JP2002233764A - エチレンの三量化触媒およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法 - Google Patents
エチレンの三量化触媒およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エチレンから効率よく、かつ高選択的に１−
ヘキセンを製造する。 【解決手段】 アミン化合物および／またはアミド化合
物と、下式（１） ＡＣｒＢn （１） （式中、ｎは１〜３の整数である。Ａは三脚型構造を有
する中性の多座配位子であり、Ｃｒはクロム原子、Ｂは
水素原子、ハロゲン原子、および直鎖もしくは分岐状の
アルキル基からなる群より選ばれる１種以上を表す。）
で示される三脚型構造を有する中性の多座配位子が配位
したクロム錯体とアルキルアルミノキサン、あるいは当
該クロム錯体とアルキルアルミノキサンとアルキル基含
有化合物からなる触媒を用いる。
ヘキセンを製造する。 【解決手段】 アミン化合物および／またはアミド化合
物と、下式（１） ＡＣｒＢn （１） （式中、ｎは１〜３の整数である。Ａは三脚型構造を有
する中性の多座配位子であり、Ｃｒはクロム原子、Ｂは
水素原子、ハロゲン原子、および直鎖もしくは分岐状の
アルキル基からなる群より選ばれる１種以上を表す。）
で示される三脚型構造を有する中性の多座配位子が配位
したクロム錯体とアルキルアルミノキサン、あるいは当
該クロム錯体とアルキルアルミノキサンとアルキル基含
有化合物からなる触媒を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エチレンの三量化
触媒およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法に関
する。さらに詳しくは、線状低密度ポリエチレン（ＬＬ
ＤＰＥ）の原料コモノマーとして有用な１−ヘキセンを
エチレンから効率よく、かつ高選択的に製造するエチレ
ンの三量化触媒、およびその触媒を用いたエチレンの三
量化方法に関する。
触媒およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法に関
する。さらに詳しくは、線状低密度ポリエチレン（ＬＬ
ＤＰＥ）の原料コモノマーとして有用な１−ヘキセンを
エチレンから効率よく、かつ高選択的に製造するエチレ
ンの三量化触媒、およびその触媒を用いたエチレンの三
量化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エチレンを三量化して１−ヘキセンを得
る方法において、クロム化合物を触媒として用いること
は公知である。例えば、特開昭６２−２６５２３７号公
報にはクロム化合物、ポリヒドロカルビルアルミニウム
オキシドおよびドナー配位子からなる触媒系が開示され
ている。特開平６−２３９９２０号公報には、クロム化
合物、ピロール含有化合物、金属アルキル化合物および
ハライドからなる触媒系が、また特開平８−５９７３２
号公報には、クロム化合物、金属アルキル化合物および
酸アミドまたはイミド化合物からなる触媒系が開示され
ている。
る方法において、クロム化合物を触媒として用いること
は公知である。例えば、特開昭６２−２６５２３７号公
報にはクロム化合物、ポリヒドロカルビルアルミニウム
オキシドおよびドナー配位子からなる触媒系が開示され
ている。特開平６−２３９９２０号公報には、クロム化
合物、ピロール含有化合物、金属アルキル化合物および
ハライドからなる触媒系が、また特開平８−５９７３２
号公報には、クロム化合物、金属アルキル化合物および
酸アミドまたはイミド化合物からなる触媒系が開示され
ている。
【０００３】また、特開平６−２９８６７３号公報に
は、クロミウム塩の多座配位子であるホスフィン、アル
シンおよび／またはスチビンとの配位錯体とアルミノキ
サンからなる触媒が開示されている。さらに、特開平１
０−７７１２号公報には、特定の窒素配位子が配位した
クロムの塩素錯体やアルキル錯体とアルミニウム化合物
からなる触媒が、特開平１０−２３１３１７号公報に
は、環状ポリアミンまたはヒドロトリス（ピラゾリル）
ボレートが配位したクロム錯体とアルキルアルミニウム
化合物からなる触媒が開示されている。
は、クロミウム塩の多座配位子であるホスフィン、アル
シンおよび／またはスチビンとの配位錯体とアルミノキ
サンからなる触媒が開示されている。さらに、特開平１
０−７７１２号公報には、特定の窒素配位子が配位した
クロムの塩素錯体やアルキル錯体とアルミニウム化合物
からなる触媒が、特開平１０−２３１３１７号公報に
は、環状ポリアミンまたはヒドロトリス（ピラゾリル）
ボレートが配位したクロム錯体とアルキルアルミニウム
化合物からなる触媒が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭６２−
２６５２３７号公報に記載の方法では、１−ヘキセンと
同時にポリエチレンが多く副生する欠点があった。特開
平６−２３９９２０号公報に記載の方法は、ポリエチレ
ンの副生が少なく、この点ではかなり改善している。し
かし、触媒の構成成分であるピロール含有化合物は、空
気に対して極めて不安定な物質であるため着色して劣化
しやすい。従って、取り扱いが難しいばかりか、反応終
了後には着色成分を除去するための処理または新たな装
置を必要とする等、工業的な触媒としては十分なもので
はなかった。また、特開平８−５９７３２号公報に記載
の方法では、触媒の構成成分である酸アミドまたはイミ
ド化合物の化合物群の中で活性を得るには、ある特定の
イミド化合物（即ちマレイミド）を用いる必要がある。
マレイミドは溶解性が低いため触媒調製が煩雑であり、
入手が難しいばかりか高価であり、経済性の面において
も問題がある。
２６５２３７号公報に記載の方法では、１−ヘキセンと
同時にポリエチレンが多く副生する欠点があった。特開
平６−２３９９２０号公報に記載の方法は、ポリエチレ
ンの副生が少なく、この点ではかなり改善している。し
かし、触媒の構成成分であるピロール含有化合物は、空
気に対して極めて不安定な物質であるため着色して劣化
しやすい。従って、取り扱いが難しいばかりか、反応終
了後には着色成分を除去するための処理または新たな装
置を必要とする等、工業的な触媒としては十分なもので
はなかった。また、特開平８−５９７３２号公報に記載
の方法では、触媒の構成成分である酸アミドまたはイミ
ド化合物の化合物群の中で活性を得るには、ある特定の
イミド化合物（即ちマレイミド）を用いる必要がある。
マレイミドは溶解性が低いため触媒調製が煩雑であり、
入手が難しいばかりか高価であり、経済性の面において
も問題がある。
【０００５】一方、特開平６−２９８６７３号公報に記
載の方法では、実験データの再現性が乏しい。また、特
開平１０−７７１２号公報に記載の方法は、触媒活性が
低いという問題がある。さらに、特開平１０−２３１３
１７号公報に記載の方法は、ポリエチレンの生成が多い
ばかりか、オリゴマー中の１−ヘキセン選択性も低いと
いう欠点がある。
載の方法では、実験データの再現性が乏しい。また、特
開平１０−７７１２号公報に記載の方法は、触媒活性が
低いという問題がある。さらに、特開平１０−２３１３
１７号公報に記載の方法は、ポリエチレンの生成が多い
ばかりか、オリゴマー中の１−ヘキセン選択性も低いと
いう欠点がある。
【０００６】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的はＬＬＤＰＥの原料コモノマーとして
有用な１−ヘキセンをエチレンから効率よく、かつ高選
択的に製造し、しかも取り扱いの容易なエチレンの三量
化触媒、およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法
を提供することである。
であり、その目的はＬＬＤＰＥの原料コモノマーとして
有用な１−ヘキセンをエチレンから効率よく、かつ高選
択的に製造し、しかも取り扱いの容易なエチレンの三量
化触媒、およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法
を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため鋭意検討を行った結果、アミン化合物
および／またはアミド化合物の存在下で、特定の多座配
位子が配位したクロム錯体とアルキルアルミノキサン、
あるいは当該クロム錯体とアルキルアルミノキサンとア
ルキル基含有化合物からなるエチレンの三量化触媒は、
安定で取り扱いが容易であり、しかもこれを用いると高
い活性でエチレンの三量化反応が進行し、高選択的に１
−ヘキセンが生成することを見い出し、本発明を完成す
るに至った。
題を解決するため鋭意検討を行った結果、アミン化合物
および／またはアミド化合物の存在下で、特定の多座配
位子が配位したクロム錯体とアルキルアルミノキサン、
あるいは当該クロム錯体とアルキルアルミノキサンとア
ルキル基含有化合物からなるエチレンの三量化触媒は、
安定で取り扱いが容易であり、しかもこれを用いると高
い活性でエチレンの三量化反応が進行し、高選択的に１
−ヘキセンが生成することを見い出し、本発明を完成す
るに至った。
【０００８】即ち本発明は、アミン化合物および／また
はアミド化合物存在下において、三脚型構造を有する中
性の多座配位子が配位したクロム錯体とアルキルアルミ
ノキサン、あるいは当該クロム錯体とアルキルアルミノ
キサンとアルキル基含有化合物を接触させてなるエチレ
ンの三量化触媒およびそれを用いたエチレンの三量化方
法に関する。
はアミド化合物存在下において、三脚型構造を有する中
性の多座配位子が配位したクロム錯体とアルキルアルミ
ノキサン、あるいは当該クロム錯体とアルキルアルミノ
キサンとアルキル基含有化合物を接触させてなるエチレ
ンの三量化触媒およびそれを用いたエチレンの三量化方
法に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明についてさらに詳し
く説明する。
く説明する。
【００１０】本発明においては、エチレンの三量化触媒
を構成する一成分として、下記一般式（１） ＡＣｒＢn （１） （式中、ｎは１〜３の整数である。Ａは三脚型構造を有
する中性の多座配位子であり、Ｃｒはクロム原子、Ｂは
水素原子、ハロゲン原子、および炭素数１〜１０の直鎖
もしくは分岐状のアルキル基からなる群より選ばれる１
種以上を表す。）で示される三脚型構造を有する中性の
多座配位子が配位したクロム錯体が用いられる。
を構成する一成分として、下記一般式（１） ＡＣｒＢn （１） （式中、ｎは１〜３の整数である。Ａは三脚型構造を有
する中性の多座配位子であり、Ｃｒはクロム原子、Ｂは
水素原子、ハロゲン原子、および炭素数１〜１０の直鎖
もしくは分岐状のアルキル基からなる群より選ばれる１
種以上を表す。）で示される三脚型構造を有する中性の
多座配位子が配位したクロム錯体が用いられる。
【００１１】ここで、クロム錯体に配位させる三脚型構
造を有する中性の多座配位子として用いられるものは特
に限定されないが、例えば、下記一般式（２）
造を有する中性の多座配位子として用いられるものは特
に限定されないが、例えば、下記一般式（２）
【００１２】
【化５】 （式中、ｊ，ｋ，ｍはそれぞれ独立して０〜６の整数で
ある。Ｄ1はそれぞれ独立して置換基を有していてもよ
い２価の炭化水素基、Ｌ1はそれぞれ独立して周期表１
４族、１５族、１６族または１７族元素を含有する置換
基を表す。また、Ｇ1は炭素またはケイ素、Ｒ1は水素原
子、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０
のアリール基を表す。）または下記一般式（３）
ある。Ｄ1はそれぞれ独立して置換基を有していてもよ
い２価の炭化水素基、Ｌ1はそれぞれ独立して周期表１
４族、１５族、１６族または１７族元素を含有する置換
基を表す。また、Ｇ1は炭素またはケイ素、Ｒ1は水素原
子、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０
のアリール基を表す。）または下記一般式（３）
【００１３】
【化６】 （式中、ａ，ｂ，ｃはそれぞれ独立して０〜６の整数で
あり、ｕは０または１の整数である。Ｄ2はそれぞれ独
立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基、Ｌ
2はそれぞれ独立して周期表１４族、１５族、１６族ま
たは１７族元素を含有する置換基を表す。また、Ｇ2は
窒素原子またはリン原子、Ｒ2は酸素原子またはイオウ
原子を表す。）で示される三座配位子が好適なものとし
て挙げられる。
あり、ｕは０または１の整数である。Ｄ2はそれぞれ独
立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基、Ｌ
2はそれぞれ独立して周期表１４族、１５族、１６族ま
たは１７族元素を含有する置換基を表す。また、Ｇ2は
窒素原子またはリン原子、Ｒ2は酸素原子またはイオウ
原子を表す。）で示される三座配位子が好適なものとし
て挙げられる。
【００１４】上記一般式（２）および（３）において、
Ｄ1およびＤ2としては特に限定されるものではないが、
例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、フェニレ
ン基、トリレン基、キシリレン基等が挙げられる。ま
た、その置換基としては、例えば、メチル基、エチル基
等のアルキル基類、メトキシ基、エトキシ基等のアルコ
キシ基類等が挙げられる。
Ｄ1およびＤ2としては特に限定されるものではないが、
例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、フェニレ
ン基、トリレン基、キシリレン基等が挙げられる。ま
た、その置換基としては、例えば、メチル基、エチル基
等のアルキル基類、メトキシ基、エトキシ基等のアルコ
キシ基類等が挙げられる。
【００１５】一般式（２）および（３）において、Ｌ1
およびＬ2で示される周期表１４族、１５族、１６族ま
たは１７族元素を含有する置換基は特に限定されるもの
ではないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基類、フェノキシ
基、２，６−ジメチルフェノキシ基等のアリールオキシ
基類、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、
ブチルチオ基等のアルキルチオ基類、フェニルチオ基、
トリルチオ基等のアリールチオ基類、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ビス（トリメチルシリル）アミ
ノ基等のジアルキルアミノ基類、ジフェニルアミノ基等
のジアリールアミノ基類、メチルフェニル基等のアルキ
ルアリールアミノ基類、ジメチルホスフィノ基、ジエチ
ルホスフィノ基等のジアルキルホスフィノ基類、ジフェ
ニルホスフィノ基、ジトリルホスフィノ基等のジアリー
ルホスフィノ基類、メチルフェニルホスフィノ基等のア
ルキルアリールホスフィノ基類が挙げられる。
およびＬ2で示される周期表１４族、１５族、１６族ま
たは１７族元素を含有する置換基は特に限定されるもの
ではないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基類、フェノキシ
基、２，６−ジメチルフェノキシ基等のアリールオキシ
基類、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、
ブチルチオ基等のアルキルチオ基類、フェニルチオ基、
トリルチオ基等のアリールチオ基類、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ビス（トリメチルシリル）アミ
ノ基等のジアルキルアミノ基類、ジフェニルアミノ基等
のジアリールアミノ基類、メチルフェニル基等のアルキ
ルアリールアミノ基類、ジメチルホスフィノ基、ジエチ
ルホスフィノ基等のジアルキルホスフィノ基類、ジフェ
ニルホスフィノ基、ジトリルホスフィノ基等のジアリー
ルホスフィノ基類、メチルフェニルホスフィノ基等のア
ルキルアリールホスフィノ基類が挙げられる。
【００１６】また、フリル基、ベンゾフリル基、チエニ
ル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、トリアゾリル
基、テトラゾリル基、ピリジル基、イミダゾリル基、ベ
ンゾイミダゾリル基、インダゾリル基、キノリル基、イ
ソキノリル基、オキサゾリル基、チアゾール基等の周期
表１４族、１５族、１６族または１７族元素を含有する
複素環基類が挙げられる。これらの複素環基類の環上の
置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、オクチル基、フェニル基等が挙げられ
る。
ル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、トリアゾリル
基、テトラゾリル基、ピリジル基、イミダゾリル基、ベ
ンゾイミダゾリル基、インダゾリル基、キノリル基、イ
ソキノリル基、オキサゾリル基、チアゾール基等の周期
表１４族、１５族、１６族または１７族元素を含有する
複素環基類が挙げられる。これらの複素環基類の環上の
置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、オクチル基、フェニル基等が挙げられ
る。
【００１７】一般式（２）におけるＲ1は特に限定され
るものではないが、例えば、水素原子、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ベンジル基、ヒドロキシ
メチル基、シアノエチル基、アリル基、トリフルオロプ
ロピル基等の炭素数１〜１０のアルキル基類、またはフ
ェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−クロロフェニル
基等の炭素数６〜１０のアリール基類が挙げられる。
るものではないが、例えば、水素原子、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ベンジル基、ヒドロキシ
メチル基、シアノエチル基、アリル基、トリフルオロプ
ロピル基等の炭素数１〜１０のアルキル基類、またはフ
ェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−クロロフェニル
基等の炭素数６〜１０のアリール基類が挙げられる。
【００１８】上記一般式（２）および（３）で示される
三脚型構造を有する中性の三座配位子は特に限定される
ものではないが、例えば、周期表１４族、１５族、１６
族または１７族元素を含有する置換基を持つ多座配位子
としては、トリス（メトキシメチル）メタン、１，１，
１−トリス（メトキシメチル）エタン、１，１，１−ト
リス（メトキシメチル）プロパン、１，１，１−トリス
（メトキシメチル）ブタン、１，１，１−トリス（エト
キシメチル）エタン、１，１，１−トリス（プロポキシ
メチル）エタン、１，１，１−トリス（ブトキシメチ
ル）エタン、１，１，１−トリス（フェノキシメチル）
エタン等の含酸素三座配位子類、１，１，１−トリス
（メチルチオメチル）エタン、１，１，１−トリス（ブ
チルチオメチル）エタン、１，１，１−トリス（フェニ
ルチオメチル）エタン等の含イオウ三座配位子類、１，
１，１−トリス（ジメチルアミノメチル）エタン、１，
１，１−トリス（ジフェニルアミノメチル）エタン等の
含窒素三座配位子類、１，１，１−トリス（ジフェニル
ホスフィノメチル）エタン、１，１，１−トリス（ジメ
チルホスフィノメチル）エタン、１，１，１−トリス
（ジエチルホスフィノメチル）エタン等の含リン三座配
位子類が挙げられる。
三脚型構造を有する中性の三座配位子は特に限定される
ものではないが、例えば、周期表１４族、１５族、１６
族または１７族元素を含有する置換基を持つ多座配位子
としては、トリス（メトキシメチル）メタン、１，１，
１−トリス（メトキシメチル）エタン、１，１，１−ト
リス（メトキシメチル）プロパン、１，１，１−トリス
（メトキシメチル）ブタン、１，１，１−トリス（エト
キシメチル）エタン、１，１，１−トリス（プロポキシ
メチル）エタン、１，１，１−トリス（ブトキシメチ
ル）エタン、１，１，１−トリス（フェノキシメチル）
エタン等の含酸素三座配位子類、１，１，１−トリス
（メチルチオメチル）エタン、１，１，１−トリス（ブ
チルチオメチル）エタン、１，１，１−トリス（フェニ
ルチオメチル）エタン等の含イオウ三座配位子類、１，
１，１−トリス（ジメチルアミノメチル）エタン、１，
１，１−トリス（ジフェニルアミノメチル）エタン等の
含窒素三座配位子類、１，１，１−トリス（ジフェニル
ホスフィノメチル）エタン、１，１，１−トリス（ジメ
チルホスフィノメチル）エタン、１，１，１−トリス
（ジエチルホスフィノメチル）エタン等の含リン三座配
位子類が挙げられる。
【００１９】さらに、周期表１４族、１５族、１６族ま
たは１７族元素を含有する複素環基を持つ多座配位子と
しては、トリフリルメタン、トリス（５−メチル−２−
フリル）メタン、トリス（５−エチル−２−フリル）メ
タン、トリス（５−ブチル−２−フリル）メタン、１，
１，１−トリフリルエタン、トリフリルアミン、トリフ
リルホスフィン、トリフリルホスフィンオキシド等の含
酸素三座配位子類、トリス（チエニル）メタン等の含イ
オウ三座配位子類、トリ（１−ピラゾリル）メタン、ト
リス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メタン、ト
リス（３，５−ジイソプロピル−１−ピラゾリル）メタ
ン、トリス（３，５−ジフェニル−１−ピラゾリル）メ
タン、１，１、１−トリス（３，５−ジメチル−１−ピ
ラゾリル）エタン、１，１，１−トリス（３，５−ジメ
チル−１−ピラゾリル）プロパン、１，１，１−トリス
（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）ブタン、トリス
（２−ピリジル）メタン、トリス（６−メチル−２−ピ
リジル）メタン、トリス（２−ピリジル）アミン、トリ
ス（２−ピリジル）ホスフィン、トリス（２−ピリジ
ル）ホスフィンオキシド、トリス（２−ピリジル）ヒド
ロキシメタン、トリス（１−イミダゾリル）メタン、ト
リス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メタン、ト
リス（３，５−ジエチル−１−ピラゾリル）メタン、ト
リス（３，４，５−トリメチル−１−ピラゾリル）メタ
ン、トリス（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチル−１−
ピラゾリル）メタン、トリス（３−フェニル−５−メチ
ル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（４−トリ
ル）−５−メチル−１−ピラゾリル）メタン、トリス
（３−（４−アニシル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタン、トリス（３−（２−ピリジル）−５−メチ
ル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（３−ピリ
ジル）−５−メチル−１−ピラゾリル）メタン、トリス
（３−（４−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタン、トリス（３−フェニル−１−ピラゾリル）
メタン、１−メチル−トリス（３−フェニル−１−ピラ
ゾリル）メタン、メチル−トリス（３−エチル−１−ピ
ラゾリル）メタン、メチル−トリス（３−フェニル−１
−ピラゾリル）メタン、メチル−トリス（３，５−ジメ
チル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（４−ト
リル）−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（４−
アニシル）−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−プ
ロピル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−エチル
−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−メチル−１−
ピラゾリル）メタン、トリス（３−ｔ−ブチル−１−ピ
ラゾリル）メタン等の含窒素三座配位子類が挙げられ
る。
たは１７族元素を含有する複素環基を持つ多座配位子と
しては、トリフリルメタン、トリス（５−メチル−２−
フリル）メタン、トリス（５−エチル−２−フリル）メ
タン、トリス（５−ブチル−２−フリル）メタン、１，
１，１−トリフリルエタン、トリフリルアミン、トリフ
リルホスフィン、トリフリルホスフィンオキシド等の含
酸素三座配位子類、トリス（チエニル）メタン等の含イ
オウ三座配位子類、トリ（１−ピラゾリル）メタン、ト
リス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メタン、ト
リス（３，５−ジイソプロピル−１−ピラゾリル）メタ
ン、トリス（３，５−ジフェニル−１−ピラゾリル）メ
タン、１，１、１−トリス（３，５−ジメチル−１−ピ
ラゾリル）エタン、１，１，１−トリス（３，５−ジメ
チル−１−ピラゾリル）プロパン、１，１，１−トリス
（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）ブタン、トリス
（２−ピリジル）メタン、トリス（６−メチル−２−ピ
リジル）メタン、トリス（２−ピリジル）アミン、トリ
ス（２−ピリジル）ホスフィン、トリス（２−ピリジ
ル）ホスフィンオキシド、トリス（２−ピリジル）ヒド
ロキシメタン、トリス（１−イミダゾリル）メタン、ト
リス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メタン、ト
リス（３，５−ジエチル−１−ピラゾリル）メタン、ト
リス（３，４，５−トリメチル−１−ピラゾリル）メタ
ン、トリス（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチル−１−
ピラゾリル）メタン、トリス（３−フェニル−５−メチ
ル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（４−トリ
ル）−５−メチル−１−ピラゾリル）メタン、トリス
（３−（４−アニシル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタン、トリス（３−（２−ピリジル）−５−メチ
ル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（３−ピリ
ジル）−５−メチル−１−ピラゾリル）メタン、トリス
（３−（４−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタン、トリス（３−フェニル−１−ピラゾリル）
メタン、１−メチル−トリス（３−フェニル−１−ピラ
ゾリル）メタン、メチル−トリス（３−エチル−１−ピ
ラゾリル）メタン、メチル−トリス（３−フェニル−１
−ピラゾリル）メタン、メチル−トリス（３，５−ジメ
チル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（４−ト
リル）−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（４−
アニシル）−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−プ
ロピル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−エチル
−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−メチル−１−
ピラゾリル）メタン、トリス（３−ｔ−ブチル−１−ピ
ラゾリル）メタン等の含窒素三座配位子類が挙げられ
る。
【００２０】本発明において、上記一般式（１）のＢで
用いられるハロゲン原子は特に限定されるものではない
が、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨ
ウ素原子等が挙げられる。また、直鎖もしくは分岐状の
アルキル基としては特に限定されるものではないが、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シ
クロヘキシル基、ベンジル基またはフェニル基等が挙げ
られる。
用いられるハロゲン原子は特に限定されるものではない
が、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨ
ウ素原子等が挙げられる。また、直鎖もしくは分岐状の
アルキル基としては特に限定されるものではないが、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シ
クロヘキシル基、ベンジル基またはフェニル基等が挙げ
られる。
【００２１】上記一般式（１）で示されるクロム錯体の
具体的な例としては特に限定されるものではないが、例
えば、トリス（メトキシメチル）メタンクロムトリクロ
ライド（ＩＩＩ）、トリス（メトキシメチル）メタンク
ロム（ベンジル）ジクロライド（ＩＩＩ）、１，１，１
−トリス（メトキシメチル）エタンクロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（エトキシメチル）
エタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、１，１，１−
トリス（ブトキシメチル）エタンクロムトリクロライド
（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（フェノキシメチル）
エタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリフリルメ
タンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、１，１，１−ト
リス（メチルチオメチル）エタンクロムトリクロライド
（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（ジメチルアミノメチ
ル）エタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（ピラゾリル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メ
タンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス（３，５
−ジエチル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリクロラ
イド（ＩＩＩ）、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラ
ゾリル）−メチル−メタンクロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３−フェニル−５−メチル−１−ピラゾ
リル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（２−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（３−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（４−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−フェニル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリク
ロライド（ＩＩＩ）、トリス（３−（３−トリル）−５
−メチル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）、トリス（３−（３−アニシル）−５−メ
チル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリクロライド
（ＩＩＩ）、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロム（ヒドリド）ジクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メ
タンクロム（ベンジル）ジクロライド（ＩＩＩ）、トリ
ス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メタンクロム
（エチル）ジクロライド（ＩＩＩ）、トリス（３，５−
ジメチル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリベンジル
（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（３，５−ジメチル−
１−ピラゾリル）エタンクロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３，５−ジイソプロピル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−イソプロピル−１−ピラゾリル）メタンクロムト
リクロライド（ＩＩＩ）、トリス（３−エチル−１−ピ
ラゾリル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、ト
リス（３，５−ジフェニル−１−ピラゾリル）メタンク
ロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス（２−ピリジ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（６−メチル−２−ピリジル）メタンクロムトリクロラ
イド（ＩＩＩ）、トリス（２−ピリジル）アミンクロム
トリクロライド（ＩＩＩ）、トリス（１−イミダゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、１，１，
１−トリス（ジメチルホスフィノメチル）エタンクロム
トリクロライド（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（ジフ
ェニルホスフィノメチル）エタンクロムトリクロライド
（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（ジエチルホスフィノ
メチル）エタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）等が挙
げられる。
具体的な例としては特に限定されるものではないが、例
えば、トリス（メトキシメチル）メタンクロムトリクロ
ライド（ＩＩＩ）、トリス（メトキシメチル）メタンク
ロム（ベンジル）ジクロライド（ＩＩＩ）、１，１，１
−トリス（メトキシメチル）エタンクロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（エトキシメチル）
エタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、１，１，１−
トリス（ブトキシメチル）エタンクロムトリクロライド
（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（フェノキシメチル）
エタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリフリルメ
タンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、１，１，１−ト
リス（メチルチオメチル）エタンクロムトリクロライド
（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（ジメチルアミノメチ
ル）エタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（ピラゾリル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メ
タンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス（３，５
−ジエチル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリクロラ
イド（ＩＩＩ）、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラ
ゾリル）−メチル−メタンクロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３−フェニル−５−メチル−１−ピラゾ
リル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（２−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（３−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（４−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−フェニル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリク
ロライド（ＩＩＩ）、トリス（３−（３−トリル）−５
−メチル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）、トリス（３−（３−アニシル）−５−メ
チル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリクロライド
（ＩＩＩ）、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロム（ヒドリド）ジクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メ
タンクロム（ベンジル）ジクロライド（ＩＩＩ）、トリ
ス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メタンクロム
（エチル）ジクロライド（ＩＩＩ）、トリス（３，５−
ジメチル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリベンジル
（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（３，５−ジメチル−
１−ピラゾリル）エタンクロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３，５−ジイソプロピル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−イソプロピル−１−ピラゾリル）メタンクロムト
リクロライド（ＩＩＩ）、トリス（３−エチル−１−ピ
ラゾリル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、ト
リス（３，５−ジフェニル−１−ピラゾリル）メタンク
ロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス（２−ピリジ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（６−メチル−２−ピリジル）メタンクロムトリクロラ
イド（ＩＩＩ）、トリス（２−ピリジル）アミンクロム
トリクロライド（ＩＩＩ）、トリス（１−イミダゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、１，１，
１−トリス（ジメチルホスフィノメチル）エタンクロム
トリクロライド（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（ジフ
ェニルホスフィノメチル）エタンクロムトリクロライド
（ＩＩＩ）、１，１，１−トリス（ジエチルホスフィノ
メチル）エタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）等が挙
げられる。
【００２２】これらのうち触媒活性の面から、一般式
（１）で示される三脚型構造を有する中性の多座配位子
としては、複素環基を持つ含窒素三座配位子類が好まし
く用いられ、より好ましくはトリス（３−（４−トリ
ル）−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−フェニル
−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３，５−ジメチル
−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−フェニル−５
−メチル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（２
−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリル）メタン、
トリス（３−（３−ピリジル）−５−メチル−１−ピラ
ゾリル）メタン、トリス（３−（４−ピリジル）−５−
メチル−１−ピラゾリル）メタンが用いられる。また、
Ｂとしてはハロゲン原子が好ましく用いられる。さらに
好ましい三脚型構造を有する中性の多座配位子が配位し
たクロム錯体としては、３−（４−トリル）−１−ピラ
ゾリル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリ
ス（３−フェニル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリ
クロライド（ＩＩＩ）、トリス（３，５−ジメチル−１
−ピラゾリル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３−フェニル−５−メチル−１−ピラゾ
リル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（２−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（３−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（４−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）等が用いら
れる。
（１）で示される三脚型構造を有する中性の多座配位子
としては、複素環基を持つ含窒素三座配位子類が好まし
く用いられ、より好ましくはトリス（３−（４−トリ
ル）−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−フェニル
−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３，５−ジメチル
−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−フェニル−５
−メチル−１−ピラゾリル）メタン、トリス（３−（２
−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリル）メタン、
トリス（３−（３−ピリジル）−５−メチル−１−ピラ
ゾリル）メタン、トリス（３−（４−ピリジル）−５−
メチル−１−ピラゾリル）メタンが用いられる。また、
Ｂとしてはハロゲン原子が好ましく用いられる。さらに
好ましい三脚型構造を有する中性の多座配位子が配位し
たクロム錯体としては、３−（４−トリル）−１−ピラ
ゾリル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリ
ス（３−フェニル−１−ピラゾリル）メタンクロムトリ
クロライド（ＩＩＩ）、トリス（３，５−ジメチル−１
−ピラゾリル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（３−フェニル−５−メチル−１−ピラゾ
リル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（２−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（３−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（３−（４−ピリジル）−５−メチル−１−ピラゾリ
ル）メタンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）等が用いら
れる。
【００２３】本発明において、上記の三脚型構造を有す
る中性の多座配位子が配位したクロム錯体の合成法は特
に限定されるものではないが、例えば、多座配位子とク
ロム化合物とから公知の錯体形成法［例えば、Ｉｎｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．，２５，１０８０（１９８６）等］によ
り容易に合成することができる。この場合、使用できる
クロム化合物としては特に限定されるものではないが、
例えば、塩化クロム（ＩＩＩ）、塩化クロム（ＩＩ）、
臭化クロム（ＩＩＩ）、臭化クロム（ＩＩ）、ヨウ化ク
ロム（ＩＩＩ）、ヨウ化クロム（ＩＩ）、フッ化クロム
（ＩＩＩ）、フッ化クロム（ＩＩ）、トリス（テトラヒ
ドロフラン）クロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（１，４−ジオキサン）クロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（ジエチルエーテル）クロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）、トリス（ピリジン）クロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）、トリス（アセトニトリル）クロムトリク
ロライド（ＩＩＩ）等が挙げられる。
る中性の多座配位子が配位したクロム錯体の合成法は特
に限定されるものではないが、例えば、多座配位子とク
ロム化合物とから公知の錯体形成法［例えば、Ｉｎｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．，２５，１０８０（１９８６）等］によ
り容易に合成することができる。この場合、使用できる
クロム化合物としては特に限定されるものではないが、
例えば、塩化クロム（ＩＩＩ）、塩化クロム（ＩＩ）、
臭化クロム（ＩＩＩ）、臭化クロム（ＩＩ）、ヨウ化ク
ロム（ＩＩＩ）、ヨウ化クロム（ＩＩ）、フッ化クロム
（ＩＩＩ）、フッ化クロム（ＩＩ）、トリス（テトラヒ
ドロフラン）クロムトリクロライド（ＩＩＩ）、トリス
（１，４−ジオキサン）クロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）、トリス（ジエチルエーテル）クロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）、トリス（ピリジン）クロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）、トリス（アセトニトリル）クロムトリク
ロライド（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００２４】前記の多座配位子とクロム化合物を反応さ
せ、クロム錯体を形成させる際のクロム金属の濃度は特
に制限されない。また、ここで用いられる溶媒としては
特に限定されるものではないが、有機溶媒が好ましく用
いられる。例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ノナン、デカン、シクロヘキサン、デカリン等
の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、
クメン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、
塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類が挙げられる。また、上記溶媒はそれぞれ
単独で使用し得るのみならず、二種以上を混合して用い
ることも可能である。
せ、クロム錯体を形成させる際のクロム金属の濃度は特
に制限されない。また、ここで用いられる溶媒としては
特に限定されるものではないが、有機溶媒が好ましく用
いられる。例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ノナン、デカン、シクロヘキサン、デカリン等
の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、
クメン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、
塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類が挙げられる。また、上記溶媒はそれぞれ
単独で使用し得るのみならず、二種以上を混合して用い
ることも可能である。
【００２５】また、錯体形成反応は、−８０℃から使用
する反応溶媒の沸点までの任意の温度で行われ、好まし
くは２０〜２００℃である。反応溶媒の沸点以上の温度
で錯形成反応を行う場合には、加圧下で行うこともでき
る。反応時間は特に制限されず、通常１分〜４８時間、
好ましくは５分〜２４時間である。なお、反応時のすべ
ての操作は、空気と水分を避けて行なうことが望まし
い。また、原料および溶媒は十分に乾燥しておくことが
好ましい。
する反応溶媒の沸点までの任意の温度で行われ、好まし
くは２０〜２００℃である。反応溶媒の沸点以上の温度
で錯形成反応を行う場合には、加圧下で行うこともでき
る。反応時間は特に制限されず、通常１分〜４８時間、
好ましくは５分〜２４時間である。なお、反応時のすべ
ての操作は、空気と水分を避けて行なうことが望まし
い。また、原料および溶媒は十分に乾燥しておくことが
好ましい。
【００２６】さらに別途合成法として、上記の方法によ
り合成した三脚型構造を有する中性の多座配位子が配位
したクロムハロゲン錯体を原料に、アルキルアルミノキ
サンや金属ヒドリド化合物を溶媒中で反応させて、本発
明の三脚型構造を有する中性の多座配位子が配位したク
ロム錯体を合成してもよい。
り合成した三脚型構造を有する中性の多座配位子が配位
したクロムハロゲン錯体を原料に、アルキルアルミノキ
サンや金属ヒドリド化合物を溶媒中で反応させて、本発
明の三脚型構造を有する中性の多座配位子が配位したク
ロム錯体を合成してもよい。
【００２７】多座配位子が配位したクロム錯体は、通常
固体として沈殿するので、ろ別により反応溶媒から分離
できる。さらに、必要に応じて、上記溶媒を用いて洗浄
を行い、次いで乾燥してエチレンの三量化触媒の構成成
分の一つであるクロム錯体が合成される。なお、沈殿し
ない場合は、溶媒留去、貧溶媒の添加あるいは冷却処理
等により沈殿させることができる。
固体として沈殿するので、ろ別により反応溶媒から分離
できる。さらに、必要に応じて、上記溶媒を用いて洗浄
を行い、次いで乾燥してエチレンの三量化触媒の構成成
分の一つであるクロム錯体が合成される。なお、沈殿し
ない場合は、溶媒留去、貧溶媒の添加あるいは冷却処理
等により沈殿させることができる。
【００２８】本発明においては、三脚型構造を有する中
性の多座配位子が配位したクロム錯体のうち、その多座
配位子がｆａｃｉａｌに配位したクロム錯体を用いるこ
とが好ましい。多座配位子がｆａｃｉａｌに配位したク
ロム錯体を用いることにより、ポリエチレンの副生が抑
えられる等の効果が認められる。ここで、多座配位子が
ｆａｃｉａｌに配位した錯体とは、多座配位子により３
つの配位座が占有された６配位八面体型錯体の異性体の
一つである［化学選書 有機金属化学−基礎と応用−、
１４３頁（裳華房）］。即ち、多座配位子により３つの
配位座が占有された６配位八面体型錯体において、多座
配位子が、３つの配位座が互いにシス位になるような配
置で配位していることを意味する。
性の多座配位子が配位したクロム錯体のうち、その多座
配位子がｆａｃｉａｌに配位したクロム錯体を用いるこ
とが好ましい。多座配位子がｆａｃｉａｌに配位したク
ロム錯体を用いることにより、ポリエチレンの副生が抑
えられる等の効果が認められる。ここで、多座配位子が
ｆａｃｉａｌに配位した錯体とは、多座配位子により３
つの配位座が占有された６配位八面体型錯体の異性体の
一つである［化学選書 有機金属化学−基礎と応用−、
１４３頁（裳華房）］。即ち、多座配位子により３つの
配位座が占有された６配位八面体型錯体において、多座
配位子が、３つの配位座が互いにシス位になるような配
置で配位していることを意味する。
【００２９】本発明において使用されるアルキルアルミ
ノキサンは特に限定されるものではないが、下記一般式
（４）および／または（５）
ノキサンは特に限定されるものではないが、下記一般式
（４）および／または（５）
【００３０】
【化７】
【化８】 （ここで、Ｒ3は互いに同じでも異なっていてもよく、
水素原子、または炭素数１〜２０の炭化水素基であり、
ｑは２〜６０の整数である。）で表される、アルミニウ
ムと酸素の結合を有するアルミニウムオキシ化合物であ
る。一般式（４）および（５）において、Ｒ3は各々同
一でも異なっていてもよい。Ｒ3は、例えば、水素原
子、またはメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などで表すこ
とができる炭素数１〜２０の炭化水素基である。また、
ｑは２〜６０の整数である。用いられるアルキルアルミ
ノキサンの使用量は、クロム錯体１モルに対してアルミ
ニウムが０．１〜１００００当量であり、好ましくは
０．５〜８０００当量、より好ましくは１〜５０００当
量である。
水素原子、または炭素数１〜２０の炭化水素基であり、
ｑは２〜６０の整数である。）で表される、アルミニウ
ムと酸素の結合を有するアルミニウムオキシ化合物であ
る。一般式（４）および（５）において、Ｒ3は各々同
一でも異なっていてもよい。Ｒ3は、例えば、水素原
子、またはメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などで表すこ
とができる炭素数１〜２０の炭化水素基である。また、
ｑは２〜６０の整数である。用いられるアルキルアルミ
ノキサンの使用量は、クロム錯体１モルに対してアルミ
ニウムが０．１〜１００００当量であり、好ましくは
０．５〜８０００当量、より好ましくは１〜５０００当
量である。
【００３１】本発明において使用されるアルキル基含有
化合物は特に限定されるものではないが、例えば、下記
一般式（６） ＲpＭＸq （６） （式中、ｐは０＜ｐ≦３であり、ｑは０≦ｑ＜３であっ
て、しかもｐ＋ｑは１〜３である。Ｍはリチウム、マグ
ネシウム、亜鉛、ボロンまたはアルミニウムを表し、Ｒ
は炭素数１〜１０のアルキル基からなる群より選ばれる
１種以上を表し、Ｘは水素原子、炭素数１〜１０のアル
コキシド基、炭素数６〜１０のアリール基およびハロゲ
ン原子からなる群より選ばれる１種以上を表す。）で示
される化合物が好適なものとして挙げられる。
化合物は特に限定されるものではないが、例えば、下記
一般式（６） ＲpＭＸq （６） （式中、ｐは０＜ｐ≦３であり、ｑは０≦ｑ＜３であっ
て、しかもｐ＋ｑは１〜３である。Ｍはリチウム、マグ
ネシウム、亜鉛、ボロンまたはアルミニウムを表し、Ｒ
は炭素数１〜１０のアルキル基からなる群より選ばれる
１種以上を表し、Ｘは水素原子、炭素数１〜１０のアル
コキシド基、炭素数６〜１０のアリール基およびハロゲ
ン原子からなる群より選ばれる１種以上を表す。）で示
される化合物が好適なものとして挙げられる。
【００３２】上記一般式（６）において、炭素数１〜１
０のアルキル基は特に限定されるものではないが、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シク
ロヘキシル基またはオクチル基等が挙げられる。アルコ
キシド基としては特に限定されるものではないが、例え
ば、メトキシド基、エトキシド基、ブトキシド基または
フェノキシド基等が挙げられる。アリール基としては特
に限定されるものではないが、例えば、フェニル基等が
挙げられる。ハロゲン原子としては特に限定されるもの
ではないが、例えば、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素
が挙げられる。
０のアルキル基は特に限定されるものではないが、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シク
ロヘキシル基またはオクチル基等が挙げられる。アルコ
キシド基としては特に限定されるものではないが、例え
ば、メトキシド基、エトキシド基、ブトキシド基または
フェノキシド基等が挙げられる。アリール基としては特
に限定されるものではないが、例えば、フェニル基等が
挙げられる。ハロゲン原子としては特に限定されるもの
ではないが、例えば、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素
が挙げられる。
【００３３】なお、上記一般式（６）において、ＭがＡ
ｌで、ｐとｑがそれぞれ１．５のとき、ＡｌＲ1.5Ｘ1.5
となる。このような化合物は、理論的には存在しない
が、通常、慣用的にＡｌ2Ｒ3Ｘ3のセスキ体として表現
されており、これらの化合物も本発明に含まれる。
ｌで、ｐとｑがそれぞれ１．５のとき、ＡｌＲ1.5Ｘ1.5
となる。このような化合物は、理論的には存在しない
が、通常、慣用的にＡｌ2Ｒ3Ｘ3のセスキ体として表現
されており、これらの化合物も本発明に含まれる。
【００３４】上記一般式（６）で示されるアルキル基含
有化合物としては、例えば、メチルリチウム、エチルリ
チウム、プロピルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅ
ｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ジエ
チルマグネシウム、エチルブチルマグネシウム、エチル
クロロマグネシウム、エチルブロモマグネシウム、ジメ
チル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジブチル亜鉛、トリメチルボ
ラン、トリエチルボラン、トリメチルアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリ−ｎ−ヘキシル
アルミニウム、トリ−ｎ−オクチルアルミニウム、トリ
シクロヘキシルアルミニウム、ジメチルエチルアルミニ
ウム、ジエチルアルミニウムヒドリド、ジイソブチルア
ルミニウムヒドリド、ジエチルアルミニウムエトキシ
ド、ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジシクロヘキ
シルフェニルアルミニウム、エチルアルミニウムエトキ
シクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジエチル
アルミニウムブロミド、ジイソブチルアルミニウムクロ
リド、ジシクロヘキシルアルミニウムクロリド、メチル
アルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセス
キクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチ
ルアルミニウムジクロリド、イソブチルアルミニウムジ
クロリド等が挙げられる。これらのうち入手の容易さお
よび活性の面から、トリアルキルアルミニウム化合物が
好ましく用いられ、さらに好ましくはトリメチルアルミ
ニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−
ヘキシルアルミニウムまたはトリ−ｎ−オクチルアルミ
ニウムが用いられる。これらのアルキル基含有化合物は
単独で使用し得るのみならず、二種以上を混合して用い
ることも可能である。用いられるアルキル基含有化合物
の使用量は、クロム錯体１モルに対して０．１〜１００
００当量であり、好ましくは３〜３０００当量、より好
ましくは５〜２０００当量である。
有化合物としては、例えば、メチルリチウム、エチルリ
チウム、プロピルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅ
ｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ジエ
チルマグネシウム、エチルブチルマグネシウム、エチル
クロロマグネシウム、エチルブロモマグネシウム、ジメ
チル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジブチル亜鉛、トリメチルボ
ラン、トリエチルボラン、トリメチルアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリ−ｎ−ヘキシル
アルミニウム、トリ−ｎ−オクチルアルミニウム、トリ
シクロヘキシルアルミニウム、ジメチルエチルアルミニ
ウム、ジエチルアルミニウムヒドリド、ジイソブチルア
ルミニウムヒドリド、ジエチルアルミニウムエトキシ
ド、ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジシクロヘキ
シルフェニルアルミニウム、エチルアルミニウムエトキ
シクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジエチル
アルミニウムブロミド、ジイソブチルアルミニウムクロ
リド、ジシクロヘキシルアルミニウムクロリド、メチル
アルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセス
キクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチ
ルアルミニウムジクロリド、イソブチルアルミニウムジ
クロリド等が挙げられる。これらのうち入手の容易さお
よび活性の面から、トリアルキルアルミニウム化合物が
好ましく用いられ、さらに好ましくはトリメチルアルミ
ニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−
ヘキシルアルミニウムまたはトリ−ｎ−オクチルアルミ
ニウムが用いられる。これらのアルキル基含有化合物は
単独で使用し得るのみならず、二種以上を混合して用い
ることも可能である。用いられるアルキル基含有化合物
の使用量は、クロム錯体１モルに対して０．１〜１００
００当量であり、好ましくは３〜３０００当量、より好
ましくは５〜２０００当量である。
【００３５】本発明において用いられるアミン化合物お
よびアミド化合物は特に限定されるものではないが、水
素以外の３置換の窒素原子を１個以上有し、３〜３０個
の炭素原子を有する化合物が好適なものとして挙げられ
る。具体的には、特に限定されるものではないが、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、１，４−ジアザビシ
クロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、Ｎ−メチ
ルインドール、Ｎ−エチルインドール、Ｎ−メチルマレ
イミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ノルマルプロピル
マレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−シクロ
ヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−プ
レニルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、
２，６−ジメチルピリジン、Ｎ−メチルアジリジン、４
−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）、
１，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ナフタレン
（Ｐｒｏｔｏｎ Ｓｐｏｎｇｅ）、Ｎ−メチルピロー
ル、３，５−ジメチル−Ｎ−メチルピロール、１，５−
ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（ＤＢＮ）、
１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７
（ＤＢＵ）、Ｎ−フェニルピロール、Ｎ−エチルピロー
ル、５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，
２３Ｈ−ポルフィン、２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン、
２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチ
ル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン、２９Ｈ，３１Ｈ−フ
タロシアニン等が挙げられ、好ましくは上記のマレイミ
ド類、ピリジン類、および橋頭構造を有するアミン類が
挙げられる。さらに、これらのアミン化合物およびアミ
ド化合物は単独のみならず、二種以上を用いることも可
能であり、その使用量はクロム錯体に対して０．１〜１
００００等量であり、好ましくは１〜５０００等量であ
り、また３〜１００等量用いたとき高い触媒活性を発現
するため、より好ましい。
よびアミド化合物は特に限定されるものではないが、水
素以外の３置換の窒素原子を１個以上有し、３〜３０個
の炭素原子を有する化合物が好適なものとして挙げられ
る。具体的には、特に限定されるものではないが、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、１，４−ジアザビシ
クロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、Ｎ−メチ
ルインドール、Ｎ−エチルインドール、Ｎ−メチルマレ
イミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ノルマルプロピル
マレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−シクロ
ヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−プ
レニルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、
２，６−ジメチルピリジン、Ｎ−メチルアジリジン、４
−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）、
１，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ナフタレン
（Ｐｒｏｔｏｎ Ｓｐｏｎｇｅ）、Ｎ−メチルピロー
ル、３，５−ジメチル−Ｎ−メチルピロール、１，５−
ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（ＤＢＮ）、
１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７
（ＤＢＵ）、Ｎ−フェニルピロール、Ｎ−エチルピロー
ル、５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，
２３Ｈ−ポルフィン、２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン、
２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチ
ル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン、２９Ｈ，３１Ｈ−フ
タロシアニン等が挙げられ、好ましくは上記のマレイミ
ド類、ピリジン類、および橋頭構造を有するアミン類が
挙げられる。さらに、これらのアミン化合物およびアミ
ド化合物は単独のみならず、二種以上を用いることも可
能であり、その使用量はクロム錯体に対して０．１〜１
００００等量であり、好ましくは１〜５０００等量であ
り、また３〜１００等量用いたとき高い触媒活性を発現
するため、より好ましい。
【００３６】本発明の三量化触媒は、アミン化合物およ
び／またはアミド化合物の存在下において、クロム錯体
とアルキルアルミノキサン、さらに必要に応じてアルキ
ル基含有化合物を原料に、溶媒中で接触させることによ
り調製できる。接触方法は特に制限されない。
び／またはアミド化合物の存在下において、クロム錯体
とアルキルアルミノキサン、さらに必要に応じてアルキ
ル基含有化合物を原料に、溶媒中で接触させることによ
り調製できる。接触方法は特に制限されない。
【００３７】この触媒を調製する際のクロム錯体の濃度
は特に制限されないが、通常、溶媒１Ｌあたり０．００
１マイクロモル〜１００ミリモル、好ましくは０．０１
マイクロモル〜１０ミリモルの濃度で使用される。０．
００１マイクロモルより小さい触媒濃度では十分な活性
が得られず、逆に１００ミリモルより大きい触媒濃度で
は触媒活性が増加せず経済的でない。また、ここで用い
られる溶媒としては、例えば、ブタン、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デ
カン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、シクロオクタン、デカリン等の脂肪族炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ン、クメン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン、ジ
クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類および塩化メチレ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等の塩
素化炭化水素類が挙げられる。また、反応生成物、即
ち、１−ヘキセンを溶媒として用いることもできる。こ
れらの溶媒は、それぞれ単独で使用し得るのみならず、
二種以上を混合して用いることも可能である。ここで、
エチレンの三量化反応時のクロム錯体濃度をコントロー
ルする目的で、必要に応じて濃縮や希釈しても差し支え
ない。
は特に制限されないが、通常、溶媒１Ｌあたり０．００
１マイクロモル〜１００ミリモル、好ましくは０．０１
マイクロモル〜１０ミリモルの濃度で使用される。０．
００１マイクロモルより小さい触媒濃度では十分な活性
が得られず、逆に１００ミリモルより大きい触媒濃度で
は触媒活性が増加せず経済的でない。また、ここで用い
られる溶媒としては、例えば、ブタン、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デ
カン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、シクロオクタン、デカリン等の脂肪族炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ン、クメン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン、ジ
クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類および塩化メチレ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等の塩
素化炭化水素類が挙げられる。また、反応生成物、即
ち、１−ヘキセンを溶媒として用いることもできる。こ
れらの溶媒は、それぞれ単独で使用し得るのみならず、
二種以上を混合して用いることも可能である。ここで、
エチレンの三量化反応時のクロム錯体濃度をコントロー
ルする目的で、必要に応じて濃縮や希釈しても差し支え
ない。
【００３８】また、アミン化合物および／またはアミド
化合物の存在下において、前記のクロム錯体とアルキル
アルミノキサン、あるいは当該クロム錯体とアルキルア
ルミノキサンとアルキル基含有化合物を接触させる際の
温度は−１００〜２５０℃、好ましくは０〜２００℃で
ある。接触時間は特に制限されず、１分〜２４時間、好
ましくは２分〜２時間である。なお、接触時のすべての
操作は、空気と水分を避けて行なうことが望ましい。ま
た、原料および溶媒は十分に乾燥しておくことが好まし
い。
化合物の存在下において、前記のクロム錯体とアルキル
アルミノキサン、あるいは当該クロム錯体とアルキルア
ルミノキサンとアルキル基含有化合物を接触させる際の
温度は−１００〜２５０℃、好ましくは０〜２００℃で
ある。接触時間は特に制限されず、１分〜２４時間、好
ましくは２分〜２時間である。なお、接触時のすべての
操作は、空気と水分を避けて行なうことが望ましい。ま
た、原料および溶媒は十分に乾燥しておくことが好まし
い。
【００３９】本発明のエチレンの三量化反応は、アミン
化合物および／またはアミド化合物の存在下において、
前記のクロム錯体とアルキルアルミノキサン、あるいは
当該クロム錯体とアルキルアルミノキサンとアルキル基
含有化合物からなる触媒とエチレンを接触させることに
より行うことができる。接触方法は特に制限されない
が、例えば、三量化反応の原料であるエチレンの存在下
に、アミン化合物および／またはアミド化合物とクロム
錯体とアルキルアルミノキサン、あるいはアミン化合物
および／またはアミド化合物とクロム錯体とアルキルア
ルミノキサンとアルキル基含有化合物を接触させて、接
触と同時に三量化反応を開始する方法が例示され、ま
た、アミン化合物および／またはアミド化合物とクロム
錯体とアルキルアルミノキサン、あるいはアミン化合物
および／またはアミド化合物とクロム錯体とアルキルア
ルミノキサンとアルキル基含有化合物を前もって接触さ
せた後、エチレンと接触させて三量化反応を行う方法が
例示される。なお、これらの混合順序は特に制限されな
い。
化合物および／またはアミド化合物の存在下において、
前記のクロム錯体とアルキルアルミノキサン、あるいは
当該クロム錯体とアルキルアルミノキサンとアルキル基
含有化合物からなる触媒とエチレンを接触させることに
より行うことができる。接触方法は特に制限されない
が、例えば、三量化反応の原料であるエチレンの存在下
に、アミン化合物および／またはアミド化合物とクロム
錯体とアルキルアルミノキサン、あるいはアミン化合物
および／またはアミド化合物とクロム錯体とアルキルア
ルミノキサンとアルキル基含有化合物を接触させて、接
触と同時に三量化反応を開始する方法が例示され、ま
た、アミン化合物および／またはアミド化合物とクロム
錯体とアルキルアルミノキサン、あるいはアミン化合物
および／またはアミド化合物とクロム錯体とアルキルア
ルミノキサンとアルキル基含有化合物を前もって接触さ
せた後、エチレンと接触させて三量化反応を行う方法が
例示される。なお、これらの混合順序は特に制限されな
い。
【００４０】本発明におけるエチレンの三量化反応の温
度は、−１００〜２５０℃であるが、好ましくは０〜２
００℃である。反応圧力は、反応系がエチレン雰囲気で
あれば特に制限されないが、通常、絶対圧で０．０１〜
３０００ｋｇ／ｃｍ2であり、好ましくは０．１〜３０
０ｋｇ／ｃｍ2である。また、反応時間は、５秒〜６時
間である。また、エチレンは、前記の圧力を保つように
連続的に供給してもよいし、反応開始時に前記圧力で封
入して反応させてもよい。原料ガスであるエチレンに
は、反応に不活性なガス、例えば、窒素、アルゴン、ヘ
リウム等が含まれていても何ら差し支えない。なお、エ
チレン三量化反応のすべての操作は、空気と水分を避け
て行うことが望ましい。また、エチレンは十分に乾燥し
ておくことが好ましい。
度は、−１００〜２５０℃であるが、好ましくは０〜２
００℃である。反応圧力は、反応系がエチレン雰囲気で
あれば特に制限されないが、通常、絶対圧で０．０１〜
３０００ｋｇ／ｃｍ2であり、好ましくは０．１〜３０
０ｋｇ／ｃｍ2である。また、反応時間は、５秒〜６時
間である。また、エチレンは、前記の圧力を保つように
連続的に供給してもよいし、反応開始時に前記圧力で封
入して反応させてもよい。原料ガスであるエチレンに
は、反応に不活性なガス、例えば、窒素、アルゴン、ヘ
リウム等が含まれていても何ら差し支えない。なお、エ
チレン三量化反応のすべての操作は、空気と水分を避け
て行うことが望ましい。また、エチレンは十分に乾燥し
ておくことが好ましい。
【００４１】本発明におけるエチレンの三量化反応は、
回分式、半回分式、連続式のいずれでも実施できる。エ
チレンの三量化反応終了後、反応液に、例えば、水、ア
ルコール、水酸化ナトリウム水溶液等の失活剤を添加し
て反応を停止させることができる。失活した廃クロム触
媒は公知の脱灰処理方法、例えば、水またはアルカリ水
溶液による抽出等で除去できる。生成した１−ヘキセン
は、公知の抽出法や蒸留法により反応液より分離され
る。また、副生するポリエチレンは、反応液出口で公知
の遠心分離法や１−ヘキセンを蒸留分離する際の残渣と
して分離除去することができる。
回分式、半回分式、連続式のいずれでも実施できる。エ
チレンの三量化反応終了後、反応液に、例えば、水、ア
ルコール、水酸化ナトリウム水溶液等の失活剤を添加し
て反応を停止させることができる。失活した廃クロム触
媒は公知の脱灰処理方法、例えば、水またはアルカリ水
溶液による抽出等で除去できる。生成した１−ヘキセン
は、公知の抽出法や蒸留法により反応液より分離され
る。また、副生するポリエチレンは、反応液出口で公知
の遠心分離法や１−ヘキセンを蒸留分離する際の残渣と
して分離除去することができる。
【００４２】
【実施例】以下に、本発明を実施例によりさらに詳細に
説明するが、これらの実施例は本発明の概要を示すもの
で、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
説明するが、これらの実施例は本発明の概要を示すもの
で、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００４３】ＩＲ測定：ＩＲは、島津製作所製 赤外分
光光度計（ＦＴＩＲ−８１００）を用いて、ヌジョール
法で測定した。
光光度計（ＦＴＩＲ−８１００）を用いて、ヌジョール
法で測定した。
【００４４】ガスクロマトグラフィーによる分析：反応
液中に含まれる炭素数４〜８の生成物の定量は、ＧＬサ
イエンス製 ＴＣ−１のカラムを装着した島津製作所製
ガスクロマトグラフ（ＧＣ−１４Ａ）を用いて分析し
た。分析条件は、窒素キャリアを用い、インジェクショ
ン温度２８０℃、検出器温度２８０℃に設定し、内部標
準としてｎ−ヘプタンを用いた。分析は、このガスクロ
マトグラフに反応液を１．２μＬ注入した後、カラムの
温度を４０℃から２５０℃まで昇温することにより行っ
た。
液中に含まれる炭素数４〜８の生成物の定量は、ＧＬサ
イエンス製 ＴＣ−１のカラムを装着した島津製作所製
ガスクロマトグラフ（ＧＣ−１４Ａ）を用いて分析し
た。分析条件は、窒素キャリアを用い、インジェクショ
ン温度２８０℃、検出器温度２８０℃に設定し、内部標
準としてｎ−ヘプタンを用いた。分析は、このガスクロ
マトグラフに反応液を１．２μＬ注入した後、カラムの
温度を４０℃から２５０℃まで昇温することにより行っ
た。
【００４５】また、炭素数１０以上の生成物は、上記ガ
スクロマトグラフとは別途用意したＧＬサイエンス製
ＴＣ−１のカラムを装着した島津製作所製 ガスクロマ
トグラフ（ＧＣ−１４Ａ）を用いて分析した。分析条件
は、窒素キャリアを用い、インジェクション温度３００
℃、検出器温度３００℃に設定し、内部標準としてｎ−
ヘプタンを用いた。分析は、このガスクロマトグラフに
反応液を１．４μＬ注入した後、カラムの温度を５０℃
から３００℃まで昇温することにより行った。
スクロマトグラフとは別途用意したＧＬサイエンス製
ＴＣ−１のカラムを装着した島津製作所製 ガスクロマ
トグラフ（ＧＣ−１４Ａ）を用いて分析した。分析条件
は、窒素キャリアを用い、インジェクション温度３００
℃、検出器温度３００℃に設定し、内部標準としてｎ−
ヘプタンを用いた。分析は、このガスクロマトグラフに
反応液を１．４μＬ注入した後、カラムの温度を５０℃
から３００℃まで昇温することにより行った。
【００４６】気体中に含まれる生成物は、クロムパック
製 Ａｌ2Ｏ3／ＫＣｌのカラムを装着した島津製作所製
ガスクロマトグラフ（ＧＣ−９Ａ）を用いて分析し
た。分析条件は、窒素キャリアを用い、インジェクショ
ン温度２００℃、検出器温度２００℃およびカラム温度
１２０℃に設定し、絶対検量線法を用いた。分析は、こ
のガスクロマトグラフに回収した気体を０．２ｍＬ注入
することにより行った。
製 Ａｌ2Ｏ3／ＫＣｌのカラムを装着した島津製作所製
ガスクロマトグラフ（ＧＣ−９Ａ）を用いて分析し
た。分析条件は、窒素キャリアを用い、インジェクショ
ン温度２００℃、検出器温度２００℃およびカラム温度
１２０℃に設定し、絶対検量線法を用いた。分析は、こ
のガスクロマトグラフに回収した気体を０．２ｍＬ注入
することにより行った。
【００４７】参考例１ 内容積１００ｍＬのシュレンク管に、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃ
ｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９２，５１１８（１９７０）に記載
の方法で合成した三脚型構造を有するトリス（３，５−
ジメチル−１−ピラゾリル）メタン １２６ｍｇ、トリ
ス（テトラヒドロフラン）クロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）１４３ｍｇ、テトラヒドロフラン２０ｍＬを加え、
窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。生成した結晶をろ別
し、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メタ
ンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）を得た（ＩＲ（ヌジ
ョール）：１５６５ｃｍ-1）。以下、この錯体を錯体Ａ
と称する。
ｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９２，５１１８（１９７０）に記載
の方法で合成した三脚型構造を有するトリス（３，５−
ジメチル−１−ピラゾリル）メタン １２６ｍｇ、トリ
ス（テトラヒドロフラン）クロムトリクロライド（ＩＩ
Ｉ）１４３ｍｇ、テトラヒドロフラン２０ｍＬを加え、
窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。生成した結晶をろ別
し、トリス（３，５−ジメチル−１−ピラゾリル）メタ
ンクロムトリクロライド（ＩＩＩ）を得た（ＩＲ（ヌジ
ョール）：１５６５ｃｍ-1）。以下、この錯体を錯体Ａ
と称する。
【００４８】参考例２ 内容積１００ｍＬのシュレンク管に、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃ
ｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９２，５１１８（１９７０）に記載
の方法で合成した三脚型構造を有するトリス（３−フェ
ニル−５−メチル−１−ピラゾリル）メタン ３４６ｍ
ｇ、トリス（テトラヒドロフラン）クロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）２５５ｍｇ、テトラヒドロフラン５ｍＬと
トルエン２０ｍＬを加え、窒素雰囲気下で２４時間９５
℃で攪拌した。生成した結晶をろ別し、トリス（３−フ
ェニル−５−メチル−１−ピラゾリル）メタンクロムト
リクロライド（ＩＩＩ）を得た（ＩＲ（ＫＢｒ）：１５
６６ｃｍ-1）。以下、この錯体を錯体Ｂと称する。
ｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９２，５１１８（１９７０）に記載
の方法で合成した三脚型構造を有するトリス（３−フェ
ニル−５−メチル−１−ピラゾリル）メタン ３４６ｍ
ｇ、トリス（テトラヒドロフラン）クロムトリクロライ
ド（ＩＩＩ）２５５ｍｇ、テトラヒドロフラン５ｍＬと
トルエン２０ｍＬを加え、窒素雰囲気下で２４時間９５
℃で攪拌した。生成した結晶をろ別し、トリス（３−フ
ェニル−５−メチル−１−ピラゾリル）メタンクロムト
リクロライド（ＩＩＩ）を得た（ＩＲ（ＫＢｒ）：１５
６６ｃｍ-1）。以下、この錯体を錯体Ｂと称する。
【００４９】比較例１〜２ 温度計および攪拌装置を備えた内容積３００ｍＬのステ
ンレス製耐圧反応容器に、窒素下で、参考例１で合成し
た錯体Ａとトルエン６０ｍＬを入れ、混合撹拌した。撹
拌速度を１０００ｒｐｍに調整後、さらにメチルアルミ
ノキサンもしくはメチルアルミノキサンとトリ−ｎ−オ
クチルアルミニウムを入れ、混合攪拌を３０分行った。
ンレス製耐圧反応容器に、窒素下で、参考例１で合成し
た錯体Ａとトルエン６０ｍＬを入れ、混合撹拌した。撹
拌速度を１０００ｒｐｍに調整後、さらにメチルアルミ
ノキサンもしくはメチルアルミノキサンとトリ−ｎ−オ
クチルアルミニウムを入れ、混合攪拌を３０分行った。
【００５０】次いで、反応容器を８０℃に加熱し、反応
容器内の圧力を４０ｋｇ／ｃｍ2となるようにエチレン
ガスを吹き込み、エチレンの三量化反応を開始した。以
後、前記圧力を維持するように導入し続け、これらの反
応条件を保った状態で３０分反応を行なった。その後、
反応容器中に水を窒素で圧入することにより触媒を失活
させて反応を停止した。
容器内の圧力を４０ｋｇ／ｃｍ2となるようにエチレン
ガスを吹き込み、エチレンの三量化反応を開始した。以
後、前記圧力を維持するように導入し続け、これらの反
応条件を保った状態で３０分反応を行なった。その後、
反応容器中に水を窒素で圧入することにより触媒を失活
させて反応を停止した。
【００５１】反応容器を室温まで冷却し、次いで脱圧し
た。反応液および回収した気体中に含まれる生成物をガ
スクロマトグラフィーにより分析した。反応条件および
結果を表１，表２に示す。
た。反応液および回収した気体中に含まれる生成物をガ
スクロマトグラフィーにより分析した。反応条件および
結果を表１，表２に示す。
【００５２】実施例１〜４ 温度計および攪拌装置を備えた内容積３００ｍＬのステ
ンレス製耐圧反応容器に、窒素下で、参考例１と参考例
２で合成した錯体Ａまたは錯体ＢとＮ−フェニルマレイ
ミドとトルエン６０ｍＬを加えた後、アルキルアルミノ
キサンもしくはアルキルアルミノキサンとアルキル基含
有化合物を入れ、混合攪拌を３０分行った。
ンレス製耐圧反応容器に、窒素下で、参考例１と参考例
２で合成した錯体Ａまたは錯体ＢとＮ−フェニルマレイ
ミドとトルエン６０ｍＬを加えた後、アルキルアルミノ
キサンもしくはアルキルアルミノキサンとアルキル基含
有化合物を入れ、混合攪拌を３０分行った。
【００５３】次いで、反応容器を８０℃に加熱し、撹拌
速度を１０００ｒｐｍに調整後、反応容器内の圧力を４
０ｋｇ／ｃｍ2となるようにエチレンガスを吹き込み、
エチレンの三量化反応を開始した。以後、前記圧力を維
持するように導入し続け、これらの反応条件を保った状
態で３０分反応を行なった。その後、反応容器中に水を
窒素で圧入することにより触媒を失活させて反応を停止
した。
速度を１０００ｒｐｍに調整後、反応容器内の圧力を４
０ｋｇ／ｃｍ2となるようにエチレンガスを吹き込み、
エチレンの三量化反応を開始した。以後、前記圧力を維
持するように導入し続け、これらの反応条件を保った状
態で３０分反応を行なった。その後、反応容器中に水を
窒素で圧入することにより触媒を失活させて反応を停止
した。
【００５４】反応容器を室温まで冷却し、次いで脱圧し
た。反応液および回収した気体中に含まれる生成物をガ
スクロマトグラフィーにより分析した。反応条件および
結果を表１，表２に示す。
た。反応液および回収した気体中に含まれる生成物をガ
スクロマトグラフィーにより分析した。反応条件および
結果を表１，表２に示す。
【００５５】
【表１】
【表２】
【発明の効果】本発明によれば、アミン化合物および／
またはアミド化合物と、三脚型構造を有する中性の多座
配位子が配位したクロム錯体とアルキルアルミノキサ
ン、あるいは当該クロム錯体とアルキルアルミノキサン
とアルキル基含有化合物からなるエチレンの三量化触媒
は、安定で取り扱いが容易であり、しかもこれを用いる
とエチレンから効率よく、かつ高選択的に１−ヘキセン
を製造することができる。
またはアミド化合物と、三脚型構造を有する中性の多座
配位子が配位したクロム錯体とアルキルアルミノキサ
ン、あるいは当該クロム錯体とアルキルアルミノキサン
とアルキル基含有化合物からなるエチレンの三量化触媒
は、安定で取り扱いが容易であり、しかもこれを用いる
とエチレンから効率よく、かつ高選択的に１−ヘキセン
を製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G069 AA06 BA21A BA21B BA27A BA27B BC16A BC16B BC58A BC58B BE01A BE05A BE05B BE13A BE13B BE14A BE19A BE19B BE21A BE25A BE32A BE33A BE34B BE35A BE37A BE37B BE38A BE38B BE40A BE45A BE46B BE48A CB47 4H006 AA02 AC21 BA14 BA47 BA51 BA63 BA81 4H039 CA19 CL19
Claims (8)
- 【請求項１】アミン化合物および／またはアミド化合物
と、下記一般式（１） ＡＣｒＢn （１） （式中、ｎは１〜３の整数である。Ａは三脚型構造を有
する中性の多座配位子であり、Ｃｒはクロム原子、Ｂは
水素原子、ハロゲン原子、および炭素数１〜１０の直鎖
もしくは分岐状のアルキル基からなる群より選ばれる１
種以上を表す。）で示される三脚型構造を有する中性の
多座配位子が配位したクロム錯体とアルキルアルミノキ
サンからなるエチレンの三量化触媒。 - 【請求項２】アミン化合物またはアミド化合物と、下記
一般式（１） ＡＣｒＢn （１） （式中、ｎは１〜３の整数である。Ａは三脚型構造を有
する中性の多座配位子であり、Ｃｒはクロム原子、Ｂは
水素原子、ハロゲン原子、および炭素数１〜１０の直鎖
もしくは分岐状のアルキル基からなる群より選ばれる１
種以上を表す。）で示される三脚型構造を有する中性の
多座配位子が配位したクロム錯体とアルキルアルミノキ
サンとアルキル基含有化合物からなるエチレンの三量化
触媒。 - 【請求項３】三脚型構造を有する中性の多座配位子が、
下記一般式（２） 【化１】 （式中、ｊ，ｋ，ｍはそれぞれ独立して０〜６の整数で
ある。Ｄ1はそれぞれ独立して置換基を有していてもよ
い２価の炭化水素基、Ｌ1はそれぞれ独立して周期表１
４族、１５族、１６族または１７族元素を含有する置換
基を表す。また、Ｇ1は炭素またはケイ素、Ｒ1は水素原
子、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０
のアリール基を表す。）または下記一般式（３） 【化２】 （式中、ａ，ｂ，ｃはそれぞれ独立して０〜６の整数で
あり、ｕは０または１の整数である。Ｄ2はそれぞれ独
立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基、Ｌ
2はそれぞれ独立して周期表１４族、１５族、１６族ま
たは１７族元素を含有する置換基を表す。また、Ｇ2は
窒素原子またはリン原子、Ｒ2は酸素原子またはイオウ
原子を表す。）で示される三座配位子であることを特徴
とする請求項１および２に記載のエチレンの三量化触
媒。 - 【請求項４】三脚型構造を有する中性の多座配位子がｆ
ａｃｉａｌに配位したクロム錯体を用いることを特徴と
する請求項１〜３に記載のエチレンの三量化触媒。 - 【請求項５】アルキルアルミノキサンが、下式（４）お
よび／または（５） 【化３】 【化４】 （ここで、Ｒ3は互いに同じでも異なっていてもよく、
水素原子、または炭素数１〜２０の炭化水素基であり、
ｑは２〜６０の整数である。）で表されることを特徴と
する請求項１〜４に記載のエチレンの三量化触媒。 - 【請求項６】アルキル基含有化合物が、下記一般式
（６） ＲpＭＸq （６） （式中、ｐは０＜ｐ≦３であり、ｑは０≦ｑ＜３であっ
て、しかもｐ＋ｑは１〜３である。Ｍはリチウム、マグ
ネシウム、亜鉛、ボロンまたはアルミニウムを表し、Ｒ
は炭素数１〜１０のアルキル基からなる群より選ばれる
１種以上を表し、Ｘは水素原子、炭素数１〜１０のアル
コキシド基、炭素数６〜１０のアリール基およびハロゲ
ン原子からなる群より選ばれる１種以上を表す。）で示
される化合物であることを特徴とする請求項２〜５に記
載のエチレンの三量化触媒。 - 【請求項７】アミン化合物および／またはアミド化合物
が、水素以外で置換された３置換の窒素原子を１個以上
有し、かつ３〜３０個の炭素原子を有する化合物である
ことを特徴とする請求項１〜６に記載のエチレンの三量
化触媒。 - 【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載のエチレン
の三量化触媒の存在下で、エチレンを三量化することを
特徴とするエチレンの三量化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001285188A JP2002233764A (ja) | 2000-12-05 | 2001-09-19 | エチレンの三量化触媒およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374700 | 2000-12-05 | ||
| JP2000-374700 | 2000-12-05 | ||
| JP2001285188A JP2002233764A (ja) | 2000-12-05 | 2001-09-19 | エチレンの三量化触媒およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002233764A true JP2002233764A (ja) | 2002-08-20 |
Family
ID=26605517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001285188A Pending JP2002233764A (ja) | 2000-12-05 | 2001-09-19 | エチレンの三量化触媒およびこの触媒を用いたエチレンの三量化方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002233764A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7820581B2 (en) | 2004-02-20 | 2010-10-26 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Methods of preparation of an olefin oligomerization catalyst |
| US7902415B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-03-08 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Processes for dimerizing or isomerizing olefins |
| US7910670B2 (en) | 2005-08-19 | 2011-03-22 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Methods of preparation of an olefin oligomerization catalyst |
| US7994376B2 (en) | 2004-02-19 | 2011-08-09 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Olefin oligomerization |
| JP2012523306A (ja) * | 2009-04-09 | 2012-10-04 | リンデ アーゲー | エチレンのオリゴマー化のための触媒組成物およびプロセス |
| US8329608B2 (en) | 2004-02-20 | 2012-12-11 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Methods of preparation of an olefin oligomerization catalyst |
| JP2014514131A (ja) * | 2011-02-16 | 2014-06-19 | リンデ アーゲー | エチレンのオリゴマー化のための触媒組成物を調製する方法およびそれぞれの触媒組成物の予備形成ユニット |
| US9550841B2 (en) | 2004-02-20 | 2017-01-24 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Methods of preparation of an olefin oligomerization catalyst |
| US9586872B2 (en) | 2011-12-30 | 2017-03-07 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Olefin oligomerization methods |
| US11285469B2 (en) | 2016-12-30 | 2022-03-29 | Sabic Global Technologies B.V. | Method for preparation of a catalyst solution for selective 1-hexene production |
| US11331655B2 (en) | 2016-12-30 | 2022-05-17 | Sabic Global Technologies B.V. | Method for preparation of homogenous catalyst for selective 1-hexene production |
-
2001
- 2001-09-19 JP JP2001285188A patent/JP2002233764A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7994376B2 (en) | 2004-02-19 | 2011-08-09 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Olefin oligomerization |
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| JP2012523306A (ja) * | 2009-04-09 | 2012-10-04 | リンデ アーゲー | エチレンのオリゴマー化のための触媒組成物およびプロセス |
| JP2014514131A (ja) * | 2011-02-16 | 2014-06-19 | リンデ アーゲー | エチレンのオリゴマー化のための触媒組成物を調製する方法およびそれぞれの触媒組成物の予備形成ユニット |
| US10882926B2 (en) | 2011-02-16 | 2021-01-05 | Sabic Global Technologies B.V. | Method for preparing a catalyst composition for oligomerization of ethylene and respective catalyst composition pre-formation unit |
| US9586872B2 (en) | 2011-12-30 | 2017-03-07 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Olefin oligomerization methods |
| US11285469B2 (en) | 2016-12-30 | 2022-03-29 | Sabic Global Technologies B.V. | Method for preparation of a catalyst solution for selective 1-hexene production |
| US11331655B2 (en) | 2016-12-30 | 2022-05-17 | Sabic Global Technologies B.V. | Method for preparation of homogenous catalyst for selective 1-hexene production |
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