JP2009004629A - 多結晶半導体膜形成方法及び多結晶半導体膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の多結晶半導体膜形成方法は、非晶質半導体膜を、この非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第1熱処理工程と、第1熱処理工程を実施した非晶質半導体膜に、非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第2熱処理工程と、を備える。本発明の多結晶半導体膜形成装置10は、上記の第1熱処理工程を実施する第1熱処理装置20と、上記の第2熱処理工程を実施する第2熱処理装置30とを備える。
【選択図】図1
Description
レーザアニールでは、通常、レーザ光源から出射されたレーザ光を、光学系を用いて断面が線状のビーム(以下、線状ビームという)に加工し、この線状ビームを、a−Si膜に対して線状ビームの短軸方向に走査する。
特許文献1に記載された方法は、第1のエネルギー密度のレーザ光を重畳照射した後、第1のエネルギー密度よりも高い第2のエネルギー密度のレーザ光を重畳照射して、多結晶半導体膜を形成するものである。
特許文献2,3に記載された方法は、CVD(化学的気相成長法)等により微結晶Si膜を形成し、その上にa−Si膜を形成し、レーザアニールを実施することにより、微結晶層を種結晶として結晶粒を成長させ、均一な結晶粒を得ようとするものである。
また、特許文献2,3の方法は、微結晶層を形成する分、成膜時間が増大するという問題がある。
本発明の多結晶半導体膜形成方法は、非晶質半導体膜を、該非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、該非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第1熱処理工程と、該第1熱処理工程を実施した前記非晶質半導体膜に、該非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、該非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第2熱処理工程と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の多結晶半導体膜形成装置は、非晶質半導体膜を、該非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、該非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第1熱処理装置と、該第1熱処理装置により結晶核を発生させた前記非晶質半導体膜に、該非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、該非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第2熱処理装置と、を備えることを特徴とする。
また、上記の多結晶半導体膜形成装置において、前記第1熱処理装置は、高速熱処理(RTA)装置または電気加熱炉である。
上記の基板は、液晶パネル用、有機ELパネル用、PDPパネル用などのガラス基板である。ガラス基板は、無アルカリガラスがよく用いられるが、石英ガラス、パイレックスガラス、バイコールガラス等の他のガラス基板であってもよい。
なお、上記の非晶質半導体膜は、a−Si膜以外の非晶質半導体膜であってもよく、例えば、非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜であってもよい。
また、本発明の上記方法によれば、特許文献2,3の方法と異なり、微結晶層を形成する必要がないので、成膜時間が増大することもない。
図1に示すように、多結晶半導体膜形成装置10は、非晶質半導体膜3の膜内に結晶核を発生させる第1熱処理装置20と、非晶質半導体膜3にレーザ光1を照射して非晶質半導体膜3を結晶化させる第2熱処理装置30とを備える。第1熱処理装置20と第2熱処理装置30との間には、図示しない適宜の基板搬送装置が設けられ、第1熱処理装置20により処理した基板4を、第2熱処理装置30へ搬送するようになっている。
図2に示す第1熱処理装置20は、RTA装置として以下のように構成されている。処理チャンバー21の内部に基板4を載せるステージ22が設けられている。基板4上には非晶質半導体膜3が形成されている。また処理チャンバー21の内部上方にはハロゲンランプ23が複数配置されている。ハロゲンランプ23はヒータ電源24から電力供給を受けて点灯される。ヒータ電源24は制御装置25によって制御され、ハロゲンランプ23による非晶質半導体膜3に対する加熱温度が制御される。
なお、第1熱処理装置20は、RTA装置に限られず、通常の抵抗加熱ヒータを用いた電気加熱炉であってもよいが、RTA装置によれば、短時間(例えば数分)で結晶核を発生させることができる。
図3に示す第2熱処理装置30は、非晶質半導体膜3にレーザ光1を照射して非晶質半導体膜3を結晶化させるレーザアニール装置として以下のように構成されている。
処理チャンバー35は、内部を真空状態または不活性ガス雰囲気とすることができる。これによりレーザ照射中における非晶質半導体膜3の酸化を防止することができる。なお、処理チャンバー35の構成に代えて、レーザ光1の照射部分に不活性ガスを吹き付ける方式を採用してもよい。
上記のレーザ発信器31および基板ステージ36は、制御装置38によって制御される。
3 非晶質半導体膜
4 基板
10 多結晶半導体膜形成装置
20 第1熱処理装置
21 処理チャンバー
22 ステージ
23 ハロゲンランプ
24 ヒータ電源
25 制御装置
30 第2熱処理装置
31 レーザ発振器
32 ビームホモジナイザ
33 ミラー
34 集光レンズ
35 処理チャンバー
36 基板ステージ
37 透過窓
38 制御装置
Claims (4)
- 非晶質半導体膜を、該非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、該非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第1熱処理工程と、
該第1熱処理工程を実施した前記非晶質半導体膜に、該非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、該非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第2熱処理工程と、を備えることを特徴とする多結晶半導体膜形成方法。 - 前記第1熱処理工程における加熱は、高速熱処理(RTA)装置または電気加熱炉による加熱である、請求項1記載の多結晶半導体膜形成方法。
- 非晶質半導体膜を、該非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、該非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第1熱処理装置と、
該第1熱処理装置により結晶核を発生させた前記非晶質半導体膜に、該非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、該非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第2熱処理装置と、を備えることを特徴とする多結晶半導体膜形成装置。 - 前記第1熱処理装置は、高速熱処理(RTA)装置または電気加熱炉である、請求項3記載の多結晶半導体膜形成装置。
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