JP2002241865A - 金属インジウムの回収方法 - Google Patents
金属インジウムの回収方法Info
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- Y02P10/20—Recycling
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）スパッタリ
ングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸
化インジウム含有スクラップから電解精製によってイン
ジウムを回収する工程等において、カソードに電析した
メタルの鋳造の際に発生する鋳造スクラップ（鋳造メタ
ルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スクラップ）から金
属インジウムを効果的に回収する方法を提供する。 【解決手段】 溶融金属インジウムの上に浮上する亜酸
化物含有鋳造スクラップを取出して雰囲気炉に挿入し、
該雰囲気炉を一度真空にした後、アルゴンガス雰囲気と
し、８００〜９５０°Ｃに加熱して亜酸化物含有鋳造ス
クラップを還元することを特徴とする金属インジウムの
回収方法。
ングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸
化インジウム含有スクラップから電解精製によってイン
ジウムを回収する工程等において、カソードに電析した
メタルの鋳造の際に発生する鋳造スクラップ（鋳造メタ
ルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スクラップ）から金
属インジウムを効果的に回収する方法を提供する。 【解決手段】 溶融金属インジウムの上に浮上する亜酸
化物含有鋳造スクラップを取出して雰囲気炉に挿入し、
該雰囲気炉を一度真空にした後、アルゴンガス雰囲気と
し、８００〜９５０°Ｃに加熱して亜酸化物含有鋳造ス
クラップを還元することを特徴とする金属インジウムの
回収方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、亜酸化物含有鋳
造スクラップを還元することを特徴とする金属インジウ
ムの回収方法であって、特にインジウム−錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）スパッタリングターゲットの製造時又は使用後に
発生する高純度酸化インジウム含有スクラップから電解
精製によってインジウムを回収する工程において、カソ
ードに電析したメタルの鋳造の際に発生する鋳造スクラ
ップ（鋳造メタルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スク
ラップ）から金属インジウムを効果的に回収する方法に
関する。
造スクラップを還元することを特徴とする金属インジウ
ムの回収方法であって、特にインジウム−錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）スパッタリングターゲットの製造時又は使用後に
発生する高純度酸化インジウム含有スクラップから電解
精製によってインジウムを回収する工程において、カソ
ードに電析したメタルの鋳造の際に発生する鋳造スクラ
ップ（鋳造メタルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スク
ラップ）から金属インジウムを効果的に回収する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）
スパッタリングターゲットは液晶表示装置の透明導電性
薄膜やガスセンサーなどに広く使用されているが、多く
の場合スパッタリング法による薄膜形成手段を用いて基
板等の上に薄膜が形成されている。このスパッタリング
法による薄膜形成手段は優れた方法であるが、スパッタ
リングターゲットを用いて、例えば透明導電性薄膜を形
成していくと、該ターゲットは均一に消耗していく訳で
はない。このターゲットの一部の消耗が激しい部分を一
般にエロージョン部と呼んでいるが、このエロージョン
部の消耗が進行し、ターゲットを支持するバッキングプ
レートが剥き出しになる直前までスパッタリング操作を
続行する。そして、その後は新しいターゲットと交換し
ている。したがって、使用済みのスパッタリングターゲ
ットには多くの非エロージョン部、すなわち未使用のタ
ーゲット部分が残存することになり、これらは全てスク
ラップとなる。また、ＩＴＯスパッタリングターゲット
の製造時においても、研磨粉や切削粉からスクラップが
発生する。
スパッタリングターゲットは液晶表示装置の透明導電性
薄膜やガスセンサーなどに広く使用されているが、多く
の場合スパッタリング法による薄膜形成手段を用いて基
板等の上に薄膜が形成されている。このスパッタリング
法による薄膜形成手段は優れた方法であるが、スパッタ
リングターゲットを用いて、例えば透明導電性薄膜を形
成していくと、該ターゲットは均一に消耗していく訳で
はない。このターゲットの一部の消耗が激しい部分を一
般にエロージョン部と呼んでいるが、このエロージョン
部の消耗が進行し、ターゲットを支持するバッキングプ
レートが剥き出しになる直前までスパッタリング操作を
続行する。そして、その後は新しいターゲットと交換し
ている。したがって、使用済みのスパッタリングターゲ
ットには多くの非エロージョン部、すなわち未使用のタ
ーゲット部分が残存することになり、これらは全てスク
ラップとなる。また、ＩＴＯスパッタリングターゲット
の製造時においても、研磨粉や切削粉からスクラップが
発生する。
【０００３】ＩＴＯスパッタリングターゲット材料には
高純度材が使用されており、価格も高いので、一般にこ
のようなスクラップ材からインジウムを回収することが
行われている。このインジウム回収方法として、従来酸
溶解法、イオン交換法、溶媒抽出法などの湿式精製を組
み合わせた方法が用いられている。例えば、ＩＴＯスク
ラップを洗浄及び粉砕後、硝酸に溶解し、溶解液に硫化
水素を通して、亜鉛、錫、鉛、銅などの不純物を硫化物
として沈殿除去した後、これにアンモニアを加えて中和
し、水酸化インジウムとして回収する方法である。しか
し、この方法によって得られた水酸化インジウムはろ過
性が悪く操作に長時間を要し、Ｓｉ、Ａｌ等の不純物が
多く、また生成する水酸化インジウムはその中和条件及
び熟成条件等により、粒径や粒度分布が変動するため、
その後ＩＴＯターゲットを製造する際に、ＩＴＯターゲ
ットの特性を安定して維持できないという問題があっ
た。
高純度材が使用されており、価格も高いので、一般にこ
のようなスクラップ材からインジウムを回収することが
行われている。このインジウム回収方法として、従来酸
溶解法、イオン交換法、溶媒抽出法などの湿式精製を組
み合わせた方法が用いられている。例えば、ＩＴＯスク
ラップを洗浄及び粉砕後、硝酸に溶解し、溶解液に硫化
水素を通して、亜鉛、錫、鉛、銅などの不純物を硫化物
として沈殿除去した後、これにアンモニアを加えて中和
し、水酸化インジウムとして回収する方法である。しか
し、この方法によって得られた水酸化インジウムはろ過
性が悪く操作に長時間を要し、Ｓｉ、Ａｌ等の不純物が
多く、また生成する水酸化インジウムはその中和条件及
び熟成条件等により、粒径や粒度分布が変動するため、
その後ＩＴＯターゲットを製造する際に、ＩＴＯターゲ
ットの特性を安定して維持できないという問題があっ
た。
【０００４】このようなことから、本発明者は先に、Ｉ
ＴＯインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化イ
ンジウム溶液とし、該溶液とする工程、該塩化インジウ
ム溶液に水酸化ナトリウム水溶液を添加してスクラップ
中に含有する錫を水酸化錫として除去する工程、該水酸
化錫を除去した後液から亜鉛によりインジウムを置換、
回収し、さらにこの置換、回収したスポンジインジウム
を固体の水酸化ナトリウムと共に溶解して粗インジウム
メタルを作製した後、さらに該粗インジウムメタルを電
解精製して高純度インジウムを得るインジウムの回収方
法を提案した（特願２０００−２５６７５９）。これに
よれば、高純度のインジウムを効率良く安定して回収す
ることが可能となった。しかし、上記電解精製によって
インジウムを回収する工程では、カソードに電析したメ
タルを鋳造する操作が必要となるが、この際に鋳造メタ
ルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スクラップ（鋳造ス
クラップ）が発生するという問題がある。従来、この鋳
造スクラップは塩酸溶解、ｐＨ調製、亜鉛還元、アノー
ド鋳造という電解精製の工程を踏まなければ処理できな
かった。そして、この工程は少量の亜酸化物処理のた
め、多量のインジウムメタルを溶解しなければならない
という問題があった。
ＴＯインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化イ
ンジウム溶液とし、該溶液とする工程、該塩化インジウ
ム溶液に水酸化ナトリウム水溶液を添加してスクラップ
中に含有する錫を水酸化錫として除去する工程、該水酸
化錫を除去した後液から亜鉛によりインジウムを置換、
回収し、さらにこの置換、回収したスポンジインジウム
を固体の水酸化ナトリウムと共に溶解して粗インジウム
メタルを作製した後、さらに該粗インジウムメタルを電
解精製して高純度インジウムを得るインジウムの回収方
法を提案した（特願２０００−２５６７５９）。これに
よれば、高純度のインジウムを効率良く安定して回収す
ることが可能となった。しかし、上記電解精製によって
インジウムを回収する工程では、カソードに電析したメ
タルを鋳造する操作が必要となるが、この際に鋳造メタ
ルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スクラップ（鋳造ス
クラップ）が発生するという問題がある。従来、この鋳
造スクラップは塩酸溶解、ｐＨ調製、亜鉛還元、アノー
ド鋳造という電解精製の工程を踏まなければ処理できな
かった。そして、この工程は少量の亜酸化物処理のた
め、多量のインジウムメタルを溶解しなければならない
という問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決するために、特にインジウム−錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）スパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発
生する高純度酸化インジウム含有スクラップから電解精
製によってインジウムを回収する工程において、カソー
ドに電析したメタルの鋳造の際に発生する鋳造スクラッ
プ（鋳造メタルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スクラ
ップ）から金属インジウムを効果的に回収する方法を提
供することにある。
を解決するために、特にインジウム−錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）スパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発
生する高純度酸化インジウム含有スクラップから電解精
製によってインジウムを回収する工程において、カソー
ドに電析したメタルの鋳造の際に発生する鋳造スクラッ
プ（鋳造メタルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スクラ
ップ）から金属インジウムを効果的に回収する方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、 １．溶融金属インジウムの上に浮上する亜酸化物含有鋳
造スクラップを取出して雰囲気炉に挿入し、該雰囲気炉
を一度真空にした後、アルゴンガス雰囲気とし、８００
〜９５０°Ｃに加熱して亜酸化物含有鋳造スクラップを
還元することを特徴とする金属インジウムの回収方法。 ２．アルゴンガス雰囲気中で３〜６時間加熱保持した
後、冷却してインジウムを回収することを特徴とする上
記１記載の金属インジウムの回収方法 ３．鋳造スクラップが、カソードに電析した電解精製金
属インジウム鋳造の際に発生するスクラップであること
を特徴とする上記１又は２記載の金属インジウムの回収
方法 を提供する。
造スクラップを取出して雰囲気炉に挿入し、該雰囲気炉
を一度真空にした後、アルゴンガス雰囲気とし、８００
〜９５０°Ｃに加熱して亜酸化物含有鋳造スクラップを
還元することを特徴とする金属インジウムの回収方法。 ２．アルゴンガス雰囲気中で３〜６時間加熱保持した
後、冷却してインジウムを回収することを特徴とする上
記１記載の金属インジウムの回収方法 ３．鋳造スクラップが、カソードに電析した電解精製金
属インジウム鋳造の際に発生するスクラップであること
を特徴とする上記１又は２記載の金属インジウムの回収
方法 を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の金属インジウム回収の前
提となる、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）スパッタリ
ングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸
化インジウム含有スクラップから電解精製によってイン
ジウムを回収する工程を説明する。ＩＴＯターゲットの
研磨粉等のインジウム含有スクラップを塩酸で溶解す
る。この場合、ＩＴＯインジウム含有スクラップに対し
て塩酸量を適宜調節して温度１００〜１１０°Ｃで溶解
する。この溶解温度は沸騰状態にある。溶解時間は約３
〜５時間程度である。次に、スクラップ中の錫を水酸化
錫として中和除去するため、水酸化ナトリウム水溶液等
を用いて、塩化インジウム溶液のｐＨ調製を行う。
提となる、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）スパッタリ
ングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸
化インジウム含有スクラップから電解精製によってイン
ジウムを回収する工程を説明する。ＩＴＯターゲットの
研磨粉等のインジウム含有スクラップを塩酸で溶解す
る。この場合、ＩＴＯインジウム含有スクラップに対し
て塩酸量を適宜調節して温度１００〜１１０°Ｃで溶解
する。この溶解温度は沸騰状態にある。溶解時間は約３
〜５時間程度である。次に、スクラップ中の錫を水酸化
錫として中和除去するため、水酸化ナトリウム水溶液等
を用いて、塩化インジウム溶液のｐＨ調製を行う。
【０００８】生成された水酸化錫を濾過除去する。濾過
によって得られた塩化インジウム溶液を亜鉛による置換
用原料とする。この時の溶液の液温度は５〜５０°Ｃに
調整して行う。塩化インジウム溶液を亜鉛板等を使用し
てインジウムを置換する。この場合、約１６時間放置し
て置くだけでよい。置換後、固液分離、水洗、乾燥し、
スポンジインジウムを得る。さらに、この回収したスポ
ンジインジウムを固体の水酸化ナトリウムと共に溶融し
て粗インジウムメタルを作製する。
によって得られた塩化インジウム溶液を亜鉛による置換
用原料とする。この時の溶液の液温度は５〜５０°Ｃに
調整して行う。塩化インジウム溶液を亜鉛板等を使用し
てインジウムを置換する。この場合、約１６時間放置し
て置くだけでよい。置換後、固液分離、水洗、乾燥し、
スポンジインジウムを得る。さらに、この回収したスポ
ンジインジウムを固体の水酸化ナトリウムと共に溶融し
て粗インジウムメタルを作製する。
【０００９】次に、このインジウムメタルを溶解、鋳造
して電解精製用のアノードとする。さらに、このインジ
ウムメタルアノードについて、硫酸浴を用い、ｐＨ１．
８〜２．０、該塩素イオン濃度を２０〜３５ｇ／Ｌに調
整し、電解精製して高純度インジウムを回収する。前記
塩素イオン源として、塩酸又は塩化ナトリウム、塩化カ
リウム等のアルカリ金属塩化物及び塩化インジウムを使
用することができる。電解温度は２５〜５０°Ｃに調整
し、電解液中のインジウム濃度を４５〜５５ｇ／Ｌに調
製して行う。
して電解精製用のアノードとする。さらに、このインジ
ウムメタルアノードについて、硫酸浴を用い、ｐＨ１．
８〜２．０、該塩素イオン濃度を２０〜３５ｇ／Ｌに調
整し、電解精製して高純度インジウムを回収する。前記
塩素イオン源として、塩酸又は塩化ナトリウム、塩化カ
リウム等のアルカリ金属塩化物及び塩化インジウムを使
用することができる。電解温度は２５〜５０°Ｃに調整
し、電解液中のインジウム濃度を４５〜５５ｇ／Ｌに調
製して行う。
【００１０】電解の際には、例えば精製するインジウム
をアノードとし、カソード母板としてチタン板等を用い
て電解する。アノード中の不純物の内インジウムより貴
なもの、例えば錫などはスライムとなって沈殿し、イン
ジウムより卑なものは電解液中に溶解し、カソードには
析出してこない。この場合、析出物へのスライムの混入
を避けるためアノードとカソードの間に隔膜を設ける。
電解液中に、にかわ、ゼラチン、ＰＥＧ等の界面活性剤
を添加して、さらに樹枝状析出物の量を低下させる。電
解液のＰＨは１．０〜２．０に調整する。
をアノードとし、カソード母板としてチタン板等を用い
て電解する。アノード中の不純物の内インジウムより貴
なもの、例えば錫などはスライムとなって沈殿し、イン
ジウムより卑なものは電解液中に溶解し、カソードには
析出してこない。この場合、析出物へのスライムの混入
を避けるためアノードとカソードの間に隔膜を設ける。
電解液中に、にかわ、ゼラチン、ＰＥＧ等の界面活性剤
を添加して、さらに樹枝状析出物の量を低下させる。電
解液のＰＨは１．０〜２．０に調整する。
【００１１】電流密度は０．１〜２．０Ａ／ｄｍ２に調
整する。電解温度は１０〜７５°Ｃに調整して電解す
る。以上の電解により、高純度のインジウムが得られ
る。インジウム中の錫品位は＜１０ｐｐｍ（重量）であ
る。これによって、酸化インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）
スクラップの不純物としての大半を占める錫を除去する
ことができ、純度の高いインジウムを回収することがで
きる。カソードに電析した高純度インジウムは、さらに
溶解・鋳造し、金属インジウムインゴットとするのであ
るが、このときに溶融インジウム金属の上にインジウム
の亜酸化物（スラグ）の鋳造スクラップが形成される。
この亜酸化物含有鋳造スクラップを雰囲気炉に挿入し、
一度真空にした後アルゴンガス雰囲気とし８００〜９５
０°Ｃに加熱することにより、亜酸化物含有鋳造スクラ
ップから酸素が乖離・還元しインジウムメタルを容易に
回収することができる。アルゴンガス雰囲気中での加熱
保持は３〜６時間程度が好ましい。その後冷却してイン
ジウムを回収する。回収した金属インジウムは電解アノ
ードの原料として使用する。以上による金属インジウム
の回収方法は、従来に比べはるかに容易に、しかも安価
に回収できるという特徴がある。
整する。電解温度は１０〜７５°Ｃに調整して電解す
る。以上の電解により、高純度のインジウムが得られ
る。インジウム中の錫品位は＜１０ｐｐｍ（重量）であ
る。これによって、酸化インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）
スクラップの不純物としての大半を占める錫を除去する
ことができ、純度の高いインジウムを回収することがで
きる。カソードに電析した高純度インジウムは、さらに
溶解・鋳造し、金属インジウムインゴットとするのであ
るが、このときに溶融インジウム金属の上にインジウム
の亜酸化物（スラグ）の鋳造スクラップが形成される。
この亜酸化物含有鋳造スクラップを雰囲気炉に挿入し、
一度真空にした後アルゴンガス雰囲気とし８００〜９５
０°Ｃに加熱することにより、亜酸化物含有鋳造スクラ
ップから酸素が乖離・還元しインジウムメタルを容易に
回収することができる。アルゴンガス雰囲気中での加熱
保持は３〜６時間程度が好ましい。その後冷却してイン
ジウムを回収する。回収した金属インジウムは電解アノ
ードの原料として使用する。以上による金属インジウム
の回収方法は、従来に比べはるかに容易に、しかも安価
に回収できるという特徴がある。
【００１２】
【実施例】次に、実施例について説明する。なお、本実
施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこ
れらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本
発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むもの
である。
施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこ
れらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本
発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むもの
である。
【００１３】電解精製によってカソードに電析した高純
度インジウムを溶解鋳造し、インゴットとするのである
が、鋳造時にインジウムの亜酸化物が浮上する。このス
ラグ（鋳造スクラップ）を取出し、アルミナ坩堝に入れ
て雰囲気炉に挿入した。雰囲気炉に挿入し、一旦真空引
きした後、アルゴンガスに置換し、昇温を開始した。９
００°Ｃになった時点で５時間保持し、その後冷却して
２００°Ｃ前後になったところで取出した。この間、ア
ルゴンを流し続けた。取出した鋳造スクラップを冷めな
いうちにステンレス（ＳＵＳ）製鋳型に流し込み、再鋳
造すると共に、この時メタル上に浮いた鋳造屑を分離回
収した。
度インジウムを溶解鋳造し、インゴットとするのである
が、鋳造時にインジウムの亜酸化物が浮上する。このス
ラグ（鋳造スクラップ）を取出し、アルミナ坩堝に入れ
て雰囲気炉に挿入した。雰囲気炉に挿入し、一旦真空引
きした後、アルゴンガスに置換し、昇温を開始した。９
００°Ｃになった時点で５時間保持し、その後冷却して
２００°Ｃ前後になったところで取出した。この間、ア
ルゴンを流し続けた。取出した鋳造スクラップを冷めな
いうちにステンレス（ＳＵＳ）製鋳型に流し込み、再鋳
造すると共に、この時メタル上に浮いた鋳造屑を分離回
収した。
【００１４】この結果を表１に示す。この表１に示す通
り、回収率は９４％を超えており、比較的簡単な工程で
鋳造スクラップを金属インジウムに還元できることが分
かる。回収した鋳造金属インジウムは電解精製用のアノ
ードとして使用することができる。また、ここで発生し
た鋳造スクラップ（少量の）は適当な量たまった段階
で、再度アルゴン雰囲気で加熱還元を行い、同様に金属
インジウムとして回収する。なお、上記表１の回収率を
決めるに当って、予めサンプルとして用意した鋳造スク
ラップ（３試料）を全量塩酸溶解して液中のインジウム
濃度の測定を行い、鋳造スクラップ中のインジウム品位
を求めた。その結果、鋳造スクラップ中のインジウム品
位の平均値は９５．３％であった。表１に示すように、
回収率を決めるに際しこの鋳造スクラップ中のインジウ
ム品位の平均値は９５．３％を使用した。
り、回収率は９４％を超えており、比較的簡単な工程で
鋳造スクラップを金属インジウムに還元できることが分
かる。回収した鋳造金属インジウムは電解精製用のアノ
ードとして使用することができる。また、ここで発生し
た鋳造スクラップ（少量の）は適当な量たまった段階
で、再度アルゴン雰囲気で加熱還元を行い、同様に金属
インジウムとして回収する。なお、上記表１の回収率を
決めるに当って、予めサンプルとして用意した鋳造スク
ラップ（３試料）を全量塩酸溶解して液中のインジウム
濃度の測定を行い、鋳造スクラップ中のインジウム品位
を求めた。その結果、鋳造スクラップ中のインジウム品
位の平均値は９５．３％であった。表１に示すように、
回収率を決めるに際しこの鋳造スクラップ中のインジウ
ム品位の平均値は９５．３％を使用した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】本発明は、インジウム−錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）スパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発
生する高純度酸化インジウム含有スクラップから電解精
製によってインジウムを回収する工程等において、カソ
ードに電析したメタルの鋳造の際に発生する鋳造スクラ
ップ（鋳造メタルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スク
ラップ）から金属インジウムを効果的に回収することが
できるという優れた効果を有する。
Ｏ）スパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発
生する高純度酸化インジウム含有スクラップから電解精
製によってインジウムを回収する工程等において、カソ
ードに電析したメタルの鋳造の際に発生する鋳造スクラ
ップ（鋳造メタルの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スク
ラップ）から金属インジウムを効果的に回収することが
できるという優れた効果を有する。
【図１】金属インジウムの回収工程図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 溶融金属インジウムの上に浮上する亜酸
化物含有鋳造スクラップを取出して雰囲気炉に挿入し、
該雰囲気炉を一度真空にした後、アルゴンガス雰囲気と
し、８００〜９５０°Ｃに加熱して亜酸化物含有鋳造ス
クラップを還元することを特徴とする金属インジウムの
回収方法。 - 【請求項２】 アルゴンガス雰囲気中で３〜６時間加熱
保持した後、冷却してインジウムを回収することを特徴
とする請求項１記載の金属インジウムの回収方法。 - 【請求項３】 鋳造スクラップが、カソードに電析した
電解精製金属インジウム鋳造の際に発生するスクラップ
であることを特徴とする請求項１又は２記載の金属イン
ジウムの回収方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001075263A JP4723106B2 (ja) | 2000-12-15 | 2001-03-16 | 金属インジウムの回収方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000381852 | 2000-12-15 | ||
| JP2000-381852 | 2000-12-15 | ||
| JP2000381852 | 2000-12-15 | ||
| JP2001075263A JP4723106B2 (ja) | 2000-12-15 | 2001-03-16 | 金属インジウムの回収方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002241865A true JP2002241865A (ja) | 2002-08-28 |
| JP4723106B2 JP4723106B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=26605899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001075263A Expired - Fee Related JP4723106B2 (ja) | 2000-12-15 | 2001-03-16 | 金属インジウムの回収方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4723106B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046800A1 (en) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | 9Digit Company Limited | Method for manufacturing high purity indium and apparatus therefor |
| WO2008053618A1 (fr) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito |
| WO2008053617A1 (fr) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito |
| WO2008053619A1 (fr) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito |
| WO2008053620A1 (en) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method for collection of valuable metal from ito scrap |
| WO2008053616A1 (fr) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito |
| WO2008099774A1 (ja) | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 導電性のある酸化物を含有するスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2008099773A1 (ja) | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 導電性のある酸化物を含有するスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2008117649A1 (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 導電性のある酸化物を含有するスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2009101863A1 (ja) | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Ｉｚｏスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2009101864A1 (ja) | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Ｉｚｏスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2009110149A1 (ja) | 2008-03-06 | 2009-09-11 | 日鉱金属株式会社 | Ｉｚｏスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2010071048A1 (ja) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | Ｔａｎａｋａホールディングス株式会社 | ターゲットからの金属回収方法およびターゲットの製造方法 |
| JP2011214104A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ターゲットからの金属回収方法およびターゲットの製造方法 |
| CN102732726A (zh) * | 2011-03-30 | 2012-10-17 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 含In和Sn的合金的回收方法及ITO循环再利用材料处理方法 |
| KR101213604B1 (ko) | 2012-05-29 | 2012-12-18 | (주)티에스엠 | 인듐, 갈륨 및 아연을 포함하고 있는 스크랩으로부터 인듐메탈 회수방법 |
| KR101450962B1 (ko) | 2011-09-20 | 2014-10-15 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 인듐 또는 인듐 합금의 회수 방법 및 장치 |
| CN109913653A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-06-21 | 昆明理工大学 | 一种真空硫化分离铟锡的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250428A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | インジウムの純化方法 |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001075263A patent/JP4723106B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250428A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | インジウムの純化方法 |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046800A1 (en) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | 9Digit Company Limited | Method for manufacturing high purity indium and apparatus therefor |
| WO2008053618A1 (fr) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito |
| WO2008053617A1 (fr) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito |
| WO2008053619A1 (fr) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito |
| WO2008053620A1 (en) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method for collection of valuable metal from ito scrap |
| WO2008053616A1 (fr) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito |
| WO2008099774A1 (ja) | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 導電性のある酸化物を含有するスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2008099773A1 (ja) | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 導電性のある酸化物を含有するスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2008117649A1 (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 導電性のある酸化物を含有するスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2009101864A1 (ja) | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Ｉｚｏスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2009101863A1 (ja) | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Ｉｚｏスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2009110149A1 (ja) | 2008-03-06 | 2009-09-11 | 日鉱金属株式会社 | Ｉｚｏスクラップからの有価金属の回収方法 |
| WO2010071048A1 (ja) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | Ｔａｎａｋａホールディングス株式会社 | ターゲットからの金属回収方法およびターゲットの製造方法 |
| US8287804B2 (en) | 2008-12-17 | 2012-10-16 | Tanaka Holdings Co., Ltd | Method for recovering metal from target and method for manufacturing target |
| JP2011214104A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ターゲットからの金属回収方法およびターゲットの製造方法 |
| US8366800B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-02-05 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Method for recovering metal from target and method for manufacturing target |
| JP2012211354A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | ＩｎとＳｎとを含む合金の回収方法及びＩＴＯリサイクル材の処理方法 |
| CN102732726A (zh) * | 2011-03-30 | 2012-10-17 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 含In和Sn的合金的回收方法及ITO循环再利用材料处理方法 |
| KR101453149B1 (ko) * | 2011-03-30 | 2014-10-27 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | Ｉｎ 과 Ｓｎ 을 함유하는 합금의 회수 방법 및 ＩＴＯ 리사이클재의 처리 방법 |
| KR101450962B1 (ko) | 2011-09-20 | 2014-10-15 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 인듐 또는 인듐 합금의 회수 방법 및 장치 |
| KR101213604B1 (ko) | 2012-05-29 | 2012-12-18 | (주)티에스엠 | 인듐, 갈륨 및 아연을 포함하고 있는 스크랩으로부터 인듐메탈 회수방법 |
| CN109913653A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-06-21 | 昆明理工大学 | 一种真空硫化分离铟锡的方法 |
| CN109913653B (zh) * | 2019-03-04 | 2020-09-04 | 昆明理工大学 | 一种真空硫化分离铟锡的方法 |
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