JP2002261020A - 多結晶Ｓｉ膜の形成方法 - Google Patents
多結晶Ｓｉ膜の形成方法Info
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜密度が高くて耐酸化性に優れた高品質多結
晶Ｓｉ膜の形成プロセスを提供する。 【解決手段】 所定の製膜ガス圧力下におかれた複数種
の原料ガスと加熱触媒体との接触分解反応によって生成
された化学的活性種を基板上に輸送することによって多
結晶Ｓｉ膜を製膜する多結晶Ｓｉ膜の形成方法であっ
て、上記製膜中に、上記原料ガスの混合比、加熱触媒体
の温度、製膜ガス圧力、及び基板の温度のうちの少なく
とも２種以上の製膜パラメータを変化させる。
晶Ｓｉ膜の形成プロセスを提供する。 【解決手段】 所定の製膜ガス圧力下におかれた複数種
の原料ガスと加熱触媒体との接触分解反応によって生成
された化学的活性種を基板上に輸送することによって多
結晶Ｓｉ膜を製膜する多結晶Ｓｉ膜の形成方法であっ
て、上記製膜中に、上記原料ガスの混合比、加熱触媒体
の温度、製膜ガス圧力、及び基板の温度のうちの少なく
とも２種以上の製膜パラメータを変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜多結晶Ｓｉ太
陽電池などの薄膜光電変換素子全般に好適に用いること
ができる多結晶Ｓｉ膜の形成方法に関する。
陽電池などの薄膜光電変換素子全般に好適に用いること
ができる多結晶Ｓｉ膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】光電変
換素子の一つである太陽電池分野において、バルク型結
晶シリコン太陽電池が実用化されているが、原料不足や
原料コスト等の問題が最近になって顕在化している。こ
のため、低コストで且つ高変換効率の薄膜多結晶シリコ
ン太陽電池の実用化が大いに期待されており、とりわ
け、高品質光活性層の大面積、高速製膜手法の確立が現
在の急務であると考えられている。
換素子の一つである太陽電池分野において、バルク型結
晶シリコン太陽電池が実用化されているが、原料不足や
原料コスト等の問題が最近になって顕在化している。こ
のため、低コストで且つ高変換効率の薄膜多結晶シリコ
ン太陽電池の実用化が大いに期待されており、とりわ
け、高品質光活性層の大面積、高速製膜手法の確立が現
在の急務であると考えられている。
【０００３】プロセスの低コスト化を実現するために
は、まず、多結晶シリコン層を低温（非平衡状態）で堆
積する必要がある。この低温堆積手法において、最も代
表的なものはプラズマＣＶＤ法である。例えば特開平１
０−１１７００６号においては、この低温堆積手法にお
いて高品質なμｃ−Ｓｉを形成することが記載されてい
るが、製膜速度が数Å／ｓｅｃ以下と遅く、大面積製膜
も容易ではなく、生産性に劣るという問題がある。
は、まず、多結晶シリコン層を低温（非平衡状態）で堆
積する必要がある。この低温堆積手法において、最も代
表的なものはプラズマＣＶＤ法である。例えば特開平１
０−１１７００６号においては、この低温堆積手法にお
いて高品質なμｃ−Ｓｉを形成することが記載されてい
るが、製膜速度が数Å／ｓｅｃ以下と遅く、大面積製膜
も容易ではなく、生産性に劣るという問題がある。
【０００４】一方、上記プラズマＣＶＤ法に代わる多結
晶シリコン膜の製膜手法として近年着目されているのが
触媒ＣＶＤ法である。触媒ＣＶＤ法は装置構成が簡易
で、ガスの利用効率が高い等といった特長があり、多結
晶シリコン膜の形成においても高速に大面積での製膜が
可能であることが既に実証されている。しかしながら、
この触媒ＣＶＤ法を用いて比較的高ガス圧下で形成され
た多結晶Ｓｉ膜は膜密度が低いことから、大気中に放置
すると容易に酸化されるという品質面での問題がある。
膜中の酸素不純物は界面においては接触抵抗の増加、バ
ルク内では転位の固着、微小欠陥の発生等を引き起こ
し、特に太陽電池素子においてはＦＦの低下やリークの
原因となるため、この不純物酸素の混入を抑制すること
が大きな課題の一つとなっている。
晶シリコン膜の製膜手法として近年着目されているのが
触媒ＣＶＤ法である。触媒ＣＶＤ法は装置構成が簡易
で、ガスの利用効率が高い等といった特長があり、多結
晶シリコン膜の形成においても高速に大面積での製膜が
可能であることが既に実証されている。しかしながら、
この触媒ＣＶＤ法を用いて比較的高ガス圧下で形成され
た多結晶Ｓｉ膜は膜密度が低いことから、大気中に放置
すると容易に酸化されるという品質面での問題がある。
膜中の酸素不純物は界面においては接触抵抗の増加、バ
ルク内では転位の固着、微小欠陥の発生等を引き起こ
し、特に太陽電池素子においてはＦＦの低下やリークの
原因となるため、この不純物酸素の混入を抑制すること
が大きな課題の一つとなっている。
【０００５】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、高速に大面積での製膜が容易
な触媒ＣＶＤ法を用いて、膜密度が高くて耐酸化性に優
れた高品質多結晶Ｓｉ膜の形成プロセスを提供すること
を目的とする。
みてなされたものであり、高速に大面積での製膜が容易
な触媒ＣＶＤ法を用いて、膜密度が高くて耐酸化性に優
れた高品質多結晶Ｓｉ膜の形成プロセスを提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る多結晶Ｓｉ膜の形成方法では、所定
の製膜ガス圧力下におかれた複数種の原料ガスと加熱触
媒体との接触分解反応によって生成された化学的活性種
を基板上に輸送することによって多結晶Ｓｉ膜を製膜す
る多結晶Ｓｉ膜の形成方法において、前記製膜中に、前
記原料ガスの混合比、加熱触媒体の温度、製膜ガス圧
力、及び基板の温度のうちの少なくとも２種以上の製膜
パラメータを変化させることを特徴とする。
に、請求項１に係る多結晶Ｓｉ膜の形成方法では、所定
の製膜ガス圧力下におかれた複数種の原料ガスと加熱触
媒体との接触分解反応によって生成された化学的活性種
を基板上に輸送することによって多結晶Ｓｉ膜を製膜す
る多結晶Ｓｉ膜の形成方法において、前記製膜中に、前
記原料ガスの混合比、加熱触媒体の温度、製膜ガス圧
力、及び基板の温度のうちの少なくとも２種以上の製膜
パラメータを変化させることを特徴とする。
【０００７】上記多結晶Ｓｉ膜の形成方法では、前記製
膜中に前記加熱触媒体の温度を１７００〜２０００℃か
ら１５００〜１８００℃に変化させることが望ましい。
膜中に前記加熱触媒体の温度を１７００〜２０００℃か
ら１５００〜１８００℃に変化させることが望ましい。
【０００８】また、上記多結晶Ｓｉ膜の形成方法では、
前記製膜中に前記製膜ガス圧力を１〜１００Ｐａから
０．０１〜１０Ｐａに変化させることが望ましい。
前記製膜中に前記製膜ガス圧力を１〜１００Ｐａから
０．０１〜１０Ｐａに変化させることが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、各請求項に係る発明の実施
形態を詳細に説明する。
形態を詳細に説明する。
【００１０】図１は各請求項に係る多結晶Ｓｉ膜の形成
方法を実施する際の装置を示す図であり、１はチャンバ
ー、２はガス導入口、３は加熱触媒体、４は基板であ
る。
方法を実施する際の装置を示す図であり、１はチャンバ
ー、２はガス導入口、３は加熱触媒体、４は基板であ
る。
【００１１】チャンバー１内の上部に下方を向けて基板
４を設置するようにし、同チャンバー１の下部にガス導
入口２を設けたものである。また、基板４とガス導入口
２との間に加熱触媒体３を配設する。
４を設置するようにし、同チャンバー１の下部にガス導
入口２を設けたものである。また、基板４とガス導入口
２との間に加熱触媒体３を配設する。
【００１２】基板４はガラスなどの絶縁基板やＳＵＳな
どで構成され、基板４の支持板５内にヒータなどの加熱
手段（不図示）を設けることによって、５００℃程度の
温度まで加熱することができるように構成されている。
どで構成され、基板４の支持板５内にヒータなどの加熱
手段（不図示）を設けることによって、５００℃程度の
温度まで加熱することができるように構成されている。
【００１３】前記加熱触媒体３はタングステン、タンタ
ル、白金、またはモリブデンのうちのいずれか１種また
は複数種から成る。この触媒体の大きさは使用するチャ
ンバーおよび基板の大きさに対応したものであることが
必要であるが、少なくとも触媒体を張るエリアは基板の
大きさ以上であることが必要である。また、電流導入端
子を有するものであれば形状や構造に制限はなく、例え
ば０．５ｍｍφで１ｍのタングステン線をＷ字状に屈曲
させて１０ｃｍ四方の範囲などに設置すればよい。ま
た、電源はＡＣ、ＤＣのいずれでも可能である。また、
触媒体温度は材質によって異なるが、タングステンを用
いる場合は、１５００〜２０００℃などに設定する。
ル、白金、またはモリブデンのうちのいずれか１種また
は複数種から成る。この触媒体の大きさは使用するチャ
ンバーおよび基板の大きさに対応したものであることが
必要であるが、少なくとも触媒体を張るエリアは基板の
大きさ以上であることが必要である。また、電流導入端
子を有するものであれば形状や構造に制限はなく、例え
ば０．５ｍｍφで１ｍのタングステン線をＷ字状に屈曲
させて１０ｃｍ四方の範囲などに設置すればよい。ま
た、電源はＡＣ、ＤＣのいずれでも可能である。また、
触媒体温度は材質によって異なるが、タングステンを用
いる場合は、１５００〜２０００℃などに設定する。
【００１４】これらの加熱触媒体は、初期に１７００〜
１８００℃に設定し、終期に１５００〜１６００℃程度
まで温度を低下させる。これは触媒体への投入電力を連
続的または断続的に低下させることにより行う。
１８００℃に設定し、終期に１５００〜１６００℃程度
まで温度を低下させる。これは触媒体への投入電力を連
続的または断続的に低下させることにより行う。
【００１５】このような装置を用いて、ガス導入口２よ
りＨ2、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＨ xＣｌy、Ｂ2Ｈ6、Ｐ
Ｈ3、Ａｒ等の原料ガスを導入し、加熱触媒体３に接触
させて活性化した後、この活性化したガスを基板４の表
面に輸送して多結晶Ｓｉ膜を形成する。これらの原料ガ
スを２００ｓｃｃｍ程度以下のガス流量で使用する。ま
た、原料ガスの混合の組み合わせとしては、Ｈ2または
Ａｒと、ＳｉＨ4 、ＳｉＨxＣｌyまたはＳｉ2Ｈ6などのシ
リコン系ガスと、Ｂ2Ｈ6またはＰＨ3などのドーピング
ガスとの混合ガスなどがある。
りＨ2、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＨ xＣｌy、Ｂ2Ｈ6、Ｐ
Ｈ3、Ａｒ等の原料ガスを導入し、加熱触媒体３に接触
させて活性化した後、この活性化したガスを基板４の表
面に輸送して多結晶Ｓｉ膜を形成する。これらの原料ガ
スを２００ｓｃｃｍ程度以下のガス流量で使用する。ま
た、原料ガスの混合の組み合わせとしては、Ｈ2または
Ａｒと、ＳｉＨ4 、ＳｉＨxＣｌyまたはＳｉ2Ｈ6などのシ
リコン系ガスと、Ｂ2Ｈ6またはＰＨ3などのドーピング
ガスとの混合ガスなどがある。
【００１６】Ｈ2とＳｉＨ4との流量比を初期で１００：
１程度に設定し、最終１０：１〜１：１程度まで、それ
ぞれのガス導入量を調整して連続的または断続的に変化
させる。、Ｂ2Ｈ6またはＰＨ3などのガスは通常、ドーピ
ング濃度が一定となるように適宜調整する。
１程度に設定し、最終１０：１〜１：１程度まで、それ
ぞれのガス導入量を調整して連続的または断続的に変化
させる。、Ｂ2Ｈ6またはＰＨ3などのガスは通常、ドーピ
ング濃度が一定となるように適宜調整する。
【００１７】上述のような原料ガスをチャンバー１内に
導入すると、原料ガスの分子が触媒体３に吸着して解離
する反応を示す。このような反応によって、分子がイオ
ン、ラジカル等といった強い結合力を有する形態に変化
した化学的活性種になる。また、このように解離する反
応を接触分解反応と言うことができる。この化学的活性
種が気相中を拡散しながら基板４の表面に到達し、これ
らが基板４上において結合を繰り返して薄膜を形成す
る。
導入すると、原料ガスの分子が触媒体３に吸着して解離
する反応を示す。このような反応によって、分子がイオ
ン、ラジカル等といった強い結合力を有する形態に変化
した化学的活性種になる。また、このように解離する反
応を接触分解反応と言うことができる。この化学的活性
種が気相中を拡散しながら基板４の表面に到達し、これ
らが基板４上において結合を繰り返して薄膜を形成す
る。
【００１８】原料ガス圧力は、初期に１〜１００Ｐａ程
度に設定して終期に０．０１〜１０Ｐａ程度に設定す
る。ガス導入量を連続的または断続的に減少させるか、
またはガス排気量をコンダクタンスバルブ（不図示）の
調節により連続的また断続的に増加させることにより行
う。
度に設定して終期に０．０１〜１０Ｐａ程度に設定す
る。ガス導入量を連続的または断続的に減少させるか、
またはガス排気量をコンダクタンスバルブ（不図示）の
調節により連続的また断続的に増加させることにより行
う。
【００１９】基板４の温度は、初期に３００〜３５０℃
程度に設定して終期に２００〜３００℃程度に設定す
る。基板４の加熱ヒータ（不図示）への投入電力を連続
的または断続的に低下させることにより調節する。
程度に設定して終期に２００〜３００℃程度に設定す
る。基板４の加熱ヒータ（不図示）への投入電力を連続
的または断続的に低下させることにより調節する。
【００２０】また、加熱触媒体３の温度は１７００〜２
０００℃から１５００〜１８００℃に変化させることが
望ましい。これにより製膜初期においては加熱触媒体温
度を比較的高温に維持して、高結晶化率膜を高速で形成
し、製膜終了時付近で上述の微結晶層またはアモルファ
スＳｉ層を形成することが可能となる。この温度が２０
００℃以上になると、加熱触媒体３の成分が蒸発し、こ
れが堆積膜中に不純物として取り込まれ、半導体膜の品
質が劣化し、また、この温度が１５００℃以下であれ
ば、加熱触媒体３が活性種と反応して変質する事態を誘
発する。
０００℃から１５００〜１８００℃に変化させることが
望ましい。これにより製膜初期においては加熱触媒体温
度を比較的高温に維持して、高結晶化率膜を高速で形成
し、製膜終了時付近で上述の微結晶層またはアモルファ
スＳｉ層を形成することが可能となる。この温度が２０
００℃以上になると、加熱触媒体３の成分が蒸発し、こ
れが堆積膜中に不純物として取り込まれ、半導体膜の品
質が劣化し、また、この温度が１５００℃以下であれ
ば、加熱触媒体３が活性種と反応して変質する事態を誘
発する。
【００２１】また、製膜ガス圧力は１〜１００Ｐａから
０．０１〜１０Ｐａに変化させることが望ましい。これ
により上記と同様、製膜初期においては高結晶化率膜を
高速で形成し、製膜終了時付近で上述の微結晶層または
アモルファスＳｉ層を形成することが可能となる。この
製膜ガス圧力が１００Ｐａ以上となると堆積に寄与する
活性種が気相反応により消滅するために製膜速度が低下
し、また、この製膜ガス圧力が０．０１Ｐａ以下となる
と基板近傍の堆積種密度が低くなるために、同様に製膜
速度が低下するという問題が生じる。
０．０１〜１０Ｐａに変化させることが望ましい。これ
により上記と同様、製膜初期においては高結晶化率膜を
高速で形成し、製膜終了時付近で上述の微結晶層または
アモルファスＳｉ層を形成することが可能となる。この
製膜ガス圧力が１００Ｐａ以上となると堆積に寄与する
活性種が気相反応により消滅するために製膜速度が低下
し、また、この製膜ガス圧力が０．０１Ｐａ以下となる
と基板近傍の堆積種密度が低くなるために、同様に製膜
速度が低下するという問題が生じる。
【００２２】また、上記の手法において製膜パラメータ
を一種類のみ変化させた場合には以下の問題が生じる。
即ち、低ガス圧力下でガス流量比のみを変化させた場合
には高い製膜速度が得られず、高ガス圧力下でガス流量
比のみを変化させた場合には上記の不純物酸素に対する
拡散バリア層が容易に形成されないという問題が生じ
る。一方、原料ガスの流量比を一定として、触媒体の温
度、製膜ガス圧力及び基板の温度のいずれか一種のみを
変化させた場合においても上記の不純物酸素に対する拡
散バリア層の形成が困難になるといった問題が生じる。
このことから少なくとも２種以上の製膜パラメータを変
化させる必要がある。
を一種類のみ変化させた場合には以下の問題が生じる。
即ち、低ガス圧力下でガス流量比のみを変化させた場合
には高い製膜速度が得られず、高ガス圧力下でガス流量
比のみを変化させた場合には上記の不純物酸素に対する
拡散バリア層が容易に形成されないという問題が生じ
る。一方、原料ガスの流量比を一定として、触媒体の温
度、製膜ガス圧力及び基板の温度のいずれか一種のみを
変化させた場合においても上記の不純物酸素に対する拡
散バリア層の形成が困難になるといった問題が生じる。
このことから少なくとも２種以上の製膜パラメータを変
化させる必要がある。
【００２３】
【実施例】初期の製膜条件として、ＳｉＨ4の流量を５
ｓｃｃｍ、Ｈ2の流量を５０ｓｃｃｍ、加熱触媒体の温
度を１７００℃、製膜ガス圧力を６５Ｐａ、基板の温度
を３００℃に設定し、また最終の製膜条件として、Ｓｉ
Ｈ4の流量を１０ｓｃｃｍ、Ｈ2の流量を３０ｓｃｃｍ、
加熱触媒体の温度を１６００℃、製膜ガス圧力を１Ｐ
ａ、基板温度を２５０℃に設定し、製膜中に初期の製膜
条件から最終の製膜条件に向けて、連続的または断続的
に各製膜パラメータを変化させて形成した。
ｓｃｃｍ、Ｈ2の流量を５０ｓｃｃｍ、加熱触媒体の温
度を１７００℃、製膜ガス圧力を６５Ｐａ、基板の温度
を３００℃に設定し、また最終の製膜条件として、Ｓｉ
Ｈ4の流量を１０ｓｃｃｍ、Ｈ2の流量を３０ｓｃｃｍ、
加熱触媒体の温度を１６００℃、製膜ガス圧力を１Ｐ
ａ、基板温度を２５０℃に設定し、製膜中に初期の製膜
条件から最終の製膜条件に向けて、連続的または断続的
に各製膜パラメータを変化させて形成した。
【００２４】このような製膜方法によって形成された多
結晶Ｓｉ膜のラマン分光法による評価結果を図２に示
す。ラマンスペクトルのＴＯフォノンに起因する各々の
信号強度から算出した結晶化率χは約８１％であり、高
結晶化率を有する膜が得られていることが分かる。
結晶Ｓｉ膜のラマン分光法による評価結果を図２に示
す。ラマンスペクトルのＴＯフォノンに起因する各々の
信号強度から算出した結晶化率χは約８１％であり、高
結晶化率を有する膜が得られていることが分かる。
【００２５】また、同多結晶Ｓｉ膜中の不純物酸素濃度
の大気曝露（常温常圧）時間に対する変化をＦＴＩＲ法
により評価した結果を図３に示す。リファレンスとして
製膜条件を初期状態から一定として作製したサンプルの
評価結果も合わせて示す。図３中の本方式の具体的な製
膜方法は上述の方法であり、製膜条件一定の製膜方法は
初期条件（ＳｉＨ4流量５ｓｃｃｍ、Ｈ2流量５０ｓｃｃ
ｍ、加熱触媒体温度１７００℃、製膜ガス圧力６５Ｐ
ａ、基板温度３００℃）で一定とした方法である。
の大気曝露（常温常圧）時間に対する変化をＦＴＩＲ法
により評価した結果を図３に示す。リファレンスとして
製膜条件を初期状態から一定として作製したサンプルの
評価結果も合わせて示す。図３中の本方式の具体的な製
膜方法は上述の方法であり、製膜条件一定の製膜方法は
初期条件（ＳｉＨ4流量５ｓｃｃｍ、Ｈ2流量５０ｓｃｃ
ｍ、加熱触媒体温度１７００℃、製膜ガス圧力６５Ｐ
ａ、基板温度３００℃）で一定とした方法である。
【００２６】スペクトル波形から分かるように、製膜条
件を変化させて製膜したサンプル（本方式）は大気曝露
６週間後においても、Ｓｉ−Ｏ結合に起因する１０５０
ｃｍ -1付近のピークが観察されないことから、常温常圧
下において耐酸化性に優れた膜質を有していることが分
かる。これは、製膜終端部近傍において形成されるラン
ダム配向を有する微結晶層またはアモルファスＳｉ層が
不純物酸素に対する拡散バリア層として働くためである
と考えられる。
件を変化させて製膜したサンプル（本方式）は大気曝露
６週間後においても、Ｓｉ−Ｏ結合に起因する１０５０
ｃｍ -1付近のピークが観察されないことから、常温常圧
下において耐酸化性に優れた膜質を有していることが分
かる。これは、製膜終端部近傍において形成されるラン
ダム配向を有する微結晶層またはアモルファスＳｉ層が
不純物酸素に対する拡散バリア層として働くためである
と考えられる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る多結晶Ｓ
ｉ膜の形成方法によれば、製膜中に、原料ガスの混合
比、加熱触媒体の温度、製膜ガス圧力、及び基板の温度
のうちの少なくとも２種以上の製膜パラメータを変化さ
せることから、膜密度が高く、耐酸化性に優れた高結晶
化率を有する多結晶Ｓｉ膜の高速形成が可能となる。
ｉ膜の形成方法によれば、製膜中に、原料ガスの混合
比、加熱触媒体の温度、製膜ガス圧力、及び基板の温度
のうちの少なくとも２種以上の製膜パラメータを変化さ
せることから、膜密度が高く、耐酸化性に優れた高結晶
化率を有する多結晶Ｓｉ膜の高速形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法に用いられる製膜装置の概略を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明の方法で形成した多結晶Ｓｉ膜のラマン
分光測定結果を示す図である。
分光測定結果を示す図である。
【図３】本発明の方法で形成した多結晶Ｓｉ膜のＦＴＩ
Ｒ測定結果を示す図である。
Ｒ測定結果を示す図である。
１：チャンバー ２：ガス導入口 ３：加熱触媒体 ４：基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増田 淳 石川県金沢市馬替２丁目56番地の１ Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA17 BA29 BB03 FA17 JA06 JA09 JA10 LA16 5F045 AA03 AB03 AD06 AD07 AE11 AE13 AE15 AE17 AE19 BB09 BB16 BB17 CA13 DP05 EE17 EK27 5F051 AA03 BA12 CB04 CB29
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の製膜ガス圧力下におかれた複数種
の原料ガスと加熱触媒体との接触分解反応によって生成
された化学的活性種を基板上に輸送することによって多
結晶Ｓｉ膜を製膜する多結晶Ｓｉ膜の形成方法におい
て、前記製膜中に、前記原料ガスの混合比、加熱触媒体
の温度、製膜ガス圧力、及び基板の温度のうちの少なく
とも２種以上の製膜パラメータを変化させることを特徴
とする多結晶Ｓｉ膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記製膜中に前記加熱触媒体の温度を１
７００〜２０００℃から１５００〜１８００℃に変化さ
せることを特徴とする請求項１に記載の多結晶Ｓｉ膜の
形成方法。 - 【請求項３】 前記製膜中に前記製膜ガス圧力を１〜１
００Ｐａから０．０１〜１０Ｐａに変化させることを特
徴とする請求項１に記載の多結晶Ｓｉ膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001053312A JP2002261020A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 多結晶Ｓｉ膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001053312A JP2002261020A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 多結晶Ｓｉ膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261020A true JP2002261020A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18913792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001053312A Pending JP2002261020A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 多結晶Ｓｉ膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002261020A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006028577A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Canon Anelva Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JP2008008476A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Hitachi Ltd | 電動ブレーキ装置及び電動ブレーキ装置の制御装置 |
| US7807495B2 (en) | 2007-04-23 | 2010-10-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor film and method of manufacturing photovoltaic element |
| JP2014518591A (ja) * | 2011-04-20 | 2014-07-31 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 基板に半導体材料を蒸着させる熱線方法及びその方法を実施するための装置 |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001053312A patent/JP2002261020A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006028577A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Canon Anelva Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JP2008008476A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Hitachi Ltd | 電動ブレーキ装置及び電動ブレーキ装置の制御装置 |
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| JP2014518591A (ja) * | 2011-04-20 | 2014-07-31 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 基板に半導体材料を蒸着させる熱線方法及びその方法を実施するための装置 |
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