JP2002246356A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常圧ＣＶＤ装置において、ウェハーを搬送す
る搬送ベルト上に形成された生成物の除去を十分に行え
るようにする。 【解決手段】 ウェハー２を搭載して搬送する搬送ベル
ト３は無端状で、成膜チャンバー４を通過して薄膜が形
成されたウェハー２を降ろした前記搬送ベルト３はスク
ラバチャンバー１７を通過する。このスクラバチャンバ
ー１７は、前記搬送ベルト３にドライアイスを粒状にし
てなる固体粒を吹き付けて衝突させて、該搬送ベルト３
上の生成物に衝撃を与えてこれを剥離したり、クラック
を入れて剥離を促進するものである。このスクラバチャ
ンバー１７を通過した搬送ベルト３はエッチングにより
生成物の除去を行うクリーニングチャンバー６に入り、
剥離が促進された状態となっている生成物の除去が行わ
れる。
る搬送ベルト上に形成された生成物の除去を十分に行え
るようにする。 【解決手段】 ウェハー２を搭載して搬送する搬送ベル
ト３は無端状で、成膜チャンバー４を通過して薄膜が形
成されたウェハー２を降ろした前記搬送ベルト３はスク
ラバチャンバー１７を通過する。このスクラバチャンバ
ー１７は、前記搬送ベルト３にドライアイスを粒状にし
てなる固体粒を吹き付けて衝突させて、該搬送ベルト３
上の生成物に衝撃を与えてこれを剥離したり、クラック
を入れて剥離を促進するものである。このスクラバチャ
ンバー１７を通過した搬送ベルト３はエッチングにより
生成物の除去を行うクリーニングチャンバー６に入り、
剥離が促進された状態となっている生成物の除去が行わ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーに薄膜を
形成する薄膜形成装置に関する。詳しくは、ウェハーを
搬送する搬送手段に粒状の固形物を吹き付けて衝突させ
る、あるいは前記搬送手段に低温の気体を吹き付けるこ
とで、搬送手段上の生成物の除去を十分に行えるように
したものである。
形成する薄膜形成装置に関する。詳しくは、ウェハーを
搬送する搬送手段に粒状の固形物を吹き付けて衝突させ
る、あるいは前記搬送手段に低温の気体を吹き付けるこ
とで、搬送手段上の生成物の除去を十分に行えるように
したものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェハーに薄膜を形成する薄膜形成装置
として、例えばＣＶＤ（化学的気相成長）装置がある。
図３は従来の常圧ＣＶＤ装置の構成を示す説明図であ
る。従来の常圧ＣＶＤ装置１は、ウェハー２を搬送する
無端状の搬送ベルト３と、前記ウェハー２上に薄膜を形
成する成膜チャンバー４と、前記搬送ベルト３に薄膜形
成前のウェハー２を供給するローダー５ａと、前記搬送
ベルト３から薄膜形成後のウェハー２を受け取るアンロ
ーダー５ｂと、前記成膜チャンバー４を通過すること
で、前記搬送ベルト３に形成される生成物を該搬送ベル
ト３から除去するクリーニングチャンバー６と、前記ク
リーニングチャンバー６を通過した搬送ベルト３を洗浄
する超音波洗浄槽７と、前記超音波洗浄層７を通過した
搬送ベルト３を乾燥させるドライヤー８と、前記搬送ベ
ルト３を動かすローラ群９等から構成される。
として、例えばＣＶＤ（化学的気相成長）装置がある。
図３は従来の常圧ＣＶＤ装置の構成を示す説明図であ
る。従来の常圧ＣＶＤ装置１は、ウェハー２を搬送する
無端状の搬送ベルト３と、前記ウェハー２上に薄膜を形
成する成膜チャンバー４と、前記搬送ベルト３に薄膜形
成前のウェハー２を供給するローダー５ａと、前記搬送
ベルト３から薄膜形成後のウェハー２を受け取るアンロ
ーダー５ｂと、前記成膜チャンバー４を通過すること
で、前記搬送ベルト３に形成される生成物を該搬送ベル
ト３から除去するクリーニングチャンバー６と、前記ク
リーニングチャンバー６を通過した搬送ベルト３を洗浄
する超音波洗浄槽７と、前記超音波洗浄層７を通過した
搬送ベルト３を乾燥させるドライヤー８と、前記搬送ベ
ルト３を動かすローラ群９等から構成される。
【０００３】前記成膜チャンバー４には、前記ウェハー
２に薄膜を形成するための成膜ガスを供給するガスヘッ
ド１０と、前記ウェハー２を加熱するヒータ１１等が設
けられる。また、前記成膜チャンバー４の内部を前記搬
送ベルト３が通過する構造となっている。これにより、
前記ウェハー２は、前記搬送ベルト３に載せられて前記
成膜チャンバー４に送り込まれ、薄膜が形成される。
２に薄膜を形成するための成膜ガスを供給するガスヘッ
ド１０と、前記ウェハー２を加熱するヒータ１１等が設
けられる。また、前記成膜チャンバー４の内部を前記搬
送ベルト３が通過する構造となっている。これにより、
前記ウェハー２は、前記搬送ベルト３に載せられて前記
成膜チャンバー４に送り込まれ、薄膜が形成される。
【０００４】前記クリーニングチャンバー６は、前記搬
送ベルト３が通過する構造で、該クリーニングチャンバ
ー６には、酸系薬液を供給する供給口１２と、この供給
口１２から供給される酸系薬液を霧状にして前記搬送ベ
ルト３に対して噴射するノズル１３と、前記酸系薬液が
噴霧されることで、前記搬送ベルト３からエッチングに
より除去される生成物等を排出する排出口１４等が設け
られている。
送ベルト３が通過する構造で、該クリーニングチャンバ
ー６には、酸系薬液を供給する供給口１２と、この供給
口１２から供給される酸系薬液を霧状にして前記搬送ベ
ルト３に対して噴射するノズル１３と、前記酸系薬液が
噴霧されることで、前記搬送ベルト３からエッチングに
より除去される生成物等を排出する排出口１４等が設け
られている。
【０００５】前記超音波洗浄槽７は、純水が満たされて
いるとともに、浸漬させた前記搬送ベルト３の残留生成
物を超音波により洗浄除去する。また、前記超音波洗浄
槽７を出た搬送ベルト３に対してＮ2を高圧で噴射して
水分を飛ばすＮ2ブロー部１５が設けられる。
いるとともに、浸漬させた前記搬送ベルト３の残留生成
物を超音波により洗浄除去する。また、前記超音波洗浄
槽７を出た搬送ベルト３に対してＮ2を高圧で噴射して
水分を飛ばすＮ2ブロー部１５が設けられる。
【０００６】以下に、従来の常圧ＣＶＤ装置１の動作
を、搬送ベルト３の洗浄工程を中心に説明する。薄膜形
成前のウェハー２は、ローダー５ａから搬送ベルト３に
供給される。搬送ベルト３は、図示しない駆動機構によ
り駆動されるローラ群９により矢印ａ方向に移動し、前
記ローダー５ａより搬送ベルト３上に供給されたウェハ
ー２は前記成膜チャンバー４に入る。
を、搬送ベルト３の洗浄工程を中心に説明する。薄膜形
成前のウェハー２は、ローダー５ａから搬送ベルト３に
供給される。搬送ベルト３は、図示しない駆動機構によ
り駆動されるローラ群９により矢印ａ方向に移動し、前
記ローダー５ａより搬送ベルト３上に供給されたウェハ
ー２は前記成膜チャンバー４に入る。
【０００７】成膜チャンバー４内では、常圧下でガスヘ
ッド１０より成膜ガスが供給され、また、ヒータ１１に
よる加熱が行われて、ウェハー２に薄膜が形成されて行
く。このウェハー２に薄膜が形成される工程で、搬送ベ
ルト３も前記成膜チャンバー４内を通過するので、膜状
の生成物が形成される。
ッド１０より成膜ガスが供給され、また、ヒータ１１に
よる加熱が行われて、ウェハー２に薄膜が形成されて行
く。このウェハー２に薄膜が形成される工程で、搬送ベ
ルト３も前記成膜チャンバー４内を通過するので、膜状
の生成物が形成される。
【０００８】薄膜が形成されたウェハー２は、搬送ベル
ト３により搬送されて成膜チャンバー４を出た後、該搬
送ベルト３からアンローダー５ｂに送られる。成膜チャ
ンバー４を通過してウェハー２を上述したようにアンロ
ーダー５ｂに渡した搬送ベルト３は、前記クリーニング
チャンバー６に入る。
ト３により搬送されて成膜チャンバー４を出た後、該搬
送ベルト３からアンローダー５ｂに送られる。成膜チャ
ンバー４を通過してウェハー２を上述したようにアンロ
ーダー５ｂに渡した搬送ベルト３は、前記クリーニング
チャンバー６に入る。
【０００９】クリーニングチャンバー６では、その内部
を通過する搬送ベルト３に対して、供給口１２から供給
される酸系薬液をノズル１３により霧状にして噴射す
る。これにより、上述したように成膜チャンバー４内を
通過することで生成された搬送ベルト３上の生成物と前
記噴霧された酸系薬液が化学反応を起こして、該生成物
はエッチングされ、排水口１４より排水される。
を通過する搬送ベルト３に対して、供給口１２から供給
される酸系薬液をノズル１３により霧状にして噴射す
る。これにより、上述したように成膜チャンバー４内を
通過することで生成された搬送ベルト３上の生成物と前
記噴霧された酸系薬液が化学反応を起こして、該生成物
はエッチングされ、排水口１４より排水される。
【００１０】クリーニングチャンバー６を通過した搬送
ベルト３は、前記超音波洗浄槽７に入る。この超音波洗
浄槽７には純水が満たされており、前記搬送ベルト３が
純水中で超音波により振動することで、該搬送ベルト３
上の残留生成物が洗浄除去される。
ベルト３は、前記超音波洗浄槽７に入る。この超音波洗
浄槽７には純水が満たされており、前記搬送ベルト３が
純水中で超音波により振動することで、該搬送ベルト３
上の残留生成物が洗浄除去される。
【００１１】超音波洗浄槽７の純水中から出た搬送ベル
ト３は、Ｎ2ブロー部１５でＮ2の高圧噴射を受けること
で水分が飛ばされ、ドライヤー８により乾燥される。そ
して、乾燥した搬送ベルト３は再度ローダー５ａに到達
し、該ローダー５ａより薄膜形成前のウェハー２の供給
を受け、成膜チャンバー４に入って行く。
ト３は、Ｎ2ブロー部１５でＮ2の高圧噴射を受けること
で水分が飛ばされ、ドライヤー８により乾燥される。そ
して、乾燥した搬送ベルト３は再度ローダー５ａに到達
し、該ローダー５ａより薄膜形成前のウェハー２の供給
を受け、成膜チャンバー４に入って行く。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、搬送ベ
ルト３は複雑な構造で表面に凹凸があるので、上述した
クリーニングチャンバー６および超音波洗浄槽７による
洗浄工程のみでは、生成物の除去能力が十分でないとい
う問題があった。
ルト３は複雑な構造で表面に凹凸があるので、上述した
クリーニングチャンバー６および超音波洗浄槽７による
洗浄工程のみでは、生成物の除去能力が十分でないとい
う問題があった。
【００１３】搬送ベルト３は無端状なので、クリーニン
グチャンバー６を通過した搬送ベルト３は再び成膜チャ
ンバー４に入ることになるが、搬送ベルト３上の生成物
の除去が十分に行われていないと、付着していた生成物
が成膜ガスの影響で搬送ベルト３から剥離し、ウェハー
２に付着してダストなってしまい、製品の歩留まりが著
しく低下するという問題があった。
グチャンバー６を通過した搬送ベルト３は再び成膜チャ
ンバー４に入ることになるが、搬送ベルト３上の生成物
の除去が十分に行われていないと、付着していた生成物
が成膜ガスの影響で搬送ベルト３から剥離し、ウェハー
２に付着してダストなってしまい、製品の歩留まりが著
しく低下するという問題があった。
【００１４】搬送ベルト３の速度を遅くすることで、ク
リーニングチャンバー６における反応時間を長くするこ
とによりエッチングによる生成物の除去能力を上げるこ
とができるが、常圧ＣＶＤ装置１の生産能力が搬送ベル
ト３の速度に依存することになり、生成物の除去能力を
保つためには該搬送ベルト３の速度は上げられないの
で、生産能力を上げることが困難であるという問題があ
った。
リーニングチャンバー６における反応時間を長くするこ
とによりエッチングによる生成物の除去能力を上げるこ
とができるが、常圧ＣＶＤ装置１の生産能力が搬送ベル
ト３の速度に依存することになり、生成物の除去能力を
保つためには該搬送ベルト３の速度は上げられないの
で、生産能力を上げることが困難であるという問題があ
った。
【００１５】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、搬送ベルトの速度によらず、該洗浄
ベルトから生成物を除去する能力を十分なものとできる
薄膜形成装置を提供することを目的とする。
になされたもので、搬送ベルトの速度によらず、該洗浄
ベルトから生成物を除去する能力を十分なものとできる
薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜形成装
置は、ウェハーを載せて移動し、該ウェハーを搬送する
搬送手段と、前記搬送手段上のウェハーに薄膜を形成す
る薄膜形成手段と、前記薄膜形成手段を通過することで
前記搬送手段に形成された生成物を除去する洗浄手段と
を備えた薄膜形成装置において、前記薄膜形成手段を通
過して前記洗浄手段に至る前記搬送手段に、粒状の固形
物を吹き付けて衝突させる生成物除去手段を備えたもの
である。
置は、ウェハーを載せて移動し、該ウェハーを搬送する
搬送手段と、前記搬送手段上のウェハーに薄膜を形成す
る薄膜形成手段と、前記薄膜形成手段を通過することで
前記搬送手段に形成された生成物を除去する洗浄手段と
を備えた薄膜形成装置において、前記薄膜形成手段を通
過して前記洗浄手段に至る前記搬送手段に、粒状の固形
物を吹き付けて衝突させる生成物除去手段を備えたもの
である。
【００１７】また、本発明に係る薄膜形成装置は、ウェ
ハーを載せて移動し、該ウェハーを搬送する搬送手段
と、前記搬送手段上のウェハーに薄膜を形成する薄膜形
成手段と、前記薄膜形成手段を通過することで前記搬送
手段に形成された生成物を除去する洗浄手段とを備えた
薄膜形成装置において、前記薄膜形成手段を通過して前
記洗浄手段に至る前記搬送手段に、低温の気体を吹き付
ける生成物冷却手段を備えたものである。
ハーを載せて移動し、該ウェハーを搬送する搬送手段
と、前記搬送手段上のウェハーに薄膜を形成する薄膜形
成手段と、前記薄膜形成手段を通過することで前記搬送
手段に形成された生成物を除去する洗浄手段とを備えた
薄膜形成装置において、前記薄膜形成手段を通過して前
記洗浄手段に至る前記搬送手段に、低温の気体を吹き付
ける生成物冷却手段を備えたものである。
【００１８】上述した本発明では、薄膜形成手段を通過
することで搬送手段に形成された生成物に粒状の固形物
を衝突させることで衝撃を与えてこれを剥離したり、ク
ラックを入れて剥離を促進することができる。また、生
成物を冷却することでも、膜ストレスを発生させてこれ
を剥離したり、クラックを入れて剥離を促進することが
できる。
することで搬送手段に形成された生成物に粒状の固形物
を衝突させることで衝撃を与えてこれを剥離したり、ク
ラックを入れて剥離を促進することができる。また、生
成物を冷却することでも、膜ストレスを発生させてこれ
を剥離したり、クラックを入れて剥離を促進することが
できる。
【００１９】したがって、洗浄手段で搬送手段上の生成
物の除去が短時間で十分に行えるので、ウェハーの生産
能力を向上させることができるとともに、搬送手段から
の生成物の剥離によるウェハーへのダストの付着を防
ぎ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。
物の除去が短時間で十分に行えるので、ウェハーの生産
能力を向上させることができるとともに、搬送手段から
の生成物の剥離によるウェハーへのダストの付着を防
ぎ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は薄膜形成装置として常圧Ｃ
ＶＤ装置を例にした本発明の第１の実施の形態を示す説
明図で、この第１の実施の形態における常圧ＣＶＤ装置
１６は、ウェハー２を搬送する搬送手段としての無端状
の搬送ベルト３と、前記ウェハー２上に薄膜を形成する
薄膜形成手段としての成膜チャンバー４と、前記搬送ベ
ルト３に薄膜形成前のウェハー２を供給するローダー５
ａと、前記搬送ベルト３から薄膜形成後のウェハー２を
受け取るアンローダー５ｂと、前記成膜チャンバー４を
通過することで、前記搬送ベルト３に形成される生成物
を除去、および除去を促進させるための生成物除去手段
として、該成膜チャンバー４を通過した搬送ベルト３に
粒状の固形物（固体粒と称す）を衝突させるスクラバチ
ャンバー１７と、前記スクラバチャンバー１７を通過し
た搬送ベルト３を洗浄する洗浄手段として、該搬送ベル
ト３から生成物を除去するクリーニングチャンバー６お
よび前記クリーニングチャンバー６を通過した搬送ベル
ト３を洗浄する超音波洗浄槽７と、前記超音波洗浄層７
を通過した搬送ベルト３を乾燥させるドライヤー８と、
前記搬送ベルト３を動かすローラ群９等から構成され
る。
ＶＤ装置を例にした本発明の第１の実施の形態を示す説
明図で、この第１の実施の形態における常圧ＣＶＤ装置
１６は、ウェハー２を搬送する搬送手段としての無端状
の搬送ベルト３と、前記ウェハー２上に薄膜を形成する
薄膜形成手段としての成膜チャンバー４と、前記搬送ベ
ルト３に薄膜形成前のウェハー２を供給するローダー５
ａと、前記搬送ベルト３から薄膜形成後のウェハー２を
受け取るアンローダー５ｂと、前記成膜チャンバー４を
通過することで、前記搬送ベルト３に形成される生成物
を除去、および除去を促進させるための生成物除去手段
として、該成膜チャンバー４を通過した搬送ベルト３に
粒状の固形物（固体粒と称す）を衝突させるスクラバチ
ャンバー１７と、前記スクラバチャンバー１７を通過し
た搬送ベルト３を洗浄する洗浄手段として、該搬送ベル
ト３から生成物を除去するクリーニングチャンバー６お
よび前記クリーニングチャンバー６を通過した搬送ベル
ト３を洗浄する超音波洗浄槽７と、前記超音波洗浄層７
を通過した搬送ベルト３を乾燥させるドライヤー８と、
前記搬送ベルト３を動かすローラ群９等から構成され
る。
【００２１】前記成膜チャンバー４には、前記ウェハー
２に薄膜を形成するための成膜ガスを供給するガスヘッ
ド１０と、前記ウェハー２を加熱するヒータ１１等が設
けられる。また、前記成膜チャンバー４の内部を前記搬
送ベルト３が通過する構造となっている。これにより、
前記ウェハー２は、前記搬送ベルト３に載せられて前記
成膜チャンバー４に送り込まれ、薄膜が形成される。
２に薄膜を形成するための成膜ガスを供給するガスヘッ
ド１０と、前記ウェハー２を加熱するヒータ１１等が設
けられる。また、前記成膜チャンバー４の内部を前記搬
送ベルト３が通過する構造となっている。これにより、
前記ウェハー２は、前記搬送ベルト３に載せられて前記
成膜チャンバー４に送り込まれ、薄膜が形成される。
【００２２】前記スクラバチャンバー１７は前記搬送ベ
ルト３が通過する構造で、該スクラバチャンバー１７に
は、固体粒を供給するダクト１８ａを介して固形物発生
器１８が接続される。この固形物発生器１８は、例えば
固形物を砕いて粒径が１〜２ｍｍ程度の固体粒を生成す
る。この第１の実施の形態では、固形物としてドライア
イスを用いて、これを砕いて粒径が１〜２ｍｍ程度の固
体粒を生成する。
ルト３が通過する構造で、該スクラバチャンバー１７に
は、固体粒を供給するダクト１８ａを介して固形物発生
器１８が接続される。この固形物発生器１８は、例えば
固形物を砕いて粒径が１〜２ｍｍ程度の固体粒を生成す
る。この第１の実施の形態では、固形物としてドライア
イスを用いて、これを砕いて粒径が１〜２ｍｍ程度の固
体粒を生成する。
【００２３】ドライアイスを用いる理由は、安価に入手
可能であることから、コストを抑えることができるため
である。また、温度が−７８℃と低いことから、搬送ベ
ルト３および生成物を冷却して、この冷却による搬送ベ
ルト３上の生成物と、前記ヒータ１１により加熱されて
いた搬送ベルト３の温度差および該搬送ベルト３と生成
物の材質の違い等による両者の収縮率の違いから発生す
る応力（以下、この応力を膜ストレスと称す）で、生成
物を剥離させたりクラックを入れて剥離を促進させるこ
とができるためである。さらに、昇華して気体（二酸化
炭素）になるので、液体の排出を考慮する必要がなく、
かつ、この気体が無害であるので排気のための設備を簡
易なもので済ますことができるためである。
可能であることから、コストを抑えることができるため
である。また、温度が−７８℃と低いことから、搬送ベ
ルト３および生成物を冷却して、この冷却による搬送ベ
ルト３上の生成物と、前記ヒータ１１により加熱されて
いた搬送ベルト３の温度差および該搬送ベルト３と生成
物の材質の違い等による両者の収縮率の違いから発生す
る応力（以下、この応力を膜ストレスと称す）で、生成
物を剥離させたりクラックを入れて剥離を促進させるこ
とができるためである。さらに、昇華して気体（二酸化
炭素）になるので、液体の排出を考慮する必要がなく、
かつ、この気体が無害であるので排気のための設備を簡
易なもので済ますことができるためである。
【００２４】また、前記スクラバチャンバー１７には、
前記固形物発生器１８から送られてくる固体粒、この第
１の実施の形態ではドライアイスの固体粒を放出するた
めのノズル１９が設けられる。このノズル１９には、ス
クラバチャンバー１７を通過する搬送ベルト３の幅全体
にドライアイスの固体粒を均等に衝突させるため、該搬
送ベルト３の幅方向に対して複数の放出口（オリフィ
ス）を設けてある。なお、固形物発生器１８で生成した
ドライアイスの固体粒をダクト１８ａを介してノズル１
９まで輸送するため、Ｎ2を用いる。
前記固形物発生器１８から送られてくる固体粒、この第
１の実施の形態ではドライアイスの固体粒を放出するた
めのノズル１９が設けられる。このノズル１９には、ス
クラバチャンバー１７を通過する搬送ベルト３の幅全体
にドライアイスの固体粒を均等に衝突させるため、該搬
送ベルト３の幅方向に対して複数の放出口（オリフィ
ス）を設けてある。なお、固形物発生器１８で生成した
ドライアイスの固体粒をダクト１８ａを介してノズル１
９まで輸送するため、Ｎ2を用いる。
【００２５】さらに、前記スクラバチャンバー１７に
は、ドライアイスの固体粒、これが昇華して気体となっ
たもの、および剥離した生成物を排気する排気口２０が
設けられる。
は、ドライアイスの固体粒、これが昇華して気体となっ
たもの、および剥離した生成物を排気する排気口２０が
設けられる。
【００２６】前記クリーニングチャンバー６は、前記搬
送ベルト３が通過する構造で、該クリーニングチャンバ
ー６には、酸系薬液を供給する供給口１２と、この供給
口１２から供給される酸系薬液を霧状にして前記搬送ベ
ルト３に対して噴射するノズル１３と、前記酸系薬液が
噴霧されることで、前記搬送ベルト３から除去される生
成物等を排出する排出口１４等が設けられている。
送ベルト３が通過する構造で、該クリーニングチャンバ
ー６には、酸系薬液を供給する供給口１２と、この供給
口１２から供給される酸系薬液を霧状にして前記搬送ベ
ルト３に対して噴射するノズル１３と、前記酸系薬液が
噴霧されることで、前記搬送ベルト３から除去される生
成物等を排出する排出口１４等が設けられている。
【００２７】前記超音波洗浄槽７は、純水が満たされて
いるとともに、浸漬させた前記搬送ベルト３の残留生成
物を超音波により洗浄除去する。また、前記超音波洗浄
槽７を出た搬送ベルト３に対してＮ2を高圧で噴射して
水分を飛ばすＮ2ブロー部１５が設けられる。
いるとともに、浸漬させた前記搬送ベルト３の残留生成
物を超音波により洗浄除去する。また、前記超音波洗浄
槽７を出た搬送ベルト３に対してＮ2を高圧で噴射して
水分を飛ばすＮ2ブロー部１５が設けられる。
【００２８】なお、上述した第１の実施の形態の常圧Ｃ
ＶＤ装置１６において、前記クリーニングチャンバー６
の経路長は、エッチングによる生成物の除去能力を落と
さないように従来の常圧ＣＶＤ装置と同じにするため、
例えばローラ群９の配置を変更して、前記スクラバチャ
ンバー１７を組み込むスペースを作り出すものとする。
ＶＤ装置１６において、前記クリーニングチャンバー６
の経路長は、エッチングによる生成物の除去能力を落と
さないように従来の常圧ＣＶＤ装置と同じにするため、
例えばローラ群９の配置を変更して、前記スクラバチャ
ンバー１７を組み込むスペースを作り出すものとする。
【００２９】以下に、第１の実施の形態の常圧ＣＶＤ装
置１６の動作を、搬送ベルト３の洗浄工程を中心に説明
する。薄膜形成前のウェハー２は、ローダー５ａから搬
送ベルト３に供給される。搬送ベルト３は、図示しない
駆動機構により駆動されるローラ群９により矢印ａ方向
に移動し、前記ローダー５ａより搬送ベルト３上に供給
されたウェハー２は前記成膜チャンバー４に入る。
置１６の動作を、搬送ベルト３の洗浄工程を中心に説明
する。薄膜形成前のウェハー２は、ローダー５ａから搬
送ベルト３に供給される。搬送ベルト３は、図示しない
駆動機構により駆動されるローラ群９により矢印ａ方向
に移動し、前記ローダー５ａより搬送ベルト３上に供給
されたウェハー２は前記成膜チャンバー４に入る。
【００３０】成膜チャンバー４内では、常圧下でガスヘ
ッド１０より成膜ガスが供給され、また、ヒータ１１に
よる加熱が行われて、ウェハー２に薄膜が形成されて行
く。このウェハー２に薄膜が形成される工程で、搬送ベ
ルト３も前記成膜チャンバー４内を通過するので、該搬
送ベルト３のウェハー２を載せた以外の部分にも膜状の
生成物が形成される。
ッド１０より成膜ガスが供給され、また、ヒータ１１に
よる加熱が行われて、ウェハー２に薄膜が形成されて行
く。このウェハー２に薄膜が形成される工程で、搬送ベ
ルト３も前記成膜チャンバー４内を通過するので、該搬
送ベルト３のウェハー２を載せた以外の部分にも膜状の
生成物が形成される。
【００３１】薄膜が形成されたウェハー２は、搬送ベル
ト３により搬送されて成膜チャンバー４を出た後、該搬
送ベルト３からアンローダー５ｂに送られる。成膜チャ
ンバー４を通過してウェハー２を上述したようにアンロ
ーダー５ｂに渡した搬送ベルト３は、前記スクラバチャ
ンバー１７に入る。
ト３により搬送されて成膜チャンバー４を出た後、該搬
送ベルト３からアンローダー５ｂに送られる。成膜チャ
ンバー４を通過してウェハー２を上述したようにアンロ
ーダー５ｂに渡した搬送ベルト３は、前記スクラバチャ
ンバー１７に入る。
【００３２】スクラバチャンバー１７では、その内部を
通過する搬送ベルト３に対して、前記固形物発生器１８
で生成したドライアイスの固体粒をノズル１９より噴射
して該搬送ベルト３に衝突させる。上述したように、ノ
ズル１９は前記搬送ベルト３の幅方向に対して複数の放
出口を設けてあるので、搬送ベルト３は、幅方向全体に
ドライアイスの固体粒の衝突を受けながら、スクラバチ
ャンバー１７を通過して行く。
通過する搬送ベルト３に対して、前記固形物発生器１８
で生成したドライアイスの固体粒をノズル１９より噴射
して該搬送ベルト３に衝突させる。上述したように、ノ
ズル１９は前記搬送ベルト３の幅方向に対して複数の放
出口を設けてあるので、搬送ベルト３は、幅方向全体に
ドライアイスの固体粒の衝突を受けながら、スクラバチ
ャンバー１７を通過して行く。
【００３３】これにより、上述したように成膜チャンバ
ー４内を通過することで形成された搬送ベルト３上の生
成物は、ドライアイスの固体粒が衝突したことによる衝
撃で剥離する。また、搬送ベルト３上の生成物は、ドラ
イアイスの固体粒は温度が低いことから、その衝突を受
けて該生成物の温度が低下することで発生する膜ストレ
スにより剥離する。この剥離した生成物、ドライアイス
の固体粒およびこれが昇華して気体になったものは排気
口２０から排気される。また、剥離させることができな
かった生成物も、ドライアイスの固体粒が衝突したこと
による衝撃あるいは膜ストレスでクラックが入り、剥離
が促進される。
ー４内を通過することで形成された搬送ベルト３上の生
成物は、ドライアイスの固体粒が衝突したことによる衝
撃で剥離する。また、搬送ベルト３上の生成物は、ドラ
イアイスの固体粒は温度が低いことから、その衝突を受
けて該生成物の温度が低下することで発生する膜ストレ
スにより剥離する。この剥離した生成物、ドライアイス
の固体粒およびこれが昇華して気体になったものは排気
口２０から排気される。また、剥離させることができな
かった生成物も、ドライアイスの固体粒が衝突したこと
による衝撃あるいは膜ストレスでクラックが入り、剥離
が促進される。
【００３４】前記スクラバチャンバー１７を通過した搬
送ベルト３は前記クリーニングチャンバー６に入る。ク
リーニングチャンバー６では、その内部を通過する搬送
ベルト３に対して、供給口１２から供給される酸系薬液
をノズル１３により霧状にして噴射する。これにより、
搬送ベルト３上の生成物と前記噴霧された酸系薬液が化
学反応を起こして、該生成物はエッチングされ、排水口
１４より排水される。
送ベルト３は前記クリーニングチャンバー６に入る。ク
リーニングチャンバー６では、その内部を通過する搬送
ベルト３に対して、供給口１２から供給される酸系薬液
をノズル１３により霧状にして噴射する。これにより、
搬送ベルト３上の生成物と前記噴霧された酸系薬液が化
学反応を起こして、該生成物はエッチングされ、排水口
１４より排水される。
【００３５】ここで、搬送ベルト３がクリーニングチャ
ンバー６に入る段階では、該搬送ベルト３に残っている
生成物には例えばクラックが入っており、このクラック
に酸系薬液が入ることで、生成物の表面のみならず内部
からも化学反応が起こるので、生成物の剥離が促進され
る。これにより、搬送ベルト３上の生成物は短時間のエ
ッチングにより十分除去され、このエッチングの工程の
ために、搬送ベルト３の速度を低く設定しておく必要は
無くなる。
ンバー６に入る段階では、該搬送ベルト３に残っている
生成物には例えばクラックが入っており、このクラック
に酸系薬液が入ることで、生成物の表面のみならず内部
からも化学反応が起こるので、生成物の剥離が促進され
る。これにより、搬送ベルト３上の生成物は短時間のエ
ッチングにより十分除去され、このエッチングの工程の
ために、搬送ベルト３の速度を低く設定しておく必要は
無くなる。
【００３６】クリーニングチャンバー６を通過した搬送
ベルト３は、前記超音波洗浄槽７に入る。この超音波洗
浄槽７には純水が満たされており、前記搬送ベルト３が
純水中で超音波により振動することで、該搬送ベルト３
上の残留生成物が洗浄除去される。
ベルト３は、前記超音波洗浄槽７に入る。この超音波洗
浄槽７には純水が満たされており、前記搬送ベルト３が
純水中で超音波により振動することで、該搬送ベルト３
上の残留生成物が洗浄除去される。
【００３７】超音波洗浄槽７の純水中から出た搬送ベル
ト３は、Ｎ2ブロー部１５でＮ2の高圧噴射を受けること
で水分が飛ばされ、ドライヤー８により乾燥される。そ
して、乾燥した搬送ベルト３は再度ローダー５ａに到達
し、該ローダー５ａより薄膜形成前のウェハー２の供給
を受け、成膜チャンバー４に入って行く。
ト３は、Ｎ2ブロー部１５でＮ2の高圧噴射を受けること
で水分が飛ばされ、ドライヤー８により乾燥される。そ
して、乾燥した搬送ベルト３は再度ローダー５ａに到達
し、該ローダー５ａより薄膜形成前のウェハー２の供給
を受け、成膜チャンバー４に入って行く。
【００３８】以上説明したように本発明の第１の実施の
形態では、常圧ＣＶＤ装置１６の成膜チャンバー４を通
過した搬送ベルト３に対して、固体粒を衝突させてか
ら、エッチングによる生成物の除去を行うこととしたの
で、エッチングを行う前に、搬送ベルト３上の生成物を
既に除去したり、また、生成物にクラックを入れて、エ
ッチングのための酸系薬液を生成物の内部にも入れるこ
とが可能となり、エッチングによる生成物の除去能力を
上げることが可能となる。
形態では、常圧ＣＶＤ装置１６の成膜チャンバー４を通
過した搬送ベルト３に対して、固体粒を衝突させてか
ら、エッチングによる生成物の除去を行うこととしたの
で、エッチングを行う前に、搬送ベルト３上の生成物を
既に除去したり、また、生成物にクラックを入れて、エ
ッチングのための酸系薬液を生成物の内部にも入れるこ
とが可能となり、エッチングによる生成物の除去能力を
上げることが可能となる。
【００３９】このように、搬送ベルト３上の生成物を除
去する能力は、スクラバチャンバー１７において搬送ベ
ルト３に衝突させる固体粒の粒径や固体粒を衝突させる
速度等によりコントロールできるので、搬送ベルト３の
速度によりエッチングによる生成物の除去能力をコント
ロールする必要がない。これにより、搬送ベルト３の速
度を落とすことなく生成物の除去能力を上げることがで
きるので、生産性の向上を図ることが可能となる。
去する能力は、スクラバチャンバー１７において搬送ベ
ルト３に衝突させる固体粒の粒径や固体粒を衝突させる
速度等によりコントロールできるので、搬送ベルト３の
速度によりエッチングによる生成物の除去能力をコント
ロールする必要がない。これにより、搬送ベルト３の速
度を落とすことなく生成物の除去能力を上げることがで
きるので、生産性の向上を図ることが可能となる。
【００４０】また、固体粒としてドライアイスの固体粒
を用いることで、これを搬送ベルト３上の生成物に衝突
させることで、該生成物を冷却できるので、搬送ベルト
３と生成物の温度差および両者の収縮率の違い等から膜
ストレスを発生させ、生成物を剥離させたり剥離を促進
可能となり、生成物の除去能力をより高めることが可能
である。
を用いることで、これを搬送ベルト３上の生成物に衝突
させることで、該生成物を冷却できるので、搬送ベルト
３と生成物の温度差および両者の収縮率の違い等から膜
ストレスを発生させ、生成物を剥離させたり剥離を促進
可能となり、生成物の除去能力をより高めることが可能
である。
【００４１】さらに、ドライアイスの固体粒は搬送ベル
ト３に衝突した後二酸化炭素に昇華するため、スクラバ
チャンバー１７において固体粒を排出する装置として、
排気を行う排気口２０を設ければよく、また、排気され
る二酸化炭素は無害であるので、排気口２０は簡素な構
造で済ませることが可能で、環境への配慮を安価に行う
ことが可能である。また、ドライアイス自体が安価なの
で、常圧ＣＶＤ装置１６の運用における搬送ベルト３の
洗浄のためのコストの上昇も抑えることが可能である。
ト３に衝突した後二酸化炭素に昇華するため、スクラバ
チャンバー１７において固体粒を排出する装置として、
排気を行う排気口２０を設ければよく、また、排気され
る二酸化炭素は無害であるので、排気口２０は簡素な構
造で済ませることが可能で、環境への配慮を安価に行う
ことが可能である。また、ドライアイス自体が安価なの
で、常圧ＣＶＤ装置１６の運用における搬送ベルト３の
洗浄のためのコストの上昇も抑えることが可能である。
【００４２】図２は薄膜形成装置として常圧ＣＶＤ装置
を例にした本発明の第２の実施の形態を示す説明図で、
この第２の実施の形態における常圧ＣＶＤ装置２１は、
上述した第１の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置１７のスク
ラバチャンバー１７を、生成物冷却手段として搬送ベル
ト３および該搬送ベルト３に付着した生成物を冷却する
スクラバチャンバー２２に置き換えたものである。な
お、この第２の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置２１の他の
構成は、図１で説明したものと同じであるので、ここで
はその構成の説明を省略する。
を例にした本発明の第２の実施の形態を示す説明図で、
この第２の実施の形態における常圧ＣＶＤ装置２１は、
上述した第１の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置１７のスク
ラバチャンバー１７を、生成物冷却手段として搬送ベル
ト３および該搬送ベルト３に付着した生成物を冷却する
スクラバチャンバー２２に置き換えたものである。な
お、この第２の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置２１の他の
構成は、図１で説明したものと同じであるので、ここで
はその構成の説明を省略する。
【００４３】前記スクラバチャンバー２２は前記搬送ベ
ルト３が通過する構造で、該スクラバチャンバー２２に
は、ダクト２２ａを介して低温気体発生器２３が接続さ
れる。この低温気体発生器２３は、液体窒素中にＮ2を
注入するバブリングを行うことで、液体窒素を気化させ
て低温の気体（Ｎ2）を大量に発生させる。この低温気
体発生器２３で発生させた低温の気体はダクト２２ａを
介してスクラバチャンバー２２に送り込まれ、ノズル２
２ｂから搬送ベルト３上の生成物に吹き付けられて、こ
れを冷却する。第１の実施の形態で説明したように、生
成物を冷却すると、この冷却による搬送ベルト３上の生
成物と、ヒータ１１により加熱されていた搬送ベルト３
の温度差および該搬送ベルト３と生成物の材質の違い等
による両者の収縮率の違いから発生する膜ストレスで、
生成物を剥離させたりクラックを入れて剥離を促進させ
ることができる。また、前記スクラバチャンバー２２に
は、前記低温気体発生器２３から送られて来た低温の気
体および剥離した生成物を排気する排気口２４が設けら
れる。
ルト３が通過する構造で、該スクラバチャンバー２２に
は、ダクト２２ａを介して低温気体発生器２３が接続さ
れる。この低温気体発生器２３は、液体窒素中にＮ2を
注入するバブリングを行うことで、液体窒素を気化させ
て低温の気体（Ｎ2）を大量に発生させる。この低温気
体発生器２３で発生させた低温の気体はダクト２２ａを
介してスクラバチャンバー２２に送り込まれ、ノズル２
２ｂから搬送ベルト３上の生成物に吹き付けられて、こ
れを冷却する。第１の実施の形態で説明したように、生
成物を冷却すると、この冷却による搬送ベルト３上の生
成物と、ヒータ１１により加熱されていた搬送ベルト３
の温度差および該搬送ベルト３と生成物の材質の違い等
による両者の収縮率の違いから発生する膜ストレスで、
生成物を剥離させたりクラックを入れて剥離を促進させ
ることができる。また、前記スクラバチャンバー２２に
は、前記低温気体発生器２３から送られて来た低温の気
体および剥離した生成物を排気する排気口２４が設けら
れる。
【００４４】以下に、第２の実施の形態の常圧ＣＶＤ装
置２１の動作を、搬送ベルト３の洗浄工程を中心に説明
する。薄膜形成前のウェハー２は、ローダー５ａから搬
送ベルト３に供給される。搬送ベルト３は、図示しない
駆動機構により駆動されるローラ群９により矢印ａ方向
に移動し、前記ローダー５ａより搬送ベルト３上に供給
されたウェハー２は前記成膜チャンバー４に入る。
置２１の動作を、搬送ベルト３の洗浄工程を中心に説明
する。薄膜形成前のウェハー２は、ローダー５ａから搬
送ベルト３に供給される。搬送ベルト３は、図示しない
駆動機構により駆動されるローラ群９により矢印ａ方向
に移動し、前記ローダー５ａより搬送ベルト３上に供給
されたウェハー２は前記成膜チャンバー４に入る。
【００４５】成膜チャンバー４内では、常圧下でガスヘ
ッド１０より成膜ガスが供給され、また、ヒータ１１に
よる加熱が行われて、ウェハー２に薄膜が形成されて行
く。このウェハー２に薄膜が形成される工程で、搬送ベ
ルト３も前記成膜チャンバー４内を通過するので、該搬
送ベルト３のウェハー２を載せた以外の部分にも膜状の
生成物が形成される。
ッド１０より成膜ガスが供給され、また、ヒータ１１に
よる加熱が行われて、ウェハー２に薄膜が形成されて行
く。このウェハー２に薄膜が形成される工程で、搬送ベ
ルト３も前記成膜チャンバー４内を通過するので、該搬
送ベルト３のウェハー２を載せた以外の部分にも膜状の
生成物が形成される。
【００４６】薄膜が形成されたウェハー２は、搬送ベル
ト３により搬送されて成膜チャンバー４を出た後、該搬
送ベルト３からアンローダー５ｂに送られる。成膜チャ
ンバー４を通過してウェハー２を上述したようにアンロ
ーダー５ｂに渡した搬送ベルト３は、前記スクラバチャ
ンバー２２に入る。
ト３により搬送されて成膜チャンバー４を出た後、該搬
送ベルト３からアンローダー５ｂに送られる。成膜チャ
ンバー４を通過してウェハー２を上述したようにアンロ
ーダー５ｂに渡した搬送ベルト３は、前記スクラバチャ
ンバー２２に入る。
【００４７】スクラバチャンバー２２には、前記低温気
体発生器２３で発生させた低温の気体が送り込まれて、
その内部を通過する搬送ベルト３上の生成物に吹き付け
られている。これにより、生成物は冷却され、この冷却
により生成物に発生する膜ストレスにより生成物は剥離
する。この剥離した生成物および低温の気体は排気口２
４から排気される。また、剥離させることができなかっ
た生成物も、膜ストレスでクラックが入り、剥離が促進
される。
体発生器２３で発生させた低温の気体が送り込まれて、
その内部を通過する搬送ベルト３上の生成物に吹き付け
られている。これにより、生成物は冷却され、この冷却
により生成物に発生する膜ストレスにより生成物は剥離
する。この剥離した生成物および低温の気体は排気口２
４から排気される。また、剥離させることができなかっ
た生成物も、膜ストレスでクラックが入り、剥離が促進
される。
【００４８】前記スクラバチャンバー２２を通過した搬
送ベルト３は前記クリーニングチャンバー６に入る。ク
リーニングチャンバー６では、その内部を通過する搬送
ベルト３に対して、供給口１２から供給される酸系薬液
をノズル１３により霧状にして噴射する。これにより、
搬送ベルト３上の生成物と前記噴霧された酸系薬液が化
学反応を起こして、該生成物はエッチングされ、排水口
１４より排水される。
送ベルト３は前記クリーニングチャンバー６に入る。ク
リーニングチャンバー６では、その内部を通過する搬送
ベルト３に対して、供給口１２から供給される酸系薬液
をノズル１３により霧状にして噴射する。これにより、
搬送ベルト３上の生成物と前記噴霧された酸系薬液が化
学反応を起こして、該生成物はエッチングされ、排水口
１４より排水される。
【００４９】ここで、搬送ベルト３がクリーニングチャ
ンバー６に入る段階では、該搬送ベルト３に残っている
生成物には例えばクラックが入っており、このクラック
に酸系薬液が入ることで、生成物の表面のみならず内部
からも化学反応が起こるので、生成物の剥離が促進され
る。これにより、搬送ベルト３上の生成物は短時間のエ
ッチングにより十分除去され、このエッチングの工程の
ために、搬送ベルト３の速度を低く設定しておく必要は
無くなる。
ンバー６に入る段階では、該搬送ベルト３に残っている
生成物には例えばクラックが入っており、このクラック
に酸系薬液が入ることで、生成物の表面のみならず内部
からも化学反応が起こるので、生成物の剥離が促進され
る。これにより、搬送ベルト３上の生成物は短時間のエ
ッチングにより十分除去され、このエッチングの工程の
ために、搬送ベルト３の速度を低く設定しておく必要は
無くなる。
【００５０】クリーニングチャンバー６を通過した搬送
ベルト３は、前記超音波洗浄槽７に入る。この超音波洗
浄槽７には純水が満たされており、前記搬送ベルト３が
純水中で超音波により振動することで、該搬送ベルト３
上の残留生成物が洗浄除去される。
ベルト３は、前記超音波洗浄槽７に入る。この超音波洗
浄槽７には純水が満たされており、前記搬送ベルト３が
純水中で超音波により振動することで、該搬送ベルト３
上の残留生成物が洗浄除去される。
【００５１】超音波洗浄槽７の純水中から出た搬送ベル
ト３は、Ｎ2ブロー部１５でＮ2の高圧噴射を受けること
で水分が飛ばされ、ドライヤー８により乾燥される。そ
して、乾燥した搬送ベルト３は再度ローダー５ａに到達
し、該ローダー５ａより薄膜形成前のウェハー２の供給
を受け、成膜チャンバー４に入って行く。
ト３は、Ｎ2ブロー部１５でＮ2の高圧噴射を受けること
で水分が飛ばされ、ドライヤー８により乾燥される。そ
して、乾燥した搬送ベルト３は再度ローダー５ａに到達
し、該ローダー５ａより薄膜形成前のウェハー２の供給
を受け、成膜チャンバー４に入って行く。
【００５２】以上説明したように本発明の第２の実施の
形態では、常圧ＣＶＤ装置２１の成膜チャンバー４を通
過した搬送ベルト３を冷却してから、エッチングによる
生成物の除去を行うこととしたので、エッチングを行う
前に、搬送ベルト３上の生成物を既に除去したり、ま
た、生成物にクラックを入れて、エッチングのための酸
系薬液を生成物の内部にも入れることが可能となり、エ
ッチングによる生成物の除去能力を上げることが可能と
なる。
形態では、常圧ＣＶＤ装置２１の成膜チャンバー４を通
過した搬送ベルト３を冷却してから、エッチングによる
生成物の除去を行うこととしたので、エッチングを行う
前に、搬送ベルト３上の生成物を既に除去したり、ま
た、生成物にクラックを入れて、エッチングのための酸
系薬液を生成物の内部にも入れることが可能となり、エ
ッチングによる生成物の除去能力を上げることが可能と
なる。
【００５３】このように、搬送ベルト３上の生成物を除
去する能力は、スクラバチャンバー２２に送り込む低温
の気体の温度等によりコントロールできるので、搬送ベ
ルト３の速度によりエッチングによる生成物の除去能力
をコントロールする必要がない。
去する能力は、スクラバチャンバー２２に送り込む低温
の気体の温度等によりコントロールできるので、搬送ベ
ルト３の速度によりエッチングによる生成物の除去能力
をコントロールする必要がない。
【００５４】これにより、搬送ベルト３の速度を落とす
ことなく生成物の除去能力を上げることができるので、
生産性の向上を図ることが可能となる。
ことなく生成物の除去能力を上げることができるので、
生産性の向上を図ることが可能となる。
【００５５】そして、この第２の実施の形態では、搬送
ベルト３および該搬送ベルト３に付着している生成物を
冷却することで該生成物の剥離および剥離を促進してい
るので、搬送ベルト３にダメージを与えることは無い。
ベルト３および該搬送ベルト３に付着している生成物を
冷却することで該生成物の剥離および剥離を促進してい
るので、搬送ベルト３にダメージを与えることは無い。
【００５６】なお、上述した第１および第２の実施の形
態において、薄膜形成装置として常圧ＣＶＤ装置を例に
説明したが、本発明は、他のＣＶＤ装置にも適用可能で
ある。
態において、薄膜形成装置として常圧ＣＶＤ装置を例に
説明したが、本発明は、他のＣＶＤ装置にも適用可能で
ある。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
ーを載せて移動し、該ウェハーを搬送する搬送手段と、
前記搬送手段上のウェハーに薄膜を形成する薄膜形成手
段と、前記薄膜形成手段を通過することで前記搬送手段
に形成された生成物を除去する洗浄手段とを備えた薄膜
形成装置において、前記薄膜形成手段を通過して前記洗
浄手段に至る前記搬送手段に、粒状の固形物を吹き付け
て衝突させる生成物除去手段を備えたものである。
ーを載せて移動し、該ウェハーを搬送する搬送手段と、
前記搬送手段上のウェハーに薄膜を形成する薄膜形成手
段と、前記薄膜形成手段を通過することで前記搬送手段
に形成された生成物を除去する洗浄手段とを備えた薄膜
形成装置において、前記薄膜形成手段を通過して前記洗
浄手段に至る前記搬送手段に、粒状の固形物を吹き付け
て衝突させる生成物除去手段を備えたものである。
【００５８】また、本発明は、ウェハーを載せて移動
し、該ウェハーを搬送する搬送手段と、前記搬送手段上
のウェハーに薄膜を形成する薄膜形成手段と、前記薄膜
形成手段を通過することで前記搬送手段に形成された生
成物を除去する洗浄手段とを備えた薄膜形成装置におい
て、前記薄膜形成手段を通過して前記洗浄手段に至る前
記搬送手段に、低温の気体を吹き付ける生成物冷却手段
を備えたものである。
し、該ウェハーを搬送する搬送手段と、前記搬送手段上
のウェハーに薄膜を形成する薄膜形成手段と、前記薄膜
形成手段を通過することで前記搬送手段に形成された生
成物を除去する洗浄手段とを備えた薄膜形成装置におい
て、前記薄膜形成手段を通過して前記洗浄手段に至る前
記搬送手段に、低温の気体を吹き付ける生成物冷却手段
を備えたものである。
【００５９】これにより、薄膜形成手段を通過すること
で搬送手段に形成された生成物に衝撃を与えてこれを剥
離したり、クラック入れて剥離を促進することができ
る。また、生成物を冷却することでも、膜ストレスを発
生させてこれを剥離したり、クラック入れて剥離を促進
することができる。
で搬送手段に形成された生成物に衝撃を与えてこれを剥
離したり、クラック入れて剥離を促進することができ
る。また、生成物を冷却することでも、膜ストレスを発
生させてこれを剥離したり、クラック入れて剥離を促進
することができる。
【００６０】したがって、洗浄手段で搬送手段上の生成
物の除去が短時間で十分に行えるので、ウェハーの生産
能力を向上させることができるとともに、搬送手段から
の生成物の剥離によるウェハーへのダストの付着を防
ぎ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。
物の除去が短時間で十分に行えるので、ウェハーの生産
能力を向上させることができるとともに、搬送手段から
の生成物の剥離によるウェハーへのダストの付着を防
ぎ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。
【図１】薄膜形成装置として常圧ＣＶＤ装置を例にした
本発明の第１の実施の形態を示す説明図である。
本発明の第１の実施の形態を示す説明図である。
【図２】薄膜形成装置として常圧ＣＶＤ装置を例にした
本発明の第２の実施の形態を示す説明図である。
本発明の第２の実施の形態を示す説明図である。
【図３】従来の常圧ＣＶＤ装置の構成を示す説明図であ
る。
る。
２・・・ウェハー、３・・・搬送ベルト、４・・・成膜
チャンバー、６・・・クリーニングチャンバー、７・・
・超音波洗浄槽、１６・・・常圧ＣＶＤ装置、１７・・
・スクラバチャンバー、１８・・・固形物発生器、１９
・・・ノズル、２１・・・常圧ＣＶＤ装置、２２・・・
スクラバチャンバー、２３・・・低温気体発生器
チャンバー、６・・・クリーニングチャンバー、７・・
・超音波洗浄槽、１６・・・常圧ＣＶＤ装置、１７・・
・スクラバチャンバー、１８・・・固形物発生器、１９
・・・ノズル、２１・・・常圧ＣＶＤ装置、２２・・・
スクラバチャンバー、２３・・・低温気体発生器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｊ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/68 21/68 Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハーを載せて移動し、該ウェハーを
搬送する搬送手段と、前記搬送手段上のウェハーに薄膜
を形成する薄膜形成手段と、前記薄膜形成手段を通過す
ることで前記搬送手段に形成された生成物を除去する洗
浄手段とを備えた薄膜形成装置において、 前記薄膜形成手段を通過して前記洗浄手段に至る前記搬
送手段に、粒状の固形物を吹き付けて衝突させる生成物
除去手段を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 前記生成物除去手段は、粒状のドライア
イスを前記搬送手段に衝突させることを特徴とする請求
項１記載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】 ウェハーを載せて移動し、該ウェハーを
搬送する搬送手段と、前記搬送手段上のウェハーに薄膜
を形成する薄膜形成手段と、前記薄膜形成手段を通過す
ることで前記搬送手段に形成された生成物を除去する洗
浄手段とを備えた薄膜形成装置において、 前記薄膜形成手段を通過して前記洗浄手段に至る前記搬
送手段に、低温の気体を吹き付ける生成物冷却手段を備
えたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001042120A JP2002246356A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001042120A JP2002246356A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246356A true JP2002246356A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18904464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001042120A Pending JP2002246356A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246356A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2381485A3 (en) * | 2010-04-23 | 2012-01-18 | PrimeStar Solar, Inc | Treatment of thin film layers photovoltaic module |
| CN103628038A (zh) * | 2012-08-23 | 2014-03-12 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 化学气相淀积设备以及化学气相淀积方法中清洗履带的方法 |
| US9093599B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-28 | First Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate |
-
2001
- 2001-02-19 JP JP2001042120A patent/JP2002246356A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2381485A3 (en) * | 2010-04-23 | 2012-01-18 | PrimeStar Solar, Inc | Treatment of thin film layers photovoltaic module |
| US8252619B2 (en) | 2010-04-23 | 2012-08-28 | Primestar Solar, Inc. | Treatment of thin film layers photovoltaic module manufacture |
| CN103628038A (zh) * | 2012-08-23 | 2014-03-12 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 化学气相淀积设备以及化学气相淀积方法中清洗履带的方法 |
| US9093599B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-28 | First Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate |
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