CN1457489A - 光记录媒体原盘的制作方法 - Google Patents

光记录媒体原盘的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1457489A
CN1457489A CN02800326A CN02800326A CN1457489A CN 1457489 A CN1457489 A CN 1457489A CN 02800326 A CN02800326 A CN 02800326A CN 02800326 A CN02800326 A CN 02800326A CN 1457489 A CN1457489 A CN 1457489A
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
optical recording
substrate
mask
former dish
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN02800326A
Other languages
English (en)
Inventor
河内山彰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN1457489A publication Critical patent/CN1457489A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

在本发明中，在根据基底上形成的掩膜形状通过干法蚀刻形成不平坦图案时，进行控制，使掩膜随着干法蚀刻回缩或收缩，不平坦图案的侧壁成为斜面。为了以这种方式进行控制，例如，用树脂材料形成掩膜，用包括氧气的蚀刻气体进行干法蚀刻。最好使用磁性中性粒子环释放等离子体蚀刻机进行蚀刻。

Description

光记录媒体原盘的制作方法
                              技术领域
本发明涉及一种制作光记录媒体原盘的方法，这种原盘用来生产或制造各种光盘。
                              背景技术
在光记录领域，正在实现更高的记录密度，它要求在生产与此相应的光记录媒体原盘的工艺步骤中使用高解析度的光致抗蚀剂或电子束抗蚀剂等。
这些高解析度光抗蚀剂和/或电子束抗蚀剂的特征是，侧壁在完成构图后其形状接近90度。因此这些高解析度光抗蚀剂和/或电子束抗蚀剂被认为有利于对精细图案进行构图。
同时，当使用能使侧壁形成大约90度的抗蚀剂来生产光记录媒体原盘时，凹坑或者凹槽侧壁也形成大约90度的形状。当使用这样的光记录媒体原盘生产压模来模制光盘基底(衬底)时，可能会产生所谓的犁效应(Plowing)影响。
犁效应是当模制的光盘基底(衬底)从压模上剥离时角部被拔下或撕掉的现象，它会极大地破坏模制的凹坑或凹槽的形状。用于高密度记录的光记录媒体内，犁效应所导致的形状的破坏成为维持性能的大问题。
                            发明内容
鉴于这样的情况，提出了本发明。本发明的一个目的是提供一种生产光记录媒体原盘的方法，该方法抑制了犁效应的影响并能高密度地模制凹坑或凹槽。
为达到这个目的，根据本发明的生产光记录媒体原盘的方法的特征在于：在根据形成在基底(衬底)上的掩膜的形状通过干法蚀刻形成不平坦的图案的过程中，进行控制，使掩膜在蚀刻后回缩或收缩，不平坦图案侧壁的形状成为倾斜的平面。
在以上述方式生产的光记录媒体原盘中，与凹坑或凹槽对应的不平坦侧壁的形状成为倾斜的平面。其结果是，用这种光记录媒体原盘制造的压模侧壁以及用这样的压模模制的光盘基底(衬底)的凹坑或凹槽，也成为倾斜的平面。所以，在接近直角的角部处发生的犁效应得以消除。
通过以下给出的实施例的描述，本发明的另一个目的和使用本发明所得的更多实际优点将变得更清楚。
                           附图说明
图1是按工艺步骤顺序示出采用了本发明的光记录媒体原盘的生产过程的剖视图。
图2是示出磁性中性粒子环释放(Neutral Loop Discharge，NLD)等离子蚀刻装置的结构的一个例子的缩视图。
图3是其侧壁形状接近90度的光记录媒体原盘的剖视图。
                         具体实施方式
现在参照附图从更实际角度描述采用本发明的生产光记录媒体原盘的方法。
图1A和图1D按工艺步骤顺序示出了应用本发明来生产光记录媒体原盘的原盘生产过程。这里所示的主要工艺步骤包括四步：形成抗蚀剂材料层的工艺步骤(图1A)；抗蚀剂材料层曝光/显影的工艺步骤(图1B)；基底(衬底)的干法蚀刻工艺步骤(图1C)，其中，抗蚀剂材料层被作成掩膜；和将作为掩膜的抗蚀剂材料层剥离/去除的工艺步骤(图1D)。
为了生产光记录媒体原盘，如图1A所示，首先将抗蚀剂材料覆在基底(衬底)上以形成抗蚀剂材料层2。
对于基底(衬底)1来说，可以使用任何适宜材料，如硅或石英等。其厚度也可以是任意的。
优选的抗蚀剂材料是其热变形很小并且在高至接近炭化的温度下还能保持形状的材料。此外，能够实现高密度的抗蚀剂材料是优选材料。作为这样的抗蚀剂材料，值得提及的是包括酚醛树脂等的正性光抗蚀剂和包括多甲基丙烯酸甲酯等的电子束抗蚀剂。
在基底(衬底)1上覆盖这些抗蚀剂材料可以形成抗蚀剂层2，这是用如旋涂技术等实现的。
接下来，如图1B所示，对抗蚀剂层2进行曝光/显影，这样可以得到与凹坑形状或凹槽形状相应的图案。需要指出的是虽然依据普通技术就足够完成曝光/显影过程，但并不专门限定于使用曝光/显影。
以上过程的结果是在已经曝光/显影的基底(衬底)1上留有构图后的抗蚀剂材料层2a。
接下来，如图1C所示，将构图后的抗蚀剂材料层作为掩膜，对基底(衬底)1进行干法蚀刻。
此时，很重要的是干法蚀刻应在作为掩膜的抗蚀剂层2a上发生回缩或收缩的情况下进行。
通过在这样的情况下完成干法蚀刻，可进行控制，使侧壁的形状成为如图1C所示的斜面。因此，形成于基1上的伸出部1a的形状成为梯形。
为了在干法蚀刻过程中在抗蚀剂材料层2a内产生回缩或收缩，在蚀刻气体中加入例如氧气就可以了。
通常地，作为蚀刻含硅的基底(衬底)1的蚀刻气体，使用碳氟化合物系列的蚀刻气体，如CF4、C2F2、C3F8等。在这样情况下，将氧气混入这种蚀刻气体中。因此，抗蚀剂材料层2a随着蚀刻的进程逐渐回缩或收缩。按照这种方法，形成于基底(衬底)1上的伸出部1a的侧壁也会成为斜面。
另外，在氧气是抗蚀剂层2a的组成成分的情况下，也可使用上述方法。在这样情况下，不必在蚀刻气体中刻意地加入氧气。
虽然基本上可以使用任意的蚀刻装置来进行干法蚀刻，但是，尤其可以使用磁性NLD等离子体蚀刻机来将氧气引入蚀刻气体中，从而实现满意的倾斜形状。
磁性NLD等离子体蚀刻机的结构如图2所示，是一种使用高密度等离子源的高密度等离子体蚀刻机。
当参照磁性NLD等离子体蚀刻机的更为实际的结构时，与高频电源12连接的基底(衬底)电极13安装在如图2所示的石英室内。对安置在这个基电极13上的基底(衬底)14进行蚀刻。从这一方面看来，该蚀刻机的结构类似ICP(引入式耦合等离子体)蚀刻机。
需要指明的是，在石英室11的周围配置有三个线圈：顶线圈15、中线圈16和底线圈17。在与中线圈16对应的位置处，配置有一个与高频电源18相连的RF天线19。在这一点上，该蚀刻机与ICP蚀刻机是不同的。
在磁性NLD等离子体蚀刻机中，通过三个线圈(顶线圈15、中线圈16和底线圈17)和RF天线的作用，在石英室11内产生磁性中性粒子环。
具有上述结构的磁性NLD等离子体蚀刻机有如下的优点：
a.由于可自由控制等离子体环的直径，可以完成大面积和高均匀度的蚀刻。
b.NL高效率的释放可以产生低压和高密度的等离子体，并能以很高的速度很好地蚀刻出各向异性的形状。
c.侧壁的温度控制可以实现良好的复制/稳定性。
d.由于可以调整NL，因此，清理和调节所需的可以减少到ICP等装置的一半。
在完成干法蚀刻后，如图1D所示，用做掩膜的抗蚀剂材料层2a被剥离/去除，从而获得具有与凹坑或凹槽对应的不平坦性或不规则性的光记录媒体原盘。
接下来将基于更实际的实验结果给出解释。
实施例
这里，用磁性NLD等离子体蚀刻机进行蚀刻来生产光盘的原盘。
作为蚀刻气体，使用了C3F8、O2和Ar这三种气体，使流速分别达到4SCCM，2 SCCM，94 SCCM，气压是0.27Pa。
需要指出的是：由于磁性NLD等离子体蚀刻机的设计目的是高速蚀刻，所以，但在形成用以生产光盘的原盘时，需要降低蚀刻速度。
鉴于此原因，在这个实施例中，使氟里昂气体(C3F8)的流速小于Ar气，这样可以保持维持释放的气压。
进一步，在RF天线和基底(衬底)电极上分别施加1000W和20W的高频电进行蚀刻。
其结果是：形成了用以生产光盘的原盘，其中，可以通过控制使侧壁的形状成为如图1所示的斜面。
使用这种用以生产光盘的原盘生产压模来模制光盘基底(衬底)，其结果是几乎分辨不出犁效应的影响。比较例
使用C3F8和Ar两种气体作为蚀刻气体，气体流量分别为4 SCCM和94SCCM。
其他的蚀刻条件与前面所描述的实施例的情况类似。
其结果是：形成了用以生产光盘的原盘，其中侧壁的形状是垂直的，如图3A和3B所示。
由于使用这种用以生产光盘的原盘生产压模来模制光盘基底(衬底)，在所得的光盘基底(衬底)内可以分辨出犁效应影响所造成的形状的恶化。
工业应用性
如实所述，根据本发明，可以生产出能够高密度地模制凹坑或凹槽而不受犁效应影响的光记录媒体原盘。

Claims (3)

1.一种用以生产光记录媒体原盘的方法，其中，在根据基底上形成的掩膜的形状通过干法蚀刻形成不平坦图案时，进行控制，使掩膜随着蚀刻的进行回缩或收缩，而使不平坦图案的侧壁成为斜面。
2.根据权利要求1所述的光记录媒体原盘的生产方法，其中，用树脂材料形成掩膜，用包括氧气的蚀刻气体进行干法蚀刻。
3.根据权利要求1所述的光记录媒体原盘的生产方法，其中，用磁性中性粒子环释放等离子体蚀刻机进行干法蚀刻。
CN02800326A 2001-02-21 2002-02-18 光记录媒体原盘的制作方法 Pending CN1457489A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001045692A JP2002251793A (ja) 2001-02-21 2001-02-21 光記録媒体原盤の作製方法
JP045692/2001 2001-02-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1457489A true CN1457489A (zh) 2003-11-19

Family

ID=18907432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN02800326A Pending CN1457489A (zh) 2001-02-21 2002-02-18 光记录媒体原盘的制作方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20030168428A1 (zh)
JP (1) JP2002251793A (zh)
KR (1) KR20020093936A (zh)
CN (1) CN1457489A (zh)
TW (1) TW577073B (zh)
WO (1) WO2002067253A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11049725B1 (en) * 2014-05-29 2021-06-29 Corporation For National Research Initiatives Method for etching deep, high-aspect ratio features into silicon carbide and gallium nitride
JP2016219452A (ja) * 2015-05-14 2016-12-22 富士通株式会社 多層基板及び多層基板の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5234633A (en) * 1987-12-28 1993-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Cast molding die and process for producing information recording medium using the same
US5279924A (en) * 1989-04-04 1994-01-18 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of optical diffraction grating element with serrated gratings having uniformly etched grooves
US5034091A (en) * 1990-04-27 1991-07-23 Hughes Aircraft Company Method of forming an electrical via structure
US5263111A (en) * 1991-04-15 1993-11-16 Raychem Corporation Optical waveguide structures and formation methods
US5399238A (en) * 1991-11-07 1995-03-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making field emission tips using physical vapor deposition of random nuclei as etch mask
JPH05198016A (ja) * 1992-01-21 1993-08-06 Sharp Corp 光メモリ素子用原盤及びその製造方法
JPH05282713A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録基板の製造方法
JPH10124936A (ja) * 1996-10-15 1998-05-15 Memory Tec Kk ディスクのピット形状コントロール方法、及びディスク記録装置
JPH10320835A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Nikon Corp 光ディスク
US6500521B2 (en) * 1999-05-14 2002-12-31 Agere Systems Inc. Stepped etalon
US6458495B1 (en) * 2000-06-30 2002-10-01 Intel Corporation Transmission and phase balance for phase-shifting mask

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002067253A9 (fr) 2002-11-07
JP2002251793A (ja) 2002-09-06
US20030168428A1 (en) 2003-09-11
KR20020093936A (ko) 2002-12-16
TW577073B (en) 2004-02-21
WO2002067253A1 (fr) 2002-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Pang et al. Direct nano-printing on Al substrate using a SiC mold
US7429533B2 (en) Pitch reduction
CN100347608C (zh) 利用毛细作用力在基体上形成微型图案的方法
US4863557A (en) Pattern forming process and thin-film magnetic head formed by said process
US20080187719A1 (en) Nano-imprinting mold, method of manufacture of nano-imprinting mold, and recording medium manufactured with nano-imprinting mold
US6352656B1 (en) Manufacturing method for metallic stamper and metallic stamper and, manufacturing method for optical disk substrate with the use of the stamper and optical disk fabricated by the manufacturing method
JP4961941B2 (ja) ワイヤグリッド偏光板およびその製造方法
JPH07173649A (ja) 格子および二次元格子構造の反応性イオンエッチング
CN1560657A (zh) 利用复合掩膜进行反应离子深刻蚀二氧化硅的方法
US9308676B2 (en) Method for producing molds
JP4722550B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN1457489A (zh) 光记录媒体原盘的制作方法
JP2002298449A (ja) 光ディスク原盤、光ディスク基板用スタンパー、及びこれらの製造方法、並びに光磁気記録媒体
CN111627808A (zh) 半导体结构及其形成方法
US20030003326A1 (en) Recording medium and process for manufacturing the medium
JP4899638B2 (ja) モールドの製造方法
JP4165396B2 (ja) 凹凸を有する光記録媒体作製用原盤、スタンパ、光記録媒体の各製造方法
JPS6260146A (ja) 平板状情報記録担体の基板作成方法
JP2012212760A (ja) レジストパターン形成方法およびモールド製造方法
JP2531472B2 (ja) プラスチック成形用鋳型の製造方法
JP2006286122A (ja) 転写用原盤及びその製造技術
JP2003085830A (ja) 光ディスク基板成形用スタンパーの製造方法
JP4122802B2 (ja) スタンパ製造方法、原盤処理装置
CN117075424A (zh) 一种优化光刻胶线宽粗糙度的方法
JP2000040270A (ja) 光ディスク基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication