裝置的製造方法及基板處理用套組。
在半導體產品的微細化進程中，對高效實施半導體裝置的製造步驟中的去除基板上的不必要的過渡金屬含有物之製程的需求逐漸提高。
日本專利文獻1中公開有一種“利用含有選自包括(a)硝酸鈰(IV)銨、(b)硝酸、過氯酸及乙酸的群組中之一種或兩種以上的酸且(a)成分為5~35質量%、(b)成分為1~30質量%之去除液，去除附著於矽基板之釕或氧化釕之釕或氧化釕去除液的使用方法。(申請專利範圍1)”。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利4510979號
近年來，指出有存在於基板上之雜質對使用基板製造之 半導體裝置的性能帶來惡劣影響之問題，並要求抑制基板表面上的雜質的存在量。
本發明人將利用在專利文獻1中公開之方法的過渡金屬含有物的去除處理進行研究之結果，確認到存在作為雜質殘留於處理後的基板的表面的鈰的量過多之傾向。
因此，本發明的課題係提供一種能夠抑制處理後的基板表面上的鈰殘留，並且能夠以高效去除基板上的過渡金屬含有物之基板的處理方法。
又，本發明的課題係提供一種包括上述基板的處理方法之半導體裝置的製造方法及能夠適用於上述基板的處理方法之基板處理用套組。
本發明人為了實現上述課題，進行深入研究之結果發現，依據去除使用了包含鈰化合物等之藥液之基板上的過渡金屬含有物之製程A和利用特定的沖洗液對基板進行沖洗處理之製程B之方法，能夠解決上述課題，以至完成本發明。
亦即，發現了藉由以下構成能夠解決上述課題。
[1]一種基板的處理方法，其包括：製程A，對具有過渡金屬含有物之基板，使用包含鈰化合物和選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑之藥液來去除上述基板上的上述過渡金屬含有物；及製程B，使用選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、 過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上的沖洗液，對在上述製程A中獲得之上述基板進行沖洗處理。
[2]如[1]所述之基板的處理方法，其中上述鈰化合物為選自包括硝酸鈰鹽類及硫酸鈰鹽類的群組中之1種以上。
[3]如[1]或[2]所述之基板的處理方法，其中上述鈰化合物為選自包括硝酸鈰(IV)銨及硫酸鈰(IV)銨的群組中之1種以上。
[4]如[1]至[3]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述鈰化合物為硝酸鈰(IV)銨。
[5]如[1]至[4]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述包含過氧化氫之溶液為選自包括過氧化氫水、氟酸與過氧化氫水的混合液、硫酸與過氧化氫水的混合液、氨水與過氧化氫水的混合液及鹽酸與過氧化氫水的混合液的群組中之溶液。
[6]如[1]至[5]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等的混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液為選自包括硫酸、磷酸、二氧化碳水、臭氧水、氫水、檸檬酸水溶液、過碘酸水溶液、次氯酸水溶液及王水的群組中之酸性水溶液。
[7]如[1]至[6]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述藥液的pH為-1.0~4.0。
[8]如[1]至[7]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述鈰化合物的含量相對於上述藥液的總質量為5質量%以上。
[9]如[1]至[8]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述鈰化合物的含量相對於上述藥液的總質量為30質量%以下。
[10]如[1]至[9]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述pH調整劑包含硝酸。
[11]如[10]所述之基板的處理方法，其中上述硝酸的含量相對於上述藥液的總質量為1質量%以上。
[12]如[10]或[11]所述之基板的處理方法，其中上述硝酸的含量相對於上述藥液的總質量為30質量%以下。
[13]如[1]至[12]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述藥液的溫度為35℃以上。
[14]如[1]至[13]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述藥液的溫度為60℃以下。
[15]如[1]至[14]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述沖洗液為硫酸與過氧化氫水的混合液且其溫度為90~250℃之溶液或，上述沖洗液為選自包括除硫酸與過氧化氫水的混合液以外的包含上述過氧化氫之溶液及上述酸性水溶液的群組中之1種以上的溶液，且其溫度為15~70℃之溶液。
[16]如[1]至[15]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述過渡金屬含有物包含選自包括Ru、Ti、Ta、Co、Cr、Hf、Os、Pt、Ni、Mn、Cu、Zr、Mo、La、W及Ir的群組中之至少1種。
[17]如[16]所述之基板的處理方法，其中上述過渡金屬含有物 包含Ru含有物。
[18]如[1]至[17]中任一項所述之基板的處理方法，其中上述製程A為製程A1，使用上述藥液對配置於基板上之含過渡金屬的配線進行凹進蝕刻處理；製程A2，使用上述藥液去除配置有含過渡金屬的膜之基板的外緣部的上述含過渡金屬的膜；製程A3，使用上述藥液去除附著於配置有含過渡金屬的膜之基板背面的過渡金屬含有物；製程A4，使用上述藥液去除乾式蝕刻後的基板上的過渡金屬含有物；或製程A5，使用上述藥液去除化學機械的研磨處理後的基板上的過渡金屬含有物。
[19]如[18]所述之基板的處理方法，其中，上述製程A為上述製程A1，在上述製程A1之後，還具有如下製程Ab：使用選自包括氟酸與過氧化氫水的混合液、硫酸與過氧化氫水的混合液、氨水與過氧化氫水的混合液及鹽酸與過氧化氫水的混合液的群組中之溶液，對在上述製程A1中獲得之上述基板進行處理。
[20]如[19]所述之基板的處理方法，其交替反覆進行上述製程A1和上述製程Ab。
[21]一種半導體裝置的製造方法，其包括[1]至[20]中任一項所述之基板的處理方法。
[22]一種基板處理用套組，其具有：藥液，包含硝酸鈰(IV)銨和選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑；及 沖洗液，選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上。
依本發明，能夠提供一種能夠抑制處理後的基板表面上的鈰殘留，並且能夠以高效去除基板上的過渡金屬含有物之基板的處理方法。
又，依本發明，能夠提供一種包括上述基板的處理方法之半導體裝置的製造方法及能夠適用於上述基板的處理方法之基板處理用套組。
10a、10b:配線基板
12:絕緣膜
14:阻障金屬層
16:含過渡金屬的配線
18:凹部
20、30:被處理物
22、32:基板
24、34:含過渡金屬的膜
26:外緣部
36:蝕刻停止層
38:層間絕緣膜
40:金屬硬罩
42:孔
44:內壁
44a:剖面壁
44b:底壁
46:乾式蝕刻殘渣
圖1係表示在製程A1中使用之被處理物的一例之剖面上部的示意圖。
圖2係表示在實施了製程A1之後的被處理物的一例之剖面上部的示意圖。
圖3係表示在製程A2中使用之被處理物的一例之示意圖。
圖4係表示在製程A4中使用之被處理物的一例之剖面示意圖。
以下，對本發明進行詳細說明。
以下記載之構成要件的說明依據本發明的代表性實施態樣而 完成，但本發明並不限於此類實施態樣。
若無特別指明，則本說明書中之“曝光”不僅表示依據水銀燈、以準分子雷射為代表之遠紫外線、X射線及EUV(Extreme ultraviolet：極紫外)光等之曝光，而且依據電子束及離子束等粒子束之描畫亦包括於曝光中。
在本說明書中，使用“~”表示之數值範圍表示將記載於“~”前後之數值作為下限值及上限值而包括之範圍。
在本說明書中，pH為在室溫(25℃)下，利用pH計(HI 99131N(產品編號)、hanna instruments japan Corporation)測定之值。
在本說明書中，乾式蝕刻殘渣表示藉由進行乾式蝕刻(例如，電漿蝕刻)而生成之副產品，例如，稱為源自光阻劑的有機殘渣、含Si殘渣及含金屬殘渣(例如，含有過渡金屬之殘渣)等。
[基板的處理方法]
本發明的基板的處理方法(以下，亦簡稱為“本發明的方法”)具有製程A和製程B。
製程A對具有過渡金屬含有物之基板，使用包含鈰化合物和pH調整劑之藥液來去除基板上的過渡金屬含有物。
上述pH調整劑為選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之一個以上。
製程B在製程A之後，利用沖洗液對在製程A中所獲得之上述基板進行沖洗處理。
沖洗液為選自包括包含過氧化氫之溶液及酸性水溶液的群組中之1種以上。
然而，上述酸性水溶液可以為氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及該等的混合水溶液中的任意種。又，上述酸性水溶液不包含過氧化氫。
包含鈰化合物和規定的pH調整劑之藥液能夠以高效去除基板上的過渡金屬含有物，但另一方面，鈰易於殘留在基板的表面上，而且如此殘留在基板上之鈰很難去除。本發明人發現，若利用如上述的規定的沖洗液，則易於去除殘留在基板表面上之鈰。該機制並不一定明確，但本發明人認為，規定的沖洗液所包含的成分和存在於基板的表面上之鈰能夠形成對沖洗液的溶解度高的鹽，因此易於去除鈰。
《製程A》
本發明的方法所具有的製程A對具有過渡金屬含有物之基板，使用藥液來去除上述基板上的上述過渡金屬含有物。
<藥液>
(鈰化合物)
本發明的方法之藥液包含鈰化合物。
鈰化合物為包含鈰之化合物。
鈰化合物為水溶性為較佳。此外，在此所說的水溶性的鈰化合物例如表示在純水(pH 7.0)1L(25℃)中溶解50g以上而獲得之鈰化合物。又，鈰化合物為即使對純水1L(25℃)不溶解50g 以上，但對後述包含pH調整劑之水1L(25℃)能夠溶解50g以上者為較佳。
作為鈰化合物，例如可舉出硝酸鈰鹽類(硝酸鈰(IV)銨及硝酸鈰(III)等)、硫酸鈰鹽類(硫酸鈰(IV)銨、硫酸鈰(III)及硫酸鈰(IV)等)、氧化鈰以及氫氧化鈰。又，該等化合物可以為水合物。
其中，鈰化合物為選自包括硝酸鈰鹽類及硫酸鈰鹽類的群組中之1種以上者為較佳，選自包括硝酸鈰(IV)銨及硫酸鈰(IV)銨的群組中之1種以上者為更佳，硝酸鈰(IV)銨為進一步較佳。
從過渡金屬含有物的去除效率更優異之觀點考慮，藥液中的鈰化合物的含量相對於藥液的總質量為3質量%以上為較佳，5質量%以上為更佳。
又，從基板表面上的鈰殘留的抑制性(以下，亦簡稱為“鈰殘留抑制性”)更優異之觀點考慮，藥液中的鈰化合物的含量相對於藥液的總質量為40質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳。
從過渡金屬含有物的去除效率和鈰殘留抑制性平衡優異之觀點考慮，藥液中的鈰化合物的含量相對於藥液的總質量例如為3~40質量%為較佳，5~30質量%為更佳。
(pH調整劑)
本發明的藥液包含pH調整劑。藥液所包含的pH調整劑為選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑。
pH調整劑包含硝酸為較佳。換言之，本發明的藥液包含硝酸為較佳。
pH調整劑的較佳之含量依據欲設定之pH、所使用的pH調整劑的種類及藥液中的鈰化合物的含量等變化。
從鈰殘留抑制性更優異之觀點考慮，pH調整劑為硝酸時的藥液中的硝酸的含量相對於藥液的總質量例如為0.5質量%以上為較佳，1質量%以上為更佳。
在其之上舉例為，從過渡金屬含有物的去除效率更優異之觀點考慮，pH調整劑為硝酸時的藥液中的硝酸的含量相對於藥液的總質量例如為40質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳。
此外，在此所說的硝酸的含量與硝酸對藥液的添加形態(例如，可以以純硝酸添加，亦可以以水溶液狀的硝酸添加)無關地表示相對於藥液的總質量的HNO3的含量。
同樣地，pH調整劑為過氯酸時的藥液中的過氯酸的含量相對於藥液的總質量例如為0.5質量%以上為較佳，1質量%以上為更佳。pH調整劑為過氯酸時的藥液中的過氯酸的含量相對於藥液的總質量例如為20質量%以下為較佳，10質量%以下為更佳。在此所說的過氯酸的含量與過氯酸對藥液的添加形態(例如，可以以純過氯酸添加，亦可以以水溶液狀的過氯酸添加)無關地表示相對於藥液的總質量的HClO4的含量。
pH調整劑為氨時，換算為藥液中添加有28質量%氨水之狀態，上述28質量%氨水的含量相對於藥液的總質量例如成為0.5 質量%以上(更佳為1質量%以上)的量的氨包含於藥液中為較佳。同樣地，pH調整劑為氨時，換算為藥液中添加有28質量%氨水之狀態，上述28質量%氨水的含量相對於藥液的總質量例如成為20質量%以下(更佳為15質量%以下)的量的氨包含於藥液中為較佳。此外，氨對藥液的添加形態並不限定，可以以氨水的形態添加，亦可以以氣態狀的氨溶解於藥液中來添加。
pH調整劑為硫酸時的藥液中的硫酸的含量相對於藥液的總質量例如為1質量%以上為較佳，5質量%以上為更佳。pH調整劑為硫酸時的藥液中的硫酸的含量相對於藥液的總質量例如為25質量%以下為較佳，15質量%以下為更佳。在此所說的硫酸的含量與硫酸對藥液的添加形態(例如，可以以純硫酸添加，亦可以以水溶液狀的硫酸添加)無關地表示相對於藥液的總質量的H2SO4的含量。
(溶劑)
藥液可以包含溶劑。
作為溶劑，可舉出水及有機溶劑，水為較佳。
作為水，可以包含不可避免之微量混合成分。其中，蒸餾水、離子交換水或超純水等實施了淨化處理之水為較佳，半導體製造中使用之超純水為更佳。
藥液中的水的濃度並無特別限定，30質量%以上為較佳。又，上限值並無特別限定，99.9質量%以下為較佳，92質量%以下為更佳。
本發明的藥液可以包含上述以外的其他成分。
作為其他成分，並無特別限定，可舉出公知的成分。例如可舉出記載於日本特開2014-093407號公報的0026段等、記載於日本特開2013-055087號公報的0024~0027段等及記載於日本特開2013-012614號公報的0024~0027段等中的各種界面活性劑。
又，可舉出在日本特開2014-107434號公報的0017~0038段、日本特開2014-103179號公報的0033~0047段及日本特開2014-093407號公報的0017~0049段等中公開的各種添加劑(防腐劑等)。
本發明的藥液的pH並無特別限定，10.0以下的情況多。
其中，小於8.0為較佳，-1.0~4.0為更佳。
亦即，在藥液包含pH調整劑時，pH調整劑的含量為以使相對於藥液總質量之藥液的pH成為上述範圍之量為較佳。
本發明的藥液的製造方法並無特別限定，例如，可舉出使用混合攪拌器等攪拌機充分地混合規定的原料之方法。
又，作為製造方法，亦可以舉出在預先製備成設定pH之後進行混合之方法，或者在混合後製備成設定pH之方法。而且，還能夠使用如下方法：製造濃縮液，使用時進行稀釋而調整為規定的濃度。又，亦能夠在稀釋濃縮液之後調整為設定pH而使用。又，亦能夠對濃縮液添加設定量的稀釋用純水，又，亦能夠在稀釋用純水中添加規定量的濃縮液。
<被處理物>
本發明的藥液用於去除基板上的過渡金屬含有物。
此外，本說明書中之“基板上”均包括基板的表面和背面、側面及溝槽內等。又，基板上的過渡金屬含有物不僅包括在基板表面上直接具有過渡金屬含有物之情況，還包括在基板上經由其他層而具有過渡金屬含有物之情況。
過渡金屬含有物中含有之過渡金屬，例如可舉出選自Ru(釕)、Ti(鈦)、Ta(鉭)、Co(鈷)、Cr(鉻)、Hf(鉿)、Os(鋨)、Pt(鉑)、Ni(鎳)、Mn(錳)、Cu(銅)、Zr(鋯)、Mo(鉬)、La(鑭)、W(鎢)及Ir(銥)之金屬M。
亦即，作為過渡金屬含有物，金屬M含有物為較佳。
其中，過渡金屬含有物為Ru含有物為較佳。亦即，本發明的藥液用於去除Ru含有物為更佳。
Ru含有物中的Ru原子的含量相對於Ru含有物總質量為10質量%以上為較佳，30質量%以上為更佳，50質量%以上為進一步較佳。上限並無特別限定，可舉出100質量%。
過渡金屬含有物只要為含有過渡金屬(過渡金屬原子)之物質即可，例如可舉出過渡金屬單體、含有過渡金屬之合金、過渡金屬的氧化物、過渡金屬的氮化物及過渡金屬的氧氮化物。其中，作為過渡金屬含有物，Ru單體、Ru合金、Ru氧化物、Ru氮化物或Ru氧氮化物為較佳。
又，過渡金屬含有物可以為含有該等化合物中的2種以上的混合物。
此外，上述氧化物、氮化物及氧氮化物可以為含有過渡金屬之 複合氧化物、複合氮化物及複合氧氮化物。
過渡金屬含有物中的過渡金屬原子的含量相對於過渡金屬含有物總質量為10質量%以上為較佳，30質量%以上為更佳，50質量%以上為進一步較佳。由於過渡金屬含有物可以為過渡金屬本身，因此上限為100質量%。
被處理物為具有過渡金屬含有物之基板。亦即，被處理物至少包括基板和存在於基板上之過渡金屬含有物。
基板的種類並無特別限定，但半導體基板為較佳。
作為上述基板，可舉出半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板及光磁盤用基板等各種基板。
作為構成半導體基板之材料，可舉出矽、矽鍺及GaAs等第III-V族化合物或它們的任意的組合。
基板上的過渡金屬含有物的種類如上述。
基板上的過渡金屬含有物的形態並無特別限定，例如可以為配置成膜狀之形態(含過渡金屬的膜)、配置成配線狀之形態(含過渡金屬的配線)及配置成粒子狀之形態中的任一種。如上述，作為過渡金屬，Ru為較佳，作為被處理物，具有基板和配置於基板上之含Ru膜、含Ru配線或粒子狀的Ru含有物之被處理物為較佳。
此外，作為過渡金屬含有物配置成粒子狀之形態，例如，如後 述，可舉出在對具有含過渡金屬的膜之基板實施了乾式蝕刻之後，作為殘渣而附著有粒子狀過渡金屬含有物之基板、以及在對含過渡金屬的膜實施了CMP(chemical mechanical polishing：化學機械研磨處理)之後，作為殘渣而附著有粒子狀過渡金屬含有物之基板。
含過渡金屬的膜的厚度並無特別限定，只要依據用途適當選擇即可，例如50nm以下為較佳，20nm以下為更佳，10nm以下為進一步較佳。
含過渡金屬的膜可以僅配置於基板的一側的主表面上，亦可以配置於兩側的主表面上。又，含過渡金屬的膜可以配置於基板的主表面的整面上，亦可以配置於基板的主表面的局部。
又，上述基板除了過渡金屬含有物以外，還可以依據需要具有各種層和/或結構。例如基板可以具有金屬配線、閘極電極、源極電極、汲極電極、絕緣層、強磁性層和/或非磁性層等。
基板可以具有曝露之積體電路結構，例如金屬配線及介電材料等的互連機構。作為互連機構中使用之金屬及合金，例如可舉出鋁、銅鋁合金、銅、鈦、鉭、鈷、矽、氮化鈦、氮化鉭及鎢。基板可以具有氧化矽、氮化矽、碳化矽和/或碳摻雜氧化矽的層。
基板的大小、厚度、形狀及層結構等並無特別限定，能夠依據需要適當選擇。
如上述，本發明的處理方法中使用之被處理物在基板上具有過渡金屬含有物。
具有過渡金屬含有物之基板的製造方法並無特別限定。例如能夠藉由濺射方法、化學氣相沉積(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、分子束磊晶(MBE：Molecular Beam Epitaxy)法等在基板上形成含過渡金屬的膜。此外，在藉由濺射方法及CVD法等形成含過渡金屬的膜時，有時在具有含過渡金屬的膜之基板的背面(與含過渡金屬的膜側相反一側的表面)，亦附著過渡金屬含有物。
又，可以經由規定的遮罩實施上述方法而在基板上形成含過渡金屬的配線。
又，可以在基板上形成含過渡金屬的膜或含過渡金屬的配線之後，進而，將該基板供於不同之製程或處理之後，用作本發明的處理方法的被處理物。
例如，可以將具有含過渡金屬的膜或含過渡金屬的配線之基板供於乾式蝕刻中，製造具有含有過渡金屬之乾式蝕刻殘渣之基板。又，可以將具有含過渡金屬的膜或含過渡金屬的配線之基板供於CMP，製造具有過渡金屬含有物之基板。
<藥液的適用方法>
本發明的方法具有對被處理物(具有過渡金屬含有物之基板)使用上述藥液來去除基板上的過渡金屬含有物之製程A。
如上述，尤其，過渡金屬含有物含有Ru含有物時，適於利用本發明的方法。
製程A中使用的藥液如上述。
又，製程A的被處理物亦即具有過渡金屬含有物之基板亦如上述。
作為製程A的具體的方法，可舉出使藥液與被處理物亦即具有過渡金屬含有物之基板接觸之方法。
接觸方法並無特別限定，例如可舉出將被處理物浸漬於放入罐中之藥液中之方法、將藥液噴霧到基板上之方法、使藥液在基板上流過之方法或該等任意的組合。其中，將被處理物亦即具有過渡金屬含有物之基板浸漬於藥液之方法為較佳。
進而，為了進一步增強藥液的清洗能力，亦可以利用機械式攪拌方法。
作為機械式攪拌方法，例如可舉出使藥液在基板上循環之方法、在基板上流過或噴霧藥液之方法及藉由超聲波或兆頻攪拌藥液之方法等。
製程A的處理時間能夠依據使藥液接觸到基板之方法及藥液的溫度等進行調整。處理時間(藥液與被處理物的接觸時間)並無特別限定，但0.25~10分鐘為較佳，0.5~2分鐘為更佳。
處理時的藥液的溫度並無特別限定，下限為20℃以上為較佳，35℃以上為更佳。又，上述溫度的上限為75℃以下為較佳，60℃以下為更佳。
作為製程A的具體的較佳態樣，可舉出：製程A1，使用藥液對配置於基板上之含過渡金屬的配線進行凹進蝕刻處理；製程A2，使用藥液去除配置有含過渡金屬的膜之基板的外緣部的含 過渡金屬的膜；製程A3，使用該藥液去除附著於配置有含過渡金屬的膜之基板背面的過渡金屬含有物；製程A4，使用藥液去除乾式蝕刻後的基板上的過渡金屬含有物；或製程A5，使用藥液去除化學機械研磨處理後的基板上的過渡金屬含有物。
其中，製程A為製程A2或製程A3為更佳。
以下，對上述各處理中所使用的本發明的處理方法進行說明。
<製程A1>
作為製程A，可舉出使用藥液對配置於基板上之含過渡金屬的配線進行凹進蝕刻處理之製程A1。
圖1中示出表示製程A1的凹進蝕刻處理的被處理物亦即具有含過渡金屬的配線之基板(以下，亦稱為“配線基板”)的一例之剖面上部的示意圖。
圖1所示之配線基板10a具有未圖示的基板、具有配置於基板上之溝槽之絕緣膜12、沿溝槽的內壁配置之阻障金屬層14、填充到溝槽內部之含過渡金屬的配線16。
配線基板中的基板及含過渡金屬的配線如上述。
作為含過渡金屬的配線，Ru含有配線(含有Ru之配線)為較佳。Ru含有配線包含Ru單體、Ru合金、Ru氧化物、Ru氮化物或Ru氧氮化物為較佳。
構成配線基板中的阻障金屬層之材料並無特別限定，例如可舉出TiN及TaN。
此外，在圖1中，對配線基板具有阻障金屬層之態樣進行了 敘述，但亦可以為不具有阻障金屬層之配線基板。
配線基板的製造方法並無特別限定，例如可舉出包括如下製程之方法：在基板上形成絕緣膜之製程；在上述絕緣膜上形成溝槽之製程；在絕緣膜上形成阻障金屬層之製程；以填充上述溝槽之方式形成含過渡金屬的膜之製程；及對含過渡金屬的膜實施平坦化處理之製程。
在製程A1中，能夠使用上述藥液對配線基板中的含過渡金屬的配線實施凹進蝕刻處理，藉此去除含過渡金屬的配線的一部分而形成凹部。
更具體而言，若實施製程A1，則如圖2的配線基板10b所示，阻障金屬層14及含過渡金屬的配線16的一部分被去除而形成凹部18。
作為製程A1的具體的方法，可舉出使藥液與配線基板接觸之方法。
藥液與配線基板的接觸方法如上述。
藥液與配線基板的接觸時間及藥液的溫度的較佳範圍如上述。
此外，在製程A1之後，依據需要，可以實施使用規定的溶液(以下，亦稱為“特定溶液”)對在製程A1中獲得之基板進行處理之製程Ab。
尤其，如上述，在基板上配置有阻障金屬層時，在構成含過渡金屬的配線之成分和構成阻障金屬層之成分中，有時依據其種類，對本發明的藥液之溶解性不同。在該等情況下，使用對阻障金屬層 之溶解性更優異之溶液來調整含過渡金屬的配線與阻障金屬層的溶解程度為較佳。
從該等觀點考慮，特定溶液為對含過渡金屬的配線之溶解性差且對構成阻障金屬層之物質之溶解性優異之溶液為較佳。
作為特定溶液，可舉出選自包括氟酸與過氧化氫水的混合液(FPM)、硫酸與過氧化氫水的混合液(SPM)、氨水與過氧化氫水的混合液(APM)及鹽酸與過氧化氫水的混合液(HPM)的群組中之溶液。
FPM的組成例如在“氟酸：過氧化氫水：水=1：1：1”~“氟酸：過氧化氫水：水=1：1：200”的範圍內(體積比)為較佳。
SPM的組成例如在“硫酸：過氧化氫水：水=3：1：0”~“硫酸：過氧化氫水：水=1：1：10”的範圍內(體積比)為較佳。
APM的組成例如在“氨水：過氧化氫水：水=1：1：1”~“氨水：過氧化氫水：水=1：1：30”的範圍內(體積比)為較佳。
HPM的組成例如在“鹽酸：過氧化氫水：水=1：1：1”~“鹽酸：過氧化氫水：水=1：1：30”的範圍內(體積比)為較佳。
此外，該等較佳的組成比的記載表示氟酸為49質量%氟酸、硫酸為98質量%硫酸、氨水為28質量%氨水、鹽酸為37質量%鹽酸、過氧化氫水為31質量%過氧化氫水時的組成比。
在製程Ab中，作為使用特定溶液對在製程A1中獲得之基板進行處理之方法，使特定溶液與在製程A1中獲得之基板接觸之方法為較佳。
使特定溶液與在製程A1中獲得之基板接觸之方法並無特別限定，例如，可舉出與使藥液與基板接觸之方法相同的方法。
特定溶液與在製程A1中獲得之基板的接觸時間例如為0.25~10分鐘為較佳，0.5~5分為更佳。
可以交替實施製程A1和製程Ab。
在交替進行時，製程A1及製程Ab分別實施1~10次為較佳。
<製程A2>
作為製程A，可舉出使用藥液去除配置有含過渡金屬的膜之基板的外緣部的含過渡金屬的膜之製程A2。
圖3中示出表示製程A2的被處理物亦即配置有含過渡金屬的膜之基板的一例之示意圖(俯視圖)。
圖3所示之製程A2的被處理物20係具有基板22和配置於基板22的一側的主表面上(由實線包圍之整個區域)之含過渡金屬的膜24之積層體。如後述，在製程A2中，去除位於被處理物20的外緣部26(虛線的外側區域)之含過渡金屬的膜24。
被處理物中的基板及含過渡金屬的膜如上述。
此外，作為含過渡金屬的膜，Ru含有膜(含有Ru之膜)為較佳。Ru含有膜包含Ru單體、Ru合金、Ru氧化物、Ru氮化物或Ru氧氮化物為較佳。
製程A2的具體的方法並無特別限定，例如可舉出以藥液僅與上述基板的外緣部的含過渡金屬的膜接觸之方式，從噴嘴供給藥液之方法。
在進行製程A2的處理時，能夠較佳地適用日本特開2010-267690號公報、日本特開2008-080288號公報、日本特開2006-100368號公報及日本特開2002-299305號公報中記載之基板處理裝置及基板處理方法。
藥液與被處理物的接觸方法如上述。
藥液與被處理物的接觸時間及藥液的溫度的較佳範圍如上述。
<製程A3>
作為製程A，可舉出使用藥液去除附著於配置有含過渡金屬的膜之基板的背面的過渡金屬含有物之製程A3。
作為製程A3的被處理物，可舉出在製程A2中使用之被處理物。在形成製程A2中所使用的基板和在基板的一側的主表面上配置有含過渡金屬的膜之被處理物時，藉由濺射及CVD等形成含過渡金屬的膜。此時，有時在基板的與含過渡金屬的膜側相反一側的表面上(背面上)附著過渡金屬含有物。為了去除該等被處理物中的過渡金屬含有物而實施製程A3。
製程A3的具體的方法並無特別限定，例如可舉出以藥液僅與上述基板的背面接觸之方式吹送藥液之方法。
藥液與被處理物的接觸方法如上述。
藥液與被處理物的接觸時間及藥液的溫度的較佳範圍如上述。
<製程A4>
作為製程A，可舉出使用藥液去除乾式蝕刻後的基板上的過渡金屬含有物之製程A4。
圖4中示出表示製程A4的被處理物的一例之示意圖。
圖4所示之被處理物30在基板32上依次具備含過渡金屬的膜34、蝕刻停止層36、層間絕緣膜38及金屬硬罩40，藉由經過乾式蝕刻製程等，在規定位置形成有含過渡金屬的膜34露出之孔42。亦即，如圖4所示之被處理物為依次具備基板32、含過渡金屬的膜34、蝕刻停止層36、層間絕緣膜38及金屬硬罩40，在金屬硬罩40的開口部的位置具備從其表面貫通至含過渡金屬的膜34的表面為止之孔42之積層物。孔42的內壁44由包括蝕刻停止層36、層間絕緣膜38及金屬硬罩40之剖面壁44a和包括所露出之含過渡金屬的膜34之底壁44b構成，並附著有乾式蝕刻殘渣46。
乾式蝕刻殘渣包含過渡金屬含有物。
作為含過渡金屬的膜，含Ru膜(含有Ru之膜)為較佳。Ru含有膜包含Ru單體、Ru合金、Ru氧化物、Ru氮化物或Ru氧氮化物為較佳。
作為過渡金屬含有物，Ru含有物為較佳。Ru含有物含有Ru單體、Ru合金、Ru氧化物、Ru氮化物或Ru氧氮化物為較佳。
作為層間絕緣膜及金屬硬罩，可選擇公知的材料。
此外，在圖4中，對使用金屬硬罩之態樣進行了敘述，但亦可以使用利用公知的光阻材料形成之抗蝕劑遮罩。
作為製程A4的具體的方法，可舉出使藥液與上述被處理物接觸之方法。
藥液與配線基板的接觸方法如上述。
藥液與配線基板的接觸時間及藥液的溫度的較佳範圍如上述。
<製程A5>
作為製程A，可舉出使用藥液去除化學機械研磨處理(CMP：chemical mechanical polishing：化學機械研磨處理)後的基板上的過渡金屬含有物之製程A5。
在絕緣膜的平坦化、連接孔的平坦化及鑲嵌配線等的製造步驟中導入CMP技術。有時CMP後的基板因大量使用於研磨粒子中之粒子及金屬雜質等而被污染。因此，在進入下一個加工階段之前，需要去除該等污染物並進行清洗。因此，藉由實施製程A5，能夠去除在CMP的被處理物具有含過渡金屬的配線或含過渡金屬的膜時產生並附著於基板上之過渡金屬含有物。
如上述，製程A5的被處理物可舉出CMP後的具有過渡金屬含有物之基板。
作為過渡金屬含有物，Ru含有物為較佳。Ru含有物含有Ru單體、Ru合金、Ru氧化物、Ru氮化物或Ru氧氮化物為較佳。
作為製程A5的具體的方法，可舉出使藥液與上述被處理物接觸之方法。
藥液與配線基板的接觸方法如上述。
藥液與配線基板的接觸時間及藥液的溫度的較佳範圍如上述。
又，具有如下製程C亦較佳：在製程A之前、之後或實施中，測定保持藥液之罐中的藥液的pH、鈰化合物的含量及硝酸 的含量中的一個以上，並依據測定結果，添加水、鈰化合物或硝酸來調整藥液的配比。
在製程C中，所製備的配比的目標範圍在滿足作為上述藥液的較佳條件之範圍內為較佳。
作為測定藥液中的硝酸和/或鈰化合物的含量之方法，可舉出離子色譜法。作為具體裝置，例如可舉出Thermo Fisher Scientific K.K.的Dionex ICS-2100。
《製程B》
本發明的方法所具有的製程B為在上述製程A之後，利用規定的沖洗液對在製程A獲得之基板進行沖洗處理之製程。
藉由製程B去除附著於基板的表面上之來自藥液的鈰，藉此能夠迴避對接下來的半導體裝置的製造步驟和/或最終產品亦即半導體裝置帶來惡劣影響。
<沖洗液>
作為本發明的沖洗液，可舉出選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等的混合水溶液(例如，氟酸和硝酸的混合水溶液)以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上的沖洗液。
作為包含上述過氧化氫之溶液，過氧化氫水、氟酸與過氧化氫水的混合液(FPM)、硫酸與過氧化氫水的混合液(SPM)、氨水與過氧化氫水的混合液(APM)或鹽酸與過氧化氫水的混合液(HPM)為較佳。
上述過氧化氫水中的H2O2的含量相對於過氧化氫水的總質量為0.5~31質量%為較佳，3~15質量%為更佳。
作為FPM、SPM、APM及HPM較佳之條件，例如與用作上述的特定溶液之作為FPM、SPM、APM及HPM的較佳之條件相同。
上述酸性水溶液為不是氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及該等的混合水溶液中的任一個且不包含過氧化氫之溶液。
上述混合水溶液表示除水(H2O)以外的成分實質上僅為選自包括氟酸、硝酸、過氯酸及草酸的群組中之化合物的水溶液。例如，不是上述化合物及水中的任一個的化合物相對於選自包括氟酸、硝酸、過氯酸及草酸的群組中之化合物的合計含量包含0.01質量%以上之水溶液並不符合上述混合水溶液。
換言之，不是上述化合物及水中的任一個的化合物相對於選自包括氟酸、硝酸、過氯酸及草酸的群組中之化合物的合計含量包含0.01質量%以上(較佳為1質量%以上，更佳為10質量%以上，進一步較佳為30質量%以上)之水溶液且不包含過氧化氫之水溶液能夠用作沖洗液。
在此，不包含過氧化氫表示實質上不包含過氧化氫，例如表示過氧化氫的含量相對於酸性水溶液的總質量為100質量ppm以下(較佳為1質量ppm以下)的情況。
上述酸性水溶液例如為pH小於7.0的水溶液，pH為0.0~4.0為較佳。
硫酸(較佳為1~10質量%硫酸)、磷酸(較佳為0.1~20質量%磷酸，更佳為5~15質量%磷酸)、二氧化碳水(較佳為10~60質量ppm二氧化碳水)、臭氧水(較佳為10~60質量ppm臭氧水)、氫水(較佳為10~20質量ppm氫水)、檸檬酸水溶液(較佳為0.01~10質量%檸檬酸水溶液)、過碘酸水溶液(較佳為0.5~10質量%過碘酸水溶液。過碘酸例如可舉出正過碘酸及偏過碘酸)、次氯酸水溶液(較佳為1~10質量%次氯酸水溶液)或王水(較佳為作為“37質量%鹽酸：60質量%硝酸”的體積比符合“2.6：1.4”~“3.4：0.6”的配比之王水)為較佳。
此外，氟酸、硝酸、硫酸及磷酸分別表示為液體狀態，亦可以為各自的化學物質溶解於水之水溶液。
二氧化碳水、臭氧水及氫水分別表示使CO2、O3及H2溶解於水之水溶液。
在不損害沖洗製程的目的之範圍內，可以混合該等沖洗液而使用。
<藥液的適用方法>
作為製程B的具體方法，可舉出使沖洗液與被處理物亦即在製程A中獲得之基板接觸之方法。
作為接觸方法，藉由將基板浸漬於放入罐中之沖洗液中之方法、將沖洗液噴霧到基板上之方法、使沖洗液在基板上流過的方法或該等任意組合之方法而實施。
處理時間(沖洗液與被處理物的接觸時間)並無特別限定， 例如為5秒~5分鐘。
處理時的沖洗液的溫度並無特別限定，作為沖洗液使用硫酸與過氧化氫水的混合液時，其溫度為90~250℃為較佳。作為沖洗液，使用選自包括包含除SPM以外的上述過氧化氫之溶液及上述酸性水溶液的群組中之1種以上的溶液時，其溫度為15~70℃為較佳，20~60℃為更佳。
沖洗處理可以進行複數次，亦可以使用複數種沖洗液。
又，依據需要，可以在製程B之後具有實施乾燥處理之製程D。乾燥處理的方法並無特別限定，可舉出旋轉乾燥、在基板上使乾燥氣體流動、依據基板的加熱構件例如加熱板或紅外燈之加熱、IPA(異丙醇)蒸汽乾燥、馬蘭哥尼乾燥、諾塔哥尼乾燥或該等的組合。
乾燥時間依據所使用的特定的方法而改變，通常為30秒~數分鐘左右。
本發明的方法可以在對基板進行之其他製程之前或之後進行組合而實施。在實施本發明的方法中可以組合到其他製程，亦可以在其他製程中組合本發明的處理方法而實施。
作為其他製程，例如可舉出金屬配線、閘極結構、源極結構、汲極結構、絕緣層、強磁性層和/或非磁性層等各結構的形成製程(層形成、蝕刻、化學機械研磨、改質等)、阻劑的形成製程、曝光製程及去除製程、熱處理製程、清洗製程及檢查製程等。
在本發明的方法中，可以在後段製程(BEOL：Back end of the line)中進行，亦可在前段製程(FEOL：Front end of the line)中進行，但從更能夠發揮本發明的效果之觀點考慮，在前段製程中進行為較佳。
[半導體裝置的製造方法]
本發明亦包含半導體裝置的製造方法。
本發明的半導體裝置的製造方法為包括上述基板的處理方法之半導體裝置的製造方法。
[基板處理用套組]
本發明亦包含基板處理用套組的發明。
上述基板處理用套組為具有上述藥液亦即作為鈰化合物使用硝酸鈰(IV)銨之藥液和上述沖洗液之套組，用於如上述的基板的處理方法為較佳。利用上述基板處理用套組處理的基板供於半導體裝置的製造為較佳。
[實施例]
以下，依據實施例對本發明進行進一步詳細的說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等，只要不脫離本發明的主旨便能夠適當地變更。從而，本發明的範圍不應被以下所示實施例限定地解釋。實施例中使用的化合物及其他材料，若無特別指明，則為半導體級別的材料。
[藥液]
以下述表1記載之配比分別製備出適用於各試驗之藥液。
以下示出表1中記載之用於藥液的製備的成分。
(鈰化合物)
˙CAN：硝酸鈰(IV)銨(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製)
˙CAS：硫酸鈰(IV)銨(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製)
(pH調整劑)
˙硝酸：60質量%硝酸(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製)
˙過氯酸：60質量%過氯酸水溶液(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製)
˙氨：28質量%氨水(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製)
˙硫酸：95質量%硫酸(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製)
˙水：超純水
[試驗]
<製程A>
分別製備出藉由CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法在基板(矽晶圓(直徑：12英吋))的一個表面上形成了釕層之基板。釕層的厚度設為15nm。
將所獲得之基板放入到裝滿藥液之容器中，攪拌藥液而實施了釕層的去除處理。
<製程B>
在基板上的釕層消失之後，將同一基板放入裝滿沖洗液之容器中，並將沖洗液攪拌了0.5分鐘。沖洗液的溫度設為25℃。然 而，將SPM用作沖洗液時，將沖洗液(SPM)的溫度設為160℃。
之後，從沖洗液取出基板後立即以1.5L/min的流速對基板吹送1分鐘的水，最後以50L/min的流速對基板吹送氮氣。
(沖洗液)
將在各實施例或比較例中使用的沖洗液示於表1。
此外，在表1中，過氧化氫水、磷酸、檸檬酸水溶液、硫酸、正過碘酸水溶液、次氯酸水溶液及氟酸表示以H2O2、H3PO4、檸檬酸、H2SO4、正過碘酸、HClO及HF的含量相對於沖洗液總質量分別成為“含量”的欄中記載之值(質量百分率(質量%))之方式，將各化合物溶解於水之水溶液。
臭氧水、二氧化碳水及氫水表示分別將50質量ppm、30質量ppm及15質量ppm的臭氧、CO2及H2溶解於水之水溶液。
SPM表示以98質量%硫酸：31質量%過氧化氫水=3：1(體積比)的配比獲得之混合液。
FPM表示以49質量%氟酸：31質量%過氧化氫水：水=1：1：5(體積比)的配比獲得之混合液。
APM表示以28質量%氨水溶液：31質量%過氧化氫水：水=1：1：5(體積比)的配比獲得之混合液。
HPM表示以37質量%鹽酸水溶液：31質量%過氧化氫水：水=1：1：5(體積比)的配比獲得之混合液。
王水表示以37質量%鹽酸：60質量%硝酸=3：1(體積比)的配比獲得之王水。
在比較例3中使用的沖洗液為相對於沖洗液整體包含0.5質量%的氟酸(HF)且5質量%的硝酸(HNO3)之水溶液。
[評價]
<去除效率>
測定釕層消失為止的所需時間(去除所需時間)，並按照下述基準評價了藥液的溶解能力。
此外，去除所需時間越短，釕的去除效率越優異。
A：去除所需時間
Figure 108103189-A0305-02-0033-2
30秒
B：30秒<去除所需時間
Figure 108103189-A0305-02-0033-3
60秒
C：60秒<去除所需時間
<鈰殘留的抑制性(鈰含量)>
針對乾燥後的基板，利用ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis：電子光譜化學分析，裝置名：PHI Quantera SXMTM)測定矽晶圓表面，藉此算出矽晶圓表面的鈰含量(atom%)，並評價了鈰殘留的抑制性。鈰含量的值越小，基板表面上的鈰殘留的抑制性越優異。
此外，鈰含量(atom%)表示鈰原子數相對於測定區域中的所有原子數之百分率。
又，在此使用的測定方法中的檢測極限的下限值為0.1atom%。
[結果]
將結果示於表1。
此外，在表1中，“處理溫度”的欄示出試驗中使用時的藥液的 溫度。
將硝酸用作pH調整劑時，“pH調整劑”的“含量”的欄表示相對於藥液的總質量之HNO3的含量(質量%)。使用了過氯酸時，表示相對於藥液的總質量之HClO4的含量(質量%)。使用了氨時，表示相對於藥液的總質量之28質量%氨水的含量(質量%)。使用了硫酸時，表示相對於藥液的總質量之H2SO4的含量(質量%)。
“鈰含量”的欄中的“未檢測出”的記載表示鈰含量少於機器的檢測極限的下限值(0.1atom%)。
Figure 108103189-A0305-02-0034-1
確認到依據本發明的方法，能夠抑制處理後的基板表面 上的鈰殘留，並且能夠以高效去除基板上的過渡金屬含有物。
確認到硝酸的含量相對於藥液的總質量為1質量%以上時，鈰殘留的抑制性更優異(實施例25與27的比較等)。
確認到將3質量%以上的過氧化氫水、5質量%以上的磷酸、SPM、FPM、APM、HPM、正過碘酸水溶液或王水用作沖洗液時，鈰殘留的抑制性更優異(實施例1~5、7~8、12~15、19、21等的結果)。
確認到藥液的溫度為35~60℃時，去除效率更優異(實施例27、29及30的結果)。
此外，比較例2及3分別符合專利文獻1(專利4510979號)的實施例4中的表10的NO.1及NO.4的試驗。
10a:配線基板
12:絕緣膜
14:阻障金屬層
16:含過渡金屬的配線

Claims (24)

  1. 一種基板的處理方法，其包括：製程A，對具有過渡金屬含有物之基板，使用包含鈰化合物和選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑之藥液來去除該基板上的該過渡金屬含有物；及製程B，使用選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上的沖洗液，對在該製程A中獲得之該基板進行沖洗處理，其中該包含過氧化氫之溶液為選自包括過氧化氫水、氟酸與過氧化氫水的混合液、硫酸與過氧化氫水的混合液、氨水與過氧化氫水的混合液及鹽酸與過氧化氫水的混合液的群組中之溶液。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板的處理方法，其中該鈰化合物為選自包括硝酸鈰鹽類及硫酸鈰鹽類的群組中之1種以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該鈰化合物為選自包括硝酸鈰(IV)銨及硫酸鈰(IV)銨的群組中之1種以上。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該鈰化合物為硝酸鈰(IV)銨。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該選自氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等的混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液為選自包括硫酸、磷酸、二氧化碳水、臭氧水、氫水、檸檬酸水溶液、過碘酸水溶液、次氯酸水溶液及王水的群組中之酸性水溶液。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該藥液的pH為-1.0~4.0。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該鈰化合物的含量相對於該藥液的總質量為5質量%以上。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該鈰化合物的含量相對於該藥液的總質量為30質量%以下。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該pH調整劑包含硝酸。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板的處理方法，其中該硝酸的含量相對於該藥液的總質量為1質量%以上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之基板的處理方法，其中該硝酸的含量相對於該藥液的總質量為30質量%以下。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該藥液的溫度為35℃以上。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該藥液的溫度為60℃以下。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該沖洗液為硫酸與過氧化氫水的混合液且其溫度為90~250℃之溶液，或該沖洗液為選自包括除硫酸與過氧化氫水的混合液以外的包含該過氧化氫之溶液及該酸性水溶液的群組中之1種以上的溶液，且其溫度為15~70℃之溶液。
  15. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該過渡金屬含有物包含選自包括Ru、Ti、Ta、Co、Cr、Hf、Os、Pt、Ni、Mn、Cu、Zr、Mo、La、W及Ir的群組中之至少1種。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之基板的處理方法，其中該過渡金屬含有物包含Ru含有物。
  17. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法，其中該製程A為製程A1，使用該藥液對配置於基板上之含過渡金屬的配線進行凹進蝕刻處理；製程A2，使用該藥液去除配置有含 過渡金屬的膜之基板的外緣部的該含過渡金屬的膜；製程A3，使用該藥液去除附著於配置有含過渡金屬的膜之基板背面的過渡金屬含有物；製程A4，使用該藥液去除乾式蝕刻後的基板上的過渡金屬含有物；或製程A5，使用該藥液去除化學機械的研磨處理後的基板上的過渡金屬含有物。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之基板的處理方法，其中該製程A為該製程A1，在該製程A1之後，還具有如下製程Ab：使用選自包括氟酸與過氧化氫水的混合液、硫酸與過氧化氫水的混合液、氨水與過氧化氫水的混合液及鹽酸與過氧化氫水的混合液的群組中之溶液，對在該製程A1中獲得之該基板進行處理。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之基板的處理方法，其交替反覆進行該製程A1和該製程Ab。
  20. 一種半導體裝置的製造方法，其包括申請專利範圍第1項或第2項所述之基板的處理方法。
  21. 一種基板處理用套組，其具有：藥液，包含硝酸鈰(IV)銨和選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑；及沖洗液，選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上，其中該包含過氧化氫之溶液為選自包括過氧化氫水、氟酸與 過氧化氫水的混合液、硫酸與過氧化氫水的混合液、氨水與過氧化氫水的混合液及鹽酸與過氧化氫水的混合液的群組中之溶液。
  22. 一種基板的處理方法，其包括：製程A，對具有過渡金屬含有物之基板，使用包含鈰化合物和選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑之藥液來去除該基板上的該過渡金屬含有物；及製程B，使用選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上的沖洗液，對在該製程A中獲得之該基板進行沖洗處理，其中該過渡金屬含有物包含選自包括Ru、Ti、Ta、Co、Hf、Os、Pt、Ni、Mn、Cu、Zr、Mo、La、W及Ir的群組中之至少1種。
  23. 一種基板的處理方法，其包括：製程A，對具有過渡金屬含有物之基板，使用包含鈰化合物和選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑之藥液來去除該基板上的該過渡金屬含有物；及製程B，使用選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上的沖洗液，對在該製程A中獲得之該基板進行沖洗處理，其中該製程A為製程A1，使用該藥液對配置於基板上之含過渡金屬的配線進行凹進蝕刻處理， 在該製程A1之後，還具有如下製程Ab：使用選自包括氟酸與過氧化氫水的混合液、硫酸與過氧化氫水的混合液、氨水與過氧化氫水的混合液及鹽酸與過氧化氫水的混合液的群組中之溶液，對在該製程A1中獲得之該基板進行處理。
  24. 一種基板的處理方法，其包括：製程A，對具有過渡金屬含有物之基板，使用包含鈰化合物和選自包括硝酸、過氯酸、氨及硫酸的群組中之1種以上的pH調整劑之藥液來去除該基板上的該過渡金屬含有物；及製程B，使用選自包括包含過氧化氫之溶液以及氟酸、硝酸、過氯酸水溶液、草酸水溶液及除該等混合水溶液以外的酸性水溶液且不包含過氧化氫之酸性水溶液的群組中之1種以上的沖洗液，對在該製程A中獲得之該基板進行沖洗處理，其中該製程A為製程A1，使用該藥液對配置於基板上之含過渡金屬的配線進行凹進蝕刻處理，在該製程A1之後，還具有如下製程Ab：使用選自包括氟酸與過氧化氫水的混合液、硫酸與過氧化氫水的混合液、氨水與過氧化氫水的混合液及鹽酸與過氧化氫水的混合液的群組中之溶液，對在該製程A1中獲得之該基板進行處理，其交替反覆進行該製程A1和該製程Ab。
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