JP2002240271A - インクジェット記録ヘッド - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電インクジェットヘッドの電極材料とし
て、電極材である窒化チタン上に窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）を積層した二層電極構造あるいは窒化チタンと窒
化アルミニウムの混合材料を用いる。 【解決手段】 酸化膜段差パターン形成後、反応式スパ
ッタにより、電極材となる窒化チタン１2ａを０.１〜
０.１５ｕｍ成膜する。続いて、窒化アルミニウム１2ｂ
を０.０５〜０.１ｕｍ連続して全面に成膜する（図１
（Ａ））。窒化アルミニウムの成膜は、純アルミニウム
ターゲットに対しＡｒ，Ｎ2ガスをキャリアとして成膜
する。以降、図１（Ｂ）〜図１（Ｄ）に示すように、レ
ジスト１4にて電極パターンを形成し、プラズマエッチ
ングにより、窒化チタンと窒化アルミニウムの二層構造
の個別電極を形成する。耐酸化性の優れた窒化アルミニ
ウムが電極上層に存在するため、電極表面が酸化される
ことによって引き起こされる電極保護膜の剥れなどの問
題が解消される。
て、電極材である窒化チタン上に窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）を積層した二層電極構造あるいは窒化チタンと窒
化アルミニウムの混合材料を用いる。 【解決手段】 酸化膜段差パターン形成後、反応式スパ
ッタにより、電極材となる窒化チタン１2ａを０.１〜
０.１５ｕｍ成膜する。続いて、窒化アルミニウム１2ｂ
を０.０５〜０.１ｕｍ連続して全面に成膜する（図１
（Ａ））。窒化アルミニウムの成膜は、純アルミニウム
ターゲットに対しＡｒ，Ｎ2ガスをキャリアとして成膜
する。以降、図１（Ｂ）〜図１（Ｄ）に示すように、レ
ジスト１4にて電極パターンを形成し、プラズマエッチ
ングにより、窒化チタンと窒化アルミニウムの二層構造
の個別電極を形成する。耐酸化性の優れた窒化アルミニ
ウムが電極上層に存在するため、電極表面が酸化される
ことによって引き起こされる電極保護膜の剥れなどの問
題が解消される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェット記
録ヘッド、より詳細には、静電力を利用したインクジェ
ット記録ヘッドのヘッド構成に関する。
録ヘッド、より詳細には、静電力を利用したインクジェ
ット記録ヘッドのヘッド構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平０６−７１８８２号公報には、オ
ンデマンド方式のインクジェットプリンタに用いられる
振動板を静電力によって駆動する静電型インクジェット
ヘッドが開示されている。この特開平０６−７１８８２
号公報には、電極が振動板との間に空隙を存して絶縁膜
により被覆された構造を有し、該個別電極に電圧を印加
し、前記振動板を静電力により変形させ、その変形によ
りインク液を加圧し、前記ノズルからインク液滴を吐出
する静電型インクジェットヘッドが開示されている。こ
の公報にはシリコンを用いた電極が示されており、具体
的にはシリコン基板にｐ型またはｎ型不純物を導入する
ことで電極を形成している。
ンデマンド方式のインクジェットプリンタに用いられる
振動板を静電力によって駆動する静電型インクジェット
ヘッドが開示されている。この特開平０６−７１８８２
号公報には、電極が振動板との間に空隙を存して絶縁膜
により被覆された構造を有し、該個別電極に電圧を印加
し、前記振動板を静電力により変形させ、その変形によ
りインク液を加圧し、前記ノズルからインク液滴を吐出
する静電型インクジェットヘッドが開示されている。こ
の公報にはシリコンを用いた電極が示されており、具体
的にはシリコン基板にｐ型またはｎ型不純物を導入する
ことで電極を形成している。
【０００３】本出願人は、先に、個別電極に窒化チタン
を用いた静電型インクジェットヘッドの構成を提案した
（特願２０００−３７３７１１号）。静電力を利用して
インクを吐出するインクジェットヘッドは、ノズルと該
ノズルに連通するインク液室の一部を構成する振動板
と、該振動板に所定のギャップを介して対向配置された
電極を有し、振動板と電極間に電圧を印加することによ
り、振動板を静電力により変形させ、ノズルからインク
を吐出するものである。
を用いた静電型インクジェットヘッドの構成を提案した
（特願２０００−３７３７１１号）。静電力を利用して
インクを吐出するインクジェットヘッドは、ノズルと該
ノズルに連通するインク液室の一部を構成する振動板
と、該振動板に所定のギャップを介して対向配置された
電極を有し、振動板と電極間に電圧を印加することによ
り、振動板を静電力により変形させ、ノズルからインク
を吐出するものである。
【０００４】図３に、従来、広く用いられているインク
ジェットヘッドアクチュエータ部の単一ノズルの短辺方
向の断面概略図で、図中、１は電極側Ｓｉ基板、１1は
熱酸化膜、１2は電極材、１3は電極保護膜、２は振動板
側Ｓｉ基板、２1は液室、２2は振動板を示す。アクチュ
エータ主要部分は、図３に示すように、電極側シリコン
基板１と振動板基板２から構成されており、電極基板１
を形成後に熱酸化膜１ 1をギャップスペーサーとして、
ギャップＡを介して、振動板基板２を直接接合により接
合し、接合後に振動板基板２に液室２1及び振動板２2を
形成する。代表的な電極材として、窒化チタンあるいは
チタン上に窒化チタンを積層した構造が使用されてお
り、窒化チタンの効果として１２００℃以上の融点を有
することから、接合工程において１２００℃までの高温
プロセスを用いることが可能となり、信頼性の高いイン
クジェットヘッドを製造可能としている。
ジェットヘッドアクチュエータ部の単一ノズルの短辺方
向の断面概略図で、図中、１は電極側Ｓｉ基板、１1は
熱酸化膜、１2は電極材、１3は電極保護膜、２は振動板
側Ｓｉ基板、２1は液室、２2は振動板を示す。アクチュ
エータ主要部分は、図３に示すように、電極側シリコン
基板１と振動板基板２から構成されており、電極基板１
を形成後に熱酸化膜１ 1をギャップスペーサーとして、
ギャップＡを介して、振動板基板２を直接接合により接
合し、接合後に振動板基板２に液室２1及び振動板２2を
形成する。代表的な電極材として、窒化チタンあるいは
チタン上に窒化チタンを積層した構造が使用されてお
り、窒化チタンの効果として１２００℃以上の融点を有
することから、接合工程において１２００℃までの高温
プロセスを用いることが可能となり、信頼性の高いイン
クジェットヘッドを製造可能としている。
【０００５】個別電極材料１2として、タンタル（Ｔ
ａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、あるいはジル
コニウム（Ｚｒ）等の高融点金属あるいはその窒化物を
用い、電極保護膜１3としてそれら高融点金属膜を酸化
させた絶縁膜を用いたインクジェットヘッドの構成及び
製造方法が提案されているが、これらの主目的は形成フ
ローの簡素化を狙ったものである。また、従来より用い
られているＣＶＤ法による絶縁膜と比較して、含有不純
物（例：水分）、ピンホール等の膜中の欠陥に対し、有
効であることが記述されている。
ａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、あるいはジル
コニウム（Ｚｒ）等の高融点金属あるいはその窒化物を
用い、電極保護膜１3としてそれら高融点金属膜を酸化
させた絶縁膜を用いたインクジェットヘッドの構成及び
製造方法が提案されているが、これらの主目的は形成フ
ローの簡素化を狙ったものである。また、従来より用い
られているＣＶＤ法による絶縁膜と比較して、含有不純
物（例：水分）、ピンホール等の膜中の欠陥に対し、有
効であることが記述されている。
【０００６】図４〜図６は、前記窒化チタンを個別電極
に用いたインクジェットヘッドの形成フローを示す図
で、まず、図４（Ａ）において、電極側シリコン基板１
上に形成された熱酸化膜１1に対して、電極の埋め込み
部分に該当する凹部のレジストパターン１4を形成す
る。次いで、図４（Ｂ）において、ウェットエッチング
あるいはドライエッチング法により、酸化膜１1に対し
電極埋め込み部分の段差パターンを形成する。この場
合、さらに、凹部の底面に傾斜をもたせることによっ
て、対向する振動板とのギャップを非平行形状とする。
次いで、図４（Ｃ）において、酸化膜１1の段差パター
ンを形成後、電極材１2となる窒化チタンをスパッタ法
により全面に成膜する。
に用いたインクジェットヘッドの形成フローを示す図
で、まず、図４（Ａ）において、電極側シリコン基板１
上に形成された熱酸化膜１1に対して、電極の埋め込み
部分に該当する凹部のレジストパターン１4を形成す
る。次いで、図４（Ｂ）において、ウェットエッチング
あるいはドライエッチング法により、酸化膜１1に対し
電極埋め込み部分の段差パターンを形成する。この場
合、さらに、凹部の底面に傾斜をもたせることによっ
て、対向する振動板とのギャップを非平行形状とする。
次いで、図４（Ｃ）において、酸化膜１1の段差パター
ンを形成後、電極材１2となる窒化チタンをスパッタ法
により全面に成膜する。
【０００７】次いで、図５（Ｄ），図５（Ｅ）におい
て、個別電極のレジストパターン１5を形成し、ＴｉＮ
（電極材１2）をエッチングする。図５（Ｆ）におい
て、個別電極パターンのレジスト１5の除去を行なう。
次いで、図５（Ｇ）において、電極保護膜１3を全面に
成膜する。
て、個別電極のレジストパターン１5を形成し、ＴｉＮ
（電極材１2）をエッチングする。図５（Ｆ）におい
て、個別電極パターンのレジスト１5の除去を行なう。
次いで、図５（Ｇ）において、電極保護膜１3を全面に
成膜する。
【０００８】図６（Ｈ）において、電極保護膜のレジス
トパターン１6を形成し、図６（Ｉ）において、酸化膜
１3をエッチングする。電極基板工程が完了した後、図
６（Ｊ）において、電極基板を高温（９５０〜１０５０
℃）熱処理した後、直接接合により振動板基板２と接合
させる。
トパターン１6を形成し、図６（Ｉ）において、酸化膜
１3をエッチングする。電極基板工程が完了した後、図
６（Ｊ）において、電極基板を高温（９５０〜１０５０
℃）熱処理した後、直接接合により振動板基板２と接合
させる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構造及び
形成フローでは、図５（Ｆ）に示す電極パターン形成後
のＯ2プラズマによるレジスト除去の際に、図７（Ａ）
に示すように、電極材１2の窒化チタンの表面が酸化さ
れＴｉＮ酸化物１7が形成されるという問題が生じる。
そのため、このＴｉＮ酸化物１7を介した上に、図７
（Ｂ）に示すように、保護絶縁膜１3が形成されること
になり、後工程の高温熱処理の際に、図７（Ｄ）に示す
ように、ＴｉＮ酸化物１7が電極材である窒化チタン１2
から剥れる現象が生じ、結果的に保護絶縁膜である酸化
膜１3も同時に電極材から剥れる問題が発生する。窒化
チタンは比較的酸化しやすい材料であることが知られる
が、電極材に用いた場合に、ＴｉＮ酸化物とＣＶＤによ
り形成される電極保護膜としての酸化膜とでは耐熱特性
が異なり、例えば、高温熱処理を行なった際に、ＴｉＮ
酸化物が昇華するといった現象等から、電極材と電極保
護膜との密着性に問題をもたらす場合がある。
形成フローでは、図５（Ｆ）に示す電極パターン形成後
のＯ2プラズマによるレジスト除去の際に、図７（Ａ）
に示すように、電極材１2の窒化チタンの表面が酸化さ
れＴｉＮ酸化物１7が形成されるという問題が生じる。
そのため、このＴｉＮ酸化物１7を介した上に、図７
（Ｂ）に示すように、保護絶縁膜１3が形成されること
になり、後工程の高温熱処理の際に、図７（Ｄ）に示す
ように、ＴｉＮ酸化物１7が電極材である窒化チタン１2
から剥れる現象が生じ、結果的に保護絶縁膜である酸化
膜１3も同時に電極材から剥れる問題が発生する。窒化
チタンは比較的酸化しやすい材料であることが知られる
が、電極材に用いた場合に、ＴｉＮ酸化物とＣＶＤによ
り形成される電極保護膜としての酸化膜とでは耐熱特性
が異なり、例えば、高温熱処理を行なった際に、ＴｉＮ
酸化物が昇華するといった現象等から、電極材と電極保
護膜との密着性に問題をもたらす場合がある。
【００１０】本発明は、その対策として、電極材である
窒化チタン上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を積層した
二層電極構造あるいは窒化チタンと窒化アルミニウムの
混合材料を電極材として用いた構造を提案するものであ
る。窒化アルミニウムは耐酸化性に優れることから、電
極材が酸化されることによって引き起こる電極保護膜の
剥れなどの問題を解消でき、安定した品質のインクジェ
ットヘッドが製造可能となる。
窒化チタン上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を積層した
二層電極構造あるいは窒化チタンと窒化アルミニウムの
混合材料を電極材として用いた構造を提案するものであ
る。窒化アルミニウムは耐酸化性に優れることから、電
極材が酸化されることによって引き起こる電極保護膜の
剥れなどの問題を解消でき、安定した品質のインクジェ
ットヘッドが製造可能となる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、記録
液を吐出するノズルに連通する液室の一部を構成する振
動板と、該振動板に対してギャップを介して個別電極が
対向配置された電極基板とを有し、前記振動板と前記電
極基板に設けられた電極間に電圧を印加し、前記振動板
を静電力により変形させて前記液室内の記録液を加圧
し、該記録液を前記ノズルから吐出させて記録媒体に記
録を行うインクジェット記録ヘッドにおいて、前記電極
を、融解温度が摂氏１５００度以上を有する高融点金属
材料または高融点金属の窒化物と、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）を用いた材料で構成したことを特徴としたも
のである。
液を吐出するノズルに連通する液室の一部を構成する振
動板と、該振動板に対してギャップを介して個別電極が
対向配置された電極基板とを有し、前記振動板と前記電
極基板に設けられた電極間に電圧を印加し、前記振動板
を静電力により変形させて前記液室内の記録液を加圧
し、該記録液を前記ノズルから吐出させて記録媒体に記
録を行うインクジェット記録ヘッドにおいて、前記電極
を、融解温度が摂氏１５００度以上を有する高融点金属
材料または高融点金属の窒化物と、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）を用いた材料で構成したことを特徴としたも
のである。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記電極を形成する高融点金属材料が、チタン（Ｔ
ｉ）あるいは窒化チタン（ＴｉＮ）と、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）を積層した二層構造であることを特徴とし
たものである。
て、前記電極を形成する高融点金属材料が、チタン（Ｔ
ｉ）あるいは窒化チタン（ＴｉＮ）と、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）を積層した二層構造であることを特徴とし
たものである。
【００１３】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、前記電極を形成する材料が、窒化チタン（ＴｉＮ）
と窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の窒化物との混合あるい
は複合材料を用いた構造であることを特徴としたもので
ある。
て、前記電極を形成する材料が、窒化チタン（ＴｉＮ）
と窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の窒化物との混合あるい
は複合材料を用いた構造であることを特徴としたもので
ある。
【００１４】請求項４の発明は、請求項３の発明におい
て、前記窒化チタン（ＴｉＮ）と窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）の混合あるいは複合材料電極において、窒化アル
ミニウムの重量組成比率が３０％から５０％であること
を特徴としたものである。
て、前記窒化チタン（ＴｉＮ）と窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）の混合あるいは複合材料電極において、窒化アル
ミニウムの重量組成比率が３０％から５０％であること
を特徴としたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】（実施例１）図１は、請求項１，
２によって形成するインクジェットヘッドアクチュエー
タ部の断面概略図で、アクチュエータの主要部分は、電
極側シリコン基板１上に形成した熱酸化膜１1の凹部
に、窒化チタン及び窒化アルミニウムを積層構造とした
個別電極１2を配置し、その個別電極を、図３に示した
ように、保護膜１3で覆った構成の電極基板とし、この
電極基板と直接接合により接合されたシリコン振動板基
板２の電極に対向する部分を、液室２1及び振動板２2と
し形成した振動板基板２から構成される。
２によって形成するインクジェットヘッドアクチュエー
タ部の断面概略図で、アクチュエータの主要部分は、電
極側シリコン基板１上に形成した熱酸化膜１1の凹部
に、窒化チタン及び窒化アルミニウムを積層構造とした
個別電極１2を配置し、その個別電極を、図３に示した
ように、保護膜１3で覆った構成の電極基板とし、この
電極基板と直接接合により接合されたシリコン振動板基
板２の電極に対向する部分を、液室２1及び振動板２2と
し形成した振動板基板２から構成される。
【００１６】図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、本発明による
電極基板の形成フロー例を示す図であるが、個別電極埋
め込みのための段差パターン形成及び保護絶縁膜形成の
フローは、図４（Ａ），（Ｂ）及び図５（Ｇ），図６
（Ｈ），（Ｉ）に示した従来の窒化チタン単層電極と同
様であるため省略する。酸化膜段差パターン形成後、図
１（Ａ）に示すように、反応式スパッタにより、電極材
となる窒化チタン１2ａを０.１〜０.１５ｕｍ成膜す
る。続いて、窒化アルミニウム１2ｂを０.０５〜０.１
ｕｍ連続して全面に成膜する。窒化アルミニウム１2ｂ
の成膜は、純アルミニウムターゲットに対しＡｒ，Ｎ2
ガスをキャリアとして成膜する。以降、レジスト１4に
より電極パターンを形成し（図１（Ｂ））、プラズマエ
ッチングにより（図１（Ｃ））、窒化チタンと窒化アル
ミニウムの二層構造の個別電極を形成する（図１
（Ｄ））。これによって、耐酸化性の優れた窒化アルミ
ニウムが電極上層に存在するため、電極表面が酸化され
引き起きる電極保護膜の剥れなどの問題が解消される。
電極基板の形成フロー例を示す図であるが、個別電極埋
め込みのための段差パターン形成及び保護絶縁膜形成の
フローは、図４（Ａ），（Ｂ）及び図５（Ｇ），図６
（Ｈ），（Ｉ）に示した従来の窒化チタン単層電極と同
様であるため省略する。酸化膜段差パターン形成後、図
１（Ａ）に示すように、反応式スパッタにより、電極材
となる窒化チタン１2ａを０.１〜０.１５ｕｍ成膜す
る。続いて、窒化アルミニウム１2ｂを０.０５〜０.１
ｕｍ連続して全面に成膜する。窒化アルミニウム１2ｂ
の成膜は、純アルミニウムターゲットに対しＡｒ，Ｎ2
ガスをキャリアとして成膜する。以降、レジスト１4に
より電極パターンを形成し（図１（Ｂ））、プラズマエ
ッチングにより（図１（Ｃ））、窒化チタンと窒化アル
ミニウムの二層構造の個別電極を形成する（図１
（Ｄ））。これによって、耐酸化性の優れた窒化アルミ
ニウムが電極上層に存在するため、電極表面が酸化され
引き起きる電極保護膜の剥れなどの問題が解消される。
【００１７】（実施例２）図２は、請求項３，４によっ
て形成されインクジェットヘッドアクチュエータ部の断
面概図を示す図であるが、基本的な構成は、従来の窒化
チタン単層電極と同様であり、電極材に窒化チタンと窒
化アルミニウムの混合あるいは複合材料１ 2ｃを用いる
ことが特徴である。
て形成されインクジェットヘッドアクチュエータ部の断
面概図を示す図であるが、基本的な構成は、従来の窒化
チタン単層電極と同様であり、電極材に窒化チタンと窒
化アルミニウムの混合あるいは複合材料１ 2ｃを用いる
ことが特徴である。
【００１８】酸化膜段差パターン形成後、図２（Ａ）に
示すように、反応式スパッタにより、電極材となる窒化
チタンと窒化アルミニウムの混合材料１2ｃを０.１５〜
０.２ｕｍ全面に成膜する。窒化チタンと窒化アルミニ
ウムの混合あるいは複合材料の成膜は、窒化チタンと窒
化アルミニウムを複合したターゲット（例：モザイクタ
ーゲット）を用いることで成膜する。以降、図２（Ｂ）
〜図２（Ｄ）に示すように、レジスト１4により電極パ
ターンを形成し（図２（Ｂ））、プラズマエッチングに
より（図２（Ｃ））、個別電極を形成する（図２
（Ｄ））。窒化チタン中のと窒化アルミニウムの含有量
は３０％から５０％程度で、窒化アルミニウム単層膜と
ほぼ同等の耐酸化性が得られ、効果が見られる。
示すように、反応式スパッタにより、電極材となる窒化
チタンと窒化アルミニウムの混合材料１2ｃを０.１５〜
０.２ｕｍ全面に成膜する。窒化チタンと窒化アルミニ
ウムの混合あるいは複合材料の成膜は、窒化チタンと窒
化アルミニウムを複合したターゲット（例：モザイクタ
ーゲット）を用いることで成膜する。以降、図２（Ｂ）
〜図２（Ｄ）に示すように、レジスト１4により電極パ
ターンを形成し（図２（Ｂ））、プラズマエッチングに
より（図２（Ｃ））、個別電極を形成する（図２
（Ｄ））。窒化チタン中のと窒化アルミニウムの含有量
は３０％から５０％程度で、窒化アルミニウム単層膜と
ほぼ同等の耐酸化性が得られ、効果が見られる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１及び請求項２に記載の発明によ
れば、窒化チタンと窒化アルミニウムの二層構造の個別
電極が形成でき、これによって、耐酸化性の優れた窒化
アルミニウムが電極上層に存在するため、電極表面が酸
化されることによって引き起こされる電極保護膜の剥れ
などの問題が解消され、安定した品質のインクジェット
ヘッドが製造可能である。
れば、窒化チタンと窒化アルミニウムの二層構造の個別
電極が形成でき、これによって、耐酸化性の優れた窒化
アルミニウムが電極上層に存在するため、電極表面が酸
化されることによって引き起こされる電極保護膜の剥れ
などの問題が解消され、安定した品質のインクジェット
ヘッドが製造可能である。
【００２０】請求項３及び４に記載の発明によれば、窒
化チタンと窒化アルミニウムの混合あるいは複合材料で
構成される個別電極が形成できる。これによって、従来
の窒化チタン単層電極と比較して、耐酸化性に優れるこ
とから、電極表面が酸化されることによって引き起こさ
れる電極保護膜の剥れなどの問題が解消され、安定した
品質のインクジェットヘッドが製造可能である。
化チタンと窒化アルミニウムの混合あるいは複合材料で
構成される個別電極が形成できる。これによって、従来
の窒化チタン単層電極と比較して、耐酸化性に優れるこ
とから、電極表面が酸化されることによって引き起こさ
れる電極保護膜の剥れなどの問題が解消され、安定した
品質のインクジェットヘッドが製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるインクジェットヘッドの電極基
板形成フローの一例を説明するための要部工程図であ
る。
板形成フローの一例を説明するための要部工程図であ
る。
【図２】 本発明によるインクジェットヘッドの電極基
板形成フローの他の例を説明するための要部工程図であ
る。
板形成フローの他の例を説明するための要部工程図であ
る。
【図３】 従来のインクジェットヘッドアクチュエータ
部の単一ノズルの短辺方向の断面概略図である。
部の単一ノズルの短辺方向の断面概略図である。
【図４】 窒化チタンを個別電極に用いた従来のインク
ジェットヘッドの形成フローの一部を示す図である。
ジェットヘッドの形成フローの一部を示す図である。
【図５】 図４に示したフローに続くインクジェットヘ
ッドの形成フローの一部を示す図である。
ッドの形成フローの一部を示す図である。
【図６】 図５に示したフローに続くインクジェットヘ
ッドの形成フローを示す図である。
ッドの形成フローを示す図である。
【図７】 従来の窒化チタン電極形成フローにおける問
題点を説明するための図である。
題点を説明するための図である。
１…電極側Ｓｉ基板、１1…熱酸化膜、１2…電極材、１
2ａ…ＴｉＮ電極材、１2ｂ…ＡｌＮ電極材、１2ｃ…Ａ
ｌＮ/ＴｉＮ合金材、１3…電極保護膜、１4〜１6…レジ
スト、１7…ＴｉＮ酸化物、２…振動板側Ｓｉ基板、２1
…液室、２2…振動板、Ａ…ギャップ。
2ａ…ＴｉＮ電極材、１2ｂ…ＡｌＮ電極材、１2ｃ…Ａ
ｌＮ/ＴｉＮ合金材、１3…電極保護膜、１4〜１6…レジ
スト、１7…ＴｉＮ酸化物、２…振動板側Ｓｉ基板、２1
…液室、２2…振動板、Ａ…ギャップ。
Claims (4)
- 【請求項１】 記録液を吐出するノズルに連通する液室
の一部を構成する振動板と、該振動板に対してギャップ
を介して個別電極が対向配置された電極基板とを有し、
前記振動板と前記電極基板に設けられた電極間に電圧を
印加し、前記振動板を静電力により変形させて前記液室
内の記録液を加圧し、該記録液を前記ノズルから吐出さ
せて記録媒体に記録を行うインクジェット記録ヘッドに
おいて、前記電極を、融解温度が摂氏１５００度以上を
有する高融点金属材料または高融点金属の窒化物と、窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いた材料で構成すること
を特徴とするインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項２】 前記電極を形成する高融点金属材料は、
チタン（Ｔｉ）あるいは窒化チタン（ＴｉＮ）と、窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）を積層した二層構造であること
を特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッ
ド。 - 【請求項３】 前記電極を形成する材料は、窒化チタン
（ＴｉＮ）と窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の窒化物との
混合あるいは複合材料を用いた構造であることを特徴と
する請求項１記載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項４】 前記窒化チタン（ＴｉＮ）と窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）の混合あるいは複合材料電極におい
て、窒化アルミニウムの重量組成比率が３０％から５０
％であることを特徴とする請求項３記載のインクジェッ
ト記録ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001042964A JP2002240271A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | インクジェット記録ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001042964A JP2002240271A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | インクジェット記録ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002240271A true JP2002240271A (ja) | 2002-08-28 |
Family
ID=18905203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001042964A Pending JP2002240271A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | インクジェット記録ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002240271A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110266594A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Commiss. A L'energie Atom. Et Aux Energ. Alterna. | Method for obtaining a layer of aln having substantially vertical sides |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001042964A patent/JP2002240271A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110266594A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Commiss. A L'energie Atom. Et Aux Energ. Alterna. | Method for obtaining a layer of aln having substantially vertical sides |
| FR2959597A1 (fr) * | 2010-04-30 | 2011-11-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour obtenir une couche d'aln a flancs sensiblement verticaux |
| JP2011236121A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-24 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を得る方法 |
| EP2383775A3 (fr) * | 2010-04-30 | 2012-11-07 | Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives | Procédée pour obtenir une couche d'A1N à flancs sensiblement verticaux |
| US8460987B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-06-11 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method for obtaining a layer of AlN having substantially vertical sides |
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