JP2002237541A - ＳｉＧｅＢｉＣＭＯＳ集積化技法によるポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの形成方法 - Google Patents
ＳｉＧｅＢｉＣＭＯＳ集積化技法によるポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＭＯＳまたはＢｉＣＭＯＳ集積回路で使用
される、複雑でなく安価なポリシリコン−ポリシリコン
間キャパシタを形成する方法を提供すること。 【解決手段】 ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポ
リシリコン−ポリシリコン間キャパシタを形成する方法
が、ＣＭＯＳトランジスタのゲート電極の付着の間に、
ポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの下部プレー
ト電極を形成するステップと、ヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタのＳｉＧｅベース領域の成長の間に、上部
ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップとを含む。
される、複雑でなく安価なポリシリコン−ポリシリコン
間キャパシタを形成する方法を提供すること。 【解決手段】 ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポ
リシリコン−ポリシリコン間キャパシタを形成する方法
が、ＣＭＯＳトランジスタのゲート電極の付着の間に、
ポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの下部プレー
ト電極を形成するステップと、ヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタのＳｉＧｅベース領域の成長の間に、上部
ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップとを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＢｉＣＭＯＳ（すな
わちバイポーラ相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ））
技術に関し、特に、ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・ト
ランジスタと一体化したポリシリコン−ポリシリコン間
キャパシタ、すなわちポリ−ポリ間キャパシタを形成す
る方法に関する。
わちバイポーラ相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ））
技術に関し、特に、ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・ト
ランジスタと一体化したポリシリコン−ポリシリコン間
キャパシタ、すなわちポリ−ポリ間キャパシタを形成す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子形成の分野において、ＣＭＯ
Ｓ及びＢｉＣＭＯＳ技術は、高度に複雑なアナログ／デ
ジタル・サブシステムを単一チップ上に集積化するため
に、広く使用されてきた。こうしたサブシステムでは、
高精度キャパシタが一般に要求される。
Ｓ及びＢｉＣＭＯＳ技術は、高度に複雑なアナログ／デ
ジタル・サブシステムを単一チップ上に集積化するため
に、広く使用されてきた。こうしたサブシステムでは、
高精度キャパシタが一般に要求される。
【０００３】幾つかのタイプのキャパシタが現在使用可
能であり、それらには拡散ポリ・キャパシタ、ポリ−ポ
リ間キャパシタ、金属−金属間キャパシタが含まれる。
今日の世代の集積素子の高精度キャパシタに対する要求
に応えるために、ポリ−ポリ間キャパシタがますます使
用されるようになった。
能であり、それらには拡散ポリ・キャパシタ、ポリ−ポ
リ間キャパシタ、金属−金属間キャパシタが含まれる。
今日の世代の集積素子の高精度キャパシタに対する要求
に応えるために、ポリ−ポリ間キャパシタがますます使
用されるようになった。
【０００４】その高精度にもかかわらず、ポリ−ポリ間
キャパシタは、高コストと理想的なキャパシタ特性との
間の歩み寄りである。なぜなら、これは比較的形成が容
易であり、拡散ポリ・キャパシタよりも優れた電気特性
を有するが、金属−金属間キャパシタに比べて劣る電気
特性を有するからである。しかしながら、金属−金属間
キャパシタは、ポリ−ポリ間キャパシタよりも形成する
のが困難である。
キャパシタは、高コストと理想的なキャパシタ特性との
間の歩み寄りである。なぜなら、これは比較的形成が容
易であり、拡散ポリ・キャパシタよりも優れた電気特性
を有するが、金属−金属間キャパシタに比べて劣る電気
特性を有するからである。しかしながら、金属−金属間
キャパシタは、ポリ−ポリ間キャパシタよりも形成する
のが困難である。
【０００５】更に、ポリ−ポリ間キャパシタは、ＭＯＳ
（すなわち拡散ポリ）キャパシタよりも、より線形なＶ
−Ｃ関係を有することが知られている。ＭＯＳキャパシ
タの誘電体は、高度にドープされた拡散領域上に熱的に
成長された酸化物から生じる。それにひきかえ、ポリ−
ポリ間キャパシタの誘電体は一般に、付着された化学気
相蒸着（ＣＶＤ）酸化物であり、信頼性要求が結果の酸
化物を、熱酸化物により実現されるよりも厚くする。従
って、一般にＭＯＳキャパシタでは、ポリ−ポリ間キャ
パシタに比べて、より高いキャパシタンス値が生じる。
（すなわち拡散ポリ）キャパシタよりも、より線形なＶ
−Ｃ関係を有することが知られている。ＭＯＳキャパシ
タの誘電体は、高度にドープされた拡散領域上に熱的に
成長された酸化物から生じる。それにひきかえ、ポリ−
ポリ間キャパシタの誘電体は一般に、付着された化学気
相蒸着（ＣＶＤ）酸化物であり、信頼性要求が結果の酸
化物を、熱酸化物により実現されるよりも厚くする。従
って、一般にＭＯＳキャパシタでは、ポリ−ポリ間キャ
パシタに比べて、より高いキャパシタンス値が生じる。
【０００６】ポリ−ポリ間キャパシタを形成する様々な
方法が知られているが、ほとんどの従来方法はＢｉＣＭ
ＯＳプロセス法との一体化には適していない。従来方法
のＢｉＣＭＯＳ一体化問題を鑑み、既存のポリシリコン
層及び従来のＢｉＣＭＯＳプロセスで使用されるマスキ
ング・ステップを用いて、ポリ−ポリ間キャパシタを形
成する新たな改善された方法を開発することが待望され
ている。特に、キャパシタの底部プレートがＭＯＳトラ
ンジスタのゲートから形成され、キャパシタの頂部プレ
ートが、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのベース
領域から形成される、ポリ−ポリ間キャパシタを形成す
る方法が開発されると非常に有益である。
方法が知られているが、ほとんどの従来方法はＢｉＣＭ
ＯＳプロセス法との一体化には適していない。従来方法
のＢｉＣＭＯＳ一体化問題を鑑み、既存のポリシリコン
層及び従来のＢｉＣＭＯＳプロセスで使用されるマスキ
ング・ステップを用いて、ポリ−ポリ間キャパシタを形
成する新たな改善された方法を開発することが待望され
ている。特に、キャパシタの底部プレートがＭＯＳトラ
ンジスタのゲートから形成され、キャパシタの頂部プレ
ートが、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのベース
領域から形成される、ポリ−ポリ間キャパシタを形成す
る方法が開発されると非常に有益である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＣＭ
ＯＳまたはＢｉＣＭＯＳ集積回路で使用される、複雑で
なく安価なポリ−ポリ間キャパシタを形成する方法を提
供することである。
ＯＳまたはＢｉＣＭＯＳ集積回路で使用される、複雑で
なく安価なポリ−ポリ間キャパシタを形成する方法を提
供することである。
【０００８】本発明の別の目的は、既存のポリシリコン
及びマスキング・ステップを使用し、ポリ−ポリ間キャ
パシタを形成することにより、ＢｉＣＭＯＳ素子へのポ
リ−ポリ間キャパシタの一体化を低コストで達成する方
法を提供することである。
及びマスキング・ステップを使用し、ポリ−ポリ間キャ
パシタを形成することにより、ＢｉＣＭＯＳ素子へのポ
リ−ポリ間キャパシタの一体化を低コストで達成する方
法を提供することである。
【０００９】更に本発明の別の目的は、ＢｉＣＭＯＳプ
ロセスにおいて、ＭＯＳトランジスタのゲート、及びバ
イポーラ・トランジスタのＳｉＧｅベース構造を形成す
るために一般に使用されるステップ及び構造を用いて、
ポリ−ポリ間キャパシタを形成する方法を提供すること
である。
ロセスにおいて、ＭＯＳトランジスタのゲート、及びバ
イポーラ・トランジスタのＳｉＧｅベース構造を形成す
るために一般に使用されるステップ及び構造を用いて、
ポリ−ポリ間キャパシタを形成する方法を提供すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】これらの及び他の目的及
び利点が、本発明の方法により達成される。すなわち、
キャパシタの下部ポリシリコン層が、ＣＭＯＳゲート電
極の付着の間に形成され、キャパシタの上部ＳｉＧｅポ
リシリコン層が、ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トラ
ンジスタのベース領域の成長の間に形成される。大まか
に言えば、本方法は、ＣＭＯＳトランジスタのゲート電
極の付着の間に、ポリ−ポリ間キャパシタの下部プレー
ト電極を形成するステップと、ヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタのＳｉＧｅベース領域の成長の間に、上部
ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップとを含む。
び利点が、本発明の方法により達成される。すなわち、
キャパシタの下部ポリシリコン層が、ＣＭＯＳゲート電
極の付着の間に形成され、キャパシタの上部ＳｉＧｅポ
リシリコン層が、ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トラ
ンジスタのベース領域の成長の間に形成される。大まか
に言えば、本方法は、ＣＭＯＳトランジスタのゲート電
極の付着の間に、ポリ−ポリ間キャパシタの下部プレー
ト電極を形成するステップと、ヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタのＳｉＧｅベース領域の成長の間に、上部
ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップとを含む。
【００１１】特に本発明の第１の実施例では、本方法は
次のステップ、すなわち、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）前記窒化物層の一部を除去し、第２の窒化物スペー
サを形成し、前記下部電極の一部を露出するステップ
と、 ｆ）前記下部電極の少なくとも前記露出部分上に、酸化
物層と、第２のポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む
膜スタックを形成するステップと、 ｇ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｈ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｉ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド（salici
de）化するステップとを含む。
次のステップ、すなわち、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）前記窒化物層の一部を除去し、第２の窒化物スペー
サを形成し、前記下部電極の一部を露出するステップ
と、 ｆ）前記下部電極の少なくとも前記露出部分上に、酸化
物層と、第２のポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む
膜スタックを形成するステップと、 ｇ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｈ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｉ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド（salici
de）化するステップとを含む。
【００１２】前記の処理ステップは、高キャパシタンス
のポリ−ポリ間キャパシタを形成するために使用され
る。或いは、構造をサリサイド化する前に、露出された
上部電極の一部上に、パターン化された保護窒化物層が
形成される。
のポリ−ポリ間キャパシタを形成するために使用され
る。或いは、構造をサリサイド化する前に、露出された
上部電極の一部上に、パターン化された保護窒化物層が
形成される。
【００１３】本発明の第２の実施例によれば、高電圧素
子が形成され、この方法は次のステップ、すなわち、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）少なくとも前記窒化物層上に、酸化物層と、第２の
ポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む膜スタックを形
成するステップと、 ｆ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｇ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｈ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド化するス
テップとを含む。
子が形成され、この方法は次のステップ、すなわち、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）少なくとも前記窒化物層上に、酸化物層と、第２の
ポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む膜スタックを形
成するステップと、 ｆ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｇ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｈ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド化するス
テップとを含む。
【００１４】第１の実施例の場合のように、パターン化
された保護窒化物層が、サリサイド化（salicidation）
以前に、露出された上部電極の少なくとも一部上に形成
される。
された保護窒化物層が、サリサイド化（salicidation）
以前に、露出された上部電極の少なくとも一部上に形成
される。
【００１５】ドープされた第１のポリシリコン層が、本
発明のポリ−ポリ間キャパシタの下部電極として作用
し、ドープされたＳｉＧｅ層が、ドープされた第２のポ
リシリコン層と共に、ポリ−ポリ間キャパシタの上部電
極として作用する。
発明のポリ−ポリ間キャパシタの下部電極として作用
し、ドープされたＳｉＧｅ層が、ドープされた第２のポ
リシリコン層と共に、ポリ−ポリ間キャパシタの上部電
極として作用する。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、ＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯ
Ｓプロセスと一体化されるポリ−ポリ間キャパシタを形
成する方法を提供し、添付の図面を参照して詳述するこ
とにする。図面を通じて、同一の及び対応する要素は、
同一の対応する参照番号で示される。更に本発明の図面
では、ＢｉＣＭＯＳ素子のキャパシタ素子だけが示され
る。ＣＭＯＳ及びバイポーラ素子領域は図面では示され
ないが、これらは図示されるキャパシタ素子に隣接する
領域内に形成される。
Ｓプロセスと一体化されるポリ−ポリ間キャパシタを形
成する方法を提供し、添付の図面を参照して詳述するこ
とにする。図面を通じて、同一の及び対応する要素は、
同一の対応する参照番号で示される。更に本発明の図面
では、ＢｉＣＭＯＳ素子のキャパシタ素子だけが示され
る。ＣＭＯＳ及びバイポーラ素子領域は図面では示され
ないが、これらは図示されるキャパシタ素子に隣接する
領域内に形成される。
【００１７】図１乃至図９を参照すると、本発明の第１
の実施例において使用される様々な処理ステップを経
る、高キャパシタンスのポリ−ポリ間キャパシタの形成
過程が示される。特に、図１は分離領域１２の一部上に
おける、第１のポリシリコン層１４の形成を示す。また
分離領域１２は、半導体基板１０上に形成される。半導
体基板１０は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ａｓ、ＩｎＰ、及び全ての他のIII／Ｖ化合物半導体を
含む、従来の半導体材料から構成される。Ｓｉ／Ｓｉま
たはＳｉ／ＳｉＧｅなどの積層基板も、ここでは考慮さ
れる。これらの半導体材料の中でも、半導体基板はＳｉ
から構成されることが好ましい。半導体基板は、最終Ｂ
ｉＣＭＯＳ構造内に存在するＭＯＳ素子のタイプに依存
するｐ型基板またはｎ型基板である。
の実施例において使用される様々な処理ステップを経
る、高キャパシタンスのポリ−ポリ間キャパシタの形成
過程が示される。特に、図１は分離領域１２の一部上に
おける、第１のポリシリコン層１４の形成を示す。また
分離領域１２は、半導体基板１０上に形成される。半導
体基板１０は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ａｓ、ＩｎＰ、及び全ての他のIII／Ｖ化合物半導体を
含む、従来の半導体材料から構成される。Ｓｉ／Ｓｉま
たはＳｉ／ＳｉＧｅなどの積層基板も、ここでは考慮さ
れる。これらの半導体材料の中でも、半導体基板はＳｉ
から構成されることが好ましい。半導体基板は、最終Ｂ
ｉＣＭＯＳ構造内に存在するＭＯＳ素子のタイプに依存
するｐ型基板またはｎ型基板である。
【００１８】分離領域はＬＯＣＯＳ（シリコンの局所酸
化）領域またはトレンチ分離領域であり、図１に示され
るようなトレンチ分離領域が好ましい。ＬＯＣＯＳ分離
が使用される場合、当業者には周知の従来の酸化プロセ
スが、分離領域１２を形成するために使用される。他
方、図１に示されるような分離領域１２がトレンチ分離
領域の場合、分離トレンチ領域が従来のリソグラフィ、
エッチング及びトレンチ・フィリングを用いて形成され
る。分離領域の形成は、当業者には周知の従来のプロセ
スを含むので、これに関する詳細についてはここでは述
べないことにする。
化）領域またはトレンチ分離領域であり、図１に示され
るようなトレンチ分離領域が好ましい。ＬＯＣＯＳ分離
が使用される場合、当業者には周知の従来の酸化プロセ
スが、分離領域１２を形成するために使用される。他
方、図１に示されるような分離領域１２がトレンチ分離
領域の場合、分離トレンチ領域が従来のリソグラフィ、
エッチング及びトレンチ・フィリングを用いて形成され
る。分離領域の形成は、当業者には周知の従来のプロセ
スを含むので、これに関する詳細についてはここでは述
べないことにする。
【００１９】第１のポリシリコン層１４は、後にポリ−
ポリ間キャパシタの下部電極となるが、ＣＭＯＳ素子領
域内にも形成され、ＣＭＯＳ素子領域内で、ＣＭＯＳ素
子のゲート電極として使用される。第１のポリシリコン
層１４は本発明では、従来の付着プロセス、すなわち化
学気相蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ励起ＣＶＤ、スパッタ
リング、化学溶液付着、または他の同様な付着プロセス
を用いて形成される。第１のポリシリコン層の厚さは異
なってもよいが、一般には第１のポリシリコン層は約５
００ 乃至約５０００ の厚さを有し、より好適には約
１０００ 乃至約２０００ の厚さである。
ポリ間キャパシタの下部電極となるが、ＣＭＯＳ素子領
域内にも形成され、ＣＭＯＳ素子領域内で、ＣＭＯＳ素
子のゲート電極として使用される。第１のポリシリコン
層１４は本発明では、従来の付着プロセス、すなわち化
学気相蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ励起ＣＶＤ、スパッタ
リング、化学溶液付着、または他の同様な付着プロセス
を用いて形成される。第１のポリシリコン層の厚さは異
なってもよいが、一般には第１のポリシリコン層は約５
００ 乃至約５０００ の厚さを有し、より好適には約
１０００ 乃至約２０００ の厚さである。
【００２０】次に、図２に示されるように第１のポリシ
リコン層の周囲に、第１の窒化物スペーサ１６が形成さ
れる。特に第１の窒化物スペーサ１６は、以前に形成さ
れた第１のポリシリコン層の露出された垂直端部上に形
成される。第１の窒化物スペーサは、Ｓｉ3Ｎ4などの従
来の窒化物材料から成り、ＣＶＤやプラズマ励起ＣＶ
Ｄ、或いは他の同様の付着プロセスなどの、従来の付着
プロセスにより形成され、続いてリソグラフィ及びエッ
チングが施される。第１の窒化物スペーサ１６の形成に
おいて使用されるエッチング・プロセスは、ポリシリコ
ンと比べて、窒化物を除去する高度な選択性を有する従
来のエッチング・プロセスである。
リコン層の周囲に、第１の窒化物スペーサ１６が形成さ
れる。特に第１の窒化物スペーサ１６は、以前に形成さ
れた第１のポリシリコン層の露出された垂直端部上に形
成される。第１の窒化物スペーサは、Ｓｉ3Ｎ4などの従
来の窒化物材料から成り、ＣＶＤやプラズマ励起ＣＶ
Ｄ、或いは他の同様の付着プロセスなどの、従来の付着
プロセスにより形成され、続いてリソグラフィ及びエッ
チングが施される。第１の窒化物スペーサ１６の形成に
おいて使用されるエッチング・プロセスは、ポリシリコ
ンと比べて、窒化物を除去する高度な選択性を有する従
来のエッチング・プロセスである。
【００２１】図３は、図２に示される構造上に第２の窒
化物層１８を形成した後の、ポリ−ポリ間キャパシタ構
造を示す。特に第２の窒化物層は、第１の窒化物スペー
サの形成において使用されたのと同一の、または異なる
従来の付着プロセスを用いて、第１のポリシリコン層１
４及び第１の窒化物スペーサ１６上に形成される。更に
第２の窒化物層は、第１の窒化物スペーサ１６と同一
の、または異なる窒化物含有材料から構成されてよい。
第２の窒化物層は、ポリ−ポリ間キャパシタの形成の間
に、隣接素子領域を保護する役目をする。
化物層１８を形成した後の、ポリ−ポリ間キャパシタ構
造を示す。特に第２の窒化物層は、第１の窒化物スペー
サの形成において使用されたのと同一の、または異なる
従来の付着プロセスを用いて、第１のポリシリコン層１
４及び第１の窒化物スペーサ１６上に形成される。更に
第２の窒化物層は、第１の窒化物スペーサ１６と同一
の、または異なる窒化物含有材料から構成されてよい。
第２の窒化物層は、ポリ−ポリ間キャパシタの形成の間
に、隣接素子領域を保護する役目をする。
【００２２】第２の窒化物層が適所に設けられると、第
１の導電性タイプ（Ｐ型またはＮ型）のイオン２０が、
第１のポリシリコン層１４内に注入され、ポリ−ポリ間
キャパシタの下部電極２２を形成する（図４参照）。ポ
リ−ポリ間キャパシタの下部電極を形成するために使用
されるイオン注入は、従来の注入エネルギで動作可能な
従来のイオン注入装置で行われる。この注入ステップで
使用されるドーパント・イオンの濃度は、当業者により
一般に使用される値内で変化し得る。更に、本発明のこ
のステップで使用されるドーパント・イオンのタイプ
は、形成される素子のタイプだけに依存する。
１の導電性タイプ（Ｐ型またはＮ型）のイオン２０が、
第１のポリシリコン層１４内に注入され、ポリ−ポリ間
キャパシタの下部電極２２を形成する（図４参照）。ポ
リ−ポリ間キャパシタの下部電極を形成するために使用
されるイオン注入は、従来の注入エネルギで動作可能な
従来のイオン注入装置で行われる。この注入ステップで
使用されるドーパント・イオンの濃度は、当業者により
一般に使用される値内で変化し得る。更に、本発明のこ
のステップで使用されるドーパント・イオンのタイプ
は、形成される素子のタイプだけに依存する。
【００２３】高キャパシタンスのポリ−ポリ間キャパシ
タを形成するために使用される本発明の第１の実施例に
よれば、第２の窒化物層が従来のリソグラフィを用いて
パターン化され、その後、ドープされたポリシリコンに
比べて、窒化物を除去する高度な選択性を有するエッチ
ング・プロセスが採用されて、第２の窒化物スペーサ２
４を形成する（図５参照）。具体的には、第２の窒化物
層１８がエッチングされて、第２の窒化物層内にウィン
ドウ２１を形成し、これが下側にある下部電極の一部を
露出する。
タを形成するために使用される本発明の第１の実施例に
よれば、第２の窒化物層が従来のリソグラフィを用いて
パターン化され、その後、ドープされたポリシリコンに
比べて、窒化物を除去する高度な選択性を有するエッチ
ング・プロセスが採用されて、第２の窒化物スペーサ２
４を形成する（図５参照）。具体的には、第２の窒化物
層１８がエッチングされて、第２の窒化物層内にウィン
ドウ２１を形成し、これが下側にある下部電極の一部を
露出する。
【００２４】次に図６に示されるように、図５に示され
る構造上に膜スタック３０が形成される。本発明によれ
ば、膜スタック３０は酸化物層３２、第２のポリシリコ
ン層３４、及びＳｉＧｅ層３６から成る。酸化物層３２
は本発明では、ＣＶＤなどの従来の付着プロセスにより
形成されるか、或いは従来の熱成長プロセスにより形成
される。酸化物層の厚さは異なり得るが、一般には膜ス
タック３０の酸化物層３２は、約５０ 乃至約２００
の厚さを有する。
る構造上に膜スタック３０が形成される。本発明によれ
ば、膜スタック３０は酸化物層３２、第２のポリシリコ
ン層３４、及びＳｉＧｅ層３６から成る。酸化物層３２
は本発明では、ＣＶＤなどの従来の付着プロセスにより
形成されるか、或いは従来の熱成長プロセスにより形成
される。酸化物層の厚さは異なり得るが、一般には膜ス
タック３０の酸化物層３２は、約５０ 乃至約２００
の厚さを有する。
【００２５】膜スタック３０のポリシリコン層３４は、
第１のポリシリコン層１４の形成において使用される付
着プロセスと同一の、または異なる付着プロセスを用い
て形成される。ポリシリコン層３４の厚さは異なり得る
が、一般には膜スタック３０の第２のポリシリコン層３
４は、約１００ 乃至約１０００ の厚さを有する。
第１のポリシリコン層１４の形成において使用される付
着プロセスと同一の、または異なる付着プロセスを用い
て形成される。ポリシリコン層３４の厚さは異なり得る
が、一般には膜スタック３０の第２のポリシリコン層３
４は、約１００ 乃至約１０００ の厚さを有する。
【００２６】膜スタック３０のＳｉＧｅ層３６は、従来
の付着プロセス、例えば超高真空化学気相蒸着（ＵＨＶ
ＣＶＤ：ultra-high vacuum chemical vapor depositio
n）、分子線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epit
axy）、急速加熱化学気相蒸着（ＲＴＣＶＤ：rapid the
rmal chemical vapor deposition）、またはプラズマ増
強化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ：plasma-enhanced chemic
al vapor deposition）などにより形成され、バイポー
ラ・トランジスタ領域（図示せず）のＳｉＧｅベース領
域を形成するために使用される。ＳｉＧｅの厚さは、特
定の厚さ範囲に制限されることはなく異なり得る。Ｓｉ
Ｇｅ層を形成するために使用される前記の付着プロセス
の各々は、当業者には周知の従来の条件の使用を含む。
これらの条件は、ＳｉＧｅ層の形成において使用される
付着プロセスのタイプに依存して変化し得る。
の付着プロセス、例えば超高真空化学気相蒸着（ＵＨＶ
ＣＶＤ：ultra-high vacuum chemical vapor depositio
n）、分子線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epit
axy）、急速加熱化学気相蒸着（ＲＴＣＶＤ：rapid the
rmal chemical vapor deposition）、またはプラズマ増
強化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ：plasma-enhanced chemic
al vapor deposition）などにより形成され、バイポー
ラ・トランジスタ領域（図示せず）のＳｉＧｅベース領
域を形成するために使用される。ＳｉＧｅの厚さは、特
定の厚さ範囲に制限されることはなく異なり得る。Ｓｉ
Ｇｅ層を形成するために使用される前記の付着プロセス
の各々は、当業者には周知の従来の条件の使用を含む。
これらの条件は、ＳｉＧｅ層の形成において使用される
付着プロセスのタイプに依存して変化し得る。
【００２７】露出された下部電極２２上に膜スタック３
０が形成された後、ＳｉＧｅ層３６及び第２のポリシリ
コン層３４がイオン注入プロセスにさらされ、第１の導
電性タイプとは異なる第２の導電性タイプのイオン３８
が、層３６及び３４内に注入される。具体的には、前記
の第２のイオン注入ステップは、従来の注入エネルギで
動作可能な従来のイオン注入装置内で行われる。この注
入ステップで使用されるドーパント・イオンの濃度、す
なわち層３６及び３４のドーピングは、第１のポリシリ
コン層に注入されたドーパントのタイプに依存して異な
り得る。ドープ層４０を形成する本発明のこのステップ
が図７に示される。ドープ層４０は、ＳｉＧｅ層３６と
第２のポリシリコン層３４との組み合わせである。更
に、ドープ層４０は本発明のポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極として作用する。
０が形成された後、ＳｉＧｅ層３６及び第２のポリシリ
コン層３４がイオン注入プロセスにさらされ、第１の導
電性タイプとは異なる第２の導電性タイプのイオン３８
が、層３６及び３４内に注入される。具体的には、前記
の第２のイオン注入ステップは、従来の注入エネルギで
動作可能な従来のイオン注入装置内で行われる。この注
入ステップで使用されるドーパント・イオンの濃度、す
なわち層３６及び３４のドーピングは、第１のポリシリ
コン層に注入されたドーパントのタイプに依存して異な
り得る。ドープ層４０を形成する本発明のこのステップ
が図７に示される。ドープ層４０は、ＳｉＧｅ層３６と
第２のポリシリコン層３４との組み合わせである。更
に、ドープ層４０は本発明のポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極として作用する。
【００２８】ＳｉＧｅ層３６及び第２のポリシリコン層
３４を第２の導電性タイプのイオンによりドープした
後、ドープ層４０（すなわちドープされたＳｉＧｅ層及
び第２のポリシリコン層）が、従来のリソグラフィ及び
エッチング・プロセスにさらされ、ドープされたＳｉＧ
ｅ層及び第２のポリシリコン層が上部電極４０にパター
ン化されて、図８に示される構造が形成される。ドープ
されたＳｉＧｅ層及び第２のポリシリコン層のエッチン
グの間、下側にある酸化物層の一部もエッチングされ得
る。
３４を第２の導電性タイプのイオンによりドープした
後、ドープ層４０（すなわちドープされたＳｉＧｅ層及
び第２のポリシリコン層）が、従来のリソグラフィ及び
エッチング・プロセスにさらされ、ドープされたＳｉＧ
ｅ層及び第２のポリシリコン層が上部電極４０にパター
ン化されて、図８に示される構造が形成される。ドープ
されたＳｉＧｅ層及び第２のポリシリコン層のエッチン
グの間、下側にある酸化物層の一部もエッチングされ得
る。
【００２９】本発明のこのステップに続き、上部電極す
なわちドープ層４０が、任意的に、別のイオン注入プロ
セスにさらされ、追加の第２のイオンが上部電極に注入
される。この任意的な追加の注入ステップは、ＣＭＯＳ
素子領域内にソース及びドレイン領域（図示せず）を形
成する。図９は、上部電極の露出面が従来のサリサイド
化プロセスにさらされ、サリサイド領域４２が形成され
た後の構造を示す。サリサイド化プロセスは、自己整合
的にシリサイド、つまりケイ化物を形成するプロセスで
あり、当業者には周知の従来のアニーリング温度及び時
間により行われる。
なわちドープ層４０が、任意的に、別のイオン注入プロ
セスにさらされ、追加の第２のイオンが上部電極に注入
される。この任意的な追加の注入ステップは、ＣＭＯＳ
素子領域内にソース及びドレイン領域（図示せず）を形
成する。図９は、上部電極の露出面が従来のサリサイド
化プロセスにさらされ、サリサイド領域４２が形成され
た後の構造を示す。サリサイド化プロセスは、自己整合
的にシリサイド、つまりケイ化物を形成するプロセスで
あり、当業者には周知の従来のアニーリング温度及び時
間により行われる。
【００３０】図１０乃至図１１は、サリサイド化プロセ
スを行う前に、本発明の第１の方法で使用される追加の
処理ステップを示す。具体的には、図１０では図９の構
造において、ポリ−ポリ間キャパシタの水平面上にパタ
ーン化された保護窒化物層４４が形成される。パターン
化された保護層は、従来の付着プロセスにより形成さ
れ、続いてリソグラフィ及びエッチングが行われる。図
１１は、前述のサリサイド化プロセスを行った後の構造
を示す。
スを行う前に、本発明の第１の方法で使用される追加の
処理ステップを示す。具体的には、図１０では図９の構
造において、ポリ−ポリ間キャパシタの水平面上にパタ
ーン化された保護窒化物層４４が形成される。パターン
化された保護層は、従来の付着プロセスにより形成さ
れ、続いてリソグラフィ及びエッチングが行われる。図
１１は、前述のサリサイド化プロセスを行った後の構造
を示す。
【００３１】図１２乃至図１９は、本発明の第２の実施
例を示し、そこでは第２の窒化物層１８が様々な処理ス
テップを通じて構造内に残される。その結果、高電圧ポ
リ−ポリ間キャパシタ素子が生成される。具体的には、
図１２乃至図１５で示される構造を形成するために使用
される処理ステップは、図１乃至図４で示される処理ス
テップと同一である。図５で示されるように、窒化物層
をエッチングする代わりに、本発明のこの実施例の窒化
物層はエッチングされず、膜スタック３０がそれ上に前
述の処理ステップを用いて形成され、図１６に示される
構造が提供される。図１７乃至図１９は、ポリ−ポリ間
キャパシタが第２の窒化物層１８を含む以外は図７乃至
図９と同一である。
例を示し、そこでは第２の窒化物層１８が様々な処理ス
テップを通じて構造内に残される。その結果、高電圧ポ
リ−ポリ間キャパシタ素子が生成される。具体的には、
図１２乃至図１５で示される構造を形成するために使用
される処理ステップは、図１乃至図４で示される処理ス
テップと同一である。図５で示されるように、窒化物層
をエッチングする代わりに、本発明のこの実施例の窒化
物層はエッチングされず、膜スタック３０がそれ上に前
述の処理ステップを用いて形成され、図１６に示される
構造が提供される。図１７乃至図１９は、ポリ−ポリ間
キャパシタが第２の窒化物層１８を含む以外は図７乃至
図９と同一である。
【００３２】図２０乃至図２１は、パターン化された保
護窒化物層が使用される、本発明の第２の実施例の任意
的なステップを示す。
護窒化物層が使用される、本発明の第２の実施例の任意
的なステップを示す。
【００３３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３４】（１）ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化され
たポリシリコン−ポリシリコン間（以下、ポリ−ポリ間
と称す）キャパシタを形成する方法であって、ＣＭＯＳ
トランジスタのゲート電極の付着の間に、前記ポリ−ポ
リ間キャパシタの下部プレート電極を形成するステップ
と、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのＳｉＧｅベ
ース領域の成長の間に、上部ＳｉＧｅプレート電極を形
成するステップとを含む方法。 （２）前記下部プレート電極が、前記ポリ−ポリ間キャ
パシタが形成される素子領域内の分離領域の一部上に、
第１のポリシリコン層を形成するステップと、前記第１
のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物スペーサを形
成するステップと、前記第１のポリシリコン層及び前記
第１の窒化物スペーサ上に、窒化物層を付着するステッ
プと、前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイ
プのイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの前
記下部プレート電極を形成するステップとにより形成さ
れる、前記（１）記載の方法。 （３）前記上部ＳｉＧｅプレート電極が、前記窒化物層
の一部を除去し、第２の窒化物スペーサを形成し、前記
下部プレート電極の一部を露出するステップと、前記下
部プレート電極の少なくとも前記露出部分上に、酸化物
層と、第２のポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む膜
スタックを形成するステップと、前記第１の導電性タイ
プとは異なる第２の導電性タイプのイオンを、前記Ｓｉ
Ｇｅ層及び前記第２のポリシリコン層内に注入するステ
ップと、少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリ
シリコン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシ
タの前記上部ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップ
と、前記上部ＳｉＧｅプレート電極の全ての露出面をサ
リサイド化するステップとにより形成される、前記
（２）記載の方法。 （４）サリサイド化以前に、パターン化された保護窒化
物層が、前記上部ＳｉＧｅプレート電極の一部上に形成
される、前記（３）記載の方法。 （５）前記上部ＳｉＧｅプレート電極が、少なくとも前
記窒化物層上に、酸化物層と、第２のポリシリコン層
と、ＳｉＧｅ層とを含む膜スタックを形成するステップ
と、前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、少なくとも前記Ｓｉ
Ｇｅ層及び前記第２のポリシリコン層をエッチングし、
前記ポリ−ポリ間キャパシタの前記上部ＳｉＧｅプレー
ト電極を形成するステップと、前記上部ＳｉＧｅプレー
ト電極の全ての露出面をサリサイド化するステップとに
より形成される、前記（２）記載の方法。 （６）サリサイド化以前に、パターン化された保護窒化
物層が、前記上部ＳｉＧｅプレート電極の一部上に形成
される、前記（５）記載の方法。 （７）ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリ−ポリ
間キャパシタを形成する方法であって、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）前記窒化物層の一部を除去し、第２の窒化物スペー
サを形成し、前記下部電極の一部を露出するステップ
と、 ｆ）前記下部電極の少なくとも前記露出部分上に、酸化
物層と、第２のポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む
膜スタックを形成するステップと、 ｇ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｈ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｉ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド化するス
テップとを含む方法。 （８）サリサイド化以前に、パターン化された保護窒化
物層が、露出された前記上部電極の一部上に形成され
る、前記（７）記載の方法。 （９）前記第１のポリシリコン層が、化学気相蒸着（Ｃ
ＶＤ）、プラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及び化
学溶液付着を含むグループから選択される付着プロセス
により形成される、前記（７）記載の方法。 （１０）前記第１の窒化スペーサが付着及びエッチング
により形成される、前記（７）記載の方法。 （１１）前記窒化物層が、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、プ
ラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及び化学溶液付着
から選択される付着プロセスにより形成される、前記
（７）記載の方法。 （１２）ステップｆ）で提供される前記ＳｉＧｅ層が、
超高真空化学気相蒸着（ＵＨＶＣＶＤ）、分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）、急速加熱化学気相蒸着（ＲＴＣＶ
Ｄ）、またはプラズマ増強化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）
を含むグループから選択される付着プロセスにより形成
される、前記（１）記載の方法。 （１３）ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリ−ポ
リ間キャパシタを形成する方法であって、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）少なくとも前記窒化物層上に、酸化物層と、第２の
ポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む膜スタックを形
成するステップと、 ｆ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｇ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｈ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド化するス
テップとを含む方法。 （１４）サリサイド化以前に、パターン化された保護窒
化物層が、露出された前記上部電極の一部上に形成され
る、前記（１３）記載の方法。 （１５）前記第１のポリシリコン層が、化学気相蒸着
（ＣＶＤ）、プラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及
び化学溶液付着を含むグループから選択される付着プロ
セスにより形成される、前記（１３）記載の方法。 （１６）前記第１の窒化スペーサが付着及びエッチング
により形成される、前記（１３）記載の方法。 （１７）前記窒化物層が、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、プ
ラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及び化学溶液付着
から選択される付着プロセスにより形成される、前記
（１３）記載の方法。 （１８）ステップｅ）で提供される前記ＳｉＧｅ層が、
超高真空化学気相蒸着（ＵＨＶＣＶＤ）、分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）、急速加熱化学気相蒸着（ＲＴＣＶ
Ｄ）、またはプラズマ増強化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）
を含むグループから選択される付着プロセスにより形成
される、前記（１３）記載の方法。
たポリシリコン−ポリシリコン間（以下、ポリ−ポリ間
と称す）キャパシタを形成する方法であって、ＣＭＯＳ
トランジスタのゲート電極の付着の間に、前記ポリ−ポ
リ間キャパシタの下部プレート電極を形成するステップ
と、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのＳｉＧｅベ
ース領域の成長の間に、上部ＳｉＧｅプレート電極を形
成するステップとを含む方法。 （２）前記下部プレート電極が、前記ポリ−ポリ間キャ
パシタが形成される素子領域内の分離領域の一部上に、
第１のポリシリコン層を形成するステップと、前記第１
のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物スペーサを形
成するステップと、前記第１のポリシリコン層及び前記
第１の窒化物スペーサ上に、窒化物層を付着するステッ
プと、前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイ
プのイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの前
記下部プレート電極を形成するステップとにより形成さ
れる、前記（１）記載の方法。 （３）前記上部ＳｉＧｅプレート電極が、前記窒化物層
の一部を除去し、第２の窒化物スペーサを形成し、前記
下部プレート電極の一部を露出するステップと、前記下
部プレート電極の少なくとも前記露出部分上に、酸化物
層と、第２のポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む膜
スタックを形成するステップと、前記第１の導電性タイ
プとは異なる第２の導電性タイプのイオンを、前記Ｓｉ
Ｇｅ層及び前記第２のポリシリコン層内に注入するステ
ップと、少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリ
シリコン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシ
タの前記上部ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップ
と、前記上部ＳｉＧｅプレート電極の全ての露出面をサ
リサイド化するステップとにより形成される、前記
（２）記載の方法。 （４）サリサイド化以前に、パターン化された保護窒化
物層が、前記上部ＳｉＧｅプレート電極の一部上に形成
される、前記（３）記載の方法。 （５）前記上部ＳｉＧｅプレート電極が、少なくとも前
記窒化物層上に、酸化物層と、第２のポリシリコン層
と、ＳｉＧｅ層とを含む膜スタックを形成するステップ
と、前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、少なくとも前記Ｓｉ
Ｇｅ層及び前記第２のポリシリコン層をエッチングし、
前記ポリ−ポリ間キャパシタの前記上部ＳｉＧｅプレー
ト電極を形成するステップと、前記上部ＳｉＧｅプレー
ト電極の全ての露出面をサリサイド化するステップとに
より形成される、前記（２）記載の方法。 （６）サリサイド化以前に、パターン化された保護窒化
物層が、前記上部ＳｉＧｅプレート電極の一部上に形成
される、前記（５）記載の方法。 （７）ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリ−ポリ
間キャパシタを形成する方法であって、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）前記窒化物層の一部を除去し、第２の窒化物スペー
サを形成し、前記下部電極の一部を露出するステップ
と、 ｆ）前記下部電極の少なくとも前記露出部分上に、酸化
物層と、第２のポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む
膜スタックを形成するステップと、 ｇ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｈ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｉ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド化するス
テップとを含む方法。 （８）サリサイド化以前に、パターン化された保護窒化
物層が、露出された前記上部電極の一部上に形成され
る、前記（７）記載の方法。 （９）前記第１のポリシリコン層が、化学気相蒸着（Ｃ
ＶＤ）、プラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及び化
学溶液付着を含むグループから選択される付着プロセス
により形成される、前記（７）記載の方法。 （１０）前記第１の窒化スペーサが付着及びエッチング
により形成される、前記（７）記載の方法。 （１１）前記窒化物層が、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、プ
ラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及び化学溶液付着
から選択される付着プロセスにより形成される、前記
（７）記載の方法。 （１２）ステップｆ）で提供される前記ＳｉＧｅ層が、
超高真空化学気相蒸着（ＵＨＶＣＶＤ）、分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）、急速加熱化学気相蒸着（ＲＴＣＶ
Ｄ）、またはプラズマ増強化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）
を含むグループから選択される付着プロセスにより形成
される、前記（１）記載の方法。 （１３）ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリ−ポ
リ間キャパシタを形成する方法であって、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）少なくとも前記窒化物層上に、酸化物層と、第２の
ポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む膜スタックを形
成するステップと、 ｆ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｇ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｈ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド化するス
テップとを含む方法。 （１４）サリサイド化以前に、パターン化された保護窒
化物層が、露出された前記上部電極の一部上に形成され
る、前記（１３）記載の方法。 （１５）前記第１のポリシリコン層が、化学気相蒸着
（ＣＶＤ）、プラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及
び化学溶液付着を含むグループから選択される付着プロ
セスにより形成される、前記（１３）記載の方法。 （１６）前記第１の窒化スペーサが付着及びエッチング
により形成される、前記（１３）記載の方法。 （１７）前記窒化物層が、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、プ
ラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及び化学溶液付着
から選択される付着プロセスにより形成される、前記
（１３）記載の方法。 （１８）ステップｅ）で提供される前記ＳｉＧｅ層が、
超高真空化学気相蒸着（ＵＨＶＣＶＤ）、分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）、急速加熱化学気相蒸着（ＲＴＣＶ
Ｄ）、またはプラズマ増強化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）
を含むグループから選択される付着プロセスにより形成
される、前記（１３）記載の方法。
【図１】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、分離領域１２の一部上
に第１のポリシリコン層１４を形成するステップを示す
横断面図である。
パシタの形成プロセスにおいて、分離領域１２の一部上
に第１のポリシリコン層１４を形成するステップを示す
横断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、第１のポリシリコン層
の周囲に、第１の窒化物スペーサ１６を形成するステッ
プを示す横断面図である。
パシタの形成プロセスにおいて、第１のポリシリコン層
の周囲に、第１の窒化物スペーサ１６を形成するステッ
プを示す横断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、 図２に示される構造
上に第２の窒化物層１８を形成するステップを示す横断
面図である。
パシタの形成プロセスにおいて、 図２に示される構造
上に第２の窒化物層１８を形成するステップを示す横断
面図である。
【図４】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、第１のポリシリコン層
１４内に第１の導電性タイプのイオン２０を注入し、ポ
リ−ポリ間キャパシタの下部電極２２を形成するステッ
プを示す横断面図である。
パシタの形成プロセスにおいて、第１のポリシリコン層
１４内に第１の導電性タイプのイオン２０を注入し、ポ
リ−ポリ間キャパシタの下部電極２２を形成するステッ
プを示す横断面図である。
【図５】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、第２の窒化物層１８を
パターン化し、その後エッチングして、第２の窒化物ス
ペーサ２４を形成するステップを示す横断面図である。
パシタの形成プロセスにおいて、第２の窒化物層１８を
パターン化し、その後エッチングして、第２の窒化物ス
ペーサ２４を形成するステップを示す横断面図である。
【図６】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、図５に示される構造上
に膜スタック３０を形成するステップを示す横断面図で
ある。
パシタの形成プロセスにおいて、図５に示される構造上
に膜スタック３０を形成するステップを示す横断面図で
ある。
【図７】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、第２の導電性タイプの
イオン３８の注入により、ドープ層４０を形成するステ
ップを示す横断面図である。
パシタの形成プロセスにおいて、第２の導電性タイプの
イオン３８の注入により、ドープ層４０を形成するステ
ップを示す横断面図である。
【図８】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、ドープ層４０をパター
ン化し、エッチングして、上部電極４０を形成するステ
ップを示す横断面図である。
パシタの形成プロセスにおいて、ドープ層４０をパター
ン化し、エッチングして、上部電極４０を形成するステ
ップを示す横断面図である。
【図９】本発明の第１の実施例に従うポリ−ポリ間キャ
パシタの形成プロセスにおいて、上部電極４０の露出面
をサリサイド化し、サリサイド領域４２を形成するステ
ップを示す横断面図である。
パシタの形成プロセスにおいて、上部電極４０の露出面
をサリサイド化し、サリサイド領域４２を形成するステ
ップを示す横断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施例において、図９の構造
のポリ−ポリ間キャパシタの水平面上に、パターン化さ
れた保護窒化物層４４を形成する、任意的なステップを
示す横断面図である。
のポリ−ポリ間キャパシタの水平面上に、パターン化さ
れた保護窒化物層４４を形成する、任意的なステップを
示す横断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施例において、サリサイド
化プロセスを行った後の構造を示す横断面図である。
化プロセスを行った後の構造を示す横断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施例に従うポリ−ポリ間キ
ャパシタの形成プロセスにおいて、分離領域１２の一部
上に第１のポリシリコン層１４を形成するステップを示
す横断面図である。
ャパシタの形成プロセスにおいて、分離領域１２の一部
上に第１のポリシリコン層１４を形成するステップを示
す横断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施例に従うポリ−ポリ間キ
ャパシタの形成プロセスにおいて、第１のポリシリコン
層の周囲に、第１の窒化物スペーサ１６を形成するステ
ップを示す横断面図である。
ャパシタの形成プロセスにおいて、第１のポリシリコン
層の周囲に、第１の窒化物スペーサ１６を形成するステ
ップを示す横断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施例に従うポリ−ポリ間キ
ャパシタの形成プロセスにおいて、 図２に示される構
造上に第２の窒化物層１８を形成するステップを示す横
断面図である。
ャパシタの形成プロセスにおいて、 図２に示される構
造上に第２の窒化物層１８を形成するステップを示す横
断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施例に従うポリ−ポリ間キ
ャパシタの形成プロセスにおいて、第１のポリシリコン
層１４内に第１の導電性タイプのイオン２０を注入し、
ポリ−ポリ間キャパシタの下部電極２２を形成するステ
ップを示す横断面図である。
ャパシタの形成プロセスにおいて、第１のポリシリコン
層１４内に第１の導電性タイプのイオン２０を注入し、
ポリ−ポリ間キャパシタの下部電極２２を形成するステ
ップを示す横断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施例に従うポリ−ポリ間キ
ャパシタの形成プロセスにおいて、図１５に示される構
造上に膜スタック３０を形成するステップを示す横断面
図である。
ャパシタの形成プロセスにおいて、図１５に示される構
造上に膜スタック３０を形成するステップを示す横断面
図である。
【図１７】本発明の第２の実施例に従うポリ−ポリ間キ
ャパシタの形成プロセスにおいて、第２の導電性タイプ
のイオン３８の注入により、ドープ層４０を形成するス
テップを示す横断面図である。
ャパシタの形成プロセスにおいて、第２の導電性タイプ
のイオン３８の注入により、ドープ層４０を形成するス
テップを示す横断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施例に従うポリ−ポリ間キ
ャパシタの形成プロセスにおいて、ドープ層４０をパタ
ーン化し、エッチングして、上部電極４０を形成するス
テップを示す横断面図である。
ャパシタの形成プロセスにおいて、ドープ層４０をパタ
ーン化し、エッチングして、上部電極４０を形成するス
テップを示す横断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施例に従うポリ−ポリ間キ
ャパシタの形成プロセスにおいて、上部電極４０の露出
面をサリサイド化し、サリサイド領域４２を形成するス
テップを示す横断面図である。
ャパシタの形成プロセスにおいて、上部電極４０の露出
面をサリサイド化し、サリサイド領域４２を形成するス
テップを示す横断面図である。
【図２０】本発明の第２の実施例において、図１９の構
造のポリ−ポリ間キャパシタの水平面上に、パターン化
された保護窒化物層４４を形成する、任意的なステップ
を示す横断面図である。
造のポリ−ポリ間キャパシタの水平面上に、パターン化
された保護窒化物層４４を形成する、任意的なステップ
を示す横断面図である。
【図２１】本発明の第２の実施例において、サリサイド
化プロセスを行った後の構造を示す横断面図である。
化プロセスを行った後の構造を示す横断面図である。
１０ 半導体基板 １２ 分離領域 １４ 第１のポリシリコン層 １６ 第１の窒化物スペーサ １８ 第２の窒化物層 ２０ 第１の導電性タイプのイオン ２１ ウィンドウ ２２ 下部電極 ２４ 第２の窒化物スペーサ ３０ 膜スタック ３２ 酸化物層 ３４ 第２のポリシリコン層 ３６ ＳｉＧｅ層 ３８ 第２の導電性タイプのイオン ４０ ドープ層（上部電極） ４２ サリサイド領域 ４４ 窒化物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダグラス・デュアン・クールバーグ アメリカ合衆国05452、バーモント州エセ ックス・ジャンクション、セージ・サーク ル 21 (72)発明者 ジェームス・スチュアート・ダン アメリカ合衆国05465、バーモント州ジェ リコー、オール・ロード 75 (72)発明者 ステファン・アーサー・セント・オン アメリカ合衆国05446、バーモント州コル チェスター、プアー・ファーム・ロード 94 Ｆターム(参考） 5F038 AC05 AC15 AV05 AV06 EZ02 EZ13 EZ14 EZ20 5F048 AA05 AA10 AC05 AC10 BA14 BA15 BB05 BB08 BF03 BF06 BF18 CA13 CA14 5F082 AA02 AA08 BA26 BC01 BC09 BC13 CA02 DA01 DA10 EA09 EA22 EA27
Claims (11)
- 【請求項１】ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリ
シリコン−ポリシリコン間（以下、ポリ−ポリ間と称
す）キャパシタを形成する方法であって、 ＣＭＯＳトランジスタのゲート電極の付着の間に、前記
ポリ−ポリ間キャパシタの下部プレート電極を形成する
ステップと、 ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのＳｉＧｅベース
領域の成長の間に、上部ＳｉＧｅプレート電極を形成す
るステップとを含む方法。 - 【請求項２】前記下部プレート電極が、 前記ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物スペ
ーサを形成するステップと、 前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物スペー
サ上に、窒化物層を付着するステップと、 前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプのイ
オンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの前記下部
プレート電極を形成するステップとにより形成される、
請求項１記載の方法。 - 【請求項３】前記上部ＳｉＧｅプレート電極が、 前記窒化物層の一部を除去し、第２の窒化物スペーサを
形成し、前記下部プレート電極の一部を露出するステッ
プと、 前記下部プレート電極の少なくとも前記露出部分上に、
酸化物層と、第２のポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを
含む膜スタックを形成するステップと、 前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タイプ
のイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリコ
ン層内に注入するステップと、 少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリコン
層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの前記
上部ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップと、 前記上部ＳｉＧｅプレート電極の全ての露出面をサリサ
イド化するステップとにより形成される、請求項２記載
の方法。 - 【請求項４】前記上部ＳｉＧｅプレート電極が、 少なくとも前記窒化物層上に、酸化物層と、第２のポリ
シリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む膜スタックを形成す
るステップと、 前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タイプ
のイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリコ
ン層内に注入するステップと、 少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリコン
層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの前記
上部ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップと、 前記上部ＳｉＧｅプレート電極の全ての露出面をサリサ
イド化するステップとにより形成される、請求項２記載
の方法。 - 【請求項５】サリサイド化以前に、パターン化された保
護窒化物層が、前記上部ＳｉＧｅプレート電極の一部上
に形成される、請求項３または請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリ
−ポリ間キャパシタを形成する方法であって、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）前記窒化物層の一部を除去し、第２の窒化物スペー
サを形成し、前記下部電極の一部を露出するステップ
と、 ｆ）前記下部電極の少なくとも前記露出部分上に、酸化
物層と、第２のポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む
膜スタックを形成するステップと、 ｇ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｈ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｉ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド化するス
テップとを含む方法。 - 【請求項７】ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリ
−ポリ間キャパシタを形成する方法であって、 ａ）ポリ−ポリ間キャパシタが形成される素子領域内の
分離領域の一部上に、第１のポリシリコン層を形成する
ステップと、 ｂ）前記第１のポリシリコン層の周囲に、第１の窒化物
スペーサを形成するステップと、 ｃ）前記第１のポリシリコン層及び前記第１の窒化物ス
ペーサ上に、窒化物層を付着するステップと、 ｄ）前記第１のポリシリコン層内に第１の導電性タイプ
のイオンを注入し、前記ポリ−ポリ間キャパシタの下部
電極を形成するステップと、 ｅ）少なくとも前記窒化物層上に、酸化物層と、第２の
ポリシリコン層と、ＳｉＧｅ層とを含む膜スタックを形
成するステップと、 ｆ）前記第１の導電性タイプとは異なる第２の導電性タ
イプのイオンを、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシ
リコン層内に注入するステップと、 ｇ）少なくとも前記ＳｉＧｅ層及び前記第２のポリシリ
コン層をエッチングし、前記ポリ−ポリ間キャパシタの
上部電極を形成するステップと、 ｈ）前記上部電極の全ての露出面をサリサイド化するス
テップとを含む方法。 - 【請求項８】サリサイド化以前に、パターン化された保
護窒化物層が、露出された前記上部電極の一部上に形成
される、請求項６または請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】前記第１のポリシリコン層が、化学気相蒸
着（ＣＶＤ）、プラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、
及び化学溶液付着を含むグループから選択される付着プ
ロセスにより形成される、請求項６または請求項７に記
載の方法。 - 【請求項１０】前記窒化物層が、化学気相蒸着（ＣＶ
Ｄ）、プラズマ励起ＣＶＤ、スパッタリング、及び化学
溶液付着から選択される付着プロセスにより形成され
る、請求項６または請求項７に記載の方法。 - 【請求項１１】前記ＳｉＧｅ層が、超高真空化学気相蒸
着（ＵＨＶＣＶＤ）、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）、急
速加熱化学気相蒸着（ＲＴＣＶＤ）、またはプラズマ増
強化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）を含むグループから選択
される付着プロセスにより形成される、請求項６または
請求項７に記載の方法。
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|---|---|---|---|
| US09/745,361 US6440811B1 (en) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | Method of fabricating a poly-poly capacitor with a SiGe BiCMOS integration scheme |
| US09/745361 | 2000-12-21 |
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|---|---|
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