JP2002251793A - 光記録媒体原盤の作製方法 - Google Patents
光記録媒体原盤の作製方法Info
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プローイングの影響を抑制し、ピットやグル
ーブを高密度に成形可能とする。 【解決手段】 基板上に形成されたマスクの形状に対応
してドライエッチングにより凹凸パターンを形成するに
際し、マスクがエッチングに伴って後退し、凹凸パター
ンの側壁形状が傾斜面に制御されるようにする。このよ
うに制御するためには、例えばマスクを樹脂材料により
形成し、ドライエッチングを酸素を含むエッチングガス
を用いて行う。エッチング装置としては、磁気中性線放
電プラズマエッチング装置を用いることが好ましい。
ーブを高密度に成形可能とする。 【解決手段】 基板上に形成されたマスクの形状に対応
してドライエッチングにより凹凸パターンを形成するに
際し、マスクがエッチングに伴って後退し、凹凸パター
ンの側壁形状が傾斜面に制御されるようにする。このよ
うに制御するためには、例えばマスクを樹脂材料により
形成し、ドライエッチングを酸素を含むエッチングガス
を用いて行う。エッチング装置としては、磁気中性線放
電プラズマエッチング装置を用いることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種光ディスクの
製造に用いられる光記録媒体原盤の作製方法に関するも
のである。
製造に用いられる光記録媒体原盤の作製方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】光記録の分野においては、より一層の高
記録密度化が進められており、これに対応して、光記録
媒体原盤を作製する工程では、高分解能フォトレジスト
や電子線レジスト等を用いることが要求されている。
記録密度化が進められており、これに対応して、光記録
媒体原盤を作製する工程では、高分解能フォトレジスト
や電子線レジスト等を用いることが要求されている。
【０００３】これらの高分解能フォトレジストや電子線
レジストは、パターニング後に側壁が９０度に近い形状
となる特徴を有し、微細パターンのパターニングに有利
であると考えられている。
レジストは、パターニング後に側壁が９０度に近い形状
となる特徴を有し、微細パターンのパターニングに有利
であると考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
側壁が９０度に近い形状のレジストを用いて光記録媒体
原盤を作製すると、ピットやグルーブの側壁の形状も９
０度に近いものとなる。これを用いてスタンパを作製
し、光ディスク基板の成形を行うと、いわゆるプローイ
ング（Plowing）の影響が懸念される。
側壁が９０度に近い形状のレジストを用いて光記録媒体
原盤を作製すると、ピットやグルーブの側壁の形状も９
０度に近いものとなる。これを用いてスタンパを作製
し、光ディスク基板の成形を行うと、いわゆるプローイ
ング（Plowing）の影響が懸念される。
【０００５】このプローイングは、成形した光ディスク
基板をスタンパから引き剥がすときに角部がむしり取れ
られる現象であり、成形されたピット形状やグルーブ形
状を大きく損なうことになる。高密度記録用の光記録媒
体では、このプローイングに起因する形状不良は性能を
維持する上で大きな問題となる。
基板をスタンパから引き剥がすときに角部がむしり取れ
られる現象であり、成形されたピット形状やグルーブ形
状を大きく損なうことになる。高密度記録用の光記録媒
体では、このプローイングに起因する形状不良は性能を
維持する上で大きな問題となる。
【０００６】本発明は、このような従来技術における不
都合を解消することを目的に提案されたものである。
都合を解消することを目的に提案されたものである。
【０００７】すなわち、本発明は、プローイングの影響
を抑制することができ、ピットやグルーブを高密度に成
形し得る光記録媒体原盤の作製方法を提供することを目
的とする。
を抑制することができ、ピットやグルーブを高密度に成
形し得る光記録媒体原盤の作製方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の光記録媒体原盤の作製方法は、基板上に
形成されたマスクの形状に対応してドライエッチングに
より凹凸パターンを形成するに際し、上記マスクがエッ
チングに伴って後退し、凹凸パターンの側壁形状が傾斜
面に制御されるようにすることを特徴とする。
めに、本発明の光記録媒体原盤の作製方法は、基板上に
形成されたマスクの形状に対応してドライエッチングに
より凹凸パターンを形成するに際し、上記マスクがエッ
チングに伴って後退し、凹凸パターンの側壁形状が傾斜
面に制御されるようにすることを特徴とする。
【０００９】上記により作製される光記録媒体原盤は、
ピットやグルーブに対応する凹凸の側壁形状が傾斜面と
なる。
ピットやグルーブに対応する凹凸の側壁形状が傾斜面と
なる。
【００１０】その結果、この光記録媒体原盤を用いて作
製されるスタンパ、さらにはこのスタンパを用いて成形
される光ディスク基板のピットやグルーブの側壁も傾斜
面となり、直角に近い角部において発生するプローイン
グが解消される。
製されるスタンパ、さらにはこのスタンパを用いて成形
される光ディスク基板のピットやグルーブの側壁も傾斜
面となり、直角に近い角部において発生するプローイン
グが解消される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した光記録媒
体原盤の作製方法について、図面を参照しながら詳細に
説明する。
体原盤の作製方法について、図面を参照しながら詳細に
説明する。
【００１２】図１は、本発明を適用して光記録媒体原盤
を作製する原盤作製工程を工程順に従って示すものであ
る。ここに例示するプロセスは、レジスト材料層の形成
工程（Ａ）、レジスト材料層の露光、現像工程（Ｂ）、
レジスト材料層をマスクとする基板のドライエッチング
工程（Ｃ）、マスクとしたレジスト材料層の剥離除去工
程（Ｄ）の４工程を主たる工程として有する。
を作製する原盤作製工程を工程順に従って示すものであ
る。ここに例示するプロセスは、レジスト材料層の形成
工程（Ａ）、レジスト材料層の露光、現像工程（Ｂ）、
レジスト材料層をマスクとする基板のドライエッチング
工程（Ｃ）、マスクとしたレジスト材料層の剥離除去工
程（Ｄ）の４工程を主たる工程として有する。
【００１３】光記録媒体原盤を作製するには、先ず、図
１Ａに示すように、基板１上にレジスト材料を塗布し、
レジスト材料層２を形成する。
１Ａに示すように、基板１上にレジスト材料を塗布し、
レジスト材料層２を形成する。
【００１４】基板１には、Ｓｉや石英等、任意の材質の
ものを用いることができ、その厚さも任意である。
ものを用いることができ、その厚さも任意である。
【００１５】レジスト材料としては、熱変形性が少なく
炭化に近い温度でも形状が保たれるレジスト材料が好ま
しく、また高密度化に対応し得るレジスト材料が好まし
い。このようなレジスト材料としては、ノボラック樹脂
等からなるポジ型フォトレジスト、ポリメチルメタクリ
レート系材料からなる電子線レジスト等を例示すること
ができる。
炭化に近い温度でも形状が保たれるレジスト材料が好ま
しく、また高密度化に対応し得るレジスト材料が好まし
い。このようなレジスト材料としては、ノボラック樹脂
等からなるポジ型フォトレジスト、ポリメチルメタクリ
レート系材料からなる電子線レジスト等を例示すること
ができる。
【００１６】上記レジスト材料層２は、これらのレジス
ト材料をスピンコート等の手法を用いて基板１上に塗布
することにより形成する。
ト材料をスピンコート等の手法を用いて基板１上に塗布
することにより形成する。
【００１７】次に、図１Ｂに示すように、上記レジスト
材料層２をピット形状、グルーブ形状等に対応したパタ
ーンに露光、現像する。なお、露光、現像は通常の手法
に従って行えばよく、特に限定されるものではない。
材料層２をピット形状、グルーブ形状等に対応したパタ
ーンに露光、現像する。なお、露光、現像は通常の手法
に従って行えばよく、特に限定されるものではない。
【００１８】この結果、露光・現像後の基板１上には、
パターン化されたレジスト材料層２ａが残存することに
なる。
パターン化されたレジスト材料層２ａが残存することに
なる。
【００１９】次いで、図１Ｃに示すように、上記パター
ン化されたレジスト材料層２ａをマスクとして基板１を
ドライエッチングする。
ン化されたレジスト材料層２ａをマスクとして基板１を
ドライエッチングする。
【００２０】このとき重要なことは、マスクとなるレジ
スト材料層２ａに後退が生じる条件でドライエッチング
することである。
スト材料層２ａに後退が生じる条件でドライエッチング
することである。
【００２１】このような条件下でドライエッチングを行
うことにより、図１Ｃに示すように、側壁の形状が傾斜
面に制御され、基板１に形成される凸部１ａの形状が台
形状となる。
うことにより、図１Ｃに示すように、側壁の形状が傾斜
面に制御され、基板１に形成される凸部１ａの形状が台
形状となる。
【００２２】ドライエッチングの際に、マスクとなるレ
ジスト材料層２ａに後退を生じさせるには、例えばエッ
チングガス中に酸素を導入すればよい。
ジスト材料層２ａに後退を生じさせるには、例えばエッ
チングガス中に酸素を導入すればよい。
【００２３】通常、Ｓｉからなる基板１をドライエッチ
ングするためのエッチングガスとしては、ＣＦ４ 、Ｃ
２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等のフルオロカーボン系のエッチング
ガスを用いるが、これに酸素を混入する。すると、エッ
チングの進行に伴ってレジスト材料層２ａが次第に後退
し、これに倣って基板１に形成される凸部１ａの側壁形
状も傾斜面となる。
ングするためのエッチングガスとしては、ＣＦ４ 、Ｃ
２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等のフルオロカーボン系のエッチング
ガスを用いるが、これに酸素を混入する。すると、エッ
チングの進行に伴ってレジスト材料層２ａが次第に後退
し、これに倣って基板１に形成される凸部１ａの側壁形
状も傾斜面となる。
【００２４】あるいは、レジスト材料層２ａの構成元素
として酸素を含有する場合には、これを利用することも
可能である。この場合には、エッチングガス中に積極的
に酸素を導入する必要はない。
として酸素を含有する場合には、これを利用することも
可能である。この場合には、エッチングガス中に積極的
に酸素を導入する必要はない。
【００２５】上記ドライエッチングには、基本的には任
意のエッチング装置を使用することができるが、特に、
磁気中性線放電（ＮＬＤ：Neutral Loop Discharge）プ
ラズマエッチング装置を用い、雰囲気中に酸素を導入す
ることにより、良好な傾斜形状を実現することができ
る。
意のエッチング装置を使用することができるが、特に、
磁気中性線放電（ＮＬＤ：Neutral Loop Discharge）プ
ラズマエッチング装置を用い、雰囲気中に酸素を導入す
ることにより、良好な傾斜形状を実現することができ
る。
【００２６】磁気中性線放電プラズマエッチング装置
は、図２に示すような構成を有するものであり、高密度
プラズマ源を用いた高密度プラズマエッチング装置であ
る。
は、図２に示すような構成を有するものであり、高密度
プラズマ源を用いた高密度プラズマエッチング装置であ
る。
【００２７】その具体的な構造であるが、図２に示すよ
うに、石英チャンバ１１内に高周波電源１２に接続され
た基板電極１３が設置されており、この基板電極１３上
に載置された基板１４に対してエッチングが行われる。
この点では、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）エ
ッチング装置と同様の構成を有する。
うに、石英チャンバ１１内に高周波電源１２に接続され
た基板電極１３が設置されており、この基板電極１３上
に載置された基板１４に対してエッチングが行われる。
この点では、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）エ
ッチング装置と同様の構成を有する。
【００２８】ただし、石英チャンバ１１の周囲には、ト
ップコイル１５，ミドルコイル１６，ボトムコイル１７
の３つのコイルが配置され、ミドルコイル１６に対応し
た位置に高周波電源１８に接続されたＲＦアンテナ１９
が配置されており、この点でＩＣＰエッチング装置とは
異なる。
ップコイル１５，ミドルコイル１６，ボトムコイル１７
の３つのコイルが配置され、ミドルコイル１６に対応し
た位置に高周波電源１８に接続されたＲＦアンテナ１９
が配置されており、この点でＩＣＰエッチング装置とは
異なる。
【００２９】上記磁気中性線放電プラズマエッチング装
置では、上記３つのコイル（トップコイル１５，ミドル
コイル１６，ボトムコイル１７）及びＲＦアンテナ１９
の作用により、石英チャンバ１１内に磁気中性線（Ｎ
Ｌ）が発生する。
置では、上記３つのコイル（トップコイル１５，ミドル
コイル１６，ボトムコイル１７）及びＲＦアンテナ１９
の作用により、石英チャンバ１１内に磁気中性線（Ｎ
Ｌ）が発生する。
【００３０】このような構成を有する磁気中性線放電プ
ラズマエッチング装置は、 ａ．プラズマリングの径を自由に制御できるため大面
積、高均一なエッチングが可能であること、 ｂ．ＮＬによる高効率放電によって低圧、高密度プラズ
マが生成され、高速で異方性形状に優れたエッチングが
可能であること、 ｃ．壁面の温度制御により優れた再現性、安定性を実現
できること、 ｄ．ＮＬが可変できるためクリーニングやコンディショ
ニングの時間がＩＣＰに比べて１／２程度で済むこと、
等の優れた特徴を有する。
ラズマエッチング装置は、 ａ．プラズマリングの径を自由に制御できるため大面
積、高均一なエッチングが可能であること、 ｂ．ＮＬによる高効率放電によって低圧、高密度プラズ
マが生成され、高速で異方性形状に優れたエッチングが
可能であること、 ｃ．壁面の温度制御により優れた再現性、安定性を実現
できること、 ｄ．ＮＬが可変できるためクリーニングやコンディショ
ニングの時間がＩＣＰに比べて１／２程度で済むこと、
等の優れた特徴を有する。
【００３１】上記ドライエッチング終了後、図１Ｄに示
すようにマスクとして使用したレジスト材料層２ａを剥
離・除去し、ピットやグルーブに対応した凹凸を有する
光記録原盤を得る。
すようにマスクとして使用したレジスト材料層２ａを剥
離・除去し、ピットやグルーブに対応した凹凸を有する
光記録原盤を得る。
【００３２】
【実施例】以下、具体的な実験結果に基づいて説明す
る。実施例 ここでは、磁気中性線放電プラズマエッチング装置を用
い、光ディスク作製用原盤のエッチングを行った。
る。実施例 ここでは、磁気中性線放電プラズマエッチング装置を用
い、光ディスク作製用原盤のエッチングを行った。
【００３３】エッチングガスとしては、Ｃ３Ｆ８、Ｏ２
、Ａｒの３種類のガスを用い、それぞれの流量は４Ｓ
ＣＣＭ、２ＳＣＣＭ、９４ＳＣＣＭとし、ガス圧は０．
２７Ｐａとした。
、Ａｒの３種類のガスを用い、それぞれの流量は４Ｓ
ＣＣＭ、２ＳＣＣＭ、９４ＳＣＣＭとし、ガス圧は０．
２７Ｐａとした。
【００３４】ただし、磁気中性線放電プラズマエッチン
グ装置は、高速エッチングを目的に設計されているた
め、光ディスク作製用原盤を形成するような場合には、
エッチング速度を遅くする必要がある。
グ装置は、高速エッチングを目的に設計されているた
め、光ディスク作製用原盤を形成するような場合には、
エッチング速度を遅くする必要がある。
【００３５】そのため、本実施例では、フロンガス（Ｃ
３Ｆ８）の流量を少なくし、放電を維持できるガス圧を
保つためにＡｒガスを導入した。
３Ｆ８）の流量を少なくし、放電を維持できるガス圧を
保つためにＡｒガスを導入した。
【００３６】そして、ＲＦアンテナ及び基板電極に、そ
れぞれ１０００Ｗと２０Ｗの高周波電力を投入し、エッ
チングを行った。
れぞれ１０００Ｗと２０Ｗの高周波電力を投入し、エッ
チングを行った。
【００３７】その結果、図１に示すような側壁の形状が
傾斜面に制御された光ディスク作製用原盤が形成され
た。
傾斜面に制御された光ディスク作製用原盤が形成され
た。
【００３８】この光ディスク作製用原盤を用いてスタン
パを作製し、光ディスク基板を成形したところ、プロー
イングの影響はほとんど認められなかった。比較例 エッチングガスとして、Ｃ３Ｆ８、Ａｒの２種類のガス
を用い、それぞれの流量は４ＳＣＣＭ、９６ＳＣＣＭと
した。
パを作製し、光ディスク基板を成形したところ、プロー
イングの影響はほとんど認められなかった。比較例 エッチングガスとして、Ｃ３Ｆ８、Ａｒの２種類のガス
を用い、それぞれの流量は４ＳＣＣＭ、９６ＳＣＣＭと
した。
【００３９】その他のエッチング条件に関しては、先の
実施例と同様とした。
実施例と同様とした。
【００４０】その結果、図３Ａ，Ｂに示すような側壁の
形状が垂直な光ディスク作製用原盤が形成された。
形状が垂直な光ディスク作製用原盤が形成された。
【００４１】このような光ディスク作製用原盤を用いて
スタンパを作製し、光ディスク基板を成形したところ、
得られた光ディスク基板には、プローイングの影響によ
る形状劣化が認められた。
スタンパを作製し、光ディスク基板を成形したところ、
得られた光ディスク基板には、プローイングの影響によ
る形状劣化が認められた。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかな通り、本発明
によれば、プローイングの影響を受けることなく、ピッ
トやグルーブを高密度に成形し得る光記録媒体原盤を作
製することが可能である。
によれば、プローイングの影響を受けることなく、ピッ
トやグルーブを高密度に成形し得る光記録媒体原盤を作
製することが可能である。
【図１】本発明を適用した光記録媒体原盤の作製プロセ
スを工程順に示す概略断面図である。
スを工程順に示す概略断面図である。
【図２】磁気中性線放電プラズマエッチング装置の構成
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図３】側壁の形状が９０度に近い光記録媒体原盤の概
略断面図である。
略断面図である。
１ 基板、２，２ａ レジスト材料層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成されたマスクの形状に対応
してドライエッチングにより凹凸パターンを形成するに
際し、 上記マスクがエッチングに伴って後退し、凹凸パターン
の側壁形状が傾斜面に制御されるようにすることを特徴
とする光記録媒体原盤の作製方法。 - 【請求項２】 上記マスクを樹脂材料により形成し、上
記ドライエッチングを酸素を含むエッチングガスを用い
て行うことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体原盤
の作製方法。 - 【請求項３】 磁気中性線放電プラズマエッチング装置
を用いて上記ドライエッチングを行うことを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体原盤の作製方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001045692A JP2002251793A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 光記録媒体原盤の作製方法 |
| KR1020027014133A KR20020093936A (ko) | 2001-02-21 | 2002-02-18 | 광 기록 매체 원반의 제작방법 |
| CN02800326A CN1457489A (zh) | 2001-02-21 | 2002-02-18 | 光记录媒体原盘的制作方法 |
| PCT/JP2002/001373 WO2002067253A1 (fr) | 2001-02-21 | 2002-02-18 | Procede de production de l'original d'un support d'enregistrement optique |
| US10/257,727 US20030168428A1 (en) | 2001-02-21 | 2002-02-18 | Method for producing original record of optical recording medium |
| TW091102906A TW577073B (en) | 2001-02-21 | 2002-02-20 | Manufacturing method for master disk of optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001045692A JP2002251793A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 光記録媒体原盤の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002251793A true JP2002251793A (ja) | 2002-09-06 |
Family
ID=18907432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001045692A Abandoned JP2002251793A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 光記録媒体原盤の作製方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030168428A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002251793A (ja) |
| KR (1) | KR20020093936A (ja) |
| CN (1) | CN1457489A (ja) |
| TW (1) | TW577073B (ja) |
| WO (1) | WO2002067253A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11049725B1 (en) * | 2014-05-29 | 2021-06-29 | Corporation For National Research Initiatives | Method for etching deep, high-aspect ratio features into silicon carbide and gallium nitride |
| JP2016219452A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 富士通株式会社 | 多層基板及び多層基板の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5234633A (en) * | 1987-12-28 | 1993-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Cast molding die and process for producing information recording medium using the same |
| US5279924A (en) * | 1989-04-04 | 1994-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of optical diffraction grating element with serrated gratings having uniformly etched grooves |
| US5034091A (en) * | 1990-04-27 | 1991-07-23 | Hughes Aircraft Company | Method of forming an electrical via structure |
| US5263111A (en) * | 1991-04-15 | 1993-11-16 | Raychem Corporation | Optical waveguide structures and formation methods |
| US5399238A (en) * | 1991-11-07 | 1995-03-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making field emission tips using physical vapor deposition of random nuclei as etch mask |
| JPH05198016A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子用原盤及びその製造方法 |
| JPH05282713A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録基板の製造方法 |
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