JP2002241196A - 弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法 - Google Patents
弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法Info
- Publication number
- JP2002241196A JP2002241196A JP2001032740A JP2001032740A JP2002241196A JP 2002241196 A JP2002241196 A JP 2002241196A JP 2001032740 A JP2001032740 A JP 2001032740A JP 2001032740 A JP2001032740 A JP 2001032740A JP 2002241196 A JP2002241196 A JP 2002241196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluoride
- oxygen
- component
- carbon
- reducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F11/00—Compounds of calcium, strontium, or barium
- C01F11/20—Halides
- C01F11/22—Fluorides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
- C01F17/253—Halides
- C01F17/265—Fluorides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
- Y10T436/19—Halogen containing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
パーレンズ材料である弗化カルシウムや弗化バリウムな
どの高純度弗化物(高純度弗化物は、弗化カルシウムお
よび弗化バリウムの限りではない)、また光ファイバー
やコーティング材料などに使用されている弗化イッテル
ビウムや弗化セリウムなどの希土類弗化物に含まれる酸
素・炭素成分を低減する方法を提供する事。 【解決手段】 高純度弗化物中に含まれる酸素・炭素成
分をフッ素ガス処理を施す事によって低減させることを
特徴とする。
Description
炭素成分の低減方法に係る。
おいて、その露光装置であるステッパー装置を構成する
光学系、つまり投影系レンズ、照明系レンズの元となる
原材料や、また、光ファイバー材料やコーティング材料
としての原材料など、光学用途材料に適用される。例え
ばレンズ材料の場合、近年高集積化に伴い短波長の露光
光源であるArFエキシマレーザー(193nm)や、さらに短
波長であるF2エキシマレーザー(157nm)が用いられる
が、従来から一般的に使用されているレンズである高純
度シリカガラスは透過率が悪く使用できない。そこで短
波長でも透過特性の良く、レーザー耐久性に強い弗化カ
ルシウムや弗化バリウムなどの弗化物が有用とされてい
る。しかし、弗化カルシウムや弗化バリウムなどの弗化
物レンズを製造する為には高純度単結晶が必要不可欠で
ある。この単結晶製造時には原料中に不純物として酸素
や炭素が多く含まれると種々の問題が起こることが知ら
れている。
焼工程による酸化物の生成によって弗化物中に取り込ま
れ、最終的にレンズにした時に、(1)酸素による透過
率低下、(2)レーザー耐久性、(3)着色、等などの
影響を与える為、低濃度化が望まれている光の透過率に
影響すると言われ、低濃度化が望まれている。
一般にはアルミナルツボやカーボンるつぼが使用される
が、アルミナるつぼを使用するとアルミニウム汚染があ
り、通常カーボンつるぼが使用されるが、るつぼ材料で
あるカーボンが弗化物中に残存したり、また弗化物を製
造する際には一般的に用いられる原材料である炭酸塩の
未反応のカーボンが製品中に残存する事がある。これ
ら、弗化物製品中に残存したカーボンも単結晶製造時に
(1)単結晶内取り込み、(2)着色、等の悪影響を及
ぼすと言われている。
をスカベンジャーとして弗化鉛や弗化亜鉛が使用され、
例として弗化鉛として以下のような反応(A)脱酸素工
程が行なわれている。 CaO + PbF2 → CaF2 + PbO↑ ・・・・・(A) 上記(A)の脱酸素工程により、酸素は低減する事はで
きるが、スカベンジャーという第2成分を添加すること
により、そこから派生するコンタミネ−ションが発生
し、純粋な単結晶を得る事は出来ない。可能な限り、こ
のスカベンジャーの添加量を極力抑える為には原材料中
の酸素成分が少ない弗化物が必要である。
により弗化物中の酸素・炭素の量を低減させることが可
能な弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法を提供す
ることを目的とする。
含むガスに弗化物を接触させるフッ素ガス処理を行うこ
とを特徴とする弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方
法である。
原材料である弗化カルシウムや弗化バリウム等に二次処
理としてフッ素ガス処理を施す事により、製品中に含ま
れる不純物である酸素だけではなく、炭素を低減するこ
とを可能とする方法を見出した。その方法とは、従来の
製品に二次処理としてフッ素ガスを導入し、ミキシング
を行なう事により簡易的に目的である低酸素・低炭素に
効果があることが分かった。フッ素ガスは、酸化性の強
いガスである為、不純物中の酸素成分および炭素成分が
以下のような反応により低減されたと考えられる。ただ
し、現時点では、明確な反応メカニズムは解明されてい
ない。 O + F2 → OF2↑ ・・・・(B) C + F2 → CF4↑ ・・・・(C) フッ素ガスによる二次処理の条件としては、フッ素濃度
によらず低酸素・低炭素の効果が得られたが、好ましく
は5−50%フッ素ガス濃度(希釈ガスとして窒素ある
いはアルゴン等の不活性ガス)により工業的、ハンドリ
ングの面に対して優位である。また、処理温度に関して
も当然ながら温度を高くすれば活性化エネルギーが低下
するので反応性に有利であるのは言うまでも無いが、高
温で処理する場合は金属材料の反応器を使用する必要が
あるので、反応器からの汚染を少なくするためにはフッ
素樹脂などの高分子材料が使用できる温度がハンドリン
グ面から優位である。また、室温においても低酸素・低
炭素の効果が得られた。
ッ素ガスの濃度は、100%でもよいが、不活性ガスで
希釈したガスでもよい。その際におけるフッ素ガスの濃
度は5−50%であることが好ましい。
素、アルゴン、ネオン等が好ましい。不活性ガスは、不
純物(水分、酸素など)濃度が10ppb以下の高純度
のものが好ましい。
る。具体的には、弗化カルシウム、弗化バリウム、弗化
イッテルビウム、弗化セリウムから選ばれる1種以上で
ある。ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1
項記載の弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法。
ことが好ましく、200〜300℃で行うことがより好
ましい。
られる露光装置を構成する光学系(例えば投影系レン
ズ、照明系レンズ)、光ファイバー材料、コーティング
材料などの原材料としての光学材料用として好適に用い
られる。
が、例えば、粉状、顆粒状、粒状とすることが好まし
い。
1〜500μmがより好ましく、10〜200μmがさ
らに好ましい。
た、長時間にわたっても効果が飽和するため、30秒〜
1時間が好ましく、1〜30分がより好ましく、1〜1
0分がさらに好ましい。長時間にわたると効果が飽和す
る。
容器に300g入れ、室温で各5、10、25,50%フッ
素ガス/N2ベース のガスを5分間フローしながら、充分
粉体とガスをミキシングさせて、精製処理を行なった。
酸素分析計、炭素分析計を用いて分析を行なった。(表
1)
度によらず二次処理することによって酸素・炭素とも低
減することが確認出来た。しかも室温処理において効果
がある事もわかり、これは工業的に非常にメリットが大
きい。 [実施例2]実施例1と同様に高純度弗化カルシウムを5
L-PFA容器に300g入れ、反応容器を100℃に維持し、そこ
に各5、10、25、50%フッ素ガス/N2ガスベース
のガスを5分間フローしながら、充分粉体とガスをミキ
シングさせて、精製処理を行なった後、酸素・炭素分析
を行なった。(表2)
度処理によって酸素・炭素とも低減することを確認し、
処理温度を上げる事においても低減効果があることが分
かった。
グ材料として使用されている弗化イッテルビウムや弗化
セリウムなどの希土類弗化物、例えば弗化イッテルビウ
ムについて実施例1と同様な実験を行なった。弗化イッ
テルビウムを300g5L-PFA容器に入れ、室温で各5、1
0、25,50%フッ素ガス/N2ベースのガスを5分間フ
ローしながら、充分粉体とガスをミキシングさせて、精
製処理を行なった。その処理した製品を酸素、炭素をそ
れぞれ酸素分析計、炭素分析計を用いて分析を行なっ
た。(表3)
素・低炭素に効果が得られた。また、同様に実施例2の
処理温度を上げた場合も同様に低酸素・低炭素の効果が
得られた。
ムを耐熱性のある金属容器、例えばニッケル容器(ステ
ンレス容器も可能)に300g入れ、300℃で100%フッ
素ガスを5分間導入し、二次処理を行なった。その処理
した製品を酸素、炭素をそれぞれ酸素分析計、炭素分析
計を用いて分析を行なった。(表4)
高温処理においても低酸素・低炭素に効果があることが
確認できた。
おけるフォトリソグラフ工程のArFやF2エキシマレーザ
ー用ステッパーレンズとして使用される原材料として代
表的な高純度弗化カルシウム中の不純物である酸素や炭
素がフッ素ガス処理によって精製され、単結晶製造の際
の脱酸素工程でのスカベンジャー添加量の削減および種
々の問題が軽減される。また、近年薄膜化技術が進歩
し、コーティング材の原材料としても低酸素高純度弗化
物が必要有り、その他にも多方面に使用が可能である。
Claims (13)
- 【請求項1】 フッ素ガスを含むガスに弗化物を接触さ
せるフッ素ガス処理を行うことを特徴とする弗化物中の
酸素成分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項2】 フッ素ガスを含むガス中におけるフッ素
ガスの濃度は、5−50%であることを特徴とする請求
項1記載弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項3】 フッ素ガスを含むガスはフッ素ガスを不
活性ガスで希釈したガスであることを特徴とする請求項
1記載の弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項4】 弗化物は、希土類弗化物であることを特
徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の弗化物
中の酸素成分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項5】 弗化物は、弗化カルシウム、弗化バリウ
ム、弗化イッテルビウム、弗化セリウムから選ばれる1
種以上であることを特徴とする請求項1ないし4のいず
れか1項記載の弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方
法。 - 【請求項6】 フッ化ガス処理は、室温〜350℃で行
うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項記
載の弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項7】 フッ化ガス処理は、200〜300℃で
行うことを特徴とする請求項6記載の弗化物中の酸素成
分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項8】 弗化物は光学材料用の弗化物であること
を特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項記載の弗
化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項9】 弗化物は、粉状、顆粒状、粒状であるこ
とを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項記載の
弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項10】 弗化物の径は、1mm以下であること
を特徴とする請求項9記載の弗化物中の酸素成分・炭素
成分の低減方法。 - 【請求項11】 弗化物の径は、10〜200μmであ
ることを特徴とする請求項10記載の弗化物中の酸素成
分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項12】 フッ化処理時間は、30秒〜1時間で
あることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1
項記載の弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法。 - 【請求項13】 フッ化処理時間は、1〜10分である
ことを特徴とする請求項12記載の弗化物中の酸素成分
・炭素成分の低減方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001032740A JP4676622B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法 |
CNB028047117A CN1312329C (zh) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | 减少氟化物中的氧组分和碳组分的方法 |
US10/467,697 US7033563B2 (en) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | Method for reducing oxygen component and carbon component in fluoride |
KR10-2003-7010269A KR20030088431A (ko) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | 불화물중의 산소성분·탄소성분 저감방법 |
EP02711378A EP1380675B1 (en) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | Method for reducing oxygen component and carbon component in fluoride |
PCT/JP2002/001033 WO2002063076A1 (fr) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | Procede de reduction d'oxygene et de carbone contenus dans du fluorure |
TW091102466A TWI231291B (en) | 2001-02-08 | 2002-02-08 | Method for reducing an oxygen component and carbon component in fluoride |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001032740A JP4676622B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002241196A true JP2002241196A (ja) | 2002-08-28 |
JP4676622B2 JP4676622B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=18896621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001032740A Expired - Fee Related JP4676622B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7033563B2 (ja) |
EP (1) | EP1380675B1 (ja) |
JP (1) | JP4676622B2 (ja) |
KR (1) | KR20030088431A (ja) |
CN (1) | CN1312329C (ja) |
TW (1) | TWI231291B (ja) |
WO (1) | WO2002063076A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006282487A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 金属フッ化物脱酸剤及びその製造方法、並びにフッ化水素濃度が低減されたガスの製造方法 |
WO2009028640A1 (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Stella Chemifa Corporation | フッ素化合物の精製方法 |
WO2009139473A1 (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | 株式会社トクヤマ | 前処理金属フッ化物およびフッ化物結晶の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4676622B2 (ja) | 2001-02-08 | 2011-04-27 | ステラケミファ株式会社 | 弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法 |
WO2005005316A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-20 | Honeywell Specialty Chemicals Seelze Gmbh | Process for the manufacture of high purity metal fluorides |
DE102004008749A1 (de) * | 2004-02-23 | 2005-09-08 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines großvolumigen CaF2-Einkristalles mit geringer Streuung und verbesserter Laserstabilität, sowie ein solcher Kristall und dessen Verwendung |
US6982001B2 (en) | 2004-05-28 | 2006-01-03 | Corning Incorporated | Dehydroxylation and purification of calcium fluoride materials using a halogen containing plasma |
JP5861612B2 (ja) * | 2011-11-10 | 2016-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 希土類元素フッ化物粉末溶射材料及び希土類元素フッ化物溶射部材 |
CN103922381A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-07-16 | 赣州虔东稀土集团股份有限公司 | 一种稀土氟化物及其生产方法 |
FR3043672B1 (fr) * | 2015-11-12 | 2021-11-19 | Sudfluor | Materiaux monolithiques poreux pour la production et le piegeage de fluor |
CN105565324B (zh) * | 2015-12-23 | 2019-01-04 | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 | 一种四氟化硅的纯化方法 |
CN111410562B (zh) * | 2019-09-10 | 2022-12-30 | 包头稀土研究院 | 带有稀土氟氧化物涂层的碱土氧化物坩埚的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000226297A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-15 | Nikon Corp | フッ化カルシウム単結晶の熱処理装置及び熱処理方法 |
JP2000281492A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Canon Inc | フッ化物結晶の熱処理方法、光学部品の作製方法及び光学装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0617207B2 (ja) * | 1989-10-23 | 1994-03-09 | セントラル硝子株式会社 | 高純度金属フッ化物の製造方法 |
US6332922B1 (en) * | 1998-02-26 | 2001-12-25 | Nikon Corporation | Manufacturing method for calcium fluoride and calcium fluoride for photolithography |
JP2000034193A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Nikon Corp | フッ化物単結晶の熱処理方法及び製造方法 |
JP4676622B2 (ja) | 2001-02-08 | 2011-04-27 | ステラケミファ株式会社 | 弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法 |
-
2001
- 2001-02-08 JP JP2001032740A patent/JP4676622B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-07 KR KR10-2003-7010269A patent/KR20030088431A/ko active IP Right Grant
- 2002-02-07 CN CNB028047117A patent/CN1312329C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-07 EP EP02711378A patent/EP1380675B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-07 US US10/467,697 patent/US7033563B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-07 WO PCT/JP2002/001033 patent/WO2002063076A1/ja active Application Filing
- 2002-02-08 TW TW091102466A patent/TWI231291B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000226297A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-15 | Nikon Corp | フッ化カルシウム単結晶の熱処理装置及び熱処理方法 |
JP2000281492A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Canon Inc | フッ化物結晶の熱処理方法、光学部品の作製方法及び光学装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006282487A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 金属フッ化物脱酸剤及びその製造方法、並びにフッ化水素濃度が低減されたガスの製造方法 |
WO2009028640A1 (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Stella Chemifa Corporation | フッ素化合物の精製方法 |
JP2009057248A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Stella Chemifa Corp | フッ素化合物の精製方法 |
KR101074967B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2011-10-18 | 스텔라 케미파 가부시키가이샤 | 불소화합물의 정제방법 |
US8232436B2 (en) | 2007-08-31 | 2012-07-31 | Stella Chemifa Corporation | Process for purifying a fluorine compound |
WO2009139473A1 (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | 株式会社トクヤマ | 前処理金属フッ化物およびフッ化物結晶の製造方法 |
JP5532435B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-06-25 | 株式会社トクヤマ | 前処理金属フッ化物およびフッ化物結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4676622B2 (ja) | 2011-04-27 |
KR20030088431A (ko) | 2003-11-19 |
TWI231291B (en) | 2005-04-21 |
US7033563B2 (en) | 2006-04-25 |
EP1380675B1 (en) | 2012-06-20 |
CN1312329C (zh) | 2007-04-25 |
US20040062696A1 (en) | 2004-04-01 |
WO2002063076A1 (fr) | 2002-08-15 |
EP1380675A1 (en) | 2004-01-14 |
CN1491300A (zh) | 2004-04-21 |
EP1380675A4 (en) | 2008-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4676622B2 (ja) | 弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法 | |
US20010025598A1 (en) | Methods for growing large-volume single crystals from calcium fluoride and their uses | |
KR19980080264A (ko) | 자외선 레이저용 결상광학계 | |
JPH101310A (ja) | フッ化カルシウム結晶、その製造方法 及びこれを用いた投影露光装置 | |
JP2004526654A (ja) | 透過性グラファイトを用いた波長157nmの光を透過するフッ化バリウム結晶の調製 | |
JPH06166528A (ja) | 耐紫外線レーザー用光学部材の製造方法 | |
JP3336761B2 (ja) | 光透過用合成石英ガラスの製造方法 | |
JP2003095648A (ja) | 高純度フッ化カルシウムおよびその中間体の製造方法 | |
JPH01212247A (ja) | レーザ光学系母材の製造方法 | |
US6802901B2 (en) | Method of making high purity optical fluoride crystals | |
JP4024577B2 (ja) | フッ化物単結晶の製造方法 | |
JP2522830B2 (ja) | 半導体熱処理用石英ガラス材料及びその製造方法 | |
JPH0624997B2 (ja) | レーザ光用光学系部材 | |
US6773501B2 (en) | Method of making a <250 nm wavelength optical fluoride crystal and device | |
JPH0421540A (ja) | 合成石英ガラス及びその製法 | |
JPH03101282A (ja) | レーザ光用光学系部材 | |
CN1604878A (zh) | 含铝熔凝石英玻璃 | |
JPH0755845B2 (ja) | レーザ光用透過体 | |
JP2566151B2 (ja) | レーザー光学系母材の製造方法 | |
JPH01197343A (ja) | レーザー光学系の製造素体 | |
JP2864414B2 (ja) | 紫外光用合成石英ガラス光学体の改質方法及び紫外光用合成石英ガラス光学体 | |
JP2699107B2 (ja) | 紫外線透過用石英ガラス | |
JPH10218636A (ja) | 光学用石英ガラス部材 | |
JP3237043B2 (ja) | 石英ガラスの熱処理方法及び合成石英ガラス | |
US20060037531A1 (en) | Furnace purification and metal fluoride crystals grown in a purified furnace |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101027 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110128 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 3 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20120328 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |