JP2002251013A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JP2002251013A JP2002251013A JP2001048880A JP2001048880A JP2002251013A JP 2002251013 A JP2002251013 A JP 2002251013A JP 2001048880 A JP2001048880 A JP 2001048880A JP 2001048880 A JP2001048880 A JP 2001048880A JP 2002251013 A JP2002251013 A JP 2002251013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- substituent
- embedded image
- alkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
性、露光マージンが優れ、経時保存による感度変動を防
止でき、またPED安定性が優れ、更に樹脂をオキサイ
ドエッチングしたときの膜減り均一性についても優れた
ポジ型レジスト組成物を提供すること。 【解決手段】 特定の脂環ラクトン構造を有する繰り返
し単位、及び他に脂肪族環状炭化水素基を有し、酸の作
用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹
脂、特定の構造の活性光線又は放射線の照射により酸を
発生する化合物を少なくとも2種、を含有することを特
徴とするポジ型レジスト組成物。
Description
マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロ
セスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに使
用するポジ型レジスト組成物に関するものである。
ており、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハ
ーフミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工
が必要とされるようになってきた。その必要性を満たす
ためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使
用波長は益々短波化し、今では、遠紫外線の中でも短波
長のエキシマレーザー光(XeCl、KrF、ArFな
ど)を用いることが検討されるまでになってきている。
この波長領域におけるリソグラフィーのパターン形成に
用いられるものとして、化学増幅系レジストがある。
系、2.5成分系、3成分系の3種類に大別することが
できる。2成分系は、光分解により酸を発生する化合物
(以後、光酸発生剤という)とバインダー樹脂とを組み
合わせている。該バインダー樹脂は、酸の作用により分
解して、樹脂のアルカリ現像液中での溶解性を増加させ
る基(酸分解性基ともいう)を分子内に有する樹脂であ
る。2.5成分系はこうした2成分系に更に酸分解性基
を有する低分子化合物を含有する。3成分系は光酸発生
剤とアルカリ可溶性樹脂と上記低分子化合物を含有する
ものである。
線照射用のフォトレジストに適しているが、その中でさ
らに使用上の要求特性に対応する必要がある。ArF光
源用のフォトレジスト組成物としては、ドライエッチン
グ耐性付与の目的で脂環式炭化水素部位が導入された樹
脂が提案されているが、脂環式炭化水素部位導入の弊害
として系が極めて疎水的になるがために、従来レジスト
現像液として幅広く用いられてきたテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド(以下TMAH)水溶液での現像が
困難となったり、現像中に基板からレジストが剥がれて
しまうなどの現象が見られる。このようなレジストの疎
水化に対応して、現像液にイソプロピルアルコールなど
の有機溶媒を混ぜるなどの対応が検討され、一応の成果
が見られるものの、レジスト膜の膨潤の懸念やプロセス
が煩雑になるなど必ずしも問題が解決されたとは言えな
い。レジストの改良というアプローチでは親水基の導入
により疎水的な種々の脂環式炭化水素部位を補うという
施策も数多くなされている。
ボルネン環等の脂環式構造を主鎖に有するモノマー、無
水マレイン酸、カルボキシル基を有するモノマーを重合
して得られる重合体を含むエネルギー感受性レジスト材
料を開示している。特開平10−111569号公報に
は、主鎖に脂環式骨格を有する樹脂と感放射線性酸発生
剤とを含有する感放射線性樹脂組成物が開示されてい
る。特開平11−109632号公報には、極性基含有
脂環式官能基と酸分解性基を含有する樹脂を放射線感光
材料に用いることが記載されている。特許第30426
18号には、ラクトン構造を有する(メタ)アクリレー
ト誘導体を他の重合性化合物と共重合させて得られた重
合体を含有するフォトレジスト組成物について記載され
ている。
ストに用いられる、酸分解性基を含有する樹脂は、分子
内に同時に脂肪族の環状炭化水素基を含有することが一
般的である。このため樹脂が疎水性になり、それに起因
する問題点が存在した。それを改良する上記のような種
々の手段が種々検討されたが、上記の技術では未だ不十
分な点が多く、改善が望まれている。
定のスルホニウム塩(アニオンの炭素数1〜15)とト
リアリールスルホニウム塩との混合酸発生剤、特開20
00−275845号公報には炭素数4〜8のパーフロ
ロアルカンスルホン酸のトリフェニルスルホニウム塩と
2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート
との組合せ、EP1041442A号には特定のスルホ
ニウム塩(アニオンの炭素数1〜8)と炭素数4〜8の
パーフロロアルカンスルホン酸のトリフェニルスルホニ
ウム塩又はヨードニウム塩との混合酸発生剤が記載され
ている。
ために、変形照明法や位相シフトマスクを用いるのが一
般的であり、ラインアンドスペースパターンには輪帯照
明、コンタクトホールにはハーフトーン位相シフトマス
クが多く使用されている。輪帯照明を用いた際の高解像
力であり、デフォーカスラチチュードが広いことが望ま
れていた。デフォーカスラティチュードが広いとは、焦
点ずれに伴うラインの幅の変動が小さいことを言う。ハ
ーフトーン位相シフトマスクを用いた場合、僅かな透過
光によりパターン部が溶解してしまうサイドローブの問
題があり、この解決が望まれていた。
経時保存による感度変動といった問題を有していた。更
に、照射装置内あるいは装置外の経時での安定性(PE
D)についても悪化し、パターン寸法が変動してしまう
という問題も生じた。ここでPED(Post Exposure De
lay)安定性とは、照射後に過熱操作を行なうまでの間
照射装置内あるいは装置外で放置した場合の塗膜安定性
である。更に、樹脂をオキサイドエッチングしたときの
膜減り均一性についても問題があった。
フォトレジスト組成物の公知技術では、ハーフトーン露
光適性、ホールピッチ依存性、露光マージン、経時保存
による感度変動あるいはPED安定性に問題があり、更
に樹脂をオキサイドエッチングしたときの膜減り均一性
について問題があったため、更なる改良が望まれてい
た。従って、本発明の目的は、ハーフトーン露光適性、
ホールピッチ依存性、露光マージンが優れ、経時保存に
よる感度変動を防止でき、またPED安定性が優れ、更
に樹脂をオキサイドエッチングしたときの膜減り均一性
についても優れたポジ型レジスト組成物を提供すること
にある。
学増幅系レジスト組成物の構成材料を鋭意検討した結
果、特定の酸分解性樹脂、特定の酸発生剤及び特定の溶
剤を用いることにより、本発明の目的が達成されること
を知り、本発明に至った。即ち、上記目的は下記構成に
よって達成される。
(V−4)のいずれかで表される基を有する繰り返し単
位、及び他に脂肪族環状炭化水素基を有し、酸の作用に
よりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化
合物を含有し、且つ(B)酸発生剤が、トリアリールス
ルフォニウム塩、フェナシルスルフォニウム塩構造有す
る化合物及び芳香環を有さないスルホニウム塩の群から
選択される少なくとも2種含有する混合物であることを
特徴とするポジ型レジスト組成物。
R1b〜R5bは、各々独立に水素原子、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニ
ル基を表す。R1b〜R5bの内の2つは、結合して環を形
成してもよい。
I)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む
部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式(II)で
示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1
種を含有することを特徴とする前記(1)に記載のポジ
型レジスト組成物。
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブ
チル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子と
ともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を
表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、
直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を
表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしく
はR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R
17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個
の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素
基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂
環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは
炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は
脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、
炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は
脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少な
くとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR
24は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を
有していてもよいアルキル基を表す。Z'は、結合した
2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基を有していて
もよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。
が、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基
を有していてもよい有橋式脂環式構造を形成するための
原子団を表すことを特徴とする前記(2)に記載のポジ
型レジスト組成物。
(II−A)又は一般式(II−B)であることを特徴とす
る前記(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解す
る基、−C(=O)−X−A'−R17'、又は置換基を有
していてもよいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表
す。ここで、R5は、置換基を有していてもよい、アル
キル基、環状炭化水素基又は下記の−Y基を表す。X
は、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又
は−NHSO2NH−を表す。A'は単結合又は2価の連
結基を表す。また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つ
が結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。
R17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、
置換基を有していてもよいアルコキシ基、−CO−NH
−R6、−CO−NH−SO2−R6又は下記の−Y基を
表す。R6は、置換基を有していてもよい、アルキル基
又は環状炭化水素基を表す。 −Y基;
に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基
を表す。a,bは1又は2を表す。)
活性剤を含有することを特徴とする前記(1)〜(4)
のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
される少なくとも1種と下記溶剤B群から選択される少
なくとも1種を含有する混合溶剤、もしくは溶剤A群か
ら選択される少なくとも1種と下記溶剤C群から選択さ
れる少なくとも1種とを含有する混合溶剤を含有するこ
とを特徴とする前記(1)〜(5)のいずれかに記載の
ポジ型レジスト組成物。 A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルアル
コキシレート B群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳
酸アルキル及びアルコキシプロピオン酸アルキル C群:γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及び
プロピレンカーボネート
される少なくとも1種と下記溶剤B群から選択される少
なくとも1種、及び下記溶剤C群から選択される少なく
とも1種とを含有する混合溶剤を含有することを特徴と
する前記(1)〜(5)のいずれかに記載のポジ型レジ
スト組成物。 A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルアル
コキシレート B群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳
酸アルキル及びアルコキシプロピオン酸アルキル C群:γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及び
プロピレンカーボネート
なくとも1種と、エステル溶剤及びアルコキシプロピオ
ン酸アルキルのうち少なくとも1種とを含有する混合溶
剤を含有することを特徴とする前記(1)〜(5)のい
ずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 (9) (D)の溶剤が、更にγ−ブチロラクトン、エ
チレンカーボネート及びプロピレンカーボネートのうち
少なくとも1種を含有することを特徴とする前記(8)
に記載のポジ型レジスト組成物。
択される少なくとも1種と下記溶剤E群から選択される
少なくとも1種を含有する混合溶剤、もしくは溶剤D群
から選択される少なくとも1種と下記溶剤F群から選択
される少なくとも1種とを含有する混合溶剤を含有する
ことを特徴とする前記(1)〜(5)のいずれかに記載
のポジ型レジスト組成物。 D群:ヘプタノン E群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳
酸アルキル及びアルコキシプロピオン酸アルキル F群:γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及び
プロピレンカーボネート
択される少なくとも1種と下記溶剤E群から選択される
少なくとも1種、及び下記溶剤F群から選択される少な
くとも1種とを含有する混合溶剤を含有することを特徴
とする前記(1)〜(5)のいずれかに記載のポジ型レ
ジスト組成物。 D群:ヘプタノン E群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳
酸アルキル及びアルコキシプロピオン酸アルキル F群:γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及び
プロピレンカーボネート
いて詳細に説明する。 〔1〕(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶
解速度が増加する樹脂(「酸分解性樹脂」ともいう)。
R1b〜R5bは、各々独立に水素原子、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニ
ル基を表す。R1b〜R5bの内の2つは、結合して環を形
成してもよい。
R1b〜R5bにおけるアルキル基としては、直鎖状、分岐
状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよ
い。直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数1〜
12個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、
より好ましくは炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐
状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソ
ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基である。
ては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭
素数3〜8個のものが好ましい。R1b〜R5bにおけるア
ルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニ
ル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜6個のものが好まし
い。また、R1b〜R5bの内の2つが結合して形成する環
としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロ
ペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環等の
3〜8員環が挙げられる。なお、一般式(V−1)〜
(V−4)におけるR1b〜R5bは、環状骨格を構成して
いる炭素原子のいずれに連結していてもよい。
基、アルケニル基が有してもよい好ましい置換基として
は、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、炭素数
2〜5のアシル基、炭素数2〜5のアシロキシ基、シア
ノ基、水酸基、カルボキシ基、炭素数2〜5のアルコキ
シカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−
A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも
1つが上記一般式(V−1)〜(V−4)で表される基
を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(V−
1)〜(V−4)で表される基を表す)、又は下記一般
式(AI)で表される繰り返し単位等を挙げることがで
きる。
ロゲン原子、又は炭素数1〜4の置換もしくは非置換の
アルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよ
い好ましい置換基としては、前記一般式(V−1)〜
(V−4)におけるR1bとしてのアルキル基が有してい
てもよい好ましい置換基として先に例示したものが挙げ
られる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。R
b0は水素原子が好ましい。A’は、単結合、エーテル
基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこ
れらを組み合わせた2価の基を表す。B2は、一般式
(V−1)〜(V−4)のうちのいずれかで示される基
を表す。A’において、該組み合わせた2価の基として
は、例えば下記式のものが挙げられる。
子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていて
もよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキ
ル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数
1〜4のアルコキシ基を挙げることができる。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げること
ができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。r
1は1〜10の整数、好ましくは1〜4の整数を表す。
mは1〜3の整数、好ましくは1又は2を表す。
し単位の具体例を挙げるが、本発明の内容がこれらに限
定されるものではない。
記一般式(V−1)〜(V−4)のいずれかで表される
基を有する繰り返し単位、及び他に脂肪族環状炭化水素
基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解
速度が増加する樹脂であれば、何れでもよいが、上記一
般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水
素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式
(II)で示される繰り返し単位の群から選択される少な
くとも1種を含有する樹脂であることが好ましい。
12〜R25におけるアルキル基としては、置換もしくは非
置換のいずれであってもよい、1〜4個の炭素原子を有
する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキ
ル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。ま
た、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1
〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキ
シ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカ
ルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
いはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基として
は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数
5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシ
クロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素
数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好
ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有してい
てもよい。以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部
分の構造例を示す。
しいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル
基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシク
ロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、
シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることが
できる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残
基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカ
ニル基、シクロドデカニル基である。
は、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低
級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選
択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個
のものを挙げることができる。
I)で示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用
することができる。アルカリ可溶性基としては、この技
術分野において公知の種々の基が挙げられる。具体的に
は、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオ
ール基などが挙げられ、好ましくはカルボン酸基、スル
ホン酸基である。上記樹脂における一般式(pI)〜
(pVI)で示される構造で保護されたアルカリ可溶性
基としては、好ましくは下記一般式(pVII)〜(p
XI)で表される基が挙げられる。
れ前記定義に同じである。上記樹脂において、一般式
(pI)〜(pVI)で示される構造で保護されたアル
カリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般
式(pA)で示される繰り返し単位が好ましい。
は1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直
鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々
同じでも異なっていてもよい。Aは、単結合、アルキレ
ン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
す。Raは、上記式(pI)〜(pVI)のいずれかの基
を表す。
単位に相当するモノマーの具体例を示す。
は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、
又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Z'
は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基
を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子団
を表す。
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等
を挙げることができる。上記R11'、R12'、R21'〜R
30'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の
直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ま
しくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル
基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基である。
しては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アル
コキシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基等を挙
げることができる。ハロゲン原子としては塩素原子、臭
素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができ、
アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げる
ことができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基
等を挙げることができ、アシルオキシ基としてはアセト
キシ基等を挙げることができる。
子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰
り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋
式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂
環式構造を形成するための原子団が好ましい。形成され
る脂環式炭化水素の骨格としては、下記構造で示すもの
等が挙げられる。
しては、上記構造のうち、(5)、(6)、(7)、
(9)、(10)、(13)、(14)、(15)、
(23)、(28)、(36)、(37)、(42)、
(47)が挙げられる。
していてもよい。そのような置換基としては、上記一般
式(II−A)あるいは(II−B)中のR13'〜R16'を挙
げることができる。上記有橋式の脂環式炭化水素を有す
る繰り返し単位の中でも、上記一般式(II−A)あるい
は(II−B)で表される繰り返し単位が更に好ましい。
において、R13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5 、酸
の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R
17'、又は置換基を有していてもよいアルキル基あるい
は環状炭化水素基を表す。R5は、置換基を有していて
もよい、アルキル基、環状炭化水素基又は前記の−Y基
を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NH
SO2−又は−NHSO2NH−を表す。A'は、単結合
または2価の連結基を表す。また、Rl3'〜R16'のうち
少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0
又は1を表す。R17'は、−COOH、−COOR5 、
−CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ
基、−CO−NH−R6 、−CO−NH−SO2 −R6
又は下記の−Y基を表す。R6は、置換基を有していて
もよい、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。前記−
Y基において、R21'〜R30'は、各々独立に、水素原子
又は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、a、
bは1又は2を表す。
は、上記−C(=O)−X−A'−R17'に含まれてもよ
いし、一般式(II)のZ'の置換基として含まれてもよ
い。酸分解性基の構造としては、−C(=O)−X1−
R0 で表される。式中、R0 としては、t−ブチル基、
t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1
−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソ
ブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等
の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1
−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3−オキ
ソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロ
フラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3−オキ
ソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−アダマ
ンチル基、メバロニックラクトン残基等を挙げることが
できる。X1は、上記Xと同義である。
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等
を挙げることができる。
キル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分
岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜
6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基である。
炭化水素基としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭
化水素であり、シクロプロピル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、アダマンチル基、2−メチル−2−
アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボ
ロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル
基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル
基、ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙
げることができる。上記R13'〜R16'のうち少なくとも
2つが結合して形成する環としては、シクロペンテン、
シクロヘキセン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
炭素数5〜12の環が挙げられる。
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
キシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シ
アノ基、アシルオキシ基、アルキル基、環状炭化水素基
等を挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個の
ものが挙げることができ、アシル基としてはホルミル
基、アセチル基等を挙げることができ、アシルオキシ基
としてはアセトキシ基等を挙げることができる。また、
アルキル基、環状炭化水素基は、上記で挙げたものが挙
げられる。
レン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群から選択さ
れる単独あるいは2つ以上の基の組み合わせが挙げられ
る。上記A'におけるアルキレン基、置換アルキレン基
としては、下記式で表される基を挙げることができる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、Ra 、Rb は、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。rは1〜10の整数を表す。
より分解する基は、前記一般式(pI)〜一般式(pV
I)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する
繰り返し単位、一般式(II)で表される繰り返し単位、
及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくとも1
種の繰り返し単位に含有することができる。
−B)におけるR13'〜R16'の各種置換基は、上記一般
式(II)における脂環式構造を形成するための原子団な
いし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの置換
基ともなるものである。
−B)で表される繰り返し単位の具体例として次の[II
−1]〜[II−175]が挙げられるが、本発明はこれ
らの具体例に限定されるものではない。
(IV)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を
含有することができる。
チル基を表す。W1は、単結合、アルキレン基、エーテ
ル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基より
なる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み
合わせを表す。Ra1,Rb1,Rc1,Rd1,Re1は
各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を
表す。m,nは各々独立に0〜3の整数を表し、m+n
は、2以上6以下である。
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基等を挙げることができる。
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔C(Rf)(Rg)〕r1− 上記式中、Rf、Rgは、水素原子、アルキル基、置換
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表
し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基から選択される。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。r1は1〜10の整数である。
ては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、ア
ルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、ア
ルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。ここで
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を
挙げることができる。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。置換アルコキシ基の置換基としては、アルコ
キシ基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4のものを挙げることができる。アシ
ルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。
造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これらに
限定されるものではない。
マージンがより良好になるという点から(IV−17)〜
(IV−36)が好ましい。更に一般式(IV)の構造とし
ては、エッジラフネスが良好になるという点からアクリ
レート構造を有するものが好ましい。
一般式(VI)で表される繰り返し単位を含有することが
できる。
ルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエ
ーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
す。R6aは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、シア
ノ基、又はハロゲン原子を表す。
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔C(Rnf)(Rng)〕r− 上記式中、Rnf、Rngは、水素原子、アルキル基、
置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基
を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げるこ
とができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4の
ものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩
素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げるこ
とができる。rは1〜10の整数である。一般式(VI)
において、A6のシクロアルキレン基としては、炭素数
3から10個のものが挙げられ、シクロペンチレン基、
シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等を挙げるこ
とができる。
していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)、アルコキ
シカルボニル基(好ましくは炭素数1〜5)、アシル基
(例えば、ホルミル基、ベンゾイル基)、アシロキシ基
(例えば、プロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基)、アルキル基(好ましくは炭素数1〜4)、カ
ルボキシル基、水酸基、アルキルスルホニルスルファモ
イル基(-CONHSO2CH3等)が挙げられる。尚、
置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等で置換
されていてもよい。
るエステル基の酸素原子は、Z6を含む有橋式脂環式環
構造を構成する炭素原子のいずれの位置で結合してもよ
い。
単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものでは
ない。
有する繰り返し単位を含有してもよい。
立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cの
うち少なくとも1つは水酸基を表す。
はジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ま
しくはジヒドロキシ体である。
返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−
B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが上記一般
式(VII)で表される基を有するもの(例えば−COO
R5のR5が一般式(V−1)〜(V−4)で表される基
を表す)、又は下記一般式(AII)で表される繰り返し
単位等を挙げることができる。
メチル基を表す。R2c〜R4cは、各々独立に水素原子又
は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも
1つは水酸基を表す。
有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定
されるものではない。
有する繰り返し単位を含有してもよい。
N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原子、水酸
基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OSO2−R
42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル基、シク
ロアルキル基又は樟脳残基を表す。
O−又は−N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原
子、水酸基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OS
O2−R42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
ては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキ
ル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチ
ル基である。上記R41及びR42におけるハロアルキル基
としてはトリフルオロメチル基、ナノフルオロブチル
基、ペンタデカフルオロオクチル基、トリクロロメチル
基等を挙げることができる。上記R42におけるシクロア
ルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロオクチル基等を挙げることができる。
アルキル基、R42としてのシクロアルキル基又は樟脳残
基は置換基を有していてもよい。このような置換基とし
ては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハ
ロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜
4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等)、アシル基(好ましくは炭素数2〜5、例
えば、ホルミル基、アセチル基等)、アシルオキシ基
(好ましくは炭素数2〜5、例えばアセトキシ基)、ア
リール基(好ましくは炭素数6〜14、例えばフェニル
基)等を挙げることができる。
位の具体例として次の[I'−1]〜[I'−7]が挙げ
られるが、本発明はこれらの具体例に限定されるもので
はない。
繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準
現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さら
にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱
性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を
含有することができる。
記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。これによ
り、酸分解性樹脂に要求される性能、特に、(1)塗布
溶剤に対する溶解性、(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、(4)膜べり(親疎水性、アル
カリ可溶性基選択)、(5)未露光部の基板への密着
性、(6)ドライエッチング耐性、等の微調整が可能と
なる。このような単量体として、例えばアクリル酸エス
テル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、
メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル
類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和
結合を1個有する化合物等を挙げることができる。
できる。 アクリル酸エステル類(好ましくはアルキル基の炭素数
が1〜10のアルキルアクリレート):アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル
酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸エチ
ルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−t−オ
クチル、クロルエチルアクリレート、2−ヒドロキシエ
チルアクリレート2,2−ジメチルヒドロキシプロピル
アクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレート、
トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリ
スリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレート、
メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート等。
キル基の炭素数が1〜10のアルキルメタアクリレー
ト):メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、
プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレー
ト、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、
シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリ
レート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒ
ドロキシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチ
ルメタクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノ
メタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレ
ート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフ
リルメタクリレート等。
アルキルアクリルアミド(アルキル基としては炭素数1
〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基等があ
る。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アルキル
基としては炭素数1〜10のもの、例えばメチル基、エ
チル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、
シクロヘキシル基等がある)、N−ヒドロキシエチル−
N−メチルアクリルアミド、N−2−アセトアミドエチ
ル−N−アセチルアクリルアミド等。
N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基としては炭
素数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、t−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基等がある)、N,N−ジアルキルメタク
リルアミド(アルキル基としてはエチル基、プロピル
基、ブチル基等がある)、N−ヒドロキシエチル−N−
メチルメタクリルアミド等。
酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラ
ウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸ア
リル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル
等)、アリルオキシエタノール等。
ル(例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエ
ーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニル
エーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエ
チルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1
−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、
2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビ
ニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、
ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノ
エチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエー
テル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリ
ルビニルエーテル等。
ニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビ
ニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプ
ロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルア
セテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシ
アセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテー
ト、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘ
キシルカルボキシレート等。
チル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等。フ
マール酸のジアルキルエステル類又はモノアルキルエス
テル類;ジブチルフマレート等。
イン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、マレイロニトリル等。
に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽
和化合物であれば、共重合されていてもよい。
位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標
準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さ
らにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱
性、感度等を調節するために適宜設定される。
ては、以下のものが挙げられる。 (1) 一般式(V−1)〜(V−4)のいずれかで表さ
れる基を有する繰り返し単位と一般式(pI)〜(pV
I)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する
繰り返し単位を含有するもの(側鎖型) (2) 一般式(V−1)〜(V−4)のいずれかで表さ
れる基を有する繰り返し単位と一般式(II)で表される
繰り返し単位を含有するもの(主鎖型) 但し、(2)においては例えば、更に以下のものが挙げ
られる。 (3) 一般式(II)で表される繰り返し単位、無水マ
レイン酸誘導体及び一般式(V−1)〜(V−4)のいず
れかで表される基を有する繰り返し単位を有するもの
−4)のいずれかで表される基を有する繰り返し単位の
含有量は、全繰り返し構造単位中2〜50モル%が好ま
しく、より好ましくは5〜40モル%、更に好ましくは
10〜30モル%である。酸分解性樹脂中、一般式(p
I)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構
造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単
位中30〜70モル%が好ましく、より好ましくは35
〜65モル%、更に好ましくは40〜60モル%であ
る。酸分解性樹脂中、一般式(II)で表される繰り返し
単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル
%が好ましく、より好ましくは15〜55モル%、更に
好ましくは20〜50モル%である。
づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジ
ストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般
的に、上記一般式(V−1)〜(V−4)のいずれかで表
される基を有する繰り返し単位と上記一般式(pI)〜
(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有
する繰り返し構造単位と上記一般式(II)で表される繰
り返し単位の合計した総モル数に対して99モル%以下
が好ましく、より好ましくは90モル%以下、さらに好
ましくは80モル%以下である。
って(例えばラジカル重合)合成することができる。例
えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括で
あるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応
じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケ
トン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後
述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トのような本発明の組成物を溶解する溶媒に溶解させ均
一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で
必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤(アゾ系開始
剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。
所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応
終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法
で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は20重量%
以上であり、好ましくは30重量%以上、さらに好まし
くは40重量%以上である。反応温度は10℃〜150
℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好まし
くは50〜100℃である。
PC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは
1,000〜200,000である。重量平均分子量が
1,000未満では耐熱性やドライエッチング耐性の劣
化が見られるため余り好ましくなく、200,000を
越えると現像性が劣化したり、粘度が極めて高くなるた
め製膜性が劣化するなど余り好ましくない結果を生じ
る。
本発明に係わる全ての樹脂の組成物全体中の配合量は、
全レジスト固形分中40〜99.99重量%が好まし
く、より好ましくは50〜99.97重量%である。
より酸を発生する化合物(以下、(B)成分又は酸発生
剤ともいう) 本発明で用いられる酸発生剤は、活性光線又は放射線の
照射により酸を発生する、トリアリールスルフォニウム
塩、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物及
び芳香環を有さないスルホニウム塩の群から選択される
少なくとも2種含有する混合物である。
するトリアリールスルホニム塩とは、トリアリールスル
ホニウムをカチオンとする塩である。トリアリールスル
ホニウムカチオンのアリール基としてはフェニル基、ナ
フチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基であ
る。トリアリールスルホニムカチオンが有する3つのア
リール基は同一であっても異なっていてもよい。
数1〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜1
5)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基
として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数4
以上のアルキル基、炭素数4以上のアルコキシ基であ
り、最も好ましくはt−ブチル基、炭素数1〜4のアル
コキシ基である。置換基は3つのアリール基のうちのい
ずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換し
ていてもよい。また置換基はアリール基のp−位に置換
していることが好ましい。
してはスルホン酸アニオンであり、好ましくは2位がフ
ッ素原子によって置換されたアルカンスルホン酸アニオ
ン、電子吸引性基で置換されたベンゼンスルホン酸であ
り、さらに好ましくは炭素数1〜8のパーフロロアルカ
ンスルホン酸アニオンであり、最も好ましくはパーフロ
ロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスル
ホン酸アニオンである。これら用いることにより酸分解
性基の分解速度が向上し、感度が優れ、また発生酸の拡
散性が制御され解像力が向上する。
等の連結基により他のトリアリールスルホニウム構造と
結合し複数のトリアリールスルホニウム構造を有しても
よい。電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、アシロキシ基、アシル基等を挙げることができる。
スルホニウム塩の具体例を示すが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
する、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物
とは、例えば、以下の一般式(III)で表される化合物
を挙げることができる。
ルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。R
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又
はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アル
キル基、2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニル
メチル基、アリル基、又はビニル基を表す。R1c〜R7c
中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合
して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原
子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいて
もよい。X-は、スルホン酸、カルボン酸、又はスルホ
ニルイミドのアニオンを表す。
分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜
10のアルキル基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及
び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖
又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は
分岐ペンチル基)、炭素数3〜8の環状アルキル基(例
えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げる
ことができる。
鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数
1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の
直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エト
キシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブト
キシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の
環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、
シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。好ま
しくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖、分岐、環状ア
ルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、
更に好ましくはR1cからR5cの炭素数の和が2〜15で
ある。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時に
パーティクルの発生が抑制される。
は、R1c〜R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げ
ることができる。アリール基としては、例えば、炭素数
6〜14のアリール基(例えば、フェニル基)を挙げる
ことができる。Rx及びRyとしてのアルキル基は、R1c
〜R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることが
できる。2−オキソアルキル基は、R1c〜R5cとしての
アルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることが
できる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコ
キシ基については、R1c〜R5cとしてのアルコキシ基と
同様のものを挙げることができる。Rx及びRyが結合し
て形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を
挙げることができる。
あり、より好ましくは1位がフッ素原子によって置換さ
れたアルカンスルホン酸アニオン、又は電子吸引性基で
置換されたベンゼンスルホン酸である。アルカンスルホ
ン酸アニオンのアルカン部分は、アルコキシ基(例えば
炭素数1〜8)、パーフルオロアルコキシ基(例えば炭
素数1〜8)等の置換基で置換されていてもよい。ま
た、電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、アシロキシ基、アシル基等を挙げることができる。
パーフロロアルカンスルホン酸アニオンであり、より好
ましくはパーフロロオクタンスルホン酸アニオン、最も
好ましくはパーフロロブタンスルホン酸アニオン、トリ
フロロメタンスルホン酸アニオンである。これら用いる
ことにより酸分解性基の分解速度が向上し、感度が優
れ、また発生酸の拡散性が制御され解像力が向上する。
ルフォニウム塩構造を有する化合物の具体例を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
式(II)で表されるスルホニウムをカチオンとする塩で
ある。
を含有しない有機基を表す。ここで芳香環とは、ヘテロ
原子を含有する芳香族環も包含するものである。R1b〜
R3bとしての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭
素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。R1b
〜R3bは、各々独立に、好ましくはアルキル基、2−オ
キソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリ
ル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環
状2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル
基、最も好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基で
ある。
分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素
数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、
炭素数3〜10の環状アルキル基(シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、ノルボルニル基)を挙げることがで
きる。R1b〜R3bとしての2−オキソアルキル基は、直
鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、
上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げる
ことができる。
メチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭
素数1〜5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
R1b〜R3bは、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭
素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更
に置換されていてもよい。R1b〜R3bのうち2つが結合
して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原
子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んで
いてもよい。R1b〜R3bの内の2つが結合して形成する
基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペン
チレン基)を挙げることができる。
ずれか1つが炭素−炭素2重結合、あるいは炭素−酸素
2重結合を有する基が好ましい。芳香環を有さないスル
ホニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオンで
あり、好ましくは1位がフッ素原子によって置換された
アルカンスルホン酸アニオン、電子吸引性基で置換され
たベンゼンスルホン酸であり、さらに好ましくは炭素数
1〜8のパーフロロアルカンスルホン酸アニオンであ
り、最も好ましくはパーフロロブタンスルホン酸アニオ
ン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオンである。こ
れら用いることにより酸分解性基の分解速度が向上し、
感度が優れ、また発生酸の拡散性が制御され解像力が向
上する。尚、電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカル
ボニル基、アシロキシ基、アシル基等を挙げることがで
きる。
3bの少なくともひとつが、一般式(II)で表される他の
化合物のR1b〜R3bの少なくともひとつと結合する構造
をとってもよい。
ないスルホニウム塩の具体例を示すが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
ルフォニウム塩、フェナシルスルフォニウム塩構造を有
する化合物及び芳香環を有さないスルホニウム塩の群か
ら選択される少なくとも2種を含有するが、以下の条件
を満足することが好ましい。
量は、本発明の組成物中の固形分を基準として、0.1
重量%〜4重量%、好ましくは0.5重量%〜3.5重
量%、更に好ましくは1重量%〜3重量%である。 (2)芳香環を有さないスルホニウム塩の添加量は、本
発明の組成物中の固形分を基準として、2重量%以上、
好ましくは2.5重量%〜15重量%、更に好ましくは
3重量%〜12重量%である。 (3)フェナシルスルホニウム塩の添加量は、本発明の
組成物中の固形分を基準として、1重量%以上、好まし
くは2重量%〜12重量%、更に好ましくは3重量%〜
8重量%含有する。
ホニウム塩(以下(1)の酸発生剤という)と(2)芳
香環を有さないスルホニウム塩(以下(2)の酸発生剤
という)を組合わせて使用する場合、2つの酸発生剤の
添加量の合計は、本発明の組成物中の固形分を基準とし
て、2.1重量%以上であり、好ましくは2.5重量%
〜20重量%、更に好ましくは3〜15重量%である。
上記(1)の酸発生剤と(2)の酸発生剤の使用重量比
率((1):(2))は、3:97〜80:20が好ま
しく、より好ましくは5:95〜75:25であり、更
に好ましくは8:92〜60:40である。
(3)フェナシルスルホニウム塩(以下(3)の酸発生
剤という)を組合わせて使用する場合、2つの酸発生剤
の添加量の合計は、本発明の組成物中の固形分を基準と
して、1.1重量%以上であり、好ましくは1.5重量
%〜12重量%、更に好ましくは3〜10重量%であ
る。上記(1)の酸発生剤と(3)の酸発生剤の使用重
量比率((1):(3))は、90:10〜15:85
が好ましく、より好ましくは85:15〜20:80で
あり、更に好ましくは80:20〜25:75である。
この使用重量比率の範囲を外れると、サイドローブマー
ジンに影響を及ぼすことがある。
(3)の酸発生剤を組合わせて使用する場合、2つの酸
発生剤の添加量の合計は、本発明の組成物中の固形分を
基準として、3重量%以上であり、好ましくは4.5重
量%〜20重量%、更に好ましくは6〜15重量%であ
る。上記(2)の酸発生剤と(3)の酸発生剤の使用重
量比率((2):(3))は、3:97〜90:10が
好ましく、より好ましくは5:95〜80:20であ
り、更に好ましくは8:92〜70:30である。
(2)の酸発生剤及び(3)の酸発生剤を組合わせて使
用する場合、3つの酸発生剤の添加量の合計は、本発明
の組成物中の固形分を基準として、1.8重量%以上で
あり、好ましくは2重量%〜20重量%、更に好ましく
は3〜15重量%である。
射線の照射により分解して酸を発生する化合物を併用し
てもよい。本発明の成分(B)と併用しうる光酸発生剤
の使用量は、モル比(成分(B)/その他の酸発生剤)
で、通常100/0〜20/80、好ましくは100/
0〜40/60、更に好ましくは100/0〜50/5
0である。そのような併用可能な光酸発生剤としては、
光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始
剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレ
ジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適
宜に選択して使用することができる。
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化物、o
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができ
る。
により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主
鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,
849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63-26653号、
特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-1460
38 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開
昭63-146029号等に記載の化合物を用いることができ
る。
第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も
使用することができる。
により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に
用いられるものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG
2)で表されるS−トリアジン誘導体。
ール基、アルケニル基、R202は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
をしめす。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的に
は以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定さ
れるものではない。
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基及びハロゲン原子が挙げられる。
もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示し、少な
くとも1個は置換もしくは未置換のアルキル基であり、
少なくとも1個は置換もしくは未置換のアルール基であ
る。アリール基としては、好ましくは、炭素数6〜14
のアリール基、アルキル基としては、好ましくは、炭素
数1〜8のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。
好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数
1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニ
トロ基、カルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原
子であり、アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコ
キシ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。
AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、ClO4 -、
CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオ
ン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこ
れらに限定されるものではない。
びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。
れるが、これらに限定されるものではない。
れる上記オニウム塩は公知であり、例えば米国特許第2,
807,648 号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等
に記載の方法により合成することができる。
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。
くは未置換のアリール基を示す。R206は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。
れるが、これらに限定されるものではない。
ジアゾジスルホン誘導体。
キル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表
す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
剤としては、次のものを挙げることができる。
界面活性剤 本発明のポジ型レジスト組成物には、好ましくはフッ素
系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有する。本発明
のポジ型レジスト組成物には、フッ素系界面活性剤、シ
リコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素原子の両方を
含有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含
有することが好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物
が上記酸分解性樹脂と上記界面活性剤とを含有すること
により、ホールピッチ依存性が小さくなり、露光マージ
ンが良好になる。これらの界面活性剤として、例えば特
開昭62-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-226745
号、特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-2
30165号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9
-5988号、米国特許5405720号、同5360692号、同5529881
号、同5296330号、同5436098号、同5576143号、同 5294
511号、同5824451号記載の界面活性剤を挙げることがで
き、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもでき
る。
ばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロ
ラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファッ
クF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ(株)
製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、10
5、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS-366(トロイ
ケミカル(株)製)等フッ素系界面活性剤又はシリコン
系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサ
ンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコ
ン系界面活性剤として用いることができる。
の固形分を基準として、通常0.001重量%〜2重量
%、好ましくは0.01重量%〜1重量%である。これ
らの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いく
つかの組み合わせで添加することもできる。
剤としては、具体的には、ポリオキシエチレンラウリル
エーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポ
リオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレン
オレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエー
テル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオ
キシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマ
ー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパル
ミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモ
ノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタン
トリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキ
シエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレ
ンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソル
ビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビ
タン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙
げることができる。これらの他の界面活性剤の配合量
は、本発明の組成物中の固形分100重量部当たり、通
常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下である。
して混合溶剤を含有する。この混合溶剤として、プロピ
レングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート
のうち少なくとも1種(A群の溶剤ともいう)と、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル
及びアルコキシプロピオン酸アルキルのうち少なくとも
1種(B群の溶剤ともいう)及び/又はγ−ブチロラク
トン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネー
ト(C群の溶剤ともいう)とを含有する混合溶剤を挙げ
ることができる。即ち、(D)成分としては、A群の溶
剤とB群の溶剤との組み合わせ、A群の溶剤とC群の溶
剤との組み合わせ、A群の溶剤とB群の溶剤とC群の溶
剤との組み合わせを用いる。A群の溶剤とB群の溶剤と
の組み合わせを用いると、コンタクトホールの解像にお
いて感度が優れ、レジスト液における初期のパーティク
ル発生が改善される。A群の溶剤とC群の溶剤との組み
合わせにより、レジスト液の経時でパーティクルの増加
及び感度変動が抑制され、経時安定性に優れたレジスト
が得られる。プロピレングリコールモノアルキルエーテ
ルカルボキシレートとしては、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテルプロピオネートを好ましく挙げる
ことができる。
ルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテルを好まし
く挙げることができる。乳酸アルキルとしては、乳酸メ
チル、乳酸エチルを好ましく挙げることができる。アル
コキシプロピオン酸アルキルとしては、3−エトキシプ
ロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、
3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピ
オン酸メチルを好ましく挙げることができる。
率(A:B)は、90:10〜15:85が好ましく、
より好ましくは85:15〜20:80であり、更に好
ましくは80:20〜25:75である。上記A群の溶
剤とC群の溶剤の使用重量比率(A:C)は、99.
9:0.1〜75:25が好ましく、より好ましくは9
9:1〜80:20であり、更に好ましくは97:3〜
85:15である。
C群の溶剤の使用重量比率は、全溶剤に対して0.1〜
25重量%が好ましく、より好ましくは1〜20重量
%、更に好ましくは3〜17重量%である。本発明にお
いて、上記各成分を含むレジスト組成物の固形分を、上
記混合溶剤に固形分濃度として3〜25重量%溶解する
ことが好ましく、より好ましくは5〜22重量%であ
り、更に好ましくは7〜20重量%である。
アルキルエーテルカルボキシレートを含有する混合溶剤
の好ましい組み合わせとしては、 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
γ−ブチロラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
エチレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+γ−ブチロ
ラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+γ−ブチロラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+γ−ブチロラクト
ン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+エチレンカ
ーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+エチレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+エチレンカーボネ
ート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+プロピレン
カーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+プロピレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+プロピレンカーボ
ネート である。
プロピレングリコールモノメチルエーテル+γ−ブチロ
ラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+γ−ブチロラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+γ−ブチロラクト
ン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+エチレンカ
ーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+エチレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+エチレンカーボネ
ート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+プロピレン
カーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+プロピレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+プロピレンカーボ
ネート である。
アルキルのうち少なくとも1種((1)の溶剤ともい
う)と、エステル溶剤及びアルコキシプロピオン酸アル
キルのうち少なくとも1種((2)の溶剤ともいう)と
を含有する混合溶剤である。(1)の溶剤への(2)の
溶剤の添加により、コンタクトホールの解像において感
度が優れ、レジスト液における初期のパーティクル発生
が改善される。乳酸アルキルとしては、好ましくは乳酸
メチル、乳酸エチルを挙げることができる。
ンチル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸ブチルを好ましく
挙げることができ、より好ましくは酢酸ブチルである。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、3−エトキ
シプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチ
ル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプ
ロピオン酸メチルを好ましく挙げることができる。
量比率((1):(2))は、90:10〜15:85
が好ましく、より好ましくは85:15〜20:80で
あり、更に好ましくは80:20〜25:75である。
更にγ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプ
ロピレンカーボネートのうち少なくとも1種((3)の
溶剤ともいう)を含有することが好ましい。(3)の溶
剤を添加することにより、レジスト液の経時でパーティ
クルの増加及び感度変動が抑制され、経時安定性に優れ
たレジストが得られる。(3)の溶剤の使用重量比率
は、全溶剤に対して0.1〜25重量%が好ましく、1
〜20重量%がより好ましく、より好ましくは3〜15
%である。本発明において、上記各成分を含むレジスト
組成物の固形分を、上記混合溶剤に固形分濃度として3
〜25重量%溶解することが好ましく、より好ましくは
5〜22重量%であり、更に好ましくは7〜20重量%
である。
合溶剤の好ましい組み合わせとしては、乳酸エチル+酢
酸ブチル、乳酸エチル+酢酸ブチル+γ−ブチロラクト
ン、乳酸エチル+酢酸ブチル+エチレンカーボネート、
乳酸エチル+酢酸ブチル+プロピレンカーボネート、乳
酸エチル+3−エトキシプロピオン酸エチル+γ−ブチ
ロラクトン、乳酸エチル+3−エトキシプロピオン酸エ
チル+エチレンカーボネート、乳酸エチル+3−エトキ
シプロピオン酸エチル+プロピレンカーボネートが挙げ
られ、更に好ましくは乳酸エチル+酢酸ブチル+γ−ブ
チロラクトン、乳酸エチル+酢酸ブチル+エチレンカー
ボネート、乳酸エチル+酢酸ブチル+プロピレンカーボ
ネート、乳酸エチル+3−エトキシプロピオン酸エチル
+γ−ブチロラクトン、乳酸エチル+3−エトキシプロ
ピオン酸エチル+エチレンカーボネート、乳酸エチル+
3−エトキシプロピオン酸エチル+プロピレンカーボネ
ートである。
ノンのうち少なくとも1種(D群の溶剤ともいう)と、
プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アル
キル及びアルコキシプロピオン酸アルキルのうち少なく
とも1種(E群の溶剤ともいう)及び/又はγ−ブチロ
ラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボ
ネート(F群の溶剤ともいう)とを含有する混合溶剤を
挙げることができる。即ち、(D)成分としては、D群
の溶剤とE群の溶剤との組み合わせ、D群の溶剤とF群
の溶剤との組み合わせ、D群の溶剤とE群の溶剤とF群
の溶剤との組み合わせを用いる。D群の溶剤とE群の溶
剤との組み合わせを用いると、コンタクトホールの解像
において感度が優れ、レジスト液における初期のパーテ
ィクル発生が改善される。D群の溶剤とF群の溶剤との
組み合わせにより、レジスト液の経時でパーティクルの
増加及び感度変動が抑制され、経時安定性に優れたレジ
ストが得られる。
−ヘプタノン、4−ヘプタノンを挙げることができ、好
ましくは2−ヘプタノンである。
ルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテルを好まし
く挙げることができる。乳酸アルキルとしては、乳酸メ
チル、乳酸エチルを好ましく挙げることができる。アル
コキシプロピオン酸アルキルとしては、3−エトキシプ
ロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、
3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピ
オン酸メチルを好ましく挙げることができる。
率(D:E)は、90:10〜15:85が好ましく、
より好ましくは85:15〜20:80であり、更に好
ましくは80:20〜25:75である。上記D群の溶
剤とF群の溶剤の使用重量比率(D:F)は、99.
9:0.1〜75:25が好ましく、より好ましくは9
9:1〜80:20であり、更に好ましくは97:3〜
85:15である。
F群の溶剤の使用重量比率は、全溶剤に対して0.1〜
25重量%が好ましく、より好ましくは1〜20重量
%、更に好ましくは3〜17重量%である。本発明にお
いて、上記各成分を含むレジスト組成物の固形分を、上
記混合溶剤に固形分濃度として3〜25重量%溶解する
ことが好ましく、より好ましくは5〜22重量%であ
り、更に好ましくは7〜20重量%である。
溶剤の好ましい組み合わせとしては、2−ヘプタノン+
プロピレングリコールモノメチルエーテル、2−ヘプタ
ノン+乳酸エチル、2−ヘプタノン+3−エトキシプロ
ピオン酸エチル、2−ヘプタノン+γ−ブチロラクト
ン、2−ヘプタノン+エチレンカーボネート、2−ヘプ
タノン+プロピレンカーボネート、2−ヘプタノン+プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル+γ−ブチロラ
クトン、2−ヘプタノン+乳酸エチル+γ−ブチロラク
トン、2−ヘプタノン+3−エトキシプロピオン酸エチ
ル+γ−ブチロラクトン、2−ヘプタノン+プロピレン
グリコールモノメチルエーテル+エチレンカーボネー
ト、2−ヘプタノン+乳酸エチル+エチレンカーボネー
ト、2−ヘプタノン+3−エトキシプロピオン酸エチル
+エチレンカーボネート、2−ヘプタノン+プロピレン
グリコールモノメチルエーテル+プロピレンカーボネー
ト、2−ヘプタノン+乳酸エチル+プロピレンカーボネ
ート、2−ヘプタノン+3−エトキシプロピオン酸エチ
ル+プロピレンカーボネートである。さらに好ましく
は、2−ヘプタノン+プロピレングリコールモノメチル
エーテル+γ−ブチロラクトン、2−ヘプタノン+乳酸
エチル+γ−ブチロラクトン、2−ヘプタノン+3−エ
トキシプロピオン酸エチル+γ−ブチロラクトン、2−
ヘプタノン+プロピレングリコールモノメチルエーテル
+エチレンカーボネート、2−ヘプタノン+乳酸エチル
+エチレンカーボネート、2−ヘプタノン+3−エトキ
シプロピオン酸エチル+エチレンカーボネート、2−ヘ
プタノン+プロピレングリコールモノメチルエーテル+
プロピレンカーボネート、2−ヘプタノン+乳酸エチル
+プロピレンカーボネート、2−ヘプタノン+3−エト
キシプロピオン酸エチル+プロピレンカーボネートであ
る。
果を妨げない範囲で、必須でない他の溶剤を添加しても
よい。このような他の溶剤の添加量は、一般的には、本
発明の各混合溶剤100重量部に対し、30重量部以下
である。他の溶剤としては、上記の各混合溶剤に必須な
溶剤として例示した溶剤に加え、エチレンジクロライ
ド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルエチ
ルケトン、トルエン、N,N−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラ
ヒドロフラン等を挙げることができる。
酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、有
機塩基性化合物、及び現像液に対する溶解性を促進させ
る化合物等を含有させることができる。
塩基性化合物は、フェノールよりも塩基性の強い化合物
である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。
独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数
1〜6のアミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシ
アルキル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換の
アリール基であり、ここでR 251とR252は互いに結合し
て環を形成してもよい。
256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基を示
す) 更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の
窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化合物であり、
特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素
原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキル
アミノ基を有する化合物である。好ましい具体例として
は、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未
置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノア
ルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジ
ン、置換もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは
未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、
置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換
のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換も
しくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペ
ラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙
げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキ
ル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリール
アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシ
ロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、
水酸基、シアノ基である。
て、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,
1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−アミノピ
リジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2
−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジ
ン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチ
ル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−
アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5−メチル
ピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミ
ノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、3−ア
ミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチ
ル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジ
ン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリ
ジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジ
ン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾー
ル、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−
3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2
−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリミジ
ン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキ
シピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−
アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モルフ
ォリン、1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−
5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウン
デカ−7−エン、1,4−ジアザビシクロ〔2.2.2〕
オクタン、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、N
−メチルモルホリン、N−エチルモルホリン、N−ヒド
ロキシエチルモルホリン、N−ベンジルモルホリン、シ
クロヘキシルモルホリノエチルチオウレア(CHMET
U)等の3級モルホリン誘導体、特開平11−5257
5号公報に記載のヒンダードアミン類(例えば該公報
〔0005〕に記載のもの)等が挙げられるがこれに限
定されるものではない。
シクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8−ジアザビ
シクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、1,4−ジア
ザビシクロ〔2.2.2〕オクタン、4−ジメチルアミノ
ピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、4,4−ジメチ
ルイミダゾリン、ピロール類、ピラゾール類、イミダゾ
ール類、ピリダジン類、ピリミジン類、CHMETU等
の3級モルホリン類、ビス(1,2,2,6,6−ペン
タメチル−4−ピペリジル)セバゲート等のヒンダード
アミン類等を挙げることができる。中でも、1,5−ジ
アザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8−
ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、
1,4−ジアザビシクロ〔2.2.2〕オクタン、4−
ジメチルアミノピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、
CHMETU、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチ
ル−4−ピペリジル)セバゲートが好ましい。
るいは2種以上組み合わせて用いられる。含窒素塩基性
化合物の使用量は、感光性樹脂組成物の全組成物の固形
分に対し、通常、0.001〜10重量%、好ましくは
0.01〜5重量%である。0.001重量%未満では
上記含窒素塩基性化合物の添加の効果が得られない。一
方、10重量%を超えると感度の低下や非露光部の現像
性が悪化する傾向がある。
は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜の膜厚
は0.2〜1.2μmが好ましい。本発明において使用
することができる無機基板とは、通常のBareSi基板、SO
G基板、あるいは次に記載の無機の反射防止膜を有する
基板等を挙げることができる。また、本発明において
は、必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を
使用することができる。
ン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン
等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜
型が用いることができる。前者は膜形成に真空蒸着装
置、CVD装置、スパッタリング装置等の設備を必要と
する。有機反射防止膜としては、例えば特公平7−69
611号記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデ
ヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶性樹
脂、吸光剤からなるものや、米国特許5294680号
記載の無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反
応物、特開平6−118631号記載の樹脂バインダー
とメチロールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開
平6−118656号記載のカルボン酸基とエポキシ基
と吸光基を同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止
膜、特開平8−87115号記載のメチロールメラミン
とベンゾフェノン系吸光剤からなるもの、特開平8−1
79509号記載のポリビニルアルコール樹脂に低分子
吸光剤を添加したもの等が挙げられる。また、有機反射
防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV3
0シリーズや、DUV−40シリーズ、ARC25、シ
プレー社製のAC−2、AC−3、AR19、AR20
等を使用することもできる。
に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコ
ン被覆)上に(必要により上記反射防止膜を設けられた
基板上に)、スピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行
い現像することにより良好なレジストパターンを得るこ
とができる。ここで露光光としては、好ましくは150
nm〜250nmの波長の光である。具体的には、Kr
Fエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレ
ーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157
nm)、X線、電子ビーム等が挙げられる。
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、
エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、
ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン
類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三
アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノール
アミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン
等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用すること
ができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール
類、界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。
ル型) 2−アダマンチル−2−プロピルメタクリレート、ブチ
ロラクトンメタクリレート、本発明の単量体を48/2
2/30の割合で仕込み、メチルエチルケトン/テトラ
ヒドロフラン=9/1に溶解し、固形分濃度35%の溶
液100mLを調製した。この溶液に和光純薬製V−6
5を2mol%、メルカプトエタノール2mol%加
え、これを窒素雰囲気下、4時間かけて65℃に加熱し
たメチルエチルケトン10mLに滴下した。滴下終了
後、反応液を4時間攪拌した。反応終了後、反応液を室
温まで冷却し、メタノール/ISOプロピルアルコール
=3/1の混合溶媒1.2Lに晶析、析出した白色粉体
を瀘取した後、得られた粉体をメタノール1Lでリスラ
リーし目的物である樹脂(1)を回収した。NMRから
求めたポリマー組成比は49/22/29であった。ま
た、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重
量平均分子量は8900であった。
(2)〜(10)を合成した。以下に上記樹脂(2)〜
(10)の組成比、分子量を示す。(繰り返し単位1、
2、3は構造式の左からの順番である。)
構造を示す。
ン酸、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、本
発明のアクリレートモノマーをモル比で30/30/2
0/20で反応容器に仕込み、メチルエチルケトン/テ
トラヒドロフラン=8/2混合溶媒に溶解し、固形分6
0%の溶液を調製した。これを窒素気流下65℃で加熱
した。反応温度が安定したところで和光純薬社製ラジカ
ル開始剤V−601を(4mol%)のメチルエチルケ
トン20%溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後4
時間加熱した後、反応混合物を5倍量のヘキサン/メチ
ルtブチルエーテル=3/1混合溶液に投入し白色粉体
を析出させた。析出した粉体を再度テトラヒドロフラン
に溶解させ5倍量のヘキサンに投入し白色粉体を析出さ
せ、濾過取り出した。この作業を再度繰り返し、乾燥、
目的物である樹脂(11)を得た。得られた樹脂(1
1)のGPCによる分子量分析(RI分析)を試みたと
ころ、ポリスチレン換算で9700(重量平均)、残留
モノマーの量は0.2%であった。また、NMRスペク
トルより樹脂(1)の組成は本発明のノルボルネン/無
水マレイン酸/2−メチル−2−アダマンチルアクリレ
ート/本発明のアクリレートモノマーをモル比で22/
30/25/23であった。
(12)〜(29)を合成した。以下に上記樹脂(1
2)〜(29)の組成比、分子量を示す。(脂環オレフ
ィン、一般式(VIII)モノマー(無水物等)、アクリル
モノマーは構造式の左からの順番である。)
の構造を示す。
例で合成した表3〜5に示す樹脂をそれぞれ2g光酸発
生剤、有機塩基性化合物(アミン)5mg、必要により
界面活性剤(10mg)を表3〜5に示すように配合
し、それぞれ固形分14重量%の割合で表3〜5に示す
溶剤に溶解した後、0.1μmのミクロフィルターで濾
過し、実施例1〜60と比較例1〜2のポジ型レジスト
組成物を調製した。
42618号の実施例10で合成した下記に示す構造の
樹脂(以下樹脂Aという)を使用した。
159758号の下記に示す構造のPolymer12
(以下樹脂Bという)を使用した。
(フッ素系) W2:メガファックR08(大日本インキ(株)製)
(フッ素及びシリコーン系) W3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学
工業(株)製) W4:ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル W5:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製) を表す。
ネン(DBN)を表し、 2は、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−
ピペリジル)セバゲート 3は、トリn−ブチルアミン 4は、トリフェニルイミダゾール 5は、アンチピリン 6は、2,6−ジイソプロピルアニリン を表す。
ート S2:乳酸エチル S3:酢酸ブチル S4:2−ヘプタノン S5:プロピレングリコールモノメチルエーテル S6:エトキシプロピオン酸エチル S7:γ−ブチロラクトン S8:エチレンカーボネート S9:プロピレンカーボネート を表す。
ence社製ARC−25をスピンコーターを利用して
シリコンウエハー上に30nm塗布、乾燥した後、その
上に得られたポジ型レジスト組成物溶液をスピンコータ
を利用して塗布し、樹脂1〜10を使用した系は130
℃、それ以外は140℃で90秒間乾燥、約0.4μm
のポジ型フォトレジスト膜を作成し、それにArFエキ
シマレーザー(193nm)で露光した。露光後の加熱
処理を樹脂1〜10を使用した系は120℃、それ以外
は130℃で90秒間行い、2.38%のテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、蒸留水でリン
スし、レジストパターンプロファイルを得た。このよう
にして得られたシリコンウエハーのレジストパターンを
走査型顕微鏡(SEM)で観察し、レジストを下記のよ
うに評価した。これらの評価結果を表6〜9に示す。
パターンを再現する露光量でPED後(露光後23℃で
60分間放置)の線幅が変動する変動率を下記式により
評価し、得られた値をPED安定性として評価した。 PED安定性(%)= │(露光後経時したパターン
(0.13μm)の線幅)−(露光後直ちに加熱処理し
た際の線幅)│/(0.13μm)×100
℃で1週間放置)ポジ型レジスト組成物溶液について、
再度上記のようにPED安定性を評価し、経時前後での
線幅変動率がどの様に変化しているかについて、下記式
により評価し、得られた値をPED経時変動として評価
した。 PED経時変動(%)= │(経時前のPED安定性
(%)−(経時後のPED安定性(%)│/(経時前の
PED安定性(%))×100
にしてポジ型レジスト組成物溶液(塗液)の調液直後の
感度(保存前の露光量)を評価し、また上記組成物溶液
を4℃で1週間放置した後の感度(保存後の露光量)を
評価し、下記式により感度変動率を評価した。 感度変動率(%)= │(保存前の露光量)−(保存後
の露光量)│/(保存前の露光量)×100
性の評価は、ハーフトーン位相シフトマスクを使用し
て、0.22μmを0.20μmに解像させ、0.18
μmでのパターン上を観察し、サイドローブの発現が認
められず良好なものを○、若干サイドローブの兆候が認
められるものを△、サイドローブがはっきり確認される
ものを×として示した。
のコンタクトホールパターン(密パターン)と孤立コン
タクトホールパターン(疎パターン)において、それぞ
れ0.20μm±10%を許容する焦点深度の重なり範
囲を求めた。この範囲が大きい程疎密依存性が良好なこ
とを示す。
タクトホールを再現する露光量を最適露光量とし、0.
16±10%の線幅を再現する露光量幅を最適露光量で
割った値を100分率(%)で表した。数字が大きいほ
ど露光量変化に対して線幅変化が少ない。
μmのコンタクトホールパターンをCHF3/O2=8/
2プラズマで60秒間エッチングを行い、得られたサン
プルの断面、及び表面をSEMで観察し、ピンホール状
の欠陥(非加工予定部位の下層がエッチングされてしま
う)を生じるものを×、表面荒れは生じるが欠陥が生じ
ず、但し、ホールの変形があるものを△、表面荒れが小
さく、ホールの変形のない良好なものを○とした。
明のポジ型レジスト組成物は、ハーフトーン露光適性、
ホールピッチ依存性、露光マージンが優れ、経時保存に
よる感度変動を防止でき、またPED安定性及び経時で
のPED安定性が優れ、経時でのPED変動を防止で
き、更に樹脂をオキサイドエッチングしたときの膜減り
均一性についても優れていることが判る。
外光、特に波長193nmのArFエキシマレーザー光
に好適で、ハーフトーン露光適性、ホールピッチ依存
性、露光マージンが優れ、経時保存による感度変動を防
止でき、またPED安定性が優れ、経時でのPED変動
を防止でき、更に樹脂をオキサイドエッチングしたとき
の膜減り均一性についても優れている。従って、ArF
エキシマレーザー露光を始めとする遠紫外線を用いたリ
ソグラフィーに好適に用いられる。
Claims (4)
- 【請求項1】 (A)下記一般式(V−1)〜(V−
4)のいずれかで表される基を有する繰り返し単位、及
び他に脂肪族環状炭化水素基を有し、酸の作用によりア
ルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を
含有し、且つ(B)酸発生剤が、トリアリールスルフォ
ニウム塩、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化
合物及び芳香環を有さないスルホニウム塩の群から選択
される少なくとも2種含有する混合物であることを特徴
とするポジ型レジスト組成物。 【化1】 一般式(V−1)〜(V−4)において、R1b〜R
5bは、各々独立に水素原子、置換基を有していてもよ
い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を
表す。R1b〜R5bの内の2つは、結合して環を形成して
もよい。 - 【請求項2】 (A)の樹脂が、下記一般式(pI)〜
一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構
造を有する繰り返し単位及び下記一般式(II)で示され
る繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種を含
有することを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジス
ト組成物。 【化2】 (式中、R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又は
sec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環
式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12
〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしく
は分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但
し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、
R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21
は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖も
しくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、
但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水
素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜
4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化
水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜
4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化
水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つ
は脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互い
に結合して環を形成していてもよい。) 【化3】 式(II)中:R11',R12'は、各々独立に、水素原子、
シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよ
いアルキル基を表す。Z'は、結合した2つの炭素原子
(C−C)を含み、置換基を有していてもよい脂環式構
造を形成するための原子団を表す。 - 【請求項3】 前記一般式(II)におけるZ'が、結合
した2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基を有して
いてもよい有橋式脂環式構造を形成するための原子団を
表すことを特徴とする請求項2に記載のポジ型レジスト
組成物。 - 【請求項4】 前記一般式(II)が、下記一般式(II−
A)又は一般式(II−B)であることを特徴とする請求
項2に記載のポジ型レジスト組成物。 【化4】 式(II−A)、(II−B)中:R13'〜R16'は、各々独
立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COO
H、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C
(=O)−X−A'−R17'、又は置換基を有していても
よいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。ここ
で、R5は、置換基を有していてもよい、アルキル基、
環状炭化水素基又は下記の−Y基を表す。Xは、酸素原
子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHS
O2NH−を表す。A'は単結合又は2価の連結基を表
す。また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合し
て環を形成してもよい。nは0又は1を表す。R17'
は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、置換
基を有していてもよいアルコキシ基、−CO−NH−R
6、−CO−NH−SO2−R6又は下記の−Y基を表
す。R6は、置換基を有していてもよい、アルキル基又
は環状炭化水素基を表す。 −Y基; 【化5】 (−Y基中、R21'〜R30'は、各々独立に、水素原子又
は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。a,b
は1又は2を表す。)
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001048880A JP4208422B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | ポジ型レジスト組成物 |
KR1020020009638A KR100795109B1 (ko) | 2001-02-23 | 2002-02-22 | 포지티브 감광성 조성물 |
US10/079,414 US6858370B2 (en) | 2001-02-23 | 2002-02-22 | Positive photosensitive composition |
TW91103178A TW548523B (en) | 2001-02-23 | 2002-02-22 | Positive photosensitive composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001048880A JP4208422B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002251013A true JP2002251013A (ja) | 2002-09-06 |
JP2002251013A5 JP2002251013A5 (ja) | 2006-01-19 |
JP4208422B2 JP4208422B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=18910071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001048880A Expired - Fee Related JP4208422B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4208422B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004041879A1 (ja) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Jsr Corporation | アクリル系共重合体および感放射線性樹脂組成物 |
US7432035B2 (en) * | 1998-07-03 | 2008-10-07 | Nec Corporation | (Meth)acrylate derivative, polymer and photoresist composition having lactone structure, and method for forming pattern by using it |
KR101049070B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2011-07-15 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
WO2016051985A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
-
2001
- 2001-02-23 JP JP2001048880A patent/JP4208422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7432035B2 (en) * | 1998-07-03 | 2008-10-07 | Nec Corporation | (Meth)acrylate derivative, polymer and photoresist composition having lactone structure, and method for forming pattern by using it |
US8802798B2 (en) | 1998-07-03 | 2014-08-12 | Nec Corporation | (Meth)acrylate derivative, polymer and photoresist composition having lactone structure, and method for forming pattern by using it |
US8969483B2 (en) | 1998-07-03 | 2015-03-03 | Nec Corporation | (Meth)acrylate derivative, polymer and photoresist composition having lactone structure, and method for forming pattern by using it |
WO2004041879A1 (ja) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Jsr Corporation | アクリル系共重合体および感放射線性樹脂組成物 |
US7452655B2 (en) | 2002-11-05 | 2008-11-18 | Jsr Corporation | Acrylic copolymer and radiation-sensitive resin composition |
JP2009035734A (ja) * | 2002-11-05 | 2009-02-19 | Jsr Corp | アクリル系共重合体および感放射線性樹脂組成物 |
KR101010410B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2011-01-21 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 아크릴계 공중합체 및 감방사선성 수지 조성물 |
JP2013032540A (ja) * | 2002-11-05 | 2013-02-14 | Jsr Corp | アクリル系共重合体および感放射線性樹脂組成物 |
JP2013032541A (ja) * | 2002-11-05 | 2013-02-14 | Jsr Corp | アクリル系共重合体および感放射線性樹脂組成物 |
KR101049070B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2011-07-15 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
WO2016051985A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JPWO2016051985A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2017-05-25 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4208422B2 (ja) | 2009-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3444821B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP4187949B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4102032B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4149154B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4452608B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2002131917A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP4255100B2 (ja) | ArFエキシマレ−ザ−露光用ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパタ−ン形成方法 | |
JP2003005375A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP2003107709A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4124978B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP2003122007A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP3948506B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP2001318465A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP2002202607A (ja) | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP2002351079A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4070521B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP2001215709A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4210439B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP4090773B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP2003057825A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP2002296782A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP2001142215A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP2001296661A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP4208422B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP2002341541A (ja) | ポジ型レジスト組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051129 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051129 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060324 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061124 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071108 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071115 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080416 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080709 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081001 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081021 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4208422 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |