JP2002260530A - 基板封着方法及び装置 - Google Patents

基板封着方法及び装置

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JP2002260530A
JP2002260530A JP2001059595A JP2001059595A JP2002260530A JP 2002260530 A JP2002260530 A JP 2002260530A JP 2001059595 A JP2001059595 A JP 2001059595A JP 2001059595 A JP2001059595 A JP 2001059595A JP 2002260530 A JP2002260530 A JP 2002260530A
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JP
Japan
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substrate
sealing
substrates
furnace
temperature
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Pending
Application number
JP2001059595A
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English (en)
Inventor
Tatsuhiro Otsubo
達弘 大坪
Masataka Morita
真登 森田
Naoko Matsuda
直子 松田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 所定隙間をもって2枚の基板を貼り合せる封
着工程において、基板内側表面から放出する不純ガスが
パネル内部に停滞するという課題があった。 【解決手段】 上基板2と下基板1との基板相互の位置
をあわせ、封着時の熱膨張を考慮して重ね合せた前記基
板の各端面を規制する位置決めピン6を固定し、この位
置決めピン6に前記基板の端面を規制したまま前記基板
の規制していない側の間隔をひろげて保持し、この状態
で封着炉に投入し、この封着炉内を封着所定温度まで昇
温させ、この封着所定温度に達した時点で前記基板の隙
間を所定量に戻し、基板を封着し、封着後に炉内を冷却
して前記基板を冷却する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、2枚の基板を相互
に位置合わせを行い、貼りあわせて基板を加熱して封着
する基板封着方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネルの基板貼合
せ方法として、種々の方法が提案されているが、そのう
ち代表的なものとして下記のものがある。
【0003】まず、下基板と上基板との各対向面に電極
等を設けるとともに上基板の外側部に貫通孔を設け、か
つ、この基板の表面に前記貫通孔と連通するように給排
気用管を取付ける。そして、前記両基板の少なくとも一
方の対向面であって前記貫通孔より外側に、低融点ガラ
ス等の封着剤を塗布する。その後、両基板の電極を対向
かつ直交するように重ねてクリップ等の拘束治具で両者
を固定し、封着炉で封着剤を加熱溶融することにより、
前記両基板を封着一体化する。
【0004】次に、前記封着一体化したパネルの給排気
管を、放電ガス用ボンベと真空ポンプとに切換可能に連
通し、排気炉に投入して前記パネルを加熱するととも
に、パネル内部を真空ポンプで所定真空度に真空排気し
て、脱ガスを行う。その後、炉内外において、パネルを
所定温度まで冷却した後、パネル内部に放電ガス、例え
ばネオン(Ne)、キセノン(Xe)、またはこれらの
混合ガスを4〜5×10 4Pa程度まで封入する。封入
作業終了後、前記給排気管を封じ切って所定のプラズマ
ディスプレイパネルとするものである。
【0005】図5は、従来の基板封着方法を示したもの
で、位置合わせを行った下基板1と上基板2を、その位
置がずれないように、四方から所定のクリップ3で挟ん
で拘束する。その後、治具4の熱容量による基板温度分
布のバラツキを減少させ、クリップ3が基板より飛び出
す部分の段差の影響を受けない様に、凹凸を形成した治
具4に乗せて封着炉に投入している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の方法においては、両基板の封着処理後、パネル内部
の真空排気に引き続いて放電ガスの封入作業を行うが、
前記パネル内部は、実質的に両基板の合わせ面で形成さ
れる100〜200μmの非常に狭い空間であり、か
つ、この空間には100〜200μm未満の隔壁が存在
する為、基板封着時に発生したガスの排気に非常に時間
を要して生産性が非常に悪いとともに、排気が不十分と
なって、パネル内部の放電ガス純度が低くなるという課
題を有していた。
【0007】これに対し、例えば特開平9−25183
9号公報によれば、真空炉中で駆動ロッドに前記基板の
一方を設置し、真空排気後にロッドを動かしもう一方の
基板に密着させ封着温度まで真空炉を加熱し接着剤を溶
融封着させる方法が提案されている。しかしこの方法で
は、両基板の相互の位置合わせ方法が明確でなく、ま
た、真空炉に駆動ロッドを設け真空中でこれを動作させ
るという複雑な構造が必要であるなどの課題を有してい
る。
【0008】本発明は、封着炉に複雑な構造を必要とせ
ずに、パネル内部にパネル自身から発生する不純ガスの
停滞をなくし、パネル内部の排気(脱ガス)を短時間で
行えることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、上基板と下基板との基板相互の位置をあわ
せ、封着時の熱膨張を考慮して重ね合せた前記基板の各
端面を規制する位置決めピンを固定し、この位置決めピ
ンに前記基板の端面を規制したまま前記基板の規制して
いない側の間隔をひろげて保持し、この状態で封着炉に
投入し、この封着炉内を封着所定温度まで昇温させ、こ
の封着所定温度に達した時点で前記基板の隙間を所定量
に戻し、基板を封着し、封着後に炉内を冷却して前記基
板を冷却するように構成したものである。
【0010】また本発明は、上基板と下基板とを所定の
間隔をあけて基板相互の位置をあわせ、この状態で封着
炉に投入し、前記下基板に対する前記上基板の相対位置
を変化させ、この封着炉内を封着温度まで昇温させ、基
板を封着し、封着後に炉内を冷却して前記基板を冷却す
るように構成したものである。
【0011】これにより、封着炉に複雑な構造を必要と
せずに、パネル内部にパネル自身から発生する不純ガス
の停滞をなくし、パネル内部の排気(脱ガス)を短時間
で行うことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
1から図4を用いて説明する。
【0013】図1は、本発明の第1の実施の形態に係る
基板の封着方法を示し、まず、従来と同様、対向面に電
極および隔壁を設けた下基板1と上基板2を、位置決め
機構が設けてある封着治具5に設置する。このとき、位
置決めピン6に基板を当てることで、基板の端面を規制
している。設置後、上基板2を支柱7で持ち上げ、下基
板1と上基板2との間隔をあける。この隙間の量は、上
基板2の自重たわみにより、上基板2と下基板1が接し
ない程度にする。この時、支柱7が倒れないように、バ
イメタル材で製作した鍵8で支えておく。この状態で封
着温度に達すると、バイメタル鍵8が反り変形を起こ
し、鍵が外れ支柱7が倒れる。その後、炉内に設置して
ある圧着治具(図示せず)により、下基板1と上基板2
を所定圧力で押し付ける。これにより、下基板1と上基
板2が封止され、パネルが製作される。
【0014】このとき、バイメタル材の温度に対する変
位と封着までの温度で、鍵8の構造が決定される。本実
施例では、封着温度を450℃に設定した場合を記載す
る。この時のバイメタル材の作用長さ9を50mmとす
ると、バイメタル材料を25℃から450℃に上昇させ
て時、先端の変位量は11mmであるので、鍵の先端長
さ10を10mmとする。また、バイメタル材は、湾曲
しながら上方に変形するため、先端形状をその湾曲にあ
わせた下が広くなる形状とした。これにより基板封着温
度になってはじめて、上基板2は下基板1へ降りていく
ことができる。逆に、徐々に上基板2を下げることも、
鍵の先端形状を工夫することにより可能である。
【0015】また、支柱7とバイメタル鍵8の代わり
に、形状記憶合金で支柱を作ることも可能である。上基
板2の上下動運動は、使用する記憶合金の性能に大きく
依存するので、任意温度での設定が困難になるという欠
点はあるが、形状記憶合金で支柱を作ることにより、バ
イメタル鍵8およびその保持機構部が不要となるので、
治具5の構造が簡素化できるという利点がある。
【0016】さらに、これらの治具は連続炉やバッチ炉
といった封着炉の形態に関らず使用することができる。
【0017】図2、3は、本発明の第2の実施の形態に
係る基板の封着方法を示し、まず、従来と同様、対向面
に電極および隔壁を設けた下基板1と上基板2を、位置
決め機構が設けてある封着治具5に設置する。設置後、
連続炉にこれらを投入する。連続炉には支柱ガイドレー
ル12が設置してあり、この支柱ガイドレール12の形
状に沿って、上基板2を持ち上げていた支柱11が下に
移動する。支柱11は、封着治具3と上下方向に摺動可
能に設置されており、支柱11の下降により、上基板2
が下降し、これにより下基板1と上基板2は、炉の任意
の位置(温度)で封着することが可能となる。その後、炉
内に設置してある圧着治具(図示せず)により、下基板
1と上基板2を所定圧力で押し付ける。これにより、下
基板1と上基板2が封止され、パネルが製作できる。
【0018】本実施例では、上基板2の上下動の任意の
制御が可能であるので、炉投入前および投入直後のいわ
ゆるダストが多く存在する場所では、基板を重ね合せた
状態にしておき、炉内にある程度進入してから上基板2
を持上げ、隙間を形成することにより、ゴミの混入を防
ぐ事もできる。
【0019】さらに、第1の実施の形態では、鍵8の個
体差を治具毎に調整し、使用する必要があるが、第2の
実施の形態ではその必要がないという利点があり、生産
性を向上させることができる。
【0020】図3は、治具5の搬送系13が、炉14の
内側に設置した場合(a)と外側に設置した場合(b)
の両方を示しているが、搬送系13はどちらにあっても
よい。
【0021】さらに、図4は、本発明の第3の実施の形
態に係る基板の封着方法を示し、支柱ガイドレール12
を、上基板2より上にしている。支柱ガイドレール12
を上にした場合は、治具5に貫通穴が不要で、支柱11
と治具5との摩擦によるゴミ、破損の心配がないという
利点がある。
【0022】また、すべての実施の形態において、封着
前に炉の雰囲気をパネル抽入の不活性ガス雰囲気とする
ことで、封着工程の後の排気、ガス抽入を省くことも可
能である。
【0023】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、下基板と
上基板を封着直前まで隙間の大きい状態を維持すること
が可能であるので、基板から発生する不純ガスが基板間
に留まることなくパネルを製作することができ、排気工
程の時間短縮が可能となるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る基板封着方法
を示す図
【図2】本発明の第2の実施の形態に係る基板封着方法
を示す図
【図3】本発明の第2の実施の形態に係る基板封着方法
の搬送方法を説明する図
【図4】本発明の第3の実施の形態に係る基板封着方法
を示す図
【図5】従来の基板封着方法を示す図
【符号の説明】
1 下基板 2 上基板 5 治具 6 位置決めピン 7 支柱 8 バイメタル鍵 11 支柱 12 支柱ガイドレール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 直子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4G061 BA03 CA02 CB02 CB12 CD02 CD23 CD24 DA23 DA67 5C012 AA09 BC03 BC04 5C040 FA01 FA02 HA01 MA22 MA26

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上基板と下基板とを所定の間隔をあけて
    基板相互の位置をあわせる工程と、封着時の熱膨張を考
    慮して重ね合せた前記基板の各端面を規制する位置決め
    ピンを固定する工程と、この位置決めピンに前記基板の
    端面を規制したまま前記基板の規制していない側の間隔
    をひろげて保持する工程と、この状態で封着炉に投入
    し、この封着炉内を封着温度まで昇温させる工程と、こ
    の封着温度に達した時点で前記基板の隙間を所定量に戻
    し、基板を封着する工程と、封着後に炉内を冷却して前
    記基板を冷却する工程とを有することを特徴とする基板
    封着方法。
  2. 【請求項2】 上基板と下基板とを所定の間隔をあけて
    基板相互の位置をあわせる工程と、この状態で封着炉に
    投入し、前記下基板に対する前記上基板の相対位置を変
    化させる工程と、この封着炉内を封着温度まで昇温させ
    る工程と、基板を封着する工程と、封着後に炉内を冷却
    して前記基板を冷却する工程とを有することを特徴とす
    る基板封着方法。
  3. 【請求項3】 基板を置く治具と、この治具に設け、上
    基板と下基板のそれぞれの位置決めをする位置決めピン
    と、この位置決めピンにより基板を規制していない位置
    であって前記治具に設け、前記上基板を支えて前記下基
    板との間隔をつくる支柱と、基板の封着温度でこの支柱
    の位置を変え、前記上基板と前記下基板を接触させる支
    柱保持手段と、前記基板の温度を上昇させる温度上昇手
    段とを設けたことを特徴とする基板装着装置。
  4. 【請求項4】 支柱保持手段をバイメタル材で作成した
    ことを特徴とする請求項3記載の基板装着装置。
  5. 【請求項5】 支柱保持手段を形状記憶合金で作成した
    ことを特徴とする請求項3記載の基板装着装置。
  6. 【請求項6】 下基板に対する上基板の相対位置を定め
    る支柱と、この支柱と接する部分が所定の前記相対位置
    プロファイルに応じた形状であるレールと、前記基板の
    温度を上昇させる温度上昇手段とを有したことを特徴と
    する基板装着装置。
  7. 【請求項7】 支柱が基板を置いた治具と摺動可能に設
    けられたことを特徴とする請求項6記載の基板装着装
    置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8257541B2 (en) 2004-08-24 2012-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method and manufacturing apparatus of envelope
JP2014038905A (ja) * 2012-08-13 2014-02-27 Showa Shinku Co Ltd 封止装置
JP2017128456A (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 日立化成株式会社 複層ガラス、及びその製造方法

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US8257541B2 (en) 2004-08-24 2012-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method and manufacturing apparatus of envelope
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