JP2002252173A - レーザーアニール方法 - Google Patents
レーザーアニール方法Info
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- JP2002252173A JP2002252173A JP2001049552A JP2001049552A JP2002252173A JP 2002252173 A JP2002252173 A JP 2002252173A JP 2001049552 A JP2001049552 A JP 2001049552A JP 2001049552 A JP2001049552 A JP 2001049552A JP 2002252173 A JP2002252173 A JP 2002252173A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶融シリコンに不純物が混入するおそれがな
く、かつガラス基板へ悪影響を与えることなくシリコン
の溶融時間を延ばし、結晶粒を成長させることができる
レーザーアニール方法を提供する。 【解決手段】 基板表面のシリコン膜１を高周波を用い
た誘導加熱によりシリコンの溶融温度以下に加熱しなが
ら、同時にシリコン膜にレーザービーム３を照射して溶
融させ結晶粒を成長させる。更に、レーザービーム３を
シリコン膜１の表面に沿って走査しながら、その走査方
向に直交する方向に基板２を移動する。
く、かつガラス基板へ悪影響を与えることなくシリコン
の溶融時間を延ばし、結晶粒を成長させることができる
レーザーアニール方法を提供する。 【解決手段】 基板表面のシリコン膜１を高周波を用い
た誘導加熱によりシリコンの溶融温度以下に加熱しなが
ら、同時にシリコン膜にレーザービーム３を照射して溶
融させ結晶粒を成長させる。更に、レーザービーム３を
シリコン膜１の表面に沿って走査しながら、その走査方
向に直交する方向に基板２を移動する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー照射によ
り基板上のシリコン膜を溶融させて結晶粒を成長させる
レーザーアニール方法に関する。
り基板上のシリコン膜を溶融させて結晶粒を成長させる
レーザーアニール方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エキシマレーザーは、紫外線域で使用さ
れる高出力パルスレーザである。かかるエキシマレーザ
ーの１つの応用として、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に
用いられる薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）のアニールが注目を集
めている。
れる高出力パルスレーザである。かかるエキシマレーザ
ーの１つの応用として、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に
用いられる薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）のアニールが注目を集
めている。
【０００３】図３は、エキシマレーザーでアニールする
低温ポリシリコンＴＦＴの断面構造図である。一般に、
シリコンの膜厚は２５〜１００ｎｍ、絶縁膜は二酸化シ
リコンや窒化シリコンで膜厚は５０〜３００ｎｍ、ゲー
ト電極はアルミやタングステン、その他が用いられる。
低温ポリシリコンＴＦＴの断面構造図である。一般に、
シリコンの膜厚は２５〜１００ｎｍ、絶縁膜は二酸化シ
リコンや窒化シリコンで膜厚は５０〜３００ｎｍ、ゲー
ト電極はアルミやタングステン、その他が用いられる。
【０００４】エキシマレーザーアニールが用いられるの
は、ポリシリコン膜の形成とコンタクト層の活性化であ
る。レーザー照射によりシリコン膜が溶融、結晶化して
ポリシリコンとなる。１度溶融過程を経るため高品質の
膜が形成される。エキシマレーザーは紫外光パルスレー
ザーであるため、レーザーエネルギーは膜表面で吸収さ
れる。しかもパルス幅が数１０ｎｓ程度であるためシリ
コンの溶融時間は数１００ｎｓ程度となり下地のガラス
基板への影響がほとんどない。また他の低温形成法では
ポリシリコン形成や活性化に６００℃前後の高温で長時
間アニールが必要となり、ガラス基板が歪んだり不純物
の拡散が問題となったりするが、エキシマレーザーアニ
ールによれば最高温度４００℃台での形成が可能であ
り、このような問題がない。
は、ポリシリコン膜の形成とコンタクト層の活性化であ
る。レーザー照射によりシリコン膜が溶融、結晶化して
ポリシリコンとなる。１度溶融過程を経るため高品質の
膜が形成される。エキシマレーザーは紫外光パルスレー
ザーであるため、レーザーエネルギーは膜表面で吸収さ
れる。しかもパルス幅が数１０ｎｓ程度であるためシリ
コンの溶融時間は数１００ｎｓ程度となり下地のガラス
基板への影響がほとんどない。また他の低温形成法では
ポリシリコン形成や活性化に６００℃前後の高温で長時
間アニールが必要となり、ガラス基板が歪んだり不純物
の拡散が問題となったりするが、エキシマレーザーアニ
ールによれば最高温度４００℃台での形成が可能であ
り、このような問題がない。
【０００５】ＴＦＴの動作速度は移動度（単位ｃｍ2／
Ｖ・ｓ）で表される。ポリシリコンＴＦＴの移動度は、
１０〜６００ｃｍ2／Ｖ・ｓである。この移動度に幅が
あるのはそれが粒径と粒界の両方に依存するためであ
る。高い移動度を得るためには、粒内欠陥が少なく単結
晶に近いこと、低欠陥な粒界を形成することが必要であ
る。一般に粒径が大きく、粒界の欠陥が少ないほど高移
動度が得られる。
Ｖ・ｓ）で表される。ポリシリコンＴＦＴの移動度は、
１０〜６００ｃｍ2／Ｖ・ｓである。この移動度に幅が
あるのはそれが粒径と粒界の両方に依存するためであ
る。高い移動度を得るためには、粒内欠陥が少なく単結
晶に近いこと、低欠陥な粒界を形成することが必要であ
る。一般に粒径が大きく、粒界の欠陥が少ないほど高移
動度が得られる。
【０００６】図４は、従来のエキシマレーザーアニール
装置の構成図である。使用されるエキシマレーザーはＸ
ｅＣｌ，ＡｒＦ，ＫｒＦ，ＸｅＦ等である。レーザービ
ームはビームホモジナイザーを中心とした光学系を通し
てチャンバーへ導入される。チャンバー内はポンプ系、
ガス系により真空又はガス雰囲気にコントロールされ
る。ビームの走査はステージか光学系の移動により行
う。レーザーとして、繰り返し周波数約３００Ｈｚ、パ
ルス幅２０〜１６０ｎｓ、出力約２００Ｗのものが実用
化され、基板サイズも３７０ｍｍ×４７０ｍｍに達して
いる。
装置の構成図である。使用されるエキシマレーザーはＸ
ｅＣｌ，ＡｒＦ，ＫｒＦ，ＸｅＦ等である。レーザービ
ームはビームホモジナイザーを中心とした光学系を通し
てチャンバーへ導入される。チャンバー内はポンプ系、
ガス系により真空又はガス雰囲気にコントロールされ
る。ビームの走査はステージか光学系の移動により行
う。レーザーとして、繰り返し周波数約３００Ｈｚ、パ
ルス幅２０〜１６０ｎｓ、出力約２００Ｗのものが実用
化され、基板サイズも３７０ｍｍ×４７０ｍｍに達して
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、エキ
シマレーザーアニールは、エキシマレーザーを用いて、
アモルファスシリコンを結晶化させる技術であるが、エ
キシマレーザー照射後、シリコンの溶融時間が数１００
ｎｓ程度と極めて短いので、ガラス基板への影響がほと
んどない利点があるものの、結晶粒が大きく成長しない
問題点があった。
シマレーザーアニールは、エキシマレーザーを用いて、
アモルファスシリコンを結晶化させる技術であるが、エ
キシマレーザー照射後、シリコンの溶融時間が数１００
ｎｓ程度と極めて短いので、ガラス基板への影響がほと
んどない利点があるものの、結晶粒が大きく成長しない
問題点があった。
【０００８】また、この問題点を解決するために、エキ
シマレーザーアニールと直流ジュール加熱を併用する手
段が以下の文献で提案されている。１．“Ｆｏｒｍａｔ
ｉｏｎ ｏｆ Ｌａｒｇｅ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
Ｇｒａｉｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｆｉｌｍｓ ｂｙ Ｅｌ
ｅｃｔｒｉｃａｌ Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｉｎｄｕｃｅｄ
Ｊｏｕｌｅ Ｈｅａｔｉｎｇ”，ＡＭ−ＬＣＤ ２００
０２．“Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃ
ｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ
Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｆｉｌｍｓ Ｆｏｒｍｅｄ ｂｙＣｕ
ｒｒｅｎｔ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｊｏｕｌｅ Ｈｅａｔｉ
ｎｇ”，ＡＭ−ＬＣＤ ２０００
シマレーザーアニールと直流ジュール加熱を併用する手
段が以下の文献で提案されている。１．“Ｆｏｒｍａｔ
ｉｏｎ ｏｆ Ｌａｒｇｅ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
Ｇｒａｉｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｆｉｌｍｓ ｂｙ Ｅｌ
ｅｃｔｒｉｃａｌ Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｉｎｄｕｃｅｄ
Ｊｏｕｌｅ Ｈｅａｔｉｎｇ”，ＡＭ−ＬＣＤ ２００
０２．“Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃ
ｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ
Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｆｉｌｍｓ Ｆｏｒｍｅｄ ｂｙＣｕ
ｒｒｅｎｔ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｊｏｕｌｅ Ｈｅａｔｉ
ｎｇ”，ＡＭ−ＬＣＤ ２０００
【０００９】この技術は、エキシマレーザーで溶融させ
たシリコンに電流を流し、溶融時間を長くすることによ
り、結晶粒を大きく成長させる技術であり、エキシマレ
ーザーのみに比べ、溶融時間は４０μｓ程度となり大幅
に延び、結晶粒を大きくできる特徴がある。しかし、こ
の手段では、溶融したシリコンに電流を流すために、ア
ルミ膜を溶融部の両端に付ける必要がある。そのため、
シリコン溶融時、アルミの一部が溶融シリコン内に拡散
して不純物となる問題点がある。
たシリコンに電流を流し、溶融時間を長くすることによ
り、結晶粒を大きく成長させる技術であり、エキシマレ
ーザーのみに比べ、溶融時間は４０μｓ程度となり大幅
に延び、結晶粒を大きくできる特徴がある。しかし、こ
の手段では、溶融したシリコンに電流を流すために、ア
ルミ膜を溶融部の両端に付ける必要がある。そのため、
シリコン溶融時、アルミの一部が溶融シリコン内に拡散
して不純物となる問題点がある。
【００１０】本発明はかかる問題点を解決するために創
案されたものである。すなわち、本発明の目的は、溶融
シリコンに不純物が混入するおそれがなく、かつガラス
基板へ悪影響を与えることなくシリコンの溶融時間を延
ばし、結晶粒を成長させることができるレーザーアニー
ル方法を提供することにある。
案されたものである。すなわち、本発明の目的は、溶融
シリコンに不純物が混入するおそれがなく、かつガラス
基板へ悪影響を与えることなくシリコンの溶融時間を延
ばし、結晶粒を成長させることができるレーザーアニー
ル方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板表
面のシリコン膜（１）に高周波を印加しながら、同時に
該シリコン膜にレーザービーム（３）を照射して溶融さ
せ結晶粒を成長させる、ことを特徴とするレーザーアニ
ール方法が提供される。本発明の好ましい実施形態によ
れば、基板表面のシリコン膜（１）を高周波を用いた誘
導加熱によりシリコンの溶融温度以下に加熱しながら、
同時に該シリコン膜にレーザービーム（３）を照射して
溶融させ結晶粒を成長させる。
面のシリコン膜（１）に高周波を印加しながら、同時に
該シリコン膜にレーザービーム（３）を照射して溶融さ
せ結晶粒を成長させる、ことを特徴とするレーザーアニ
ール方法が提供される。本発明の好ましい実施形態によ
れば、基板表面のシリコン膜（１）を高周波を用いた誘
導加熱によりシリコンの溶融温度以下に加熱しながら、
同時に該シリコン膜にレーザービーム（３）を照射して
溶融させ結晶粒を成長させる。
【００１２】この方法により、高周波を用いた誘導加熱
によりシリコンを加熱するので、高周波を印加する加熱
コイルは、基板に対して非接触であるため、結晶化シリ
コンへの汚染が起こらない。また、この加熱により、シ
リコン膜を溶融温度以下に加熱し、同時にレーザービー
ム（３）を照射して溶融させるので、レーザー照射によ
り溶融したアモルファスシリコンを、高周波誘導加熱に
より溶融状態を維持することができる。従って、通常の
レーザー照射のみでは、溶融時間は約１００ｎｓ前後で
あるが、ｍｓオーダーまで、溶融時間を制御することが
可能となり、結晶シリコンの結晶粒を大きくすることが
できる。
によりシリコンを加熱するので、高周波を印加する加熱
コイルは、基板に対して非接触であるため、結晶化シリ
コンへの汚染が起こらない。また、この加熱により、シ
リコン膜を溶融温度以下に加熱し、同時にレーザービー
ム（３）を照射して溶融させるので、レーザー照射によ
り溶融したアモルファスシリコンを、高周波誘導加熱に
より溶融状態を維持することができる。従って、通常の
レーザー照射のみでは、溶融時間は約１００ｎｓ前後で
あるが、ｍｓオーダーまで、溶融時間を制御することが
可能となり、結晶シリコンの結晶粒を大きくすることが
できる。
【００１３】本発明の好ましい実施形態によれば、更
に、前記レーザービーム（３）をシリコン膜（１）の表
面に沿って走査しながら、その走査方向に直交する方向
に基板（２）を移動する。
に、前記レーザービーム（３）をシリコン膜（１）の表
面に沿って走査しながら、その走査方向に直交する方向
に基板（２）を移動する。
【００１４】この方法により、高周波の印加部分は溶融
し、非印加部分は凝固するので、ビーム走査と基板移動
により、基板上のアモルファスシリコンを断続なく溶融
・凝固でき、基板の移動方向に基板全体を結晶化するこ
とができる。
し、非印加部分は凝固するので、ビーム走査と基板移動
により、基板上のアモルファスシリコンを断続なく溶融
・凝固でき、基板の移動方向に基板全体を結晶化するこ
とができる。
【００１５】また、前記誘導加熱は、レーザービーム
（３）が照射される位置のシリコン膜（１）を磁界が通
るように配置された加熱コイル（４）と、該加熱コイル
に高周波電流を印加する高周波電源（５）とを備え、電
磁誘導によって溶融シリコンに電気エネルギーを伝達し
て渦電流を誘導し、該渦電流により溶融シリコンをジュ
ール加熱するのがよい。
（３）が照射される位置のシリコン膜（１）を磁界が通
るように配置された加熱コイル（４）と、該加熱コイル
に高周波電流を印加する高周波電源（５）とを備え、電
磁誘導によって溶融シリコンに電気エネルギーを伝達し
て渦電流を誘導し、該渦電流により溶融シリコンをジュ
ール加熱するのがよい。
【００１６】この方法により、加熱コイル（４）で発生
した磁界を、レーザービーム（３）が照射される位置の
シリコン膜（１）に通し、電磁誘導によって溶融シリコ
ンに電気エネルギーを伝達して渦電流を誘導し、該渦電
流により溶融シリコンをジュール加熱することができ
る。
した磁界を、レーザービーム（３）が照射される位置の
シリコン膜（１）に通し、電磁誘導によって溶融シリコ
ンに電気エネルギーを伝達して渦電流を誘導し、該渦電
流により溶融シリコンをジュール加熱することができ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を図面を参照して説明する。なお、各図において共通す
る部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略す
る。
を図面を参照して説明する。なお、各図において共通す
る部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略す
る。
【００１８】図１は本発明のレーザーアニール方法の第
１実施形態を示す図であり、図２はその第２実施形態を
示す図である。図１及び図２において、レーザービーム
３は、レーザー装置６で発生し、光学系７とビームホモ
ジナイザー８を通り、ミラー９で下向きに反射され、チ
ャンバー１０内に導入される。レーザー装置６は、エキ
シマレーザーであるのが好ましいが、これに限定され
ず、その他のレーザー発振器、例えばＹＡＧレーザー、
その他であってもよい。
１実施形態を示す図であり、図２はその第２実施形態を
示す図である。図１及び図２において、レーザービーム
３は、レーザー装置６で発生し、光学系７とビームホモ
ジナイザー８を通り、ミラー９で下向きに反射され、チ
ャンバー１０内に導入される。レーザー装置６は、エキ
シマレーザーであるのが好ましいが、これに限定され
ず、その他のレーザー発振器、例えばＹＡＧレーザー、
その他であってもよい。
【００１９】レーザービーム３の走査は、この例では、
ミラー９の揺動で行っているが、その他の手段、例えば
光学系７又は基板２の移動で行ってもよい。また、レー
ザービーム３のシリコン膜１の表面に沿った走査（図で
左右）と同時に、その走査方向に直交する方向に基板２
を移動できるように図示しない基板移動装置を備えてい
る。チャンバー１０は、レーザービーム３が通過する窓
を有する気密容器であり、図示しないポンプ系及びガス
系により真空又は必要なガス雰囲気にコントロールされ
る。
ミラー９の揺動で行っているが、その他の手段、例えば
光学系７又は基板２の移動で行ってもよい。また、レー
ザービーム３のシリコン膜１の表面に沿った走査（図で
左右）と同時に、その走査方向に直交する方向に基板２
を移動できるように図示しない基板移動装置を備えてい
る。チャンバー１０は、レーザービーム３が通過する窓
を有する気密容器であり、図示しないポンプ系及びガス
系により真空又は必要なガス雰囲気にコントロールされ
る。
【００２０】更に、図１及び図２に示すように、レーザ
ービーム３が照射される位置のシリコン膜１を磁界が通
るように配置された加熱コイル４と、この加熱コイル４
に高周波電流を印加する高周波電源５とを備える。
ービーム３が照射される位置のシリコン膜１を磁界が通
るように配置された加熱コイル４と、この加熱コイル４
に高周波電流を印加する高周波電源５とを備える。
【００２１】図１の例で、加熱コイル４は、ビーム照射
位置を水平に囲む矩形コイルである。従って、この矩形
コイルで発生する磁界は基板２に直交し、レーザービー
ム３が水平走査される細長い走査位置全体を垂直に通過
して、電磁誘導によって溶融シリコンに電気エネルギー
を伝達して渦電流を誘導し、この渦電流により溶融シリ
コンをジュール加熱することができる。
位置を水平に囲む矩形コイルである。従って、この矩形
コイルで発生する磁界は基板２に直交し、レーザービー
ム３が水平走査される細長い走査位置全体を垂直に通過
して、電磁誘導によって溶融シリコンに電気エネルギー
を伝達して渦電流を誘導し、この渦電流により溶融シリ
コンをジュール加熱することができる。
【００２２】図２の例で、加熱コイル４は、基板２全体
を垂直に囲む円形コイルである。従って、この円形コイ
ルで発生する磁界は基板２の表面に平行し、レーザービ
ーム３が水平走査される細長い走査位置全体を水平に通
過する。従って、この方法によっても、電磁誘導によっ
て溶融シリコンに電気エネルギーを伝達して渦電流を誘
導し、この渦電流により溶融シリコンをジュール加熱す
ることができる。
を垂直に囲む円形コイルである。従って、この円形コイ
ルで発生する磁界は基板２の表面に平行し、レーザービ
ーム３が水平走査される細長い走査位置全体を水平に通
過する。従って、この方法によっても、電磁誘導によっ
て溶融シリコンに電気エネルギーを伝達して渦電流を誘
導し、この渦電流により溶融シリコンをジュール加熱す
ることができる。
【００２３】上述した構成の装置を用い、本発明のレー
ザーアニール方法では、基板表面のシリコン膜１を高周
波を用いた誘導加熱によりシリコンの溶融温度以下に加
熱しながら、同時に該シリコン膜にレーザービーム３を
照射して溶融させ結晶粒を成長させる。
ザーアニール方法では、基板表面のシリコン膜１を高周
波を用いた誘導加熱によりシリコンの溶融温度以下に加
熱しながら、同時に該シリコン膜にレーザービーム３を
照射して溶融させ結晶粒を成長させる。
【００２４】この方法により、高周波を用いた誘導加熱
によりシリコンを加熱するので、高周波を印加する加熱
コイル４は、基板２に対して非接触であり、結晶化シリ
コンへの汚染が起こらない。また、この加熱により、シ
リコン膜１を溶融温度以下に加熱し、同時にレーザービ
ーム３を照射して溶融させるので、レーザー照射により
溶融したアモルファスシリコンを、高周波誘導加熱によ
り溶融状態を維持することができる。従って、通常のレ
ーザー照射のみでは、溶融時間は約１００ｎｓ前後であ
るが、ｍｓオーダーまで、溶融時間を制御することが可
能となり、結晶シリコンの結晶粒を大きくすることがで
きる。
によりシリコンを加熱するので、高周波を印加する加熱
コイル４は、基板２に対して非接触であり、結晶化シリ
コンへの汚染が起こらない。また、この加熱により、シ
リコン膜１を溶融温度以下に加熱し、同時にレーザービ
ーム３を照射して溶融させるので、レーザー照射により
溶融したアモルファスシリコンを、高周波誘導加熱によ
り溶融状態を維持することができる。従って、通常のレ
ーザー照射のみでは、溶融時間は約１００ｎｓ前後であ
るが、ｍｓオーダーまで、溶融時間を制御することが可
能となり、結晶シリコンの結晶粒を大きくすることがで
きる。
【００２５】また、本発明の方法では、更に、レーザー
ビーム３をシリコン膜１の表面に沿って走査しながら、
その走査方向に直交する方向に基板２を移動させる。こ
の方法により、高周波の印加部分は溶融し、非印加部分
は凝固するので、ビーム走査と基板移動により、基板２
上のアモルファスシリコン１を断続なく溶融・凝固で
き、基板の移動方向に基板全体を結晶化することができ
る。
ビーム３をシリコン膜１の表面に沿って走査しながら、
その走査方向に直交する方向に基板２を移動させる。こ
の方法により、高周波の印加部分は溶融し、非印加部分
は凝固するので、ビーム走査と基板移動により、基板２
上のアモルファスシリコン１を断続なく溶融・凝固で
き、基板の移動方向に基板全体を結晶化することができ
る。
【００２６】なお、本発明は上述した実施例及び実施形
態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変更できることは勿論である。
態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変更できることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明のレーザーアニ
ール方法は、溶融シリコンに不純物が混入するおそれが
なく、かつガラス基板へ悪影響を与えることなくシリコ
ンの溶融時間を延ばし、結晶粒を成長させることができ
る、等の優れた効果を有する。
ール方法は、溶融シリコンに不純物が混入するおそれが
なく、かつガラス基板へ悪影響を与えることなくシリコ
ンの溶融時間を延ばし、結晶粒を成長させることができ
る、等の優れた効果を有する。
【図１】本発明のレーザーアニール方法の第１実施形態
図である。
図である。
【図２】本発明のレーザーアニール方法の第２実施形態
図である。
図である。
【図３】エキシマレーザーでアニールする低温ポリシリ
コンＴＦＴの断面構造図である。
コンＴＦＴの断面構造図である。
【図４】従来のエキシマレーザーアニール装置の構成図
である。
である。
１ シリコン膜、２ 基板、３ レーザービーム、４
加熱コイル、５ 高周波電源、６ レーザー装置、７
光学系、８ ビームホモジナイザー、９ ミラー、１０
チャンバー
加熱コイル、５ 高周波電源、６ レーザー装置、７
光学系、８ ビームホモジナイザー、９ ミラー、１０
チャンバー
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/336 (72)発明者 正木 みゆき 東京都江東区豊洲３丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 (72)発明者 芳之内 淳 東京都江東区豊洲３丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 Ｆターム(参考） 2H092 JA24 KA04 MA29 MA30 MA35 NA21 NA25 5F052 AA02 AA22 BB02 BB07 DA01 DA02 JA01 5F110 BB01 GG02 GG13 PP01 PP03 PP05 PP07 PP29
Claims (4)
- 【請求項１】 基板表面のシリコン膜（１）に高周波を
印加しながら、同時に該シリコン膜にレーザービーム
（３）を照射して溶融させ結晶粒を成長させる、ことを
特徴とするレーザーアニール方法。 - 【請求項２】 基板表面のシリコン膜（１）を高周波を
用いた誘導加熱によりシリコンの溶融温度以下に加熱し
ながら、同時に該シリコン膜にレーザービーム（３）を
照射して溶融させ結晶粒を成長させる、ことを特徴とす
る請求項１に記載のレーザーアニール方法。 - 【請求項３】 更に、前記レーザービーム（３）をシリ
コン膜（１）の表面に沿って走査しながら、その走査方
向に直交する方向に基板（２）を移動する、ことを特徴
とする請求項１に記載のレーザーアニール方法。 - 【請求項４】 前記誘導加熱は、レーザービーム（３）
が照射される位置のシリコン膜（１）を磁界が通るよう
に配置された加熱コイル（４）と、該加熱コイルに高周
波電流を印加する高周波電源（５）とを備え、電磁誘導
によって溶融シリコンに電気エネルギーを伝達して渦電
流を誘導し、該渦電流により溶融シリコンをジュール加
熱する、ことを特徴とする請求項２又は３に記載のレー
ザーアニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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