JP2002233848A - Ｐｃｂの除去法 - Google Patents
Ｐｃｂの除去法Info
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- JP2002233848A JP2002233848A JP2001357865A JP2001357865A JP2002233848A JP 2002233848 A JP2002233848 A JP 2002233848A JP 2001357865 A JP2001357865 A JP 2001357865A JP 2001357865 A JP2001357865 A JP 2001357865A JP 2002233848 A JP2002233848 A JP 2002233848A
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-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
- A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
- A62D3/00—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances
- A62D3/20—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances by hydropyrolysis or destructive steam gasification, e.g. using water and heat or supercritical water, to effect chemical change
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
- A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
- A62D3/00—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances
- A62D3/30—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances by reacting with chemical agents
- A62D3/38—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances by reacting with chemical agents by oxidation; by combustion
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＣＢ、ＰＣＤＦ、ＰＣＤＤ、フランおよび
／またはこれらの化合物の混合物で汚染した部品から汚
染を加熱除去する改良された方法。 【解決手段】 この課題は、前記化合物で汚染した部品
から、以下の工程：排気可能な処理炉中に汚染した部品
を装入する工程、処理炉を排気する工程、および部品を
６００℃より高温に加熱し、これにより汚染を蒸発させ
る工程、を用いて汚染を加熱除去する方法で解決する。
更に、炉室の加熱の際に、水蒸気および／または水素を
供給する。 【効果】 迅速で、タール形成の少ない優れた方法が達
せられる。
／またはこれらの化合物の混合物で汚染した部品から汚
染を加熱除去する改良された方法。 【解決手段】 この課題は、前記化合物で汚染した部品
から、以下の工程：排気可能な処理炉中に汚染した部品
を装入する工程、処理炉を排気する工程、および部品を
６００℃より高温に加熱し、これにより汚染を蒸発させ
る工程、を用いて汚染を加熱除去する方法で解決する。
更に、炉室の加熱の際に、水蒸気および／または水素を
供給する。 【効果】 迅速で、タール形成の少ない優れた方法が達
せられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＣＢ、ＰＣＤ
Ｆ、ＰＣＤＤ、フランおよび／またはこれらの化合物の
混合物で汚染されている部品から汚染を加熱除去する方
法に関する。
Ｆ、ＰＣＤＤ、フランおよび／またはこれらの化合物の
混合物で汚染されている部品から汚染を加熱除去する方
法に関する。
【０００２】この方法は、例えばＰＣＢ、ＰＣＤＤおよ
びＰＣＦＤのような塩素化有機化合物で汚染された部材
および廃棄物質の汚染除去のために特に使用される。常
により厳しい環境条件および制限値が導入されることに
より、塩素化有機化合物で汚染された部材を浄化するこ
とのできる種々の方法がここ数年開発された。
びＰＣＦＤのような塩素化有機化合物で汚染された部材
および廃棄物質の汚染除去のために特に使用される。常
により厳しい環境条件および制限値が導入されることに
より、塩素化有機化合物で汚染された部材を浄化するこ
とのできる種々の方法がここ数年開発された。
【０００３】
【従来の技術】浄化法は、例えばＥＰ０４２３０３９Ａ
１中に記載されている。ＰＣＢを処理すべき装置から取
出し、引き続きこの装置を０.５バールより低い圧力
で、温度５００℃に加熱する。
１中に記載されている。ＰＣＢを処理すべき装置から取
出し、引き続きこの装置を０.５バールより低い圧力
で、温度５００℃に加熱する。
【０００４】その他の方法は、ＥＰ０６８２９４４Ａ１
中に記載されている。これによれば、ＰＣＢで汚染され
た部品を０.５バールより大きな圧力、有利には大気圧
付近で、温度４５０℃に加熱する。
中に記載されている。これによれば、ＰＣＢで汚染され
た部品を０.５バールより大きな圧力、有利には大気圧
付近で、温度４５０℃に加熱する。
【０００５】その他の開発はＤＥ４４３７３４５Ａ１に
記載されている。この方法においては、ＰＣＢ汚染物質
を低い酸素分圧で、しかし大気圧に近い絶対圧および温
度７０〜２００℃で処理する。
記載されている。この方法においては、ＰＣＢ汚染物質
を低い酸素分圧で、しかし大気圧に近い絶対圧および温
度７０〜２００℃で処理する。
【０００６】ＤＥ４２３１４０５Ａ１中には、ＰＣＢを
処理の前に汚染装置から廃棄する方法が記載されてい
る。予め油除去した装置を３００〜６００℃、有利には
３５０〜４５０℃に加熱する。処理の間、処理室をキャ
リヤーガスで洗浄し、蒸発したＰＣＢを処理室から廃棄
しなければならない。
処理の前に汚染装置から廃棄する方法が記載されてい
る。予め油除去した装置を３００〜６００℃、有利には
３５０〜４５０℃に加熱する。処理の間、処理室をキャ
リヤーガスで洗浄し、蒸発したＰＣＢを処理室から廃棄
しなければならない。
【０００７】ＥＰ０４２３０３９Ｂ１はＰＣＢで汚染さ
れている固体物質の汚染除去の方法を記載している。Ｐ
ＣＢを０.５バールより低い圧力で、有利には０.０１〜
０.５バールで、温度２００℃〜４９０℃、有利に２７
０℃〜３３０℃に加熱し、しかしながら決して５００℃
より高い温度に加熱しない。この温度を調節した場合、
処理時間は５〜３６時間、有利に８時間までである。
れている固体物質の汚染除去の方法を記載している。Ｐ
ＣＢを０.５バールより低い圧力で、有利には０.０１〜
０.５バールで、温度２００℃〜４９０℃、有利に２７
０℃〜３３０℃に加熱し、しかしながら決して５００℃
より高い温度に加熱しない。この温度を調節した場合、
処理時間は５〜３６時間、有利に８時間までである。
【０００８】前記の方法は、塩素化有機化合物を熱処理
の前に汚染した部材および装置から廃棄するという点で
一致する。この際、壁の汚染除去を記載するＤＥ４４３
７３４５Ａ１は例外である。
の前に汚染した部材および装置から廃棄するという点で
一致する。この際、壁の汚染除去を記載するＤＥ４４３
７３４５Ａ１は例外である。
【０００９】その他の方法は特許出願ＤＥ１９８３５７
４２Ａ１中に記載されている。この方法は、熱処理の前
にＰＣＢを汚染装置および部材から廃棄する必要がない
ことにより優れている。この処理は温度１００℃〜４０
０℃および圧力０.０１ミリバール〜１バールで行われ
る。全ての方法の共通な点は処理温度が４５０℃より低
い範囲または明らかに低い温度範囲にあるということで
ある。
４２Ａ１中に記載されている。この方法は、熱処理の前
にＰＣＢを汚染装置および部材から廃棄する必要がない
ことにより優れている。この処理は温度１００℃〜４０
０℃および圧力０.０１ミリバール〜１バールで行われ
る。全ての方法の共通な点は処理温度が４５０℃より低
い範囲または明らかに低い温度範囲にあるということで
ある。
【００１０】前記の方法では、新たな、更に厳しくなっ
た限界値の達成は経済的な方法でもはや不可能である。
た限界値の達成は経済的な方法でもはや不可能である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本願発明の課
題は、この点で改良された方法を提供することである。
題は、この点で改良された方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この課題は、ＰＣＢ、Ｐ
ＣＤＦ、ＰＣＤＤ、フランおよび／またはこれらの化合
物の混合物で汚染した部品から、以下の工程：排気可能
な処理炉中に汚染した部品を装入する工程、処理炉を排
気する工程、および部品を６００℃より高温に加熱し、
これにより汚染を蒸発させる工程、を用いて汚染を加熱
除去する方法で解決する。
ＣＤＦ、ＰＣＤＤ、フランおよび／またはこれらの化合
物の混合物で汚染した部品から、以下の工程：排気可能
な処理炉中に汚染した部品を装入する工程、処理炉を排
気する工程、および部品を６００℃より高温に加熱し、
これにより汚染を蒸発させる工程、を用いて汚染を加熱
除去する方法で解決する。
【００１３】意外にも、高い処理温度に調節することに
より、必要な厳しい限界値を達成することができるだけ
でなく、汚染部品の処理時間が２時間に短縮する。この
時間は、予加熱した処理炉中に部品を装入することによ
り、更に短縮することができる。
より、必要な厳しい限界値を達成することができるだけ
でなく、汚染部品の処理時間が２時間に短縮する。この
時間は、予加熱した処理炉中に部品を装入することによ
り、更に短縮することができる。
【００１４】ガス相中で有機物質を加熱する際に分解生
成物および増成生成物が形成されることは公知である。
しかしながら、このタール生成物は６００℃を越えた温
度で初めて形成されるわけではなく、すでに３００℃か
らの温度で形成され、この物質による導管、凝縮器、真
空ポンプの付着が生じるので、ガス精製における著しい
問題を惹起する。しかしながら、加熱の間、炉室に水蒸
気を導入する場合、タール状の廃棄物の形成、特に排ガ
ス管中での形成が明らかに最小限になることが確認され
た。この効果は炉室中への水素の供給によっても達成す
ることができる。
成物および増成生成物が形成されることは公知である。
しかしながら、このタール生成物は６００℃を越えた温
度で初めて形成されるわけではなく、すでに３００℃か
らの温度で形成され、この物質による導管、凝縮器、真
空ポンプの付着が生じるので、ガス精製における著しい
問題を惹起する。しかしながら、加熱の間、炉室に水蒸
気を導入する場合、タール状の廃棄物の形成、特に排ガ
ス管中での形成が明らかに最小限になることが確認され
た。この効果は炉室中への水素の供給によっても達成す
ることができる。
【００１５】更に、加熱の間、処理炉中に水蒸気または
水素の好適な組合せを供給する場合に有利であることが
示された。
水素の好適な組合せを供給する場合に有利であることが
示された。
【００１６】以下に、実施例を詳細に説明する。このた
めには、唯一の図で処理炉を図式的に示す。
めには、唯一の図で処理炉を図式的に示す。
【００１７】ＰＣＢ、ＰＣＤＦまたはＰＣＤＤでまたは
前記塩素化有機物質からなる組合せで汚染された部材ま
たは装置３（ここでは図式的に示した）を処理炉１中
の、加熱可能で、真空密の炉室２中に導入する。この部
材３は全く前処理されていない。炉室２を、真空領域の
作業圧で、すなわち１００ミリバールより低い圧力で取
り付けられた加熱装置４で６００℃より高温に、予加熱
する。加熱すべき部材３のできるだけ迅速な加熱を達成
するために、処理炉１中の温度を６００℃より高く調節
する。
前記塩素化有機物質からなる組合せで汚染された部材ま
たは装置３（ここでは図式的に示した）を処理炉１中
の、加熱可能で、真空密の炉室２中に導入する。この部
材３は全く前処理されていない。炉室２を、真空領域の
作業圧で、すなわち１００ミリバールより低い圧力で取
り付けられた加熱装置４で６００℃より高温に、予加熱
する。加熱すべき部材３のできるだけ迅速な加熱を達成
するために、処理炉１中の温度を６００℃より高く調節
する。
【００１８】この温度範囲で加熱すべき部材３への非常
に良好な熱貫流が、熱放射により可能である。ここで達
成可能な熱貫流率は、前述の方法中に記載されているよ
うな加熱法により達成することができる熱貫流率より明
らかに高い。
に良好な熱貫流が、熱放射により可能である。ここで達
成可能な熱貫流率は、前述の方法中に記載されているよ
うな加熱法により達成することができる熱貫流率より明
らかに高い。
【００１９】実施例としては、ここではＰＢＣで汚染さ
れた約１００ｋｇの質量を有する変圧器での実験を挙げ
ることができ、これは４００℃の処理温度で処理時間８
時間を必要とする。構成の同じ変圧器は処理温度９００
℃ですでに２時間後に僅かなＰＣＢ残留量に浄化され
る。
れた約１００ｋｇの質量を有する変圧器での実験を挙げ
ることができ、これは４００℃の処理温度で処理時間８
時間を必要とする。構成の同じ変圧器は処理温度９００
℃ですでに２時間後に僅かなＰＣＢ残留量に浄化され
る。
【００２０】ガス相中で有機物質を加熱する際に、分解
生成物および増成生成物が形成されることは公知であ
る。しかしながら、このタール生成物は６００℃を越え
る温度で初めて形成されるのではなく、３００℃からの
温度ですでにタール生成物を形成し、この物質による導
管、凝縮器および真空ポンプの接着が生じるので、ガス
管中での著しい問題を引き起こす。従って、加熱相にお
いて炉室中に水蒸気および水素を好適な混合比で供給管
５を介して供給し、これにより前記タール状の分解生成
物は生じないかまたは易揮発性の生成物として存在し、
この生成物は工程ガスとともに排ガス管６を介して排気
され、その際導管などを過剰に汚すことはない。
生成物および増成生成物が形成されることは公知であ
る。しかしながら、このタール生成物は６００℃を越え
る温度で初めて形成されるのではなく、３００℃からの
温度ですでにタール生成物を形成し、この物質による導
管、凝縮器および真空ポンプの接着が生じるので、ガス
管中での著しい問題を引き起こす。従って、加熱相にお
いて炉室中に水蒸気および水素を好適な混合比で供給管
５を介して供給し、これにより前記タール状の分解生成
物は生じないかまたは易揮発性の生成物として存在し、
この生成物は工程ガスとともに排ガス管６を介して排気
され、その際導管などを過剰に汚すことはない。
【００２１】生じた工程ガスは公知法で処理される。
【図１】本発明方法を実施する装置の概略図。
１ 処理炉、 ２ 炉室、 ３ 部品、 ４ 加熱装
置、 ５ 供給管、 ６排ガス管
置、 ５ 供給管、 ６排ガス管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 595039117 Ｗｉｌｈｅｌｍ−Ｒｏｈｎ−Ｓｔｒ．35, Ｄ−63450 Ｈａｎａｎ，Ｂ．Ｒ．Ｄｅｕ ｔｓｃｈｌａｎｄ (72)発明者 アルブレヒト メルバー ドイツ連邦共和国 ダルムシュタット ダ ルムシュトラーセ 25−27 Ｆターム(参考） 2E191 BA12 BD11 4D004 AA21 AB06 AB07 CA22 CA24 CB04 CB31 CC03 CC20 DA02 DA06 DA07 DA09 DA10 4H006 AA05
Claims (4)
- 【請求項１】 ＰＣＢ、ＰＣＤＦ、ＰＣＤＤ、フランお
よび／またはこれらの化合物の混合物で汚染した部品か
ら、以下の工程：排気可能な処理炉（１）中に汚染した
部品を装入する工程、処理炉（１）を排気する工程、お
よび部品（３）を６００℃より高温に加熱し、これによ
り汚染を蒸発させる工程、を用いて汚染を加熱除去する
方法。 - 【請求項２】 予加熱した処理炉（１）中に汚染した部
品を装入する、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 加熱の間、水蒸気を処理炉（１）中に供
給する、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 水素を処理炉（１）中に供給する、請求
項１から３までのいずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10058640.6 | 2000-11-25 | ||
| DE2000158640 DE10058640A1 (de) | 2000-11-25 | 2000-11-25 | Verfahren zur thermischen Dekontamination von mit PCB, PCDF, PCDD, Furanen und/oder einer Mischung dieser Verbindungen kontaminierten Teilen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002233848A true JP2002233848A (ja) | 2002-08-20 |
Family
ID=7664696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001357865A Pending JP2002233848A (ja) | 2000-11-25 | 2001-11-22 | Ｐｃｂの除去法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002233848A (ja) |
| DE (1) | DE10058640A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010115638A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-05-27 | Dowa Eco-System Co Ltd | Ｐｃｂ含有物の処理方法及びｐｃｂ含有物の処理装置 |
| US7776393B2 (en) | 2003-04-04 | 2010-08-17 | Kobe Steel, Ltd. | Methods of producing an alumina film mainly in alpha crystal structure and the multilayer film thereof |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1294111C (en) * | 1986-08-08 | 1992-01-14 | Douglas J. Hallett | Process for the destruction of organic waste material |
| DE3900268A1 (de) * | 1988-01-23 | 1989-08-03 | Herbert Greeb | Kontinuierliches verfahren und einrichtung zum zerstoeren von dioxinen und furanen in damit belasteten materialien |
| US5414203A (en) * | 1991-03-28 | 1995-05-09 | International Technology Corporation | Treatment of particulate material contaminated with polyhalogenated aromatics |
| DE4231405A1 (de) * | 1992-09-19 | 1994-03-31 | Asea Brown Boveri | Verfahren zum Entfernen von chlorierte organische Verbindungen enthaltender Flüssigkeit aus flüssigkeitsgetränkten Substanzen, insbesondere aus Bestandteilen eines Gerätes, und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
| US5622641A (en) * | 1994-07-05 | 1997-04-22 | General Electriccompany | Method for in-situ reduction of PCB-like contaminants from concrete |
| US5628969A (en) * | 1995-10-18 | 1997-05-13 | Mercury Treatment Alternatives, Inc. | Chemical separation and reaction apparatus |
| EP0857520A1 (en) * | 1997-02-06 | 1998-08-12 | Akzo Nobel N.V. | Treatment of contaminated soil |
| DE19904903A1 (de) * | 1998-08-07 | 2000-02-10 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Entsorgen von elektrischen Grossgeräten |
-
2000
- 2000-11-25 DE DE2000158640 patent/DE10058640A1/de not_active Ceased
-
2001
- 2001-11-22 JP JP2001357865A patent/JP2002233848A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7776393B2 (en) | 2003-04-04 | 2010-08-17 | Kobe Steel, Ltd. | Methods of producing an alumina film mainly in alpha crystal structure and the multilayer film thereof |
| JP2010115638A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-05-27 | Dowa Eco-System Co Ltd | Ｐｃｂ含有物の処理方法及びｐｃｂ含有物の処理装置 |
| JP2011056504A (ja) * | 2008-10-16 | 2011-03-24 | Dowa Eco-System Co Ltd | Ｐｃｂ含有物の処理方法及びｐｃｂ含有物の処理装置 |
| JP4701295B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2011-06-15 | Ｄｏｗａエコシステム株式会社 | Ｐｃｂ含有物の処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10058640A1 (de) | 2002-06-06 |
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